JP4754419B2 - プラズマ異常放電診断方法、プラズマ異常放電診断システム及びコンピュータプログラム - Google Patents
プラズマ異常放電診断方法、プラズマ異常放電診断システム及びコンピュータプログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP4754419B2 JP4754419B2 JP2006183886A JP2006183886A JP4754419B2 JP 4754419 B2 JP4754419 B2 JP 4754419B2 JP 2006183886 A JP2006183886 A JP 2006183886A JP 2006183886 A JP2006183886 A JP 2006183886A JP 4754419 B2 JP4754419 B2 JP 4754419B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- series data
- abnormal
- vector
- sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 title claims description 193
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 title claims description 193
- 238000004590 computer program Methods 0.000 title claims description 12
- 238000002405 diagnostic procedure Methods 0.000 title description 2
- 239000013598 vector Substances 0.000 claims description 178
- 238000013519 translation Methods 0.000 claims description 74
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 claims description 61
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 41
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 19
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 18
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 11
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 7
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 69
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000005309 stochastic process Methods 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 2
- 230000004397 blinking Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 238000012552 review Methods 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 241001652065 Trigonopeltastes delta Species 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000007405 data analysis Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- -1 for example Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000012731 temporal analysis Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000000700 time series analysis Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/0006—Investigating plasma, e.g. measuring the degree of ionisation or the electron temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/02—Details
- H01J2237/0203—Protection arrangements
- H01J2237/0206—Extinguishing, preventing or controlling unwanted discharges
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
プラズマの状態に伴って変動する時系列データを取得するデータ取得ステップと、
前記データ取得ステップで取得した時系列データから、前記プラズマにおける前記時系列データが決定論的であるか確率論的であるかの指標となる決定論性を表す値を算出する決定論性算出ステップと、
前記プラズマ発生中に、前記決定論性算出ステップで算出された決定論性を表す値が、所定のしきい値以下の場合に、前記プラズマが異常放電状態であると判定する異常放電判定ステップと、
を備えることを特徴とする。
前記決定論性算出ステップは、
前記時系列データからある次元の埋め込みベクトルを算出する埋め込みステップと、
前記埋め込みステップで算出された埋め込みベクトルのうち、ある埋め込みベクトルについて所定の数の最も近接するベクトルを抽出する最近接ベクトル抽出ステップと、
前記最近接ベクトル抽出ステップで抽出した所定の数の最も近接するベクトルの分散である並進誤差を算出する並進誤差算出ステップと、
を含み、
前記異常放電判定ステップは、
前記プラズマ発生中に、前記並進誤差算出ステップで算出された並進誤差が前記所定のしきい値以下の場合に、前記プラズマが異常放電状態であると判定する、
ことを特徴とする。
前記決定論性算出ステップは、
前記時系列データからある次元の埋め込みベクトルを算出する埋め込みステップと、
前記埋め込みステップで算出された所定の時間における前記時系列データから算出されるすべての前記埋め込みベクトルについて、前記埋め込みベクトルの要素の大小関係が有する順序と同じ順序の度数を累計し、前記所定の時間における前記時系列データから算出されるすべての前記埋め込みベクトルの数に対する相対実現度数として算出する実現度数算出ステップと、
前記埋め込みベクトルの次元の数の順序からなる全ての順列を確率変数とし、前記実現度数算出ステップで算出された前記相対実現度数を確率分布とするエントロピーである順列エントロピーを算出する順列エントロピー算出ステップと、
を含み、
前記異常放電判定ステップは、
前記プラズマ発生中に、前記順列エントロピー算出ステップで算出された順列エントロピーが前記所定のしきい値以下の場合に、前記プラズマが異常放電状態であると判定する、
ことを特徴とする。
前記並進誤差算出ステップは、前記4以上の最も近接するベクトルのうちの4つの最も近接するベクトルの軌道について、5単位の時差の時間の経過に伴う埋め込みベクトルの軌道の変化において推定された並進誤差を算出し、
前記異常放電判定ステップは、前記4つの最も近接するベクトルの軌道について、前記5単位の時差の時間の経過に伴う埋め込みベクトルの軌道の変化において推定された並進誤差が0.1以下であって、プラズマ発生中であるならば、前記プラズマが異常放電状態であると判定する、
ことを特徴とする。
前記異常放電判定ステップは、前記正規化した順列エントロピーが0.8以下であって、プラズマ発生中であるならば、前記プラズマが異常放電状態であると判定する、
ことを特徴とする。
プラズマの状態に伴って変動する時系列データを取得するデータ取得手段と、
前記データ取得手段で取得した時系列データから、前記プラズマにおける前記時系列データが決定論的であるか確率論的であるかの指標となる決定論性を表す値を算出する決定論性算出手段と、
前記プラズマ発生中に、前記決定論性算出手段で算出された決定論性を表す値が、所定のしきい値以下の場合に、前記プラズマが異常放電状態であると判定する異常放電判定手段と、
を備えることを特徴とする。
前記決定論性算出手段は、
前記時系列データからある次元の埋め込みベクトルを算出する埋め込み手段と、
前記埋め込み手段で算出された埋め込みベクトルのうち、ある埋め込みベクトルについて所定の数の最も近接するベクトルを抽出する最近接ベクトル抽出手段と、
前記最近接ベクトル抽出手段で抽出した所定の数の最も近接するベクトルの分散である並進誤差を算出する並進誤差算出手段と、
を含み、
前記異常放電判定手段は、
前記プラズマ発生中に、前記並進誤差算出手段で算出された並進誤差が前記所定のしきい値以下の場合に、前記プラズマが異常放電状態であると判定する、
ことを特徴とする。
前記決定論性算出手段は、
前記時系列データからある次元の埋め込みベクトルを算出する埋め込み手段と、
前記埋め込み手段で算出された所定の時間における前記時系列データから算出されるすべての前記埋め込みベクトルについて、前記埋め込みベクトルの要素の大小関係が有する順序と同じ順序の度数を累計し、前記所定の時間における前記時系列データから算出されるすべての前記埋め込みベクトルの数に対する相対実現度数として算出する実現度数算出手段と、
前記埋め込みベクトルの次元の数の順序からなる全ての順列を確率変数とし、前記実現度数算出手段で算出された前記相対実現度数を確率分布とするエントロピーである順列エントロピーを算出する順列エントロピー算出手段と、
を含み、
前記異常放電判定手段は、
前記プラズマ発生中に、前記順列エントロピー算出ステップで算出された順列エントロピーが前記所定のしきい値以下の場合に、前記プラズマが異常放電状態であると判定する、
ことを特徴とする。
前記並進誤差算出手段は、前記4以上の最も近接するベクトルのうちの4つの最も近接するベクトルの軌道について、5単位の時差の時間の経過に伴う埋め込みベクトルの軌道の変化において推定された並進誤差を算出し、
前記異常放電判定手段は、前記4つの最も近接するベクトルの軌道について、前記5単位の時差の時間の経過に伴う埋め込みベクトルの軌道の変化において推定された並進誤差が0.1以下であって、プラズマ発生中であるならば、前記プラズマが異常放電状態であると判定する、
ことを特徴とする。
前記異常放電判定手段は、前記正規化した順列エントロピーが0.8以下であって、プラズマ発生中であるならば、前記プラズマが異常放電状態と判定する、
ことを特徴とする。
プラズマの異常放電を診断するために、コンピュータを、
プラズマの状態に伴って変動する時系列データを取得するデータ取得手段と、
前記データ取得手段で取得した時系列データから、前記プラズマにおける前記時系列データが決定論的であるか確率論的であるかの指標となる決定論性を表す値を算出する決定論性算出手段と、
前記プラズマ発生中に、前記決定論性算出手段で算出された決定論性を表す値が、所定のしきい値以下の場合に、前記プラズマが異常放電状態であると判定する異常放電判定手段、
として機能させることを特徴とする。
以下、この発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付し、その説明は繰り返さない。半導体製造装置などのプラズマ処理装置を診断の対象としたプラズマ異常放電診断システムを例にして以下に説明する。
r(ti)={r(ti),r(ti−Δt),...,r(ti−(n−1)Δt)}T
を生成する。右肩の添え字Tは転置行列を表す。nは適当な埋め込み次元である。Δtは、例えば、相互情報量から選択された適当な時差である。
v(tj)=r(tj+TΔt)− r(tj) (1)
によって近似的に与えられる。時間発展の様子が決定論的に見えるならば、近接ベクトルの各軌道群の近接した部分は、TΔt後に近接した部分に移されるであろう。したがって、v(tj)の方向の分散は、観測された時間発展がどの程度決定論的に見えるかを定量的に評価する指標となる。v(tj)の方向の分散は次式で与えられる。
図5は、プラズマ処理装置2のAEセンサの時系列データの例を示すグラフである。図5のAはプラズマ異常放電モードにある信号の部分(Active領域)を、Sは正常な状態の信号(Silent領域)の部分を示す。両者のパワースペクトルには、例えばある周波数のスペクトルが大きいとか、小さいといった特徴的な違いは見られない。パワースペクトルによる解析では、プラズマが異常放電状態か正常かを明瞭に識別することは難しい。
次に、決定論性を表す値として順列エントロピーを用いる場合のプラズマ異常放電診断システム1について説明する。図7は、本発明の実施の形態2に係るプラズマ異常放電診断システム1の論理的な構成を示すブロック図である。
但し、p(π)=0の項は算入しない。
0 ≦ h*(n) ≦ 1が成り立つ。時系列データの決定論的側面が増加するにつれてh*(n)→0となる。時系列データが白色ノイズならば、h*(n)は1に近い値となる。
図9は、プラズマ処理装置2のAEセンサデータの順列エントロピーの例を示すグラフである。埋め込み次元を横軸に、正規化された順列エントロピーh*(n)を縦軸にとって、図5のAEセンサの信号について順列エントロピーを計算した結果を示す。図9のAのグラフは図5のA(Active領域)の部分の信号に対応する正規化された順列エントロピーh*(n)、図9のSのグラフは図5のS(Silent領域)の部分の信号に対応する正規化された順列エントロピーh*(n)である。
2 プラズマ処理装置
3 AEセンサ
5 データ保持部
7 表示装置
8 プリンタ装置
10 内部バス
11 制御部
12 主記憶部
13 外部記憶部
14 操作部
15 画面表示部
16 印字出力部
17 送受信部
21 データ取得部
22 埋込ベクトル生成部
23 近接ベクトル抽出部
24 並進誤差演算部
25 中央値演算・平均処理部
26 異常放電判定部
27 表示処理部
28 実現度数演算部
29 順列エントロピー演算部
30 平均処理部
51 収集時系列データ
52 埋め込みベクトルデータ
53 最近接ベクトルデータ
54 並進誤差データ
55 順列実現度数データ
56 順列エントロピーデータ
Claims (15)
- プラズマの状態に伴って変動する時系列データを取得するデータ取得ステップと、
前記データ取得ステップで取得した時系列データから、前記プラズマにおける前記時系列データが決定論的であるか確率論的であるかの指標となる決定論性を表す値を算出する決定論性算出ステップと、
前記プラズマ発生中に、前記決定論性算出ステップで算出された決定論性を表す値が、所定のしきい値以下の場合に、前記プラズマが異常放電状態であると判定する異常放電判定ステップと、
を備えることを特徴とするプラズマ異常放電診断方法。 - 前記決定論性を表す値が、前記時系列データから算出される並進誤差であって、
前記決定論性算出ステップは、
前記時系列データからある次元の埋め込みベクトルを算出する埋め込みステップと、
前記埋め込みステップで算出された埋め込みベクトルのうち、ある埋め込みベクトルについて所定の数の最も近接するベクトルを抽出する最近接ベクトル抽出ステップと、
前記最近接ベクトル抽出ステップで抽出した所定の数の最も近接するベクトルの分散である並進誤差を算出する並進誤差算出ステップと、
を含み、
前記異常放電判定ステップは、
前記プラズマ発生中に、前記並進誤差算出ステップで算出された並進誤差が前記所定のしきい値以下の場合に、前記プラズマが異常放電状態であると判定する、
ことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ異常放電診断方法。 - 前記決定論性を表す値が、前記時系列データから算出される順列エントロピーであって、
前記決定論性算出ステップは、
前記時系列データからある次元の埋め込みベクトルを算出する埋め込みステップと、
前記埋め込みステップで算出された所定の時間における前記時系列データから算出されるすべての前記埋め込みベクトルについて、前記埋め込みベクトルの要素の大小関係が有する順序と同じ順序の度数を累計し、前記所定の時間における前記時系列データから算出されるすべての前記埋め込みベクトルの数に対する相対実現度数として算出する実現度数算出ステップと、
前記埋め込みベクトルの次元の数の順序からなる全ての順列を確率変数とし、前記実現度数算出ステップで算出された前記相対実現度数を確率分布とするエントロピーである順列エントロピーを算出する順列エントロピー算出ステップと、
を含み、
前記異常放電判定ステップは、
前記プラズマ発生中に、前記順列エントロピー算出ステップで算出された順列エントロピーが前記所定のしきい値以下の場合に、前記プラズマが異常放電状態であると判定する、
ことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ異常放電診断方法。 - 前記プラズマの状態に伴って変動する時系列データが、AE(Acoustic Emission)センサ、圧力センサ、温度センサ、パーティクルセンサ、電流センサ、電圧センサ、超音波センサ、ガス分析器、振動センサ、発光量センサ、電磁波センサ、又はラングミュアプローブ若しくはプラズマ吸収プローブから得られるプラズマセンサの時系列データのうち、少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のプラズマ異常放電診断方法。
- 前記埋め込みベクトルの次元が6以上であることを特徴とする請求項2に記載のプラズマ異常放電診断方法。
- 前記最近接ベクトル抽出ステップは、前記ある埋め込みベクトルについて4以上の最も近接するベクトルを抽出し、
前記並進誤差算出ステップは、前記4以上の最も近接するベクトルのうちの4つの最も近接するベクトルの軌道について、5単位の時差の時間の経過に伴う埋め込みベクトルの軌道の変化において推定された並進誤差を算出し、
前記異常放電判定ステップは、前記4つの最も近接するベクトルの軌道について、前記5単位の時差の時間の経過に伴う埋め込みベクトルの軌道の変化において推定された並進誤差が0.1以下であって、プラズマ発生中であるならば、前記プラズマが異常放電状態であると判定する、
ことを特徴とする請求項5に記載のプラズマ異常放電診断方法。 - 前記順列エントロピー算出ステップは、完全ランダム過程の順列エントロピーを上限値として正規化した順列エントロピーを算出し、
前記異常放電判定ステップは、前記正規化した順列エントロピーが0.8以下であって、プラズマ発生中であるならば、前記プラズマが異常放電状態であると判定する、
ことを特徴とする請求項3に記載のプラズマ異常放電診断方法。 - プラズマの状態に伴って変動する時系列データを取得するデータ取得手段と、
前記データ取得手段で取得した時系列データから、前記プラズマにおける前記時系列データが決定論的であるか確率論的であるかの指標となる決定論性を表す値を算出する決定論性算出手段と、
前記プラズマ発生中に、前記決定論性算出手段で算出された決定論性を表す値が、所定のしきい値以下の場合に、前記プラズマが異常放電状態であると判定する異常放電判定手段と、
を備えることを特徴とするプラズマ異常放電診断システム。 - 前記決定論性を表す値が、前記時系列データから算出される並進誤差であって、
前記決定論性算出手段は、
前記時系列データからある次元の埋め込みベクトルを算出する埋め込み手段と、
前記埋め込み手段で算出された埋め込みベクトルのうち、ある埋め込みベクトルについて所定の数の最も近接するベクトルを抽出する最近接ベクトル抽出手段と、
前記最近接ベクトル抽出手段で抽出した所定の数の最も近接するベクトルの分散である並進誤差を算出する並進誤差算出手段と、
を含み、
前記異常放電判定手段は、
前記プラズマ発生中に、前記並進誤差算出手段で算出された並進誤差が前記所定のしきい値以下の場合に、前記プラズマが異常放電状態であると判定する、
ことを特徴とする請求項8に記載のプラズマ異常放電診断システム。 - 前記決定論性を表す値が、前記時系列データから算出される順列エントロピーであって、
前記決定論性算出手段は、
前記時系列データからある次元の埋め込みベクトルを算出する埋め込み手段と、
前記埋め込み手段で算出された所定の時間における前記時系列データから算出されるすべての前記埋め込みベクトルについて、前記埋め込みベクトルの要素の大小関係が有する順序と同じ順序の度数を累計し、前記所定の時間における前記時系列データから算出されるすべての前記埋め込みベクトルの数に対する相対実現度数として算出する実現度数算出手段と、
前記埋め込みベクトルの次元の数の順序からなる全ての順列を確率変数とし、前記実現度数算出手段で算出された前記相対実現度数を確率分布とするエントロピーである順列エントロピーを算出する順列エントロピー算出手段と、
を含み、
前記異常放電判定手段は、
前記プラズマ発生中に、前記順列エントロピー算出ステップで算出された順列エントロピーが前記所定のしきい値以下の場合に、前記プラズマが異常放電状態であると判定する、
ことを特徴とする請求項8に記載のプラズマ異常放電診断システム。 - 前記プラズマの状態に伴って変動する時系列データが、AE(Acoustic Emission)センサ、圧力センサ、温度センサ、パーティクルセンサ、電流センサ、電圧センサ、超音波センサ、ガス分析器、振動センサ、発光量センサ、電磁波センサ、又はラングミュアプローブ若しくはプラズマ吸収プローブから得られるプラズマセンサの時系列データのうち、少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項8乃至10のいずれか1項に記載のプラズマ異常放電診断システム。
- 前記埋め込みベクトルの次元が6以上であることを特徴とする請求項9に記載のプラズマ異常放電診断システム。
- 前記最近接ベクトル抽出手段は、前記ある埋め込みベクトルについて4以上の最も近接するベクトルを抽出し、
前記並進誤差算出手段は、前記4以上の最も近接するベクトルのうちの4つの最も近接するベクトルの軌道について、5単位の時差の時間の経過に伴う埋め込みベクトルの軌道の変化において推定された並進誤差を算出し、
前記異常放電判定手段は、前記4つの最も近接するベクトルの軌道について、前記5単位の時差の時間の経過に伴う埋め込みベクトルの軌道の変化において推定された並進誤差が0.1以下であって、プラズマ発生中であるならば、前記プラズマが異常放電状態であると判定する、
ことを特徴とする請求項12に記載のプラズマ異常放電診断システム。 - 前記順列エントロピー算出手段は、完全ランダム過程の順列エントロピーを上限値として正規化した順列エントロピーを算出し、
前記異常放電判定手段は、前記正規化した順列エントロピーが0.8以下であって、プラズマ発生中であるならば、前記プラズマが異常放電状態と判定する、
ことを特徴とする請求項10に記載のプラズマ異常放電診断システム。 - プラズマの異常放電を診断するために、コンピュータを、
プラズマの状態に伴って変動する時系列データを取得するデータ取得手段と、
前記データ取得手段で取得した時系列データから、前記プラズマにおける前記時系列データが決定論的であるか確率論的であるかの指標となる決定論性を表す値を算出する決定論性算出手段と、
前記プラズマ発生中に、前記決定論性算出手段で算出された決定論性を表す値が、所定のしきい値以下の場合に、前記プラズマが異常放電状態であると判定する異常放電判定手段、
として機能させることを特徴とするコンピュータプログラム。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006183886A JP4754419B2 (ja) | 2006-07-03 | 2006-07-03 | プラズマ異常放電診断方法、プラズマ異常放電診断システム及びコンピュータプログラム |
US12/089,664 US8082124B2 (en) | 2006-07-03 | 2007-07-02 | Method and system for diagnosing abnormal plasma discharge |
PCT/JP2007/063254 WO2008004528A1 (fr) | 2006-07-03 | 2007-07-02 | procédé de diagnostic d'une libération anormale de plasma, système de diagnostic d'une libération anormale de plasma et programme informatique |
KR1020087031948A KR100990845B1 (ko) | 2006-07-03 | 2007-07-02 | 플라즈마 이상 방전 진단 방법, 플라즈마 이상 방전 진단 시스템 및, 컴퓨터 프로그램이 수록된 컴퓨터 판독가능 기록매체 |
CN2007800250768A CN101490816B (zh) | 2006-07-03 | 2007-07-02 | 等离子体异常放电诊断方法、等离子体异常放电诊断*** |
TW096124260A TWI444107B (zh) | 2006-07-03 | 2007-07-03 | 電漿異常放電診斷方法、電漿異常放電診斷系統及記錄電腦程式之記錄媒體 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006183886A JP4754419B2 (ja) | 2006-07-03 | 2006-07-03 | プラズマ異常放電診断方法、プラズマ異常放電診断システム及びコンピュータプログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008016517A JP2008016517A (ja) | 2008-01-24 |
JP4754419B2 true JP4754419B2 (ja) | 2011-08-24 |
Family
ID=38894497
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006183886A Active JP4754419B2 (ja) | 2006-07-03 | 2006-07-03 | プラズマ異常放電診断方法、プラズマ異常放電診断システム及びコンピュータプログラム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8082124B2 (ja) |
JP (1) | JP4754419B2 (ja) |
KR (1) | KR100990845B1 (ja) |
CN (1) | CN101490816B (ja) |
TW (1) | TWI444107B (ja) |
WO (1) | WO2008004528A1 (ja) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5222598B2 (ja) * | 2008-03-25 | 2013-06-26 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び給電棒 |
US8158017B2 (en) | 2008-05-12 | 2012-04-17 | Lam Research Corporation | Detection of arcing events in wafer plasma processing through monitoring of trace gas concentrations |
US8849585B2 (en) | 2008-06-26 | 2014-09-30 | Lam Research Corporation | Methods for automatically characterizing a plasma |
KR101606736B1 (ko) | 2008-07-07 | 2016-03-28 | 램 리써치 코포레이션 | 플라즈마 프로세싱 챔버에서 플라즈마 불안정성을 검출하기 위한 패시브 용량성-결합된 정전식 (cce) 프로브 장치 |
TWI511622B (zh) * | 2008-07-07 | 2015-12-01 | Lam Res Corp | 用來偵測電漿處理腔室中之原位電弧事件的被動電容耦合靜電探針裝置 |
US8164349B2 (en) | 2008-07-07 | 2012-04-24 | Lam Research Corporation | Capacitively-coupled electrostatic (CCE) probe arrangement for detecting strike step in a plasma processing chamber and methods thereof |
TWI494030B (zh) | 2008-07-07 | 2015-07-21 | Lam Res Corp | 供使用於電漿處理腔室中之含真空間隙的面向電漿之探針裝置 |
US8780522B2 (en) | 2008-07-07 | 2014-07-15 | Lam Research Corporation | Capacitively-coupled electrostatic (CCE) probe arrangement for detecting dechucking in a plasma processing chamber and methods thereof |
JP5643198B2 (ja) | 2008-07-07 | 2014-12-17 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | プラズマ処理チャンバ内の膜を特徴付けるためのrfバイアス容量結合静電(rfb−cce)プローブ構成、それに関連する方法、及び、その方法を実行するコードを格納するプログラム格納媒体 |
JP2010250959A (ja) | 2009-04-10 | 2010-11-04 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
US8650002B2 (en) * | 2009-06-30 | 2014-02-11 | Lam Research Corporation | Determining plasma processing system readiness without generating plasma |
JP5363213B2 (ja) * | 2009-06-30 | 2013-12-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 異常検出システム、異常検出方法、記憶媒体及び基板処理装置 |
KR20120041427A (ko) * | 2010-10-21 | 2012-05-02 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 진단장치 및 그 제어방법 |
KR101843443B1 (ko) | 2011-10-19 | 2018-05-15 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 설비 및 그의 관리방법 |
JP6004392B2 (ja) * | 2012-05-16 | 2016-10-05 | 学校法人東京理科大学 | 燃焼器への燃料供給を制御する装置及び方法、並びに観測装置及び観測方法 |
CN102707205A (zh) * | 2012-06-06 | 2012-10-03 | 扬州新扬开关设备有限公司 | 一种高压开关柜的安全报警装置 |
JP6586725B2 (ja) | 2014-03-18 | 2019-10-09 | 株式会社リコー | 印刷装置、印刷システム、印刷物の製造方法、およびプログラム |
CN104156339B (zh) * | 2014-08-14 | 2015-08-26 | 石家庄铁道大学 | 一种利用二次排列熵识别周期微弱脉冲信号的方法 |
JP6695190B2 (ja) * | 2016-03-29 | 2020-05-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 異常検知システム及び制御ボード |
JP7229253B2 (ja) * | 2018-08-10 | 2023-02-27 | 住友重機械工業株式会社 | 異常監視装置、異常監視方法、異常監視プログラム及び異常監視装置を備えたボイラ |
JP6638788B1 (ja) * | 2018-09-28 | 2020-01-29 | ダイキン工業株式会社 | 輸送用冷凍装置の異常判定装置、この異常判定装置を備えた輸送用冷凍装置、及び輸送用冷凍装置の異常判定方法 |
JP6841980B2 (ja) * | 2019-07-30 | 2021-03-10 | 株式会社日立ハイテク | 装置診断装置、プラズマ処理装置及び装置診断方法 |
WO2021065295A1 (ja) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理の異常判定システムおよび異常判定方法 |
JP7248821B2 (ja) * | 2019-12-24 | 2023-03-29 | 株式会社Fuji | プラズマ装置 |
CN113850808B (zh) * | 2021-12-01 | 2022-03-22 | 武汉泰盛包装材料有限公司 | 基于图像处理的多层瓦楞纸排列缺陷检测方法及装置 |
US11573635B1 (en) | 2022-01-04 | 2023-02-07 | United Arab Emirates University | Face mask for accurate location of sensors relative to a users face, a communication enabling face mask and a communication system including the face mask |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6046434A (ja) | 1983-08-25 | 1985-03-13 | Toshiba Corp | 温度検出装置 |
JP2001066194A (ja) | 1999-08-27 | 2001-03-16 | Nec Kyushu Ltd | 温度測定装置 |
TW505939B (en) * | 2000-03-28 | 2002-10-11 | Kumamoto Technopolis Foundatio | Apparatus for detecting plasma anomalous discharge and method of detecting the same |
JP2002134484A (ja) * | 2000-10-19 | 2002-05-10 | Asm Japan Kk | 半導体基板保持装置 |
JP3791590B2 (ja) | 2000-12-01 | 2006-06-28 | 株式会社山武 | 非接触温度測定装置 |
JP3541359B2 (ja) * | 2001-09-19 | 2004-07-07 | 独立行政法人 科学技術振興機構 | 超音波プローブの一部を内蔵した基板載置台及び超音波プローブ貫通孔の密閉装置 |
JP3653667B2 (ja) * | 2001-12-04 | 2005-06-02 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 異常放電検出装置、異常放電検出方法、及び、プラズマ処理装置 |
JP2003273009A (ja) | 2002-01-08 | 2003-09-26 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP2004047885A (ja) * | 2002-07-15 | 2004-02-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置のモニタリングシステム及びモニタリング方法 |
JP3838208B2 (ja) | 2002-08-12 | 2006-10-25 | ソニー株式会社 | 半導体ウェハの熱処理装置および方法 |
US7151366B2 (en) | 2002-12-03 | 2006-12-19 | Sensarray Corporation | Integrated process condition sensing wafer and data analysis system |
JP4286025B2 (ja) * | 2003-03-03 | 2009-06-24 | 川崎マイクロエレクトロニクス株式会社 | 石英治具の再生方法、再生使用方法および半導体装置の製造方法 |
US7115210B2 (en) * | 2004-02-02 | 2006-10-03 | International Business Machines Corporation | Measurement to determine plasma leakage |
US7292045B2 (en) * | 2004-09-04 | 2007-11-06 | Applied Materials, Inc. | Detection and suppression of electrical arcing |
JP4673601B2 (ja) * | 2004-10-27 | 2011-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US20060275931A1 (en) * | 2005-05-20 | 2006-12-07 | Asm Japan K.K. | Technology of detecting abnormal operation of plasma process |
-
2006
- 2006-07-03 JP JP2006183886A patent/JP4754419B2/ja active Active
-
2007
- 2007-07-02 WO PCT/JP2007/063254 patent/WO2008004528A1/ja active Application Filing
- 2007-07-02 US US12/089,664 patent/US8082124B2/en active Active
- 2007-07-02 KR KR1020087031948A patent/KR100990845B1/ko active IP Right Grant
- 2007-07-02 CN CN2007800250768A patent/CN101490816B/zh active Active
- 2007-07-03 TW TW096124260A patent/TWI444107B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101490816B (zh) | 2011-06-22 |
WO2008004528A1 (fr) | 2008-01-10 |
US20100161278A1 (en) | 2010-06-24 |
US8082124B2 (en) | 2011-12-20 |
TWI444107B (zh) | 2014-07-01 |
TW200818994A (en) | 2008-04-16 |
CN101490816A (zh) | 2009-07-22 |
KR100990845B1 (ko) | 2010-10-29 |
JP2008016517A (ja) | 2008-01-24 |
KR20090056936A (ko) | 2009-06-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4754419B2 (ja) | プラズマ異常放電診断方法、プラズマ異常放電診断システム及びコンピュータプログラム | |
US11029347B2 (en) | Electronics equipment testing apparatus and method utilizing unintended RF emission features | |
US7653235B2 (en) | Surface anomaly detection system and method | |
Ahn et al. | Artificial intelligence-based machine learning considering flow and temperature of the pipeline for leak early detection using acoustic emission | |
US8751196B2 (en) | Abnormality detection system, abnormality detection method, recording medium, and substrate processing apparatus | |
US20170356771A1 (en) | Selective Decimation and Analysis of Oversampled Data | |
US20130148817A1 (en) | Abnormality detection apparatus for periodic driving system, processing apparatus including periodic driving system, abnormality detection method for periodic driving system, and computer program | |
US20050055175A1 (en) | Industrial process fault detection using principal component analysis | |
WO2008004457A1 (fr) | Procédé de diagnostic d'installation, système de diagnostic d'installation, et programme d'ordinateur | |
JP2002509324A (ja) | センサおよびプロセスの超高感度監視 | |
Gupta et al. | Real-time fatigue life estimation in mechanical structures | |
KR102181418B1 (ko) | 교번적인 실패 모드의 공칭 특성을 레버리징하는 것에 의한 패턴 이상 발견 | |
TW558789B (en) | Semiconductor processing device and diagnostic method of semiconductor processing device | |
EP3189969B1 (en) | Malfunction diagnosing apparatus, malfunction diagnosing method, and carrier means | |
US10928436B2 (en) | Evaluation of phase-resolved partial discharge | |
JP2023011029A (ja) | リアルタイム電圧監視を用いたプラズマガン診断 | |
WO2019230040A1 (ja) | 予兆データサーバ及びx線厚み測定システム | |
TW202215483A (zh) | 事件監視和特徵化 | |
US7949497B2 (en) | Machine condition monitoring using discontinuity detection | |
JP2024052904A (ja) | 信号処理 | |
JP2010266327A (ja) | 設備診断装置及び設備診断方法 | |
Lu et al. | Damage detection using piezoelectric transducers and the Lamb wave approach: II. Robust and quantitative decision making | |
Hashimoto et al. | Anomaly detection for sensor data of semiconductor manufacturing equipment using a GAN | |
CN112505501B (zh) | 一种基于电声联合的局部放电严重等级判别及预警方法 | |
JP2007292700A (ja) | 静止誘導機器の部分放電位置特定方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081205 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110405 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110427 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110524 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110525 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140603 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4754419 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140603 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |