JP4778078B2 - 接着剤組成物、接着用シート、ダイシング・ダイアタッチフィルム及び半導体装置 - Google Patents
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Description
(A)重量平均分子量が50,000〜1,500,000であり、エポキシ基および下記式(1):
で表される構造単位を有する(メタ)アクリル系樹脂、
(B)ジシクロペンタジエン骨格構造を有するエポキシ樹脂、ならびに
(C)ジフェニルスルホン骨格構造を有する芳香族ポリアミン
を含む接着剤組成物を提供する。
<(A)(メタ)アクリル系樹脂>
(A)成分は、重量平均分子量が50,000〜1,500,000であり、エポキシ基および下記式(1):
で表されるアクリロニトリル由来の構造単位を有する(メタ)アクリル系樹脂である。本明細書において(メタ)アクリル系樹脂とは、アクリル酸、アクリル酸誘導体、メタクリル酸およびメタクリル酸誘導体からなる(メタ)アクリル系単量体に由来する構造単位を含む重合体をいう。(A)成分は、一種単独で使用しても二種以上を組み合わせて使用してもよい。二種以上を組み合わせて使用する場合、(A)成分は、エポキシ基を有する(メタ)アクリル系樹脂とエポキシ基を有しない(メタ)アクリル系樹脂との混合物であってもよい。
(B)成分は、ジシクロペンタジエン骨格構造を有するエポキシ樹脂であり、1分子中にエポキシ基を少なくとも2個有するものが好ましい。(B)成分は、1種単独でも2種以上を組み合わせても使用することができる。
で表される構造、および、上記式で表される構造から一部または全部の水素原子を除いた残りの構造をいう。後者の構造において、除かれる水素原子の数および位置に制限はない。中でも、上記式で表される構造が好ましい。
(式中、nは0以上の数である。)
で示されるエポキシ樹脂が例示される。上記構造式(2)中、nは0以上の数であるが、好ましくは0〜10の数、より好ましくは0〜5の数である。このエポキシ樹脂は、1分子中にエポキシ基を少なくとも2個有する化合物である。上記構造式(2)で示されるエポキシ樹脂は、1種単独でも2種以上を組み合わせても使用することができる。
(C)成分のジフェニルスルホン骨格構造を有する芳香族ポリアミンは、ジフェニルスルホン骨格構造を有し、かつ、芳香環に直結した少なくとも2個のアミノ基を有する化合物であり、エポキシ樹脂用硬化剤及び触媒としての機能を有するものである。(C)成分の芳香族ポリアミンは、ジフェニルスルホン骨格構造中にベンゼン環を有するが、更に他の芳香環を有してもよい。少なくとも2個のアミノ基は、(C)成分中の芳香環がジフェニルスルホン骨格構造中のベンゼン環のみである場合には該ベンゼン環に直結し、(C)成分中の芳香環がジフェニルスルホン骨格構造中のベンゼン環と該ベンゼン環以外の芳香環である場合には該ベンゼン環および該ベンゼン環以外の芳香環のいずれか一方または両方に直結する。
本発明の接着剤組成物には、上記(A)〜(C)成分に加えて、該組成物の特性を損なわない範囲でその他の成分を配合してよい。その他の成分としては、例えば、(B)成分以外のエポキシ樹脂;(C)成分以外のエポキシ樹脂用硬化剤及び触媒;充填剤;接着助剤;顔料、染料等の着色剤;濡れ向上剤;酸化防止剤;熱安定剤;溶媒等が挙げられる。
本発明組成物においては、ジシクロペンタジエン骨格構造以外の骨格構造を有するエポキシ樹脂を(B)成分のエポキシ樹脂と組み合わせて用いてもよい。(B)成分以外のこのようなエポキシ樹脂は公知であり、市販品を使用することができる。(B)成分以外のエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールF型エポキシ樹脂;ビスフェノールA型エポキシ樹脂;フェノールノボラック、クレゾールノボラック等のノボラック型フェノール樹脂とエピクロルヒドリンとを縮合させて得られるノボラック型エポキシ樹脂;ナフタレン環含有エポキシ樹脂;ビフェニル型エポキシ樹脂;フェノールアラルキル型エポキシ樹脂;ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂などが挙げられる。好ましくはノボラック型エポキシ樹脂である。(B)成分以外のエポキシ樹脂の配合量は、(B)成分100質量部に対して、0〜50質量部、好ましくは0〜20質量部である。該配合量が50質量部を超えると、得られる接着剤組成物の埋め込み性能が損なわれる場合がある。
(C)成分以外のエポキシ樹脂用硬化剤及び触媒としては、例えば、エポキシ樹脂用硬化剤または触媒として公知のフェノール系化合物が挙げられる。(C)成分以外のエポキシ樹脂用硬化剤及び触媒の量は、(C)成分の芳香族ポリアミンの効果を妨げない程度である。
本発明組成物には充填剤を配合してもよい。充填剤には特に制限はなく、公知のものを使用することができる。充填剤は、1種単独で使用しても2種以上を組み合わせて使用してもよい。充填剤の配合量は、(A)〜(C)成分の合計100質量部に対して好ましくは0〜900質量部、より好ましくは0〜500質量部である。
本発明の組成物には、接着性を向上させるために、接着助剤を添加してもよい。接着助剤は1種単独でも2種以上を組み合わせても使用することができる。接着助剤としては、例えば、ケイ素を含むカップリング剤(シランカップリング剤)を使用することができる。接着助剤の例としては、エポキシ基含有シランカップリング剤、メルカプト基含有シランカップリング剤、アミノ基含有シランカップリング剤、(メタ)アクリル基含有シランカップリング剤等が例示され、商品名で信越化学工業社製のKBM−403、KBM−402、KBM−803、KBM−802、KBM−903、KBM−902、KBM−503、KBM5103もしくはX−12−414またはこれらの部分加水分解物等を挙げることができる。
本発明の組成物には、各成分の混合のしやすさ、得られる組成物の塗布のしやすさ等の観点から、溶媒を添加してもよい。溶媒は1種単独でも2種以上を組み合わせても使用することができる。溶媒としては、例えば、メチルエチルケトン、トルエン、酢酸エチル、シクロヘキサノン、N-メチルピロリドン(NMP)などの非プロトン性極性溶媒が挙げられる。
本発明の接着剤組成物は、上記(A)〜(C)成分および所望によりその他の成分を慣用の混合手段により室温で混合することにより調製することができる。
本発明の接着剤組成物は、例えば、2つの被着体を接着するのに用いることができる。これらの被着体は特に限定されないが、一方の被着体としては、例えば、シリコンチップ、ガラス、セラミック等が挙げられ、他方の被着体としては、例えば、BT基板等の樹脂基板;金、銀、銅、ニッケル等からなるリードフレーム基板;シリコン基板が挙げられる。
下記(A)〜(C)成分およびその他の成分を表1に示す配合量(質量部)で自転・公転方式の混合機((株)シンキー社製)に仕込み、更に、これら成分の合計の濃度が20質量%となるようにメチルエチルケトン、トルエンまたはシクロヘキサノンを加え、混合して、接着剤組成物を調製した。
・SG−P3LC 改43:エポキシ基を有し、更に上記式(1)で表されるアクリロニトリル由来の構造単位を有する(メタ)アクリル系樹脂(ナガセケムテックス社製)、0.027モル/100gのエポキシ基を含有、Tg=8℃、重量平均分子量=85万
・SG−708−6:カルボキシル基を有し、更に上記式(1)で表されるアクリロニトリル由来の構造単位を有する(メタ)アクリル系樹脂(ナガセケムテックス社製)、0.159モル/100gのカルボキシル基を含有、Tg=4℃、重量平均分子量=80万
・HP7200:ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂(大日本インキ社製)、上記構造式(2)で表されるエポキシ樹脂(n=1.6)
・EOCN−1020:クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬社製)
・RE−310S:ビスフェノールA型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン社製)
・4,4'−DDS:4,4'−ジアミノジフェニルスルホン(和歌山精化社製)
・3,3'−DDS:3,3'−ジアミノジフェニルスルホン(小西化学社製)
・DDM:4,4'−ジアミノジフェニルメタン(和歌山精化社製)、ジフェニルスルホン骨格構造を有しない芳香族ポリアミン
・シリカ粒子:SC−2050(アドマテックス社製)、球状シリカ、平均粒径0.5μm
・カップリング剤:X−12−414(信越化学工業社製)、メルカプト系シランカップリング剤
次いで、接着剤組成物をフッ素系シリコーン離型剤がコーティングされた厚さ50μmのPETフィルム上に塗布し、110℃で10分間加熱乾燥し、厚さ約25μmの接着剤層を備えた接着用シートを作製した。
更に、上記で作製した接着用シートと下記のいずれかのダイシングフィルムとを、該接着用シートの接着剤層と該ダイシングフィルムの粘着剤層とが接触するように、室温で貼り合わせてダイシング・ダイアタッチフィルムを作製した。
・感圧型ダイシングフィルム:SD85TA(電気化学工業社製)、厚さ85μm
・UV硬化型ダイシングフィルム:UHP−110M3(電気化学工業社製)、厚さ110μm
得られた接着用シートおよびダイシング・ダイアタッチフィルムについて、下記試験を行なった。結果を表1に示す。
厚さ450μmのシリコンウェハーを2mm×2mmのチップにダイシングし、こうしてダイシングされたウェハーの裏面に、接着剤層が接触するように接着用シートを100℃で熱圧着した。次いで、接着用シートをチップと同様の形状に切って、接着用シートが付いたシリコンチップを取りだした。このシリコンチップからPETフィルムを剥離させて接着剤層付きシリコンチップを得た。次いで、レジストAUS308((株)太陽インキ社製)が塗布硬化された10mm×10mmのBT基板またはシリコン基板上に、得られた接着剤層付きシリコンチップを、接着剤層が付着した面が接触するように載せ、170℃、0.1MPaの条件で2秒間熱圧着して固定させた。このようにしてシリコンチップが固定された基板を175℃で6時間加熱して接着剤層を硬化させて試験片(接着試験片)を作製した。この接着試験片を用いて、ボンドテスター(DAGE社製、4000PXY)により、260℃において接着剤硬化物層と基板との間のせん断接着力を測定した。
上記(1)の接着試験片を85℃/60%RHの条件下で168時間保持し、次いで260℃のリフロー炉に3回通した後、上記(1)と同様に260℃においてせん断接着力を測定した。
直径8インチ、厚さ75μmのシリコンウェハーの一方の面に、接着剤層が接触するように接着用シートを70℃で熱圧着した。熱圧着した接着用シートからPETフィルムを剥がして得た接着剤層付きウェハーの接着剤層面に、感圧ダイシングフィルムを、該感圧ダイシングフィルムの粘着剤層が接触するように貼り付けた。このシリコンウェハーを、下記ダイシング条件にて、9mm角のシリコンチップにダイシングした。次いで、こうして得られた9mm角のシリコンチップを裏面に接着剤層が付いたまま前記感圧ダイシングフィルムの粘着剤層から剥離させた。このシリコンチップを、NECマシナリー社製のダイボンダー装置(BESTEM−D02−TypeB)により、5〜15μm幅のストライプ状回路パターンが形成された50mm×50mm×厚さ250μmの樹脂基板(レジストAUS308が塗布硬化されたBT基板)上に接着剤層が接触するように配置し、130℃、0.1MPaの条件で1秒間熱圧着した。この点を図1(埋め込み性能試験におけるシリコンチップの配置を示す図である。)に基づいて具体的に説明すると、1辺9mmの正方形のシリコンチップ1を1辺50mmの正方形の樹脂基板2上に3mmの間隔で4行4列に16個配置し、最も外側に配置されたシリコンチップ1と樹脂基板2の外縁との間隔を2.5mmとした。このようにしてシリコンチップが熱圧着された樹脂基板をワイヤボンディング工程での加熱温度に相当する170℃で120分間加熱した後、樹脂基板上から600μmの厚さでモールド材KMC2500LM1B(信越化学工業社製)により樹脂封止(175℃、封止圧力6.9MPa、90秒間)し、該モールド材を175℃で4時間加熱硬化させた。このようにして得られた半導体パッケージ内部を超音波画像測定装置で観察して、ボイドの有無を調べた。
上記(3)で樹脂封止されたシリコンチップを切り離し、得られたパッケージ合計16個を85℃/60%RHの条件下で168時間保持し、次いで最高到達温度260℃の半田リフロー炉に3回通した後、超音波画像測定装置によりシリコンチップと基板との間の剥離の有無を観察した。表1で、「○」は16個のパッケージいずれでも剥離が観察されなかったことを表し、「×」は16個のパッケージ中1個でも剥離が観察されたことを表す。
上記で作製したダイシング・ダイアタッチフィルムを25℃/50%RHの恒温恒湿室に1ヵ月間保管した後に、該ダイシング・ダイアタッチフィルム中の接着用シートとダイシングフィルムとを分離し、該接着用シート中の接着剤層をTHFに溶解させて得られた溶液をGPCにかけて該接着剤層中に残存するエポキシ樹脂の含有量を測定した。接着用シートからダイシングフィルムへのエポキシ樹脂の移行量(質量%)は、式:(E0−E1)/E0×100により求めた(ただし、E0は初期の接着剤層中のエポキシ樹脂の含有量(質量部)、E1は保管後の接着剤層中に残存するエポキシ樹脂の含有量(質量部)である)。なお、GPCはHLC8220 GPC(トーソー社製)を用いて行い、溶離液としてTHFを用いた。
上記で作製したダイシング・ダイアタッチフィルムを25℃/50%RHの恒温恒湿室に1ヵ月間保管した後に、該ダイシング・ダイアタッチフィルム中の接着用シートとダイシングフィルムとの間の粘着力をJIS Z 0237に基づいて測定した。
上記で作製したダイシング・ダイアタッチフィルムを25℃/50%RHの恒温恒湿室に1ヵ月間保管した後、このダイシング・ダイアタッチフィルムからPETフィルムをはがし、露出した接着剤層上に直径8インチ、厚さ75μmのシリコンウェハーをマウントし、下記の条件でダイシングして、10mm×10mmのシリコンチップとした。このようにしてダイシングされたシリコンチップ100個を、NECマシナリー社製のダイボンダー装置(BESTEM−D02−TypeB)を用いてダイシングフィルムからピックアップした。表1で、「○」は全てのシリコンチップを安定してピックアップできたことを表し、「×」はピックアップできないシリコンチップが1個でもあったことを表す。
ダイシング装置:DAD−341(ディスコ社製)
切断方式:シングルカット
スピンドル回転数:40000rpm
ダイシングブレード:NBC−ZH 104F 27HEEE(ディスコ社製)
送り速度:50mm/sec
2 樹脂基板
Claims (4)
- 請求項1〜3のいずれか1項に係るダイシング・ダイアタッチフィルムであって、該ダイシング・ダイアタッチフィルムを製造から1ヶ月間25℃、50%RHで静置したときに前記接着剤層から前記ダイシングフィルムへ移行する該接着剤層中の成分の量が静置前のダイシング・ダイアタッチフィルムの接着剤層中の全成分の30質量%未満に抑制されている前記ダイシング・ダイアタッチフィルム。
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