JP4735129B2 - 電界効果トランジスタおよび電界効果トランジスタの製造方法 - Google Patents
電界効果トランジスタおよび電界効果トランジスタの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4735129B2 JP4735129B2 JP2005242231A JP2005242231A JP4735129B2 JP 4735129 B2 JP4735129 B2 JP 4735129B2 JP 2005242231 A JP2005242231 A JP 2005242231A JP 2005242231 A JP2005242231 A JP 2005242231A JP 4735129 B2 JP4735129 B2 JP 4735129B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic semiconductor
- functional organic
- field effect
- effect transistor
- injection material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 99
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 84
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 66
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 66
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 22
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 10
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 claims description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 claims description 5
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 4
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 claims description 4
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 4
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 50
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 12
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004402 ultra-violet photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 3
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 2
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 2
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 2
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 150000002527 isonitriles Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/80—Constructional details
- H10K10/82—Electrodes
- H10K10/84—Ohmic electrodes, e.g. source or drain electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
- H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
- H10K71/236—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers using printing techniques, e.g. applying the etch liquid using an ink jet printer
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
また、本発明の別の形態によると、円柱状の注入物質と機能性有機半導体との界面において、円柱状の注入物質と機能性有機半導体とが互いに混合されていることが好ましい。
(i)前記電界効果トランジスタの金属または炭素からなるソース電極およびドレイン電極を基板上に積層する工程と、
(ii)機能性有機半導体の層を前記ソース電極および前記ドレイン電極の上に積層する工程と、
(iii)前記機能性有機半導体を貫通して前記ソース電極まで延びているバイアホールを形成する工程と、
(iv)前記バイアホール内に、前記ソース電極と接触する円柱状の注入物質を積層する工程と、
(v)前記機能性有機半導体層の上に絶縁層を積層する工程と、
(vi)前記電界効果トランジスタのゲート電極となる伝導物質を前記絶縁層上に積層する工程とを含み、
前記ソース電極とチャネルとの間に前記円柱状の注入物質が配置され、前記工程(iv)は、前記機能性有機半導体が少なくとも部分的に可溶である溶媒又は分散媒と前記注入物質とを含む溶液又は分散体を、前記バイアホールに配置する工程を含み、前記円柱状の注入物質と前記機能性有機半導体との界面において、前記円柱状の注入物質と前記機能性有機半導体とが互いに混合される電界効果トランジスタを形成する方法を提供する。
(i)前記電界効果トランジスタのゲート電極となる伝導物質を基板上に積層する工程と、
(ii)前記ゲート電極の上に絶縁層を積層する工程と、
(iii)前記絶縁層の上に機能性有機半導体の層を積層する工程と、
(iv)前記機能性有機半導体中にバイアホールを形成する工程と、
(v)前記バイアホール内に円柱状の注入物質を積層する工程と、
(vi)前記円柱状の注入物質と接触するように、前記電界効果トランジスタの金属または炭素からなるソース電極を前記機能性有機半導体の上に積層する工程とを含み、
前記ソース電極とチャネルとの間に前記円柱状の注入物質が配置され、前記工程(v)は、前記機能性有機半導体が少なくとも部分的に可溶である溶媒又は分散媒と前記注入物質とを含む溶液又は分散体を、前記バイアホールに配置する工程を含み、前記円柱状の注入物質と前記機能性有機半導体との界面において、前記円柱状の注入物質と前記機能性有機半導体とが互いに混合される電界効果トランジスタを形成する方法を提供する。
12 基板
14 ソース電極
16 ドレイン電極
20 有機半導体層
22 絶縁層
24 ゲート電極
28 機能性有機半導体層(チャネル)
48 円柱状注入物質
50 チューブ形状
Claims (7)
- 金属または炭素からなるソース電極、機能性有機半導体層および前記機能性有機半導体層を貫通して延在する円柱状の注入物質を含む電界効果トランジスタであって、前記円柱状の注入物質が前記ソース電極および前記機能性有機半導体層の両方と接触しており、
前記円柱状の注入物質は、有機半導体ポリマー又は有機導体ポリマーから形成され、
前記円柱状の注入物質と前記機能性有機半導体との界面において、前記円柱状の注入物質と前記機能性有機半導体とが互いに混合されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 請求項1または請求項2に記載の電界効果トランジスタにおいて、前記ソース電極が金から形成されることを特徴とする電界効果トランジスタ。
- 請求項1から3までのいずれかの項に記載の電界効果トランジスタにおいて、前記機能性有機半導体が、ポリフルオレン、ペンタセン、ポリチオフェン、フルオレンとチオフェンとのコポリマーまたはこれらのいずれかの誘導体から形成されることを特徴とする電界効果トランジスタ。
- 電界効果トランジスタの製造方法であって、
(i)前記電界効果トランジスタの金属または炭素からなるソース電極およびドレイン電極を基板上に積層する工程と、
(ii)機能性有機半導体の層を前記ソース電極および前記ドレイン電極の上に積層する工程と、
(iii)前記機能性有機半導体を貫通して前記ソース電極まで延びているバイアホールを形成する工程と、
(iv)前記バイアホール内に、前記ソース電極と接触する円柱状の注入物質を積層する工程と、
(v)前記機能性有機半導体層の上に絶縁層を積層する工程と、
(vi)前記電界効果トランジスタのゲート電極となる伝導物質を前記絶縁層上に積層する工程とを含み、
前記ソース電極とチャネルとの間に前記円柱状の注入物質が配置され、
前記工程(iv)は、前記機能性有機半導体が少なくとも部分的に可溶である溶媒又は分散媒と前記注入物質とを含む溶液又は分散体を、前記バイアホールに配置する工程を含み、前記円柱状の注入物質と前記機能性有機半導体との界面において、前記円柱状の注入物質と前記機能性有機半導体とが互いに混合されることを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。 - 電界効果トランジスタの製造方法であって、
(i)前記電界効果トランジスタのゲート電極となる伝導物質を基板上に積層する工程と、
(ii)前記ゲート電極の上に絶縁層を積層する工程と、
(iii)前記絶縁層の上に機能性有機半導体の層を積層する工程と、
(iv)前記機能性有機半導体中にバイアホールを形成する工程と、
(v)前記バイアホール内に円柱状の注入物質を積層する工程と、
(vi)前記円柱状の注入物質と接触するように、前記電界効果トランジスタの金属または炭素からなるソース電極を前記機能性有機半導体の上に積層する工程とを含み、
前記ソース電極とチャネルとの間に前記円柱状の注入物質が配置され、
前記工程(v)は、前記機能性有機半導体が少なくとも部分的に可溶である溶媒又は分散媒と前記注入物質とを含む溶液又は分散体を、前記バイアホールに配置する工程を含み、前記円柱状の注入物質と前記機能性有機半導体との界面において、前記円柱状の注入物質と前記機能性有機半導体とが互いに混合されることを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。 - 請求項5または請求項6に記載の方法において、インクジェット印刷により前記バイアホール内に前記円柱状の注入物質を積層することを含むことを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB0419600.2 | 2004-09-03 | ||
GB0419600A GB2418062A (en) | 2004-09-03 | 2004-09-03 | An organic Field-Effect Transistor with a charge transfer injection layer |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006074038A JP2006074038A (ja) | 2006-03-16 |
JP4735129B2 true JP4735129B2 (ja) | 2011-07-27 |
Family
ID=33155988
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005242231A Expired - Fee Related JP4735129B2 (ja) | 2004-09-03 | 2005-08-24 | 電界効果トランジスタおよび電界効果トランジスタの製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7579620B2 (ja) |
JP (1) | JP4735129B2 (ja) |
KR (1) | KR100780066B1 (ja) |
CN (1) | CN100454601C (ja) |
GB (1) | GB2418062A (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8138075B1 (en) | 2006-02-06 | 2012-03-20 | Eberlein Dietmar C | Systems and methods for the manufacture of flat panel devices |
US8981348B2 (en) | 2006-12-07 | 2015-03-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Semiconducting element, organic light emitting display including the same, and method of manufacturing the semiconducting element |
EP1930963B1 (en) * | 2006-12-07 | 2016-03-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconducting device and semiconducting device |
US7858513B2 (en) | 2007-06-18 | 2010-12-28 | Organicid, Inc. | Fabrication of self-aligned via holes in polymer thin films |
DE102007052522A1 (de) * | 2007-11-01 | 2009-05-07 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Beschichtung von unpolaren Polyaromaten enthaltenden Schichten |
JP5334039B2 (ja) * | 2008-09-01 | 2013-11-06 | 国立大学法人大阪大学 | 有機電界効果トランジスター及びその製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04275436A (ja) * | 1991-03-04 | 1992-10-01 | Nec Corp | Soimosトランジスタ |
JP2003324202A (ja) * | 2002-02-27 | 2003-11-14 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JP2004103905A (ja) * | 2002-09-11 | 2004-04-02 | Pioneer Electronic Corp | 有機半導体素子 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19712233C2 (de) * | 1996-03-26 | 2003-12-11 | Lg Philips Lcd Co | Flüssigkristallanzeige und Herstellungsverfahren dafür |
KR20000038298A (ko) * | 1998-12-05 | 2000-07-05 | 구본준 | 이미지소자, 센서박막트랜지스터와 그 제조방법. |
JP2000269504A (ja) | 1999-03-16 | 2000-09-29 | Hitachi Ltd | 半導体装置、その製造方法及び液晶表示装置 |
TW490997B (en) * | 2000-03-31 | 2002-06-11 | Seiko Epson Corp | Method of manufacturing organic EL element, and organic EL element |
US6734623B1 (en) * | 2000-07-31 | 2004-05-11 | Xerox Corporation | Annealed organic light emitting devices and method of annealing organic light emitting devices |
TW545080B (en) * | 2000-12-28 | 2003-08-01 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
KR100746140B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2007-08-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
US6433359B1 (en) * | 2001-09-06 | 2002-08-13 | 3M Innovative Properties Company | Surface modifying layers for organic thin film transistors |
GB0126757D0 (en) * | 2001-11-07 | 2002-01-02 | Univ Cambridge Tech | Organic field effect transistors |
JP2003229579A (ja) * | 2001-11-28 | 2003-08-15 | Konica Corp | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
ATE525757T1 (de) | 2001-12-19 | 2011-10-15 | Merck Patent Gmbh | Organischer feldeffekttransistor mit organischem dielektrikum |
JP4247377B2 (ja) * | 2001-12-28 | 2009-04-02 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
US6740900B2 (en) * | 2002-02-27 | 2004-05-25 | Konica Corporation | Organic thin-film transistor and manufacturing method for the same |
JP4224578B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2009-02-18 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 有機薄膜トランジスタ |
DE10228772A1 (de) * | 2002-06-27 | 2004-01-15 | Infineon Technologies Ag | Verringerung des Kontaktwiderstandes in organischen Feldeffekttransistoren mit Palladiumkontakten durch Verwendung von Nitrilen und Isonitrilen |
JP4618990B2 (ja) * | 2002-08-02 | 2011-01-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有機薄膜トランジスタ及びその作製方法、並びに有機薄膜トランジスタを有する半導体装置 |
GB0226010D0 (en) * | 2002-11-08 | 2002-12-18 | Cambridge Display Tech Ltd | Polymers for use in organic electroluminescent devices |
CN1282260C (zh) * | 2003-01-30 | 2006-10-25 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 含有栅绝缘层的异质结型有机半导体场效应晶体管及制作方法 |
JP4997688B2 (ja) | 2003-08-19 | 2012-08-08 | セイコーエプソン株式会社 | 電極、薄膜トランジスタ、電子回路、表示装置および電子機器 |
TWI265753B (en) | 2004-05-11 | 2006-11-01 | Lg Chemical Ltd | Organic electronic device |
-
2004
- 2004-09-03 GB GB0419600A patent/GB2418062A/en not_active Withdrawn
-
2005
- 2005-08-22 CN CNB2005100921619A patent/CN100454601C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-08-24 JP JP2005242231A patent/JP4735129B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-08-25 KR KR1020050078208A patent/KR100780066B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-09-02 US US11/217,410 patent/US7579620B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04275436A (ja) * | 1991-03-04 | 1992-10-01 | Nec Corp | Soimosトランジスタ |
JP2003324202A (ja) * | 2002-02-27 | 2003-11-14 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JP2004103905A (ja) * | 2002-09-11 | 2004-04-02 | Pioneer Electronic Corp | 有機半導体素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7579620B2 (en) | 2009-08-25 |
CN1744342A (zh) | 2006-03-08 |
KR20060066755A (ko) | 2006-06-16 |
KR100780066B1 (ko) | 2007-11-29 |
JP2006074038A (ja) | 2006-03-16 |
GB0419600D0 (en) | 2004-10-06 |
CN100454601C (zh) | 2009-01-21 |
US20060049398A1 (en) | 2006-03-09 |
GB2418062A (en) | 2006-03-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Mattana et al. | Inkjet‐printing: A new fabrication technology for organic transistors | |
KR100940110B1 (ko) | 잉크젯으로 제조되는 집적회로 및 전자 디바이스 제조 방법 | |
EP1670079B1 (en) | Method of forming a conductive pattern of a thin film transistor | |
US8952361B2 (en) | Semiconductor devices including an electrically percolating source layer and methods of fabricating the same | |
Caironi et al. | High yield, single droplet electrode arrays for nanoscale printed electronics | |
US8089065B2 (en) | Organic thin film transistors | |
KR101313885B1 (ko) | 전자 디바이스 어레이 | |
JP4735129B2 (ja) | 電界効果トランジスタおよび電界効果トランジスタの製造方法 | |
US7709306B2 (en) | Active layer island | |
KR100909481B1 (ko) | 잉크젯으로 제조되는 집적회로 및 전자 디바이스 제조 방법 | |
JP4730623B2 (ja) | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、および電子機器 | |
US7696090B2 (en) | Rectifying diodes with self-aligned electrodes | |
JP2009535805A (ja) | 自己整合型高性能有機fetの構造及び製造 | |
JP5256676B2 (ja) | 有機半導体素子、有機半導体素子の製造方法、有機トランジスタアレイ、およびディスプレイ | |
KR20130053097A (ko) | 인쇄기술을 이용한 낸드 플래시 유기메모리 및 이의 제조방법 | |
Liu et al. | Advancements in organic nonvolatile memory devices | |
JP2005223048A (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法、および表示装置 | |
JP5445533B2 (ja) | 半導体装置、光学装置及びセンサ装置 | |
Caironi et al. | Ink‐Jet Printing of Downscaled Organic Electronic Devices | |
JP2006302925A (ja) | 半導体装置、光学装置及びセンサ装置 | |
Wong et al. | Materials and novel patterning methods for flexible electronics | |
JP5098159B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
KR101499075B1 (ko) | 유전막 표면 개질용 저전압 트랜지스터 및 이의 제조 방법 | |
WO2015004847A1 (en) | Electronic device and manufacturing method therefor and image display apparatus and substrate for constituting image display apparatus | |
Sekitani et al. | Picoliter and Subfemtoliter Ink‐Jet Technologies for Organic Transistors |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090623 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090810 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100914 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101102 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110329 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110411 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140513 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |