JP4768305B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 24
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 21
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 13
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 8
- 101000634707 Homo sapiens Nucleolar complex protein 3 homolog Proteins 0.000 description 6
- 102100029099 Nucleolar complex protein 3 homolog Human genes 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 235000021384 green leafy vegetables Nutrition 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 101100274508 Oryza sativa subsp. japonica CKI1 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100152436 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) TAT2 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100069385 Toxoplasma gondii GRA6 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14641—Electronic components shared by two or more pixel-elements, e.g. one amplifier shared by two pixel elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
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Description
[第1の実施形態]
図1は、この発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置について説明するためのもので、CMOSイメージセンサの要部の構成例を示す回路図である。このCMOSイメージセンサは、2つの画素と1つの出力回路で単位セルUC11〜UC24を構成し、これらの単位セルUC11〜UC24が市松状に配置されている。上記市松状に配置された単位セルのうち、同一ライン上に隣接して配置された4つの画素と、この4画素に対応する4つの出力回路で1つの繰り返しユニットが形成される。
図3は、この発明の第2の実施形態に係る固体撮像装置について説明するためのもので、上記図1に示した回路構成の他の具体的なパターンレイアウト例を示している。図3において、図1及び図2と同一構成部には同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。
図4は、この発明の第3の実施形態に係る固体撮像装置について説明するためのもので、上記図1に示した回路構成の更に他の具体的なパターンレイアウト例を示している。図4において、図1乃至図3と同一構成部には同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。
図5は、この発明の第4の実施形態に係る固体撮像装置について説明するためのもので、上記図1に示した回路構成の別の具体的なパターンレイアウト例を示している。図5において、図1乃至図4と同一構成部には同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。
図6は、この発明の第5の実施形態に係る固体撮像装置について説明するためのもので、CMOSイメージセンサの要部を抽出して示す回路図である。このCMOSイメージセンサは、単位セルUC、負荷トランジスタLT、選択トランジスタST、水平レジスタ11、垂直レジスタ12、タイミング発生回路13及び増幅器(amp)14などを備えている。上記単位セルUCは2n〜2(n+1)+2行、m〜M+2列に配置されている。各々の単位セルUCは、フォトダイオードPD、転送トランジスタTG、リセットトランジスタRS、アドレストランジスタAD及び駆動トランジスタDなどを含んで構成されている。
なお、上記図6に示した回路を前述した第2の実施形態で説明したアドレストランジスタを省略した構造にすれば、出力回路の占める面積は更に小さくできる。このとき、省略したアドレストランジスタに対応するアドレス信号線ADRES(アドレス信号)を減らし、減らした分だけリセット信号線RESET(リセット信号)の本数を増やすと良い。
Claims (5)
- 画素が垂直方向、水平方向に夫々所定ピッチで2次元的に配置され、垂直方向に隣接した画素が対をなす画素群と、
対を成す前記垂直方向に隣接した画素と画素との間隙部から、当該画素対に水平方向に隣接する画素と画素との間隙部に亙って設けられ、当該画素対における選択された一方の画素から読み出された信号電荷に対応する情報を外部に出力する出力回路とを具備し、
一つの画素対と、前記一つの画素対に対応する前記出力回路とからなる単位セルが市松状に配置され、且つ斜め方向に隣接する前記単位セルにおける画素対の一方は同一の水平ライン上に沿って配置される
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記各単位セルにおける画素対の間隙部に配置され、前記画素対から対応する前記出力回路への信号電荷の転送を制御する転送ゲート対と、前記各単位セルにおける前記画素対の間隙部に配置され、前記転送ゲート対を介して前記信号電荷が転送されるフローティングジャンクションとを更に具備し、
前記各単位セルにおける前記出力回路は、前記各単位セルの斜め方向に隣接する4つの単位セルの内、垂直方向に隣接する2つの単位セルの間隙部に配置されることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記各単位セル内における画素対の間隙部で、且つ前記各単位セルの出力回路が配置されている側の端部に配置されるフローティングジャンクションと、前記フローティングジャンクションに対向して画素隅に配置される前記画素対に対応する転送ゲート対とを更に具備し、
前記各単位セルにおける前記出力回路は、前記各単位セルの斜め方向に隣接する4つの単位セルの内、垂直方向に隣接する2つの単位セルの間隙部に配置されることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記同一の水平ライン上に配置された画素は、前記転送ゲート対における一方の転送ゲートを同時に開いて対応する前記出力回路に転送して読み出すことを特徴とする請求項1乃至3いずれか1つの項に記載の固体撮像装置。
- 前記出力回路は、リセットトランジスタと、駆動トランジスタとを備えることを特徴とする請求項1乃至4いずれか1つの項に記載の固体撮像装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005118752A JP4768305B2 (ja) | 2005-04-15 | 2005-04-15 | 固体撮像装置 |
US11/402,976 US7429722B2 (en) | 2005-04-15 | 2006-04-13 | Pattern layout of CMOS image sensor |
CNB2006100752687A CN100466281C (zh) | 2005-04-15 | 2006-04-17 | 固体摄像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005118752A JP4768305B2 (ja) | 2005-04-15 | 2005-04-15 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006302970A JP2006302970A (ja) | 2006-11-02 |
JP4768305B2 true JP4768305B2 (ja) | 2011-09-07 |
Family
ID=37078263
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005118752A Expired - Fee Related JP4768305B2 (ja) | 2005-04-15 | 2005-04-15 | 固体撮像装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7429722B2 (ja) |
