JP2003273009A - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板周囲の環境を全体的に分析し、より精密
な線幅制御及びレジスト膜厚制御を行うことができる基
板処理方法及び基板処理装置を提供すること。 【解決手段】 レジストパターンを形成する際に影響を
及ぼす基板周囲の環境条件として例えば、装置内の温度
や気圧、湿度あるいは装置内の搬送時間等のパラメータ
を抽出し、これら抽出された複数のパラメータのうち、
所望のレジストパターンを形成するときの正常データ値
のみを収集する（ステップ１１）。これら正常データ値
に対して主成分分析技術を用いて少なくとも２つの主成
分を求める（ステップ１２）ことにより正常領域を作成
する（ステップ１３）。この作成された正常領域を、実
際に製品として基板上にレジストパターンを形成する際
の指標として用いることにより、レジストパターンが正
常であるか否かを容易に判断することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
製造において、特にフォトリソグラフィ工程において半
導体基板上に所望のレジストパターンを形成する基板処
理方法及び基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造におけるフォトリ
ソグラフィ工程においては、半導体ウェハ（以下、「ウ
ェハ」という。）の表面にレジスト膜を形成した後、こ
れを所定のパターンに露光し、さらに現像処理すること
により所望のレジストパターンを形成している。

【０００３】このようなフォトリソグラフィ工程は、従
来から、ウェハを回転させて遠心力によりレジスト液の
塗布を行うレジスト塗布処理ユニットや、ウェハに現像
液を供給して現像処理する現像処理ユニット等を有する
塗布現像処理装置と、この装置に連続して一体に設けら
れた露光装置とにより行われている。また、このような
塗布現像処理装置は、例えばレジスト膜を形成した後、
あるいは現像処理の前後に、ウェハに対し加熱処理や冷
却処理等の熱的処理を行う加熱処理ユニットや冷却処理
ユニットを有しており、更に、これら各処理ユニット間
でウェハの搬送を行う搬送ロボット等を有している。

【０００４】ところで、近年、レジストパターンの微細
化はよりいっそう進行しており、例えばレジストパター
ンの線幅についてはより精密な管理を行うことが要求さ
れている。また、レジスト膜厚はレジストパターンの形
状に大きな影響を与えるため、このレジスト膜厚の管理
も精密に行うことが要求されている。従って、上記塗布
現像処理装置においては、例えば線幅や膜厚の変動に影
響を及ぼすおそれがある上記加熱処理ユニットにおける
温度、現像処理における現像時間等を、各ユニットごと
に厳しく管理している（例えば、特許文献１参照。）。

【０００５】

【特許文献１】特開平１０−２７５７５５号公報（段落
[００８１]等）。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな各ユニットの厳しい管理の下であっても、当該各ユ
ニットごとの処理条件に相関がある場合には、上記各ユ
ニットごとのそれぞれ独立した管理は有効でない。

【０００７】また、レジストパターンの線幅やレジスト
膜厚は、塗布現像処理装置内においてウェハ周囲の環
境、例えば、各処理ユニットに搬入されるまでの搬送時
間、装置内の温度若しくは湿度、あるいは装置内の気流
の流れ等によっても影響を受けるため、これらの環境を
考慮してないこれまでの管理では、より精密な線幅等の
制御を行うことはできない。

【０００８】以上のような事情に鑑み、本発明の目的
は、これら基板周囲の環境を全体的に分析し、より精密
な線幅制御及びレジスト膜厚制御を行うことができる基
板処理方法及び基板処理装置を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る基板処理方法は、基板上にレジスト膜
を形成して露光処理及び現像処理を行うことにより、所
望のレジストパターンを形成する基板処理方法におい
て、前記レジストパターンを形成する際に関与する複数
のパラメータを抽出し、これらパラメータのうち、前記
所望のレジストパターンの形成に寄与する正常データ値
を収集する工程と、前記正常データ値に基づき少なくと
も２つの主成分を求め、所望のレジストパターンを形成
する際の指標となる正常領域を作成する工程とを具備す
る。

【００１０】本発明は、先ずレジストパターンを形成す
る際に影響を及ぼす基板周囲の環境条件として例えば、
装置内の温度や気圧、湿度あるいは装置内の搬送時間等
のパラメータを抽出し、これら抽出された複数のパラメ
ータのうち、所望のレジストパターンを形成するときの
正常データ値のみを収集する。そしてこれら正常データ
値に対して主成分分析技術を用いて少なくとも２つの主
成分（直行する２つの直線で表すことができる）を求め
ることにより正常領域を作成する。この作成された正常
領域を、実際に製品として基板上にレジストパターンを
形成する際の指標として用いることにより、レジストパ
ターンが正常であるか否かを容易に判断することができ
る。ここで、前記複数のパラメータは、レジストの膜
厚、又はレジストパターンの線幅に関するものであり、
これらの変動要因パラメータである。

【００１１】また、これまで各ユニットごとに独立的に
制御していた処理条件に何らかの相関がある場合であっ
ても、本発明のように、所望のレジストパターンの形成
の際に影響を与える様々なパラメータを総合的に圧縮し
て管理することにより、より高精度な管理の下でレジス
トパターンを形成することができ、精密な形状を有する
所望のレジストパターンの形成を行うことができる。

【００１２】本発明の一の形態によれば、少なくとも前
記レジスト膜の形成及び現像処理を１つの装置内で行
い、前記露光処理終了後現像処理前に、基板に対し第１
の熱的処理を行う工程と、前記レジスト膜の形成後露光
処理前に、基板に対し第２の熱的処理を行う工程とを更
に具備し、前記線幅の変動要因パラメータは、少なくと
も、前記露光処理終了後から前記第１の熱的処理が開始
されるまでの時間と、前記第２の熱的処理後の基板の待
機時間と、前記装置内の温度と、装置内の気圧とを含
む。これらのパラメータは、レジストパターンの線幅及
びレジスト膜厚のうち、特に線幅の変動に影響を及ぼす
と考えられるため、容易かつ高精度に線幅の管理を行う
ことができる。

【００１３】また、前記複数のパラメータは、前記線幅
の変動要因パラメータは、前記現像の時間、又は、第１
の熱的処理の温度を更に含む。この現像時間、第１の熱
的処理の温度は、ともに線幅の制御に大きな影響を及ぼ
すパラメータであるので、これらのデータを採り入れる
ことにより、容易かつ高精度に線幅の管理を行うことが
できる。

【００１４】本発明の一の形態によれば、前記レジスト
膜の形成は、基板を容器内で回転させることによりレジ
スト膜を形成するものであって、前記膜厚の変動要因パ
ラメータは、少なくとも、レジスト膜形成時における気
圧と、前記容器の温度と、湿度とを含む。これらのパラ
メータは、レジストパターンの線幅及びレジスト膜厚の
うち、特にレジスト膜厚の変動に影響を及ぼすと考えら
れるため、容易かつ高精度にレジスト膜厚の管理を行う
ことができる。

【００１５】本発明の一の形態によれば、前記膜厚の変
動要因パラメータは、前記基板の回転数、又は、第２の
熱的処理の温度を更に含む。この基板の回転数、第２の
熱的処理の温度は、ともに膜厚の制御に大きな影響を及
ぼすパラメータであるので、これらのデータを取り入れ
ることにより、容易かつ高精度に膜厚の管理を行うこと
ができる。

【００１６】本発明の一の形態によれば、前記正常領域
内にないデータの個数が所定数より多いとき、レジスト
パターンの形成状況が異常であるものとみなす工程を更
に具備する。このようにレジストパターンの形成状況が
異常であるものとみなされた場合、例えば、警告ブザー
や警告灯、あるいは操作ディスプレイ上の警告表示等を
用いて警告することができ、またこのように警告する場
合には、処理を停止する等して不良基板を削減すること
ができる。

【００１７】本発明の一の形態によれば、前記正常領域
内にないデータの、当該正常領域に対する相対位置関係
を求める工程と、前記相対位置関係に基づき前記異常の
原因を追求する工程とを更に具備する。このように、正
常領域内にないデータと正常領域との相対位置関係を求
めることにより、基板不良の原因となるパラメータや依
存度等を容易に把握することができ、問題に対する迅速
な対処が可能となる。

【００１８】本発明の一の形態によれば、前記線幅の変
動要因パラメータは、前記露光処理時における露光量を
含む。露光量は線幅の制御に大きな影響を及ぼすパラメ
ータであるので、このデータを採り入れることにより、
容易かつ高精度に線幅の管理を行うことができる。

【００１９】本発明の基板処理方法は、（ａ）基板上に
所望のレジストパターンを形成する際に関与する複数の
パラメータに基づき多変量解析を行う工程と、（ｂ）前
記多変量解析による解析データに基づき、実際に基板上
に形成されたレジストパターンが正常であるか否かの判
断を行う工程とを具備する。

【００２０】本発明では、レジストパターンを形成する
際に影響を及ぼす基板周囲の環境条件として例えば、装
置内の温度や気圧、湿度あるいは装置内の搬送時間等の
パラメータに基づき多変量解析を行う。従来において各
ユニットごとに独立的に制御していた処理条件に何らか
の相関がある場合があったが、本発明では所望のレジス
トパターンの形成の際に影響を与える様々なパラメータ
を総合的に圧縮して管理することにより、高精度な管理
の下でレジストパターンを形成することができ、精密な
形状を有する所望のレジストパターンの形成を行うこと
ができる。

【００２１】本発明において、前記複数のパラメータ
は、基板上に形成されたレジスト膜の膜厚、又はレジス
トパターンの線幅の変動要因パラメータである。

【００２２】本発明において、前記工程（ａ）は、
（ｃ）主成分分析を行う工程を具備する。例えば、前記
複数のパラメータのうち所望のレジストパターンの形成
に寄与する正常データ値を収集する工程を更に具備し、
前記工程（ｃ）は、前記正常データ値に基づき少なくと
も２つの主成分を求め、所望のレジストパターンを形成
する際の指標となる正常領域を作成する工程を具備する
とともに、前記工程（ｂ）は、前記正常領域に基づき基
板上に形成されたレジストパターンが正常であるか否か
の判断を行う工程と具備する。本発明では、作成された
正常領域を、例えば実際に製品として基板上にレジスト
パターンを形成する際の指標として用いることで、レジ
ストパターンが正常であるか否かを容易に判断すること
ができる。ここでいうレジストパターンとは現像処理後
に最終的に形成されるレジストのパターンであり、レジ
スト膜厚を所望の値に形成することも所望のレジストパ
ターンを形成することに含まれるものとする。

【００２３】本発明の一の形態によれば、（ｄ）判別分
析を行う工程を具備する。例えば、前記複数のパラメー
タのうち所望のレジストパターンの形成に寄与する正常
データ値を収集する工程を更に具備し、前記工程（ｄ）
は、前記正常データ値に基づきマハラノビスの基準空間
を作成する工程を具備するとともに、前記工程（ｂ）
は、前記マハラノビスの基準空間に基づき基板上に形成
されたレジストパターンが正常であるか否かの判断を行
う工程と具備する。本発明では、算出されたマハラノビ
スの基準空間を、例えば実際に製品として基板上にレジ
ストパターンを形成する際の指標として用いることで、
レジストパターンが正常であるか否かを容易に判断する
ことができる。

【００２４】本発明の基板処理方法は、（ａ）基板上に
所望のレジスト膜を形成する際に関与する複数のパラメ
ータに基づき多変量解析を行う工程と、（ｂ）前記多変
量解析による解析データに基づき、実際に基板上に形成
されたレジストの膜厚が正常であるか否かの判断を行う
工程とを具備する。

【００２５】本発明では、各ユニットごとに独立的に制
御していた処理条件に何らかの相関がある場合があって
も、所望のレジスト膜の形成の際に影響を与える様々な
パラメータを総合的に圧縮して管理することにより、高
精度な管理の下でレジスト膜を形成することができ、精
密な形状を有する所望のレジスト膜の形成を行うことが
できる。

【００２６】本発明に係る基板処理装置は、基板上にレ
ジスト膜を形成して該基板を露光装置に受け渡し、該露
光装置から受け取った基板に現像処理を行うことによ
り、所望のレジストパターンを形成する基板処理装置に
おいて、前記レジストパターンを形成する際に関与する
複数のパラメータを抽出し、これらパラメータのうち、
前記所望のレジストパターンの形成に寄与する正常デー
タ値を収集する手段と、前記正常データ値に基づき少な
くとも２つの主成分を求め、所望のレジストパターンを
形成する際の指標となる正常領域を作成する手段とを具
備する。

【００２７】本発明の基板処理装置は、基板上に所望の
レジストパターンを形成する際に関与する複数のパラメ
ータに基づき多変量解析を行う多変量解析手段と、前記
多変量解析による解析データに基づき、実際に基板上に
形成されたレジストパターンが正常であるか否かの判断
を行う判断手段とを具備する。

【００２８】本発明の基板処理装置は、基板上に所望の
レジスト膜を形成する際に関与する複数のパラメータに
基づき多変量解析を行う多変量解析手段と、前記多変量
解析による解析データに基づき、実際に基板上に形成さ
れたレジストの膜厚が正常であるか否かの判断を行う判
断手段とを具備する。

【００２９】本発明の更なる特徴と利点は、添付した図
面及び発明の実施の形態の説明を参酌することにより一
層明らかになる。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき説明する。

【００３１】図１〜図３は本発明の一実施形態に係る塗
布現像処理装置の全体構成を示す図であって、図１は平
面図、図２及び図３は正面図及び背面図である。

【００３２】この塗布現像処理装置１は、被処理基板と
して半導体ウェハＷをウェハカセットＣＲで複数枚たと
えば２５枚単位で外部から装置１に搬入し又は装置１か
ら搬出したり、ウェハカセットＣＲに対してウェハＷを
搬入・搬出したりするためのカセットステーション１０
と、塗布現像工程の中で１枚ずつウェハＷに所定の処理
を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置に多段配置
してなる処理ステーション１２と、この処理ステーショ
ン１２と隣接して設けられる露光装置１００との間でウ
ェハＷを受け渡しするためのインターフェース部１４と
を一体に接続した構成を有している。

【００３３】カセットステーション１０では、図１に示
すように、カセット載置台２０上の突起２０ａの位置に
複数、例えば５個のウェハカセットＣＲがそれぞれのウ
ェハ出入口を処理ステーション１２側に向けてＸ方向一
列に載置され、カセット配列方向（Ｘ方向）およびウェ
ハカセットＣＲ内に収納されたウェハのウェハ配列方向
（Ｚ方向）に移動可能なウェハ搬送体２２が各ウェハカ
セットＣＲに選択的にアクセスするようになっている。
さらに、このウェハ搬送体２２は、θ方向に回転可能に
構成されており、図３に示すように後述する多段構成と
された第３の処理ユニット部Ｇ３に属する熱処理系ユニ
ットにもアクセスできるようになっている。

【００３４】図１に示すように処理ステーション１２
は、装置背面側（図中上方）において、カセットステー
ション１０側から第３の処理ユニット部Ｇ３、第４の処
理ユニット部Ｇ４及び第５の処理ユニット部Ｇ５がそれ
ぞれ配置され、これら第３の処理ユニット部Ｇ３と第４
の処理ユニット部Ｇ４との間には、一実施形態に係る第
１の主ウェハ搬送装置Ａ１が設けられている。この第１
の主ウェハ搬送装置Ａ１は、後述するように、この第１
の主ウェハ搬送体１６が第１の処理ユニット部Ｇ１、第
３の処理ユニット部Ｇ３及び第４の処理ユニット部Ｇ４
等に選択的にアクセスできるように設置されている。ま
た、第４の処理ユニット部Ｇ４と第５の処理ユニット部
Ｇ５との間には第２の主ウェハ搬送装置Ａ２が設けら
れ、第２の主ウェハ搬送装置Ａ２は、第１と同様に、第
２の主ウェハ搬送体１７が第２の処理ユニット部Ｇ２、
第４の処理ユニット部Ｇ４及び第５の処理ユニット部Ｇ
５等に選択的にアクセスできるように設置されている。

【００３５】また、第１の主ウェハ搬送装置Ａ１の背面
側には熱処理ユニットが設置されており、例えばウェハ
Ｗを疎水化処理するためのアドヒージョンユニット（Ａ
Ｄ）１１０、ウェハＷを加熱する加熱ユニット（ＨＰ）
１１３が図３に示すように下方から順に２段ずつ重ねら
れている。なお、アドヒージョンユニット（ＡＤ）はウ
ェハＷを温調する機構を更に有する構成としてもよい。
第２の主ウェハ搬送装置Ａ２の背面側には、ウェハＷの
エッジ部のみを選択的に露光する周辺露光装置（ＷＥ
Ｅ）１２０、ウェハＷに塗布されたレジスト膜厚を検査
する膜厚検査装置１１９及びレジストパターンの線幅を
検査する線幅検査装置１１８が多段に設けられている。
これら膜厚検査装置１１９及び線幅検査装置１１８は、
このように塗布現像処理装置１内に設けなくても装置外
に設けるようにしてよい。また、第２の主ウェハ搬送装
置Ａ２の背面側は、第１の主ウェハ搬送装置Ａ１の背面
側と同様に熱処理ユニット（ＨＰ）１１３が配置構成さ
れる場合もある。

【００３６】図３に示すように、第３の処理ユニット部
Ｇ３では、ウェハＷを載置台に載せて所定の処理を行う
オーブン型の処理ユニット、例えばウェハＷに所定の加
熱処理を施す高温度加熱処理ユニット（ＢＡＫＥ）、ウ
ェハＷに精度の良い温度管理化で冷却処理を施す冷却処
理ユニット（ＣＰＬ）、ウェハ搬送体２２から主ウェハ
搬送体１６へのウェハＷの受け渡し部となるトランジシ
ョンユニット（ＴＲＳ）、上下２段にそれぞれ受け渡し
部と冷却部とに分かれて配設された受け渡し・冷却処理
ユニット（ＴＣＰ）が上から順に例えば１０段に重ねら
れている。なお、第３の処理ユニット部Ｇ３において、
本実施形態では下から３段目はスペアの空間として設け
られている。第４の処理ユニット部Ｇ４でも、例えばポ
ストベーキングユニット（ＰＯＳＴ）、ウェハ受け渡し
部となるトランジションユニット(ＴＲＳ)、第２の熱的
処理としてレジスト膜形成後のウェハＷに加熱処理を施
すプリベーキングユニット（ＰＡＢ）、同じく第２の熱
的処理としての冷却処理ユニット（ＣＰＬ）が上から順
に例えば１０段に重ねられている。更に第５の処理ユニ
ット部Ｇ５でも、例えば、第１の熱的処理として露光後
のウェハＷに加熱処理を施すためのポストエクスポージ
ャーベーキングユニット（ＰＥＢ）、同じく第１の熱的
処理としての冷却処理ユニット（ＣＰＬ）、ウェハＷの
受け渡し部となるトランジションユニット(ＴＲＳ)が例
えば上から順に１０段に重ねられている。

【００３７】図１において処理ステーション１２の装置
正面側（図中下方）には、第１の処理ユニット部Ｇ１と
第２の処理ユニット部Ｇ２とがＹ方向に併設されてい
る。この第１の処理ユニット部Ｇ１とカセットステーシ
ョン１０との間及び第２の処理ユニット部Ｇ２とインタ
ーフェース部１４との間には、各処理ユニット部Ｇ１及
びＧ２で供給する処理液の温調に使用される液温調ポン
プ２４，２５がそれぞれ設けられており、更に、この塗
布現像処理装置１外に設けられた図示しない空調器から
の清浄な空気を各処理ユニット部Ｇ１〜Ｇ５内部に供給
するためのダクト３１、３２が設けられている。

【００３８】図２に示すように、第１の処理ユニット部
Ｇ１では、カップＣＰ内でウェハＷをスピンチャックに
載せて所定の処理を行う５台のスピナ型処理ユニット、
例えば、レジスト膜形成部としてのレジスト塗布処理ユ
ニット（ＣＯＴ）が３段及び露光時の光の反射を防止す
るために反射防止膜を形成するボトムコーティングユニ
ット（ＢＡＲＣ）が２段、下方から順に５段に重ねられ
ている。また第２の処理ユニット部Ｇ２でも同様に、５
台のスピナ型処理ユニット、例えば現像処理部としての
現像処理ユニット（ＤＥＶ）が５段に重ねられている。
レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）ではレジスト液の
排液が機構的にもメンテナンスの上でも面倒であること
から、このように下段に配置するのが好ましい。しか
し、必要に応じて上段に配置することも可能である。

【００３９】また、第１及び第２の処理ユニット部Ｇ１
及びＧ２の最下段には、各処理ユニット部Ｇ１及びＧ２
に上述した所定の処理液を供給するケミカル室（ＣＨ
Ｍ）２６，２７がそれぞれ設けられている。

【００４０】更に、処理ステーション１２には、この処
理ステーション１２内の温度及び気圧を測定する例えば
４つの温度・気圧センサＳａ，Ｓｂ，Ｓｃ，Ｓｄが備え
られている。この４つの温度・気圧センサＳａ，Ｓｂ，
Ｓｃ，Ｓｄによる測定結果の例えば平均値を採ることに
より、より高精度な温度及び気圧の管理を行うことがで
きる。

【００４１】インターフェース部１４の正面部には可搬
性のピックアップカセットＣＲと定置型のバッファカセ
ットＢＲが２段に配置され、中央部にはウェハ搬送体２
７が設けられている。このウェハ搬送体２７は、Ｘ，Ｚ
方向に移動して両カセットＣＲ，ＢＲにアクセスするよ
うになっている。また、ウェハ搬送体２７は、θ方向に
回転可能に構成され、第５の処理ユニット部Ｇ５にもア
クセスできるようになっている。更に、図３に示すよう
にインターフェース部１４の背面部には、高精度冷却処
理ユニット（ＣＰＬ）が複数設けられ、例えば上下２段
とされている。ウェハ搬送体２７はこの冷却処理ユニッ
ト（ＣＰＬ）にもアクセス可能になっている。

【００４２】図４は本発明の一実施形態に係る第１の主
ウェハ搬送装置Ａ１を示す斜視図である。なお、第２の
主ウェハ搬送装置Ａ２は第１の主ウェハ搬送装置Ａ１と
同一であるのでその説明を省略する。

【００４３】図１に示すように、主ウェハ搬送装置Ａ１
は筐体４１に囲繞されており、パーティクルの侵入を防
止している。図４において説明をわかりやすくするた
め、筐体４１の図示を省略している。

【００４４】図４に示すように、この主ウェハ搬送装置
Ａ１の両端にはポール３３が垂設されており、主ウェハ
搬送体１６（１７）がこのポール３３に沿って垂直方向
（Ｚ方向）に移動可能に配置されている。主ウェハ搬送
体１６における搬送基台５５にはウェハＷを保持する３
つのピンセット７ａ〜７ｃが備えられており、これらピ
ンセット７ａ〜７ｃは搬送基台５５に内蔵された図示し
ない駆動機構により、水平方向に移動可能に構成されて
いる。搬送基台５５の下部には、この搬送基台５５を支
持する支持体４５が、θ方向に回転可能な回転部材４６
を介して接続されている。これにより、ウェハ搬送体１
６はθ方向に回転可能となっている。支持体４５にはフ
ランジ部４５ａが形成され、このフランジ部４５ａがポ
ール３３に設けられた溝３３ａに摺動可能に係合してお
り、このポール３３に内蔵されたベルト駆動機構により
スライド可能に設けられている。これにより、主ウェハ
搬送体１６がこのポール３３に沿って垂直方向に移動可
能となっている。

【００４５】なお、主ウェハ搬送装置Ａ１の底部には、
この搬送装置Ａ１内部の気圧及び温湿度をコントロール
するファン３６が例えば４つ設けられている。

【００４６】図５は、この塗布現像処理装置１の清浄空
気の流れを示している。図５において、カセットステー
ション１０，処理ステーション１２およびインターフェ
ース部１４の上方にはエア供給室１０ａ，１２ａ，１４
ａが設けられており、エア供給室１０ａ，１２ａ，１４
ａの下面に防塵機能付きフィルタ例えばＵＬＰＡフィル
タ１０１，１０２，１０３が取り付けられている。各エ
ア供給室のＵＬＰＡフィルタ１０１，１０２，１０３よ
り清浄な空気がダウンフローで各部１０，１２，１４に
供給され、これらエア供給室から処理ユニットへダウン
フローで供給されるようになっている。このダウンフロ
ーの空気は上述したダクト３１及び３２から矢印方向
（上向き）に供給される。

【００４７】また、液供給系ユニット部（Ｇ１、Ｇ２）
のそれぞれ各ユニット全てにおいてこれらの上方にそれ
ぞれファン・フィルタユニットＦが取り付けられ、それ
ぞれ気圧を計測する気圧センサＳ１が設けられている。
このファン・フィルタユニットＦは、例えばＵＬＰＡフ
ィルタと図示しない小型のファンとを有している。一
方、第３〜第５の処理ユニット部Ｇ３〜Ｇ５における各
ユニット、第１、第２の主ウェハ搬送装置Ａ１，Ａ２に
も図示しないが同様のセンサが設けられている。

【００４８】図６及び図7は、本発明の一実施形態に係
るレジスト膜形成部としてのレジスト塗布処理ユニット
（ＣＯＴ）を示す平面図及び断面図である。

【００４９】このユニットでは、前述したように筐体４
１’の上方にファン・フィルタユニットＦが取り付けら
れており、下方においては筐体４１’のＹ方向の幅より
小さいユニット底板１５１の中央付近に環状のカップＣ
Ｐが配設され、その内側にスピンチャック１４２が配置
されている。このスピンチャック１４２は真空吸着によ
ってウェハＷを固定保持した状態で、駆動モータ１４３
の回転駆動力で回転するように構成されている。駆動モ
ータ１４３は回転数コントローラ３４の制御によりその
回転数が制御されるようになっている。

【００５０】カップＣＰの中には、ウェハＷを受け渡し
する際のピン１４８が駆動装置１４７により昇降可能に
設けられている。これにより、開閉可能に設けられたシ
ャッタ４３が開いている間に、開口部４１'ａを介して
ピンセット７ａとの間でウェハの受け渡しが可能とな
る。またカップＣＰ底部には、廃液用のドレイン口１４
５が設けられている。このドレイン口１４５に廃液管１
４１が接続され、この廃液管１４１はユニット底板１５
１と筐体４１’との間の空間Ｎを利用して下方の図示し
ない廃液口へ通じている。

【００５１】図６に示すように、ウェハＷの表面にレジ
ストを供給するためのノズル１３５は、供給管１３４を
介してケミカル室（ＣＨＭ）２６（図２）内の液供給機
構（図示せず）に接続されている。ノズル１３５は、カ
ップＣＰの外側に配設されたノズル待機部１４６でノズ
ルスキャンアーム１３６の先端部に着脱可能に取り付け
られ、スピンチャック１４２の上方に設定された所定の
レジスト吐出位置まで移送されるようになっている。ノ
ズルスキャンアーム１３６は、ユニット底板１５１の上
に一方向（Ｙ方向）に敷設されたガイドレール１４４上
で水平移動可能な垂直支持部材１４９の上端部に取り付
けられており、図示しないＹ方向駆動機構によって垂直
支持部材１４９と一体にＹ方向で移動するようになって
いる。

【００５２】ノズルスキャンアーム１３６は、ノズル待
機部１４６でノズル１３５をレジストの種類に応じて選
択的に取り付けるためにＹ方向と直角なＸ方向にも移動
可能であり、図示しないＸ方向駆動機構によってＸ方向
にも移動するようになっている。ここで、レジストの種
類については、例えばレジストの濃度や粘度等の相違に
より種類が異なる。

