JP4692480B2 - 接合構造体および電子機器 - Google Patents
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Description
本実施形態の電子部品は、電子素子と、電子素子と接続される電極と、電子素子と電極とを接合する接合材料とを具備する。ここで、接合材料には、Biを主成分とする合金を含み、前記合金は、0.2〜0.8質量%のCuと、0.02〜0.2質量%のGeとを含む。Cuの含有率は0.4〜0.6質量%が好ましく、Geの含有量は0.02〜0.05質量%が好ましい。Biを主成分とする合金が3元合金(3種の元素からなる合金)である場合、CuとGe以外の残部はBiのみからなる。
本実施形態の電子部品は、電子素子と、電子素子と接続される電極と、電子素子と電極とを接合する接合材料とを具備する。ここで、接合材料には、Biを主成分とする合金を含み、前記合金は、0.2〜0.8質量%のCuと、0.02〜0.2質量%のGeと、0.02〜0.08質量%のNiとを含む。Cuの含有率は0.4〜0.6質量%が好ましく、Geの含有量は0.02〜0.05質量%が好ましく、Niの含有量は0.02〜0.05質量%が好ましい。このような電子部品は、実施の形態1の電子部品よりも、耐衝撃性が高くなるため、信頼性の高い電子部品を得ることができる。
本実施形態の接合構造体は、電子素子と、前記電子素子と接続される電極と、前記電子素子と前記電極とを接合する接合材料とを具備し、前記接合材料は、Biを主成分とする合金を含み、前記合金は、0.2〜0.8質量%のCuと、0.02〜0.2質量%のGeとを含み、前記電子素子表面のめっき、および前記電子素子と接続される電極表面のめっきに含まれるSnは、前記接合材料の30質量%以下である。Cuの含有率は0.4〜0.6質量%が好ましく、Geの含有量は0.02〜0.05質量%が好ましい。Biを主成分とする合金が3元合金(3種の元素からなる合金)である場合、CuとGe以外の残部はBiのみからなる。
本実施形態の接合構造体は、電子素子と、前記電子素子と接続される電極と、前記電子素子と前記電極とを接合する接合材料とを具備し、前記接合材料は、Biを主成分とする合金を含み、前記合金は、0.2〜0.8質量%のCuと、0.02〜0.2質量%のGeと、0.02〜0.08質量%のNiとを含み、前記電子素子表面のめっき、および前記電子素子と接続される電極表面のめっきに含まれるSnは、前記接合材料の30質量%以下である。Cuの含有率は0.4〜0.6質量%が好ましく、Geの含有量は0.02〜0.05質量%が好ましく、Niの含有量は0.02〜0.05質量%が好ましい。このような接合構造体は、実施の形態3の接合構造体よりも、耐衝撃性が高くなるため、信頼性の高い接合構造体を得ることができる。
本実施の形態の電子機器は、電子部品と、前記電子部品を実装する基板と、前記電子部品と前記基板とを接合する第1の接合材料とを具備し、前記第1の接合材料は、第1の合金を含み、前記電子部品は、電子素子と、前記電子素子と接続される電極と、前記電子素子と前記電極とを接合する第2の接合材料とを具備し、前記第2の接合材料は、Biを主成分とする第2の合金を含み、前記第2の合金は、0.2〜0.8質量%のCuと、0.02〜0.2質量%のGeとを含み、前記電子素子表面のめっき、および前記電子素子と接続される電極表面のめっきに含まれるSnは、前記接合材料の30質量%以下であり、前記第2の合金は、前記第1の合金よりも高い溶融温度を有する接合構造体により構成された回路基板で制御される。Cuの含有率は0.4〜0.6質量%が好ましく、Geの含有量は0.02〜0.05質量%が好ましい。Biを主成分とする合金が3元合金(3種の元素からなる合金)である場合、CuとGe以外の残部はBiのみからなる。
本実施の形態の電子機器は、電子部品と、前記電子部品を実装する基板と、前記電子部品と前記基板とを接合する第1の接合材料とを具備し、前記第1の接合材料は、第1の合金を含み、前記電子部品は、電子素子と、前記電子素子と接続される電極と、前記電子素子と前記電極とを接合する第2の接合材料とを具備し、前記第2の接合材料は、Biを主成分とする第2の合金を含み、前記第2の合金は、0.2〜0.8質量%のCuと、0.02〜0.2質量%のGeと、0.02〜0.08質量%のNiとを含み、前記電子素子表面のめっき、および前記電子素子と接続される電極表面のめっきに含まれるSnは、前記接合材料の30質量%以下であり、前記第2の合金は、前記第1の合金よりも高い溶融温度を有する接合構造体により構成された回路基板で制御される。Cuの含有率は0.4〜0.6質量%が好ましく、Geの含有量は0.02〜0.05質量%が好ましく、Niの含有量は0.02〜0.05質量%が好ましい。このような電子機器は、実施の形態5の電子機器よりも、耐衝撃性が高くなるため、更に信頼性の高い電子機器を得ることができる。
11、26、44 ガラスエポキシ基板
12、28、48 エポキシ樹脂
13A、13B、27,49A、49B 内部電極
14、20、50 チップコンデンサ
15、25、30 高温はんだ
16 半導体部品
17、53 線材
18、29 外部電極
21 誘電体セラミックス
22 下地電極
23 中間電極
24 外部電極
31 低融点組成
43 マザー基板
45A、45B 電子部品
47 モジュール基板
Claims (4)
- 表面にめっきされた電子素子と、前記電子素子と接続され表面にめっきされた電極と、前記電子素子と前記電極とを接合する接合材料とを具備し、
前記接合材料は、Biを主成分とする合金を含み、前記合金は、0.2〜0.8質量%のCuと、0.02〜0.2質量%のGeとを含み、残部Biからなり、
前記電子素子表面のめっきAに含まれるSnの質量と前記電極の表面のめっきBに含まれるSnの質量の合計質量は、前記接合材料と前記めっきAと前記めっきBとの合計質量の30質量%以下である接合構造体。 - 前記合金は、更に、0.02〜0.08質量%のNiを含む、請求項1記載の接合構造体。
- 電子部品と、前記電子部品を搭載する基板と、前記電子部品と前記基板とを接合する第1の接合材料とを具備し、前記第1の接合材料は、第1の合金を含み、前記電子部品は、表面にめっきされた電子素子と、前記電子素子と接続され表面にめっきされた電極と、前記電子素子と前記電極とを接合する第2の接合材料とを具備し、
前記第2の接合材料は、Biを主成分とする第2の合金を含み、前記第2の合金は、0.2〜0.8質量%のCuと、0.02〜0.2質量%のGeとを含み、残部Biからなり、
前記電子素子表面のめっきCに含まれるSnの質量と前記電子素子と接続される電極表面のめっきDに含まれるSnの質量の合計質量は、
前記第2の接合材料と前記めっきCと前記めっきDとの合計質量の30質量%以下であり、
前記第2の合金は、前記第1の合金よりも高い溶融温度を有する接合構造体により構成された回路基板で制御される電子機器。 - 前記第2の合金は、更に、0.02〜0.08質量%のNiを含む、請求項3記載の電子機器。
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