JP4755576B2 - ガスシールドアーク溶接方法 - Google Patents
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Description
このタンデムアーク溶接方法においては、タンデムアーク溶接ロボットシステムにより、溶接を制御するもの(例えば、非特許文献1参照)や、ピーク電流通電時間、ベース電流通電時間およびパルス周期を所定の関係に規定し、第1の溶接ワイヤおよび第2の溶接ワイヤと被溶接物との間に2つのアークをそれぞれ発生させて溶接する2電極パルスアーク溶接制御方法(例えば、特許文献1参照)等、多数のタンデムアーク溶接の制御方法が開示されている。
そして、ビード幅を拡大させる技術として、シールドガスに窒素を適量添加することにより、アークの安定と共にビード幅を拡大させるガスシールドアーク溶接法が開示されている(例えば、特許文献5参照)。
「タンデムアーク溶接ロボットシステムの開発」(神鋼溶接技術がいど 2002年4月 No.384) p.6〜10
非特許文献1、特許文献1に記載のようなタンデムアーク溶接方法では、設備が大掛かりとなることから、高コストであるという問題があった。また、一般的な自動車部品では、熱変形を抑えるためのクランプをかいくぐって溶接トーチを動かす必要があるが、大きなトーチヘッドを持つタンデムアーク溶接方法では、一般的な自動車部品においては、適用性が低いという問題があった。
前記したように、高速の溶接においては、ビード幅が十分に広がらないことや、ビード形状の凸化が問題となるが、ビードが幅広にならず、凸形状になる理由は次のとおりである。
表面張力を下げる具体的手段としては、溶融金属に含まれる酸素(O)濃度を高めることや、S濃度を高めることが有効であり、特にSはその効果が大きいことがわかっている。しかし、表面張力が小さいということは、簡単に外乱の影響を受けて波立ちを起こしたり、形状変化を起こしたりしやすいともいえる。
また、止端部応力集中の緩和による継手疲労特性の向上や、ワイヤ狙い位置ずれに対する許容条件範囲の拡大、割れの発生やブローホールの発生の防止等の効果を得ることができる。
本発明は、ソリッドワイヤを用いて、パルス溶接を行うガスシールドアーク溶接方法に係るものである。
なお、ここでのパルス溶接とは、パルス型の電流・電圧波形で溶接を行うものをいう。
そして、前記ソリッドワイヤは、S:0.040〜0.200質量%を含有し、その他の成分として、Si、Mn、C、Pを所定量含有し、残部がFeおよび不可避的不純物からなり、パルス溶接のパルスにおけるパルスピーク電流(Ip)を350A以上、パルスピーク期間(Tp)を0.5〜2.0msecに規定したものである。さらに、使用するシールドガスの種類を所定に規定したものである。
≪ソリッドワイヤ≫
一般に、溶接ワイヤには、針金状のソリッドワイヤと、中心部にフラックスを詰めたフラックス入りワイヤとがある。パルス溶接では、できるだけ均一なワイヤ溶融をしなければ、パルス波形との同期が崩れ、アーク不安定となるため、パルス溶接を行う本発明においては、ソリッドワイヤを使用することが必須である。なお、ソリッドワイヤには銅めっきを施しているものと鉄地のままのものがあるが、銅めっきの有無はビード幅や平坦性、止端部揃い等のビード形状には全く影響を与えないため、どちらを使用しても良い。
<S:0.040〜0.200質量%>
ワイヤのS含有量を高くすることにより、溶融金属の粘性・表面張力を下げることができる。Sの含有量が0.040質量%以上であれば、表面張力の低下により、ビード形状を平坦にできると共に、ビード幅を十分広げることができる。なお、0.050質量%以上であれば、さらにビード形状を幅広かつ平坦にすることができるため、好ましくは、0.050質量%以上である。Sの含有量が0.040質量%未満では、表面張力を低下させる作用が不足し、ビード幅が十分に広がらず、また、ビード形状が凸(凸形状)になる。一方、0.200質量%を超えると、凝固割れが発生しやすくなるので、これを上限とする。
Siは、脱酸元素として作用し、耐ブローホール性、溶融金属の粘性・表面張力に影響を及ぼす元素である。Siの含有量が0.20質量%未満では、ガス組成によっては、脱酸不足でブローホールが発生しやすくなることがあるため、汎用性の点から0.20質量%以上とする。一方、1.50質量%を超えると、溶融金属の粘性・表面張力が上昇し、幅広かつ平坦なビード形状が得られない。なお、より好ましくは1.20質量%以下である。
Mnも脱酸元素として作用し、耐ブローホール性、溶融金属の粘性・表面張力に影響を及ぼす元素である。Mnの含有量が0.50質量%未満では、ガス組成によっては、脱酸不足でブローホールが発生しやすくなることがあるため、汎用性の点から0.50質量%以上とする。一方、2.50質量%を超えると、溶融金属の粘性・表面張力が上昇し、幅広かつ平坦なビード形状が得られない。なお、より好ましくは1.50質量%以下である。
Cの含有量が多いと、耐割れ性が低下する。開先形状や溶接条件によっては高温割れが発生するため、0.15質量%以下とする。下限については、いくら低くても害はないため、技術的には、特に設ける必要はないが、Cの含有量を下げるほど、コストが高くなるので、工業的には、0.01質量%程度が現実的には下限値としてよい。
Pは、高温割れを著しく発生させやすくするため、Pの含有量はできるだけ低くしたほうが良い。しかし、0.025質量%以下であれば実用上割れを発生させることは無い。なお、好ましくは0.018質量%以下である。
ソリッドワイヤは、前記成分を含有し、残部がFeおよび不可避的不純物からなるものである。
なお、不可避的不純物としては、例えば、O、Zr等を含有することが考えられるが、本発明の効果を妨げない範囲においてこれらを含有することは許容され、これらの含有量は、それぞれ0.050質量%以下が好ましい。
以下、Ti、Al、Mo、Nb、V、Cr、Niの含有量を制限した理由について説明する。
Ti、Al、Mo、Nb、V、Cr、Niは、いずれも溶融金属の粘性・表面張力を上昇させる元素であり、幅広かつ平坦なビード形状が得られ難くなるため、少ないほうが好ましい。Tiの含有量が0.10質量%以下、Alの含有量が0.20質量%以下、Moの含有量が0.50質量%以下、Nbの含有量が0.30質量%以下、Vの含有量が0.30質量%以下、Crの含有量が1.00質量%以下、Niの含有量が1.00質量%以下であれば実用上問題ない。
図1は、パルス波形の名称定義と溶滴移行状態を示す模式図、図2(a)は、通常の一般電源を用いた場合の溶融池(溶融金属)の状態を示す模式図、(b)は、パルス電源を用いた場合(所定のパルス波形)の溶融池(溶融金属)の状態を示す模式図である。
パルスは、パルス電源を用いて作り出される電流・電圧波形であり、図1に示すように、矩形もしくは台形の形を繰り返す波形である(図1では台形)。基本的にはパルス形状(パルス波形)は電流・電圧によらず同一で、電流・電圧が高くなるとベース期間Bが狭まって周波数が高まる。つまり、一般的には周波数変調である。
ここで、図2(a)に示すように、通常の一般電源を用いた場合には、アーク3が不安定になり、スパッタが多く発生すると共に、溶融池(溶融金属)4の振動が激しくなる。そのため、ビードの止端部6の形状に影響をおよぼす。一方、図2(b)に示すように、パルス電源を用いた場合(所定のパルス波形)には、低電流でも非常にアーク3が安定し、極めて低スパッタで、アーク3直下に形成される溶融池(溶融金属)4を静的な状態に保つことができる。そのため、ビードの止端部6の形状が安定する。
ソリッドワイヤにおけるSの含有量は、前記のとおりであるが、ビード形状は、Sの含有量と、パルス溶接におけるパルスとの関係に影響をうける。
図3(a)〜(c)は、ソリッドワイヤのS含有量とパルス有無の組合せによるビード形状の影響を示す模式図(鳥瞰図)である。
図3(a)に示すように、パルスの有無にかかわらず、Sが0.040質量%未満では、表面張力を低下させる作用が不足し、ビード5aの止端部6aの揃いは劣化しないものの、ビード幅Waが十分に広がらず、凸形状になる。また、図3(b)に示すように、パルスが無い場合(パルス無)、Sを0.040質量%以上含有しても、ビード幅Wbが広がり、凸形状にならないものの、ビード5bの止端部6bの揃いが劣化する。しかし、図3(c)に示すように、パルスが有り(パルス有)、かつ、Sが0.040質量%以上の場合には、ビード5cの止端部6cの揃いが良好であると共に、ビード幅Wcが十分に広がり、凸形状とならない。
なお、ここでのパルス有というのは、以下に説明するパルスピーク電流(Ip)およびパルスピーク期間(Tp)が本発明の範囲を満たした場合をいう。
図1に示すように、ソリッドワイヤ1は、パルスピーク期間Tpに溶滴2を形成し、この溶滴2をベース期間Bに落下させる。
パルスピーク期間Tpに高電流で溶融して溶滴2を形成し、電流が低くアーク力の弱いベース期間Bに溶滴を落下させることで、低電流でもアークが安定し、スパッタの発生が抑制されると共に、溶滴移行が安定で、アーク直下に形成される溶融金属を揺らすことがなく、止端部揃いが良好となる。
パルスピーク電流(Ip)とは、パルスピーク期間Tp中の電流、すなわち、矩形もしくは台形の波形の上底の電流である。
一般に、パルス波形の一部は使用者により設定することができる。パルスピーク電流(Ip)が350A未満では、電流密度が不足し、スプレー溶滴移行とならないため、アーク不安定となってスパッタが多く発生し、また、溶滴移行が不安定で溶融金属を揺らしてしまい、止端部揃いが劣化する。上限は、溶滴移行の面では特に設ける必要はないが、600Aを超えると機械的に壊れやすくなるため、一般的には、溶接電源のハードウェアの限界として600A以下にするのが普通である。
パルスピーク期間(Tp)とは、ベース以外の期間Pにおける矩形もしくは台形の上底部分の時間である。ここで、ベース以外の期間Pとは、矩形もしくは台形の下底部分の時間をいい、パルス波形におけるベース期間B以外の期間をいう。なお、パルス波形が矩形であれば、「ベース以外の期間P=パルスピーク期間(Tp)」となる。
≪シールドガス:Ar:75〜98体積%で残部がCO2またはO2の1種以上≫
シールドガス組成は、パルス溶接においてスプレー溶滴移行となれば特に詳細に規定する必要はないが、常識的範囲としては、Ar75〜98体積%で残部がCO2、O2の単体もしくはCO2+O2混合の酸化性ガスを使用する。Arが98体積%を超えると、シールドガス中の酸化性ガスの含有量が不足し、母材側に生成される酸化物が極めて少なく、酸化物の陰極点が形成されず極めてアークが不安定となって、スパッタが多く発生し、また、アークが蛇行して、ビード形状の揃いが不良となる。そして、止端部揃いも劣化する。さらに、溶接金属の酸素量も極めて少なくなることから、表面張力が高く、ビードが幅広にならず、凸状になる。ゆえに、アーク安定性確保と、溶融金属の表面張力抑制のため、酸化性ガスが2体積%以上必要である。一方、Arが75体積%未満では、酸化性ガス分子の分解に伴う吸熱反応でアークが冷却され、スプレーアークとならなくなる。スプレーアークとならなければ、アークの爆発的な点孤と短絡による消失を交互に繰り返す不安定な溶滴移行となり、低表面張力の溶融金属を揺らしてしまい、止端部揃いが劣化する。また、スパッタが多く発生する。
このように、ビード形状の制御において、溶接材料組成と電源波形を組み合わせることが極めて効果的であることを見出したことは、これまでに無い新たな技術的思想である。
先ず、表1〜3に示す組成を有する1.2mmφのソリッドワイヤ(比較例60はフラックス入りワイヤ)を試作し、次に、このソリッドワイヤ等を用いて、所定のシールドガス組成、電源設定を組み合わせて試験条件とし、水平重ねすみ肉溶接を行った。
図4に示すように、板厚2.3mmの鋼板(熱延鋼板)Sを組み合わせ、溶接長140mm(図5参照)の水平重ねすみ肉溶接を行った。なお、Wdは、ビード幅であり、ルートギャップは0mm(なし)、重ね代は4mmである。同一溶接速度においては、ワイヤ送給量は全て一定とし、溶接速度の変化に応じて見合う送給速度に調整した。電圧は電源毎に最適値を選定した。
ソリッドワイヤの成分組成、使用したシールドガスの組成、電源設定を表1〜3に示す。なお、表2、3において、本発明の構成を満たさないものについては、数値等に下線を引いて示す。
ビード形状については、平均ビード幅、標準偏差および平坦性の評価を行った。
(平均ビード幅)
図5は、水平重ねすみ肉溶接におけるビード幅測定箇所を示す模式図である。
図5に示すように、溶接長140mmの前後端10mmを除き、120mmとし、4mm毎に31箇所のビード幅(Wd1〜Wd31)を測定した。この平均値を算出して平均幅と定義した。平均幅6.0mm以上を合格(○)、6.0mm未満を不合格(×)とした。
止端部揃いの指標として、ビード幅(Wd1〜Wd31)について標準偏差を統計処理した。標準偏差が0.50以下を止端部揃いが合格(○)、0.50を超えたものを止端部揃いが不合格(×)とした。
平坦性の評価は、ビード形状を目視にて観察し、凸形状とは認められなかったものを合格(○)、凸形状と認められたものを不合格(×)とした。
スパッタ発生量は、溶接時のスパッタの全量捕集を行い、1min換算した。1.50g/min以下を合格(○)、1.50g/minを超えたものを不合格(×)とした。
溶接金属の余盛を削除して割れの有無を確認した。割れがなかったものを合格(○)、割れが生じたものを不合格(×)とした。
その他の評価として、ブローホールや過剰なスラグが発生しなかったものを合格(○)、ブローホールや過剰なスラグが発生したものを不合格(×)とした。
前記すべてにおいて、合格(○)であったものを総合判定合格(○)、いずれか1つでも不合格(×)であったものを総合判定不合格(×)とした。
2 溶滴
3 アーク
4 溶融池(溶融金属)
5a、5b、5c ビード
6、6a、6b、6c 止端部
B ベース期間
M 溶接金属(ビード)
P ベース以外の期間
S 鋼板(熱延鋼板)
Wa、Wb、Wc、Wd ビード幅
Ip パルスピーク電流
Tp パルスピーク期間
Claims (2)
- ソリッドワイヤを用いて鋼板に逆極性のパルス溶接を行うガスシールドアーク溶接方法において、
前記ソリッドワイヤが、S:0.040〜0.200質量%、Si:0.20〜1.50質量%、Mn:0.50〜2.50質量%、C:0.15質量%以下、P:0.025質量%以下を含有し、残部がFeおよび不可避的不純物からなり、
前記パルス溶接のパルスにおけるパルスピーク電流(Ip)が350A以上、パルスピーク期間(Tp)が0.5〜2.0msecであり、
さらに、シールドガスとして、Ar:75〜98体積%で残部がCO2またはO2の1種以上である混合ガスを使用することを特徴とするガスシールドアーク溶接方法。 - ソリッドワイヤを用いて鋼板に逆極性のパルス溶接を行うガスシールドアーク溶接方法において、
前記ソリッドワイヤが、S:0.050〜0.200質量%、Si:0.20〜1.50質量%、Mn:0.50〜2.50質量%、C:0.15質量%以下、P:0.025質量%以下を含有し、さらに、Ti:0.10質量%以下、Al:0.20質量%以下、Mo:0.50質量%以下、Nb:0.30質量%以下、V:0.30質量%以下、Cr:1.00質量%以下、Ni:1.00質量%以下のうち少なくとも一種を含有し、残部がFeおよび不可避的不純物からなり、
前記パルス溶接のパルスにおけるパルスピーク電流(Ip)が350A以上、パルスピーク期間(Tp)が0.5〜2.0msecであり、
さらに、シールドガスとして、Ar:75〜98体積%で残部がCO2またはO2の1種以上である混合ガスを使用することを特徴とするガスシールドアーク溶接方法。
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