【００５３】更にカップＣＰとノズル待機部１４６との
間には、ドレインカップ１３８が設けられており、この
位置においてウェハＷに対するレジストの供給に先立ち
ノズル１３５の洗浄が行われるようになっている。

【００５４】ガイドレール１４４上には、上記したノズ
ルスキャンアーム１３６を支持する垂直支持部材１４９
だけでなく、リンスノズルスキャンアーム１３９を支持
しＹ方向に移動可能な垂直支持部材も設けられている。
リンスノズルスキャンアーム１３９の先端部にはサイド
リンス用のリンスノズル１４０が取り付けられている。
Ｙ方向駆動機構（図示せず）によってリンスノズルスキ
ャンアーム１３９及びリンスノズル１４０は、カップＣ
Ｐの側方に設定されたノズル待機位置と、スピンチャッ
ク１４２に載置されているウェハＷの周縁部真上に設定
されたリンス液吐出位置との間で移動するようになって
いる。

【００５５】このレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）
内には、前述したように気圧ｙ_１[ｈＰａ]を計測する気
圧センサＳ１が設けられており、また、カップの温度ｙ
_２[℃]を計測するカップ温度センサＳ２及びユニット内
の湿度ｙ_３[％]を計測する湿度センサＳ３が設けられて
いる(図１７参照)。

【００５６】図８は、本発明の一実施形態に係る現像処
理ユニット（ＤＥＶ）を示す断面図である。この現像処
理ユニット（ＤＥＶ）は、上記レジスト塗布処理ユニッ
ト（ＣＯＴ）と類似の構成を有しているので、図８にお
いて、上記レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）におけ
る構成と同一のものについては同一の符号を付すものと
し、その説明を省略する。

【００５７】ウェハＷの表面に現像液を供給するための
ノズル１５３は、ウェハＷの直径とほぼ同一長さを有し
ており、図示しないが現像液を吐出する孔が複数形成さ
れている。あるいはスリット状の吐出口が形成されてい
るものノズルでもよい。また、図示しないリンスノズル
もウェハＷ上へ移動可能に設けられている。

【００５８】図９及び図１０は、本発明の一実施形態に
係り、ウェハＷに熱的処理を施すためのプリベーキング
ユニット（ＰＡＢ）、ポストエクスポージャーベーキン
グユニット（ＰＥＢ）の平面図及び断面図である。これ
ら各ベーキングユニットは処理温度が相違するだけであ
る。

【００５９】図９に示すように、これらのユニットは筐
体７５に囲繞されており、処理室３０内において背面側
には、温度コントローラ１３２による制御の下、ウェハ
Ｗを載置させて例えば１００℃前後で加熱処理するため
の加熱板８６が設けられ、正面側には、ウェハＷを載置
させて温調する温調プレート７１が設けられている。

【００６０】加熱板８６は支持体８８に支持されてお
り、この支持体８８の下方部からウェハＷを支持するた
めの昇降ピン８５が昇降シリンダ８２により昇降可能に
設けられている。また、加熱板８６の上部には、加熱処
理の際に加熱板８６を覆う図示しないカバー部材が配置
されている。更に、この加熱板８６には加熱板８６の温
度を計測する温度センサＳ４が設けられており、この計
測データは、所望のレジストパターンを形成する際に関
与するパラメータの１つとして、後述するようにデータ
ベースに蓄積されるようになっている。

【００６１】温調プレート７１の温度調整機構としては
例えば冷却水やペルチェ素子等を使用してウェハＷの温
度を所定の温度、例えば４０℃前後に調整して温度制御
が行われるようになっている。この温調プレート７１
は、図９に示すように切欠き７１ａが形成されており、
この温調プレート７１の下方に埋没している昇降ピン８
４が、昇降シリンダ８１によって温調プレート表面から
出没可能になっている。また、この温調プレート７１に
は、例えばモータ７９ａによりレール７７に沿って移動
可能となっており、これにより、ウェハの温調を行いな
がら加熱板８６に対してウェハの受け渡しが行われるよ
うになっている。

【００６２】また、このプリベーキングユニット（ＰＡ
Ｂ）、ポストエクスポージャーベーキングユニット（Ｐ
ＥＢ）には、気圧コントロールのためのエアの流路７５
ｃが形成されており、この流路７５ｃからのエアはファ
ン８７ａを介して処理室３０に流入されるようになって
いる。また、処理室３０内のエアは両壁面に設けられた
ファン８７ｂにより排気口７５ｄから排気されるように
なっている。

【００６３】更にこの筐体７５の温調プレート側７１の
一方の側面部分には、例えば第４の処理ユニット部Ｇ４
に関しては、第１の主ウェハ搬送装置Ａ１との間でウェ
ハＷの受け渡しを行うために、開口部７５ａが設けられ
ており、他方の側面部分には、第２の主ウェハ搬送装置
Ａ２側の開口部に対向するように開口部７５ｂが設けら
れている。これら開口部７５ａ、７５ｂにはそれぞれ図
示しない駆動部により開閉自在とされたシャッタ７６
ａ、７６ｂが設けられている。

【００６４】なお、冷却処理ユニット（ＣＰＬ）は、図
示しないが例えばウェハＷを載置させ、各加熱処理が施
されたウェハに対し２３℃前後で冷却処理を施す冷却板
を有している。冷却機構としてはペルチェ素子等を用い
ている。

【００６５】図１１は、塗布現像処理装置１を制御する
制御系を示す構成図である。塗布現像処理装置１には、
既述のレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）、現像処理
ユニット（ＤＥＶ）、プリベーキングユニット（ＰＡ
Ｂ）、ポストエクスポージャーベーキングユニット（Ｐ
ＥＢ）及びセンサＳａ〜Ｓｄがバス５に接続されてい
る。図示は省略するが、ポストベーキングユニット（Ｐ
ＯＳＴ）や冷却処理ユニット（ＣＰＬ）等の他のユニッ
ト全て同様にバス５に接続されている。

【００６６】またバス５には制御部３５が接続され、こ
の制御部３５には、例えば各センサ計測データ格納部６
１、ウェハデータ格納部６２、プロセスレシピデータ格
納部６３、線幅モデル格納部６４、膜厚モデル格納部６
５がそれぞれそれぞれ接続されている。

【００６７】各センサ計測データ格納部６１は、上記レ
ジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）内におけるセンサＳ
１〜Ｓ３、またセンサＳａ〜Ｓｄによる計測結果を記憶
する。ウェハデータ格納部６２は、例えばウェハ１枚ご
とに付与された識別子を記憶し、これらウェハが塗布現
像処理装置１内においていずれのユニットにあるか、ま
た、どのような処理がどれだけの時間で行われたかをウ
ェハごとに記憶する。この識別子は、例えばウェハカセ
ットＣＲに多段に収容されたウェハ順、例えばカセット
ＣＲ内の上から順に付すようにすることができる。プロ
セスレシピデータ格納部６３はホストが要求した処理プ
ロセス及びレシピ等、例えば加熱処理温度やレジスト塗
布時における基板の回転数等を記憶する。線幅モデル格
納部６４は、所望のレジストパターンの線幅を得るため
に収集された複数のデータ（パラメータ）を数式にして
記憶している。膜厚モデル格納部６５も同様に所望のレ
ジスト膜厚を得るために収集された複数のデータを数式
にして記憶している。制御部３５では、主に、各センサ
計測データ格納部６１内のセンサデータ、プロセスレシ
ピデータ格納部６３内のデータ等に基づき、線幅又は膜
厚に関する主成分分析を行う。これらの詳細については
後述する。

【００６８】次に、本実施形態の作用を説明する。本実
施形態において、実際の製品ウェハを製造する前段階と
して、上記主成分分析における正常データ領域を作成す
る場合について図１２に示すフローを参照しながら説明
する。

【００６９】先ず、カセットステーション１０におい
て、ウェハ搬送体２２がカセット載置台２０上の処理前
のウェハＷを収容しているカセットＣＲにアクセスし
て、そのカセットＣＲから１枚のウェハＷを取り出す。
そして、次にウェハＷは、受け渡し・冷却処理ユニット
（ＴＣＰ）を介して第１の主搬送装置Ａ１に受け渡さ
れ、ボトムコーティングユニット（ＢＡＲＣ）へ搬送さ
れる。そしてここで、露光時においてウェハからの露光
光の反射を防止するために反射防止膜が形成される（ス
テップ１）。次に、ウェハＷは、第３の処理ユニット部
Ｇ３におけるベーキング処理ユニットに搬送され、例え
ば１２０℃で所定の加熱処理が行われ（ステップ２）、
冷却処理ユニット（ＣＰＬ）で所定の冷却処理が行われ
た後（ステップ３）、ウェハＷは、レジスト塗布処理ユ
ニット（ＣＯＴ）において、所望のレジスト膜が形成さ
れる（ステップ４）。

【００７０】このレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）
では、ウェハＷがカップＣＰの直上位置まで搬送されて
くると、先ず、ピン１４８が上昇してウェハＷを受け取
った後下降して、ウェハＷはスピンチャック１４２上に
載置されて真空吸着される。そしてノズル待機部に待機
していたノズル１３５がウェハＷの中心位置の上方まで
移動する。そしてウェハＷ中心に所定のレジスト液の吐
出が行われた後に、駆動モータ１４３により例えば１０
０ｒｐｍ〜４０００ｒｐｍで回転させて、その遠心力で
レジスト液をウェハＷ全面に拡散させることによりレジ
スト膜の塗布が完了する。

【００７１】レジスト膜が形成されると、第１の主搬送
装置Ａ１によりウェハＷはプリベーキングユニット（Ｐ
ＡＢ）に搬送される。ここでは先ず、図９に示した温調
プレート７１にウェハＷが載置され、ウェハＷは温調さ
れながら加熱板８６側へ移動される。そしてウェハＷは
加熱板８６に載置され、例えば１００℃前後で所定の加
熱処理が行われる。この加熱処理が終了すると、再び温
調プレート７１が加熱板８６側にアクセスしてウェハＷ
が温調プレート７１に受け渡され、温調プレート７１は
図９に示すような元の位置まで移動し、第１の主搬送装
置Ａ１により取り出されるまでウェハＷは待機する（ス
テップ５）。この加熱板８６による加熱処理が終了して
から第１の主搬送装置Ａ１により取り出されるまでの時
間を、プリベーキングユニット（ＰＡＢ）における待機
時間ｘ_２[秒]とする。この待機時間ｘ_２は、本実施形態
に係る塗布現像処理装置１の枚葉処理の下においては、
ウェハＷごとに異なる値となるため、それぞれ識別子が
付されたウェハごとに、ウェハデータ格納部６２に逐次
記憶される。

【００７２】次に、ウェハＷは冷却処理ユニット（ＣＰ
Ｌ）で所定の温度で冷却処理される（ステップ６）。こ
の後、ウェハＷは第２の主搬送装置Ａ２により取り出さ
れ、膜厚検査装置１１９へ搬送され、所定のレジスト膜
厚の測定が行われる場合もある。そしてウェハＷは、第
５の処理ユニット部Ｇ５におけるトランジションユニッ
ト(ＴＲＳ)及びインターフェース部１４を介して露光装
置１００に受け渡されここで露光処理される（ステップ
７）。

【００７３】次に、ウェハＷはインターフェース部１４
及び第５の処理ユニット部Ｇ５におけるトランジション
ユニット(ＴＲＳ)を介して第２の主搬送装置Ａ２に受け
渡された後、ポストエクスポージャーベーキングユニッ
ト（ＰＥＢ）に搬送される。

【００７４】ポストエクスポージャーベーキングユニッ
ト（ＰＥＢ）では、上記プリベーキングユニット（ＰＡ
Ｂ）における動作と同一の動作により所定の加熱処理及
び温調処理が行われる（ステップ８）。ここで、露光処
理終了後からポストエクスポージャーベーキングユニッ
ト（ＰＥＢ）に搬入されて加熱処理が開始されるまでの
時間をｘ_１[秒]とする。この時間ｘ_１は、本実施形態に
係る塗布現像処理装置１の枚葉処理の下においては、ウ
ェハＷごとに異なる値となるため、それぞれ識別子が付
されたウェハごとに、ウェハデータ格納部６２に逐次記
憶される。この後、冷却処理ユニット（ＣＰＬ）で所定
の冷却処理が行われる（ステップ９）。

【００７５】次に、ウェハＷは現像処理ユニット（ＤＥ
Ｖ）に搬送され現像処理が行われる(ステップ１０)。こ
の現像処理ユニット（ＤＥＶ）では、ウェハＷがカップ
ＣＰの直上位置まで搬送されてくると、まず、ピン１４
８が上昇してウェハＷを受け取った後下降して、ウェハ
Ｗはスピンチャック１４２上に載置されて真空吸着され
る。そしてノズル待機部に待機していたノズル１３５が
ウェハＷの周辺位置の上方まで移動する。続いて駆動モ
ータ１４３によりウェハＷが例えば１０ｒｐｍ〜１００
ｒｐｍで回転し、そしてノズル１３５はウェハＷ周辺か
らＹ方向に移動しながら、回転の遠心力により所定の現
像液の塗布が行われ、所定時間だけ放置することにより
現像処理を進行させる。その後、ウェハ上にリンス液を
供給し現像液を洗い流し、ウェハを回転させることによ
り振り切り乾燥処理を行う。

【００７６】次に、ウェハＷは第２の主搬送装置Ａ２に
より取り出され、第４の処理ユニット部Ｇ４におけるト
ランジションユニット(ＴＲＳ)、第１の主搬送装置Ａ
１、第３の処理ユニット部におけるトランジションユニ
ット(ＴＲＳ)及びウェハ搬送体２２を介してカセットス
テーション１０におけるウェハカセットＣＲに戻され
る。以上のような工程は複数のウェハに対して行われ
る。

【００７７】図１３は、上記プリベーキングユニット
（ＰＡＢ）又はポストエクスポージャーベーキングユニ
ット（ＰＥＢ）において１枚のウェハを処理する際の時
間経過と加熱温度との関係を示している。図示するよう
に、加熱温度には、時間経過に伴い例えば±１〜２℃の
多少のばらつきが見られる。本実施形態では、例えばウ
ェハ１枚加熱処理するごとに、任意の時間における加熱
温度をプロット（例えばＡ点）し、この温度データをセ
ンサ計測データ格納部６１に記憶していく。これと同様
に、冷却処理ユニット（ＣＰＬ）、加熱処理ユニット
（ＢＡＫＥ）、受け渡し・冷却処理ユニット（ＴＣ
Ｐ）、ポストベーキングユニット（ＰＯＳＴ）、温調プ
レート７１等の熱的な処理を行うユニットについても温
度データを例えばウェハごとに記憶していく。

【００７８】図１４は、例えば時間経過と塗布現像処理
装置１内の気圧との関係を示している。この装置１内の
気圧は、例えば所定の時間間隔で気圧データをプロット
（Ｂ，Ｃ，Ｄ）していき、センサ計測データ格納部６１
に記憶していく。装置１内の温度についても同様であ
る。

【００７９】図１５は、例えば時間経過とウェハに塗布
されるレジストの温度との関係を示している。このレジ
ストの温度は、例えば、ケミカル室（ＣＨＭ）２６にお
いて、レジストタンクに貯留されたレジストの温度を図
示しない温度センサにより計測したものである。このレ
ジスト温度の計測データについても、上記熱処理系ユニ
ットの場合と同様に、例えばウェハごとに任意の時間に
おける温度をプロット（Ｅ点）し、これをセンサ計測デ
ータ格納部６１に記憶していく。

【００８０】このように図１３、図１４及び図１５に示
したパラメータは装置１内に存在する複数のパラメータ
中のほんの一部であり、他にも、レジストパターンの形
成の際にパターン形状に影響を与えるパラメータを可能
な限り抽出することが好ましい。例えば、上記したよう
に、露光処理終了後から加熱処理が開始されるまでの時
間ｘ_１、プリベーキングユニット（ＰＡＢ）における待
機時間ｘ_２等も重要なパラメータである。

【００８１】以上のようにして抽出されたパラメータの
うち、所望の線幅又は膜厚の形成に寄与する正常データ
値を収集する（ステップ１１）。この正常データ値であ
ることを知るために、上記抽出された各パラメータに基
づき関数モデルを作成する。例えば図１６は、図１１に
示した線幅モデル格納部６４に格納されるデータを示し
ている。この線幅モデルＣＤは、上記時間ｘ_１及び
ｘ_２、塗布現像処理装置１内の温度ｘ_３[℃]及び塗布現
像処理装置１内の気圧ｘ_４[ｈＰａ]（温度ｘ_３及び気圧
ｘ_４は、上述したように、図１に示す各センサＳａ〜Ｓ
ｄにより得られる。）の各パラメータを用いて、 線幅モデルＣＤ[ｎｍ]＝ａ_１ｘ_１＋ａ_１ｘ_２＋ａ_３ｘ_３
＋ａ_４ｘ_４＋ａ_５ （ａ_１，ａ_２，ａ_３，ａ_４，ａ_５は定数） と表され、例えば、 線幅モデルＣＤ[ｎｍ]＝０．０２ｘ_１＋０．０３ｘ_２＋
０．５４ｘ_３ ＋０．６５ｘ_４−４６６．６０８ というモデル式で表すことができる。このモデル式は実
験により作成したものである。

【００８２】このようなモデル式で実際に形成されるで
あろう線幅を求める。そして、これら各パラメータ
ｘ_１，ｘ_２，ｘ_３，ｘ_４における多数のデータ値から所
望の線幅が算出されるデータ値のみ、すなわち正常デー
タ値のみを収集する。

【００８３】同様に、図１７は、図１１に示した膜厚モ
デル格納部６５に格納されるデータを示している。この
膜厚モデルは、上記気圧ｙ_１と、カップ温度ｙ_２と、湿
度ｙ _３とを用いて、上記線幅モデルと同様に、 膜厚モデルＴ＝ｂ_１ｙ_１＋ｂ_２ｙ_２＋ｂ_３ｙ_３＋ｂ_４ （ｂ_１，ｂ_２，ｂ_３，ｂ_４は定数） と表すことができる。このようなモデル式で実際に形成
されるであろう膜厚を求める。そして、これら各パラメ
ータｙ_１，ｙ_２，ｙ_３における多数のデータ値から所望
の膜厚が算出されるデータ値のみ、すなわち正常データ
値のみを収集する。

【００８４】このようにして収集された正常データ値に
基づき、主成分分析技術を用いて主成分を少なくとも２
つ求める（ステップ１２）。主成分分析の目的は、一般
に、可能な限り少ない合成変数（主成分）で、可能な限
り多くの情報を把握することである。図１８は、主成分
を求めることにより得られる正常領域を示す図である。
図示するＸ軸及びＹ軸は、それぞれ主成分を示してお
り、例えば、 Ｘ＝ｃ_１ｘ_１−ｃ_２ｘ_２＋ｃ_３ｙ_１−ｃ_４ｙ_２ （ｃ_１，ｃ_２，ｃ_３，ｃ_４は定数） Ｙ＝−ｄ_１ｘ_１＋ｄ_２ｘ_２−ｄ_３ｙ_１＋ｄ_４ｙ_２ （ｄ_１，ｄ_２，ｄ_３，ｄ_４は定数） と定義される。この主成分Ｘ，Ｙの式は、各パラメータ
の重み関数である。ここで、ｘ_１，ｘ_２，ｙ_１，ｙ
_２は、それぞれ上記したように各パラメータおける多数
のデータ値から所望の膜厚が算出される正常データ値で
ある。そしてこの主成分に基づいて、正常領域Ｒを作成
する（ステップ１３）。

【００８５】このように正常領域Ｒを作成することによ
り、この正常領域Ｒを、実際に製品ウェハの製造段階で
レジストパターンを形成するときの指標とすることがで
きる。すなわち、領域Ｒ内にある各ウェハのデータ値は
線幅及び膜厚が正常であり、所望のレジストパターンが
得られると予測されるウェハを集積したものである。そ
して、実際の製造段階において、例えば正常領域Ｒ外の
領域Ｕにあるデータ値Ｐ_１、Ｐ_２等は不良ウェハとする
ことができる。従って、本実施形態では、より高精度な
管理の下でレジストパターンを形成することができ、精
密な形状を有する所望のレジストパターンの形成を行う
ことができる。

【００８６】また、正常領域Ｒに代えてＸ軸及びＹ軸の
原点からの距離ｒを定義して、このｒの範囲内に各ウェ
ハのデータ値があれば正常とするようにしてもよい。

【００８７】また、正常領域Ｒ外にあるデータの個数が
所定の数を超えたときに、塗布現像処理装置１における
レジストパターンの形成状況が異常とみなすようにする
ことも可能である。この場合、例えば、警告ブザーや警
告灯、あるいは操作ディスプレイ上の警告表示等を用い
て警告することができ、またこの場合、塗布現像処理装
置１を停止する等して不良ウェハを削減することができ
る。

【００８８】更に、従来においては、熱処理系ユニッ
ト、レジスト塗布処理ユニット、現像処理ユニット等の
各ユニットごと及び装置内の各センサ（Ｓ１〜Ｓ４）ご
とに加熱処理温度、装置内の気圧、温度、カップＣＰの
温度、レジスト温度等を独立して制御していたため、こ
れら加熱処理温度、レジスト温度等に何らかの相関関係
がある場合には、所望の形状のレジストパターンを得る
ことができなかった。

【００８９】すなわち、図１３、図１４及び図１５に示
すように、例えば、各ユニットごと及び各センサごと
に、任意の時間経過の加熱温度Ｘ、気圧Ｙ、レジスト温
度Ｚをプロットし、これらの点Ｘ，Ｙ，Ｚそれぞれが、
従来まで所望のレジストパターンを得るための許容範囲
と考えられていた加熱温度許容範囲ｔ_１〜ｔ_２、気圧許
容範囲ｈ_１〜ｈ_２、レジスト温度許容範囲ｋ_１〜ｋ_２に
ある場合であっても、実際には所望の形状のレジストパ
ターンが得られておらず、不良ウェハが続出していた。
その原因は、各図に示す点Ｘ，Ｙ，Ｚ全てがそれぞれ、
たまたま許容範囲の上限すれすれの値にあり、これによ
って所望のレジストパターンが得られたものとしていた
ことによるものと考えられる。これに対し本実施形態で
は、既述のように各ユニット及び各センサからの様々な
データを総合的・全体的に判断しているため、このよう
な問題が生じることはない。

【００９０】また、逆に、図１３に示すように従来の加
熱温度許容範囲ｔ_１〜ｔ_２を超えた加熱温度（Ｑ点）で
加熱処理されたウェハは不良ウェハとしていたが、この
ようにたまたま加熱処理温度のみが許容範囲を超えて
も、他のパラメータが許容範囲内であれば、所望のレジ
ストパターンが得られる場合もある。従って、本実施形
態によれば様々なデータを総合的・全体的に判断してい
るため、Ｑ点で示すように許容範囲ｔ_１〜ｔ_２を超えた
場合であっても良品のウェハが製造される場合があり、
これにより、より高精度なレジストパターンの管理を行
うことができる。

【００９１】更に、例えば図１９に示すように、正常領
域Ｒ内にないデータの、当該正常領域Ｒに対する相対位
置関係を求め、この相対位置関係に基づき異常の原因を
追求することができる。図１９では、データが全体的に
正常領域Ｒから破線で示す領域に矢印の方向に移動した
状態を示している。このように、正常領域内にないデー
タと正常領域Ｒとの相対位置関係を求めることにより、
基板不良の原因となるパラメータや依存度等を容易に把
握することができ、問題に対する迅速な対処が可能とな
る。

【００９２】図２０は現像処理における現像時間と線幅
との関係を示しており、現像時間が長いほど線幅は小さ
くなる明らかな相関関係を有することがわかっている。
従って、この現像時間もパラメータの１つして採り入れ
ることにより、容易かつ精密に線幅の制御及び管理を行
うことができる。

【００９３】また、レジスト膜形成時におけるウェハＷ
の回転数とレジスト膜厚とについても、図２１に示すよ
うに、回転数が大きいほど膜厚が小さくなるような明ら
かな相関関係があることがわかっているので、このウェ
ハの回転数もパラメータの１つして採り入れることによ
り、容易かつ精密にレジスト膜の制御及び管理を行うこ
とができる。

【００９４】更に、図２２及び図２３に示すように、線
幅及び膜厚は、それぞれポストエクスポージャーベーキ
ングユニット（ＰＥＢ）における加熱温度及びプリベー
キングユニット（ＰＡＢ）における加熱温度に対して比
例的な関係を有していることがわかっているので、これ
ら加熱温度をパラメータとして採り入れるようにしても
よい。

【００９５】本発明は以上説明した実施形態には限定さ
れるものではなく、種々の変形が可能である。

【００９６】例えば、上記実施形態では、レジストパタ
ーンの形状のうち線幅及び膜厚のみを関数モデルとした
が、これに限らず、更にレジストパターンのサイドウォ
ール、アスペクト比、パターン間のピッチ等についても
関数モデルを作成し、より精密なレジストパターンの管
理を行うようにしてもよい。

【００９７】また、上記実施形態で説明したパラメータ
として、加熱温度や現像時間だけでなく、現像液の濃度
及び温度、レジストの温度やノズルからのレジストの吐
出速度等を採り入れるようにしてもよい。更に、パラメ
ータとして露光装置１００で露光処理する場合の露光量
（Ｄｏｓｅ）をも採り入れることができる。例えば露光
量（ｍＪ）と線幅（ｎｍ）との関係はほぼ比例する関係
にあることが分かっているからである。また、露光フォ
ーカス値も採り入れるようにしてもよい。

【００９８】また、上記実施形態では、図１８に示すよ
うに主成分を２つとしたが、これより多くして多次元的
にデータ管理することも可能である。

【００９９】更には、第１の主搬送装置Ａ１及び第２の
主搬送装置Ａ２によるウェハの搬送時間についても線幅
やレジスト膜厚の変動に影響を及ぼす要因の１つと考え
られるため、この搬送時間をもパラメータとして採り入
れるようにしてもよい。

【０１００】本発明の別の実施の形態について説明す
る。上記の実施の形態では、多変量解析のうち主成分分
析を用いたが、本実施の形態では多変量解析のうち判別
分析を用いてデータの分析を行う。より具体的には、例
えば膜厚正常値の時のデータ群からマハラノビス（Maha
lanobis）の基準空間を求め、膜厚が未知のウェハにつ
いて基準空間からのマハラノビスの距離を算出すること
で、未知のデータに係るウェハの膜厚が正常であるかを
判断するものである。

【０１０１】図２４は、例えばレジストの膜厚が正常値
である、ウェハごとの各センサデータ値及びレジスト膜
厚が正常値か否か未知の、ウェハごとの各センサデータ
値を示す表である。膜厚が正常値であるか否かは、上記
したように膜厚モデルＴから算出することができる。

【０１０２】この表では、ウェハＷ１〜Ｗ２１８は膜厚
が正常値のウェハであり、ウェハＷ２１９〜４３０は膜
厚が未知のウェハを示している。また、Ｘ１〜Ｘ５は各
センサデータ値を示しており、上記実施の形態では例え
ば気圧やカップ温度等のパラメータ値である。

【０１０３】図２６は、本実施の形態に用いられる制御
系のブロック図であり、この制御系は上記図１１で示し
た制御部３５に含まれるものである。この制御系は、マ
ハラノビスの距離の算出プログラム格納部９４と、判断
プログラム格納部９５と、マハラノビス基準空間格納部
９２とを有し、更にＣＰＵ９０、ＲＡＭ９１を有する。
マハラノビス基準空間格納部９２は、マハラノビスの距
離の算出プログラムにより正常時のデータを有するウェ
ハ（例えばウェハＷ１〜Ｗ２１８）に対してのみ算出さ
れた基準空間を格納する。判断プログラム格納部９５
は、未知のウェハ（例えばウェハＷ２１９〜４３０）に
対してのみ算出されたマハラノビスの距離を把握してそ
れらのウェハ上の膜厚が正常であるか否かの判断を行う
プログラムを格納する。ＣＰＵ９０は所定の演算処理を
行う。ＲＡＭ９１は所定の処理のために一時的にデータ
を記憶する。

【０１０４】以下、マハラノビスの基準空間及びマハラ
ノビスの距離について説明する。

【０１０５】図２５は、図２４に示したウェハＷ１〜Ｗ
２１８についての変数Ｘ１〜Ｘ５の平均値及び標準偏差
を示している。マハラノビスの基準空間はこれら平均
値、標準偏差、相関係数により求められる。相関係数
は、例えば変数ｘ，ｙがあるとすると、ｘ，ｙの共分散
をｘの標準偏差とｙの標準偏差との積で割った値で表さ
れる。マハラビスの基準空間は、実際には、正常膜厚を
有するウェハＷ１〜Ｗ２１８についての下記のようにマ
ハラノビスの距離を求めることで把握される正常時の空
間である。このように求めた基準空間でのマハラノビス
の距離の平均は１となる。

【０１０６】マハラビスの距離は、図２７に示す式
（１）で表される。Ｒは相関係数行列、Ｒ^−１はその逆
行列、Ｔはベクトルの転置、ｋは変数の個数を表してい
る。ｘ１は、変数Ｘ１からＸ１の平均を引き、更にＸ１
の標準偏差で割ったものであり（これを一般に「規準
化」（Normalization）という。）、例えばｘ１を例に
挙げると、式（２）で表される。このような計算をｘ２
〜ｘ５について同様に行うと、ベクトルν^Ｔは式（３）
で表される。また、相関係数行列Ｒとその逆行列は式
（４）で示される。このようにベクトルν^Ｔ（またはベ
クトルν）と相関係数行列Ｒが求まれば、式（１）より
マハラノビスの距離が求められる。例えばマハラノビス
の距離は０．６４となる。

【０１０７】このようなマハラノビスの距離の算出をウ
ェハＷ２２０〜Ｗ４３０に対して行うことにより得られ
た結果を図２８に示す。横軸はウェハＷのナンバーであ
り、縦軸はマハラビスの距離である。基準空間でのマハ
ラビスの距離の平均は１となるので、１に近いほど良品
となり、１より距離が遠いほど不良品のとなる傾向があ
ると判断することができる。この判断は、上記判断プロ
グラムで行う。

【０１０８】より具体的な方法として、例えば良品か否
かの判断するための閾値を定める。例えば、マハラノビ
スの距離をＭＤとすると、ＭＤ<２．０の場合は正常と
し、そのまま処理を続行し、２．０<ＭＤ<２０の場合
は、上記実施の形態で説明したように線幅モデルＣＤや
膜厚モデルＴに基づき現像時間やウェハの回転数等の補
正を行い、２０<ＭＤの場合は、明らかに異常と思われ
るため装置１の運転を停止する、等の対処方法が考えら
れる。マハラビスの距離の閾値は２．０に限られず適宜
変更することももちろん可能である。

【０１０９】本実施の形態では、膜厚だけに限らず線幅
等についても同様に正常であるかを判断することができ
る。

【０１１０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板周囲の環境を全体的に分析し、高精度なレジストパ
ターンの管理を行うことができる。またこれにより、歩
留まりの向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る塗布現像処理装置の
平面図である。

【図２】図１に示す塗布現像処理装置の正面図である。

【図３】図１に示す塗布現像処理装置の背面図である。

【図４】一実施形態に係る主ウェハ搬送装置を示す斜視
図である。

【図５】図１に示す塗布現像処理装置の清浄空気の流れ
を説明するための正面図である。

【図６】一実施形態に係るレジスト塗布処理ユニットを
示す平面図である。

【図７】図６に示すレジスト塗布処理ユニットを示す断
面図である。

【図８】一実施形態に係る現像処理ユニットを示す断面
図である。

【図９】一実施形態に係るプリベーキングユニット又は
ポストエクスポージャーベーキングユニットを示す平面
図である。

【図１０】図９に示すユニットの断面図である。

【図１１】本発明に係る塗布現像処理装置を制御する制
御系を示す構成図である

【図１２】本発明に係る塗布現像処理装置の一連の処理
工程を示すフロー図である。

【図１３】加熱系処理ユニットにおける加熱温度の時間
経過を示すグラフである。

【図１４】塗布現像処理装置内における気圧の時間経過
を示すグラフである。

【図１５】レジスト温度の時間経過を示すグラフであ
る。

【図１６】線幅モデル格納部に格納される線幅モデルを
示す図である。

【図１７】膜厚モデル格納部に格納される膜厚モデルを
示す図である。

【図１８】主成分分析によるデータベースを示す図であ
る。

【図１９】図１８のデータベースにおけるデータ値の変
動を示す図である。

【図２０】現像時間と線幅との相関関係を示すグラフで
ある。

【図２１】ウェハの回転数と膜厚との相関関係を示すグ
ラフである。

【図２２】ポストエクスポージャーベーキングユニット
における加熱温度と、線幅との相関関係を示すグラフで
ある。

【図２３】プリベーキングユニットにおける加熱温度
と、膜厚との相関関係を示すグラフである。

【図２４】レジストの膜厚が正常値である、ウェハごと
の各センサデータ値及びレジスト膜厚が正常値か否か未
知の、ウェハごとの各センサデータ値を示す表である。

【図２５】図２４に示したウェハＷ１〜Ｗ２１８につい
ての変数Ｘ１〜Ｘ５の平均値及び標準偏差を示す表であ
る。

【図２６】本発明の別の実施の形態に用いられる制御系
のブロック図である。

【図２７】マハラビスの距離を求めるための計算式であ
る。

【図２８】正常か否かの未知のウェハのマハラビスの距
離を示すグラフである。

【符号の説明】

Ｗ...半導体ウェハ Ａ１…第１の主ウェハ搬送装置 Ａ２…第２の主ウェハ搬送装置 ＣＰ...カップ Ｓａ〜Ｓｄ…温度・気圧センサ Ｓ１…気圧センサ Ｓ２…カップ温度センサ Ｓ３…湿度センサ Ｓ４…温度センサ ｘ_１，ｘ_２，ｘ_３，ｘ_４…線幅モデルの各パラメータ ｙ_１，ｙ_２，ｙ_３…膜厚モデルの各パラメータ ＣＤ…線幅モデル Ｔ…膜厚モデル Ｒ…正常データ領域 ＣＯＴ…レジスト塗布処理ユニット ＤＥＶ…現像処理ユニット ＰＡＢ…プリベーキングユニット ＰＥＢ…ポストエクスポージャーベーキングユニット １…塗布現像処理装置 ３５…制御部 ６１…センサ計測データ格納部 ６２…ウェハデータ格納部 ６３…プロセスレシピデータ格納部 ６４…線幅モデル格納部 ６５…膜厚モデル格納部 １００...露光装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６９Ｆ (72)発明者 上村 良一 東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 (72)発明者 田中 道夫 東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H096 AA25 GA60 HA01 5F046 JA01 JA13 JA21 JA24 JA27 KA10 LA03 LA14 LA19

Claims (32)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上にレジスト膜を形成して露光処理
   及び現像処理を行うことにより、所望のレジストパター
   ンを形成する基板処理方法において、 前記レジストパターンを形成する際に関与する複数のパ
   ラメータを抽出し、これらパラメータのうち、前記所望
   のレジストパターンの形成に寄与する正常データ値を収
   集する工程と、 前記正常データ値に基づき少なくとも２つの主成分を求
   め、所望のレジストパターンを形成する際の指標となる
   正常領域を作成する工程とを具備することを特徴とする
   基板処理方法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理方法におい
   て、 前記複数のパラメータは、レジストの膜厚、又はレジス
   トパターンの線幅の変動要因パラメータであることを特
   徴とする基板処理方法。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の基板処理方法におい
   て、 少なくとも前記レジスト膜の形成及び現像処理を１つの
   装置内で行い、 前記露光処理終了後現像処理前に、基板に対し第１の熱
   的処理を行う工程と、前記レジスト膜の形成後露光処理
   前に、基板に対し第２の熱的処理を行う工程とを更に具
   備し、 前記線幅の変動要因パラメータは、少なくとも、前記露
   光処理終了後から前記第１の熱的処理が開始されるまで
   の時間と、前記第２の熱的処理後の基板の待機時間と、
   前記装置内の温度と、装置内の気圧とを含むことを特徴
   とする基板処理方法。
4. 【請求項４】 請求項３に記載の基板処理方法におい
   て、 前記線幅の変動要因パラメータは、前記現像の時間、又
   は、第１の熱的処理の温度を更に含むことを特徴とする
   基板処理方法。
5. 【請求項５】 請求項２に記載の基板処理方法におい
   て、 前記レジスト膜の形成は、基板を容器内で回転させるこ
   とによりレジスト膜を形成するものであって、 前記膜厚の変動要因パラメータは、少なくとも、レジス
   ト膜形成時における気圧と、前記容器の温度と、湿度と
   を含むことを特徴とする基板処理方法。
6. 【請求項６】 請求項５に記載の基板処理方法におい
   て、 前記膜厚の変動要因パラメータは、前記基板の回転数、
   又は、第２の熱的処理の温度を更に含むことを特徴とす
   る基板処理方法。
7. 【請求項７】 請求項１から請求項６のうちいずれか１
   項に記載の基板処理方法において、 前記正常領域内にないデータの個数が所定数より多いと
   き、レジストパターンの形成状況が異常であるものとみ
   なす工程を更に具備することを特徴とする基板処理方
   法。
8. 【請求項８】 請求項７に記載の基板処理方法におい
   て、 前記正常領域内にないデータの、当該正常領域に対する
   相対位置関係を求める工程と、 前記相対位置関係に基づき前記異常の原因を追求する工
   程とを更に具備することを特徴とする基板処理方法。
9. 【請求項９】 請求項２に記載の基板処理方法におい
   て、 前記線幅の変動要因パラメータは、前記露光処理時にお
   ける露光量を含むことを特徴とする基板処理方法。
10. 【請求項１０】 （ａ）基板上に所望のレジストパター
    ンを形成する際に関与する複数のパラメータに基づき多
    変量解析を行う工程と、 （ｂ）前記多変量解析による解析データに基づき、実際
    に基板上に形成されたレジストパターンが正常であるか
    否かの判断を行う工程とを具備することを特徴とする基
    板処理方法。
11. 【請求項１１】 請求項１０に記載の基板処理方法にお
    いて、 前記複数のパラメータは、基板上に形成されたレジスト
    膜の膜厚、又はレジストパターンの線幅の変動要因パラ
    メータであることを特徴とする基板処理方法。
12. 【請求項１２】 請求項１０に記載の基板処理方法にお
    いて、 前記工程（ａ）は、 （ｃ）主成分分析を行う工程を具備することを特徴とす
    る基板処理方法。
13. 【請求項１３】 請求項１２に記載の基板処理方法にお
    いて、 前記複数のパラメータのうち所望のレジストパターンの
    形成に寄与する正常データ値を収集する工程を更に具備
    し、 前記工程（ｃ）は、前記正常データ値に基づき少なくと
    も２つの主成分を求め、所望のレジストパターンを形成
    する際の指標となる正常領域を作成する工程を具備する
    とともに、 前記工程（ｂ）は、前記正常領域に基づき基板上に形成
    されたレジストパターンが正常であるか否かの判断を行
    う工程と具備することを特徴とする基板処理方法。
14. 【請求項１４】 請求項１０に記載の基板処理方法にお
    いて、 前記工程（ａ）は、 （ｄ）判別分析を行う工程を具備することを特徴とする
    基板処理方法。
15. 【請求項１５】 請求項１４に記載の基板処理方法にお
    いて、 前記複数のパラメータのうち所望のレジストパターンの
    形成に寄与する正常データ値を収集する工程を更に具備
    し、 前記工程（ｄ）は、前記正常データ値に基づきマハラノ
    ビスの基準空間を作成する工程を具備するとともに、 前記工程（ｂ）は、前記マハラノビスの基準空間に基づ
    き基板上に形成されたレジストパターンが正常であるか
    否かの判断を行う工程と具備することを特徴とする基板
    処理方法。
16. 【請求項１６】 （ａ）基板上に所望のレジスト膜を形
    成する際に関与する複数のパラメータに基づき多変量解
    析を行う工程と、 （ｂ）前記多変量解析による解析データに基づき、実際
    に基板上に形成されたレジストの膜厚が正常であるか否
    かの判断を行う工程とを具備することを特徴とする基板
    処理方法。
17. 【請求項１７】 基板上にレジスト膜を形成して該基板
    を露光装置に受け渡し、該露光装置から受け取った基板
    に現像処理を行うことにより、所望のレジストパターン
    を形成する基板処理装置において、 前記レジストパターンを形成する際に関与する複数のパ
    ラメータを抽出し、これらパラメータのうち、前記所望
    のレジストパターンの形成に寄与する正常データ値を収
    集する手段と、 前記正常データ値に基づき少なくとも２つの主成分を求
    め、所望のレジストパターンを形成する際の指標となる
    正常領域を作成する手段とを具備することを特徴とする
    基板処理装置。
18. 【請求項１８】 請求項１７に記載の基板処理装置にお
    いて、 前記複数のパラメータは、レジストの膜厚、又はレジス
    トパターンの線幅の変動要因パラメータであることを特
    徴とする基板処理装置。
19. 【請求項１９】 請求項１８に記載の基板処理装置にお
    いて、 前記露光処理終了後現像処理前に、基板に対し第１の熱
    的処理を行う手段と、前記レジスト膜の形成後露光処理
    前に、基板に対し第２の熱的処理を行う手段とを更に具
    備し、 前記線幅の変動要因パラメータは、 少なくとも、前記露光処理終了後から前記第１の熱的処
    理が開始されるまでの時間と、前記第２の熱的処理後の
    基板の待機時間と、当該基板処理装置内の温度と、基板
    処理装置内の気圧とを含むことを特徴とする基板処理装
    置。
20. 【請求項２０】 請求項１９に記載の基板処理装置にお
    いて、 前記線幅の変動要因パラメータは、 前記現像の時間、又は、第１の熱的処理の温度を更に含
    むことを特徴とする基板処理装置。
21. 【請求項２１】 請求項１８に記載の基板処理装置にお
    いて、 前記レジスト膜の形成は、基板を容器内で回転させるこ
    とによりレジスト膜を形成するものであって、 前記膜厚の変動要因パラメータは、 少なくとも、レジスト膜形成時における気圧と、前記容
    器の温度と、湿度とを含むことを特徴とする基板処理装
    置。
22. 【請求項２２】 請求項２１に記載の基板処理装置にお
    いて、 前記膜厚の変動要因パラメータは、 前記基板の回転数、又は、第２の熱的処理の温度を更に
    含むことを特徴とする基板処理装置。
23. 【請求項２３】 請求項１９に記載の基板処理装置にお
    いて、 前記レジスト膜を形成するレジスト膜形成部と、前記第
    １及び第２の熱的処理を行う熱処理部と、前記現像処理
    を行う現像処理部と、少なくとも前記レジスト膜形成
    部、熱処理部及び現像処理部の間で基板の受け渡しを行
    う搬送機構とを有し、 前記線幅又は膜厚の変動要因パラメータは、 前記搬送機構による基板の搬送時間を更に含むことを特
    徴とする基板処理装置。
24. 【請求項２４】 請求項１７から請求項２３のうちいず
    れか１項に記載の基板処理装置において、 前記正常領域内にないデータの個数が所定数より多いと
    き、レジストパターンの形成状況が異常であるものとみ
    なす手段を更に具備することを特徴とする基板処理装
    置。
25. 【請求項２５】 請求項１８に記載の基板処理装置にお
    いて、 前記線幅の変動要因パラメータは、前記露光処理時にお
    ける露光量を含むことを特徴とする基板処理装置。
26. 【請求項２６】 基板上に所望のレジストパターンを形
    成する際に関与する複数のパラメータに基づき多変量解
    析を行う多変量解析手段と、 前記多変量解析による解析データに基づき、実際に基板
    上に形成されたレジストパターンが正常であるか否かの
    判断を行う判断手段とを具備することを特徴とする基板
    処理装置。
27. 【請求項２７】 請求項２６に記載の基板処理装置にお
    いて、 前記複数のパラメータは、基板上に形成されたレジスト
    膜の膜厚、又はレジストパターンの線幅の変動要因パラ
    メータであることを特徴とする基板処理装置。
28. 【請求項２８】 請求項２６に記載の基板処理装置にお
    いて、 前記多変量解析手段は、主成分分析を行う主成分分析手
    段を具備することを特徴とする基板処理装置。
29. 【請求項２９】 請求項２８に記載の基板処理装置にお
    いて、 前記複数のパラメータのうち所望のレジストパターンの
    形成に寄与する正常データ値を収集する手段を更に具備
    し、 前記主成分分析手段は、前記正常データ値に基づき少な
    くとも２つの主成分を求め、所望のレジストパターンを
    形成する際の指標となる正常領域を作成する手段を具備
    するとともに、 前記判断手段は、前記正常領域に基づき基板上に形成さ
    れたレジストパターンが正常であるか否かの判断を行う
    手段を具備することを特徴とする基板処理装置。
30. 【請求項３０】 請求項２６に記載の基板処理装置にお
    いて、 前記多変量解析手段は、判別分析を行う判別分析手段を
    具備することを特徴とする基板処理装置。
31. 【請求項３１】 請求項３０に記載の基板処理装置にお
    いて、 前記複数のパラメータのうち所望のレジストパターンの
    形成に寄与する正常データ値を収集する手段を更に具備
    し、 前記判別分析手段は、前記正常データ値に基づきマハラ
    ノビスの基準空間を作成する手段を具備するとともに、 前記判断手段は、前記マハラノビスの基準空間に基づき
    基板上に形成されたレジストパターンが正常であるか否
    かの判断を行う手段を具備することを特徴とする基板処
    理装置。
32. 【請求項３２】 基板上に所望のレジスト膜を形成する
    際に関与する複数のパラメータに基づき多変量解析を行
    う多変量解析手段と、 前記多変量解析による解析データに基づき、実際に基板
    上に形成されたレジストの膜厚が正常であるか否かの判
    断を行う判断手段とを具備することを特徴とする基板処
    理装置。