JP4705340B2 - 酸化インジウム膜の製造方法 - Google Patents
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Description
(1)赤外線照射処理工程を有することを特徴とする酸化インジウム膜の製造方法に関し、
(2)赤外線照射処理工程と同時に加熱処理工程を設けることを特徴とする(1)に記載の酸化インジウム膜の製造方法、
(3)赤外線照射処理工程を、酸化インジウム膜の成膜工程後に行なうことを特徴とする(1)または(2)に記載の酸化インジウム膜の製造方法、
(4)酸化インジウム膜成膜工程が、CVD法、スプレー熱分解法、またはパイロゾルプロセス法用いて成膜する工程であることを特徴とする(3)に記載の酸化インジウム膜の製造方法、
(5)酸化インジウム膜が、スズドープ酸化インジウム膜であることを特徴とする(1)〜(4)のいずれかに記載の酸化インジウム膜の製造方法、、
に関する。
シート抵抗値:four point probe resistant meter(三菱油化社製、LoresterIPMCP−T250)
AFM:セイコーインスツルメンツ社製、SPA400)
X線結晶解析:RIGAKU社製、CN4148B2(X線源:CuKα(40kV、30mA)
FEM−SEM:日立社製、S−5000
透過率:UV−VIS、島津社製、UV−240
膜厚:エリプソメータ
仕事関数:atmospheric photoelectoron spectroscope(理研計器社製、AC−2)
(1)シート抵抗値が200〜400Ω/□の各ITOサンプルを50〜430℃の各温度に設定して、1時間照射を行った。照射前後でのシート抵抗値を測定し、照射時の温度と、照射後のシート抵抗値の減少率[[(照射前のシート抵抗値)−(照射後のシート抵抗値)]/(照射前のシート抵抗値)]の関係を図3に示す。この結果より、照射時の温度を400〜430℃に設定した場合に、抵抗値の減少率が最大となることがわかった。
(2)シート抵抗値が200〜400Ω/□の各ITOサンプルを400℃の温度に設定して、照射時間を10〜180分の各時間に設定し、照射時間によるシート抵抗値の経時変化を測定した。その結果を、図4に示す。この結果より、シート抵抗値は、最初の10分間で急激に減少し、その後、ゆっくりと減少することがわかった。
(3)成膜時の温度を430〜570℃の各温度に設定して得られた各ITOサンプルを、400℃、1時間赤外線照射を行った前後において、各ITOサンプルの仕事関数を測定した。その結果を図5に示す。この結果より、赤外線照射することにより、仕事関数値が上昇することがわかった。
(4)成膜時の温度を530℃に設定して得られたITOサンプルを、400℃、1時間赤外線照射を行った前後において、膜のX線回折を測定した。その結果を図6に示す。赤外線照射を行うことにより、回折ピークの増加することが判った。このことは、赤外線照射により、結晶性が向上したことがし示している。また、上記ITOサンプルの表面をFE−SAMで測定した結果を図7(a)、及び図7(b)に示す。赤外線照射することにより、100nmサイズの三角形型の結晶が照射前に比較して多く生成しているのがわかった。
Claims (3)
- 酸化インジウム膜の成膜工程後に、赤外線照射処理工程と400〜430℃での加熱処理工程を同時に行うことを特徴とする酸化インジウム膜の製造方法。
- 酸化インジウム膜成膜工程が、CVD法、スプレー熱分解法、またはパイロゾルプロセス法を用いて成膜する工程であることを特徴とする請求項1に記載の酸化インジウム膜の製造方法。
- 酸化インジウム膜が、スズドープ酸化インジウム膜であることを特徴とする請求項1又は2に記載の酸化インジウム膜の製造方法。
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