JP4758326B2

JP4758326B2 - Coating device

Info

Publication number: JP4758326B2
Application number: JP2006314587A
Authority: JP
Inventors: 朗澤森
Original assignee: Ulvac Inc
Current assignee: Ulvac Inc
Priority date: 2006-11-21
Filing date: 2006-11-21
Publication date: 2011-08-24
Anticipated expiration: 2026-11-21
Also published as: JP2008126152A

Description

本発明は、塗布ノズルから液体材料を吐出させて基板の上面に該液体材料を塗布する塗布装置に関するものである。 The present invention relates to a coating apparatus that discharges a liquid material from an application nozzle and applies the liquid material to an upper surface of a substrate.

ステージと、該ステージの上方に配置され液体材料を吐出する塗布ノズルとを相対移動させて、ステージ上に配置されたガラス基板等の上面に連続的に若しくは断続的に当該液体材料を塗布する塗布装置では、基板に歪みが生じていると、液体材料が一定の高さとなるように該液体材料を基板の上面に塗布することが困難である。そこで、特許文献１に記載されている塗布装置では、先端に塗布ノズルが装着されたシリンジに高さセンサが固定されている。そして、液体材料を連続的に基板の上面に塗布する場合には、塗布ノズルの先端から液体材料を吐出させるとともに、塗布ノズルとステージとを相対移動させる。同時に、高さセンサによって、塗布ノズルの前方側でステージ上の基板の上面からの塗布ノズルの先端の高さを測定するとともに、測定結果に基づいて、制御装置が、塗布ノズルの先端の高さが基板の上面に対して一定となるようにシリンジを昇降させて塗布ノズルの高さを調整する。 Application that applies the liquid material continuously or intermittently to the upper surface of a glass substrate or the like arranged on the stage by relatively moving the stage and an application nozzle that is arranged above the stage and discharges the liquid material In the apparatus, when the substrate is distorted, it is difficult to apply the liquid material to the upper surface of the substrate so that the liquid material has a certain height. Therefore, in the coating apparatus described in Patent Document 1, a height sensor is fixed to a syringe having a coating nozzle attached to the tip. When the liquid material is continuously applied to the upper surface of the substrate, the liquid material is discharged from the tip of the application nozzle and the application nozzle and the stage are relatively moved. At the same time, the height sensor measures the height of the tip of the coating nozzle from the upper surface of the substrate on the stage on the front side of the coating nozzle, and based on the measurement result, the control device determines the height of the tip of the coating nozzle. The height of the coating nozzle is adjusted by moving the syringe up and down so that the height is constant with respect to the upper surface of the substrate.

また、特許文献１に記載の塗布装置では、基板の上面に液体材料にて複数のパターンを描画する場合、基板上面における各パターンの中央となる代表計測点からの塗布ノズルの先端の高さを、シリンジに設けられた高さセンサにて測定する。その後、その測定結果に基づいて塗布ノズルの先端の高さが基板の上面に対して一定となるように塗布ノズルを昇降させて、基板の上面に液体材料にて所望のパターンを描画する。
特開平９−９９２６８号公報 Further, in the coating apparatus described in Patent Document 1, when drawing a plurality of patterns with a liquid material on the upper surface of the substrate, the height of the tip of the coating nozzle from the representative measurement point that is the center of each pattern on the upper surface of the substrate is set. Measured with a height sensor provided in the syringe. Thereafter, based on the measurement result, the coating nozzle is moved up and down so that the height of the tip of the coating nozzle is constant with respect to the upper surface of the substrate, and a desired pattern is drawn with a liquid material on the upper surface of the substrate.
JP-A-9-99268

しかしながら、特許文献１に記載の塗布装置では、液体材料の塗布を行いながら、ステージ上の基板の上面からの塗布ノズルの先端の高さを高さセンサにて測定し、その測定結果に基づいて塗布ノズルを昇降させる場合、制御装置は、高さセンサと塗布ノズルの先端との間の距離だけ塗布ノズルが進む間に、高さセンサによる測定結果に基づいて塗布ノズルの昇降量を算出するとともに、算出した昇降量だけ塗布ノズルを昇降させることになる。従って、昇降量の算出及び塗布ノズルの昇降に一定の時間を要し、高さセンサによる測定から液体材料を塗布可能な状態とするまでにタイムラグが発生するため、液体材料を塗布する速度の高速化には限界がある。 However, in the coating apparatus described in Patent Document 1, the height of the tip of the coating nozzle from the upper surface of the substrate on the stage is measured with a height sensor while applying the liquid material, and based on the measurement result. When raising and lowering the application nozzle, the control device calculates the elevation amount of the application nozzle based on the measurement result of the height sensor while the application nozzle advances by a distance between the height sensor and the tip of the application nozzle. The application nozzle is moved up and down by the calculated lift amount. Therefore, it takes a certain amount of time to calculate the amount of lifting and lowering of the application nozzle, and a time lag occurs from the measurement by the height sensor until the liquid material can be applied, so the speed of applying the liquid material is high. There is a limit to the conversion.

また、特許文献１に記載の塗布装置において、基板の上面に複数のパターンを描画する場合、パターンが大型化されて１つのパターン当たりの代表計測点の数が増大すると、各代表計測点にシリンジを移動させて、代表計測点からの塗布ノズルの先端の高さを順に測定することになるため、測定に要する時間が長くなってしまう。その結果、各パターンを描画するために要する時間が長くなってしまう。 Further, in the coating apparatus described in Patent Document 1, when a plurality of patterns are drawn on the upper surface of the substrate, when the pattern is enlarged and the number of representative measurement points per pattern increases, a syringe is attached to each representative measurement point. Since the height of the tip of the application nozzle from the representative measurement point is measured in order, the time required for the measurement becomes long. As a result, it takes a long time to draw each pattern.

本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであって、その目的は、塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離をほぼ一定に保ちつつ液体材料の塗布を行うとともに、液体材料の塗布に要する時間を短縮することができる塗布装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of such circumstances, and its purpose is to apply a liquid material while maintaining a substantially constant distance between the tip of the application nozzle and the upper surface of the substrate. An object of the present invention is to provide a coating apparatus capable of reducing the time required for coating.

上記課題を解決するため、請求項１に記載の発明は、ステージ上に固定した基板と塗布ノズルとを相対的に移動させ、該塗布ノズルの先端から吐出させた液体材料を前記基板の上面に所望の形状に塗布する塗布装置であって、前記基板を前記ステージ上に固定するための吸着力を発生させる吸着手段と、前記ステージに配置され、前記基板の上面の前記ステージからの高さに応じた測定信号をそれぞれ出力する複数の固定測定手段と、前記吸着手段を制御する制御手段と、を備え、前記制御手段は、複数の前記測定信号に基づいて前記基板の上面の前記ステージからの高さを算出し、算出した該高さが高いところほど前記吸着力を大きくするように前記吸着手段を制御した後に、新たに入力された複数の前記測定信号に基づいて前記基板の上面の前記ステージからの高さを前記基板全体に渡って算出し、算出した該高さが、前記基板の上面の前記ステージからの基準の高さである上面基準高さに基づいて設定された上面許容範囲に含まれる場合には、算出した該高さの平均値の、前記上面基準高さに対するずれ量を補正値として算出し、その後、前記塗布ノズルを、前記塗布ノズルの基準の高さであるノズル基準高さに前記補正値を加えた高さに合わせて、前記液体材料の前記基板への塗布を行うことをその要旨としている。 In order to solve the above-mentioned problem, the invention according to claim 1 is configured such that the substrate fixed on the stage and the application nozzle are relatively moved, and the liquid material discharged from the tip of the application nozzle is placed on the upper surface of the substrate. A coating apparatus for coating in a desired shape, the suction means for generating a suction force for fixing the substrate on the stage, and a height of the upper surface of the substrate from the stage. A plurality of fixed measuring means for outputting the corresponding measurement signals, and a control means for controlling the adsorption means, the control means from the stage on the upper surface of the substrate based on the plurality of measurement signals After calculating the height and controlling the suction means so as to increase the suction force as the calculated height is higher, the upper surface of the substrate is determined based on a plurality of newly input measurement signals. The height from the stage is calculated over the entire substrate, and the calculated upper surface is set based on the upper surface reference height that is the reference height from the stage on the upper surface of the substrate. When included in the allowable range, the deviation amount of the calculated average value with respect to the upper surface reference height is calculated as a correction value, and then the application nozzle is set at the reference height of the application nozzle. The gist is to apply the liquid material to the substrate in accordance with a height obtained by adding the correction value to a certain nozzle reference height.

同構成によれば、制御手段は、複数の固定測定手段がそれぞれ出力する測定信号に基づいて基板の上面のステージからの高さを算出し、吸着手段を制御して、算出した高さが高いところほど該基板に対する吸着力を大きくする。一般的に、基板に歪みが生じていると、歪みが大きいところほど基板の上面のステージからの高さが高くなる。従って、算出した高さが高いところほど基板に対する吸着力を大きくすることにより、基板において歪みが生じている部分は、より大きな吸着力でステージ側に引き寄せられるため、基板の歪みが減少される。そして、基板への液体材料の塗布は、基板の上面のステージからの高さが上面許容範囲に含まれる場合、即ち基板の歪みが一定以下になっている場合にのみ行われることから、制御手段が、塗布ノズルの高さを、ノズル基準高さに補正値を加えた高さとして基板の上面への液体材料の塗布を行うことにより、塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離をほぼ一定に保って液体材料の塗布を行うことができる。また、従来のように、液体材料の塗布中に、塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離を測定して塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離を一定に保つための塗布ノズルの昇降量を算出しなくてもよいとともに、液体材料の塗布中には、塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離に応じて塗布ノズルが昇降されない。従って、液体材料を基板の上面に塗布する速度、即ち基板に対する塗布ノズルの移動速度を従来よりも高速化することができる。これらのことから、塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離をほぼ一定に保ちつつ液体材料の塗布を行うとともに、液体材料の塗布に要する時間を短縮することができる。そして、本塗布装置においては、基板の上面と塗布ノズルの先端との間の距離がほぼ一定に保たれることから、基板の上面に塗布された液体材料の形状が安定される。 According to this configuration, the control means calculates the height from the stage on the upper surface of the substrate based on the measurement signals output from each of the plurality of fixed measurement means, controls the suction means, and the calculated height is high. The adsorption power for the substrate is increased. In general, when the substrate is distorted, the height of the upper surface of the substrate from the stage increases as the distortion increases. Therefore, by increasing the suction force to the substrate as the calculated height is higher, the portion of the substrate that is distorted is attracted to the stage side with a larger suction force, so that the distortion of the substrate is reduced. The liquid material is applied to the substrate only when the height of the upper surface of the substrate from the stage is included in the upper surface allowable range, that is, when the distortion of the substrate is below a certain level. However, by applying the liquid material to the upper surface of the substrate with the height of the application nozzle being a height obtained by adding a correction value to the nozzle reference height, the distance between the tip of the application nozzle and the upper surface of the substrate is reduced. The liquid material can be applied while being kept substantially constant. In addition, as in the past, during the application of the liquid material, the distance between the tip of the coating nozzle and the top surface of the substrate is measured to keep the distance between the tip of the coating nozzle and the top surface of the substrate constant. The amount of elevation of the application nozzle need not be calculated, and during application of the liquid material, the application nozzle is not raised or lowered according to the distance between the tip of the application nozzle and the upper surface of the substrate. Therefore, the speed at which the liquid material is applied to the upper surface of the substrate, that is, the movement speed of the application nozzle with respect to the substrate can be made faster than before. Accordingly, the liquid material can be applied while the distance between the tip of the application nozzle and the upper surface of the substrate is kept substantially constant, and the time required for applying the liquid material can be shortened. In this coating apparatus, the distance between the top surface of the substrate and the tip of the coating nozzle is kept substantially constant, so that the shape of the liquid material applied to the top surface of the substrate is stabilized.

請求項２に記載の発明は、ステージ上に固定した基板と塗布ノズルとを相対的に移動させ、該塗布ノズルの先端から吐出させた液体材料を前記基板の上面に所望の形状に塗布する塗布装置であって、前記基板を前記ステージ上に固定するための吸着力を発生させる吸着手段と、前記ステージに配置され、前記基板の上面及び下面の前記ステージからの高さに応じた測定信号をそれぞれ出力する複数の固定測定手段と、前記吸着手段を制御する制御手段と、を備え、前記制御手段は、複数の前記測定信号に基づいて前記基板の下面の前記ステージからの高さを算出し、算出した該高さが高いところほど前記吸着力を大きくするように前記吸着手段を制御した後に、新たに入力された複数の前記測定信号に基づいて前記基板の上面の前記ステージからの高さを前記基板全体に渡って算出し、算出した該高さが、前記基板の上面の前記ステージからの基準の高さである上面基準高さに基づいて設定された上面許容範囲に含まれる場合には、算出した該高さの平均値の、前記上面基準高さに対するずれ量を補正値として算出し、その後、前記塗布ノズルを、前記塗布ノズルの基準の高さであるノズル基準高さに前記補正値を加えた高さに合わせて、前記液体材料の前記基板への塗布を行うことをその要旨としている。 According to the second aspect of the present invention, the substrate fixed on the stage and the application nozzle are relatively moved, and the liquid material discharged from the tip of the application nozzle is applied to the upper surface of the substrate in a desired shape. An apparatus for generating a suction force for fixing the substrate on the stage; and a measurement signal disposed on the stage, the measurement signal corresponding to the height of the upper and lower surfaces of the substrate from the stage. A plurality of fixed measuring means each for outputting and a control means for controlling the suction means, and the control means calculates a height of the lower surface of the substrate from the stage based on a plurality of the measurement signals. The stage on the upper surface of the substrate is controlled based on a plurality of newly input measurement signals after the suction means is controlled to increase the suction force as the calculated height increases. These heights are calculated over the entire substrate, and the calculated height falls within the upper surface allowable range set based on the upper surface reference height, which is the reference height from the stage on the upper surface of the substrate. If included, the deviation amount of the calculated average value with respect to the upper surface reference height is calculated as a correction value, and then the application nozzle is set to a nozzle reference that is the reference height of the application nozzle. The gist is to apply the liquid material to the substrate in accordance with the height obtained by adding the correction value to the height.

同構成によれば、制御手段は、複数の固定測定手段がそれぞれ出力する測定信号に基づいて基板の下面のステージからの高さを算出し、吸着手段を制御して、算出した高さが高いところほど該基板に対する吸着力を大きくする。一般的に、基板に歪みが生じていると、歪みが大きいところほど基板の下面のステージからの高さが高くなる。従って、算出した高さが高いところほど基板に対する吸着力を大きくすることにより、基板において歪みが生じている部分は、より大きな吸着力でステージ側に引き寄せられるため、基板の歪みが減少される。そして、基板への液体材料の塗布は、基板の上面のステージからの高さが上面許容範囲に含まれる場合、即ち基板の歪みが一定以下になっている場合にのみ行われることから、制御手段が、塗布ノズルの高さを、ノズル基準高さに補正値を加えた高さとして基板の上面への液体材料の塗布を行うことにより、塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離をほぼ一定に保って液体材料の塗布を行うことができる。また、従来のように、液体材料の塗布中に、塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離を測定して塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離を一定に保つための塗布ノズルの昇降量を算出しなくてもよいとともに、液体材料の塗布中には、塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離に応じて塗布ノズルが昇降されない。従って、液体材料を基板の上面に塗布する速度、即ち基板に対する塗布ノズルの移動速度を従来よりも高速化することができる。これらのことから、塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離をほぼ一定に保ちつつ液体材料の塗布を行うとともに、液体材料の塗布に要する時間を短縮することができる。そして、本塗布装置においては、基板の上面と塗布ノズルの先端との間の距離がほぼ一定に保たれることから、基板の上面に塗布された液体材料の形状が安定される。 According to this configuration, the control means calculates the height from the stage on the lower surface of the substrate based on the measurement signals output from each of the plurality of fixed measurement means, controls the suction means, and the calculated height is high. The adsorption power for the substrate is increased. In general, when the substrate is distorted, the height of the lower surface of the substrate from the stage increases as the distortion increases. Therefore, by increasing the suction force to the substrate as the calculated height is higher, the portion of the substrate that is distorted is attracted to the stage side with a larger suction force, so that the distortion of the substrate is reduced. The liquid material is applied to the substrate only when the height of the upper surface of the substrate from the stage is included in the upper surface allowable range, that is, when the distortion of the substrate is below a certain level. However, by applying the liquid material to the upper surface of the substrate with the height of the application nozzle being a height obtained by adding a correction value to the nozzle reference height, the distance between the tip of the application nozzle and the upper surface of the substrate is reduced. The liquid material can be applied while being kept substantially constant. In addition, as in the past, during the application of the liquid material, the distance between the tip of the coating nozzle and the top surface of the substrate is measured to keep the distance between the tip of the coating nozzle and the top surface of the substrate constant. The amount of elevation of the application nozzle need not be calculated, and during application of the liquid material, the application nozzle is not raised or lowered according to the distance between the tip of the application nozzle and the upper surface of the substrate. Therefore, the speed at which the liquid material is applied to the upper surface of the substrate, that is, the movement speed of the application nozzle with respect to the substrate can be made faster than before. Accordingly, the liquid material can be applied while the distance between the tip of the application nozzle and the upper surface of the substrate is kept substantially constant, and the time required for applying the liquid material can be shortened. In this coating apparatus, the distance between the top surface of the substrate and the tip of the coating nozzle is kept substantially constant, so that the shape of the liquid material applied to the top surface of the substrate is stabilized.

請求項３に記載の発明は、ステージ上に固定した基板と塗布ノズルとを相対的に移動させ、該塗布ノズルの先端から吐出させた液体材料を前記基板の上面に所望の形状に塗布する塗布装置であって、前記基板を前記ステージ上に固定するための吸着力を発生させる吸着手段と、前記ステージ上に架け渡され前記ステージに対して相対移動される移動手段と、前記移動手段に配置され、前記ステージに対する前記移動手段の相対移動に伴って前記ステージに対して相対移動されるとともに、前記ステージ上の前記基板を走査して前記基板の上面までの距離に応じた測定信号をそれぞれ出力する複数の移動測定手段と、前記吸着手段を制御する制御手段と、を備え、前記制御手段は、複数の前記移動測定手段がそれぞれ出力する前記測定信号に基づいて、前記塗布ノズルの基準の高さであるノズル基準高さにある前記塗布ノズルの先端から、前記基板の上面までの距離を算出し、算出した該距離が短いところほど前記吸着力を大きくするように前記吸着手段を制御した後に、新たに入力された複数の前記測定信号に基づいて、前記ノズル基準高さにある前記塗布ノズルの先端から前記基板の上面までの距離を前記基板全体に渡って算出し、算出した該距離が、前記塗布ノズルと前記基板の上面との間の基準の距離である基準距離に基づいて設定された距離許容範囲に含まれる場合には、算出した該距離の平均値の、前記基準距離に対するずれ量を補正値として算出し、その後、前記塗布ノズルを、前記ノズル基準高さに前記補正値を加えた高さに合わせて、前記液体材料の前記基板への塗布を行うことをその要旨としている。 The invention according to claim 3 is an application in which the substrate fixed on the stage and the application nozzle are relatively moved, and the liquid material discharged from the tip of the application nozzle is applied to the upper surface of the substrate in a desired shape. An apparatus comprising: a suction unit that generates a suction force for fixing the substrate on the stage; a moving unit that is bridged on the stage and is moved relative to the stage; and the moving unit. As the moving means moves relative to the stage, the moving means moves relative to the stage, and scans the substrate on the stage and outputs measurement signals corresponding to the distance to the upper surface of the substrate. A plurality of movement measuring means, and a control means for controlling the adsorption means, wherein the control means is based on the measurement signals respectively output from the plurality of movement measuring means. The distance from the tip of the coating nozzle at the nozzle reference height, which is the reference height of the coating nozzle, to the upper surface of the substrate is calculated, and the suction force is increased as the calculated distance is shorter. After controlling the suction means, the distance from the tip of the coating nozzle at the nozzle reference height to the upper surface of the substrate is spread over the entire substrate based on the plurality of newly inputted measurement signals. And the calculated distance is included in a distance tolerance set based on a reference distance that is a reference distance between the coating nozzle and the upper surface of the substrate. A deviation amount of the average value with respect to the reference distance is calculated as a correction value, and then the application nozzle is adjusted to a height obtained by adding the correction value to the nozzle reference height, and the liquid material is applied to the substrate. To make the cloth has as its gist.

同構成によれば、制御手段は、複数の移動測定手段がそれぞれ出力する測定信号に基づいて、ノズル基準高さにある塗布ノズルの先端から、基板の上面までの距離を算出し、吸着手段を制御して、算出した距離が短いところほど該基板に対する吸着力を大きくする。一般的に、基板に歪みが生じていると、歪みが大きいところほどステージと基板の上面との間の距離が大きくなるため、歪みが大きいところほど、ノズル基準高さにある塗布ノズルの先端から基板の上面までの距離が短くなる。従って、算出した距離が短いとろころほど吸着力を大きくすることにより、基板において歪みが生じている部分は、より大きな吸着力でステージ側に引き寄せられるため、基板の歪みが減少される。そして、基板への液体材料の塗布は、ノズル基準高さにある塗布ノズルの先端から基板の上面までの距離が距離許容範囲に含まれる場合、即ち基板の歪みが一定以下になっている場合にのみ行われることから、制御手段が、塗布ノズルの高さを、ノズル基準高さに補正値を加えた高さとして基板の上面への液体材料の塗布を行うことにより、塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離をほぼ一定に保って液体材料の塗布を行うことができる。また、従来のように、液体材料の塗布中に、塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離を測定して塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離を一定に保つための塗布ノズルの昇降量を算出しなくてもよいとともに、液体材料の塗布中には、塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離に応じて塗布ノズルが昇降されない。従って、液体材料を基板の上面に塗布する速度、即ち基板に対する塗布ノズルの移動速度を従来よりも高速化することができる。これらのことから、塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離をほぼ一定に保ちつつ液体材料の塗布を行うとともに、液体材料の塗布に要する時間を短縮することができる。そして、本塗布装置においては、基板の上面と塗布ノズルの先端との間の距離がほぼ一定に保たれることから、基板の上面に塗布された液体材料の形状が安定される。 According to this configuration, the control means calculates the distance from the tip of the application nozzle at the nozzle reference height to the upper surface of the substrate based on the measurement signals output from each of the plurality of movement measurement means, and By controlling, the shorter the calculated distance is, the larger the adsorption force to the substrate is. In general, when the substrate is distorted, the greater the distortion, the greater the distance between the stage and the upper surface of the substrate. Therefore, the greater the distortion, the greater the distance from the tip of the coating nozzle at the nozzle reference height. The distance to the upper surface of the substrate is shortened. Therefore, when the calculated distance is shorter, the portion of the substrate that is distorted is attracted to the stage side with a larger suction force by increasing the suction force for the roller, so that the strain of the substrate is reduced. The liquid material is applied to the substrate when the distance from the tip of the application nozzle at the nozzle reference height to the upper surface of the substrate is included in the distance tolerance range, that is, when the distortion of the substrate is below a certain level. Therefore, the control means applies the liquid material to the upper surface of the substrate by setting the height of the coating nozzle to a height obtained by adding a correction value to the nozzle reference height, and thereby the tip of the coating nozzle and the substrate. It is possible to apply the liquid material while keeping the distance between the upper surface and the upper surface of the liquid material substantially constant. In addition, as in the past, during the application of the liquid material, the distance between the tip of the coating nozzle and the top surface of the substrate is measured to keep the distance between the tip of the coating nozzle and the top surface of the substrate constant. The amount of elevation of the application nozzle need not be calculated, and during application of the liquid material, the application nozzle is not raised or lowered according to the distance between the tip of the application nozzle and the upper surface of the substrate. Therefore, the speed at which the liquid material is applied to the upper surface of the substrate, that is, the movement speed of the application nozzle with respect to the substrate can be made faster than before. Accordingly, the liquid material can be applied while the distance between the tip of the application nozzle and the upper surface of the substrate is kept substantially constant, and the time required for applying the liquid material can be shortened. In this coating apparatus, the distance between the top surface of the substrate and the tip of the coating nozzle is kept substantially constant, so that the shape of the liquid material applied to the top surface of the substrate is stabilized.

請求項４に記載の発明は、ステージ上に固定した基板と塗布ノズルとを相対的に移動させ、該塗布ノズルの先端から吐出させた液体材料を前記基板の上面に所望の形状に塗布する塗布装置であって、前記基板を前記ステージ上に固定するための吸着力を発生させる吸着手段と、前記ステージ上に架け渡され前記ステージに対して相対移動される移動手段と、前記移動手段に配置され、前記ステージに対する前記移動手段の相対移動に伴って前記ステージに対して相対移動されるとともに、前記ステージ上の前記基板を走査して該基板の上面及び下面までの距離に応じた測定信号をそれぞれ出力する複数の移動測定手段と、前記吸着手段を制御する制御手段と、を備え、前記制御手段は、複数の前記移動測定手段がそれぞれ出力する前記測定信号に基づいて、前記塗布ノズルの基準の高さであるノズル基準高さにある前記塗布ノズルの先端から、前記基板の下面までの距離を算出し、算出した該距離が短いところほど前記吸着力を大きくするように前記吸着手段を制御した後に、新たに入力された複数の前記測定信号に基づいて、前記ノズル基準高さにある前記塗布ノズルの先端から前記基板の上面までの距離を前記基板全体に渡って算出し、算出した該距離が、前記塗布ノズルと前記基板の上面との間の基準の距離である基準距離に基づいて設定された距離許容範囲に含まれる場合には、算出した該距離の平均値の、前記基準距離に対するずれ量を補正値として算出し、その後、前記塗布ノズルを、前記ノズル基準高さに前記補正値を加えた高さに合わせて、前記液体材料の前記基板への塗布を行うことをその要旨としている。 According to the fourth aspect of the present invention, the substrate fixed on the stage and the application nozzle are relatively moved, and the liquid material discharged from the tip of the application nozzle is applied to the upper surface of the substrate in a desired shape. An apparatus comprising: a suction unit that generates a suction force for fixing the substrate on the stage; a moving unit that is bridged on the stage and is moved relative to the stage; and the moving unit. As the moving means moves relative to the stage, the moving means moves relative to the stage and scans the substrate on the stage to generate a measurement signal corresponding to the distance to the upper and lower surfaces of the substrate. A plurality of movement measuring means for outputting each of the output signals; and a control means for controlling the adsorption means. The control means outputs the measurement signals output by each of the plurality of movement measuring means. Based on the above, the distance from the tip of the coating nozzle at the nozzle reference height, which is the reference height of the coating nozzle, to the lower surface of the substrate is calculated, and the suction force is reduced as the calculated distance is shorter. After controlling the suction means so as to increase the distance, the distance from the tip of the coating nozzle at the nozzle reference height to the upper surface of the substrate is determined based on the plurality of newly input measurement signals. And the calculated distance is included in a distance tolerance set based on a reference distance that is a reference distance between the coating nozzle and the upper surface of the substrate. The amount of deviation of the average distance from the reference distance is calculated as a correction value, and then the application nozzle is adjusted to a height obtained by adding the correction value to the nozzle reference height, and the base of the liquid material is adjusted. And as its gist to carry out application to.

同構成によれば、制御手段は、複数の移動測定手段がそれぞれ出力する測定信号に基づいて、ノズル基準高さにある塗布ノズルの先端から、基板の下面までの距離を算出し、吸着手段を制御して、算出した距離が短いところほど該基板に対する吸着力を大きくする。一般的に、基板に歪みが生じていると、歪みが大きいところほどステージと基板の下面との間の距離が大きくなるため、歪みが大きいところほど、ノズル基準高さにある塗布ノズルの先端から基板の下面までの距離が短くなる。従って、算出した距離が短いとろころほど吸着力を大きくすることにより、基板において歪みが生じている部分は、より大きな吸着力でステージ側に引き寄せられるため、基板の歪みが減少される。そして、基板への液体材料の塗布は、ノズル基準高さにある塗布ノズルの先端から基板の上面までの距離が距離許容範囲に含まれる場合、即ち基板の歪みが一定以下になっている場合にのみ行われることから、制御手段が、塗布ノズルの高さを、ノズル基準高さに補正値を加えた高さとして基板の上面への液体材料の塗布を行うことにより、塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離をほぼ一定に保って液体材料の塗布を行うことができる。また、従来のように、液体材料の塗布中に、塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離を測定して塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離を一定に保つための塗布ノズルの昇降量を算出しなくてもよいとともに、液体材料の塗布中には、塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離に応じて塗布ノズルが昇降されない。従って、液体材料を基板の上面に塗布する速度、即ち基板に対する塗布ノズルの移動速度を従来よりも高速化することができる。これらのことから、塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離をほぼ一定に保ちつつ液体材料の塗布を行うとともに、液体材料の塗布に要する時間を短縮することができる。そして、本塗布装置においては、基板の上面と塗布ノズルの先端との間の距離がほぼ一定に保たれることから、基板の上面に塗布された液体材料の形状が安定される。 According to this configuration, the control means calculates the distance from the tip of the coating nozzle at the nozzle reference height to the lower surface of the substrate based on the measurement signals output from each of the plurality of movement measurement means, and By controlling, the shorter the calculated distance is, the larger the adsorption force to the substrate is. Generally, when the substrate is distorted, the greater the distortion, the greater the distance between the stage and the lower surface of the substrate. Therefore, the greater the distortion, the greater the distance from the tip of the coating nozzle at the nozzle reference height. The distance to the lower surface of the substrate is shortened. Therefore, when the calculated distance is shorter, the portion of the substrate that is distorted is attracted to the stage side with a larger suction force by increasing the suction force for the roller, so that the strain of the substrate is reduced. The liquid material is applied to the substrate when the distance from the tip of the application nozzle at the nozzle reference height to the upper surface of the substrate is included in the distance tolerance range, that is, when the distortion of the substrate is below a certain level. Therefore, the control means applies the liquid material to the upper surface of the substrate by setting the height of the coating nozzle to a height obtained by adding a correction value to the nozzle reference height, and thereby the tip of the coating nozzle and the substrate. It is possible to apply the liquid material while keeping the distance between the upper surface and the upper surface of the liquid material substantially constant. In addition, as in the past, during the application of the liquid material, the distance between the tip of the coating nozzle and the top surface of the substrate is measured to keep the distance between the tip of the coating nozzle and the top surface of the substrate constant. The amount of elevation of the application nozzle need not be calculated, and during application of the liquid material, the application nozzle is not raised or lowered according to the distance between the tip of the application nozzle and the upper surface of the substrate. Therefore, the speed at which the liquid material is applied to the upper surface of the substrate, that is, the movement speed of the application nozzle with respect to the substrate can be made faster than before. Accordingly, the liquid material can be applied while the distance between the tip of the application nozzle and the upper surface of the substrate is kept substantially constant, and the time required for applying the liquid material can be shortened. In this coating apparatus, the distance between the top surface of the substrate and the tip of the coating nozzle is kept substantially constant, so that the shape of the liquid material applied to the top surface of the substrate is stabilized.

請求項５に記載の発明は、請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載の塗布装置において、前記制御手段は、前記液体材料を前記基板の上面に塗布する場合には、予め測定した前記ステージの上面の平坦度に基づいて設定されたステージ補正量の分だけ前記塗布ノズルを昇降させることをその要旨としている。 According to a fifth aspect of the present invention, in the coating apparatus according to any one of the first to fourth aspects, the control means measures in advance when the liquid material is applied to the upper surface of the substrate. The gist of the invention is to raise and lower the application nozzle by a stage correction amount set based on the flatness of the upper surface of the stage.

同構成によれば、液体材料の塗布中に制御手段によってステージ補正量の分だけ塗布ノズルが昇降されることにより、ステージの上面と塗布ノズルの先端との間の距離が一定に保たれる。その結果、ステージ上に配置された基板の上面と塗布ノズルの先端との間の距離をより一定に近い状態に保つことができる。尚、本発明における「平坦度」には、ステージの上面の傾斜の度合いも含まれるものとする。 According to this configuration, the distance between the upper surface of the stage and the tip of the coating nozzle is kept constant by raising and lowering the coating nozzle by the amount of the stage correction amount by the control means during application of the liquid material. As a result, the distance between the upper surface of the substrate disposed on the stage and the tip of the coating nozzle can be kept more nearly constant. The “flatness” in the present invention includes the degree of inclination of the upper surface of the stage.

請求項６に記載の発明は、請求項１乃至請求項５の何れか１項に記載の塗布装置において、前記制御手段は、前記基板の中央から周囲に向かって順に該基板が前記ステージ上に吸着されるように前記吸着手段を制御することをその要旨としている。 A sixth aspect of the present invention is the coating apparatus according to any one of the first to fifth aspects, wherein the control unit is configured so that the substrate is placed on the stage in order from the center of the substrate toward the periphery. The gist is to control the adsorption means so as to be adsorbed.

同構成によれば、基板の中央から周囲に向かって順に吸着することにより、基板の平坦化が容易となる。 According to this configuration, the substrate can be easily flattened by adsorbing in order from the center of the substrate toward the periphery.

本発明によれば、塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離をほぼ一定に保ちつつ液体材料の塗布を行うとともに、液体材料の塗布に要する時間を短縮することが可能な塗布装置を提供することができる。 According to the present invention, there is provided an application apparatus capable of applying a liquid material while maintaining a substantially constant distance between the tip of the application nozzle and the upper surface of the substrate and reducing the time required for applying the liquid material. Can be provided.

（第１実施形態）
以下、本発明を具体化した第１実施形態を図面に従って説明する。
図１は、液晶表示装置の製造工程のうち、セル製造工程における液晶注入及び貼合わせを行う工程を実施する貼合わせ基板製造装置の概略構成図である。 (First embodiment)
A first embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1: is a schematic block diagram of the bonding board | substrate manufacturing apparatus which implements the process of liquid crystal injection | pouring and bonding in a cell manufacturing process among the manufacturing processes of a liquid crystal display device.

貼合わせ基板製造装置２１は、供給される２種類の基板Ｗ１，Ｗ２の間に液晶を封入して液晶表示パネルを製造する。尚、本実施形態の装置にて製造される液晶表示パネルは、例えばアクティブマトリクス液晶表示パネルである。そして、下基板Ｗ１は、ガラス基板上にＴＦＴ等が形成されたアレイ基板（ＴＦＴ基板）であり、上基板Ｗ２は、ガラス基板上にカラーフィルタや遮光膜等が形成されたカラーフィルタ基板（ＣＦ基板）である。これらの下基板Ｗ１及び上基板Ｗ２は、それぞれの工程によって作成され供給される。 The bonded substrate manufacturing apparatus 21 manufactures a liquid crystal display panel by enclosing a liquid crystal between two types of supplied substrates W1 and W2. In addition, the liquid crystal display panel manufactured with the apparatus of this embodiment is an active matrix liquid crystal display panel, for example. The lower substrate W1 is an array substrate (TFT substrate) on which a TFT or the like is formed on a glass substrate, and the upper substrate W2 is a color filter substrate (CF on which a color filter, a light shielding film, or the like is formed on the glass substrate. Substrate). The lower substrate W1 and the upper substrate W2 are created and supplied by respective processes.

貼合わせ基板製造装置２１は、制御装置２２と、該制御装置２２が制御する塗布装置としてのシール描画装置２３と液晶滴下装置２４と貼合わせ装置２５と検査装置２６とを備えている。貼合わせ装置２５は、プレス装置２７と硬化装置２８とから構成されるとともに、これら装置２７，２８は、制御装置２２により制御される。また、貼合わせ基板製造装置２１は、供給される下基板Ｗ１及び上基板Ｗ２を搬送する搬送装置２９ａ〜２９ｄを備えている。そして、制御装置２２は、搬送装置２９ａ〜２９ｄを制御し、下基板Ｗ１及び上基板Ｗ２とそれにより製造された貼合わせ基板Ｗ３とを搬送する。 The bonded substrate manufacturing device 21 includes a control device 22, a seal drawing device 23 as a coating device controlled by the control device 22, a liquid crystal dropping device 24, a bonding device 25, and an inspection device 26. The laminating device 25 includes a press device 27 and a curing device 28, and these devices 27 and 28 are controlled by the control device 22. Moreover, the bonded substrate manufacturing apparatus 21 includes transport devices 29a to 29d that transport the supplied lower substrate W1 and upper substrate W2. And the control apparatus 22 controls the conveying apparatuses 29a-29d, and conveys the lower board | substrate W1 and the upper board | substrate W2, and the bonding board | substrate W3 manufactured by it.

貼合わせ基板製造装置２１について詳述すると、下基板Ｗ１及び上基板Ｗ２は、まずシール描画装置２３に供給される。シール描画装置２３は、下基板Ｗ１の上面にシール材を枠状に塗布する。シール材には、少なくとも光硬化性接着剤を含む接着剤が用いられる。そして、下基板Ｗ１及び上基板Ｗ２は搬送装置２９ａに供給されるとともに、該搬送装置２９ａは下基板Ｗ１及び上基板Ｗ２を一組にして液晶滴下装置２４に搬送する。 The bonded substrate manufacturing apparatus 21 will be described in detail. The lower substrate W1 and the upper substrate W2 are first supplied to the seal drawing device 23. The seal drawing device 23 applies a seal material to the upper surface of the lower substrate W1 in a frame shape. As the sealing material, an adhesive containing at least a photo-curable adhesive is used. The lower substrate W1 and the upper substrate W2 are supplied to the transport device 29a, and the transport device 29a transports the lower substrate W1 and the upper substrate W2 as a set to the liquid crystal dropping device 24.

液晶滴下装置２４は、搬送された下基板Ｗ１の予め設定された複数の位置に液晶を滴下する。そして、液晶が滴下された下基板Ｗ１と、上基板Ｗ２とは、搬送装置２９ｂによりプレス装置２７に搬送される。 The liquid crystal dropping device 24 drops liquid crystal at a plurality of preset positions on the conveyed lower substrate W1. Then, the lower substrate W1 and the upper substrate W2 onto which the liquid crystal has been dropped are transported to the press device 27 by the transport device 29b.

プレス装置２７は、処理室としてのチャンバ（図示略）を備えている。下基板Ｗ１及び上基板Ｗ２は、搬送装置２９ｂによりチャンバ内に搬送されるとともに、チャンバ内で互いに対向するように且つ水平に配置される。プレス装置２７は、下基板Ｗ１及び上基板Ｗ２がチャンバ内に搬送された後に、チャンバ内の真空引きを行う。次いで、プレス装置２７は、位置合わせマーク（アライメントマーク）を用いて光学的に下基板Ｗ１及び上基板Ｗ２の位置合わせを非接触にて（少なくとも下基板Ｗ１の上面のシール材に上基板Ｗ２の下面が接触しない状態で）行う。そして、プレス装置２７は、下基板Ｗ１と上基板Ｗ２との間隔が、前記シール材が密着する所定の間隔となるまで加圧した後に、チャンバを大気開放する。これにより、下基板Ｗ１及び上基板Ｗ２は、大気圧との圧力差により、所定のセル厚（セルギャップ）とする最終の基板間隔まで圧縮されるとともに、下基板Ｗ１及び上基板Ｗ２が密着されて両基板Ｗ１，Ｗ２の相対的な位置ズレが生じ難くなる。 The press device 27 includes a chamber (not shown) as a processing chamber. The lower substrate W1 and the upper substrate W2 are transported into the chamber by the transport device 29b, and are disposed horizontally so as to face each other in the chamber. The press device 27 evacuates the chamber after the lower substrate W1 and the upper substrate W2 are transferred into the chamber. Next, the press device 27 optically aligns the lower substrate W1 and the upper substrate W2 using the alignment mark (alignment mark) in a non-contact manner (at least on the sealing material on the upper surface of the lower substrate W1). (With the bottom surface not touching). Then, the press device 27 releases the chamber to the atmosphere after pressurizing until the distance between the lower substrate W1 and the upper substrate W2 becomes a predetermined distance at which the sealing material comes into close contact. As a result, the lower substrate W1 and the upper substrate W2 are compressed to a final substrate interval having a predetermined cell thickness (cell gap) due to a pressure difference from the atmospheric pressure, and the lower substrate W1 and the upper substrate W2 are in close contact with each other. Thus, it is difficult for relative displacement between the substrates W1 and W2.

貼り合わせられた下基板Ｗ１及び上基板Ｗ２、即ち貼合わせ基板Ｗ３は、搬送装置２９ｃにより硬化装置２８に搬送される。この時、前記制御装置２２は、下基板Ｗ１と上基板Ｗ２とが貼り合わせられてからの時間経過を監視しており、予め定めた時間が経過すると搬送装置２９ｃを駆動して貼合わせ基板Ｗ３を硬化装置２８に供給する。硬化装置２８は、貼合わせ基板Ｗ３に所定の波長を有する光を照射して前記シール材を硬化させる。 The bonded lower substrate W1 and upper substrate W2, that is, the bonded substrate W3, are transferred to the curing device 28 by the transfer device 29c. At this time, the control device 22 monitors the elapse of time after the lower substrate W1 and the upper substrate W2 are bonded together, and when a predetermined time elapses, the transfer device 29c is driven to bond the bonded substrate W3. Is supplied to the curing device 28. The curing device 28 cures the sealing material by irradiating the bonded substrate W3 with light having a predetermined wavelength.

このように、貼り合わせられた下基板Ｗ１及び上基板Ｗ２には、貼り合わせから所定時間経過後にシール材を硬化させるための光が照射される。この所定時間は、液晶の拡散速度と、貼り合わせ時に両基板Ｗ１，Ｗ２に加えられる圧力により貼合わせ基板Ｗ３に残留する応力の開放に要する時間に基づいて予め実験により求められている。また、プレス装置２７により下基板Ｗ１と上基板Ｗ２との間に封入された液晶は、基板Ｗ１，Ｗ２の貼り合わせ時に加えられる圧力及び大気圧によって拡散する。そして、この液晶の拡散が終了した後に、シール材を硬化させる。 In this way, the lower substrate W1 and the upper substrate W2 that are bonded together are irradiated with light for curing the sealing material after a predetermined time has elapsed since the bonding. This predetermined time is obtained in advance by experiments based on the diffusion rate of the liquid crystal and the time required to release the stress remaining on the bonded substrate W3 due to the pressure applied to both the substrates W1 and W2 during bonding. Further, the liquid crystal sealed between the lower substrate W1 and the upper substrate W2 by the press device 27 is diffused by the pressure and the atmospheric pressure applied when the substrates W1 and W2 are bonded together. Then, after the liquid crystal is diffused, the sealing material is cured.

シール材が硬化された貼合わせ基板Ｗ３は、搬送装置２９ｄにより検査装置２６に搬送される。検査装置２６は、搬送された貼合わせ基板Ｗ３における下基板Ｗ１と上基板Ｗ２との位置ズレ（位置ズレの方向及び位置ズレの量）を測定し、その測定値を制御装置２２に出力する。制御装置２２は、検査装置２６の検査結果に基づいて、プレス装置２７における位置合わせに補正を加える。即ち、シール材が硬化した貼合わせ基板Ｗ３における下基板Ｗ１と上基板Ｗ２とのズレ量を、その位置ズレの方向と反対方向に予めずらしておくことで、次に製造される貼合わせ基板Ｗ３における下基板Ｗ１と上基板Ｗ２との位置ズレを制御する。 The bonded substrate W3 on which the sealing material has been cured is transported to the inspection device 26 by the transport device 29d. The inspection device 26 measures the positional deviation (the direction of positional deviation and the amount of positional deviation) between the lower substrate W1 and the upper substrate W2 in the transferred bonded substrate W3, and outputs the measured value to the control device 22. The control device 22 corrects the alignment in the press device 27 based on the inspection result of the inspection device 26. That is, the bonded substrate W3 to be manufactured next is obtained by shifting the amount of shift between the lower substrate W1 and the upper substrate W2 in the bonded substrate W3 having the cured sealing material in the direction opposite to the direction of the positional shift. The positional deviation between the lower substrate W1 and the upper substrate W2 is controlled.

次に、シール描画装置２３について詳述する。
図２は、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａにシール材Ｒを塗布するシール描画装置２３を側方から見た概略図である。 Next, the seal drawing device 23 will be described in detail.
FIG. 2 is a schematic view of the seal drawing device 23 for applying the sealing material R to the upper surface W1a of the lower substrate W1 as viewed from the side.

図２に示すように、シール描画装置２３を構成する直方体状の基台３１上には、基台３１よりも小さめの直方体状をなすステージ３２が載置されるとともに、同基台３１には、ステージ３２を跨ぐようにガントリ３３が設けられている。ガントリ３３は、基台３１から上方に向かって互いに平行に延びる一対の支持脚３３ａと、２つの支持脚３３ａ間に掛け渡され該支持脚３３ａの上端同士を連結する連結部３３ｂとが一体に形成されてなり、側方から見た形状がコ字状をなしている。一対の支持脚３３ａの基端部は、基台３１の上面においてステージ３２の両側に該ステージ３２に沿って平行に形成された一対の案内溝３１ａ内にそれぞれ挿入されている。そして、ガントリ３３は、基台３１内に一対の支持脚３３ａにそれぞれ対応して設けられたｙ軸アクチュエータ３４により、案内溝３１ａに沿ってｙ方向に移動される。尚、図２においては、紙面垂直方向がｙ方向となっている。 As shown in FIG. 2, a stage 32 having a rectangular parallelepiped shape smaller than the base 31 is placed on a base 31 in the shape of a rectangular parallelepiped constituting the seal drawing device 23. A gantry 33 is provided so as to straddle the stage 32. The gantry 33 is integrally formed with a pair of support legs 33a extending parallel to each other upward from the base 31, and a connecting portion 33b spanning between the two support legs 33a and connecting the upper ends of the support legs 33a. It is formed and the shape seen from the side is U-shaped. The base end portions of the pair of support legs 33 a are inserted into a pair of guide grooves 31 a formed in parallel along the stage 32 on both sides of the stage 32 on the upper surface of the base 31. The gantry 33 is moved in the y direction along the guide groove 31a by a y-axis actuator 34 provided in the base 31 corresponding to the pair of support legs 33a. In FIG. 2, the direction perpendicular to the paper surface is the y direction.

前記連結部３３ｂには、ｘ軸アクチュエータ３５の駆動力により該連結部３３ｂに沿ってｘ方向に移動されるｘ軸ベース３６が設けられるとともに、該ｘ軸ベース３６には、ｚ軸アクチュエータ３７の駆動力によりｚ方向に沿って移動されるｚ軸ベース３８が設けられている。尚、ｘ方向はｙ方向と直交する方向であるとともに、ｚ方向はｙ方向及びｘ方向の両方向と直交する方向である。そして、図２においては、左右方向がｘ方向、上下方向がｚ方向となっている。 The connecting portion 33b is provided with an x-axis base 36 that is moved in the x-direction along the connecting portion 33b by the driving force of the x-axis actuator 35. The x-axis base 36 includes a z-axis actuator 37. A z-axis base 38 that is moved along the z direction by a driving force is provided. The x direction is a direction orthogonal to the y direction, and the z direction is a direction orthogonal to both the y direction and the x direction. In FIG. 2, the horizontal direction is the x direction, and the vertical direction is the z direction.

前記ｚ軸ベース３８には、略円筒状のシリンジ４１が該ｚ軸ベース３８と一体移動可能に取り付けられるとともに、該シリンジ４１内には、下基板Ｗ１に塗布するためのシール材Ｒが充填されている。このシール材Ｒは、前述したように、少なくとも光硬化性接着剤を含む接着剤である。また、シリンジ４１の下端部は、下端に向かうに連れてその直径が小さくなる円錐形状に形成されるとともに、その下端には、塗布ノズル４２が取着されている。 A substantially cylindrical syringe 41 is attached to the z-axis base 38 so as to be able to move integrally with the z-axis base 38, and the syringe 41 is filled with a sealing material R for applying to the lower substrate W1. ing. As described above, the sealing material R is an adhesive containing at least a photocurable adhesive. In addition, the lower end portion of the syringe 41 is formed in a conical shape whose diameter decreases toward the lower end, and an application nozzle 42 is attached to the lower end thereof.

また、ｚ軸ベース３８の下端には、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離を測定するための距離センサ４３が固定されている。距離センサ４３は、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａに垂直に光を照射してその反射光を受光することにより、受光した反射光に基づいて下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離に応じた第１の測定信号Ｓ１を出力する。 A distance sensor 43 for measuring the distance between the upper surface W1a of the lower substrate W1 disposed on the stage 32 and the tip of the coating nozzle 42 is fixed to the lower end of the z-axis base 38. The distance sensor 43 irradiates light perpendicularly to the upper surface W1a of the lower substrate W1 disposed on the stage 32 and receives the reflected light, whereby the upper surface W1a of the lower substrate W1 and the coating are applied based on the received reflected light. A first measurement signal S1 corresponding to the distance from the tip of the nozzle 42 is output.

前記ステージ３２は、その上面３２ａが水平に形成されるとともに、図３に示すように、ステージ３２の上面３２ａに対し、複数（本実施形態では３２個）の吸着領域Ａが設定されている。３２個の吸着領域Ａは、それぞれ四角形状をなすとともに、ステージ３２の上面３２ａにおいて下基板Ｗ１が配置される範囲に均等に設定されている。また、各吸着領域Ａ内には、複数（本実施形態では１２個）の吸引孔３２ｂがマトリクス状に形成されている。そして、ステージ３２内に設けられた吸着装置４５（図６参照）は、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１とステージ３２との間の気体を吸引孔３２ｂから吸引することにより、ステージ３２と下基板Ｗ１との間に真空吸着力を発生させ、該真空吸着力によりステージ３２上に下基板Ｗ１を固定する。また、吸着装置４５は、ステージ３２上の下基板Ｗ１に対する真空吸着力の大きさを吸着領域Ａごとに変化可能に構成されている。 The stage 32 has an upper surface 32a formed horizontally, and a plurality (32 in this embodiment) of suction areas A are set on the upper surface 32a of the stage 32 as shown in FIG. The 32 suction regions A each have a quadrangular shape, and are equally set in a range where the lower substrate W1 is disposed on the upper surface 32a of the stage 32. In each suction region A, a plurality (12 in this embodiment) of suction holes 32b are formed in a matrix. Then, the suction device 45 (see FIG. 6) provided in the stage 32 sucks the gas between the lower substrate W1 disposed on the stage 32 and the stage 32 from the suction hole 32b. A vacuum suction force is generated between the lower substrate W1 and the lower substrate W1 is fixed on the stage 32 by the vacuum suction force. Further, the suction device 45 is configured to be able to change the magnitude of the vacuum suction force with respect to the lower substrate W1 on the stage 32 for each suction region A.

図４に示すように、ステージ３２の上面３２ａには、複数（本実施形態では１５個）の収容凹部３２ｃが形成されている。これら１５個の収容凹部３２ｃは、ステージ３２の上面に下基板Ｗ１が配置された場合に、該下基板Ｗ１とｚ方向に対向する位置に形成されている。詳述すると、１５個の収容凹部３２ｃは、ステージ３２の長手方向に沿って５個ずつ３列に並ぶように形成されている。また、各列を構成する５個ずつの収容凹部３２ｃはｙ方向に等間隔に設けられるとともに、収容凹部３２ｃが構成する３つの列は、ｘ方向に等間隔となるように設けられている。そして、１５個の収容凹部３２ｃ内には、それぞれ１つずつ距離センサ５１ａ〜５１ｏが収容されている。これら距離センサ５１ａ〜５１ｏは、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａのステージ３２の上面３２ａからの高さ、及び同下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂのステージ３２の上面３２ａからの高さを測定するためのものである。 As shown in FIG. 4, a plurality (15 in this embodiment) of accommodating recesses 32 c are formed on the upper surface 32 a of the stage 32. The fifteen receiving recesses 32c are formed at positions facing the lower substrate W1 in the z direction when the lower substrate W1 is disposed on the upper surface of the stage 32. Specifically, the fifteen receiving recesses 32 c are formed so as to be arranged in three rows of five along the longitudinal direction of the stage 32. Further, five receiving recesses 32c constituting each row are provided at equal intervals in the y direction, and three rows constituting the receiving recesses 32c are provided at equal intervals in the x direction. The distance sensors 51a to 51o are accommodated one by one in the 15 accommodating recesses 32c. These distance sensors 51a to 51o are the height of the upper surface W1a of the lower substrate W1 disposed on the stage 32 from the upper surface 32a of the stage 32, and the height of the lower surface W1b of the lower substrate W1 from the upper surface 32a of the stage 32. It is for measuring.

図５に示すように、各距離センサ５１ａ〜５１ｏの上端部は、三角形状に切り込まれており、切り込み部分に、互いに対向する２つの斜面５２，５３が形成されている。これら斜面５２，５３のうち、一方の斜面５２には発光素子５４が設けられるとともに、他方の斜面５３には受光素子５５が設けられている。発光素子５４は下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａに光（図５中、破線参照）を照射するものであり、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａにて反射した反射光及び下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂにて反射した反射光を受光素子５５が受光する。この受光素子５５は、例えばＰＳＤ（Position Sensitive Detector ）にて構成されるとともに、該受光素子５５における前記反射光の受光位置に応じた第２の測定信号Ｓ２を出力する。尚、図５においては、歪みの無い下基板Ｗ１を実線にて図示するとともに、歪みの無い下基板Ｗ１にて反射した反射光を破線にて図示している。また、歪みのある下基板Ｗ１を二点鎖線にて図示するとともに、歪みのある下基板Ｗ１にて反射した反射光を一点鎖線にて図示している。 As shown in FIG. 5, the upper ends of the distance sensors 51a to 51o are cut into a triangular shape, and two inclined surfaces 52 and 53 facing each other are formed at the cut portion. A light emitting element 54 is provided on one of the slopes 52 and 53, and a light receiving element 55 is provided on the other slope 53. The light emitting element 54 irradiates light (see a broken line in FIG. 5) to the upper surface W1a of the lower substrate W1, and is reflected by the reflected light reflected by the upper surface W1a of the lower substrate W1 and the lower surface W1b of the lower substrate W1. The light receiving element 55 receives the reflected light. The light receiving element 55 is composed of, for example, a PSD (Position Sensitive Detector), and outputs a second measurement signal S2 corresponding to the light receiving position of the reflected light in the light receiving element 55. In FIG. 5, the lower substrate W1 without distortion is shown by a solid line, and the reflected light reflected by the lower substrate W1 without distortion is shown by a broken line. Further, the distorted lower substrate W1 is illustrated by a two-dot chain line, and the reflected light reflected by the distorted lower substrate W1 is illustrated by a one-dot chain line.

図６に示すように、前記ｙ軸アクチュエータ３４、ｘ軸アクチュエータ３５、ｚ軸アクチュエータ３７、距離センサ４３、吸着装置４５、及び距離センサ５１ａ〜５１ｏは、制御装置６１によって制御される。 As shown in FIG. 6, the y-axis actuator 34, the x-axis actuator 35, the z-axis actuator 37, the distance sensor 43, the suction device 45, and the distance sensors 51 a to 51 o are controlled by a control device 61.

詳述すると、制御装置６１は、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａにシール材Ｒにて所望のパターンを描画すべく、前記ｙ軸アクチュエータ３４、ｘ軸アクチュエータ３５及びｚ軸アクチュエータ３７を制御する。また、制御装置６１は、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１のステージ３２に対する固定及び固定解除を行うべく前記吸着装置４５を制御するとともに、吸着領域Ａごとに下基板Ｗ１を吸着する真空吸着力を調整する。 More specifically, the control device 61 uses the sealing material R to draw a desired pattern on the upper surface W1a of the lower substrate W1 disposed on the stage 32, so that the y-axis actuator 34, the x-axis actuator 35, and the z-axis actuator are drawn. 37 is controlled. The control device 61 controls the suction device 45 so as to fix and release the lower substrate W1 disposed on the stage 32 with respect to the stage 32, and vacuum suction for sucking the lower substrate W1 for each suction region A. Adjust the force.

更に、制御装置６１は、前記距離センサ４３から入力される第１の測定信号Ｓ１、及び前記距離センサ５１ａ〜５１ｏから入力される第２の測定信号Ｓ２に基づいて、種々の値を算出する。例えば、制御装置６１は、第１の測定信号Ｓ１に基づいて、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離を算出する。また、制御装置６１は、距離センサ５１ａ〜５１ｏからそれぞれ入力される第２の測定信号Ｓ２に基づいて、三角測量方式により、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａのステージ３２の上面３２ａからの高さや、同下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂのステージ３２の上面３２ａからの高さを算出する。 Further, the control device 61 calculates various values based on the first measurement signal S1 input from the distance sensor 43 and the second measurement signal S2 input from the distance sensors 51a to 51o. For example, the control device 61 calculates the distance between the upper surface W1a of the lower substrate W1 disposed on the stage 32 and the tip of the coating nozzle 42 based on the first measurement signal S1. Further, the control device 61 uses the triangulation method based on the second measurement signals S2 respectively input from the distance sensors 51a to 51o, and the upper surface of the stage 32 of the upper surface W1a of the lower substrate W1 disposed on the stage 32. The height from 32a and the height from the upper surface 32a of the stage 32 of the lower surface W1b of the lower substrate W1 are calculated.

尚、制御装置６１は、ステージ３２の上面３２ａの平坦度（傾斜の度合いを含む）を事前に測定し、その測定結果に基づいて算出されたステージ補正量を持っている。ステージ補正量は、完全に平坦（水平）な状態のステージの上面に対するステージ３２の上面３２ａのずれ量（ｚ方向のずれ量）であるとともに、ステージ３２の上面３２ａ全体に対応して算出されている。そして、このステージ補正量は、最初にステージ３２を設置した場合に、該ステージ３２の上面３２ａの平坦度を測定して算出される他、シール描画装置２３のメンテナンス等の際に、上面３２ａの平坦度を測定して算出され更新される。 The control device 61 measures the flatness (including the degree of inclination) of the upper surface 32a of the stage 32 in advance, and has a stage correction amount calculated based on the measurement result. The stage correction amount is a shift amount (shift amount in the z direction) of the upper surface 32a of the stage 32 with respect to the upper surface of the stage in a completely flat (horizontal) state, and is calculated corresponding to the entire upper surface 32a of the stage 32. Yes. The stage correction amount is calculated by measuring the flatness of the upper surface 32a of the stage 32 when the stage 32 is first installed, and also when the seal drawing device 23 is maintained or the like. Calculated and updated by measuring flatness.

次に、上記のようなシール描画装置２３にて行われる、下基板Ｗ１へのシール材Ｒの塗布について詳述する。
［第１工程］
まず、ステージ３２上の所定位置に下基板Ｗ１が配置される。この時、制御装置６１は、塗布ノズル４２の先端とステージ３２の上面３２ａとの間に下基板Ｗ１の厚さ以上の間隔が設けられる位置にシリンジ４１を配置している。 Next, the application of the sealing material R to the lower substrate W1 performed by the seal drawing device 23 as described above will be described in detail.
[First step]
First, the lower substrate W1 is disposed at a predetermined position on the stage 32. At this time, the control device 61 arranges the syringe 41 at a position where an interval equal to or larger than the thickness of the lower substrate W1 is provided between the tip of the application nozzle 42 and the upper surface 32a of the stage 32.

［第２工程］
次に、制御装置６１は、吸着装置４５を駆動して、下基板Ｗ１を真空吸着力によりステージ３２上に固定（仮固定）する。この時、制御装置６１は、下基板Ｗ１の中央から周囲に向かって順に該下基板Ｗ１を吸着するように吸着装置４５を制御する。またこの時、制御装置６１は、各吸着領域Ａにおける真空吸着力が等しくなるように吸着装置４５を制御するとともに、当該真空吸着力の大きさが、下基板Ｗ１のステージ３２に対する相対移動を最低限阻止する程度の大きさとなるように吸着装置４５を制御している。 [Second step]
Next, the control device 61 drives the suction device 45 to fix (temporarily fix) the lower substrate W1 on the stage 32 by a vacuum suction force. At this time, the control device 61 controls the suction device 45 so as to suck the lower substrate W1 in order from the center of the lower substrate W1 toward the periphery. At this time, the control device 61 controls the suction device 45 so that the vacuum suction force in each suction region A becomes equal, and the magnitude of the vacuum suction force minimizes the relative movement of the lower substrate W1 with respect to the stage 32. The adsorbing device 45 is controlled so as to have a size that is limited.

［第３工程］
次に、制御装置６１は、距離センサ５１ａ〜５１ｏを駆動して、各距離センサ５１ａ〜５１ｏにより、各距離センサ５１ａ〜５１ｏが配置された１５箇所の点における、ステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂの高さを測定する。 [Third step]
Next, the control device 61 drives the distance sensors 51a to 51o so that the distance sensors 51a to 51o move downward from the upper surface 32a of the stage 32 at 15 points where the distance sensors 51a to 51o are arranged. The height of the lower surface W1b of the substrate W1 is measured.

［第４工程］
次に、制御装置６１は、各距離センサ５１ａ〜５１ｏから入力された第２の測定信号Ｓ２に基づいて、ステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂの高さを、下基板Ｗ１の上面全体に渡って演算により求める。 [Fourth step]
Next, the control device 61 determines the height of the lower surface W1b of the lower substrate W1 from the upper surface 32a of the stage 32 based on the second measurement signal S2 input from the distance sensors 51a to 51o. Obtained by calculation over the entire top surface.

［第５工程］
次に、制御装置６１は、算出したステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂの高さに応じて、吸着領域Ａごとの真空吸着力を調整する。 [Fifth step]
Next, the control device 61 adjusts the vacuum suction force for each suction region A according to the calculated height of the lower surface W1b of the lower substrate W1 from the upper surface 32a of the stage 32.

ここで、一般的に、下基板Ｗ１に歪みが生じていると、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１は、部分的に盛り上がった形状を有することになる。そのため、下基板Ｗ１において歪みが生じている部分では、下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂとステージ３２の上面３２ａとの間に隙間が生じることになる。そこで、制御装置６１は、算出したステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂの高さに応じて、当該高さが高いところほど真空吸着力が大きくなるように、吸着装置４５を制御して吸着領域Ａごとに真空吸着力を制御する。即ち、制御装置６１は、算出したステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂの高さが高い部分に対応する吸着領域Ａの真空吸着力が大きくなるように、吸着装置４５を制御する。この時、制御装置６１は、第２工程で下基板Ｗ１をステージ３２上に固定した真空吸着力を維持したまま、算出したステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂの高さに応じた大きさの真空吸着力を、下基板Ｗ１全体に渡って同時に発生させるように吸着装置４５を制御する。これにより、ステージ３２上の下基板Ｗ１において盛り上がっていた部分がステージ３２側に吸い寄せられ、該下基板Ｗ１は、歪みが減少するように矯正される。 Here, in general, when the lower substrate W1 is distorted, the lower substrate W1 disposed on the stage 32 has a partially raised shape. Therefore, a gap is generated between the lower surface W1b of the lower substrate W1 and the upper surface 32a of the stage 32 in a portion where the distortion occurs in the lower substrate W1. Therefore, the control device 61 controls the suction device 45 so that the vacuum suction force increases as the height increases according to the calculated height of the lower surface W1b of the lower substrate W1 from the upper surface 32a of the stage 32. Thus, the vacuum suction force is controlled for each suction region A. That is, the control device 61 controls the suction device 45 so that the vacuum suction force of the suction region A corresponding to the portion where the calculated height of the lower surface W1b of the lower substrate W1 from the upper surface 32a of the stage 32 is high. . At this time, the controller 61 responds to the calculated height of the lower surface W1b of the lower substrate W1 from the upper surface 32a of the stage 32 while maintaining the vacuum suction force that fixes the lower substrate W1 on the stage 32 in the second step. The suction device 45 is controlled so that a vacuum suction force of a certain magnitude is generated simultaneously over the entire lower substrate W1. As a result, the raised portion of the lower substrate W1 on the stage 32 is sucked toward the stage 32, and the lower substrate W1 is corrected so as to reduce distortion.

［第６工程］
次に、制御装置６１は、再度、距離センサ５１ａ〜５１ｏを駆動して、各距離センサ５１ａ〜５１ｏにより、各距離センサ５１ａ〜５１ｏが配置された１５箇所の点における、ステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａの高さ、及びステージ３２の上面３２ａからの同下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂの高さを測定する。 [Sixth step]
Next, the control device 61 drives the distance sensors 51a to 51o again, and from the upper surface 32a of the stage 32 at the 15 points where the distance sensors 51a to 51o are arranged by the distance sensors 51a to 51o. The height of the upper surface W1a of the lower substrate W1 and the height of the lower surface W1b of the lower substrate W1 from the upper surface 32a of the stage 32 are measured.

［第７工程］
次に、制御装置６１は、各距離センサ５１ａ〜５１ｏから新たに入力される第２の測定信号Ｓ２に基づいて、ステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａの高さを、下基板Ｗ１の上面全体に渡って演算により求める。そして、制御装置６１は、演算により求めた上面３２ａからの上面Ｗ１ａの高さが、所定の上面許容範囲に含まれるか否かを判定する。尚、本実施形態において、上面許容範囲とは、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａのステージ３２の上面３２ａからの基準の高さである上面基準高さに対して許容される誤差を加えた範囲であり、例えば上面基準高さを中心とした所定の領域である。また、上面基準高さは、厚さに誤差が無く且つ歪みの無い下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａのステージ３２の上面３２ａからの高さである。 [Seventh step]
Next, the control device 61 determines the height of the upper surface W1a of the lower substrate W1 from the upper surface 32a of the stage 32 based on the second measurement signal S2 newly input from the distance sensors 51a to 51o. It is obtained by calculation over the entire upper surface of W1. And the control apparatus 61 determines whether the height of the upper surface W1a from the upper surface 32a calculated | required by calculation is contained in a predetermined upper surface allowable range. In the present embodiment, the upper surface allowable range is a range obtained by adding an allowable error to the upper surface reference height, which is a reference height from the upper surface 32a of the stage 32 of the upper surface W1a of the lower substrate W1. For example, it is a predetermined region centered on the upper surface reference height. The upper surface reference height is a height from the upper surface 32a of the stage 32 of the upper surface W1a of the lower substrate W1 with no error in thickness and no distortion.

そして、算出したステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａの高さが上面許容範囲内に含まれる場合には、制御装置６１は、上面３２ａからの上面Ｗ１ａの高さの平均値を算出し、当該平均値の上面基準高さに対するずれ量を補正値として算出する。その後、制御装置６１は、ｚ軸アクチュエータ３７を制御して、塗布ノズル４２の高さを、ノズル基準高さに補正値を加えた高さに合わせる。尚、「ノズル基準高さ」は、予め設定された値であり、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａに対して塗布するシール材Ｒが所望の高さ且つ幅となるように考慮して設定された塗布ノズル４２の高さである。 When the calculated height of the upper surface W1a of the lower substrate W1 from the upper surface 32a of the stage 32 is within the upper surface allowable range, the control device 61 calculates an average value of the height of the upper surface W1a from the upper surface 32a. The deviation amount of the average value with respect to the upper surface reference height is calculated as a correction value. Thereafter, the control device 61 controls the z-axis actuator 37 to adjust the height of the application nozzle 42 to a height obtained by adding a correction value to the nozzle reference height. The “nozzle reference height” is a preset value, and is set in consideration of the sealing material R applied to the upper surface W1a of the lower substrate W1 so as to have a desired height and width. This is the height of the nozzle 42.

一方、算出したステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａの高さが上面許容範囲内に含まれない場合には、制御装置６１は、新たに入力された第２の測定信号Ｓ２に基づいてステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂの高さを算出する。そして、制御装置６１は、第５工程に戻り、再度算出したステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂの高さに基づいて、当該高さが高いところほど更に真空吸着力が大きくなるように、吸着装置４５を制御して吸着領域Ａごとに真空吸着力を制御する。この時、制御装置６１は、前回の吸着装置４５の制御のときよりも大きな真空吸着力が発生するように吸着装置４５を制御する。その後、第６工程及び当該第７工程を再度行う。尚、予め設定された回数だけ、第５乃至第７工程を繰り返しても、ステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａの高さが上面許容範囲に含まれない場合には、製造を中断する。 On the other hand, when the calculated height of the upper surface W1a of the lower substrate W1 from the upper surface 32a of the stage 32 is not included in the upper surface allowable range, the control device 61 applies the newly input second measurement signal S2. Based on this, the height of the lower surface W1b of the lower substrate W1 from the upper surface 32a of the stage 32 is calculated. Then, the control device 61 returns to the fifth step, and based on the calculated height of the lower surface W1b of the lower substrate W1 from the upper surface 32a of the stage 32, the higher the height, the greater the vacuum suction force. As described above, the suction device 45 is controlled to control the vacuum suction force for each suction region A. At this time, the control device 61 controls the suction device 45 so that a larger vacuum suction force than that in the previous control of the suction device 45 is generated. Thereafter, the sixth step and the seventh step are performed again. If the height of the upper surface W1a of the lower substrate W1 from the upper surface 32a of the stage 32 is not included in the upper surface allowable range even if the fifth to seventh steps are repeated a predetermined number of times, the manufacturing is performed. Interrupt.

［第８工程］
次に、制御装置６１は、ｙ軸アクチュエータ３４及びｘ軸アクチュエータ３５を駆動して、先端に塗布ノズル４２を有するシリンジ４１をステージ３２に対して移動させ、塗布ノズル４２から吐出されるシール材Ｒを下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａに連続的に塗布する。これにより、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａに、シール材Ｒにて所望のパターンが描画される。そして、真空吸着力を調整することにより下基板Ｗ１の歪みが矯正されて同下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａのステージ３２の上面３２ａからの高さが上面許容範囲内の値となっていることから、塗布ノズル４２の高さがノズル基準高さに補正値を加えた高さとされることにより、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離がほぼ一定に保たれる。 [Eighth step]
Next, the control device 61 drives the y-axis actuator 34 and the x-axis actuator 35 to move the syringe 41 having the application nozzle 42 at the tip with respect to the stage 32, and seal material R discharged from the application nozzle 42. Is continuously applied to the upper surface W1a of the lower substrate W1. Thereby, a desired pattern is drawn with the sealing material R on the upper surface W1a of the lower substrate W1. Then, the distortion of the lower substrate W1 is corrected by adjusting the vacuum suction force, and the height of the upper surface W1a of the lower substrate W1 from the upper surface 32a of the stage 32 is a value within the upper surface allowable range. By setting the height of the coating nozzle 42 to a height obtained by adding a correction value to the nozzle reference height, the distance between the upper surface W1a of the lower substrate W1 and the tip of the coating nozzle 42 is kept substantially constant.

尚、同工程において、制御装置６１は、シリンジ４１のｘ方向及びｙ方向の位置に応じて、前記ステージ補正量の分だけ塗布ノズル４２を昇降させる。また、制御装置６１は、同工程中において、距離センサ４３を駆動して、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離を測定するとともに、距離センサ４３から入力される第１の測定信号Ｓ１に基づいて下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離を算出する。そして、制御装置６１は、算出した下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離が、予め設定された閾値を越えた場合には、塗布ノズル４２からのシール材Ｒの吐出及び各アクチュエータ３４，３５，３７の駆動を停止する。尚、「閾値」は、塗布ノズル４２の先端がノズル基準高さにある場合における塗布ノズル４２の先端と下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａとの間の距離を中心とした所定の領域の上限値と下限値に該当する。そして、「閾値を越える」とは、第１の測定信号Ｓ１に基づいて算出した下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離が上限値よりも長くなる場合、若しくは同距離が下限値よりも短くなる場合を意味する。 In the same process, the control device 61 raises and lowers the application nozzle 42 by the amount of the stage correction amount according to the position of the syringe 41 in the x and y directions. Further, in the same process, the control device 61 drives the distance sensor 43 to measure the distance between the upper surface W1a of the lower substrate W1 and the tip of the coating nozzle 42, and the first input from the distance sensor 43. The distance between the upper surface W1a of the lower substrate W1 and the tip of the coating nozzle 42 is calculated based on one measurement signal S1. Then, when the calculated distance between the upper surface W1a of the lower substrate W1 and the tip of the coating nozzle 42 exceeds a preset threshold value, the control device 61 discharges the sealing material R from the coating nozzle 42. And the drive of each actuator 34, 35, 37 is stopped. The “threshold value” is an upper limit value and a lower limit value of a predetermined area centered on the distance between the tip of the application nozzle 42 and the upper surface W1a of the lower substrate W1 when the tip of the application nozzle 42 is at the nozzle reference height. Corresponds to the value. “Exceeding the threshold value” means that the distance between the upper surface W1a of the lower substrate W1 calculated based on the first measurement signal S1 and the tip of the coating nozzle 42 is longer than the upper limit value, or the same distance. Means that becomes shorter than the lower limit.

［第９工程］
下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａへのシール材Ｒの塗布が終了すると、制御装置６１は、ｚ軸アクチュエータ３７を駆動して、塗布ノズル４２の先端とステージ３２の上面３２ａとの間に下基板Ｗ１の厚さ以上の間隔が設けられる位置にシリンジ４１を配置する。次いで、制御装置６１は、下基板Ｗ１のステージ３２上への固定を解除すべく吸着装置４５を制御する。その後、下基板Ｗ１は、図１に示すように、搬送装置２９ａによって、シール描画装置２３から液晶滴下装置２４へ移動される。 [Ninth step]
When the application of the sealing material R to the upper surface W1a of the lower substrate W1 is completed, the control device 61 drives the z-axis actuator 37 to place the lower substrate W1 between the tip of the application nozzle 42 and the upper surface 32a of the stage 32. The syringe 41 is arranged at a position where an interval equal to or greater than the thickness is provided. Next, the control device 61 controls the suction device 45 to release the fixation of the lower substrate W1 on the stage 32. Thereafter, as shown in FIG. 1, the lower substrate W1 is moved from the seal drawing device 23 to the liquid crystal dropping device 24 by the transfer device 29a.

上記したように、本第１実施形態によれば、以下の作用効果を有する。
（１）制御装置６１は、１５個の距離センサ５１ａ〜５１ｏがそれぞれ出力する第２の測定信号Ｓ２に基づいて下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂのステージ３２の上面３２ａからの高さを算出し、吸着装置４５を制御して、算出した高さが高いところほど該下基板Ｗ１に対する真空吸着力を大きくする。このように、算出した高さが高いところほど下基板Ｗ１に対する真空吸着力を大きくすることにより、下基板Ｗ１において歪みが生じている部分は、より大きな真空吸着力でステージ３２側に引き寄せられるため、下基板Ｗ１の歪みが減少される。そして、下基板Ｗ１へのシール材Ｒの塗布は、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａのステージ３２の上面３２ａからの高さが上面許容範囲に含まれる場合、即ち下基板Ｗ１の歪みが一定以下になっている場合にのみ行われることから、制御装置６１が、塗布ノズル４２の高さを、ノズル基準高さに補正値を加えた高さとして下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａへのシール材Ｒの塗布を行うことにより、塗布ノズル４２の先端と下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａとの間の距離をほぼ一定に保って液体材料の塗布を行うことができる。また、従来のように、シール材の塗布中に、塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離を測定して塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離を一定に保つための塗布ノズルの昇降量を算出しなくてもよいとともに、シール材Ｒの塗布中には、塗布ノズル４２の先端と下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａとの間の距離に応じて塗布ノズル４２が昇降されない。従って、シール材Ｒを下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａに塗布する速度、即ち下基板Ｗ１に対する塗布ノズル４２の移動速度を従来よりも高速化することができる。これらのことから、塗布ノズル４２の先端と下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａとの間の距離をほぼ一定に保ちつつシール材Ｒの塗布を行うとともに、シール材Ｒの塗布に要する時間を短縮することができる。そして、本シール描画装置２３においては、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離がほぼ一定に保たれることから、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａに塗布されたシール材Ｒの形状が安定される。 As described above, according to the first embodiment, the following operational effects are obtained.
(1) The control device 61 calculates the height of the lower surface W1b of the lower substrate W1 from the upper surface 32a of the stage 32 based on the second measurement signal S2 output by each of the fifteen distance sensors 51a to 51o, and sucks it. By controlling the apparatus 45, the higher the calculated height, the greater the vacuum suction force for the lower substrate W1. In this way, by increasing the vacuum suction force on the lower substrate W1 as the calculated height increases, a portion of the lower substrate W1 that is distorted is attracted to the stage 32 side with a larger vacuum suction force. The distortion of the lower substrate W1 is reduced. The application of the sealing material R to the lower substrate W1 is performed when the height of the upper surface W1a of the lower substrate W1 from the upper surface 32a of the stage 32 is included in the upper surface allowable range, that is, the distortion of the lower substrate W1 becomes below a certain level. Therefore, the controller 61 applies the sealing material R to the upper surface W1a of the lower substrate W1 with the height of the application nozzle 42 as a height obtained by adding a correction value to the nozzle reference height. By doing so, it is possible to apply the liquid material while keeping the distance between the tip of the application nozzle 42 and the upper surface W1a of the lower substrate W1 substantially constant. In addition, as in the past, during the application of the sealing material, the distance between the tip of the coating nozzle and the top surface of the substrate is measured to keep the distance between the tip of the coating nozzle and the top surface of the substrate constant. The amount of elevation of the application nozzle need not be calculated, and during application of the sealing material R, the application nozzle 42 is not raised or lowered according to the distance between the tip of the application nozzle 42 and the upper surface W1a of the lower substrate W1. Therefore, the speed at which the sealing material R is applied to the upper surface W1a of the lower substrate W1, that is, the moving speed of the application nozzle 42 with respect to the lower substrate W1, can be made higher than before. For these reasons, the seal material R is applied while the distance between the tip of the application nozzle 42 and the upper surface W1a of the lower substrate W1 is kept substantially constant, and the time required for applying the seal material R can be shortened. it can. In this seal drawing device 23, the distance between the upper surface W1a of the lower substrate W1 and the tip of the coating nozzle 42 is kept substantially constant, so that the sealing material R applied to the upper surface W1a of the lower substrate W1. The shape of is stabilized.

（２）シール材Ｒの塗布中に制御装置６１によってステージ補正量の分だけ塗布ノズル４２が昇降されることにより、ステージ３２の上面３２ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離が一定に保たれる。その結果、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離をより一定に近い状態に保つことができる。 (2) The application nozzle 42 is moved up and down by the amount of the stage correction amount by the control device 61 during application of the sealing material R, so that the distance between the upper surface 32a of the stage 32 and the tip of the application nozzle 42 is kept constant. Be drunk. As a result, the distance between the upper surface W1a of the lower substrate W1 disposed on the stage 32 and the tip of the coating nozzle 42 can be kept in a more nearly constant state.

（３）第２工程において、制御装置６１は、下基板Ｗ１の中央から周囲に向かって順に下基板Ｗ１を吸着するように吸着装置４５を制御するため、下基板Ｗ１の平坦化をより容易に行うことができる。 (3) In the second step, the control device 61 controls the suction device 45 so as to suck the lower substrate W1 in order from the center of the lower substrate W1 to the periphery, so that the lower substrate W1 can be more easily flattened. It can be carried out.

（４）第５工程では、下基板Ｗ１において歪みのある部位に対して同時に真空吸着力が大きくなるように吸着装置４５が制御されるため、下基板Ｗ１の歪みの矯正をより短時間で行うことができる。 (4) In the fifth step, since the suction device 45 is controlled so that the vacuum suction force is simultaneously increased with respect to the distorted portion in the lower substrate W1, the distortion of the lower substrate W1 is corrected in a shorter time. be able to.

（５）第７工程において、制御装置６１は、算出したステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａの高さが、上面許容範囲に含まれる場合にのみ、補正値を算出し、塗布ノズル４２の高さを、ノズル基準高さに補正値を加えた高さに合わせて第８及び第９工程を行う。そして、下基板Ｗ１の厚さが、許容される厚さよりも厚い場合及び許容される厚さよりも薄い場合には、当該下基板Ｗ１に対するシール材Ｒの塗布は行われない。従って、貼合わせ基板製造装置２１にて不良品を製造する率が低減される。 (5) In the seventh step, the control device 61 calculates a correction value only when the calculated height of the upper surface W1a of the lower substrate W1 from the upper surface 32a of the stage 32 is included in the upper surface allowable range, and coating is performed. The eighth and ninth steps are performed by adjusting the height of the nozzle 42 to the height obtained by adding a correction value to the nozzle reference height. When the thickness of the lower substrate W1 is thicker than the allowable thickness or thinner than the allowable thickness, the sealing material R is not applied to the lower substrate W1. Therefore, the rate at which defective products are manufactured by the bonded substrate manufacturing apparatus 21 is reduced.

（第２実施形態）
以下、本発明を具体化した第２実施形態を図面に従って説明する。尚、上記第１実施形態と同一の構成については同一の符号を付してその説明を省略する。 (Second Embodiment)
Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, about the structure same as the said 1st Embodiment, the same code | symbol is attached | subjected and the description is abbreviate | omitted.

図７は、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａにシール材Ｒを塗布するシール描画装置７１を側方から見た概略図である。本第２実施形態のシール描画装置７１は、上記第１実施形態においてステージ３２に設けられた距離センサ５１ａ〜５１ｏ（図４参照）に替えて、ガントリ３３の連結部３３ｂに固定される複数（本実施形態では４個）の距離センサ７２ａ〜７２ｄを備えている。 FIG. 7 is a schematic view of the seal drawing device 71 for applying the sealing material R to the upper surface W1a of the lower substrate W1 as viewed from the side. The seal drawing device 71 of the second embodiment is replaced with a plurality of (fixed to the connecting portion 33b of the gantry 33 instead of the distance sensors 51a to 51o (see FIG. 4) provided on the stage 32 in the first embodiment. In this embodiment, four distance sensors 72a to 72d are provided.

距離センサ７２ａ〜７２ｄは、各距離センサ７２ａ〜７２ｄからステージ３２上に配置された下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離、及び各距離センサ７２ａ〜７２ｄから同下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂまでの距離を測定するために設けられている。これら距離センサ７２ａ〜７２ｄは、連結部３３ｂの下面に固定されてステージ３２の上面３２ａと対向している。そして、４個の距離センサ７２ａ〜７２ｄのうち、両端に配置された２つの距離センサ７２ａ，７２ｄは、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１のｘ方向の両端部よりも若干内側で、該下基板Ｗ１とｚ方向に対向可能な位置に配置されている。また、図９に示すように、シリンジ４１が連結部３３ｂの長手方向の中央に配置された状態、即ち、距離センサ４３が連結部３３ｂの長手方向の中央に配置された状態では、シリンジ４１に固定された距離センサ４３を含む５個の距離センサ４３，７２ａ〜７２ｄは、連結部３３ｂの長手方向（ｘ方向に同じ）に等間隔となる。これら距離センサ７２ａ〜７２ｄは、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１に光を照射して、同下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａにて反射した反射光及び同下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂにて反射した反射光を受光し、受光した反射光に応じた第３の測定信号Ｓ３をそれぞれ出力する。 The distance sensors 72a to 72d are distances from the distance sensors 72a to 72d to the upper surface W1a of the lower substrate W1 disposed on the stage 32, and distances from the distance sensors 72a to 72d to the lower surface W1b of the lower substrate W1. Provided for measuring. These distance sensors 72 a to 72 d are fixed to the lower surface of the connecting portion 33 b and face the upper surface 32 a of the stage 32. Of the four distance sensors 72a to 72d, the two distance sensors 72a and 72d disposed at both ends are slightly inside the both ends in the x direction of the lower substrate W1 disposed on the stage 32, It is arranged at a position that can face the lower substrate W1 in the z direction. Further, as shown in FIG. 9, in the state where the syringe 41 is arranged in the center in the longitudinal direction of the connecting portion 33b, that is, in the state where the distance sensor 43 is arranged in the center in the longitudinal direction of the connecting portion 33b, The five distance sensors 43 and 72a to 72d including the fixed distance sensor 43 are equally spaced in the longitudinal direction of the connecting portion 33b (the same in the x direction). These distance sensors 72a to 72d irradiate the lower substrate W1 disposed on the stage 32 with light, and reflect the reflected light reflected by the upper surface W1a of the lower substrate W1 and the lower surface W1b of the lower substrate W1. The reflected light is received, and third measurement signals S3 corresponding to the received reflected light are output.

また、図８に示すように、前記ｙ軸アクチュエータ３４、ｘ軸アクチュエータ３５、ｚ軸アクチュエータ３７、距離センサ４３、吸着装置４５、及び距離センサ７２ａ〜７２ｄは、制御装置７３によって制御される。 8, the y-axis actuator 34, the x-axis actuator 35, the z-axis actuator 37, the distance sensor 43, the suction device 45, and the distance sensors 72a to 72d are controlled by a control device 73.

詳述すると、制御装置７３は、上記第１実施形態の制御装置６１と同様に、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａにシール材Ｒにて所望のパターンを描画すべく、前記ｙ軸アクチュエータ３４、ｘ軸アクチュエータ３５及びｚ軸アクチュエータ３７を制御する。また、制御装置７３は、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１のステージ３２に対する固定及び固定解除を行うべく前記吸着装置４５を制御するとともに、吸着領域Ａごとに下基板Ｗ１を吸着する真空吸着力を調整する。 More specifically, the control device 73 is similar to the control device 61 of the first embodiment described above in order to draw a desired pattern with the sealing material R on the upper surface W1a of the lower substrate W1 disposed on the stage 32. The y-axis actuator 34, the x-axis actuator 35, and the z-axis actuator 37 are controlled. The control device 73 controls the suction device 45 so as to fix and release the lower substrate W1 arranged on the stage 32 with respect to the stage 32, and vacuum suction for sucking the lower substrate W1 for each suction region A. Adjust the force.

更に、制御装置７３は、前記距離センサ４３から入力される第１の測定信号Ｓ１、及び前記距離センサ７２ａ〜７２ｄから入力される第３の測定信号Ｓ３に基づいて、種々の値を算出する。例えば、制御装置７３は、第１の測定信号Ｓ１に基づいて、塗布ノズル４２の先端と下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａとの間の距離を算出する。また、制御装置７３は、距離センサ７２ａ〜７２ｄから入力される第３の測定信号Ｓ３に基づいて、各距離センサ７２ａ〜７２ｄからステージ３２上の下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離や、各距離センサ７２ａ〜７２ｄから同下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂまでの距離を算出する。尚、本実施形態の制御装置７３は、上記実施形態の制御装置６１と同様に、ステージ３２の上面３２ａの平坦度（傾斜の度合いを含む）を事前に測定し、その測定結果に基づいて算出されたステージ補正量を持っている。 Further, the control device 73 calculates various values based on the first measurement signal S1 input from the distance sensor 43 and the third measurement signal S3 input from the distance sensors 72a to 72d. For example, the control device 73 calculates the distance between the tip of the coating nozzle 42 and the upper surface W1a of the lower substrate W1 based on the first measurement signal S1. Further, the control device 73 determines the distances from the distance sensors 72a to 72d to the upper surface W1a of the lower substrate W1 on the stage 32 based on the third measurement signal S3 input from the distance sensors 72a to 72d, and the distances. The distance from the sensors 72a to 72d to the lower surface W1b of the lower substrate W1 is calculated. Note that, similarly to the control device 61 of the above-described embodiment, the control device 73 of the present embodiment measures in advance the flatness (including the degree of inclination) of the upper surface 32a of the stage 32 and calculates based on the measurement result. Have a stage correction amount.

次に、上記のようなシール描画装置７１にて行われる、下基板Ｗ１へのシール材Ｒの塗布について説明する。
［第１工程］
まず、ステージ３２上の所定位置に下基板Ｗ１が配置される。この時、制御装置７３は、塗布ノズル４２の先端とステージ３２の上面３２ａとの間に下基板Ｗ１の厚さ以上の間隔が設けられる位置にシリンジ４１を配置している。 Next, the application of the sealing material R to the lower substrate W1 performed by the seal drawing apparatus 71 as described above will be described.
[First step]
First, the lower substrate W1 is disposed at a predetermined position on the stage 32. At this time, the control device 73 arranges the syringe 41 at a position where a space larger than the thickness of the lower substrate W1 is provided between the tip of the coating nozzle 42 and the upper surface 32a of the stage 32.

［第２工程］
次に、制御装置７３は、吸着装置４５を駆動して、下基板Ｗ１を真空吸着力によりステージ３２上に固定（仮固定）する。この時、制御装置７３は、下基板Ｗ１の中央から周囲に向かって順に該下基板Ｗ１を吸着するように吸着装置４５を制御する。またこの時、制御装置７３は、各吸着領域Ａにおける真空吸着力が等しくなるように吸着装置４５を制御するとともに、当該真空吸着力の大きさが、下基板Ｗ１のステージ３２に対する相対移動を最低限阻止する程度の大きさとなるように吸着装置４５を制御している。 [Second step]
Next, the control device 73 drives the suction device 45 to fix (temporarily fix) the lower substrate W1 on the stage 32 by a vacuum suction force. At this time, the control device 73 controls the suction device 45 so as to suck the lower substrate W1 in order from the center of the lower substrate W1 toward the periphery. At this time, the control device 73 controls the suction device 45 so that the vacuum suction force in each suction region A becomes equal, and the magnitude of the vacuum suction force minimizes the relative movement of the lower substrate W1 relative to the stage 32. The adsorbing device 45 is controlled so as to have a size that is limited.

［第３工程］
次に、制御装置７３は、図９に示すように、ｙ軸アクチュエータ３４（図７参照）を駆動して、ガントリ３３をステージ３２のｙ方向の一端部（図９では左側の端部）まで移動させる。また、制御装置２２は、ｘ軸アクチュエータ３５を駆動して、ｘ軸ベース３６を移動させ（図７参照）、距離センサ４３が連結部３３ｂの長手方向の中央に配置される位置にシリンジ４１を配置するとともに、ｚ軸アクチュエータ３７を駆動してｚ軸ベース３８を移動させ、シリンジ４１（距離センサ４３）の高さを所定の高さ（例えば塗布ノズル４２がノズル基準高さとなる高さ）とする。 [Third step]
Next, as shown in FIG. 9, the control device 73 drives the y-axis actuator 34 (see FIG. 7) to move the gantry 33 to one end of the stage 32 in the y direction (the left end in FIG. 9). Move. Further, the control device 22 drives the x-axis actuator 35 to move the x-axis base 36 (see FIG. 7), and places the syringe 41 at a position where the distance sensor 43 is arranged at the center in the longitudinal direction of the connecting portion 33b. At the same time, the z-axis actuator 37 is driven to move the z-axis base 38, and the height of the syringe 41 (distance sensor 43) is set to a predetermined height (for example, the height at which the application nozzle 42 becomes the nozzle reference height). To do.