JP (1) | JP4768305B2 (ja) |
CN (1) | CN100466281C (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7915702B2 (en) * | 2007-03-15 | 2011-03-29 | Eastman Kodak Company | Reduced pixel area image sensor |
JP2009026984A (ja) * | 2007-07-20 | 2009-02-05 | Nikon Corp | 固体撮像素子 |
JP5153378B2 (ja) * | 2008-02-15 | 2013-02-27 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
WO2010090166A1 (ja) * | 2009-02-04 | 2010-08-12 | 株式会社 Rosnes | 固体撮像装置 |
WO2010090167A1 (ja) | 2009-02-04 | 2010-08-12 | 株式会社 Rosnes | 固体撮像装置 |
JP5232189B2 (ja) | 2010-03-11 | 2013-07-10 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
JP5377549B2 (ja) | 2011-03-03 | 2013-12-25 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
CN102158663B (zh) * | 2011-04-15 | 2013-09-11 | 北京思比科微电子技术股份有限公司 | Cmos图像传感器像素及其控制时序 |
JP5547150B2 (ja) * | 2011-09-16 | 2014-07-09 | 株式会社東芝 | 固体撮像素子 |
RU2478241C1 (ru) * | 2011-10-03 | 2013-03-27 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт телевидения" | Устройство формирования видеосигнала от кмоп-матрицы |
JPWO2013084406A1 (ja) | 2011-12-08 | 2015-04-27 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置及び撮像装置 |
KR101313689B1 (ko) * | 2011-12-19 | 2013-10-02 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서 |
JP6537838B2 (ja) * | 2015-01-30 | 2019-07-03 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 撮像素子 |
US10225497B2 (en) | 2015-04-07 | 2019-03-05 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and electronic device with symmetrical transistor groups |
US11276725B2 (en) * | 2016-11-28 | 2022-03-15 | NewSight Imaging Ltd. | Active-pixel sensor array |
JP7086783B2 (ja) | 2018-08-13 | 2022-06-20 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
JP2020115516A (ja) | 2019-01-17 | 2020-07-30 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69624714T2 (de) * | 1995-08-11 | 2003-08-07 | Toshiba Kawasaki Kk | Bildaufnahmesystem, integrierte festkörperbildaufnahmehalbleiterschaltung |
JP3838665B2 (ja) * | 1995-08-11 | 2006-10-25 | 株式会社 東芝 | Mos型固体撮像装置 |
US6674470B1 (en) * | 1996-09-19 | 2004-01-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | MOS-type solid state imaging device with high sensitivity |
US6977684B1 (en) | 1998-04-30 | 2005-12-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Arrangement of circuits in pixels, each circuit shared by a plurality of pixels, in image sensing apparatus |
JP4721380B2 (ja) * | 2000-04-14 | 2011-07-13 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
JP2003007995A (ja) * | 2001-06-20 | 2003-01-10 | Iwate Toshiba Electronics Co Ltd | Cmosイメージセンサ |
JP2003218332A (ja) * | 2002-01-22 | 2003-07-31 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
US20040113151A1 (en) * | 2002-10-11 | 2004-06-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | CMOS image sensor |
JP3720036B2 (ja) * | 2002-10-11 | 2005-11-24 | 岩手東芝エレクトロニクス株式会社 | Cmosイメージセンサ |
JP3988189B2 (ja) * | 2002-11-20 | 2007-10-10 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
-
2005
- 2005-04-15 JP JP2005118752A patent/JP4768305B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-04-13 US US11/402,976 patent/US7429722B2/en active Active
- 2006-04-17 CN CNB2006100752687A patent/CN100466281C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060231739A1 (en) | 2006-10-19 |
CN1848925A (zh) | 2006-10-18 |
CN100466281C (zh) | 2009-03-04 |
US7429722B2 (en) | 2008-09-30 |
JP2006302970A (ja) | 2006-11-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080219 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101118 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101124 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110121 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110524 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110616 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140624 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |