JP4765871B2 - 温度センサ - Google Patents

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Description

本発明は、サーミスタ素子を用いた温度センサに関する。
自動車の排気ガス等の温度を測定する温度センサとして、温度によって抵抗値が変化するサーミスタ素子を用いた温度センサがある(特許文献1参照)。
該温度センサは、一対の電極を設けたサーミスタ素子と、上記一対の電極にそれぞれ接続された一対の信号線を内蔵するシースピンと、上記サーミスタ素子を覆うように先端部に配設されたカバーとを有する。
しかし、上記温度センサにおいては、サーミスタ素子はシースピンの信号線と接続されているのみである。そのため、温度センサが振動すると、内部のサーミスタ素子も振動し、その周囲を覆っているカバーにサーミスタ素子が衝突するおそれがある。特に、エンジン付近に温度センサを設置する場合には、大きな振動が温度センサに伝わり、サーミスタ素子とカバーとの衝突の可能性が高くなり、また、衝撃も大きくなるおそれがある。
そこで、サーミスタ素子とカバーとの間に、熱伝導性に優れたセメントを充填して、カバーとサーミスタ素子とを固定した温度センサが開示されている(特許文献2参照)。この温度センサを作製するに当っては、まず、水と混合して泥状化したセメントをカバーの中に注入した後、シースピンの信号線に接続されたサーミスタ素子を、セメントが充填されたカバーの中に挿入する。その後、セメントを乾燥、硬化させて、サーミスタ素子をカバーの内部に固定する。
ところが、サーミスタ素子をカバーに接触させないように、カバー内における適切な位置に配置するためには、何らかの位置決め手段が必要である。ここで、カバーの一部にテーパ部を設け、該テーパ部にシースピンの先端部を当接させることにより、サーミスタ素子の位置決めを容易に行うことができる(比較例参照)。
しかしながら、この場合には、シースピンの先端部とカバーの内部を塞いでしまうこととなる。そのため、泥状化したセメントの水分の抜け道を塞いでしまうこととなり、セメントを乾燥させることが困難となるという問題が生ずる。
特開2000−97781号公報 特許第3296034号公報
本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので、カバーに対するサーミスタ素子の位置決め及び固定を容易かつ確実に行うことができる温度センサを提供しようとするものである。
本発明は、一対の電極を設けたサーミスタ素子と、上記一対の電極にそれぞれ接続された一対の信号線を先端側に露出させた状態で内蔵するシースピンと、上記サーミスタ素子を覆うように先端部に配設されたカバーとを有する温度センサであって、
上記カバーには、上記シースピンの先端部を当接させる当接部が形成されており、
上記カバーと上記サーミスタ素子との間には、該サーミスタ素子を保持固定するセメントが、上記当接部よりも先端側に充填されており、
上記シースピンの先端部の外周部には、平面状の切欠部が形成されていると共に、該切欠部以外の部分において上記カバーの上記当接部に当接する先端当接部が形成されており、
上記シースピンの先端部と上記カバーの内側面との間には、上記シースピンの先端部よりも先端側における上記カバーの先端内部空間と、上記シースピンの先端部よりも後端側における上記カバーの側方内部空間とを連通させる連通路が形成されていることを特徴とする温度センサにある(請求項1)。
次に、本発明の作用効果につき説明する。
上記温度センサにおいては、上記カバーに上記当接部が形成されているため、シースピンとカバーとの軸方向の位置決めを容易に行うことができる。これにより、シースピンの信号線に接続されたサーミスタ素子と、カバーとの位置決めを容易に行うことができる。即ち、温度センサを作製するに当って、サーミスタ素子をカバー内に挿入する際、カバーに対するシースピンの軸方向位置を正確に決めることができるため、サーミスタ素子がカバーの先端部に接触するおそれがない。
また、温度センサを作製するに当っては、まず、カバーの中にセメントを注入すると共にサーミスタ素子を配置する。このとき、シースピンの先端部を上記カバーの当接部に当接させることにより、カバーに対するサーミスタ素子の位置決めを行う。そして、この状態で、セメントの乾燥を行う。
ここで、上記シースピンの先端部と上記カバーの内側面との間には、上記先端内部空間と、上記側方内部空間とを連通させる上記連通路が形成されている。これにより、セメントの乾燥を行う際に、セメント中の水分の抜け道を確保することができる。そのため、セメントの乾燥を容易かつ確実に行うことができ、カバーに対するサーミスタ素子の固定を容易かつ確実に行うことができる。
以上のごとく、本発明によれば、カバーに対するサーミスタ素子の位置決め及び固定を容易かつ確実に行うことができる温度センサを提供することができる。
また、上記カバーは、先端部から後端部へ向かって広がる形状のテーパ部を設けてなり、該テーパ部に上記当接部が形成されていることが好ましい(請求項)。
この場合には、上記当接部を形成することが容易となる。
また、上記シースピンは、先端部の外周部に切欠部を形成してなる。
これにより、上記切欠部以外の部分において上記当接部を形成し、上記切欠部において上記連通路を形成することができる。
なお、上記切欠部は、上記シースピンの先端部における1箇所に形成されていても、複数箇所に形成されていてもよい。
また、上記切欠部は、平面状に形成されている。
これにより、上記切欠部を容易に形成することができる。
参考例1
本発明の参考例にかかる温度センサにつき、図1〜図7を用いて説明する。
本例の温度センサ1は、図1、図2、図6に示すごとく、一対の電極21を設けたサーミスタ素子2と、上記一対の電極21にそれぞれ接続された一対の信号線31を先端側に露出させた状態で内蔵するシースピン3と、上記サーミスタ素子2を覆うように先端部に配設されたカバー4とを有する。
カバー4には、図2、図4に示すごとく、シースピン3の先端部32を当接させて、該シースピン3とカバー4との軸方向の位置決めを行うための当接部41が形成されている。
図1、図2に示すごとく、カバー4とサーミスタ素子2との間には、該サーミスタ素子2を保持固定するセメント5が、当接部41よりも先端側に充填されている。
図1、図4に示すごとく、シースピン3の先端部32とカバー4の内側面との間には、シースピン3の先端部32よりも先端側におけるカバー4の先端内部空間42と、シースピン3の先端部32よりも後端側におけるカバー4の側方内部空間43とを連通させる連通路44が形成されている。
図4に示すごとく、カバー4は、当接部41における断面形状を六角形としている。また、カバー4は、ステンレス鋼からなると共に、図1、図2に示すごとく先端側が略半球状に閉塞された形状を有し、サーミスタ素子2の周囲に配される小径部45と、シースピン3の周囲に配される大径部46とを有する。そして、小径部45と大径部46との間に、テーパ部47が形成されている。
また、図5に示すごとく、カバー4は、大径部46において、シースピン3を外周から加締める加締め部461を有し、該加締め部461において、シースピン3と溶接されている。なお、図1、図2は、加締め部461を形成する前の状態を示している。後述する図9、図10、図13、図16、図17、図24についても同様である。
また、図7に示すごとく、上記シースピン3は、ステンレス鋼からなる2本の信号線31と、該信号線31の周りに配置したマグネシア等の絶縁粉末からなる絶縁部33と、該絶縁部33の外周を覆うステンレス鋼からなる外管部34とからなる。シースピン3は円柱形状を有し、外管部34は円筒形状を有する。また、図1、図2、図6に示すごとく、信号線31は、絶縁部33及び外管部34から先端側及び後端側に露出している。そして、信号線31の先端はサーミスタ素子2の電極21と溶接され、接合部211を形成している。また、信号線31の後端は、外部リード線11に接続されている。
また、図6に示すごとく、シースピン3は、ステンレス鋼からなるリブ12によって保持され、該リブ12の後端側にステンレス鋼からなる保護チューブ13が、シースピン3や外部リード線11の一部を覆うように取付けられ、該保護チューブ13が、取付けネジ141を有するハウジング14に挿通固定されている。
サーミスタ素子2は、以下の工程によってカバー4内に固定することができる。
即ち、まず、MgO系セメントを水と混合し泥状化したセメント5を作製する。この泥状化したセメント5を所定量だけディスペンサ等を用いてカバー4の先端内部空間42に注入する。次いで、シースピン3に接続されたサーミスタ素子2をカバー4に挿入すると共に、泥状化したセメント5の中に埋める。このとき、シースピン3の先端部32がカバー4の当接部41に当接するまでシースピン3を前進させる。
そして、この状態(図1、図2参照)で、常温〜200℃の温度でセメント5を乾燥、硬化させることにより、サーミスタ素子2をカバー4内に固定する。この乾燥時において、シースピン3の先端部32がカバー4の当接部41に当接しているが、当接部41の脇には先端内部空間42と側方内部空間43とを連通する連通路44が形成されているため、セメント5の水分は連通路44を介して放出される。
そして、セメント5の乾燥後、図5に示すごとく、カバー4の大径部46において加締め部461を形成することによりシースピン3を加締める。
次に、本例の作用効果につき説明する。
上記温度センサ1においては、図2に示すごとく、上記カバー4に上記当接部41が形成されているため、シースピン3とカバー4との軸方向の位置決めを容易に行うことができる。これにより、シースピン3の信号線31に接続されたサーミスタ素子2と、カバー4との位置決めを容易に行うことができる。即ち、温度センサ1を作製するに当って、サーミスタ素子2をカバー4内に挿入する際、カバー4に対するシースピン3の軸方向位置を正確に決めることができるため、サーミスタ素子2がカバー4の先端部に接触するおそれがない。
また、温度センサ1を作製するに当っては、まず、カバー4の中にセメント5を注入すると共にサーミスタ素子2を配置する。このとき、シースピン3の先端部32を上記カバー4の当接部41に当接させることにより、カバー4に対するサーミスタ素子2の位置決めを行う。そして、この状態で、セメント5の乾燥を行う。
ここで、図1に示すごとく、上記シースピン3の先端部32と上記カバー4の内側面との間には、上記先端内部空間42と、上記側方内部空間43とを連通させる上記連通路44が形成されている。これにより、セメント5の乾燥を行う際に、セメント5中の水分の抜け道を確保することができる。そのため、セメント5の乾燥を容易かつ確実に行うことができ、カバー4に対するサーミスタ素子2の固定を容易かつ確実に行うことができる。
また、図4に示すごとく、上記カバー4は、当接部41における断面形状を六角形としているため、当接部41と連通路44とを容易に形成することができる。即ち、多角形の直辺部において当接部41を形成し、多角形の角部付近において連通路44を形成することができる。
以上のごとく、本例によれば、カバーに対するサーミスタ素子の位置決め及び固定を容易かつ確実に行うことができる温度センサを提供することができる。
なお、参考例1においては、カバー4の当接部41における断面形状を六角形としたが、図8に示すごとく、上記シースピン3の先端面の形状を多角形としてもよい。この場合にも、当接部41と連通路44とを容易に形成することができる。即ち、多角形の角部付近において当接部41を形成し、多角形の直辺部付近において連通路44を形成することができる。
また、カバー4の当接部41の断面形状やシースピン3の先端面の形状は、六角形に限らず、例えば四角形、八角形等、他の形状とすることもできる。
参考例2
本例は、図9〜図12に示すごとく、カバー4における、シースピン3の先端部32の配設位置に、外側へ窪んだ凹部48を設けた温度センサ1の例である。
また、図11、図12に示すごとく、凹部48は、テーパ部47に4個形成されている。また、テーパ部47に、シースピン3の先端部32が当接する当接部41が形成されている。また、凹部48の形状としては、略半円形状を有する。
その他は、参考例1と同様である。
本例の場合には、上記凹部48において連通路44を形成し、凹部48が形成されていない部分において当接部41を形成することができる。
また、カバー4のテーパ部47に当接部41を形成することにより、シースピン3の位置決めを一層容易に行うことができる。
その他、参考例1と同様の作用効果を有する。
参考例3
本例は、図13〜図15に示すごとく、カバー4のテーパ部47に形成した凹部48の数を1個とした例である。その他は、参考例2と同様である。
この場合にも、凹部48において連通路44を1個形成することができ、上記参考例2と同様の作用効果を有する。
また、凹部48の数は1個以上あればよく、2個、3個、或いは5個以上であってもよい。また、凹部48の形状も、半円形状に限らず、半楕円形状、三角形状等、種々の形状とすることができる。
参考例4
本例は、図16〜図19に示すごとく、カバー4における、シースピン3の先端部32の配設位置に、内側へ突出した凸部49を設けた温度センサ1の例である。
また、図18、図19に示すごとく、凸部49は、テーパ部47に4個形成されている。そして、該凸部49に、シースピン3の先端部32が当接する当接部41が形成されている。また、凸部49の形状としては、略半円形状を有する。
その他は、参考例1と同様である。
本例の場合には、上記凸部49において当接部41を形成し、凸部49が形成されていない部分において連通路44を形成することができる。
また、カバー4のテーパ部47に当接部41を形成することにより、シースピン3の位置決めを一層容易に行うことができる。
その他、参考例1と同様の作用効果を有する。
なお、凸部49の数は1個以上あればよく、2個、3個、或いは5個以上であってもよい。また、凸部49の形状も、半円形状に限らず、半楕円形状、三角形状等、種々の形状とすることができる。
実施例1
本例は、図20〜図22に示すごとく、シースピン3の先端部32の外周部に切欠部321を形成した温度センサ1の例である。
切欠部321は、平面状に形成されている。
そして、切欠部321は、図20、図21に示すごとく、シースピン3の先端部32における1箇所に形成されていても、図22に示すごとく、複数箇所に形成されていてもよい。
その他は、参考例1と同様である。
本例の場合には、切欠部321以外の部分において当接部41を形成し、切欠部321において連通路44を形成することができる。
そして、切欠部321は平面状であるため、切欠部321の形成を容易に行うことができる。
その他、参考例1と同様の作用効果を有する。
参考例5
本例は、図23に示すごとく、切欠部321の形状を溝形状とした例である。
溝の断面形状としては、例えば、三角形状、四角形状、半円形状等種々の形状とすることができる。図23に示すごとく、一つのシースピン3に種々の形状の切欠部321を設けてもよいし、一種類の形状の切欠部321を設けてもよい。また、切欠部321は一箇所に設けてもよいし、複数箇所に設けてもよい。
その他は、参考例1と同様である。
本例の場合には、充分な大きさの連通路44を形成することが容易となる。
その他、参考例1と同様の作用効果を有する。
(比較例)
本例は、図24〜図26に示すごとく、シースピン3の先端部32の全周をカバー40のテーパ部47の内側面に当接させ、先端内部空間42と側方内部空間43とを遮蔽した状態とした温度センサ9の例である。
即ち、本例の温度センサ9は、上記参考例1〜4に示した連通路44(図1、図4、図10、図12等参照)を有していない。
その他は、参考例2と同様である。
本例の場合には、温度センサ9を作製するに当って、サーミスタ素子2とカバー40との間に充填するセメント5を乾燥することが困難となる。即ち、温度センサ9を作製するに当っては、泥状化したセメント5を注入したカバー40の中にサーミスタ素子2を配置するが、このとき、シースピン3の先端部32を上記カバー40の当接部41に当接させることにより、カバー40に対するサーミスタ素子2の位置決めを行う。そして、この状態で、セメント5の乾燥を行う。
ところが、本例の場合には、サーミスタ素子2を位置決め配置したとき、図24、図26に示すごとく、上記シースピン3の先端部32によって、先端内部空間42と側方内部空間43とが遮蔽された状態となる。そのため、セメント5の乾燥を行う際に、セメント5中の水分の抜け道を確保することができない。それ故、セメント5の乾燥を行うことが困難となり、カバー40に対するサーミスタ素子2の固定を行うことが困難となる。
参考例1における、温度センサの先端部付近の軸方向断面図。 参考例1における、温度センサの先端部付近の他の軸方向断面図。 参考例1における、図1のB視相当のカバーの後面図。 図1又は図2のA−A線矢視断面図。 参考例1における、温度センサの先端部付近の側面図。 参考例1における、温度センサの軸方向断面図。 参考例1における、シースピンの軸方向断面図。 シースピンの先端部を多角形とした温度センサの断面図。 参考例2における、温度センサの先端部付近の軸方向断面図。 参考例2における、温度センサの先端部付近の他の軸方向断面図。 参考例2における、図9のD視相当のカバーの後面図。 図9又は図10のC−C線矢視断面図。 参考例3における、温度センサの先端部付近の軸方向断面図。 参考例3における、図13のF視相当のカバーの後面図。 図13のE−E線矢視断面図。 参考例4における、温度センサの先端部付近の軸方向断面図。 参考例4における、温度センサの先端部付近の他の軸方向断面図。 参考例4における、図16のH視相当のカバーの後面図。 図16又は図17のG−G線矢視断面図。 実施例1における、温度センサの先端部付近の軸方向断面図。 図20のK−K線矢視断面図。 実施例1における、切欠部を2箇所に設けた温度センサの断面図。 参考例5における、切欠部を溝形状とした温度センサの断面図。 比較例における、温度センサの先端部付近の軸方向断面図。 比較例における、図24のJ視相当のカバーの後面図。 図24のI−I線矢視断面図。
符号の説明
1 温度センサ
2 サーミスタ素子
21 電極
3 シースピン
31 信号線
32 先端部
4 カバー
41 当接部
42 先端内部空間
43 側方内部空間
44 連通路
5 セメント

Claims (2)

  1. 一対の電極を設けたサーミスタ素子と、上記一対の電極にそれぞれ接続された一対の信号線を先端側に露出させた状態で内蔵するシースピンと、上記サーミスタ素子を覆うように先端部に配設されたカバーとを有する温度センサであって、
    上記カバーには、上記シースピンの先端部を当接させる当接部が形成されており、
    上記カバーと上記サーミスタ素子との間には、該サーミスタ素子を保持固定するセメントが、上記当接部よりも先端側に充填されており、
    上記シースピンの先端部の外周部には、平面状の切欠部が形成されていると共に、該切欠部以外の部分において上記カバーの上記当接部に当接する先端当接部が形成されており、
    上記シースピンの先端部と上記カバーの内側面との間には、上記シースピンの先端部よりも先端側における上記カバーの先端内部空間と、上記シースピンの先端部よりも後端側における上記カバーの側方内部空間とを連通させる連通路が形成されていることを特徴とする温度センサ。
  2. 請求項1において、上記カバーは、先端部から後端部へ向かって広がる形状のテーパ部を設けてなり、該テーパ部に上記当接部が形成されていることを特徴とする温度センサ。
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