JP4721352B2 - リフロー炉 - Google Patents

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Description

この発明は、電子部品を搭載した回路基板を半田付けするためのリフロー炉に関し、特に、半田付け中に気化し雰囲気ガス中に混在するフラックス成分を効率的に燃焼処理する雰囲気浄化装置を備えたリフロー炉に関する。
種々の電子部品は、SMD(Surface Mounted Device)と呼ばれるものであり、回路基板の表面に直接搭載して半田付けされる。この半田付けは、半田付けペーストを用いて行う。半田付けペーストは、クリーム状のフラックスと粉末半田とをペースト状にしたもので、印刷あるいはディスペンサー等により回路基板の半田付け部に塗布し、その上に電子部品を搭載させてからリフロー炉で加熱溶融させることにより、回路基板と電子部品を半田付けする。
半田付けペーストのフラックスは、半田付けされる金属表面の酸化膜を除去し、半田付け中に加熱で再酸化するのを防止し、半田の表面張力を小さくして濡れを良くする塗布材の働きをし、松脂、チキソ剤、活性剤等の固形成分を溶剤で溶解させてあるため、リフロー炉で半田付けペーストを加熱溶融させた時にこれらが気化し蒸気となる。この気化したフラックス成分は、リフロー炉の温度の低いところ(約110℃以下)に接触して、液化し、回路基板上に付着し半田付け不良を起こしたり、リフロー炉の可動部分に付着して動きが妨げられたりするものであった。
回路基板上に付着したフラックス成分が半田付け不良を起こさないように、不活性ガスを用いた雰囲気中で加熱を行うとともに、この雰囲気中に混在するフラックス成分を冷却し液化して回収しようとする回収装置が提案されている。
上述した従来の回収装置を、図13に示す。リフロー炉101の加熱室103の中を搬送手段105により(図の紙面と直角方向へ)搬送される回路基板107には電子部品が搭載されている。搬送手段105の上方に設けられているファンモータ109により回転するファン111により雰囲気ガス113が、ヒーター115の間を通過して、搬送される回路基板107へ吹き付けられ加熱がなされ、循環する。
この雰囲気ガス113の循環路をバイパスしてバイパス路117が設けられ、バイパス路117の内部に、外部熱交換器であるヒートシンク119が設けられる。バイパス路117を導かれてきた雰囲気ガス113は、外気との間で熱交換を行い冷却され、雰囲気ガス113中のフラックス成分が液化される。ヒートシンク119の表面で液化したフラックスは、ヒートシンク119の下方に配置されるタンク121へ重力により滴下し溜められる。フラックスが液化し除去された雰囲気ガス123は、加熱室103に戻される。
なお、雰囲気ガスは別に設けられるファンによって吸引されてバイパス路117へ導かれることもある。
更に、半田付け装置本体内の半田付け雰囲気中のフラックスガスを酸化触媒によって酸化処理する半田付け雰囲気浄化装置が提案されている。

特開昭62−231203号公報 特許第3511396号公報
上述したフラックスを液化して除去する従来の技術においては、加熱室に戻された雰囲気ガス123は、既にヒートシンク119で冷却されているので、除去できずに雰囲気ガス中に残っているフラックス成分が、リフロー炉101の温度の低い壁面などで液化し付着しやすいものであった。
更に、循環する雰囲気ガス113が、ヒートシンク119で冷却されるので、必要な温度まで再び加熱する必要があった。このためヒータ115の消費電力を大きくし、省エネに逆行するものであった。
フラックスガスを酸化処理する従来の技術においては、可燃材料を使用して雰囲気ガスを加熱して積極的にフラックスを酸化分解するので、処理後のガスの温度は一層高温になっており、高温ガスを冷却する等の他の付加的な処理が必要であり、エネルギーロスが大きいという問題がある。
この発明は、上述した従来の技術の問題点を解決するためになされたもので、雰囲気ガス中のフラックス成分を効率よく燃焼させ、特別な冷却手段を用いない場合でも加熱室の温度制御が可能で、加熱室の加熱量を低減することができるリフロー炉を提供することを目的とする。
発明者は上述した問題点を解決するために鋭意研究を重ねた。その結果、酸化触媒を備えた浄化装置を有するリフロー炉において、燃焼処理後に浄化装置から炉内へ戻る雰囲気の酸素濃度を制御することによって、炉内酸素濃度を安定させることができることが判明した。
即ち、リフロー炉の雰囲気浄化装置において、半田付け中に気化したフラックス成分を含む雰囲気ガスの一部を取り出し、取り出した雰囲気ガスを所望の温度まで加熱し、加熱した雰囲気ガスに含まれるフラックス成分を酸化触媒で燃焼させ、次いで、燃焼によって消費された燃焼処理後の高温ガスの酸素濃度を制御し、このように酸素濃度が制御された高温ガスを加熱室に戻すと、燃焼で消費された酸素が炉内の酸素濃度と同一になるように制御されて、高温ガスの冷却手段を必要とせず、効果的に加熱室の温度を制御することができることが判明した。
この発明は上述した研究結果に基づいてなされたものである。
この発明のリフロー炉の第1の態様は、電子部品を搭載した回路基板を搬送する搬送手段と、搬送が内部で行われ雰囲気ガスを介して前記回路基板が加熱されて半田付けを行う加熱室と、前記半田付け中に気化したフラックス成分を含む前記雰囲気ガスの一部を取り出す手段と、取り出した雰囲気ガスを所望の温度まで加熱する手段と、加熱した雰囲気ガスに含まれるフラックス成分を燃焼させる酸化触媒と、燃焼処理後の高温ガスの酸素濃度を制御する手段と、燃焼処理後の酸素濃度が制御された高温ガスを前記加熱室に戻す手段とを有する雰囲気浄化装置とを備えたリフロー炉である。
さらに、前記雰囲気浄化装置における前記燃焼処理後の高温ガスの酸素濃度を制御する手段は、酸素供給手段、酸素消費量検知手段、および、加熱室内の酸素濃度と検知された酸素消費量から酸素供給量を求める手段を備え、求められた酸素供給量に従って酸素を供給して、前記燃焼処理後の高温ガスの酸素濃度が加熱室内の酸素濃度と同一になるように制御するリフロー炉である。
この発明のリフロー炉の第の態様は、前記加熱室内の酸素濃度を測定する手段を更に備えており、前記酸素供給量を求める手段は、前記加熱室内の酸素濃度設定値と酸素濃度測定値の差分と前記検知された酸素消費量から酸素供給量を求めるリフロー炉である。
この発明のリフロー炉の第の態様は、前記酸素供給量を求める手段は、加熱室内の酸素濃度設定値と前記酸素消費量検知手段によって測定された酸素濃度測定値との差分から酸素供給量を求めるリフロー炉である。
この発明のリフロー炉の第の態様は、前記酸素供給量を求める手段は、加熱室内の二酸化炭素(CO)濃度測定値と前記酸素消費量検知手段によって測定された二酸化炭素(CO)濃度測定値との差分から酸素供給量を求めるリフロー炉である。
この発明のリフロー炉の第の態様は、前記酸素供給量を求める手段は、加熱室内の酸素濃度設定値と、前記酸素消費量検知手段によって測定された前記酸化触媒通過前後の雰囲気温度差分によって求められた酸素濃度との差分から酸素供給量を求めるリフロー炉である。
この発明のリフロー炉の第の態様は、前記雰囲気浄化装置が、前記雰囲気ガスの一部を取り出す取出口と、前記高温ガスを戻す戻口とを備え、前記取出口から前記戻口へと循環する循環経路を備えているリフロー炉である。
この発明のリフロー炉の第の態様は、前記酸素供給手段および前記酸素消費量検知手段が前記循環経路の前記戻口近傍に設けられ、前記酸素供給手段の酸素供給路が前記酸素消費量検知手段の上流側に設置されているリフロー炉である。
この発明のリフロー炉の第の態様は、前記酸素供給手段が前記循環経路の前記取出口近傍に設けられ、前記酸素消費量検知手段が前記循環経路の前記戻口近傍に設けられているリフロー炉である。
この発明のリフロー炉の第の態様は、前記酸素供給手段が前記循環経路の前記取出口近傍に設けられているリフロー炉である。
この発明のリフロー炉の第10の態様は、前記取出口および前記戻口が複数の加熱ゾーンの少なくとも1つに設けられているリフロー炉である。
この発明のリフロー炉の第11の態様は、前記雰囲気浄化装置が、前記搬送手段を内部に備えた加熱室からなるリフロー炉本体に外付けされているリフロー炉である。
この発明のリフロー炉の第12の態様は、前記雰囲気ガスの一部を取り出す手段が、取り出す前記雰囲気ガスの流量制御手段を備えているリフロー炉である。
この発明によると、雰囲気浄化装置において酸化触媒によって燃焼処理されて酸素が消費された雰囲気の酸素濃度が雰囲気浄化装置から炉内に戻るときに制御されるので、炉内の酸素濃度を乱すことなくリフロー炉の運転をすることができる。更に、取り出した雰囲気のみで酸素濃度が制御されるので、制御性が優れている。更に、炉内の酸素濃度設定値と測定値との差分をとれば、取り出した雰囲気の酸素濃度の制御によって、炉内の酸素濃度を積極的に制御することができる。
従って、雰囲気ガス中のフラックス成分を効率よく燃焼させ、特別な冷却手段を用いない場合でも加熱室の温度制御が可能で、加熱室の加熱量を低減することができるリフロー炉を提供することができる。
更に、酸素濃度計の設置位置が触媒下流であればフラックス濃度が低減するので、炉体に直接接続することができ、時間遅れが短くなる。また、酸素濃度計が故障し難い。
この発明のリフロー炉を図面を参照して説明する。
この発明のリフロー炉の1つの態様は、電子部品を搭載した回路基板を搬送する搬送手段と、搬送が内部で行われ雰囲気ガスを介して前記回路基板が加熱されて半田付けを行う加熱室と、前記半田付け中に気化したフラックス成分を含む前記雰囲気ガスの一部を取り出す手段と、取り出した雰囲気ガスを所望の温度まで加熱する手段と、加熱した雰囲気ガスに含まれるフラックス成分を燃焼させる酸化触媒と、燃焼処理後の高温ガスの酸素濃度を制御する手段と、燃焼処理後の酸素濃度が制御された高温ガスを前記加熱室に戻す手段とを有する雰囲気浄化装置とを備えたリフロー炉である。
上述した雰囲気浄化装置が、搬送手段を内部に備えた加熱室からなるリフロー炉本体に外付けされている。更に、上述した雰囲気ガスの一部を取り出す手段が、取り出す雰囲気ガスの流量制御手段を備えていてもよい。
先ず、この発明のリフロー炉の全体について説明する。リフロー炉1は、図1の全体図および図2の横断面図に示すように、水平方向に長い全体形状をしており、回路基板3は図中左の入口搬送部5から搬入され、図中右の出口搬送部7から搬出される。長手方向中央が、回路基板3を加熱する加熱室9で、長手方向後端が、加熱された回路基板3を冷却する冷却室11である。
回路基板3を水平方向に搬送する搬送手段であるチェーンコンベア13を囲むように、長い加熱室15が水平方向に形成される。加熱室15は、開閉可能な上構造体17と下部構造体19との間に構成される。
下部構造体19は、下面に、伸縮可能な脚部21や移動用の車輪23が設けられ、上面の中央に加熱室を形成する凹部25を有する。また、上部構造体17を開閉するためのシリンダ27の一端が取り付けられている。
上部構造体17は、下部構造体19の凹部25を覆う蓋のように開閉可能となるように、搬送方向に平行に設けられる回動軸29回りに回動可能に、下部構造体に取り付けられ、回動のためのシリンダ27の他端が取り付けられている。
加熱室15の下部には、チェーンコンベア13が搬送方向へ、左右一対が設けられ、それぞれガイドレール31にガイドされて、駆動スプロケット機構33により駆動される。回路基板3は左右端部を支持されながら搬送され、この支持を行うため左右のチェーンコンベア13の内側には支持突起35(図2(B))が形成される。
加熱室9(15)の上部には、長手方向に沿って、複数の熱風ファンモータ37が設けられ、それぞれターボファンもしくはシロッコファンなどのファン39を回転させて、雰囲気ガス41の循環を行う。
この発明の雰囲気浄化装置における燃焼処理後の高温ガスの酸素濃度を制御する手段は、酸素供給手段、酸素消費量検知手段、および、加熱室内の酸素濃度と検知された酸素消費量から酸素供給量を求める手段を備え、求められた酸素供給量に従って酸素を供給して、燃焼処理後の高温ガスの酸素濃度が加熱室内の酸素濃度と同一になるように制御する。加熱室内の酸素濃度として、予め設定した酸素濃度または測定した酸素濃度を使用する。
酸素消費量検知手段として、酸素濃度計、二酸化炭素濃度計、触媒通過前後の温度計等がある。酸素供給手段として、酸素(空気)供給路がある。加熱室内の酸素濃度と検知された酸素消費量から酸素供給量を求める手段として、積分器、その他の制御器等がある。
図9は雰囲気浄化装置の酸素濃度と炉内酸素濃度の変化を示すグラフである。図9に示すように、雰囲気浄化装置において酸素濃度を制御しないまま炉内に雰囲気ガスを戻すと、炉内の酸素濃度が管理限界を超えて低下してしまう。
図3はこの発明の雰囲気浄化装置の1つの態様を説明する図である。図3に示すように、雰囲気浄化装置60は、雰囲気ガスの一部を取り出す取出口61と、高温ガスを戻す戻口62とを備え、取出口61から戻口62へと循環する循環経路を備えている。循環経路の途中に触媒温度調整用のヒータ65、酸化触媒64、戻し口の手前に酸素(空気)を供給する空気供給路69、酸素濃度を測定する酸素濃度計70を備えている。更に、循環経路の往路復路を分離する隔壁67を備えている。炉内には加熱室(炉)内の酸素濃度を測定する炉内酸素濃度計71を備えている。なお、酸化触媒64の上流側にフィルタを設けても良い。フィルタを設けることにより、触媒を劣化させる物質、例えばSi化合物を除去することができ、触媒の長寿命化を実現することができる。
取出口から取り出された雰囲気ガスの一部が触媒温度調整用の加熱手段(例えばヒータ)によって所望の温度に加熱されて、触媒温度が300℃から400℃である酸化触媒中を通過して、雰囲気ガス中に含まれるフラックス成分が酸化処理されて水(蒸気)と炭酸ガスに分解される。このように酸化処理されて高温になった高温ガスの酸素濃度を酸素濃度計70によって測定する。一方で、炉内の酸素濃度を炉内酸素濃度計71によって測定する。
通常、雰囲気浄化装置の雰囲気ガスは上述した燃焼によって酸素が消費され、測定された炉内酸素濃度との間に差が生じる。演算手段72によって測定された炉内酸素濃度と雰囲気ガスの酸素濃度との間の差から酸素添加量を求め、雰囲気ガスの酸素濃度が炉内酸素濃度と同一になるように酸素(空気)供給路から酸素を供給して、炉内に戻す戻口62を通過する高温ガスの酸素濃度を制御して、戻口62から加熱室内へ戻す。
この態様においては、上述したように、酸素(空気)供給路が酸素濃度計の上流に設置されている。なお、雰囲気ガスの一部を取り出す手段が、取り出す雰囲気ガスの流量制御手段を備えていてもよい。
図4はこの発明の雰囲気浄化装置の他の1つの態様を説明する図である。図4に示す態様は、図3に示した態様と同様に、雰囲気浄化装置60は、雰囲気ガスの一部を取り出す取出口61と、高温ガスを戻す戻口62とを備え、取出口61から戻口62へと循環する循環経路を備えている。図4に示す態様においては、循環経路の途中に触媒温度調整用のヒータ65、酸化触媒64、循環経路の往路復路を分離する隔壁67、取出口61近傍に酸素(空気)を供給する空気供給路69、戻口62の手前に酸素濃度を測定する酸素濃度計70を備えている。なお、酸化触媒64の上流側にフィルタ80を設けても良い。フィルタを設けることにより、触媒を劣化させる物質、例えばSi化合物を除去することができ、触媒の長寿命化を実現することができる。
取出し口から取り出された雰囲気ガスの一部に、酸素(空気)供給路69から酸素(空気)が供給され、触媒温度調整用の加熱手段(例えばヒータ)65によって所望の温度に加熱されて、触媒温度が300℃から400℃である酸化触媒中を通過して、雰囲気ガス中に含まれるフラックス成分が酸化処理されて水(蒸気)と炭酸ガスに分解される。図4に示す態様においては、雰囲気ガスに酸素が供給されるので、触媒通過雰囲気が酸素リッチになりフラックス処理効果が向上する。この態様においても、触媒通過によって酸化処理されて高温になった高温ガスの酸素濃度を酸素濃度計70によって測定する。炉内の設定酸素濃度との間の差によって、炉内の設定酸素濃度と測定酸素濃度が同一になるように空気供給路から供給される空気流量が制御される。
図5は、この発明の雰囲気浄化装置の他の1つの態様を説明する図である。図5に示す態様においても、図4に示す態様と同様に、雰囲気浄化装置60は、雰囲気ガスの一部を取り出す取出口61と、高温ガスを戻す戻口62とを備え、取出口61から戻口62へと循環する循環経路を備えている。循環経路の途中の取出口61近傍に酸素(空気)を供給する空気供給路69、触媒温度調整用のヒータ65、酸化触媒64、触媒流入前の雰囲気ガスの温度を測定する温度計66、触媒通過後の雰囲気ガスの温度を測定する温度計68、循環経路の往路復路を分離する隔壁67を備えている。なお、酸化触媒64の上流側にフィルタを設けても良い。フィルタを設けることにより、触媒を劣化させる物質、例えばSi化合物を除去することができ、触媒の長寿命化を実現することができる。
図5に示す態様においては、触媒流入前および触媒通過後の雰囲気ガスの温度をそれぞれ測定し、両者の温度の差分から酸素消費量を計算し、それに見合う酸素量を酸素供給路から供給して、炉内に戻す戻口62を通過する高温ガスの酸素濃度を制御して、戻口62から加熱室内へ戻す。この態様によると、発熱量を酸素消費量と推定して、温度上昇量によって酸素供給量を制御する。温度計はレスポンスが早いので、遅滞なく制御ができる。
図8は、触媒通過前後の雰囲気ガス温度と酸素濃度との相関関係を示すグラフである。図8において、縦軸は温度[℃]、酸素濃度[ppm]を示し、横軸は時間[sec]を示す。触媒通過前温度(350℃)に対して、触媒通過後の温度変化と、酸素濃度変化とは概ね対応した変化を示している。即ち、温度の上昇に対応して酸素濃度が低下し、温度の低下に対応して酸素濃度が上昇している。従って、触媒通過前後の雰囲気ガス温度と酸素濃度との間には良好な相関関係がある。
図6は、この発明の雰囲気浄化装置を加熱室の上部に外付けで備えた、リフロー炉の部分を示す図である。図6に示す雰囲気浄化装置60は、図5に示したと実質的に同一の雰囲気浄化装置であり、1つのゾーンに雰囲気ガスの取出口61および戻口62を設置している。戻口から加熱室に雰囲気ガスが戻される。即ち、雰囲気浄化装置60は、雰囲気ガスの一部を取り出す上述した取出口61と、高温ガスを戻す戻口62とを備え、取出口61から戻口62へと循環する循環経路を備えている。循環経路の途中に酸素(空気)を供給する空気供給路69、触媒温度調整用のヒータ65、酸化触媒64、触媒流入前の雰囲気ガスの温度を測定する温度計66、触媒通過後の雰囲気ガスの温度を測定する温度計68、循環経路の往路復路を分離する隔壁67を備えている。なお、酸化触媒64の上流側にフィルタ80を設けても良い。フィルタを設けることにより、触媒を劣化させる物質、例えばSi化合物を除去することができ、触媒の長寿命化を実現することができる。
図6に示すように、雰囲気ガスの循環のために加熱室15の上部は、下方へ開放した箱形の構造が、外装板43と仕切り板45によって二重構造になっている。この二重構造の仕切り板45の外側にファン39が設けられ、内側のヒーター40で加熱された雰囲気ガス41を中央の吸い込み窓47から外側に吸い上げ、外側の外周49から吹き付ける。吹き付けられた雰囲気ガス41は、下方へ開放した箱形の開放面に張り渡されたメッシュ体51に遮られ、メッシュの間を通って、回路基板3の上に均等に吹き付けられ加熱を行う。
図6に示すように、加熱室15の上部を構成する上部構造体17に、雰囲気浄化装置60が取り付けられる。すなわち、加熱室上部の二重構造体の外側の一部が、雰囲気浄化装置60へ雰囲気ガスの一部をとり出す取出口61に連通する。雰囲気ガスの一部を取り出す取出口は、雰囲気ガスの流量を制御する制御装置を備えていてもよい。
上述した雰囲気浄化装置を複数ゾーンのそれぞれに設置してもよい。その際には、各ゾーンで独立して酸素濃度を制御することができる。また、高温の廃熱を利用することができる。
なお、酸素濃度の制御方法は図3および図4に示した態様を採用してもよい。
図7はこの発明の雰囲気浄化装置の他の1つの態様を説明する図である。図7に示す態様は、炉内の酸素濃度を積極的に制御するものである。特に、炉の定常状態における安定制御だけでなく、非定常状態になった場合にも能動的に酸素濃度を制御し定常化させる。即ち、図3に示す態様と同様に、雰囲気浄化装置60は、雰囲気ガスの一部を取り出す取出口61と、高温ガスを戻す戻口62とを備え、取出口61から戻口62へと循環する循環経路を備えている。循環経路の途中に触媒温度調整用のヒータ65、酸化触媒64、循環経路の往路復路を分離する隔壁67、戻し口の手前に酸素(空気)を供給する空気供給路69、酸素濃度を測定する酸素濃度計70を備えている。更に、炉内には加熱室(炉)内の酸素濃度を測定する炉内酸素濃度計71を備えている。なお、既に説明した他の態様と同様に、酸化触媒64の上流側にフィルタ80を設けても良い。
取出口から取り出された雰囲気ガスの一部が触媒温度調整用の加熱手段(例えばヒータ)によって所望の温度に加熱されて、触媒温度が300℃から400℃である酸化触媒中を通過して、雰囲気ガス中に含まれるフラックス成分が酸化処理されて水(蒸気)と炭酸ガスに分解される。このように酸化処理されて高温になった高温ガスの酸素濃度を酸素濃度計70によって測定する。一方で、炉内の酸素濃度を炉内酸素濃度計71によって測定する。更に、炉内酸素濃度設定値と測定された炉内酸素濃度との差分を求める。
雰囲気浄化装置の雰囲気ガスは触媒による燃焼によって酸素が消費され、測定された炉内酸素濃度との間に差が生じる。一方で、炉内酸素濃度設定値と炉内酸素濃度測定値との間に差が生じる。演算手段74によって炉内酸素濃度設定値と炉内酸素濃度測定値との間の差分を求める。更に、演算手段73によって炉内酸素濃度測定値と雰囲気浄化装置内の酸素濃度測定値の間の差分を求める。演算手段72によって、炉内酸素濃度設定値と炉内酸素濃度測定値との間の差分と炉内酸素濃度測定値と雰囲気浄化装置内の酸素濃度測定値の間の差分との間の差分から酸素添加量を求め、雰囲気ガスの酸素濃度が炉内酸素濃度設定値と同一になるように酸素(空気)供給路から酸素を供給して、炉内に戻す戻口62を通過する高温ガスの酸素濃度を制御して、戻口62から加熱室内へ戻す。
上述した炉内酸素濃度設定値と炉内酸素濃度測定値との間の差分と炉内酸素濃度測定値と雰囲気浄化装置内の酸素濃度測定値の間の差分の2つの差分を求めることによって、炉内が非定常状態になった場合にも能動的に酸素濃度を制御し定常化させることができる。
図10から図12は、それぞれこの発明の雰囲気浄化装置の他の1つの態様を説明する図である。図10に示す態様は、酸素濃度計および空気供給路が共に雰囲気ガス戻口側に設置されている点、酸素濃度計が空気供給路の上流にある点を除いて、図4に示す態様と同じである。なお、既に説明した他の態様と同様に、酸化触媒64の上流側にフィルタを設けても良い。図11に示す態様は、酸素濃度を測定する代わりに二酸化炭素(CO)の濃度を測定する点、空気供給路が雰囲気ガス戻口側に設置されている点、空気供給路が二酸化炭素(CO)濃度計の上流にある点を除いて、図4に示す態様と同じである。なお、既に説明した他の態様と同様に、酸化触媒64の上流側にフィルタを設けても良い。図12に示す態様は、空気供給路が雰囲気ガス戻口側に配置されている点を除いて図5に示す態様と同じである。なお、既に説明した他の態様と同様に、酸化触媒64の上流側にフィルタを設けても良い。
この発明においては、炉内の雰囲気ガスを取り出し触媒燃焼効率の高い温度でフラックスを燃焼処理する。燃焼によって酸素が消費されるので、炉内酸素濃度と間に差が生じる。酸素濃度の差を制御するために、浄化装置に独立で制御可能な酸素(空気)供給手段を持たせて、炉内へ戻る雰囲気ガスの酸素濃度が炉内の酸素濃度と同一になるように制御する。即ち、雰囲気浄化装置において酸化触媒によって燃焼処理されて酸素が消費された雰囲気の酸素濃度が雰囲気浄化装置から炉内に戻るときに制御されるので、炉内の酸素濃度を乱すことなくリフロー炉の運転をすることができる。
この発明によると、雰囲気ガス中のフラックス成分を効率よく燃焼させ、特別な冷却手段を用いず加熱室の温度制御が可能で、加熱室の加熱量を低減することができるリフロー炉を提供することができ、産業上の利用可能性が大きい。
図1は、リフロー炉の全体側面図である。 図2(A)は図1の横断面図、図2(B)は(A)の要部拡大図である。 図3はこの発明の雰囲気浄化装置の1つの態様を説明する図である。 図4はこの発明の雰囲気浄化装置の他の1つの態様を説明する図である。 図5は、この発明の雰囲気浄化装置の他の1つの態様を説明する図である。 図6は、この発明の雰囲気浄化装置を加熱室の上部に外付けで備えた、リフロー炉の部分を示す図である。 図7はこの発明の雰囲気浄化装置の他の1つの態様を説明する図である。 図8は、触媒通過前後の雰囲気ガス温度と酸素濃度との相関関係を示すグラフである。 図9は雰囲気浄化装置の酸素濃度と炉内酸素濃度の変化を示すグラフである。 図10は、この発明の雰囲気浄化装置の他の1つの態様を説明する図である。 図11は、この発明の雰囲気浄化装置の他の1つの態様を説明する図である。 図12は、この発明の雰囲気浄化装置の他の1つの態様を説明する図である。 図13は従来の回収装置を示す断面図である。
符号の説明
1 リフロー炉
3 回路基板
5 入口搬送部
7 出口搬送部
9 加熱室
11 冷却室
13 チェーンコンベア
15 加熱室
17 上構造体
19 下部構造体
21 脚部
23 車輪
25 加熱室を形成する凹部
27 シリンダ
29 回動軸
31 ガイドレール
33 駆動スプロケット機構
35 支持突起35
37 熱風ファンモータ
39 ファン
40 ヒーター
41 雰囲気ガス
43 外装板
45 仕切り板
47 吸い込み窓
49 外側の外周
51 メッシュ体
53 フラックス回収装置
55 往路
57 復路
59 隔壁
60 雰囲気浄化装置
61 取出口
62 戻口
63 加熱手段
64 酸化触媒
65 触媒温度調整用のヒータ
66 温度計
67 隔壁
68 温度計
69 空気供給路
70 酸素濃度計
80 フィルタ

Claims (12)

  1. 電子部品を搭載した回路基板を搬送する搬送手段と、
    搬送が内部で行われ雰囲気ガスを介して前記回路基板が加熱されて半田付けを行う加熱室と、
    前記半田付け中に気化したフラックス成分を含む前記雰囲気ガスの一部を取り出す手段と、取り出した雰囲気ガスを所望の温度まで加熱する手段と、加熱した雰囲気ガスに含まれるフラックス成分を燃焼させる酸化触媒と、燃焼処理後の高温ガスの酸素濃度を制御する手段と、燃焼処理後の酸素濃度が制御された高温ガスを前記加熱室に戻す手段とを有する雰囲気浄化装置とを備え
    前記雰囲気浄化装置における前記燃焼処理後の高温ガスの酸素濃度を制御する手段は、酸素供給手段、酸素消費量検知手段、および、加熱室内の酸素濃度と検知された酸素消費量から酸素供給量を求める手段を備え、求められた酸素供給量に従って酸素を供給して、前記燃焼処理後の高温ガスの酸素濃度が加熱室内の酸素濃度と同一になるように制御する、リフロー炉。
  2. 前記加熱室内の酸素濃度を測定する手段を更に備えており、前記酸素供給量を求める手段は、前記加熱室内の酸素濃度設定値と酸素濃度測定値の差分と前記検知された酸素消費量から酸素供給量を求める、請求項に記載のリフロー炉。
  3. 前記酸素供給量を求める手段は、加熱室内の酸素濃度設定値と前記酸素消費量検知手段によって測定された酸素濃度測定値との差分から酸素供給量を求める、請求項に記載のリフロー炉。
  4. 前記酸素供給量を求める手段は、加熱室内の二酸化炭素(CO)濃度測定値と前記酸素消費量検知手段によって測定された二酸化炭素(CO)濃度測定値との差分から酸素供給量を求める、請求項に記載のリフロー炉。
  5. 前記酸素供給量を求める手段は、加熱室内の酸素濃度設定値と、前記酸素消費量検知手段によって測定された前記酸化触媒通過前後の雰囲気温度差分によって求められた酸素濃度との差分から酸素供給量を求める、請求項に記載のリフロー炉。
  6. 前記雰囲気浄化装置が、前記雰囲気ガスの一部を取り出す取出口と、前記高温ガスを戻す戻口とを備え、前記取出口から前記戻口へと循環する循環経路を備えている、請求項1からの何れか1項に記載のリフロー炉。
  7. 前記酸素供給手段および前記酸素消費量検知手段が前記循環経路の前記戻口近傍に設けられ、前記酸素供給手段の酸素供給路が前記酸素消費量検知手段の上流側に設置されている、請求項に記載のリフロー炉。
  8. 前記酸素供給手段が前記循環経路の前記取出口近傍に設けられ、前記酸素消費量検知手段が前記循環経路の前記戻口近傍に設けられている、請求項に記載のリフロー炉。
  9. 前記酸素供給手段が前記循環経路の前記取出口近傍に設けられている、請求項に記載のリフロー炉。
  10. 前記取出口および前記戻口が複数の加熱ゾーンの少なくとも1つに設けられている、請求項からの何れか1項に記載のリフロー炉。
  11. 前記雰囲気浄化装置が、前記搬送手段を内部に備えた加熱室からなるリフロー炉本体に外付けされている、請求項1から10の何れか1項に記載のリフロー炉。
  12. 前記雰囲気ガスの一部を取り出す手段が、取り出す前記雰囲気ガスの流量制御手段を備えている、請求項1から11の何れか1項に記載のリフロー炉。
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