JP4768185B2 - 静電チャック、サセプタおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
発明の背景
静電チャックは、サセプタとしても知られており、半導体装置の製造でウェハ等の種々の基板を保持するために採用されている。誘電性チャック本体内の埋め込み電極と外部の電極との間に生成する静電力によって、ウェハがチャック面に固定される。チャック本体には加熱素子も埋め込まれていることがある。
【0002】
電極および任意の埋め込み加熱素子は、端子を介して電源に接続される。しかし、静電チャックの製造上、あるいはむしろ設計上の理由、電極や加熱素子を端子とは別個に製造しなくてはならないという制約がある。例えば、電極や加熱素子を製造しておき、これに端子(単数または複数)を接合する。また、チャック本体用の誘電性材料は典型的には生材を焼成することにより形成する。焼成中に生材の寸法が変化するため、チャック本体を形成した後に端子を取り付けなくてはならない場合が多い。電極とコネクタとの間の接合層は一般にろう付けで形成する。あるいは、端子を形成するために後焼成を行うば場合は、ニッケル・モリブデン共晶組成を用いる。
【0003】
端子として共晶組成を用いた場合、金属間化合物を生成しやすいことが1つの欠点である。一般に金属間化合物は脆いので、端子の破壊によるチャック不良の原因になる。
【0004】
そのため、上記従来の問題を低減もしくは解消した静電チャックおよびその製造方法が求められている。
【0005】
発明の概要
Ni含有量の少ないMo-Ni端子は使用中に破壊し難いことを見出した。その理由は理論的には明らかでないが、金属間化合物を生ずる組成物から作られた従来の端子は金属間化合物の脆い特性のために破壊しやすいと考えられる。本発明による新規な端子には金属間化合物が存在しないため、上記の破壊メカニズムが低減または解消しており、耐破壊性の向上した実用製品を提供することができる。
【0006】
本発明による端子の範囲内に含まれる合金には、従来のチャック本体(典型的にはAlN)と熱膨張係数(CTE:coefficient of thermal expansion)が全く異なるものがある。本発明においては、合金のCTEがチャック本体のCTEの約10%以内であることが望ましい。したがって、端子は金属間化合物を含まないことに加え、適正なCTEを備えていることが望ましい。本発明者は、端子に特定の「CTE調節成分」例えばタンタルを添加することにより、CTEを最適化するだけでなく、金属間化合物の生成を防止できることを見出した。
【0007】
本発明は、静電チャックおよび静電チャックの製造方法に関する。本発明は更に、静電チャックのようなサセプタにも一般に関する。
【0008】
静電チャックはチャック本体と埋め込み電極を備えている。端子が電極から延びている。電極および端子の少なくとも一方は第1金属と第2金属との合金を含み、電極および端子はどちらも上記第1金属を含む。本発明の一実施形態においては、端子は金属間化合物を含まない。別の実施形態においては、第2金属は実質的に全量が第1金属中に固溶している。
【0009】
本発明の静電チャックは、チャック本体に埋め込まれた金属質加熱素子を更に備えることができる。この任意の加熱素子は第1金属を含んでいてよい。一実施形態による端子は、金属質加熱素子と共通する金属成分を持つ合金を含んでおり、この合金は実質的に金属元素の固溶体から成る。
【0010】
別の実施形態においては、本発明のサセプタはセラミック体およびこのセラミック体に埋め込まれた金属部材を備えている。少なくとも1つの端子がこの金属部材から延びている。金属部材および端子の少なくとも一方は第1金属と第2金属との合金を含み、金属部材および端子はどちらも上記第1金属を含む。本発明の一実施形態においては、端子は金属間化合物を含まない。別の実施形態においては、第2金属は実質的に全量が第1金属中に固溶している。金属部材は例えば電極または加熱素子であるが、これらに限定しない。
【0011】
望ましい実施形態においては、チャックまたはサセプタのセラミック体は窒化アルミニウム製である。第1金属は例えばモリブデン、タングステン、またはこれらの組合せである。端子は、第1金属の他に、第2金属として例えばニッケル、コバルト、またはこれらの組合せを含む。端子の第2金属含有量は、第1金属と第2金属との金属間化合物が実質的に生成しない量とする。
【0012】
本発明の方法は、セラミック前駆体から成る第1部分を成形する工程、このセラミック前駆体から成る第1部分に窪みを形成する工程、およびこの窪み内に端子または端子前駆体を堆積させる工程を含む。一実施形態においては、端子または端子前駆体は第1金属および第2金属を含む。本発明の方法は更に、セラミック前駆体から成る第1部分の上に電極または電極前駆体を堆積させ、これにより端子または端子前駆体を電極または電極前駆体で覆う工程、および電極または電極前駆体の上にセラミック前駆体から成る第2部分を成形する工程をも含む。本発明の方法は更に、セラミック前駆体を加熱することにより静電チャックを形成する工程をも含む。本発明の一実施形態においては、セラミック前駆体は窒化アルミニウムの生材(未焼成体)である。望ましい実施形態においては、第1部分と第2部分を同じセラミック材料で形成する。
【0013】
本発明の方法はまた、埋め込み電極を備えたチャック本体を形成する工程、電極の一部を露出する開口を形成する工程、電極の露出部分に端子前駆体を堆積させる工程、および端子前駆体を加熱することにより静電チャックを形成する工程を含む。
【0014】
一実施形態においては、電極は第1金属と第2金属との合金を含み、端子前駆体は上記第1金属を含む。他の実施形態おいては、端子前駆体は第1金属と第2金属との合金を含み、電極は上記第1金属を含む。別の実施形態においては、電極および端子はどちらも第1金属と第2金属との合金を含む。更にもう1つの実施形態においては、電極および端子はどちらも同じ合金組成を含む。
【0015】
本発明の方法は、電極または電極前駆体を堆積させる前に、セラミック前駆体から成る第1部分を加熱することにより第1セラミック体を形成する工程を更に含んでよい。
【0016】
本発明には多くの利点がある。例えば、本発明の静電チャックはインピーダンスが低く、かつ電極と端子の接合強度が高い。接合部において第2金属が実質的に完全に第1金属中に固溶しているので、脆い金属間化合物の生成が実質的に防止または最少化されるため、強固で信頼性の高い静電チャックあるいはサセプタが得られる。
【0017】
発明の詳述
以下、添付図面を参照して本発明を詳細に説明する。
【0018】
各図において同一部材は同一符号で示す。以下に説明する特定の実施例は本発明の説明のためであって、本発明を限定するものではない。本発明の範囲を逸脱せずに多種多様な実施形態において本発明の原理を適用できる。
【0019】
本発明は静電チャックあるいはサセプタに関する。サセプタはセラミック体に埋め込まれた金属部材を含む。金属部材は、例えば加熱素子または電極であり、第1金属を含む。電極からは少なくとも1つの端子が延びており、この端子は合金を含む。この合金は第1金属および第2金属を含み、第2金属は実質的に全量が第1金属中に固溶している。
【0020】
図1は、本発明の一実施形態による静電チャック10の模式図である。静電チャック10はチャック本体12を有する。電極14がチャック本体12に埋め込まれている。作動時には、静電チャック10は処理チャンバ(図示せず)内に機械的支持(図示せず)により位置決めされる。電圧が電源16から電極14と例えば半導体ウェハのような被処理材18との間に印加され、それによって被処理材18が静電チャック10のチャック面20に固定される。
【0021】
チャック本体12の材料としては、窒化アルミニウム(AlN)、酸化アルミニウム(Al2O3)、窒化ボロン(BN)およびこれらの組合せ等のセラミック材料を用いることができるが、これらに限定されない。窒化アルミニウム(AlN)が望ましい。静電チャック10は、用いるセラミック材料の誘電特性に応じて、クーロン力式静電チャック、Johnson-Rahbeck式静電チャック、あるいは他のタイプの公知のチャックあるいはサセプタであってよい。
【0022】
静電チャック10は電極がチャック本体12の内部にある。電極14は、埋め込まれたことにより、ウェハ製造時に処理チャンバ内にある腐食性ガスから保護される。典型的には、埋め込み電極14とチャック面20との距離は約0.5mmから約2mmである。静電チャック10は、例えば一体型、多層もしくは積層型その他の構造であってよく、電極を被処理材18と直接物理的に接触させずに静電チャックを形成できる構造であればよい。
【0023】
電極14は、例えば静電電極である。本発明の静電チャックあるいはサセプタに用いることができる他の電極としては、例えばプラズマ発生電極や高周波(RF:radio frequency)電極があるが、これらに限定されない。
【0024】
複数の電極をチャック本体12内に埋め込んでよい。例えば、本発明の静電チャックは複数の電極層(図示せず)を含んでよい。その場合、下記の端子を採用して各電極層に独立に電圧印加することができる。
【0025】
電極14は、箔、多孔フォイル、無孔板、多孔板、メッシュ、スクリーン印刷層であってもよいし、静電チャックあるいはサセプタに用いるのに適した他の形態であってもよい。電極14は、適当な単一の金属または複数の金属を組合せて作製してよい。望ましくは、電極14はモリブデン(Mo)、タングステン(W)、またはモリブデンとタングステンの組合せで作製する。任意の実施形態として、Mo電極、W電極、またはMo−W電極は他の添加金属、例えばニッケル(Ni)またはコバルト(Co)を含有してもよい。電極14に適した他の材料としては、タングステン(Ta)、白金(Pt)、ロジウム(Rh)およびハフニウム(Hf)があるが、これらに限定されない。
【0026】
端子22が電極14から延びている。一実施形態においては、端子22はチャック本体12の表面24まで延びている。他の実施形態においては、以下に説明するように作製した短い端子が電極14から延びてコネクタ(図示せず)と電極14とを接続する。端子22によって電極14へ電力が供給される。電源16との外部接続は、ケーブル26によって電源16と端子22の先端28とを接続することにより行なえる。あるいは、コネクタ(図示せず)を用いて端子22をケーブル26に接続することもできる。ケーブル26およびそれと先端28との接続手段は従来公知である。
【0027】
電極14および端子22の少なくとも一方は、第1金属および第2金属を含む合金もしくは混合物で形成される。この合金もしくは混合物中には、金属間化合物は実質的に存在しない。第2金属は実質的に全量が第1金属中に固溶しており、そのため金属間化合物等の余分な相が生成しない。第2金属の含有量を、金属間化合物を実質的に生成させないレベルに限定することにより、端子と電極との間の界面の脆化を大幅に低減もしくは最少化できると考えられる。そして、端子の破壊傾向も大幅に低減もしくは最少化できる。
【0028】
適当な第1金属としては、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、およびこれらの組合せがあるが、これらに限定されない。適当な第2金属としては、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、およびこれらの組合せがあるが、これらに限定されない。
【0029】
本発明の一実施形態においては、電極14は第1金属を含み、端子22は前述の合金を含む。他の実施形態においては、端子22は第1金属を含み、電極14は前述の合金を含む。もう1つの実施形態においては、電極14および端子22はどちらも前述の合金を含む。
【0030】
第1金属と第2金属との望ましい組合せとしては、Mo−Ni、Mo−Co、W−Ni、W−Co、Mo−W−Ni、およびMo−W−Coがあるが、これらに限定されない。脆い金属間化合物や他の相を生成させずに端子22の作製に用いることができる組成は、例えば、成分金属の状態図から選択できる。
【0031】
このような状態図は多数の2元系および3元系について知られており、例として図2にMo−Ni系2元状態図、図3にW−Co系2元状態図、図4に700℃でのMo−Ni−W系3元状態図、図5に1000℃でのMo−Ni−W系3元状態図をそれぞれ示す。
【0032】
端子22および/または電極14を作製するのに適した第1金属と第2金属との組合せ、望ましい組成範囲、望ましい第2金属最大含有量を表1に示す。
【0033】
【表1】
【0034】
本発明の一実施形態においては、端子22の熱膨張係数(CTE)はチャック本体12のCTEとほぼ等しい。端子22は、金属間化合物および/または第2相を生成せず且つ端子22のCTEがチャック本体12のCTEとほぼ等しくなるような量の、適当な添加成分を含むことができる。そのような成分としては、例えばロジウム(Rh)、ハフニウム(Hf)、ニオブ(Nb)、およびタンタル(Ta)がある。望ましい実施形態においては、チャック本体12は窒化アルミニウム(AlN)を含み、端子22は窒化アルミニウムのCTEに近いか等しいCTEを持つ。例えば、端子22のCTEはチャック本体のCTEの約10%以内であってよい。典型的には、AlNチャック本体は室温でのCTEが約5.0×10-6℃-1である。望ましい端子は、Mo(室温でCTE=5.7×10-6℃-1)とW(室温でCTE=4.6×10-6℃-1)との組合せにより作製することができる。更に望ましくは、チャック本体12のCTEと端子22のCTEが、製造過程で用いる温度範囲全体、例えば室温から2000℃にわたる温度範囲で一致するさせるようにする。
【0035】
本発明の一実施形態においては、第2金属は第1金属の焼結・緻密化の促進作用も有する。例えば、端子22の形成に予め混合した粉末前駆体を用いる場合、Niのような第2金属によってMoのような金属の粉末の緻密化を促進することができる。
【0036】
先端28を、耐食性を付与するのに適した金属でメッキすることができる。そのために望ましい金属はニッケルである。
【0037】
任意の実施形態として、図6に示したように、静電チャック10はチャック本体12に埋め込んだ加熱素子30を備えている。加熱素子30は、ワイヤ、コイル、テープ等の適当の形状でよい。端子32および34が加熱素子30から延びている。ケーブル36によって、端子32および34が電源38に接続されている。加熱素子30は、チャック本体12を加熱するのに適した手段であればよい。加熱素子30および端子32,34を各々作製する材料は、前述した電極14および端子22について説明した各材料と同じである。
【0038】
本発明は、静電チャックの製造方法にも関する。本発明の一実施形態の各工程を図7A〜7Gに示す。図7Aに示すように、本発明の方法はチャック本体12の第1部分40を準備する工程を含む。第1部分40は、セラミック前駆体から形成できる。例えば、第1部分40は、生材、例えば適当な方法により型内で成形・圧縮した乾燥圧粉体等の適当なセラミック前駆体材料である。本明細書中で、「生」とはセラミック前駆体の予備緻密化状態を言う。セラミック材料の生材を用いると、チャック本体12の第1部分の密度は、用いたセラミック材料の理論密度の例えば約40%から約60%である。適当な前駆体としては例えばAlN、Al2O3、BN、これらの混合物がある。望ましい実施形態においては、セラミック前駆体はAlNを含む。他の望ましい実施形態においては、高純度AlN(米国特許出願第09/458,278号「高純度・低抵抗静電チャック」出願1999年12月9日を参照)を用いることができる。あるいは、第1部分40は、チャック本体12の一部として焼成緻密化済であってもよい。
【0039】
図7Bに示すように、チャック本体12の第1部分40に窪み42を形成する。第1部分40が焼成緻密化済である場合には、セラミック材料をドリル穿孔して窪み42を形成する。第1部分40が生材である場合には、ピン等の公知方法によって窪みを形成できる。一実施形態においては、窪みは貫通孔ではない。
【0040】
図7Cに示すように、端子または端子前駆体44を窪み42内に配置または堆積させる。端子または端子前駆体44は、窪み42に嵌入するプラグ状、ワイヤ状、ペレット状であってよい。本発明の一実施形態においては、金属粉末の状態の端子前駆体44を窪み42内に堆積させ、その場で圧縮する。望ましい実施形態においては、第1および第2の金属の予備混合粉末を窪み42内に配置してその場で圧縮する。別の望ましい実施形態においては、粉末または粉末混合物を圧縮し、例えばプラグ状にして、周囲のセラミック材料生材から成る第1部分40とほぼ同じ密度にする。圧粉体の密度はセラミック材料の理論密度の例えば約40%から約60%である。