次に、制御装置７３は、距離センサ４３及び距離センサ７２ａ〜７２ｄを駆動するとともに、ｙ軸アクチュエータ３４を駆動してガントリ３３をステージ３２のｙ方向の一端から他端まで移動させる。これにより、各距離センサ４３，７２ａ〜７２ｄは、図９に二点鎖線にて示すように、ｙ方向に沿って下基板Ｗ１を操作するように移動される。そして、ガントリ３３がステージ３２のｙ方向の一端から他端まで移動する間に、各距離センサ４３，７２ａ〜７２ｄは、ガントリ３３が所定距離だけ移動するごとに、即ち各距離センサ４３，７２ａ〜７２ｄが所定の測定ポイントＰ１〜Ｐ２５に到達するごとに、下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂまでの距離を測定し、第１の測定信号Ｓ１若しくは第３の測定信号Ｓ３を出力する。尚、本実施形態では、測定ポイントＰ１〜Ｐ２５は、各距離センサ４３，７２ａ〜７２ｄに対して５箇所ずつ設定されるとともに、ｙ方向において等間隔となる位置に設定されている。 Next, the control device 73 drives the distance sensor 43 and the distance sensors 72 a to 72 d and drives the y-axis actuator 34 to move the gantry 33 from one end to the other end of the stage 32 in the y direction. Thereby, each distance sensor 43 and 72a-72d is moved so that the lower board | substrate W1 may be operated along ay direction, as shown by the dashed-two dotted line in FIG. Then, while the gantry 33 moves from one end to the other end of the stage 32 in the y direction, the distance sensors 43 and 72a to 72d are moved each time the gantry 33 moves by a predetermined distance, that is, the distance sensors 43 and 72a to 72d. Each time 72d reaches predetermined measurement points P1 to P25, the distance to the lower surface W1b of the lower substrate W1 is measured, and the first measurement signal S1 or the third measurement signal S3 is output. In the present embodiment, five measurement points P1 to P25 are set for each of the distance sensors 43 and 72a to 72d, and are set at equal intervals in the y direction.

［第４工程］
次に、制御装置７３は、各距離センサ４３，７２ａ〜７２ｄから入力された第１及び第３の測定信号Ｓ１，Ｓ３に基づいて、ノズル基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂまでの距離を、下基板Ｗ１全体に渡って演算により求める。 [Fourth step]
Next, based on the first and third measurement signals S1, S3 input from the distance sensors 43, 72a to 72d, the control device 73 starts from the tip of the coating nozzle 42 at the nozzle reference height to the lower substrate W1. The distance to the lower surface W1b is calculated over the entire lower substrate W1.

［第５工程］
次に、制御装置７３は、算出したノズル基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂまでの距離に応じて、吸着領域Ａごとの真空吸着力を調整する。詳述すると、塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂまでの距離が短い部分ほど、下基板Ｗ１においてステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂの高さが高くなっている。従って、制御装置７３は、下基板Ｗ１においてステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂの高さが高いところほど、即ち、算出した距離が短いところほど吸着力が大きくなるように、算出した距離が短い部分に対応する吸着領域Ａの真空吸着力を大きくすべく吸着装置４５を制御する。この時、制御装置７３は、第２工程で下基板Ｗ１をステージ３２上に固定した真空吸着力を維持したまま、算出した距離に応じた大きさの真空吸着力を、下基板Ｗ１全体に渡って同時に発生させるように吸着装置４５を制御する。これにより、ステージ３２上の下基板Ｗ１において盛り上がっていた部分がステージ３２側に吸い寄せられ、該下基板Ｗ１は、歪みが減少するように矯正される。 [Fifth step]
Next, the control device 73 adjusts the vacuum suction force for each suction region A according to the distance from the tip of the application nozzle 42 at the calculated nozzle reference height to the lower surface W1b of the lower substrate W1. More specifically, the shorter the distance from the tip of the coating nozzle 42 to the lower surface W1b of the lower substrate W1, the higher the height of the lower surface W1b of the lower substrate W1 from the upper surface 32a of the stage 32 in the lower substrate W1. Therefore, the controller 73 calculates the lower substrate W1 such that the higher the height of the lower surface W1b of the lower substrate W1 from the upper surface 32a of the stage 32, that is, the shorter the calculated distance, the greater the suction force. The suction device 45 is controlled so as to increase the vacuum suction force of the suction region A corresponding to the short distance. At this time, the control device 73 applies a vacuum suction force having a magnitude corresponding to the calculated distance over the entire lower substrate W1 while maintaining the vacuum suction force with the lower substrate W1 fixed on the stage 32 in the second step. Then, the suction device 45 is controlled so as to be generated simultaneously. As a result, the raised portion of the lower substrate W1 on the stage 32 is sucked toward the stage 32, and the lower substrate W1 is corrected so as to reduce distortion.

［第６工程］
次に、制御装置７３は、ｙ軸アクチュエータ３４（図７参照）を駆動して、ガントリ３３をステージ３２のｙ方向の一端部まで移動させる。そして、制御装置７３は、再度、距離センサ４３及び距離センサ７２ａ〜７２ｄを駆動するとともに、ｙ軸アクチュエータ３４を駆動してガントリ３３をステージ３２のｙ方向の一端から他端まで移動させ（図７参照）、各距離センサ４３，７２ａ〜７２ｄにて、測定ポイントＰ１〜Ｐ２５における、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離及び同下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂまでの距離を測定する。 [Sixth step]
Next, the control device 73 drives the y-axis actuator 34 (see FIG. 7) to move the gantry 33 to one end of the stage 32 in the y direction. Then, the control device 73 drives the distance sensor 43 and the distance sensors 72a to 72d again and drives the y-axis actuator 34 to move the gantry 33 from one end to the other end of the stage 32 in the y direction (FIG. 7). The distance sensor 43, 72a to 72d measures the distance to the upper surface W1a of the lower substrate W1 and the distance to the lower surface W1b of the lower substrate W1 at the measurement points P1 to P25.

［第７工程］
次に、制御装置７３は、各距離センサ４３，７２ａ〜７２ｄから新たに入力された第１及び第３の測定信号Ｓ１，Ｓ３に基づいて、基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離を、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａ全体に渡って演算により求める。そして、制御装置７３は、演算により求めた、基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離が、所定の距離許容範囲に含まれるか否かを判定する。尚、本実施形態において、距離許容範囲とは、ノズル基準高さにある塗布ノズル４２の先端と、厚さに誤差が無く且つ歪みの無い下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａとの間の距離である基準距離に対して許容される誤差を加えた範囲であり、例えば基準距離を中心とした所定の領域である。 [Seventh step]
Next, based on the first and third measurement signals S1 and S3 newly input from the distance sensors 43 and 72a to 72d, the control device 73 starts from the tip of the coating nozzle 42 at the reference height to the lower substrate. The distance to the upper surface W1a of W1 is obtained by calculation over the entire upper surface W1a of the lower substrate W1. Then, the control device 73 determines whether or not the distance from the tip of the coating nozzle 42 at the reference height to the upper surface W1a of the lower substrate W1 obtained by the calculation is within a predetermined distance tolerance range. In the present embodiment, the distance allowable range is a reference that is a distance between the tip of the coating nozzle 42 at the nozzle reference height and the upper surface W1a of the lower substrate W1 having no thickness error and distortion. This is a range in which an allowable error is added to the distance, for example, a predetermined region centered on the reference distance.

そして、算出したノズル基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離が、距離許容範囲に含まれる場合には、制御装置７３は、ノズル基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離の平均値を算出し、当該平均値の前記基準距離に対するずれ量を補正値として算出する。その後、制御装置７３は、ｚ軸アクチュエータ３７を制御して、塗布ノズル４２の高さを、ノズル基準高さに補正値を加えた高さに合わせる。 When the distance from the tip of the application nozzle 42 at the calculated nozzle reference height to the upper surface W1a of the lower substrate W1 is included in the allowable distance range, the control device 73 determines that the application nozzle is at the nozzle reference height. An average value of the distance from the tip of 42 to the upper surface W1a of the lower substrate W1 is calculated, and a deviation amount of the average value with respect to the reference distance is calculated as a correction value. Thereafter, the control device 73 controls the z-axis actuator 37 to adjust the height of the application nozzle 42 to a height obtained by adding a correction value to the nozzle reference height.

一方、算出したノズル基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離が、距離許容範囲に含まれない場合には、制御装置７３は、新たに入力された第１及び第３の測定信号Ｓ１，Ｓ３に基づいて、算出したノズル基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂまでの距離を算出する。そして、制御装置７３は、第５工程に戻り、再度算出したノズル基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂまでの距離に基づいて、当該距離が長いところほど真空吸着力が大きくなるように、吸着装置４５を制御して吸着領域Ａごとに真空吸着力を制御する。この時、制御装置７３は、前回の吸着装置４５の制御のときよりも大きな真空吸着力が発生するように吸着装置４５を制御する。その後、第６工程及び当該第７工程を再度行う。予め設定された回数だけ、第５乃至第７工程を繰り返しても、ノズル基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離が距離許容範囲に含まれない場合には、製造を中断する。 On the other hand, when the distance from the tip of the application nozzle 42 at the calculated nozzle reference height to the upper surface W1a of the lower substrate W1 is not included in the distance allowable range, the controller 73 newly inputs the first Based on the third measurement signals S1 and S3, the distance from the tip of the application nozzle 42 at the calculated nozzle reference height to the lower surface W1b of the lower substrate W1 is calculated. Then, the control device 73 returns to the fifth step, and based on the distance from the tip of the coating nozzle 42 at the nozzle reference height calculated again to the lower surface W1b of the lower substrate W1, the longer the distance is, the vacuum suction force becomes. The suction device 45 is controlled so as to increase the vacuum suction force for each suction region A. At this time, the control device 73 controls the suction device 45 so that a larger vacuum suction force than that in the previous control of the suction device 45 is generated. Thereafter, the sixth step and the seventh step are performed again. If the distance from the tip of the application nozzle 42 at the nozzle reference height to the upper surface W1a of the lower substrate W1 is not included in the distance allowable range even if the fifth to seventh steps are repeated a preset number of times. , Interrupt production.

［第８工程］
次に、制御装置７３は、ｙ軸アクチュエータ３４及びｘ軸アクチュエータ３５を駆動して、先端に塗布ノズル４２を有するシリンジ４１をステージ３２に対して移動させ、塗布ノズル４２から吐出されるシール材Ｒを下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａに連続的に塗布する。これにより、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａに、シール材Ｒにて所望のパターンが描画される。そして、真空吸着力を調整することにより基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離が距離許容範囲内の値となっていることから、塗布ノズル４２の高さがノズル基準高さに補正値を加えた高さとされることにより、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離がほぼ一定に保たれる。 [Eighth step]
Next, the control device 73 drives the y-axis actuator 34 and the x-axis actuator 35 to move the syringe 41 having the application nozzle 42 at the tip with respect to the stage 32, and seal material R discharged from the application nozzle 42. Is continuously applied to the upper surface W1a of the lower substrate W1. Thereby, a desired pattern is drawn with the sealing material R on the upper surface W1a of the lower substrate W1. Since the distance from the tip of the application nozzle 42 at the reference height to the upper surface W1a of the lower substrate W1 is within a distance allowable range by adjusting the vacuum suction force, the height of the application nozzle 42 is set. Is set to a height obtained by adding a correction value to the nozzle reference height, the distance between the upper surface W1a of the lower substrate W1 and the tip of the coating nozzle 42 is kept substantially constant.

尚、同工程において、制御装置７３は、シリンジ４１のｘ方向及びｙ方向の位置に応じて、前記ステージ補正量の分だけ塗布ノズル４２を昇降させる。また、制御装置７３は、同工程中において、距離センサ４３を駆動して、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離を測定するとともに、距離センサ４３から入力される第１の測定信号Ｓ１に基づいて下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離を算出する。そして、制御装置７３は、上記第１実施形態の制御装置６１と同様に、算出した下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離が、予め設定された閾値を越えた場合には、塗布ノズル４２からのシール材Ｒの吐出及び各アクチュエータ３４，３５，３７の駆動を停止する。 In the same process, the control device 73 moves the application nozzle 42 up and down by the amount of the stage correction amount according to the position of the syringe 41 in the x direction and the y direction. Further, in the same process, the control device 73 drives the distance sensor 43 to measure the distance between the upper surface W1a of the lower substrate W1 and the tip of the coating nozzle 42, and the first input from the distance sensor 43. The distance between the upper surface W1a of the lower substrate W1 and the tip of the coating nozzle 42 is calculated based on one measurement signal S1. And the control apparatus 73 is the case where the distance between the calculated upper surface W1a of the lower board | substrate W1 and the front-end | tip of the coating nozzle 42 exceeds the preset threshold value similarly to the control apparatus 61 of the said 1st Embodiment. First, the discharge of the sealing material R from the coating nozzle 42 and the driving of the actuators 34, 35, 37 are stopped.

［第９工程］
下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａへのシール材Ｒの塗布が終了すると、制御装置７３は、ｚ軸アクチュエータ３７を駆動して、塗布ノズル４２の先端とステージ３２の上面３２ａとの間に下基板Ｗ１の厚さ以上の間隔が設けられる位置にシリンジ４１を配置する。次いで、制御装置７３は、下基板Ｗ１のステージ３２への固定を解除すべく吸着装置４５を制御する。その後、下基板Ｗ１は、搬送装置２９ａによって、シール描画装置２３から液晶滴下装置２４へ移動される（図１参照）。 [Ninth step]
When the application of the sealing material R to the upper surface W1a of the lower substrate W1 is completed, the control device 73 drives the z-axis actuator 37 to place the lower substrate W1 between the tip of the application nozzle 42 and the upper surface 32a of the stage 32. The syringe 41 is arranged at a position where an interval equal to or greater than the thickness is provided. Next, the control device 73 controls the suction device 45 to release the fixation of the lower substrate W1 to the stage 32. Thereafter, the lower substrate W1 is moved from the seal drawing device 23 to the liquid crystal dropping device 24 by the transfer device 29a (see FIG. 1).

上記したように、本第２実施形態によれば、上記第１実施形態の（２）乃至（４）の作用効果に加えて、以下の作用効果を有する。
（１）制御装置７３は、合計５個の距離センサ４３，７２ａ〜７２ｄがそれぞれ出力する第１及び第３の測定信号Ｓ１，Ｓ３に基づいて、ノズル基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂまでの距離を算出し、吸着装置４５を制御して、算出した距離が短いところほど該下基板Ｗ１に対する真空吸着力を大きくする。一般的に、下基板Ｗ１に歪みが生じていると、歪みが大きいところほどステージ３２の上面３２ａと下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂとの間の距離が大きくなるため、歪みが大きいところほど、ノズル基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂまでの距離が短くなる。従って、算出した距離が短いとろころほど真空吸着力を大きくすることにより、下基板Ｗ１において歪みが生じている部分は、より大きな真空吸着力でステージ３２側に引き寄せられるため、下基板Ｗ１の歪みが減少される。そして、下基板Ｗ１へのシール材Ｒの塗布は、ノズル基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下Ｗ１基板の上面Ｗ１ａまでの距離が距離許容範囲に含まれる場合、即ち下基板Ｗ１の歪みが一定以下になっている場合にのみ行われることから、制御装置７３が、塗布ノズル４２の高さを、ノズル基準高さに補正値を加えた高さとして下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａへのシール材Ｒの塗布を行うことにより、塗布ノズル４２の先端と下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａとの間の距離をほぼ一定に保ってシール材Ｒの塗布を行うことができる。また、従来のように、シール材の塗布中に、塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離を測定して塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離を一定に保つための塗布ノズルの昇降量を算出しなくてもよいとともに、シール材Ｒの塗布中には、塗布ノズル４２の先端と下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａとの間の距離に応じて塗布ノズル４２が昇降されない。従って、シール材Ｒを下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａに塗布する速度、即ち下基板Ｗ１に対する塗布ノズル４２の移動速度を従来よりも高速化することができる。これらのことから、塗布ノズル４２の先端と下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａとの間の距離をほぼ一定に保ちつつシール材Ｒの塗布を行うとともに、シール材Ｒの塗布に要する時間を短縮することができる。そして、本シール描画装置７１においては、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離がほぼ一定に保たれることから、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａに塗布されたシール材Ｒの形状が安定される。 As described above, according to the second embodiment, the following functions and effects are provided in addition to the functions and effects (2) to (4) of the first embodiment.
(1) The control device 73 starts from the tip of the application nozzle 42 at the nozzle reference height based on the first and third measurement signals S1 and S3 output from the total of five distance sensors 43 and 72a to 72d, respectively. The distance to the lower surface W1b of the lower substrate W1 is calculated, the suction device 45 is controlled, and the vacuum suction force to the lower substrate W1 is increased as the calculated distance is shorter. Generally, if the lower substrate W1 is distorted, the greater the distortion, the greater the distance between the upper surface 32a of the stage 32 and the lower surface W1b of the lower substrate W1. The distance from the tip of the coating nozzle 42 at the height to the lower surface W1b of the lower substrate W1 is shortened. Accordingly, when the calculated distance is shorter, the portion of the lower substrate W1 that is distorted is increased toward the stage 32 with a larger vacuum suction force by increasing the vacuum suction force as the roller is shorter. Is reduced. Then, the sealing material R is applied to the lower substrate W1 when the distance from the tip of the application nozzle 42 at the nozzle reference height to the upper surface W1a of the lower W1 substrate is included in the distance allowable range, that is, the distortion of the lower substrate W1. Therefore, the controller 73 seals the upper surface W1a of the lower substrate W1 with the height of the application nozzle 42 as a height obtained by adding a correction value to the nozzle reference height. By applying the material R, it is possible to apply the sealing material R while keeping the distance between the tip of the application nozzle 42 and the upper surface W1a of the lower substrate W1 substantially constant. In addition, as in the past, during the application of the sealing material, the distance between the tip of the coating nozzle and the top surface of the substrate is measured to keep the distance between the tip of the coating nozzle and the top surface of the substrate constant. The amount of elevation of the application nozzle need not be calculated, and during application of the sealing material R, the application nozzle 42 is not raised or lowered according to the distance between the tip of the application nozzle 42 and the upper surface W1a of the lower substrate W1. Therefore, the speed at which the sealing material R is applied to the upper surface W1a of the lower substrate W1, that is, the moving speed of the application nozzle 42 with respect to the lower substrate W1, can be made higher than before. For these reasons, the seal material R is applied while the distance between the tip of the application nozzle 42 and the upper surface W1a of the lower substrate W1 is kept substantially constant, and the time required for applying the seal material R can be shortened. it can. In the seal drawing apparatus 71, the distance between the upper surface W1a of the lower substrate W1 and the tip of the coating nozzle 42 is kept substantially constant, so that the sealing material R applied to the upper surface W1a of the lower substrate W1. The shape of is stabilized.

尚、本発明の実施形態は、以下のように変更してもよい。
・上記各実施形態では、制御装置６１，７３は、第５工程において、第２工程で下基板Ｗ１をステージ３２上に固定（仮固定）した真空吸着力を維持したまま、ステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂの高さ（ノズル基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂまでの距離）に応じた大きさの真空吸着力を下基板Ｗ１全体に渡って同時に発生させるように吸着装置４５を制御する。しかしながら、第５工程における真空吸着力の大きさの調整は、これに限らない。 In addition, you may change embodiment of this invention as follows.
In each of the above embodiments, in the fifth step, the control devices 61 and 73 maintain the vacuum suction force that fixes (temporarily fixes) the lower substrate W1 on the stage 32 in the second step, while maintaining the upper surface 32a of the stage 32. A vacuum suction force having a magnitude corresponding to the height of the lower surface W1b of the lower substrate W1 from the top (the distance from the tip of the coating nozzle 42 at the nozzle reference height to the lower surface W1b of the lower substrate W1) is spread over the entire lower substrate W1. Then, the suction device 45 is controlled so as to be generated simultaneously. However, the adjustment of the vacuum suction force in the fifth step is not limited to this.

例えば、制御装置６１，７３は、第５工程において、下基板Ｗ１において歪みにより盛り上がった部分ごとに、その部分の周囲の真空吸着力を小さくした後に、ステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂの高さ（ノズル基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂまでの距離）に応じた真空吸着力を発生させるように吸着装置４５を制御するものであってもよい。尚、下基板Ｗ１において、どの部分が盛り上がった形状となっているかは、ステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂの高さ（ノズル基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂまでの距離）に基づいて制御装置６１，７３により判断される。このようにすると、よりスムーズに下基板Ｗ１の歪みを矯正することができる。 For example, in the fifth step, the control devices 61 and 73 reduce the vacuum suction force around the portion of the lower substrate W1 due to distortion in the lower substrate W1, and then reduce the lower substrate W1 from the upper surface 32a of the stage 32. Even if the suction device 45 is controlled so as to generate a vacuum suction force according to the height of the lower surface W1b (the distance from the tip of the coating nozzle 42 at the nozzle reference height to the lower surface W1b of the lower substrate W1). Good. Note that which part of the lower substrate W1 has a raised shape depends on the height of the lower surface W1b of the lower substrate W1 from the upper surface 32a of the stage 32 (from the tip of the coating nozzle 42 at the nozzle reference height to the lower substrate). Based on the distance to the lower surface W1b of W1, the control devices 61 and 73 determine. In this way, the distortion of the lower substrate W1 can be corrected more smoothly.

また例えば、制御装置６１，７３は、第５工程において、第２工程で下基板Ｗ１をステージ３２上に固定（仮固定）した真空吸着力を解除した後に、下基板Ｗ１の中央から周囲に向かって順に該下基板Ｗ１がステージ３２上に固定されるように、且つステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂの高さが高いところほど真空吸着力が大きくなるように、吸着装置４５を制御するものであってもよい。このようにすると、よりスムーズに下基板Ｗ１の歪みを矯正することができる。 Further, for example, in the fifth step, the control devices 61 and 73 release the vacuum suction force that fixes (temporarily fixes) the lower substrate W1 on the stage 32 in the second step and then moves from the center of the lower substrate W1 to the periphery. The suction device 45 is arranged so that the lower substrate W1 is fixed on the stage 32 in order, and the vacuum suction force increases as the height of the lower surface W1b of the lower substrate W1 from the upper surface 32a of the stage 32 increases. It may be one that controls. In this way, the distortion of the lower substrate W1 can be corrected more smoothly.

また例えば、制御装置６１，７３は、第５工程において、第２工程で下基板Ｗ１をステージ３２上に仮固定した真空吸着力を解除した後に、ステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂの高さに応じた大きさの真空吸着力を下基板Ｗ１全体に渡って同時に発生させるように吸着装置４５を制御するものであってもよい。 Further, for example, in the fifth step, the control devices 61 and 73 release the vacuum suction force temporarily fixing the lower substrate W1 on the stage 32 in the second step, and then the lower surface of the lower substrate W1 from the upper surface 32a of the stage 32. The suction device 45 may be controlled so that a vacuum suction force having a magnitude corresponding to the height of W1b is generated simultaneously over the entire lower substrate W1.

・上記各実施形態では、第２工程において、制御装置６１，７３は、下基板Ｗ１の中央から周囲に向かって順に該下基板Ｗ１を吸着するように吸着装置４５を制御する。しかしながら、第２工程における下基板Ｗ１のステージ３２の上面３２ａへの吸着は、下基板Ｗ１の何れの部分から行われてもよい。また、制御装置６１，７３は、下基板Ｗ１の全面を同時に吸着するように吸着装置４５を制御してもよい。 In each of the above embodiments, in the second step, the control devices 61 and 73 control the suction device 45 so as to suck the lower substrate W1 in order from the center of the lower substrate W1 toward the periphery. However, adsorption of the lower substrate W1 to the upper surface 32a of the stage 32 in the second step may be performed from any part of the lower substrate W1. Further, the control devices 61 and 73 may control the suction device 45 so that the entire surface of the lower substrate W1 is simultaneously sucked.

・上記第２実施形態では、測定ポイントＰ１〜Ｐ２５は、２５箇所設定されている。しかしながら、測定ポイントの数は、複数個所に設定されるのであれば、２５箇所より多く設定されてもよいし、少なく設定されてもよい。また、距離センサ４３，７２ａ〜７２ｄは、ガントリ３３のｙ方向の移動とともに下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離を連続的に測定するものであってもよい。 In the second embodiment, 25 measurement points P1 to P25 are set. However, as long as the number of measurement points is set at a plurality of locations, it may be set to be more than 25 locations or may be set to be less. Further, the distance sensors 43 and 72a to 72d may continuously measure the distance to the upper surface W1a of the lower substrate W1 as the gantry 33 moves in the y direction.

・上記各実施形態では、吸着領域Ａは、ステージ３２の上面３２ａにおいて、３２箇所設定されている。しかしながら、ステージ３２の上面３２ａに設定される吸着領域Ａの数は、複数であればよく、３２箇所より多くてもよいし、３２箇所より少なくてもよい。そして、複数の吸着領域Ａは、ステージ３２の上面３２ａにおいて均等となるように設定されなくてもよい。また、吸着領域Ａの形状も、四角形状に限らず、四角形以外の多角形状や、円形状であってもよい。更に、各吸着領域Ａ内に設けられる吸引孔３２ｂの数や、吸引孔３２ｂの形成位置も適宜変更してもよい。 In each of the above embodiments, 32 suction areas A are set on the upper surface 32 a of the stage 32. However, the number of the suction areas A set on the upper surface 32a of the stage 32 may be plural, and may be more than 32 or less than 32. The plurality of suction areas A may not be set to be uniform on the upper surface 32 a of the stage 32. Further, the shape of the suction region A is not limited to a quadrangular shape, and may be a polygonal shape other than the quadrangular shape or a circular shape. Furthermore, the number of suction holes 32b provided in each suction region A and the formation positions of the suction holes 32b may be changed as appropriate.

・上記各実施形態では、吸着装置４５は、真空吸着力により下基板Ｗ１をステージ３２の上面３２ａに固定するが、静電吸着力により下基板Ｗ１をステージ３２の上面３２ａに固定するものであってもよい。この場合、ステージ３２には、各吸着領域Ａに対応して静電チャックが設けられる。 In each of the above embodiments, the suction device 45 fixes the lower substrate W1 to the upper surface 32a of the stage 32 by a vacuum suction force, but fixes the lower substrate W1 to the upper surface 32a of the stage 32 by an electrostatic suction force. May be. In this case, the stage 32 is provided with an electrostatic chuck corresponding to each suction region A.

・上記第１実施形態では、ステージ３２には１５個の距離センサ５１ａ〜５１ｏが配置されている。しかしながら、ステージ３２に配置される距離センサ５１ａ〜５１ｏの数は、１５個に限らず、複数であればよい。尚、ステージ３２に配置される複数の距離センサは、ステージ３２の上面３２ａにおいて下基板Ｗ１が配置される部位に、均等若しくは規則的に配置されることが望ましい。そして、ステージ３２に配置される距離センサの数が多いほど、制御装置６１による、第２の測定信号Ｓ２に基づく種々の値の算出精度が向上する。 In the first embodiment, fifteen distance sensors 51 a to 51 o are arranged on the stage 32. However, the number of distance sensors 51a to 51o arranged on the stage 32 is not limited to 15 and may be any number. It should be noted that the plurality of distance sensors arranged on the stage 32 is desirably arranged uniformly or regularly on the portion of the upper surface 32a of the stage 32 where the lower substrate W1 is arranged. As the number of distance sensors arranged on the stage 32 increases, the calculation accuracy of various values based on the second measurement signal S2 by the control device 61 is improved.

・上記第２実施形態では、ガントリ３３の連結部に、４個の距離センサ７２ａ〜７２ｄが設けられている。しかしながら、連結部３３ｂに設けられる距離センサ７２ａ〜７２ｄの数は、４個に限らず、複数であればよい。そして、連結部３３ｂに設けられる距離センサの数が多いほど、制御装置７３による、第３の測定信号Ｓ３に基づく種々の値の算出精度が向上する。 In the second embodiment, four distance sensors 72 a to 72 d are provided at the connecting portion of the gantry 33. However, the number of distance sensors 72a to 72d provided in the connecting portion 33b is not limited to four, and may be a plurality. And the calculation accuracy of various values based on the 3rd measurement signal S3 by the control apparatus 73 improves, so that there are many distance sensors provided in the connection part 33b.

・上記第１実施形態では、制御装置６１は、第２の測定信号Ｓ２に基づいて下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂのステージ３２の上面３２ａからの高さを算出し、算出した高さに基づいて、その高さが高いところほど、ステージ３２上に下基板Ｗ１を固定するための真空吸着力が大きくなるように吸着装置４５を制御する。ところで、一般的に、下基板Ｗ１に歪みが生じていると、該下基板Ｗ１は部分的に盛り上がった形状を有することになるため、歪みが生じている部位では、歪みの度合いが大きいほど、下基板Ｗ１においてステージ３２の上面３２ａからの上面Ｗ１ａの高さが高くなる。従って、制御装置６１は、第４工程において、第２の測定信号Ｓ２に基づいて、ステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａの高さを、下基板Ｗ１全体に渡って算出し、第５工程において、算出した高さが高いところほど真空吸着力が大きくなるように吸着装置４５を制御してもよい。このようにしても、上記第１実施形態の（１）と同様の作用効果を得ることができる。 In the first embodiment, the control device 61 calculates the height of the lower surface W1b of the lower substrate W1 from the upper surface 32a of the stage 32 based on the second measurement signal S2, and based on the calculated height, The suction device 45 is controlled so that the vacuum suction force for fixing the lower substrate W1 on the stage 32 increases as the height increases. By the way, in general, when the lower substrate W1 is distorted, the lower substrate W1 has a partially raised shape. Therefore, in a portion where the distortion occurs, the greater the degree of distortion, In the lower substrate W1, the height of the upper surface W1a from the upper surface 32a of the stage 32 is increased. Therefore, in the fourth step, the control device 61 calculates the height of the upper surface W1a of the lower substrate W1 from the upper surface 32a of the stage 32 over the entire lower substrate W1, based on the second measurement signal S2. In the fifth step, the suction device 45 may be controlled so that the vacuum suction force increases as the calculated height increases. Even if it does in this way, the effect similar to (1) of the said 1st Embodiment can be acquired.

・上記第２実施形態では、制御装置７３は、第１及び第３の測定信号Ｓ１，Ｓ３に基づいて、基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂまでの距離を算出し、算出した距離に基づいて、その距離が短いところほどステージ３２上に下基板Ｗ１を固定するための真空吸着力が大きくなるように吸着装置４５を制御する。一般的に、下基板Ｗ１に歪みが生じていると、歪みが生じている部位では、歪みの度合いが大きいほど、基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離が短くなる。従って、制御装置７３は、第４工程において、第１及び第３の測定信号Ｓ１，Ｓ３に基づいて、基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離を下基板Ｗ１全体に渡って算出し、第５工程において、算出した距離が短いところほど真空吸着力が大きくなるように吸着装置４５を制御してもよい。このようにしても、上記第２実施形態の（１）と同様の作用効果を得ることができる。 In the second embodiment, the control device 73 calculates the distance from the tip of the coating nozzle 42 at the reference height to the lower surface W1b of the lower substrate W1 based on the first and third measurement signals S1 and S3. Then, based on the calculated distance, the suction device 45 is controlled such that the vacuum suction force for fixing the lower substrate W1 on the stage 32 increases as the distance becomes shorter. In general, if the lower substrate W1 is distorted, the distance from the tip of the coating nozzle 42 at the reference height to the upper surface W1a of the lower substrate W1 increases as the degree of distortion increases in the distorted portion. Becomes shorter. Therefore, in the fourth step, the control device 73 determines the distance from the tip of the coating nozzle 42 at the reference height to the upper surface W1a of the lower substrate W1 based on the first and third measurement signals S1 and S3. The suction device 45 may be calculated so that the vacuum suction force increases as the calculated distance becomes shorter in the fifth step. Even if it does in this way, the effect similar to (1) of the said 2nd Embodiment can be acquired.

・上記各実施形態において、制御装置６１，７３は、第８工程において、シリンジ４１のｘ方向及びｙ方向の位置に応じて、塗布ノズル４２をステージ補正量の分だけ昇降させる。しかしながら、制御装置６１，７３は、塗布ノズル４２を、ノズル基準高さに補正値を加えた高さに保ったまま、ステージ補正量の分だけ昇降させることなくシール材Ｒの塗布を行ってもよい。このようにすると、ｚ方向の制御が更に省略され、下基板Ｗ１に対する塗布ノズル４２のｘ方向及びｙ方向の移動速度をより高速化することができる。 In each of the above embodiments, in the eighth step, the control devices 61 and 73 raise and lower the application nozzle 42 by the amount of the stage correction amount according to the position of the syringe 41 in the x direction and the y direction. However, the control devices 61 and 73 may apply the sealing material R without raising and lowering the application nozzle 42 by the amount of the stage correction amount while keeping the application nozzle 42 at the height obtained by adding the correction value to the nozzle reference height. Good. In this way, control in the z direction is further omitted, and the moving speed of the coating nozzle 42 in the x direction and y direction with respect to the lower substrate W1 can be further increased.

・距離センサ５１ａ〜５１ｏの構成は、上記第１実施形態の構成に限らない。例えば、受光素子５５として、イメージセンサ等を用いてもよい。
・上記第１実施形態の第７工程において、予め設定された回数だけ第５乃至第７工程を繰り返しても、ステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａの高さが上面許容範囲に含まれない場合には、制御装置６１は、従来のように、距離センサ４３にて下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離を測定し、その測定結果に基づいて下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離が一定となるように塗布ノズル４２を昇降させながら上面Ｗ１ａへのシール材Ｒの塗布を行ってもよい。また、上記第２実施形態においても同様に、第７工程において、予め設定された回数だけ第５乃至第７工程を繰り返しても、ノズル基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離が距離許容範囲に含まれない場合には、制御装置７３は、従来のように、距離センサ４３にて下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離を測定し、その測定結果に基づいて下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離が一定となるように塗布ノズル４２を昇降させながら上面Ｗ１ａへのシール材Ｒの塗布を行ってもよい。 The configuration of the distance sensors 51a to 51o is not limited to the configuration of the first embodiment. For example, an image sensor or the like may be used as the light receiving element 55.
In the seventh step of the first embodiment, even if the fifth to seventh steps are repeated a preset number of times, the height of the upper surface W1a of the lower substrate W1 from the upper surface 32a of the stage 32 is within the upper surface allowable range. When not included, the control device 61 measures the distance between the upper surface W1a of the lower substrate W1 and the tip of the coating nozzle 42 with the distance sensor 43 as in the prior art, and based on the measurement result, The sealing material R may be applied to the upper surface W1a while raising and lowering the application nozzle 42 so that the distance between the upper surface W1a of the substrate W1 and the tip of the application nozzle 42 is constant. Similarly, in the second embodiment as well, even if the fifth to seventh steps are repeated a preset number of times in the seventh step, the lower substrate W1 is formed from the tip of the application nozzle 42 at the nozzle reference height. When the distance to the upper surface W1a is not included in the allowable distance range, the control device 73 determines the distance between the upper surface W1a of the lower substrate W1 and the tip of the coating nozzle 42 by using the distance sensor 43 as in the related art. Based on the measurement result, the sealing material R is applied to the upper surface W1a while raising and lowering the application nozzle 42 so that the distance between the upper surface W1a of the lower substrate W1 and the tip of the application nozzle 42 is constant. May be.

・上記各実施形態のシール描画装置２３，７１は、塗布ノズル４２を有するシリンジ４１をそれぞれ１つ備えている。しかしながら、このようなシリンジ４１は、ｘ軸アクチュエータ３５によりｘ方向移動されるｘ軸ベース３６及びｚ軸アクチュエータ３７によりｚ方向に移動されるｚ軸ベース３８とともに、連結部３３ｂに複数設けられてもよい。 -The seal drawing apparatuses 23 and 71 of the above embodiments each include one syringe 41 having an application nozzle 42. However, a plurality of such syringes 41 may be provided in the connecting portion 33b together with the x-axis base 36 moved in the x-direction by the x-axis actuator 35 and the z-axis base 38 moved in the z-direction by the z-axis actuator 37. Good.

・上記各実施形態のシール描画装置２３，７１は、ガントリ３３、ｘ軸ベース３６及びｚ軸ベース３８が移動されることにより、固定されたステージ３２に対して塗布ノズル４２が移動される構成となっている。しかしながら、ステージ３２と塗布ノズル４２とが、ｘ方向、ｙ方向及びｚ方向に相対移動可能であれば、この他の構成であってもよい。例えば、固定された塗布ノズル４２に対して、ステージ３２がｘ方向、ｙ方向及びｚ方向に移動されるように構成してもよい。また、ステージ３２、ガントリ３３の両方が移動するように構成してもよい。更に、ステージ３２をθ方向（ｚ軸回りに回転する方向）に回転可能に構成してもよい。 The seal drawing apparatuses 23 and 71 of the above embodiments have a configuration in which the application nozzle 42 is moved relative to the fixed stage 32 by moving the gantry 33, the x-axis base 36, and the z-axis base 38. It has become. However, other configurations may be used as long as the stage 32 and the application nozzle 42 can be relatively moved in the x direction, the y direction, and the z direction. For example, the stage 32 may be configured to move in the x direction, the y direction, and the z direction with respect to the fixed application nozzle 42. Moreover, you may comprise so that both the stage 32 and the gantry 33 may move. Further, the stage 32 may be configured to be rotatable in the θ direction (direction rotating around the z axis).

・上記各実施形態では、下基板Ｗ１と上基板Ｗ２との間に液晶を封入するためのシール材Ｒを塗布するシール描画装置２３，７１に本発明を具体化して説明したが、このようなシール描画装置２３，７１に限らず、平板に対して液体材料を所望の形状に塗布する塗布装置であればどのような塗布装置に本発明を具体化してもよい。例えば、基板の上面にはんだを塗布する塗布装置等に本発明を具体化してもよい。 In each of the above embodiments, the present invention has been described in detail with the seal drawing devices 23 and 71 for applying the sealing material R for sealing liquid crystal between the lower substrate W1 and the upper substrate W2. The present invention may be embodied in any coating apparatus as long as it is a coating apparatus that applies a liquid material to a flat plate in a desired shape, not limited to the seal drawing apparatuses 23 and 71. For example, the present invention may be embodied in a coating apparatus that applies solder to the upper surface of the substrate.

上記各実施形態、及び上記各変更例から把握できる技術的思想を以下に記載する。
（イ）請求項１乃至請求項６の何れか１項に記載の塗布装置において、前記制御手段は、前記吸着力を大きくするように前記吸着手段を制御するときには、前記ステージ上に前記基板を仮固定している前記吸着力を維持したまま、前記基板の上面及び下面の何れか一方の前記ステージからの高さに応じた前記吸着力を、前記基板の全面に渡って同時に発生させるように前記吸着手段を制御することを特徴とする塗布装置。同構成によれば、基板において歪みのある部位に対して同時に吸着力が大きくなるように吸着手段が制御されることから、基板の歪みの矯正をより短時間で行うことができる。 The technical ideas that can be grasped from each of the above embodiments and each of the above modifications are described below.
(A) In the coating apparatus according to any one of claims 1 to 6, when the control unit controls the suction unit to increase the suction force, the substrate is placed on the stage. The suction force according to the height from the stage on either the upper surface or the lower surface of the substrate is generated simultaneously over the entire surface of the substrate while maintaining the suction force temporarily fixed. An applicator for controlling the adsorbing means. According to this configuration, since the suction unit is controlled so that the suction force simultaneously increases for a portion of the substrate that is distorted, the distortion of the substrate can be corrected in a shorter time.

（ロ）請求項１乃至請求項６の何れか１項に記載の塗布装置において、前記制御手段は、前記吸着力を大きくするように前記吸着手段を制御する前に、前記ステージ上に前記基板を仮固定すべく前記吸着手段を制御しており、前記吸着力を大きくするように前記吸着手段を制御するときには、前記基板における歪みにより盛り上がった部分ごとに、その部分の周囲の前記吸着力を小さくした後に、前記基板の上面及び下面の何れか一方の前記ステージからの高さに応じた前記吸着力を発生させるように前記吸着手段を制御することを特徴とする塗布装置。同構成によれば、よりスムーズに基板の歪みを矯正することができる。 (B) The coating apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein the control unit controls the substrate on the stage before controlling the adsorption unit to increase the adsorption force. The suction means is controlled to temporarily fix the suction force, and when the suction means is controlled so as to increase the suction force, the suction force around the portion is raised for each portion raised by distortion in the substrate. An application apparatus that controls the suction unit so as to generate the suction force according to the height of either one of the upper surface and the lower surface of the substrate from the stage after being reduced. According to this configuration, the distortion of the substrate can be corrected more smoothly.

（ハ）請求項１乃至請求項６の何れか１項に記載の塗布装置において、前記制御手段は、前記吸着力を大きくするように前記吸着手段を制御するときには、前記ステージ上に前記基板を仮固定している前記吸着力を解除した後に、前記基板が、前記基板の中央から周囲に向かって順に前記ステージ上に固定されるように、且つ前記基板の上面及び下面の何れか一方の前記ステージからの高さが高いところほど前記吸着力が大きくなるように、前記吸着手段を制御することを特徴とする塗布装置。同構成によれば、よりスムーズに基板の歪みを矯正することができる。 (C) In the coating apparatus according to any one of claims 1 to 6, when the control unit controls the suction unit to increase the suction force, the substrate is placed on the stage. After releasing the temporarily fixed adsorption force, the substrate is fixed on the stage in order from the center to the periphery of the substrate, and either the upper surface or the lower surface of the substrate. The coating apparatus, wherein the suction unit is controlled so that the suction force increases as the height from the stage increases. According to this configuration, the distortion of the substrate can be corrected more smoothly.

貼り合わせ基板製造装置の概略構成図。The schematic block diagram of a bonded substrate manufacturing apparatus. 第１実施形態のシール描画装置の概略構成図。The schematic block diagram of the sticker drawing apparatus of 1st Embodiment. ステージの平面図。The top view of a stage. 第１実施形態のシール描画装置における基板及びステージの平面図。The top view of the board | substrate and stage in the seal | sticker drawing apparatus of 1st Embodiment. 第１実施形態のシール描画装置における距離センサ付近の拡大図。The enlarged view near the distance sensor in the sticker drawing apparatus of the first embodiment. 第１実施形態のシール描画装置の電気的構成を示すブロック図。1 is a block diagram showing an electrical configuration of a seal drawing apparatus according to a first embodiment. 第２実施形態のシール描画装置の概略構成図。The schematic block diagram of the sticker drawing apparatus of 2nd Embodiment. 第２実施形態のシール描画装置の電気的構成を示すブロック図。The block diagram which shows the electric constitution of the sticker drawing apparatus of 2nd Embodiment. 第２実施形態のシール描画装置における基板及びステージの平面図。The top view of the board | substrate and stage in the seal | sticker drawing apparatus of 2nd Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

２３，７１…塗布装置としてのシール描画装置、３２…ステージ、３２ａ…ステージの上面、４２…塗布ノズル、４３…移動測定手段としての距離センサ、４５…吸着手段としての吸着装置、５１ａ〜５１ｏ…固定測定手段としての距離センサ、６１，７３…制御手段としての制御装置、７２ａ〜７２ｄ…移動測定手段としての距離センサ、Ｒ…液体材料としてのシール材、Ｓ１…測定信号としての第１の測定信号、Ｓ２…測定信号としての第２の測定信号、Ｓ３…測定信号としての第３の測定信号、Ｗ１…基板としての下基板、Ｗ１ａ…基板の上面、Ｗ１ｂ…下面。 23, 71 ... Seal drawing device as application device, 32 ... Stage, 32a ... Upper surface of stage, 42 ... Application nozzle, 43 ... Distance sensor as movement measurement means, 45 ... Adsorption device as adsorption means, 51a to 51o ... Distance sensor as fixed measurement means, 61, 73 ... Control device as control means, 72a to 72d ... Distance sensor as movement measurement means, R ... Sealing material as liquid material, S1 ... First measurement as measurement signal Signal, S2: Second measurement signal as measurement signal, S3: Third measurement signal as measurement signal, W1: Lower substrate as substrate, W1a: Upper surface of substrate, W1b: Lower surface.

Claims

ステージ上に固定した基板と塗布ノズルとを相対的に移動させ、該塗布ノズルの先端から吐出させた液体材料を前記基板の上面に所望の形状に塗布する塗布装置であって、
前記基板を前記ステージ上に固定するための吸着力を発生させる吸着手段と、
前記ステージに配置され、前記基板の上面の前記ステージからの高さに応じた測定信号をそれぞれ出力する複数の固定測定手段と、
前記吸着手段を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、複数の前記測定信号に基づいて前記基板の上面の前記ステージからの高さを算出し、算出した該高さが高いところほど前記吸着力を大きくするように前記吸着手段を制御した後に、新たに入力された複数の前記測定信号に基づいて前記基板の上面の前記ステージからの高さを前記基板全体に渡って算出し、算出した該高さが、前記基板の上面の前記ステージからの基準の高さである上面基準高さに基づいて設定された上面許容範囲に含まれる場合には、算出した該高さの平均値の、前記上面基準高さに対するずれ量を補正値として算出し、その後、前記塗布ノズルを、前記塗布ノズルの基準の高さであるノズル基準高さに前記補正値を加えた高さに合わせて、前記液体材料の前記基板への塗布を行うことを特徴とする塗布装置。 A coating apparatus that relatively moves a substrate fixed on a stage and a coating nozzle and applies a liquid material discharged from the tip of the coating nozzle to the upper surface of the substrate in a desired shape,
Suction means for generating a suction force for fixing the substrate on the stage;
A plurality of fixed measuring means arranged on the stage and each outputting a measurement signal corresponding to a height from the stage on the upper surface of the substrate;
Control means for controlling the adsorption means,
The control means calculates the height of the upper surface of the substrate from the stage based on a plurality of the measurement signals, and controls the suction means so that the suction force increases as the calculated height increases. After that, the height of the upper surface of the substrate from the stage is calculated over the entire substrate based on the plurality of newly input measurement signals, and the calculated height is the height of the upper surface of the substrate. When included in the upper surface allowable range set based on the upper surface reference height, which is the reference height from the stage, the deviation amount of the calculated average value of the height with respect to the upper surface reference height is corrected. And then applying the liquid material to the substrate in accordance with a height obtained by adding the correction value to a nozzle reference height that is a reference height of the application nozzle. Coating equipment featuring .

ステージ上に固定した基板と塗布ノズルとを相対的に移動させ、該塗布ノズルの先端から吐出させた液体材料を前記基板の上面に所望の形状に塗布する塗布装置であって、
前記基板を前記ステージ上に固定するための吸着力を発生させる吸着手段と、
前記ステージに配置され、前記基板の上面及び下面の前記ステージからの高さに応じた測定信号をそれぞれ出力する複数の固定測定手段と、
前記吸着手段を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、複数の前記測定信号に基づいて前記基板の下面の前記ステージからの高さを算出し、算出した該高さが高いところほど前記吸着力を大きくするように前記吸着手段を制御した後に、新たに入力された複数の前記測定信号に基づいて前記基板の上面の前記ステージからの高さを前記基板全体に渡って算出し、算出した該高さが、前記基板の上面の前記ステージからの基準の高さである上面基準高さに基づいて設定された上面許容範囲に含まれる場合には、算出した該高さの平均値の、前記上面基準高さに対するずれ量を補正値として算出し、その後、前記塗布ノズルを、前記塗布ノズルの基準の高さであるノズル基準高さに前記補正値を加えた高さに合わせて、前記液体材料の前記基板への塗布を行うことを特徴とする塗布装置。 A coating apparatus that relatively moves a substrate fixed on a stage and a coating nozzle and applies a liquid material discharged from the tip of the coating nozzle to the upper surface of the substrate in a desired shape,
Suction means for generating a suction force for fixing the substrate on the stage;
A plurality of fixed measuring means arranged on the stage and each outputting a measurement signal corresponding to the height from the stage on the upper and lower surfaces of the substrate;
Control means for controlling the adsorption means,
The control means calculates the height of the lower surface of the substrate from the stage based on the plurality of measurement signals, and controls the suction means so that the suction force increases as the calculated height increases. After that, the height of the upper surface of the substrate from the stage is calculated over the entire substrate based on the plurality of newly input measurement signals, and the calculated height is the height of the upper surface of the substrate. When included in the upper surface allowable range set based on the upper surface reference height, which is the reference height from the stage, the deviation amount of the calculated average value of the height with respect to the upper surface reference height is corrected. And then applying the liquid material to the substrate in accordance with a height obtained by adding the correction value to a nozzle reference height that is a reference height of the application nozzle. Coating equipment featuring .

ステージ上に固定した基板と塗布ノズルとを相対的に移動させ、該塗布ノズルの先端から吐出させた液体材料を前記基板の上面に所望の形状に塗布する塗布装置であって、
前記基板を前記ステージ上に固定するための吸着力を発生させる吸着手段と、
前記ステージ上に架け渡され前記ステージに対して相対移動される移動手段と、
前記移動手段に配置され、前記ステージに対する前記移動手段の相対移動に伴って前記ステージに対して相対移動されるとともに、前記ステージ上の前記基板を走査して前記基板の上面までの距離に応じた測定信号をそれぞれ出力する複数の移動測定手段と、
前記吸着手段を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、複数の前記移動測定手段がそれぞれ出力する前記測定信号に基づいて、前記塗布ノズルの基準の高さであるノズル基準高さにある前記塗布ノズルの先端から、前記基板の上面までの距離を算出し、算出した該距離が短いところほど前記吸着力を大きくするように前記吸着手段を制御した後に、新たに入力された複数の前記測定信号に基づいて、前記ノズル基準高さにある前記塗布ノズルの先端から前記基板の上面までの距離を前記基板全体に渡って算出し、算出した該距離が、前記塗布ノズルと前記基板の上面との間の基準の距離である基準距離に基づいて設定された距離許容範囲に含まれる場合には、算出した該距離の平均値の、前記基準距離に対するずれ量を補正値として算出し、その後、前記塗布ノズルを、前記ノズル基準高さに前記補正値を加えた高さに合わせて、前記液体材料の前記基板への塗布を行うことを特徴とする塗布装置。 A coating apparatus that relatively moves a substrate fixed on a stage and a coating nozzle and applies a liquid material discharged from the tip of the coating nozzle to the upper surface of the substrate in a desired shape,
Suction means for generating a suction force for fixing the substrate on the stage;
A moving means that spans the stage and is moved relative to the stage;
According to the distance to the upper surface of the substrate by scanning the substrate on the stage and being moved relative to the stage as the moving unit moves relative to the stage. A plurality of movement measuring means for outputting measurement signals,
Control means for controlling the adsorption means,
The control means, from the tip of the application nozzle at the nozzle reference height, which is the reference height of the application nozzle, to the upper surface of the substrate, based on the measurement signals respectively output by the plurality of movement measurement means And the suction means is controlled to increase the suction force as the calculated distance is shorter, and then the nozzle reference height is set based on the plurality of newly input measurement signals. A distance from the tip of the coating nozzle to the upper surface of the substrate is calculated over the entire substrate, and the calculated distance is a reference distance that is a reference distance between the coating nozzle and the upper surface of the substrate. If it is included in the distance allowable range set on the basis of the calculated distance, a deviation amount of the calculated average value with respect to the reference distance is calculated as a correction value, and then the application nozzle is moved to the nozzle. To match the height to the reference height plus the correction value, applying apparatus characterized by performing coating to the substrate of the liquid material.

ステージ上に固定した基板と塗布ノズルとを相対的に移動させ、該塗布ノズルの先端から吐出させた液体材料を前記基板の上面に所望の形状に塗布する塗布装置であって、
前記基板を前記ステージ上に固定するための吸着力を発生させる吸着手段と、
前記ステージ上に架け渡され前記ステージに対して相対移動される移動手段と、
前記移動手段に配置され、前記ステージに対する前記移動手段の相対移動に伴って前記ステージに対して相対移動されるとともに、前記ステージ上の前記基板を走査して該基板の上面及び下面までの距離に応じた測定信号をそれぞれ出力する複数の移動測定手段と、
前記吸着手段を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、複数の前記移動測定手段がそれぞれ出力する前記測定信号に基づいて、前記塗布ノズルの基準の高さであるノズル基準高さにある前記塗布ノズルの先端から、前記基板の下面までの距離を算出し、算出した該距離が短いところほど前記吸着力を大きくするように前記吸着手段を制御した後に、新たに入力された複数の前記測定信号に基づいて、前記ノズル基準高さにある前記塗布ノズルの先端から前記基板の上面までの距離を前記基板全体に渡って算出し、算出した該距離が、前記塗布ノズルと前記基板の上面との間の基準の距離である基準距離に基づいて設定された距離許容範囲に含まれる場合には、算出した該距離の平均値の、前記基準距離に対するずれ量を補正値として算出し、その後、前記塗布ノズルを、前記ノズル基準高さに前記補正値を加えた高さに合わせて、前記液体材料の前記基板への塗布を行うことを特徴とする塗布装置。 A coating apparatus that relatively moves a substrate fixed on a stage and a coating nozzle and applies a liquid material discharged from the tip of the coating nozzle to the upper surface of the substrate in a desired shape,
Suction means for generating a suction force for fixing the substrate on the stage;
A moving means that spans the stage and is moved relative to the stage;
It is disposed on the moving means, and is moved relative to the stage as the moving means moves relative to the stage, and scans the substrate on the stage to reach the upper surface and the lower surface of the substrate. A plurality of movement measuring means for outputting corresponding measurement signals,
Control means for controlling the adsorption means,
The control means, from the tip of the application nozzle at the nozzle reference height, which is the reference height of the application nozzle, to the lower surface of the substrate, based on the measurement signals respectively output by the plurality of movement measurement means And the suction means is controlled to increase the suction force as the calculated distance is shorter, and then the nozzle reference height is set based on the plurality of newly input measurement signals. A distance from the tip of the coating nozzle to the upper surface of the substrate is calculated over the entire substrate, and the calculated distance is a reference distance that is a reference distance between the coating nozzle and the upper surface of the substrate. If it is included in the distance allowable range set on the basis of the calculated distance, a deviation amount of the calculated average value with respect to the reference distance is calculated as a correction value, and then the application nozzle is moved to the nozzle. To match the height to the reference height plus the correction value, applying apparatus characterized by performing coating to the substrate of the liquid material.

請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載の塗布装置において、
前記制御手段は、前記液体材料を前記基板の上面に塗布する場合には、予め測定した前記ステージの上面の平坦度に基づいて設定されたステージ補正量の分だけ前記塗布ノズルを昇降させることを特徴とする塗布装置。 In the coating device according to any one of claims 1 to 4,
When applying the liquid material to the upper surface of the substrate, the control means raises and lowers the application nozzle by a stage correction amount set based on the flatness of the upper surface of the stage measured in advance. A characteristic coating apparatus.

請求項１乃至請求項５の何れか１項に記載の塗布装置において、
前記制御手段は、前記基板の中央から周囲に向かって順に該基板が前記ステージ上に吸着されるように前記吸着手段を制御することを特徴とする塗布装置。 In the coating device according to any one of claims 1 to 5,
The said control means controls the said adsorption | suction means so that this board | substrate is adsorbed on the said stage in order toward the periphery from the center of the said board | substrate, The coating device characterized by the above-mentioned.