【0041】
電極14は、例えば既に説明した電極であり、第1部分40の上に配置または堆積させ、これにより端子前駆体44を覆う。その結果得られる構造を図7Dに示す。あるいは、適当な電極前駆体、すなわち加熱により電極14になるものを、セラミック材料生材から成る第1部分40の上に堆積させ、これにより端子前駆体44を覆う。電極前駆体は、例えば金属粉末または金属電極の束である。
【0042】
セラミック材料生材から成る第2部分46を、電極14または電極前駆体14の上に成形する。望ましい実施形態においては、第1部分40および第2部分46はどちらも同じセラミック材料を含む。しかし、第2部分46の組成が第1部分の組成と異なっていてもよい。一実施形態においては、第2部分は前述のような高純度AlNを含む。これにより得られる構造を図7Eに示す。本発明の一実施形態においては、セラミック材料生材から成る第2部分46の上に、間に生材の層を介在させて更に電極を積層してもよい。
【0043】
図7Eに示した構造を加熱することにより、図7Fに示すようにチャック本体12と端子22を備えた静電チャックが得られる。本発明の一実施形態においては、加熱をホットプレスによって行い、その際の温度は約1700℃〜約2000℃の範囲内、圧力は約10MPa〜約40MPaの範囲内とする。あるいは、加熱を焼結によって行い、その際、圧力は負荷せずに、温度は約1500℃〜約2000℃の範囲内とする。
【0044】
窪み42が貫通孔でない場合には、端子22の先端28を露出させて図7Gに示す静電チャック10とする。例えば、セラミック材料の層を機械加工によって除去することにより先端28を露出させる。あるいは、ドリル穿孔で孔を開け、端子22の先端28を露出させる。
【0045】
本発明の一実施形態においては、図8A〜8Gに工程を示したように、セラミック材料生材から成る第1部分40の窪み42内に端子前駆体40を堆積させた状態で加熱した後に、生材から成る第1部分の上に電極または電極前駆体を堆積させる。この加熱は、例えば約1500℃〜約2000℃の範囲内の温度で行い、その際、例えば約10MPa〜約40MPaに加圧してもよい。
【0046】
前記の実施形態で説明したのと同様に、セラミック材料生材から成る第1部分40を成形する工程(図8A)、セラミック材料生材の第1部分に窪み42を形成する工程(図8B)および窪み42内に端子前駆体44(図8C)を堆積させる工程を行なう。
【0047】
図8Cに示す構造を、例えばホットプレスにより加熱することにより、端子22を含むセラミック体48を形成する。図8Dに示す端子22の両端が露出した構造を得るには、焼結したセラミック材料を機械加工して1層除去すればよい。次に、図8Eに示すように、セラミック体48の上に電極14(または前記の実施形態で説明したような電極前駆体)を配置または堆積させる。望ましい実施形態においては、機械加工面50の上に電極をスクリーン印刷する。電極をスクリーン印刷で形成した静電チャックの形成方法については、米国仮出願第60/169,859号「平坦電極を有する静電チャック」出願1999年12月9日)を参照。
【0048】
図8Fに示すように、電極14(または電極前駆体)の上にセラミック材料生材から成る第2部分46を配置する。これを前記のように加熱することにより図8Gに示す静電チャック10が得られる。
【0049】
前記の加熱条件下で、電極14と端子22との間で金属原子の拡散が起きて、拡散接合により両者間に電気的接続部が形成される。
【0050】
チャック10は冷却した後に熱処理してもよい。この熱処理は典型的には約1500℃〜約1750℃の範囲内のソーキング温度で行なう。
【0051】
端子22の長さは特に限定しないが、短い方が望ましい。端子22の長さが短くなるほど、端子22とその周囲のセラミック材料とのCTE差による歪みの大きさも、電極14と端子22との界面でのバンプや亀裂の発生も、低減もしくは解消できる。例えば、長さ約9mmの場合、端子22の組成によっては、熱処理等において加熱された際に、CTE差によってバンプや亀裂が発生することがある。約9mmの長さを約2mm、望ましくは約1mmまで短くすることにより、バンプや亀裂の発生を大幅に低減または解消できる。
【0052】
埋め込み電極14を備えた静電チャック10を焼結した後に、端子22を形成することもできる。それには、例えばドリル穿孔によって孔あるいは連通路を形成して電極14を露出させればよい。
【0053】
一実施形態においては、端子前駆体(例えば前述のような第1金属と第2金属を含む粉末)を電極14に達する上記の孔の中に堆積させる。この粉末の望ましい組成は、99.8%Moおよび0.2%Niである。一実施形態においては、孔の中に配置された端子前駆体は表面24までは達していないので、コネクタを用いて端子22とケーブル26を接続する。その際、コネクタの一端は端子前駆体に直接接触している。このコネクタは第1金属(Mo等)を含んでいてよい。端子前駆体を堆積させた後に加熱して、端子を形成するのに適した温度および時間、例えば約1650℃〜約1750℃で0.5時間以上保持する。窒素欠乏雰囲気を用いることができる。このようにして端子を形成するための雰囲気および方法は米国特許出願第09/458,278号「高純度・低抵抗静電チャック」出願1999年12月9日に説明されている。得られた端子は電極14と強固に接合されており、引張試験による評価では、AgおよびCuを主成分(例えば85〜90%)とするAg−Cu−Sn−Tiろう等の市販の活性金属ろうによる接合より強固である。典型的には、端子は例えば約10μm〜約100μmの長さで電極14から延びている。
【0054】
他の実施形態においては、電極は前述のような第1金属と第2金属との合金、例えば組成が99.8%Mo−0.2%Niである合金で形成される。望ましい実施形態においては、電極をスクリーン印刷により形成する。例えば、米国仮出願第60/169,859号「平坦電極を有する静電チャック」出願1999年12月9日)を参照。Mo等の第1金属を含む端子前駆体を孔の中に配置する。端子は、例えば金属柱状体、金属ペレット、金属ワイヤその他の適当な形状でよい。端子前駆体を配置した後に加熱して、端子前駆体を電極14に接合するのに十分な温度および時間保持する。例えば約1650℃〜約1750℃に0.5時間以上保持する。窒素欠乏雰囲気を用いた適当な方法は米国特許出願第09/458,278号「高純度・低抵抗静電チャック」出願1999年12月9日に説明されている。
【0055】
以下に本発明の実施例を説明するが、本発明はこれに限定されない。
【0056】
実施例
高純度AlN粉末を成形型キャビティに充填した。この成形型は、典型的なホットプレス用のものであり、グラファイトスペーサと、グラファイト薄板(「grafoil」)の底部と、円筒状のグラファイトスリーブとで構成されている。GrafoilはUCAR Carbon Company, Inc. (P.O.Box 94637, Cleveland, OH 44101, Tel: 800-253-8003)から入手した。AlN粉末の上に加圧板を置いて圧縮した。得られた圧粉体には、加圧板に設けたピンによって円筒状の孔が形成されていた。この孔は貫通孔ではないので、端子用組成物とグラファイトスペーサとの反応は起きない。別に、端子の成分金属を含む予備混合粉を鋼製円筒型内で圧縮して円柱状の「プラグ」を形成した。予備混合粉は99.8mass%Moおよび0.2mass%Niであった。この予備混合粉はAtlantic Equipment Engineers (13 Foster Street, P.O.Box 181, Bergenfield, NJ 07621, Tel: 201-384-5606)から入手した。上記の「プラグ」を、周囲に来るAlN圧粉体生材とほぼ同じ密度(理論密度に対する%)まで圧縮した。これにより、緻密化する際のAlNと端子の収縮量を等しくした。
【0057】
AlN圧粉体生材に形成されている孔の中に上記のプラグを配置した。着金グ式またはプラズマケーブル式のMo電極をAlN圧粉体生材の表面に配置し、プラグ中の予備混合金属粉に直接接触させた。この電極上に追加のAlN粉末を載せ、全体を更に圧縮して、内部に電極層と端子が埋め込まれた複合生材を形成した。その上に、グラファイト薄板(「grafoil」)と平坦なグラファイトスペーサを載せた。全体を窒素雰囲気中にて温度1850℃、圧力20MPaでホットプレスして、緻密化させた。これにより得られた複合AlN体の断面を観察した結果、端子と電極との界面には金属間化合物も亀裂や大きな穴等の欠陥も無く、良好な接合状態であった。
【0058】
他の実施形態
当業者であれば通常の実験により上記以外の実施形態で本発明を実施できるはずである。そのような実施形態も本願特許請求の範囲の範囲内である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1は、本発明による静電チャックあるいはサセプタの一実施形態を示す縦断面図である。
【図2】 図2は、Mo−Ni2元状態図である。
【図3】 図3は、W−Co2元状態図である。
【図4】 図4は、700℃におけるMo−W−Ni3元状態図である。
【図5】 図5は、1000℃におけるMo−W−Ni3元状態図である。
【図6】 図6は、本発明による静電チャックあるいはサセプタの別の実施形態を示す縦断面図である。
【図7】 図7A〜7Gは、本発明による1つの方法における各工程を示す模式図である。
【図8】 図8A〜8Gは、本発明による他の方法における各工程を示す模式図である。
Claims (3)
- 静電チャックであって、
a)チャック本体、
b)上記チャック本体に埋め込まれた電極、および
c)上記電極から延びた端子
を備えて成り、
上記電極および上記端子はどちらも第1金属を含み、上記電極および上記端子の少なくとも一方は上記第1金属と第2金属の合金を含み、該第2金属の実質的に全量が該第1金属中に固溶しており、
上記第1金属と上記第2金属との組み合わせは、下記:
Moと0.01−1wt%Ni、
Moと0.01−15wt%Co、
Wと0.01−1wt%Ni、
Wと0.01−1wt%Co、
Mo−Wと0.01−10wt%Ni
のいずれか1種である
ことを特徴とする静電チャック。 - 静電チャックを形成する方法であって、下記の工程:
a)セラミック材料の生材から成る第1部分を成形する工程、
b)上記生材から成る上記第1部分に窪みを形成する工程、
c)上記窪み内に、第1金属と第2金属を含む端子前駆体を堆積させる工程、
ただし上記第1金属と上記第2金属との組み合わせは、下記:
Moと0.01−1wt%Ni、
Moと0.01−15wt%Co、
Wと0.01−1wt%Ni、
Wと0.01−1wt%Co、
Mo−Wと0.01−10wt%Ni
のいずれか1種である、
d)上記第1部分の上に電極または電極前駆体を堆積させ、これにより上記端子前駆体を該電極または電極前駆体で覆わせる工程、
e)上記電極または電極前駆体の上に、上記セラミック材料の上記生材から成る第2部分を成形する工程、および
f)上記生材を加熱することにより、上記第2金属の実質的に全量が上記第1金属中に固溶している静電チャックを形成する工程
を含むことを特徴とする方法。 - 静電チャックを形成する方法であって,下記の工程:
a)内部に埋め込み電極を備えたチャック本体を形成する工程、
b)開口を形成することにより、上記埋め込み電極の一部を露出させる工程、
c)上記電極の露出部分に端子前駆体を堆積させる工程、ただし、上記電極および上記端子はどちらも第1金属を含み、上記電極および上記端子前駆体の少なくとも一方は上記第1金属と第2金属の合金を含み、
ただし上記第1金属と上記第2金属との組み合わせは、下記:
Moと0.01−1wt%Ni、
Moと0.01−15wt%Co、
Wと0.01−1wt%Ni、
Wと0.01−1wt%Co、
Mo−Wと0.01−10wt%Ni
のいずれか1種である
および
d)上記端子前駆体を加熱することにより、上記第2金属の実質的に全量が上記第1金属中に固溶している静電チャックを形成する工程
を含むことを特徴とする方法。
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