JP4689286B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

本発明は液晶表示装置に有用なセルロースアシレートフィルムを用いた液晶表示装置に関し、強誘電性液晶表示装置、反強誘電性液晶表示装置および水平方向に配向したネマチック液晶に横方向の電界を印加することにより表示を行うインプレーンスイッチングモードの液晶表示装置に関する。

液晶表示装置としては、２枚の直交した偏光板の間に、ネマチック液晶をツイスト配列させた液晶層を挟み、電界を基板に対して垂直な方向にかける方式、いわゆるＴＮモードが広く用いられている。この方式では、黒表示時に液晶が基板に対して立ち上がるために、斜めから見ると液晶分子による複屈折が発生し、光漏れが起こる。この問題に対して、液晶性分子がハイブリッド配向したフィルムを用いることで、液晶セルを光学的に補償し、この光漏れを防止する方式が実用化されている。しかし、液晶性分子を用いても液晶セルを問題なく完全に光学的に補償することは非常に難しく、画面下方向での諧調反転が抑えきれないという問題を生じていた。

かかる問題を解決するため、横電界を液晶に対して印加する、いわゆるインプレーンスイッチング（ＩＰＳ）モードによる液晶表示装置や、誘電率異方性が負の液晶を垂直配向してパネル内に形成した突起やスリット電極によって配向分割した垂直配向（ＶＡ）モードが提案され、実用化されている。近年、これらのパネルはモニター用途に留まらず、ＴＶ用途として開発が進められており、それに伴って画面の輝度が大きく向上してきている。このため、これらの動作モードで従来問題とされていなっかった、黒表示時の対角位斜め入射方向での僅かな光漏れが表示品質の低下の原因として顕在化してきた。

この色調や黒表示の視野角を改善する手段の一つとして、液晶層と偏光板の間に複屈折特性を有する光学補償材料を配置することがＩＰＳモードにおいても検討されている。例えば、傾斜時の液晶層のレターデーションの増減を補償する作用を有する光軸を互いに直交した複屈折媒体を基板と偏光板との間に配置することで、白表示または中間調表示を斜め方向から直視した場合の色付きが改善できることが開示されている（特許文献１参照）。また、負の固有複屈折を有するスチレン系ポリマーやディスコティック液晶性化合物からなる光学補償フィルムを使用した方法（特許文献２、３、４参照）や、光学補償フィルムとして複屈折が正で光学軸がフィルムの面内にある膜と複屈折が正で光学軸がフィルムの法線方向にある膜とを組み合わせる方法（特許文献５参照）、レターデーションが二分の一波長の二軸性の光学補償シートを使用する方法（特許文献６参照）、偏光板の保護膜として負のレターデーションを有する膜を使い、この表面に正のレターデーションを有する光学補償層を設ける方式（特許文献７参照）が提案されている。

しかし、提案された方式の多くは、液晶セル中の液晶の複屈折の異方性を打ち消して視野角を改善する方式であるために、直交偏光板を斜めから見た場合の偏光軸交差角度の直交からのズレに基づく光漏れを十分に解決できないという問題がある。

また、この光漏れを補償できるとされる方式でも、液晶セルを問題なく完全に光学的に補償することは非常に難しい。この主な原因は偏光板の保護膜の光学異方性であり、これを含めた光学補償を行うためには、位相差膜の異方性を極端に大きくしたり更なる光学異方性層を付加する必要があった。

保護膜の位相差値を小さくする方法として、ノルボルネン系樹脂を含有するフィルムやイミド基を有する樹脂とフェニル基、ニトリル基を有する樹脂を含有するフィルムを保護膜に使用する試みがある（特許文献８、９参照）。しかし、これら合成樹脂は一般に疎水的であり、偏光膜との接着に問題があり剥離しやすい。また、偏光膜の両側に保護膜を積層する工程において偏光膜からの水分の透過が期待できないため内部に水分が残存し、偏光性能の劣化をもたらす問題点があった。

特開平９−８０４２４号公報 特開平１０−５４９８２号公報 特開平１１−２０２３２３号公報 特開平９−２９２５２２号公報 特開平１１−１３３４０８号公報 特開平１１−３０５２１７号公報 特開平１０−３０７２９１号公報 特開２００４−４６４１号公報 特開２００４−４６４２号公報

本発明の課題は、簡易な構成で、表示品位のみならず、視野角が著しく改善されたＩＰＳ型液晶表示装置を提供することである。

前記課題を解決するための手段は以下の通りである。すなわち本発明は、
（１） 第１偏光膜と、第１位相差領域と、第２位相差領域と、第１基板と、液晶層と、第２基板とがこの順序で配置され、黒表示時に該液晶層の液晶分子が前記一対の基板の表面に対して平行に配向する液晶表示装置であって、第２位相差領域の面内のレターデーションＲｅが１００ｎｍ以下で、且つ第２位相差領域の厚み方向のレターデーションＲｔｈが５０ｎｍ〜２００ｎｍであり、第１位相差領域が屈折率異方性が負で光軸が層面に対して実質的に平行であり、該第１位相差領域の遅相軸が第１偏光膜の透過軸及び黒表示時の液晶分子の遅相軸方向に直交である液晶表示装置。
（２） 前記第１位相差領域のＲｅが５０ｎｍ〜４００ｎｍである（１）の液晶表示装置。
（３） 前記第２位相差領域の遅相軸が第１偏光膜の透過軸と実質的に直交している（１）又は（２）の液晶表示装置。
（４） 前記第１位相差領域及び第２位相差領域の少なくとも一方が、ディスコチック液晶性化合物を含む（１）〜（３）のいずれかの液晶表示装置。
（５） 前記第２の基板のさらに外側に、第２偏光膜を有する（１）〜（４）のいずれかの液晶表示装置。
（６） 前記第１偏光膜及び／又は前記第２偏光膜を挟んで配置された一対の保護膜を有し、該一対の保護膜のうち液晶層に近い側の保護膜の厚み方向の位相差Ｒｔｈが２５ｎｍ以下である（１）〜（５）のいずれかの液晶表示装置。
（７） 前記第１偏光膜及び／又は前記第２偏光膜を挟んで配置された一対の保護膜を有し、該一対の保護膜のうち液晶層に近い側の保護膜が、セルロースアシレートフィルム又はノルボルネン系フィルムである（１）〜（６）のいずれかの液晶表示装置。
（８） 前記第１偏光膜及び／又は前記第２偏光膜を挟んで配置された一対の保護膜を有し、該一対の保護膜のうち液晶層に近い側の保護膜が下記式（Ｉ）および（ＩＩ）を満たすセルロースアシレートフィルムである（６）の液晶表示装置。
（Ｉ）０≦Ｒｅ（６３０）≦１０、かつ、｜Ｒｔｈ（６３０）｜≦２５
（ＩＩ）｜Ｒｅ（４００）−Ｒｅ（７００）｜≦１０、かつ、｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜≦３５
（式（Ｉ）、（ＩＩ）中、Ｒｅ（λ）は波長λｎｍにおける面内レターデーション（ｎｍ）を表し、Ｒｔｈ（λ）は波長λｎｍにおける膜厚方向のレターデーション（ｎｍ）を表す。）
（９） 前記セルロースアシレートフィルムが該セルロースアシレートフィルムの膜厚方向のレターデーションを低下させる化合物を、下記式（ＩＩＩ）及び、（ＩＶ）を満足する範囲で少なくとも１種含有する（８）の液晶表示装置。
（ＩＩＩ）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０））／Ａ≦−１．０
（ＩＶ）０．０１≦Ａ≦３０
（式（ＩＩＩ）および（ＩＶ）中、Ｒｔｈ（Ａ）は、Ｒｔｈを低下させる化合物をＡ％含有したセルロースアシレートフィルムのＲｔｈ（ｎｍ）を表し、Ｒｔｈ（０）は、該セルロースアシレートフィルムであって、Ｒｔｈ（λ）を低下させる化合物を含有しないセルロースアシレートフィルムのＲｔｈ（ｎｍ）を表し、Ａは、セルロースアシレートフィルム原料ポリマーに対する、Ｒｔｈ（λ）を低下させる化合物の重量（％）を表す。）
（１０） 前記セルロースアシレートフィルムが、アシル置換度が２．８５〜３．００のセルロースアシレートに、Ｒｔｈ（λ）を低下させる化合物を少なくとも１種、セルロースアシレート固形分に対して０．０１〜３０質量％含む、（８）または（９）の液晶表示装置。
（１１） 前記セルロースアシレートフィルムが、前記セルロースアシレートフィルムの｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜を低下させる化合物の少なくとも１種を、該セルロースアシレート固形分に対して０．０１〜３０質量％含む、（８）〜（１０）のいずれかの液晶表示装置。
（１２） 前記セルロースアシレートフィルムの膜厚が１０〜１２０μｍである、（８）〜（１１１）のいずれかの液晶表示装置。
（１３） 前記セルロースアシレートフィルムが、Ｒｔｈ（λ）を低下させ、且つオクタノール−水分配係数（ＬｏｇＰ値）が０〜７である化合物の少なくとも１種を、該セルロースアシレート固形分に対して０．０１〜３０質量％含む、（８）〜（１２）のいずれかの液晶表示装置。
（１４） 前記およびＲｔｈ（λ）を低下させ、且つオクタノール−水分配係数（ＬｏｇＰ値）が０〜７である化合物が、下記一般式（１３）又は下記一般式（１８）で表される化合物の少なくとも一種である（１３）の液晶表示装置。

（一般式（１３）中、Ｒ¹¹はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ¹²およびＲ１３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。）

（一般式（１８）中、Ｒ¹⁴はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ¹⁵およびＲ１６はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。）
（１５） 前記セルロースアシレートフィルムは、波長３８０ｎｍにおける分光透過率が４５〜９５％であり、かつ、波長３５０ｎｍにおける分光透過率が１０％以下である、（８）〜（１４）のいずれかの液晶表示装置。
（１６） 前記セルロースアシレートフィルムを、６０℃で且つ９０％ＲＨの環境下で２４０時間処理した後のセルロースアシレートフィルムのＲｔｈ（λ）の変化量が１５ｎｍ以下である（８）〜（１５）のいずれかの液晶表示装置。
（１７） 前記セルロースアシレートフィルムを、８０℃で２４０時間処理した後のセルロースアシレートフィルムのＲｔｈ（λ）の変化量が、１５ｎｍ以下である、（８）〜（１６）のいずれかの液晶表示装置。
（１８） 前記セルロースアシレートフィルムは、フィルム面内の正面レターデーションが下記式を満足する（８）〜（１６）のいずれかの液晶表示装置。
｜Ｒｅ（ｎ）−Ｒｅ（０）｜／ｎ≦１．０
（式中、Ｒｅ（ｎ）は、ｎ（％）延伸したフィルムの面内正面レターデーション（ｎｍ）を表し、Ｒｅ（０）は、延伸していないフィルムの面内正面レターデーション（ｎｍ）を表す。）
（１９） 前記セルロースアシレートフィルムが、該フィルム面内に、該フィルムを製造する機械の該フィルムの搬送方向（ＭＤ方向）に対して垂直な方向（ＴＤ方向）に遅相軸を有する（８）〜（１６）のいずれかの液晶表示装置。
（２０） 前記セルロースアシレートフィルムが、該フィルム面内において、遅相軸を有する方向に延伸すると正面レターデーションが小さくなり、遅相軸を有する方向と垂直な方向に延伸すると正面レターデーションが大きくなることを特徴とする、（８）〜（１６）のいずれかの液晶表示装置。
（２１） 前記液晶セルの一対の基板のうち視認側と反対側の基板により近い位置に、前記第１位相差領域および前記第２位相差領域が配置されている、（１）〜（２０）のいずれかの液晶表示装置。
（２２） 前記液晶セルの一対の基板のうち視認側の基板により近い位置に、前記第１位相差領域および前記第２位相差領域が配置されている、（１）〜（２１）のいずれかの液晶表示装置。

第１偏光膜と、第１位相差領域及び第２位相差領域と、第１基板と、液晶層と、第２基板と、第２偏光膜とがこの順序で配置され、黒表示時に該液晶層の液晶分子が前記一対の基板の表面に対して平行に配向する液晶表示装置であって、第２位相差領域の面内のレターデーションＲｅが１００ｎｍ以下で、且つ第２位相差領域の厚み方向のレターデーションＲｔｈが５０ｎｍ〜２００ｎｍであり、第１位相差領域が屈折率異方性が負で光軸が層面に対して実質的に平行であり、該第１位相差領域の遅相軸が第１偏光膜の透過軸及び黒表示時の液晶分子の遅相軸方向に直交になるように配置することによって、正面方向の特性を何ら変更させることなく、斜めの方位角方向から見た場合に２枚の偏光板の吸収軸が９０度からずれることから生ずるコントラストの低下、特に４５度の斜め方向からのコントラストの低下を改善することができる。さらに、偏光膜の保護膜のＲｔｈを２５ｎｍ以下とすることによって更なるコントラスト向上を実現することができる。

発明の実施の形態

以下において、本発明の液晶表示装置の一実施形態およびその構成部材について順次説明する。なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。

本明細書において、Ｒｅ、Ｒｔｈは各々、波長５５０ｎｍにおける面内のレターデーションおよび厚さ方向のレターデーションを表す。ＲｅはＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨ（王子計測機器（株）製）において波長５５０ｎｍの光をフィルム法線方向に入射させて測定される。Ｒｔｈは前記Ｒｅ、面内の遅相軸（ＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨにより判断される）を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して＋４０°傾斜した方向から波長５５０ｎｍの光を入射させて測定したレターデーション、および面内の遅相軸を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して−４０°傾斜した方向から波長５５０ｎｍの光を入射させて測定したレターデーションの計３つの方向で測定したレターデーションを基にＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨが算出する。

ここで平均屈折率の仮定値は、ポリマーハンドブック（ＪＯＨＮ ＷＩＬＥＹ＆ＳＯＮＳ，ＩＮＣ）、各種光学フィルムのカタログの値を使用することができる。平均屈折率の値が既知でないものについてはアッベ屈折計で測定することができる。主な光学フィルムの平均屈折率の値を以下に例示する：セルロースアシレート（１．４８）、シクロオレフィンポリマー（１．５２）、ポリカーボネート（１．５９）、ポリメチルメタクリレート（１．４９）、ポリスチレン（１．５９）である。これら平均屈折率の仮定値と膜厚を入力することで、ＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨはｎｘ、ｎｙ、ｎｚを算出する。

また、Ｒｔｈの符号は面内の遅相軸を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して＋２０°傾斜した方向から波長５５０ｎｍの光を入射させて測定したレターデーションがＲｅを超える場合を正とし、Ｒｅを下回る場合を負とする。但し、｜Ｒｔｈ／Ｒｅ｜が９以上の試料では、回転自由台座付きの偏光顕微鏡を用いて、面内の進相軸を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して＋４０°傾斜した状態で、偏光板の検板を用いて決定できる試料の遅相軸がフィルム平面に平行にある場合を正とし、また遅相軸がフィルムの厚み方向にある場合を負とする。

本明細書において、「平行」、「直交」とは、厳密な角度±１０°未満の範囲内であることを意味する。この範囲は厳密な角度との誤差は、±５°未満であることが好ましく、±２°未満であることがより好ましい。また、「遅相軸」は、屈折率が最大となる方向を意味する。さらに屈折率および位相差の測定波長は特別な記述がない限り、可視光域のλ＝５５０ｎｍでの値である。

本明細書において「偏光板」とは、特に断らない限り、長尺の偏光板および液晶装置に組み込まれる大きさに裁断された（本明細書において、「裁断」には「打ち抜き」および「切り出し」等も含むものとする）偏光板の両者を含む意味で用いられる。また、本明細書では、「偏光膜」および「偏光板」を区別して用いるが、「偏光板」は「偏光膜」の少なくとも片面に該偏光膜を保護する透明保護膜を有する積層体を意味するものとする。また、保護膜が他の膜を兼ねる構成であってもよいとは、例えば、該保護膜が、位相差領域を兼ねる構成であることをいう。

以下、図面を用いて本発明の実施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明の液晶表示装置の画素領域例を示す模式図である。図２は、本発明の液晶表示装置の一実施形態の模式図である。
［液晶表示装置］
図２に示す液晶表示装置は、偏光膜８、２０と、第１位相差領域１０と、第２位相差領域１２と、基板１３，１７と、液晶層１５とを有する。偏光膜８及２０は、それぞれ保護膜７ａと７ｂ及び１９ａと１９ｂによって挟持されている。

図２の液晶表示装置では、液晶セルは、基板１３及び１７と、これらに挟持される液晶層１５からなる。液晶層の厚さｄ（μｍ）と屈折率異方性Δｎとの積Δｎ・ｄは透過モードにおいて、ねじれ構造を持たないＩＰＳ型では０．２〜０．４μｍの範囲が最適値となる。この範囲では白表示輝度が高く、黒表示輝度が小さいことから、明るくコントラストの高い表示装置が得られる。基板１３及び１７の液晶層１５に接触する表面には、配向膜（不図示）が形成されていて、液晶分子を基板の表面に対して略平行に配向させるとともに配向膜上に施されたラビング処理方向１４及び１８等により、電圧無印加状態もしくは低印加状態における液晶分子配向方向が制御されていて、遅相軸１６の方向が決定されている。なお、図２ではラビング方向が平行の状態を表しているが、反平行であっても良い。基板での配向方向が図の関係であれば、液晶配向制御に光配向膜やイオンビーム法を用いても良い。また、視野角を広げるためには、この配向膜での液晶のチルト角は低角度であることが好ましい。また、基板１３若しくは１７の内面には、液晶分子に電圧印加可能な電極（図２中不図示）が形成されている。

図１に、液晶層１５の１画素領域中の液晶分子の配向を模式的に示す。図１は、液晶層１５の１画素に相当する程度の極めて小さい面積の領域中の液晶分子の配向を、基板１３及び１７の内面に形成された配向膜のラビング方向４、及び基板１３及び１７の内面に形成された液晶分子に電圧印加可能な電極２及び３とともに示した模式図である。電界効果型液晶として正の誘電異方性を有するネマチック液晶を用いてアクティブ駆動を行った場合の、電圧無印加状態若しくは低印加状態での液晶分子配向方向は５ａ及び５ｂであり、この時に黒表示が得られる。電極２及び３間に印加されると、電圧に応じて液晶分子は６ａ及び６ｂ方向へとその配向方向を変える。通常、この状態で明表示を行なう。

再び図２において、偏光膜８の透過軸９と、偏光膜２０の透過軸２１は直交して配置されている。第１位相差領域１０の遅相軸１１は、偏光膜８の透過軸９及び黒表示時の液晶層１４中の液晶分子の遅相軸方向１５に直交である。
図２に示す液晶表示装置では、偏光膜８が二枚の保護膜７ａ及び７ｂに挟持された構成を示しているが、保護膜７ｂはなくてもよい。また、偏光膜２０も二枚の保護膜１９ａ及び１９ｂに挟持されているが、液晶層１５に近い側の保護膜１９ａはなくてもよい。保護膜７ｂおよび１９ａを配置する場合は、該保護膜の厚み方向の位相差Ｒｔｈは、２５ｎｍ以下であることが好ましい。

保護膜７ｂおよび液晶層１５に近い側の保護膜１９ａとしては、後述するセルロールアシレートが好ましい。保護膜に用いられる光学異方性（Ｒｅ、Ｒｔｈ）が小さいセルロースアシレートフィルムとしては、波長６３０ｎｍにおける面内のレターデーションＲｅ（６３０）が１０ｎｍ以下（０≦Ｒｅ（６３０）≦１０）でかつ、膜厚方向のレターデーションＲｔｈ（６３０）の絶対値が２５ｎｍ以下（｜Ｒｔｈ｜≦２５ｎｍ）である。好ましくは、０≦Ｒｅ（６３０）≦５、かつ、｜Ｒｔｈ｜≦２０ｎｍであり、より好ましくは、０≦Ｒｅ（６３０）≦２、かつ、｜Ｒｔｈ｜≦１５ｎｍである。

さらに、本発明で用いられる保護膜は、波長分散が小さいセルロースアシレートフィルムであり、｜Ｒｅ（４００）−Ｒｅ（７００）｜≦１０、かつ、｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜≦３５である。｜Ｒｅ（４００）−Ｒｅ（７００）｜≦５、かつ、｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜≦２５が好ましく、｜Ｒｅ（４００）−Ｒｅ（７００）｜≦３、かつ、｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜≦１５がより好ましい。
また、保護膜７ｂおよび保護膜１９ａは、１０〜１２０μｍであることが好ましく、（３０〜９０）μｍであることがより好ましい。

第１位相差領域及び第２位相差領域は、液晶セルの位置を基準にして、液晶セルと視認側の偏光膜との間に配置されていてもよいし、液晶セルと背面側の偏光膜との間に配置されていてもよい。

なお、図２には、上側偏光板及び下側偏光板を備えた透過モードの表示装置の態様を示したが、本発明は一の偏光板のみを備える反射モードの態様であってもよく、かかる場合は、液晶セル内の光路が２倍になることから、最適Δｎ・ｄの値は上記の１／２程度の値になる。また、本発明に用いられる液晶セルはＩＰＳモードに限定されることなく、黒表示時に液晶分子が前記一対の基板の表面に対して実質的に平行に配向する液晶表示装置であれば、いずれも好適に用いることができる。この例としては強誘電性液晶表示装置、反強誘電性液晶表示装置、ＥＣＢ型液晶表示装置がある。

本発明の液晶表示装置は、図２に示す構成に限定されず、他の部材を含んでいてもよい。例えば、液晶層と偏光膜との間にカラーフィルターを配置してもよい。また、偏光膜の保護膜の表面に反射防止処理やハードコートを施してもよい。また、構成部材に導電性を付与したものを使用してもよい。また、透過型として使用する場合は、冷陰極あるいは熱陰極蛍光管、あるいは発光ダイオード、フィールドエミッション素子、エレクトロルミネッセント素子を光源とするバックライトを背面に配置することができる。この場合、バックライトの配置は図２の上側であっても下側であってもよい。また、液晶層とバックライトとの間に、反射型偏光板や拡散板、プリズムシートや導光板を配置することもできる。
また、上述した様に、本発明の液晶表示装置は、反射型であってもよく、かかる場合は、偏光板は観察側に１枚配置したのみでよく、液晶セル背面あるいは液晶セルの下側基板の内面に反射膜を配置する。もちろん前記光源を用いたフロントライトを液晶セル観察側に設けることも可能である。

本発明の液晶表示装置には、画像直視型、画像投影型や光変調型が含まれる。本発明は、ＴＦＴやＭＩＭのような３端子又は２端子半導体素子を用いたアクティブマトリックス液晶表示装置に適用した態様が特に有効である。勿論、時分割駆動と呼ばれるパッシブマトリックス液晶表示装置に適用した態様も有効である。

以下、本発明の液晶表示装置に使用可能な種々の部材の好ましい光学特性や部材に用いられる材料、その製造方法等について、詳細に説明する。

［第１位相差領域］
本発明では、屈折率異方性が負で、光軸が層面に対して実質的に平行である第１位相差領域を、該第１位相差領域の遅相軸が第１偏光膜の透過軸及び黒表示時の液晶分子の遅相軸方向に直交になるように配置する。前記第１の位相差領域は、前記光学特性を有する限り、その材料及び形態については特に制限されない。例えば、複屈折ポリマーフィルムからなる位相差膜、及び透明支持体上に低分子あるいは高分子液晶性化合物を塗布もしくは転写することによって形成された位相差層を有する位相差膜など、いずれも使用することができる。また、それぞれを積層して使用することもできる。

第１位相差領域は、その遅相軸が、黒表示時の液晶分子の遅相軸方向に直交に配置される。第１位相差領域のＲｅは、斜め方向の光漏れを効果的に低減するために、５０ｎｍ〜４００ｎｍであるものが好ましく、８０ｎｍ〜２５０ｎｍがさらに好ましく、１１０ｎｍ〜２１０ｎｍが最も好ましい。

《複屈折ポリマーフィルムを有する第１位相差領域》
上記光学特性を有する複屈折ポリマーフィルムからなる位相差膜は、高分子フィルムを延伸することで容易に形成できる。高分子フィルムの材料は屈折率異方性が負のポリマーが好ましい。屈折率異方性が負のポリマーとしては、スチレン系ポリマーを挙げることができる。スチレン系ポリマーは、スチレンあるいはスチレン誘導体の単独重合体；スチレンあるいはスチレン誘導体と他のモノマーとの共重合体；スチレンあるいはスチレン誘導体と他のモノマーから得られるグラフト共重合体；及びこれらのポリマーの混合物に大別することができる。

スチレンあるいはその誘導体の単独重合体の例としては、スチレン、α−メチルスチレン、ｏ−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｐ−クロロスチレン、ｏ−ニトロスチレン、ｐ−アミノスチレン、ｐ−カルボキシルスチレン、ｐ−フェニルスチレン及び２，５−ジクロロスチレンの単独重合体を挙げることができる。スチレンあるいはスチレン誘導体と他のモノマーとの共重合体の例としては、スチレン／アクリロニトリル共重合体、スチレン／メタクリロニトリル共重合体、スチレン／メタクリル酸メチル共重合体、スチレン／メタクリル酸エチル共重合体、スチレン／α−クロロアクリロニトリル共重合体、スチレン／アクリル酸メチル共重合体、スチレン／アクリル酸エチル共重合体、スチレン／アクリル酸ブチル共重合体、スチレン／アクリル酸共重合体、スチレン／メタクリル酸共重合体、スチレン／ブタジエン共重合体、スチレン／イソプレン共重合体、スチレン／無水マレイン酸共重合体、スチレン／イタコン酸共重合体、スチレン／ビニルカルバゾール共重合体、スチレン／Ｎ−フェニルアクリルアミド共重合体、スチレン／ビニルピリジン共重合体、スチレン／ビニルナフタレン共重合体、α−メチルスチレン／アクリロニトリル共重合体、α−メチルスチレン／メタクリロニトリル共重合体、α−メチルスチレン／酢酸ビニル共重合体、スチレン／α−メチルスチレン／アクリロニトリル共重合体、スチレン／α−メチルスチレン／メチルメタクリレート共重合体、及びスチレン／スチレン誘導体共重合体を挙げることができる。スチレン系ポリマーとしては、スチレン／ブタジエン共重合体に、スチレン、アクリロニトリル及びα−メチルスチレンからなる群の少なくとも一種をグラフト重合させたグラフト共重合体が好ましい。スチレン系ポリマーについては、特開平４−９７３２２号公報及び特開平６−６７１６９号公報に記載されている。
前記位相差層は、光学的に負の一軸性で、基板と平行に光軸を有し、例えば上記スチレン系ポリマー等の屈折率異方性が負のポリマーを一軸延伸することにより得ることができる。

《液晶性化合物から形成された位相差層を有する第１位相差領域》
上記光学特性を有する液晶性化合物から形成された位相差層は、複屈折が負のディスコチック液晶化合物又はそれを含有する組成物を、支持体もしくは仮支持体上に塗布して、液晶性分子を垂直配向させ、その光軸を基板に略水平にさせた後、固定化することで形成することができる。仮支持体上に形成した場合は、該位相差層を支持体上に転写することで作製することもできる。さらに、一の位相差層のみならず複数の位相差層を積層して、上記光学特性を示す第１位相差領域を構成することもできる。また、支持体と位相差層との積層体全体で上記光学特性を満たすようにして、第１位相差領域を構成してもよい。

《ディスコチック液晶性化合物》
本発明には、様々な文献（Ｃ．Ｄｅｓｔｒａｄｅ ｅｔ ａｌ．，Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｒ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．，ｖｏｌ．７１，ｐａｇｅ １１１（１９８１）；日本化学会編、季刊化学総説、Ｎｏ．２２、液晶の化学、第５章、第１０章第２節（１９９４）；Ｂ．Ｋｏｈｎｅ ｅｔ ａｌ．，Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍ．，ｐａｇｅ １７９４（１９８５）；Ｊ．Ｚｈａｎｇ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，ｖｏｌ．１１６，ｐａｇｅ ２６５５（１９９４））に記載されているディスコチック液晶性化合物を使用することができる。ディスコチック液晶性化合物の重合については、特開平８−２７２８４号公報に記載がある。

ディスコチック液晶性化合物は、重合により固定可能なように、重合性基を有するのが好ましい。例えば、ディスコチック液晶性化合物の円盤状コアに、置換基として重合性基を結合させた構造が考えられるが、但し、円盤状コアに重合性基を直結させると、重合反応において配向状態を保つことが困難になる。そこで、円盤状コアと重合性基との間に連結基を有する構造が好ましい。即ち、重合性基を有するディスコチック液晶性化合物は、下記式で表わされる化合物であることが好ましい。
Ｄ（−Ｌ−Ｐ）_n
式中、Ｄは円盤状コアであり、Ｌは二価の連結基であり、Ｐは重合性基であり、ｎは４〜１２の整数である。前記式中の円盤状コア（Ｄ）、二価の連結基（Ｌ）及び重合性基（Ｐ）の好ましい具体例は、それぞれ、特開２００１−４８３７号公報に記載の（Ｄ１）〜（Ｄ１５）、（Ｌ１）〜（Ｌ２５）、（Ｐ１）〜（Ｐ１８）であり、同公報に記載の内容を好ましく用いることができる。

前記第１位相差領域が、実質的に垂直配向したディスコチック液晶性化合物から形成された位相差層を有する態様では、該位相差層の遅相軸が、黒表示時の液晶分子の遅相軸方向に直交になるように配置する。第１位相差領域のＲｅの調整は、塗布形成するディスコチック液晶層の厚みを制御することによって行なわれる。さらに、ディスコチック液晶性化合物は、フィルム面に対して実質的に垂直（７０〜９０度の範囲の平均傾斜角）に円盤面を配向させることが必要である。ディスコチック液晶性化合物は斜め配向させてもよいし、傾斜角が徐々に変化するように（ハイブリッド配向）させてもよい。斜め配向又はハイブリッド配向の場合でも、平均傾斜角は７０°〜９０°であることが好ましく、７５°〜９０°がより好ましく、８０°〜９０°が最も好ましい。
平均傾斜角がこれよりも小さくなると光漏れの分布が非対称になる。

《位相差層を有する第１位相差領域の形成方法》
ディスコチック液晶性化合物から形成された位相差層は、ディスコチック液晶性化合物、所望により、下記の重合性開始剤や空気界面垂直配向剤や他の添加剤を含む塗布液を、支持体の上に形成された垂直配向膜の上に塗布して、垂直配向させ、該配向状態を固定することで形成することができる。

塗布液の調製に使用する溶媒としては、有機溶媒が好ましく用いられる。有機溶媒の例には、アミド（例、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）、スルホキシド（例、ジメチルスルホキシド）、ヘテロ環化合物（例、ピリジン）、炭化水素（例、ベンゼン、ヘキサン）、アルキルハライド（例、クロロホルム、ジクロロメタン）、エステル（例、酢酸メチル、酢酸ブチル）、ケトン（例、アセトン、メチルエチルケトン）、エーテル（例、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン）が含まれる。アルキルハライド及びケトンが好ましい。二種類以上の有機溶媒を併用してもよい。塗布液の塗布は、公知の方法（例、押し出しコーティング法、ダイレクトグラビアコーティング法、リバースグラビアコーティング法、ダイコーティング法）により実施できる。

垂直配向させた液晶性化合物は、配向状態を維持して固定するのが好ましい。固定化は、液晶性化合物に導入した重合性基（Ｐ）の重合反応により実施することが好ましい。重合反応には、熱重合開始剤を用いる熱重合反応と光重合開始剤を用いる光重合反応とが含まれる。光重合反応が好ましい。光重合開始剤の例には、α−カルボニル化合物（米国特許２３６７６６１号、同２３６７６７０号の各明細書記載）、アシロインエーテル（米国特許２４４８８２８号明細書記載）、α−炭化水素置換芳香族アシロイン化合物（米国特許２７２２５１２号明細書記載）、多核キノン化合物（米国特許３０４６１２７号、同２９５１７５８号の各明細書記載）、トリアリールイミダゾールダイマーとｐ−アミノフェニルケトンとの組み合わせ（米国特許３５４９３６７号明細書記載）、アクリジン及びフェナジン化合物（特開昭６０−１０５６６７号公報、米国特許４２３９８５０号明細書記載）及びオキサジアゾール化合物（米国特許４２１２９７０号明細書記載）が含まれる。

光重合開始剤の使用量は、塗布液の固形分の０．０１〜２０質量％であることが好ましく、０．５〜５質量％であることがさらに好ましい。ディスコチック液晶性分子の重合のための光照射は、紫外線を用いることが好ましい。照射エネルギーは、２０ｍＪ／ｃｍ²〜５０Ｊ／ｃｍ²であることが好ましく、１００〜８００ｍＪ／ｃｍ²であることがさらに好ましい。光重合反応を促進するため、加熱条件下で光照射を実施してもよい。前記光学違法性層を含む第１位相差領域の厚さは、０．１〜１０μｍであることが好ましく、０．５〜５μｍであることがさらに好ましく、１〜５μｍであることが最も好ましい。

《垂直配向膜》
液晶性化合物を配向膜側で垂直に配向させるためには、配向膜の表面エネルギーを低下させることが重要である。具体的には、ポリマーの官能基により配向膜の表面エネルギーを低下させ、これにより液晶性化合物を立てた状態にする。配向膜の表面エネルギーを低下させる官能基としては、フッ素原子及び炭素原子数が１０以上の炭化水素基が有効である。フッ素原子又は炭化水素基を配向膜の表面に存在させるために、ポリマーの主鎖よりも側鎖にフッ素原子又は炭化水素基を導入することが好ましい。含フッ素ポリマーは、フッ素原子を０．０５〜８０質量％の割合で含むことが好ましく、０．１〜７０質量％の割合で含むことがより好ましく、０．５〜６５質量％の割合で含むことがさらに好ましく、１〜６０質量％の割合で含むことが最も好ましい。炭化水素基は、脂肪族基、芳香族基又はそれらの組み合わせである。脂肪族基は、環状、分岐状あるいは直鎖状のいずれでもよい。脂肪族基は、アルキル基（シクロアルキル基であってもよい）又はアルケニル基（シクロアルケニル基であってもよい）であることが好ましい。炭化水素基は、ハロゲン原子のような強い親水性を示さない置換基を有していてもよい。炭化水素基の炭素原子数は、１０〜１００であることが好ましく、１０〜６０であることがさらに好ましく、１０〜４０であることが最も好ましい。ポリマーの主鎖は、ポリイミド構造又はポリビニルアルコール構造を有することが好ましい。

ポリイミドは、一般にテトラカルボン酸とジアミンとの縮合反応により合成する。二種類以上のテトラカルボン酸あるいは二種類以上のジアミンを用いて、コポリマーに相当するポリイミドを合成してもよい。フッ素原子又は炭化水素基は、テトラカルボン酸起源の繰り返し単位に存在していても、ジアミン起源の繰り返し単位に存在していても、両方の繰り返し単位に存在していてもよい。ポリイミドに炭化水素基を導入する場合、ポリイミドの主鎖又は側鎖にステロイド構造を形成することが特に好ましい。側鎖に存在するステロイド構造は、炭素原子数が１０以上の炭化水素基に相当し、液晶性化合物を垂直に配向させる機能を有する。本明細書においてステロイド構造とは、シクロペンタノヒドロフェナントレン環構造又はその環の結合の一部が脂肪族環の範囲（芳香族環を形成しない範囲）で二重結合となっている環構造を意味する。

さらに液晶性化合物を垂直に配向させる手段として、ポリビニルアルコール、変性ポリビニルアルコール、又はポリイミドの高分子に有機酸を混合する方法を好適に用いることができる。混合する酸としてはカルボン酸やスルホン酸、アミノ酸が好適に用いられる。
後述の空気界面配向剤の内、酸性を示すものを使用してもよい。また、４級アンモニウム塩類も好適に用いることができる。その混合量は高分子に対して、０．１質量％〜２０質量％であることが好ましく、０．５質量％〜１０質量％であることがさらに好ましい。

上記ポリビニルアルコールの鹸化度は、７０〜１００％が好ましく、８０〜１００％がさらに好ましい。ポリビニルアルコールの重合度は１００〜５０００であることが好ましい。

ディスコチック液晶性化合物を配向させる場合、配向膜は、側鎖に疎水性基を官能基として有するポリマーからなるのが好ましい。具体的な官能基の種類は、液晶性分子の種類及び必要とする配向状態に応じて決定する。例えば、変性ポリビニルアルコールの変性基は、共重合変性、連鎖移動変性又はブロック重合変性により導入できる。変性基の例には、親水性基（カルボン酸基、スルホン酸基、ホスホン酸基、アミノ基、アンモニウム基、アミド基、チオール基等）、炭素数１０〜１００個の炭化水素基、フッ素原子置換の炭化水素基、チオエーテル基、重合性基（不飽和重合性基、エポキシ基、アジリニジル基等）、アルコキシシリル基（トリアルコキシ、ジアルコキシ、モノアルコキシ）等が挙げられる。これらの変性ポリビニルアルコール化合物の具体例として、例えば、特開２０００−１５５２１６号公報明細書中の段落番号［００２２］〜［０１４５］、同２００２−６２４２６号公報明細書中の段落番号［００１８］〜［００２２］に記載のもの等が挙げられる。

配向膜を、主鎖に結合した架橋性官能基を有する側鎖を有するポリマー又は液晶性分子を配向させる機能を有する側鎖に架橋性官能基を有するポリマーを用いて形成し、その上に光学異方性層を、多官能モノマーを含む組成物を用いて形成すると、配向膜中のポリマーと、その上に形成される光学異方性層中の多官能モノマーとを共重合させることができる。その結果、多官能モノマー間だけではなく、配向膜ポリマー間及び多官能モノマーと配向膜ポリマーとの間にも共有結合が形成され、配向膜と光学異方性層とが強固に結合される。従って、架橋性官能基を有するポリマーを用いて配向膜を形成することで、第１位相差領域を含む部材、例えば光学補償シートの強度を、著しく改善することができる。配向膜ポリマーの架橋性官能基は、多官能モノマーと同様に、重合性基を含むことが好ましい。具体的には、例えば特開２０００−１５５２１６号公報明細書中段落番号［００８０］〜［０１００］記載のもの等が挙げられる。

配向膜ポリマーは、上記の架橋性官能基とは別に、架橋剤を用いて架橋させることもできる。架橋剤としては、アルデヒド、Ｎ−メチロール化合物、ジオキサン誘導体、カルボキシル基を活性化することにより作用する化合物、活性ビニル化合物、活性ハロゲン化合物、イソオキサゾール及びジアルデヒド澱粉が含まれる。二種類以上の架橋剤を併用してもよい。具体的には例えば特開２００２−６２４２６号公報明細書中の段落番号［００２３］〜［０２４］記載の化合物等が挙げられる。反応活性の高いアルデヒド、特にグルタルアルデヒドが好ましい。

架橋剤の添加量は、ポリマーに対して０．１〜２０質量％が好ましく、０．５〜１５質量％がさらに好ましい。配向膜に残存する未反応の架橋剤の量は、１．０質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以下であることがさらに好ましい。このように調節することで、配向膜を液晶表示装置に長期使用、又は高温高湿の雰囲気下に長期間放置しても、レチキュレーション発生のない充分な耐久性が得られる。

配向膜は、基本的に、配向膜形成材料である上記ポリマー及び架橋剤を含む組成物を透明支持体上に塗布した後、加熱乾燥（架橋させ）し、ラビング処理することにより形成することができる。架橋反応は、前記のように、透明支持体上に塗布した後、任意の時期に行なってよい。ポリビニルアルコールのような水溶性ポリマーを配向膜形成材料として用いる場合には、塗布液は消泡作用のある有機溶媒（例、メタノール）と水との混合溶媒とすることが好ましい。その比率は質量比で水：メタノールが０：１００〜９９：１が好ましく、０：１００〜９１：９であることがさらに好ましい。これにより、泡の発生が抑えられ、配向膜、更には光学異方性層表面の欠陥が著しく減少する。

配向膜の塗布方法は、スピンコーティング法、ディップコーティング法、カーテンコーティング法、エクストルージョンコーティング法、ロッドコーティング法又はロールコーティング法が好ましい。特にロッドコーティング法が好ましい。また、乾燥後の膜厚は０．１〜１０μｍが好ましい。加熱乾燥は、２０℃〜１１０℃で行なうことができる。充分な架橋を形成するためには６０℃〜１００℃が好ましく、特に８０℃〜１００℃が好ましい。乾燥時間は１分〜３６時間で行なうことができるが、好ましくは１分〜３０分である。ｐＨも、使用する架橋剤に最適な値に設定することが好ましく、グルタルアルデヒドを使用した場合は、ｐＨ４．５〜５．５で、特に５が好ましい。

配向膜は、透明支持体上に設けられることが好ましい。配向膜は、上記のようにポリマー層を架橋した後、表面をラビング処理することにより得ることができる。

前記ラビング処理は、ＬＣＤの液晶配向処理工程として広く採用されている処理方法を適用することができる。即ち、配向膜の表面を、紙やガーゼ、フェルト、ゴムもしくはナイロン、ポリエステル繊維などを用いて一定方向に擦ることにより、配向を得る方法を用いることができる。一般的には、長さ及び太さが均一な繊維を平均的に植毛した布などを用いて、数回程度ラビングを行うことにより実施される。

ディスコチック液晶性化合物を均一配向させるには、ラビング処理された垂直配向膜により配向方向を制御するのが好ましいが、一方、棒状液晶性化合物の垂直配向には、ラビング処理は行なわないことが好ましい。なお、配向膜を用いて液晶性化合物を配向させてから、その配向状態のまま液晶性化合物を固定して光学異方性層を形成し、光学異方性層のみをポリマーフィルム（又は透明支持体）上に転写してもよい。

《空気界面垂直配向剤》
通常、液晶性化合物は、空気界面側では傾斜して配向する性質を有するので、均一に垂直配向した状態を得るために、空気界面側において液晶性化合物を垂直に配向制御することが必要である。この目的のために、空気界面側に偏在して、その排除体積効果や静電気的な効果によって液晶性化合物を垂直に配向させる作用を及ぼす化合物を液晶塗布液に含有させて、位相差膜を形成するのが好ましい。液晶性化合物を垂直に配向させる作用は、ディスコチック液晶性化合物においてはそのダイレクターの傾斜角度、すなわちダイレクターと塗布液晶空気側表面とがなす角度を減少させる作用に相当する。ディスコチック液晶分子のダイレクターの傾斜角度を減少させる化合物としては、マレイミド基のような排除体積効果を有する剛直性の構造単位を含有するポリマーが好適に用いられる。

また、特開２００２−２０３６３号公報、特開２００２−１２９１６２号公報に記載されている化合物を空気界面配向剤として用いることができる。また、特願２００２−２１２１００号明細書の段落番号［００７２］〜［００７５］、特願２００２−２６２２３９号明細書の段落番号［００３７］〜［００３９］、特願２００３−９１７５２号明細書の段落番号［００７１］〜［００７８］、特願２００３−１１９９５９号明細書の段落番号［００５２］〜［００５４］、［００６５］〜［００６６］、［００９２］〜［００９４］、特願２００３−３３０３０３号明細書の段落番号［００２８］〜［００３０］、特願２００４−００３８０４号明細書の段落番号［００８７］〜［００９０］に記載される事項も本発明に適宜適用することができる。また、これらの化合物を配合することによって塗布性が改善され、ムラ又はハジキの発生が抑制される。

液晶塗布液への空気界面配向剤の使用量は、０．０５質量％〜５質量％であることが好ましい。また、フッ素系空気界面配向剤を用いる場合は、１質量％以下であることが好ましい。

《位相差層中の他の材料》
上記の液晶性化合物と共に、可塑剤、界面活性剤、重合性モノマー等を併用して、塗工膜の均一性、膜の強度、液晶性化合物の配向性等を向上させることができる。これらの素材は液晶性化合物と相溶性を有し、配向を阻害しないことが好ましい。

重合性モノマーとしては、ラジカル重合性もしくはカチオン重合性の化合物が挙げられる。好ましくは、多官能性ラジカル重合性モノマーであり、上記の重合性基含有の液晶化合物と共重合性のものが好ましい。例えば、特開２００２−２９６４２３号公報明細書中の段落番号［００１８］〜［００２０］記載のものが挙げられる。上記化合物の添加量は、円盤状液晶性分子に対して一般に１〜５０質量％の範囲にあり、５〜３０質量％の範囲にあることが好ましい。

界面活性剤としては、従来公知の化合物が挙げられるが、特にフッ素系化合物が好ましい。具体的には、例えば特開２００１−３３０７２５号公報明細書中の段落番号［００２８］〜［００５６］記載の化合物、特願２００３−２９５２１２号公報明細書中の段落番号［００６９］〜［０１２６］記載の化合物が挙げられる。

液晶性化合物とともに使用するポリマーは、塗布液を増粘できることが好ましい。ポリマーの例としては、セルロースエステルを挙げることができる。セルロースエステルの好ましい例としては、特開２０００−１５５２１６号公報明細書中の段落番号［０１７８］記載のものが挙げられる。液晶性化合物の配向を阻害しないように、上記ポリマーの添加量は、液晶性分子に対して０．１〜１０質量％の範囲にあることが好ましく、０．１〜８質量％の範囲にあることがより好ましい。液晶性化合物のディスコティックネマティック液晶相−固相転移温度は、７０〜３００℃が好ましく、７０〜１７０℃がさらに好ましい。

《支持体》
本発明では、液晶性化合物から形成された位相差層を、支持体上に形成してもよい。支持体は透明であるのが好ましく、具体的には、光透過率が８０％以上であるのが好ましい。支持体は、波長分散が小さいのが好ましく、具体的には、Ｒｅ４００／Ｒｅ７００の比が１．２未満であることが好ましい。中でも、ポリマーフィルムが好ましい。透明支持体は第２位相差領域、又は偏光板保護膜を兼ねることもできる。また、透明支持体と位相差層全体で、第１位相差領域を構成していてもよい。支持体の光学異方性は小さいのが好ましく、面内レターデーション（Ｒｅ）が２０ｎｍ以下であることが好ましく、１０ｎｍ以下であることがさらに好ましく、５ｎｍ以下であることが最も好ましい。また、第２位相差領域を兼ねる場合は、厚さ方向のレターデーションＲｔｈが５０ｎｍ〜２００ｎｍであり、６０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲であることがより好ましく、７０ｎｍ〜１３０ｎｍの範囲であることが最も好ましい。また、偏光板保護膜を兼ねる場合は、厚さ方向のレターデーションＲｔｈが２５ｎｍ以下であり、２０ｎｍ以下であることがより好ましく、１０ｎｍ以下であることが最も好ましい。

支持体となるポリマーフィルムの例には、セルロースエステル、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアクリレート及びポリメタクリレートのフィルムが含まれる。セルロースエステルフィルムが好ましく、アセチルセルロースフィルムがさらに好ましく、トリアセチルセルロースフィルムが最も好ましい。ポリマーフィルムは、ソルベントキャスト法により形成することが好ましい。透明支持体の厚さは、２０〜５００μｍであることが好ましく、４０〜２００μｍであることがさらに好ましい。透明支持体とその上に設けられる層（接着層、垂直配向膜あるいは位相差層）との接着を改善するため、透明支持体に表面処理（例、グロー放電処理、コロナ放電処理、紫外線（ＵＶ）処理、火炎処理）を実施してもよい。透明支持体の上に、接着層（下塗り層）を設けてもよい。また、透明支持体や長尺の透明支持体には、搬送工程でのすべり性を付与したり、巻き取った後の裏面と表面の貼り付きを防止するために、平均粒径が１０〜１００ｎｍ程度の無機粒子を固形分重量比で５％〜４０％混合したポリマー層を支持体の片側に塗布や支持体との共流延によって形成したものを用いることが好ましい。

［第２位相差領域］
第２位相差領域の光学特性は、厚み方向のレターデーションＲｔｈが、５０ｎｍ〜２００ｎｍであり、６０ｎｍ〜１５０ｎｍであるのがより好ましく、７０ｎｍ〜１３０ｎｍであるのがさらに好ましい。なお、第２位相差領域の遅相軸方向の配置は、Ｒｅが２０ｎｍ以下の場合は特に限定されないが、２０ｎｍを超える場合は、第１偏光膜の透過軸と略直交する方向であるのが好ましく、そのように配置すると、例えば、第１位相差領域が液晶性化合物から形成された位相差層を含む場合に、位相差層の厚みを薄くできる。

前記第２位相差領域は、前記光学特性を有する限り、その材料について特に制限はない。例えば、複屈折ポリマーフィルムからなる位相差膜、及び透明支持体上に低分子あるいは高分子液晶性化合物を塗布もしくは転写することによって形成された位相差層を有する位相差膜など、いずれも使用することができる。また、それぞれを積層して使用することもできる。

《複屈折ポリマーフィルムを有する第２位相差領域》
上記光学特性を有する複屈折ポリマーフィルムからなる位相差膜は、高分子フィルムを一軸及び二軸延伸することでも容易に形成できる（例 特開２００２−１３９６２１号公報、特開２００２−１４６０４５号公報）。また、延伸することなしに流延するだけでこの光学特性を発現するセルロースアシレート類を好適に用いることができる。かかるセルロースアシレートとして、特開２０００−２７５４３４号公報、特開２００１−１６６１４４号公報、特開２００２−１６１１４４号公報、特開２００２−９０５４１号公報に記載されているものを用いることができる。高分子フィルムの材料は、一般に合成ポリマー（例、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ノルボルネン樹脂、セルロースアシレート）が用いられる。

《液晶性化合物から形成された位相差層を有する第２位相差領域》
上記光学特性を有する液晶性化合物から形成された位相差層は、キラル構造単位を含んだ棒状コレステリック液晶性組成物を、支持体上もしくは仮支持体上に塗布し、その螺旋軸を基板に略垂直に配向させた後、固定化することによって形成することができる。前記位相差層を仮支持体上に形成した場合は、支持体上に転写することで作製することができる。また、複屈折が負のディスコチック液晶性化合物を水平配向（ダイレクターは基板に垂直）させて、固定した位相差層、及びポリイミド高分子を基板上に流延固定した位相差層も、同様に用いることができ。さらに、一の位相差層のみならず複数の位相差層を積層して、上記光学特性を示す第２位相差領域を構成することもできる。また、支持体と位相差層との積層体全体で上記光学特性を満たすようにして、第２位相差領域を構成してもよい。

《ディスコチック液晶性化合物を水平配向させてなる位相差層の形成方法》
ディスコチック液晶性化合物から形成された位相差層を含む第２位相差領域は、ディスコチック液晶性化合物あるいは前述の重合性開始剤や空気界面水平配向剤（例 特願２００３−３８８３０８公報に記載）及び前述の他の添加剤を含む塗布液を、支持体の上に形成された水平配向膜の上に塗布することで形成することができる。ディスコチック液晶層を水平に配向させるための配向膜としては有機酸や塩などの固形分含有量が０．１質量％未満のポリビニルアルコールやポリイミド、ポリアミド、アクリルなどの高分子配向膜を使用できる。配向膜を形成後にラビングは行なってもよいが、行なわなくてもよい。
その他、使用可能なディスコチック液晶性化合物の例、塗布液の調製に用いる溶媒の例、塗布方法の例、重合性開始剤及び重合性モノマー等の他の材料、及び位相差層の形成に用いられる支持体については、上記第１位相差領域を構成する位相差層の説明で例示した材料等と同様である。

［偏光膜用保護膜］
本発明の液晶表示装置に用いられる偏光板保護膜のうち、液晶層に近い側の保護膜として、セルロースアシレートフィルムを用いるのが好ましい。すなわち、下記（１）及び（２）のいずれかの条件を満足するセルロースアシレートフィルムを保護巻く、特に液晶層に近い側に配置される保護膜として用いるのが好ましい。
（１）下記式（Ｉ）および（ＩＩ）を満たすセルロースアシレートフィルム；
（Ｉ）０≦Ｒｅ（６３０）≦１０、かつ、｜Ｒｔｈ（６３０）｜≦２５
（ＩＩ）｜Ｒｅ（４００）−Ｒｅ（７００）｜≦１０、かつ、｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜≦３５
（上記式（Ｉ）および（ＩＩ）中、Ｒｅ（λ）は、波長λｎｍにおける正面レターデーション値（ｎｍ）を表し、Ｒｔｈ（λ）は、波長λｎｍにおける膜厚方向のレターデーション値（ｎｍ）を表す）、
（２）保護膜が膜厚方向のＲｔｈを低下させる化合物を含有し、それによってＲｔｈが下記式（ＩＩＩ）および（ＩＶ）を満足するセルロースアシレートフィルム；
（ＩＩＩ）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０））／Ａ≦−１．０
（ＩＶ）０．０１≦Ａ≦３０
（式（ＩＩＩ）および（ＩＶ）中、Ｒｔｈ（Ａ）は、Ｒｔｈを低下させる化合物をＡ％含有したセルロースアシレートフィルムのＲｔｈ（ｎｍ）を表し、Ｒｔｈ（０）は、該セルロースアシレートフィルムであって、Ｒｔｈ（λ）を低下させる化合物を含有しないセルロースアシレートフィルムのＲｔｈ（ｎｍ）を表し、Ａは、セルロースアシレートフィルム原料ポリマーに対する、Ｒｔｈ（λ）を低下させる化合物の重量（％）を表す）。

以下、本発明で好ましく用いられるセルロースアシレートフィルムについて詳細に説明する。

セルロースアシレート原料のセルロースとしては、綿花リンタや木材パルプ（広葉樹パルプ，針葉樹パルプ）などがあげられ、何れの原料セルロースから得られるセルロースアシレートでも使用でき、場合により混合して使用してもよい。これらの原料セルロースについての詳細な記載は、例えばプラスチック材料講座（１７）繊維素系樹脂（丸澤、宇田著、日刊工業新聞社、１９７０年発行）や発明協会公開技報２００１−１７４５（７頁〜８頁）に記載のセルロースを用いることができ、前記セルロースアシレートフィルムに対しては特に限定されるものではない。

セルロースアシレート置換度
本発明で用いることができるセルロースアシレートは、例えば、セルロースの水酸基がアシル化されたもので、その置換基はアシル基の炭素原子数２〜２２のアセチル基のいずれも用いることができる。本発明で用いることができるセルロースアシレートのセルロースの水酸基への置換度については特に限定されないが、セルロースを水酸基に置換する酢酸および／または炭素原子数３〜２２の脂肪酸の結合度を測定し、計算によって置換度が得られる。測定方法としては、ＡＳＴＭのＤ−８１７−９１に準じて実施することができる。

上述のように前記セルロースアシレートにおいて、セルロースの水酸基への置換度については特に限定されないが、セルロースの水酸基へのアシル置換度が２．５０〜３．００であることが好ましい。さらには置換度が２．７５〜３．００であることがより好ましく、２．８５〜３．００であることがさらに好ましい。

セルロースの水酸基に置換する酢酸および／または炭素原子数３〜２２の脂肪酸のうち、炭素数２〜２２のアシル基としては、脂肪族基でもアリル基でもよく、単一でも２種類以上の混合物でもよい。例えば、セルロースのアルキルカルボニルエステル、アルケニルカルボニルエステル、芳香族カルボニルエステルおよび芳香族アルキルカルボニルエステル等が挙げられる。これらは、それぞれさらに置換された基を有していてもよい。これらの好ましいアシル基としては、アセチル基、プロピオニル基、ブタノイル基、へプタノイル基、ヘキサノイル基、オクタノイル基、デカノイル基、ドデカノイル基、トリデカノイル基、テトラデカノイル基、ヘキサデカノイル基、オクタデカノイル基、ｉｓｏ−ブタノイル基、ｔｅｒｔ−ブタノイル基、シクロヘキサンカルボニル基、オレオイル基、ベンゾイル基、ナフチルカルボニル基、シンナモイル基などを挙げることができる。これらの中でも、アセチル基、プロピオニル基、ブタノイル基、ドデカノイル基、オクタデカノイル基、ｔｅｒｔ−ブタノイル基、オレオイル基、ベンゾイル基、ナフチルカルボニル基、シンナモイル基などが好ましく、アセチル基、プロピオニル基、ブタノイル基がより好ましい。

本発明の発明者が鋭意検討した結果、上述のセルロースの水酸基に置換するアシル置換基のうちで、実質的にアセチル基、プロピオニル基およびブタノイル基の少なくとも２種類からなる場合においては、その全置換度が２．５０〜３．００の場合にセルロースアシレートフィルムの光学異方性を低下できることがわかった。より好ましいアシル置換度は２．６０〜３．００であり、さらに好ましくは２．６５〜３．００である。

セルロースアシレートの重合度
本発明で好ましく用いられるセルロースアシレートの重合度は、粘度平均重合度で１８０〜７００であり、セルロースアセテートにおいては、１８０〜５５０がより好ましく、１８０〜４００がさらに好ましく、１８０〜３５０が特に好ましい。重合度が一定以下とすることによりセルロースアシレートのドープ溶液の粘度が高くなり、流延によりフィルム作製が困難になるのをより効果的に防止することができる。重合度を一定以上とすることにより、作製したフィルムの強度が低下してしまうをより効果的に防止できる。平均重合度は、例えば、宇田らの極限粘度法（宇田和夫、斉藤秀夫、繊維学会誌、第１８巻第１号、１０５〜１２０頁、１９６２年）により測定できる。この方法は、特開平９−９５５３８号公報の段落番号（ １４ 〜 １５ ）に詳細に記載されている。
また、本発明で好ましく用いられるセルロースアシレートの分子量分布はゲルパーミエーションクロマトグラフィーによって評価され、その多分散性指数Ｍｗ／Ｍｎ（Ｍｗは質量平均分子量、Ｍｎは数平均分子量）が小さく、分子量分布が狭いことが好ましい。具体的なＭｗ／Ｍｎの値としては、１．０〜３．０であることが好ましく、１．０〜２．０であることがさらに好ましく、１．０〜１．６であることが最も好ましい。

低分子成分が除去されると、平均分子量（重合度）が高くなるが、粘度は通常のセルロースアシレートよりも低くなるため有用である。低分子成分の少ないセルロースアシレートは、通常の方法で合成したセルロースアシレートから低分子成分を除去することにより得ることができる。低分子成分の除去は、セルロースアシレートを適当な有機溶媒で洗浄することにより実施できる。なお、低分子成分の少ないセルロースアシレートを製造する場合、酢化反応における硫酸触媒量を、セルロース１００質量部に対して０．５〜２５質量部に調整することが好ましい。硫酸触媒の量を上記範囲にすると、分子量部分布の点でも好ましい（分子量分布の均一な）セルロースアシレートを合成することができる。本発明で用いることができるセルロースアシレートの製造時に使用される際には、その含水率は２質量％以下であることが好ましく、さらに好ましくは１質量％以下であり、特には０．７質量％以下の含水率を有するセルロースアシレートである。一般に、セルロースアシレートは、水を含有しており２．５〜５質量％が知られている。セルロースアシレートの含水率を前記範囲にするためには、乾燥することが必要であり、その方法は目的とする含水率になれば特に限定されない。本発明のこれらのセルロースアシレートは、その原料綿や合成方法は発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて７頁〜１２頁に詳細に記載されている。

前記セルロースアシレートは置換基、置換度、重合度、分子量分布など前述した範囲であれば、単一あるいは異なる２種類以上のセルロースアシレートを混合して用いることができる。

セルロースアシレートへの添加剤
本発明で用いることができるセルロースアシレート溶液には、各調製工程において用途に応じた種々の添加剤（例えば、光学異方性を低下させる化合物、波長分散調整剤、紫外線防止剤、可塑剤、劣化防止剤、微粒子、光学特性調整剤など）を加えることができ、これらについて以下に説明する。またその添加する時期はドープ作製工程において何れでも添加しても良いが、ドープ調製工程の最後の調製工程に添加剤を添加し調製する工程を加えて行ってもよい。
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムは、膜厚方向のＲｔｈが下記式（ＩＩＩ）および（ＩＶ）を満たすようなＲｔｈを低下させる化合物を含有することが好ましい。
（ＩＩＩ）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０））／Ａ≦−１．０
（ＩＶ）０．０１≦Ａ≦３０
（式（ＩＩＩ）および（ＩＶ）中、Ｒｔｈ（Ａ）は、Ｒｔｈを低下させる化合物をＡ％含有した保護膜のＲｔｈ（ｎｍ）を表し、Ｒｔｈ（０）は、該保護膜であって、Ｒｔｈを低下させる化合物を含有しないフィルムのＲｔｈ（ｎｍ）を表し、Ａは、フィルム原料ポリマーの重量を１００としたときのＲｔｈを低下させる化合物の重量（％）を表す。）
上記式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）は
（ＩＩＩ−Ｉ）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０））／Ａ≦−２．０
（ＩＶ−Ｉ）０．１≦Ａ≦２０
であることがさらに好ましい。

セルロースアシレートフィルムの光学異方性を低下させる化合物の構造的特徴
セルロースアシレートフィルムの光学異方性を低下させる化合物について説明する。本発明の発明者らは、鋭意検討した結果、フィルム中のセルロースアシレートが面内および膜厚方向に配向するのを抑制する化合物を用いて光学異方性を十分に低下させ、ＲｅがゼロかつＲｔｈがゼロに近くなるようにした。ここで、ゼロに近くなるとは、例えば、（０±２５ｎｍ）をいう。このためには光学異方性を低下させる化合物はセルロースアシレートに十分に相溶し、化合物自身が棒状の構造や平面性の構造を持たないことが有利である。具体的には芳香族基のような平面性の官能基を複数持っている場合、それらの官能基を同一平面ではなく、非平面に持つような構造が有利である。

ｌｏｇＰ値
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムを作製するにあたっては、上述のようにフィルム中のセルロースアシレートが面内および膜厚方向に配向するのを抑制して光学異方性を低下させる化合物のうち、オクタノール−水分配係数（ｌｏｇＰ値）が０〜７である化合物が好ましい。ｌｏｇＰ値が７以下の化合物を採用することにより、セルロースアシレートとの相溶性がより良くなり、フィルムの白濁や粉吹きをより効果的に防止することができる。また、ｌｏｇＰ値が０以上の化合物を採用することにより、親水性が高いために、セルロースアセテートフィルムの耐水性が悪化してしまうのをより効果的に防止できる。ｌｏｇＰ値としてさらに好ましい範囲は１〜６であり、特に好ましい範囲は１．５〜５である。
オクタノール−水分配係数（ｌｏｇＰ値）の測定は、ＪＩＳ日本工業規格Ｚ７２６０−１０７（２０００）に記載のフラスコ浸とう法により実施することができる。また、オクタノール−水分配係数（ｌｏｇＰ値）は実測に代わって、計算化学的手法あるいは経験的方法により見積もることも可能である。計算方法としては、Ｃｒｉｐｐｅｎ’ｓ ｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｆ．Ｃｏｍｐｕｔ．Ｓｃｉ．，２７，２１（１９８７）．）、Ｖｉｓｗａｎａｄｈａｎ’ｓ ｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｆ．Ｃｏｍｐｕｔ．Ｓｃｉ．，２９，１６３（１９８９）．）、Ｂｒｏｔｏ’ｓ ｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法（Ｅｕｒ．Ｊ．Ｍｅｄ．Ｃｈｅｍ．− Ｃｈｉｍ．Ｔｈｅｏｒ．，１９，７１（１９８４）．）などが好ましく用いられるが、Ｃｒｉｐｐｅｎ’ｓ ｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｆ．Ｃｏｍｐｕｔ．Ｓｃｉ．，２７，２１（１９８７）．）がより好ましい。ある化合物のｌｏｇＰの値が測定方法あるいは計算方法により異なる場合に、該化合物が本発明の範囲内であるかどうかは、Ｃｒｉｐｐｅｎ’ｓ ｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法により判断することが好ましい。

光学異方性を低下させる化合物の物性
光学異方性を低下させる化合物は、芳香族基を含有しても良いし、含有しなくても良い。また光学異方性を低下させる化合物は、分子量が１５０〜３０００であることが好ましく、１７０〜２０００であることがより好ましく、２００〜１０００であることがさらに好ましい。これらの分子量の範囲であれば、特定のモノマー構造であっても良いし、そのモノマーユニットが複数結合したオリゴマー構造、ポリマー構造でもよい。
光学異方性を低下させる化合物は、好ましくは、２５℃で液体であるか、融点が２５〜２５０℃の固体であり、さらに好ましくは、２５℃で液体であるか、融点が２５〜２００℃の固体である。また光学異方性を低下させる化合物は、セルロースアシレートフィルム作製のドープ流延、乾燥の過程で揮散しないことが好ましい。
光学異方性を低下させる化合物の添加量は、セルロースアシレートの０．０１〜３０質量％であることが好ましく、１〜２５質量％であることがより好ましく、５〜２０質量％であることが特に好ましい。
光学異方性を低下させる化合物は、単独で用いても、２種以上化合物を任意の比で混合して用いてもよい。
光学異方性を低下させる化合物を添加する時期はドープ作製工程中の何れであってもよく、ドープ調製工程の最後に行ってもよい。

光学異方性を低下させる化合物は、少なくとも一方の側の表面から全膜厚の１０％までの部分における該化合物の平均含有率が、該セルロースアシレートフィルムの中央部における該化合物の平均含有率の８０〜９９％となるよう存在するのが好ましい。光学異方性を低下させる化合物の存在量は、例えば、特開平８−５７８７９号公報に記載の赤外吸収スペクトルを用いる方法などにより表面および中心部の化合物量を測定して求めることができる。

以下に本発明で好ましく用いられる、セルロースアシレートフィルムの光学異方性を低下させる化合物の具体例を示すが、本発明はこれら化合物に限定されない。

光学異方性を低下させる化合物の第一の例は、下記一般式（１３）または一般式（１８）で表される化合物である。

一般式（１３）中、Ｒ¹¹はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ¹²およびＲ¹³は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。また、Ｒ¹¹、Ｒ¹²およびＲ¹³の炭素原子数の総和が１０以上であることが特に好ましい。Ｒ¹¹、Ｒ¹²およびＲ¹³は置換基を有していてもよく、置換基としてはフッ素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、スルホン基およびスルホンアミド基、シアノ基が好ましく、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、スルホン基およびスルホンアミド基が特に好ましい。また、アルキル基は直鎖であっても、分岐であっても、環状であってもよく、炭素原子数１〜２５のものが好ましく、６〜２５のものがより好ましく、６〜２０のもの（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、アミル基、イソアミル基、ｔ−アミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ビシクロオクチル基、ノニル基、アダマンチル基、デシル基、ｔ−オクチル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、ジデシル基）が特に好ましい。アリール基としては炭素原子数が６〜３０のものが好ましく、６〜２４のもの（例えば、フェニル基、ビフェニル基、テルフェニル基、ナフチル基、ビナフチル基、トリフェニルフェニル基）が特に好ましい。

一般式（１８）中、Ｒ¹⁴はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ¹⁵およびＲ¹⁶はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。
Ｒ¹⁴は、フェニル基または、環状アルキル基が好ましい。Ｒ¹⁵およびＲ¹⁶は、それぞれ、フェニル基またはアルキル基が好ましい。アルキル基としては、環状アルキル基および直鎖のアルキル基のいずれも好ましい。
これらの基は、置換基を有していてもよく、置換基としてはフッ素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、スルホン基およびスルホンアミド基が好ましく、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、スルホン基およびスルホンアミド基が特に好ましい。
一般式（１８）で表される化合物は、より好ましくは一般式（１９）で表される化合物である。

一般式（１９）中、Ｒ¹¹⁴、Ｒ¹¹⁵およびＲ¹¹⁶はそれぞれ独立にアルキル基またはアリール基を表す。アルキル基は、環状アルキル基および直鎖のアルキル基のいずれも好ましいく、アリール基はフェニル基が好ましい。
以下に、一般式（１３）で表される化合物の好ましい例を下記に示すが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。尚、化合物中、Ｐｒｉは（イソプロピル基）を意味する（以下、同じ）。

以下に、一般式（１８）（および一般式（１９））で表される化合物の好ましい例を下記に示すが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。尚、化合物中、Ｂｕｉは（イソブチル基）を意味する。

波長分散調整剤
セルロースアシレートフィルムの波長分散を低下させる化合物（以下波長分散調整剤ともいう）について説明する。本発明のセルロースアシレートフィルムのＲｔｈの波長分散を良化させるためには、下記式（ＶＩＩ）で表されるＲｔｈの波長分散ΔＲｔｈ＝｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜を低下させる化合物を、下記式（Ｖ）、（ＶＩ）を満たす範囲で少なくとも１種含有することが好ましい。
（ＶＩＩ）ΔＲｔｈ＝｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜
（Ｖ）（ΔＲｔｈ（Ｂ）−ΔＲｔｈ（０））／Ｂ≦−２．０
（ＶＩ）０．０１≦Ｂ≦３０
上記式（Ｖ）、（ＶＩ）は
（Ｖ−Ｉ）（ΔＲｔｈ（Ｂ）−ΔＲｔｈ（０））／Ｂ≦−３．０
（ＶＩ−Ｉ）０．０５≦Ｂ≦２５
であることがより好ましく、
（Ｖ−ＩＩ）（ΔＲｔｈ（Ｂ）−ΔＲｔｈ（０））／Ｂ≦−４．０
（ＶＩ−ＩＩ）０．１≦Ｂ≦２０
であることがさらに好ましい。
上記要件は、２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持ち、フィルムの｜Ｒｅ（４００）−Ｒｅ（７００）｜および｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜を低下させる化合物を少なくとも１種、セルロースアシレート固形分に対して０．０１〜３０質量％含ませることによって達成できる。含量は、セルロースアシレートの０．１〜２０質量％であることがより好ましく、０．２〜１０質量％であることが特に好ましい。

セルロースアシレートフィルムのＲｅ、Ｒｔｈの値は一般に短波長側よりも長波長側が大きい波長分散特性となる。したがって相対的に小さい短波長側のＲｅ、Ｒｔｈを大きくすることによって波長分散を平滑にすることが要求される。一方２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持つ化合物は短波長側よりも長波長側の吸光度が大きい波長分散特性をもつ。この化合物自身がセルロースアシレートフィルム内部で等方的に存在していれば、化合物自身の複屈折性、ひいてはＲｅ、Ｒｔｈの波長分散は吸光度の波長分散と同様に短波長側が大きいと想定される。

従って上述したような、２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持ち、化合物自身のＲｅ、Ｒｔｈの波長分散が、短波長側が大きいと想定されるものを用いることによって、セルロースアシレートフィルムのＲｅ、Ｒｔｈの波長分散を調製することができる。このためには波長分散を調整する化合物はセルロースアシレートに十分均一に相溶することが要求される。このような化合物の紫外領域の吸収帯範囲は２００〜４００ｎｍが好ましいが、２２０〜３９５ｎｍがより好ましく、２４０〜３９０ｎｍがさらに好ましい。

また、近年テレビやノートパソコン、モバイル型携帯端末などの液晶表示装置ではより少ない電力で輝度を高めるに、液晶表示装置に用いられる光学部材の透過率が優れたものが要求されている。その点においては、２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持ち、フィルムの｜Ｒｅ（４００）−Ｒｅ（７００）｜および｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜を低下させる化合物をセルロースアシレートフィルムに添加する場合、分光透過率が優れていることが要求される。本発明のセルロースアシレートフィルムにおいては、波長３８０ｎｍにおける分光透過率が４５％〜９５％であり、かつ波長３５０ｎｍにおける分光透過率が１０％以下であることが好ましい。

上述のような、本発明で好ましく用いられる波長分散調整剤は揮散性の観点から分子量が２５０〜１０００であることが好ましく、より好ましくは２６０〜８００であり、さらに好ましくは２７０〜８００であり、特に好ましくは３００〜８００である。これらの分子量の範囲であれば、特定のモノマー構造であっても良いし、そのモノマーユニットが複数結合したオリゴマー構造、ポリマー構造でもよい。

波長分散調整剤は、セルロースアシレートフィルム作製のドープ流延、乾燥の過程で揮散しないことが好ましい。

これら波長分散調整剤は、単独で用いても、２種以上化合物を任意の比で混合して用いてもよい。
また、これら波長分散調整剤を添加する時期はドープ作製工程中の何れであってもよく、ドープ調製工程の最後に行ってもよい。

本発明に好ましく用いられる波長分散調整剤の具体例としては、例えばベンゾトリアゾール系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノ基を含む化合物、オキシベンゾフェノン系化合物、サリチル酸エステル系化合物、ニッケル錯塩系化合物などが挙げられるが、本発明はこれら化合物だけに限定されるものではない。

ベンゾトリアゾール系化合物としては下記一般式（１０１）で示されるものが本発明の波長分散調整剤として好ましく用いられる。

一般式（１０１）
Ｑ¹¹−Ｑ¹²−ＯＨ
（一般式（１０１）中、Ｑ¹¹は含窒素芳香族ヘテロ環を表し、Ｑ¹²は芳香族環を表す。）

Ｑ¹¹は含窒素方向芳香族へテロ環を表し、好ましくは５〜７員環の含窒素芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは５または６員環の含窒素芳香族ヘテロ環であり、例えば、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環、チアゾール環、オキサゾール環、セレナゾール環、ベンゾトリアゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンズオキサゾール環、ベンゾセレナゾール環、チアジアゾール環、オキサジアゾール環、ナフトチアゾール環、ナフトオキサゾール環、アザベンズイミダゾール環、プリン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、トリアザインデン環、テトラザインデン環等があげられ、さらに好ましくは、５員環の含窒素芳香族ヘテロ環であり、具体的にはイミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環、チアゾール環、オキサゾール環、ベンゾトリアゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンズオキサゾール環、チアジアゾール環、オキサジアゾール環が好ましく、特に好ましくは、ベンゾトリアゾール環である。
Ｑ¹¹で表される含窒素芳香族ヘテロ環はさらに置換基を有してもよく、置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。また、置換基が複数ある場合にはそれぞれが縮環してさらに環を形成してもよい。

Ｑ¹²で表される芳香族環は芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、さらに他の環と縮合環を形成してもよい。
芳香族炭化水素環は、好ましくは炭素数６〜３０の単環または２環の芳香族炭化水素環であり、より好ましくは炭素数６〜２０の単環または２環の芳香族炭化水素環であり、さらに好ましくは炭素数６〜１２の単環または２環の芳香族炭化水素環である。Ｑ¹²で表される芳香族環は、具体的には、好ましくはナフタレン環、ベンゼン環であり、より好ましくはベンゼン環である。
芳香族ヘテロ環は、好ましくは窒素原子または硫黄原子を含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、チオフェン環、イミダゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、トリアゾール環、トリアジン環、インドール環、インダゾール環、プリン環、チアゾリン環、チアゾール環、チアジアゾール環、オキサゾリン環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、プテリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、フェナジン環、テトラゾール環、ベンズイミダゾール環、ベンズオキサゾール環、ベンズチアゾール環、ベンゾトリアゾール環、テトラザインデン環などが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン環、トリアジン環、キノリン環である。
Ｑ¹²は置換基を有してもよく、置換基としては、後述の置換基Ｔが好ましい。
置換基Ｔとしては、例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル基、アリル基、２−ブテニル基、３−ペンテニル基などが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル基、３−ペンチニル基などが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル基、ｐ−メチルフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。）、置換または未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基などが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基などが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ基、２−ナフチルオキシ基などが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル基、ベンゾイル基、ホルミル基、ピバロイル基などが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニル基などが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ基、ベンゾイルオキシ基などが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基などが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ基、ベンゼンスルホニルアミノ基などが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル基、メチルスルファモイル基、ジメチルスルファモイル基、フェニルスルファモイル基などが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル基、メチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基などが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ基、エチルチオ基などが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオ基などが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル基、トシル基などが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル基、ベンゼンスルフィニル基などが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド基、メチルウレイド基、フェニルウレイド基などが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル基、ピリジル基、キノリル基、フリル基、ピペリジル基、モルホリノ基、ベンゾオキサゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズチアゾリル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基はさらに置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。

一般式（１０１）は、好ましくは下記一般式（１０１−Ａ）で表される化合物である。

（一般式（１０１−Ａ）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、およびＲ⁸はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）

Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、およびＲ⁹はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基はさらに別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。
Ｒ¹およびＲ³は、それぞれ、好ましくは、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、さらに好ましくは水素原子、炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは炭素数１〜１２のアルキル基（好ましくは炭素数４〜１２）である。

Ｒ²およびＲ⁴は、それぞれ、好ましくは、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、さらに好ましくは水素原子、炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。

Ｒ⁵およびＲ⁸は、それぞれ、好ましくは、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、さらに好ましくは水素原子、炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。

Ｒ⁶およびＲ⁷は、それぞれ、好ましくは、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、さらに好ましくは水素原子、ハロゲン原子であり、特に好ましくは水素原子、塩素原子である。

一般式（１０１）は、より好ましくは下記一般式（１０１−Ｂ）で表される化合物である。

一般式（１０１−Ｂ）中、Ｒ¹、Ｒ³、Ｒ⁶およびＲ⁷は一般式（１０１−Ａ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。

以下に一般式（１０１）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は下記具体例に何ら限定されるものではない。

以上例に挙げたベンゾトリアゾール系化合物の中でも、分子量が３２０以下のものを含まずに本発明のセルロースアシレートフィルムを作製した場合、保留性の点で有利であることが確認された。

また本発明に用いられる波長分散調整剤のひとつであるベンゾフェノン系化合物としては一般式（１０２）で示されるものが好ましく用いられる。

（一般式（１０２）中、Ｑ¹およびＱ²は、それぞれ、芳香族環を表す。ＸはＮＲ（Ｒは水素原子または置換基を表す。）、酸素原子または硫黄原子を表す。）

Ｑ¹またはＱ²で表される芳香族環は、芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、さらに他の環と縮合環を形成してもよい。
Ｑ¹およびＱ²で表される芳香族炭化水素環として好ましくは（好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、さらに好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。）さらに好ましくはベンゼン環である。
Ｑ¹およびＱ²で表される芳香族ヘテロ環として好ましくは酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子のどれかひとつを少なくとも１つ含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、フラン環、ピロール環、チオフェン環、イミダゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、トリアゾール環、トリアジン環、インドール環、インダゾール環、プリン環、チアゾリン環、チアゾール環、チアジアゾール環、オキサゾリン環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、プテリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、フェナジン環、テトラゾール環、ベンズイミダゾール環、ベンズオキサゾール環、ベンズチアゾール環、ベンゾトリアゾール環、テトラザインデン環などが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン環、トリアジン環、キノリン環である。
Ｑ¹またはＱ²で表される芳香族環は、好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくは炭素数６〜１０の芳香族炭化水素環であり、さらに好ましくは置換または無置換のベンゼン環である。
Ｑ¹またはＱ²は、さらに置換基を有してもよく、後述の置換基Ｔが好ましいが、置換基にカルボン酸やスルホン酸、４級アンモニウム塩を含むことはない。また、可能な場合には置換基同士が連結して環構造を形成してもよい。

ＸはＮＲ（Ｒは水素原子または置換基を表す。置換基としては上述の置換基Ｔが適用できる。）、酸素原子または硫黄原子を表し、Ｘとして好ましくは、ＮＲ（Ｒとして好ましくはアシル基、スルホニル基であり、これらの置換基はさらに置換してもよい。）、または酸素原子であり、特に好ましくは酸素原子である。

一般式（１０２）は、好ましくは下記一般式（１０２−Ａ）で表される化合物である。

（一般式（１０２−Ａ）中、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴、Ｒ²⁵、Ｒ²⁶、Ｒ²⁷、Ｒ²⁸、およびＲ²⁹はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）

Ｒ²¹、Ｒ²³、Ｒ²⁴、Ｒ²⁵、Ｒ²⁶、Ｒ²⁸、およびＲ²⁹はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基はさらに別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。

Ｒ²¹、Ｒ²³、Ｒ²⁴、Ｒ²⁵、Ｒ²⁶、Ｒ²⁸、およびＲ²⁹は、好ましくは、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、さらに好ましくは水素原子、炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。

Ｒ²²として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリールオキシ基、ヒドロキシ基であり、さらに好ましくは炭素数１〜２０のアルコキシ基であり、特に好ましくは炭素数１〜１２のアルコキシ基である。

Ｒ²⁷として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリールオキシ基、ヒドロキシ基であり、さらに好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、さらに好ましくはメチル基）であり、特に好ましくはメチル基、水素原子である。

一般式（１０２）としてより好ましくは下記一般式（１０２−Ｂ）で表される化合物である。

（一般式（１０２−Ｂ）中、Ｒ¹⁰は水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基を表す。）

Ｒ¹⁰は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基を表し、これらは置換基を有していてもよい。置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。
Ｒ¹⁰として好ましくは、アルキル基であり、より好ましくは炭素数５〜２０のアルキル基であり、さらに好ましくは炭素数５〜１２のアルキル基（ｎ−ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ベンジル基などが挙げられる。）であり、特に好ましくは、炭素数６〜１２の置換または無置換のアルキル基（２−エチルヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ベンジル基）である。

一般式（１０２）で表される化合物は特開平１１−１２２１９号公報記載の公知の方法により合成できる。
以下に一般式（１０２）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は下記具体例に何ら限定されるものではない。

また本発明に用いられる波長分散調整剤のひとつであるシアノ基を含む化合物としては一般式（１０３）で示されるものが好ましく用いられる。

（一般式（１０３）中、Ｑ³¹およびＱ³²はそれぞれ独立に芳香族環を表す。Ｘ³¹およびＸ³²はそれぞれ、水素原子または置換基を表し、少なくともどちらか１つはシアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環を表す。）
Ｑ³¹およびＱ³²で表される芳香族環は芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、さらに他の環と縮合環を形成してもよい。

芳香族炭化水素環として好ましくは炭素数６〜３０の単環または２環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環であり、さらに好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環であり、最も好ましくはベンゼン環である。

芳香族ヘテロ環として好ましくは窒素原子あるいは硫黄原子を含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、チオフェン環、イミダゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、トリアゾール環、トリアジン環、インドール環、インダゾール環、プリン環、チアゾリン環、チアゾール環、チアジアゾール環、オキサゾリン環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、プテリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、フェナジン環、テトラゾール環、ベンズイミダゾール環、ベンズオキサゾール環、ベンズチアゾール環、ベンゾトリアゾール環、テトラザインデン環などが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン環、トリアジン環、キノリン環である。

Ｑ³¹およびＱ³²で表される芳香族環は、好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくはベンゼン環である。
Ｑ³¹およびＱ³²はさらに置換基を有してもよく、上述の置換基Ｔが好ましい。

Ｘ¹およびＸ²は水素原子または置換基を表し、少なくともどちらか１つはシアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環を表す。Ｘ¹およびＸ²で表される置換基は前述の置換基Ｔを適用することができる。また、Ｘ¹およびＸ²はで表される置換基はさらに他の置換基によって置換されてもよく、Ｘ¹およびＸ²はそれぞれが縮環して環構造を形成してもよい。

Ｘ¹およびＸ²として好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ニトロ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは、シアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、さらに好ましくはシアノ基、カルボニル基であり、特に好ましくはシアノ基、アルコキシカルボニル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ（Ｒは：炭素数１〜２０アルキル基、炭素数６〜１２のアリール基およびこれらを組み合せたもの）である。

一般式（１０３）として好ましくは下記一般式（１０３−Ａ）で表される化合物である。

（一般式（１０３−Ａ）中、Ｒ³¹、Ｒ³²、Ｒ³³、Ｒ³⁴、Ｒ³⁵、Ｒ³⁶、Ｒ³⁷、Ｒ³⁸、Ｒ³⁹およびＲ³⁰はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。Ｘ³¹およびＸ³²は一般式（１０３）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。）

Ｒ³¹、Ｒ³²、Ｒ³⁴、Ｒ³⁵、Ｒ³⁶、Ｒ³⁷、Ｒ³⁹およびＲ³⁰はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基はさらに別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。

Ｒ³¹、Ｒ³²、Ｒ³⁴、Ｒ³⁵、Ｒ³⁶、Ｒ³⁷、Ｒ³⁹およびＲ³⁰は、好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、さらに好ましくは水素原子、炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。

Ｒ³³およびＲ³⁸は、好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリールオキシ基、ヒドロキシ基であり、さらに好ましくは水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２アルコキシ基であり、特に好ましくは水素原子である。

一般式（１０３）は、より好ましくは下記一般式（１０３−Ｂ）で表される化合物である。

（一般式（１０３−Ｂ）中、Ｒ³³およびＲ³⁸は一般式（１０３−Ａ）におけるそれらと同義であり、また、好ましい範囲も同様である。Ｘ³³は水素原子、または置換基を表す。）

Ｘ³³は、水素原子、または置換基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用でき、また、可能な場合はさらに置換基で置換されてもよい。Ｘ³³は、好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ニトロ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは、シアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、さらに好ましくはシアノ基、カルボニル基であり、特に好ましくはシアノ基、アルコキシカルボニル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ³⁰¹（Ｒ³⁰¹は、炭素数１〜２０アルキル基、炭素数６〜１２のアリール基およびこれらを組み合せたもの））である。

一般式（１０３）としてさらに好ましくは一般式（１０３−Ｃ）で表される化合物である。

（一般式（１０３−Ｃ）中、Ｒ³³およびＲ³⁸は、一般式（１０３−Ａ）におけるそれらと同義であり、また、好ましい範囲も同様である。Ｒ³⁰²は炭素数１〜２０のアルキル基を表す。）

Ｒ³⁰²は、好ましくはＲ³³およびＲ³⁸の両方が水素原子の場合には、炭素数２〜１２のアルキル基であり、より好ましくは炭素数４〜１２のアルキル基であり、さらに好ましくは、炭素数６〜１２のアルキル基であり、特に好ましくは、ｎ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、２−エチルへキシル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基であり、最も好ましくは２−エチルへキシル基である。

Ｒ³⁰²は、好ましくはＲ³³およびＲ³⁸が水素以外の場合には、一般式（１０３−Ｃ）で表される化合物の分子量が３００以上になり、かつ炭素数２０以下の炭素数のアルキル基が好ましい。

本発明一般式（１０３）で表される化合物はＪｏｕｎａｌ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ ６３巻 ３４５２頁（１９４１）記載の方法によって合成できる。

以下に一般式（１０３）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は下記具体例に何ら限定されるものではない。

マット剤微粒子
本発明で用いるセルロースアシレートフィルムには、マット剤として微粒子を加えることが好ましい。本発明に使用される微粒子としては、二酸化珪素（シリカ）、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、炭酸カルシウム、炭酸カルシウム、タルク、クレイ、焼成カオリン、焼成珪酸カルシウム、水和ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウムおよびリン酸カルシウムを挙げることができる。微粒子はケイ素を含むものが濁度が低くなる点で好ましく、特に二酸化珪素が好ましい。二酸化珪素の微粒子は、１次平均粒子サイズが２０ｎｍ以下であり、かつ見かけ比重が７０ｇ／リットル以上であるものが好ましい。１次粒子の平均径が５〜１６ｎｍと小さいものがフィルムのヘイズを下げることができより好ましい。見かけ比重は９０〜２００ｇ／リットル以上が好ましく、１００〜２００ｇ／リットル以上がさらに好ましい。見かけ比重が大きい程、高濃度の分散液を作ることが可能になり、ヘイズ、凝集物が良化するため好ましい。

これらの微粒子は、通常平均粒子サイズが０．１〜３．０μｍの２次粒子を形成し、これらの微粒子はフィルム中では、１次粒子の凝集体として存在し、フィルム表面に０．１〜３．０μｍの凹凸を形成させる。２次平均粒子サイズは０．２μｍ〜１．５μｍが好ましく、０．４μｍ〜１．２μｍがさらに好ましく、０．６μｍ〜１．１μｍが最も好ましい。１次、２次粒子サイズはフィルム中の粒子を走査型電子顕微鏡で観察し、粒子に外接する円の直径をもって粒子サイズとした。また、場所を変えて粒子２００個を観察し、その平均値をもって平均粒子サイズとした。

二酸化珪素の微粒子は、例えば、アエロジルＲ９７２、Ｒ９７２Ｖ、Ｒ９７４、Ｒ８１２、２００、２００Ｖ、３００、Ｒ２０２、ＯＸ５０、ＴＴ６００（以上日本アエロジル（株）製）などの市販品を使用することができる。酸化ジルコニウムの微粒子は、例えば、アエロジルＲ９７６およびＲ８１１（以上日本アエロジル（株）製）の商品名で市販されており、使用することができる。

これらの中でアエロジル２００Ｖ、アエロジルＲ９７２Ｖが１次平均粒子サイズが２０ｎｍ以下であり、かつ見かけ比重が７０ｇ／リットル以上である二酸化珪素の微粒子であり、光学フィルムの濁度を低く保ちながら、摩擦係数をさげる効果が大きいため特に好ましい。

本発明において２次平均粒子サイズの小さな粒子を有するセルロースアシレートフィルムを得るために、微粒子の分散液を調製する際にいくつかの手法が考えられる。例えば、溶剤と微粒子を撹拌混合した微粒子分散液をあらかじめ作成し、この微粒子分散液を別途用意した少量のセルロースアシレート溶液に加えて撹拌溶解し、さらにメインのセルロースアシレートドープ液と混合する方法がある。この方法は二酸化珪素微粒子の分散性がよく、二酸化珪素微粒子がさらに再凝集しにくい点で好ましい調製方法である。ほかにも、溶剤に少量のセルロースエステルを加え、撹拌溶解した後、これに微粒子を加えて分散機で分散を行いこれを微粒子添加液とし、この微粒子添加液をインラインミキサーでドープ液と十分混合する方法もある。本発明はこれらの方法に限定されないが、二酸化珪素微粒子を溶剤などと混合して分散するときの二酸化珪素の濃度は５〜３０質量％が好ましく、１０〜２５質量％がさらに好ましく、１５〜２０質量％が最も好ましい。分散濃度が高い方が添加量に対する液濁度は低くなり、ヘイズ、凝集物が良化するため好ましい。最終的なセルロースアシレートのドープ溶液中でのマット剤の添加量は１ｍ２あたり０．０１〜１．０ｇが好ましく、０．０３〜０．３ｇがさらに好ましく、０．０８〜０．１６ｇが最も好ましい。

使用される溶剤は低級アルコール類としては、好ましくはメチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール等が挙げられる。低級アルコール以外の溶媒としては特に限定されないが、セルロースエステルの製膜時に用いられる溶剤を用いることが好ましい。例えば、炭素原子数が１〜７のハロゲン化炭化水素から選ばれる溶媒が挙げられる。溶媒は１種類でもよいし、２種類以上を併用してもよい。

可塑剤、劣化防止剤、剥離剤
上記の光学異方性を低下させる化合物、波長分散調整剤の他に、本発明のセルロースアシレートフィルムには、各調製工程において用途に応じた種々の添加剤（例えば、可塑剤、紫外線防止剤、劣化防止剤、剥離剤、赤外吸収剤など）を加えることができ、それらは固体でもよく油状物でもよい。すなわち、その融点や沸点において特に限定されるものではない。例えば２０℃以下と２０℃以上の紫外線吸収材料の混合や、同様に可塑剤の混合などであり、例えば特開２００１−１５１９０１号公報などに記載されている。さらにまた、赤外吸収染料としては例えば特開２００１−１９４５２２号公報に記載されている。またその添加する時期はドープ作製工程において何れで添加しても良いが、ドープ調製工程の最後の調製工程に添加剤を添加し調製する工程を加えて行ってもよい。さらにまた、各素材の添加量は機能が発現する限りにおいて特に限定されない。また、セルロースアシレートフィルムが多層から形成される場合、各層の添加物の種類や添加量が異なってもよい。例えば特開２００１−１５１９０２号公報などに記載されているが、これらは従来から知られている技術である。これらの詳細は、発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて１６頁〜２２頁に詳細に記載されている素材が好ましく用いられる。

化合物添加の比率
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムにおいては、分子量が３０００以下の化合物の総量は、セルロースアシレート重量に対して５〜４５％であることが好ましい。より好ましくは１０〜４０％であり、さらに好ましくは１５〜３０％である。これらの化合物としては上述したように、光学異方性を低下させる化合物、波長分散調整剤、紫外線防止剤、可塑剤、劣化防止剤、微粒子、剥離剤、赤外吸収剤などであり、分子量としては３０００以下が好ましく、２０００以下がより好ましく、１０００以下がさらに好ましい。これら化合物の総量が５％以下であると、セルロースアシレート単体の性質が出やすくなり、例えば、温度や湿度の変化に対して光学性能や物理的強度が変動しやすくなるなどの問題がある。またこれら化合物の総量が４５％以上であると、セルロースアシレートフィルム中に化合物が相溶する限界を超え、フィルム表面に析出してフィルムが白濁する（フィルムからの泣き出し）などの問題が生じやすくなる。

セルロースアシレート溶液の有機溶媒
本発明では、ソルベントキャスト法によりセルロースアシレートフィルムを製造することが好ましく、セルロースアシレートを有機溶媒に溶解した溶液（ドープ）を用いてフィルムは製造される。本発明の主溶媒として好ましく用いられる有機溶媒は、炭素原子数が３〜１２のエステル、ケトン、エーテル、および炭素原子数が１〜７のハロゲン化炭化水素から選ばれる溶媒が好ましい。エステル、ケトンおよび、エーテルは、環状構造を有していてもよい。エステル、ケトンおよびエーテルの官能基（すなわち、−Ｏ−、−ＣＯ−および−ＣＯＯ−）のいずれかを二つ以上有する化合物も、主溶媒として用いることができ、たとえばアルコール性水酸基のような他の官能基を有していてもよい。２種類以上の官能基を有する主溶媒の場合、その炭素原子数はいずれかの官能基を有する化合物の規定範囲内であればよい。

以上本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムに対しては塩素系のハロゲン化炭化水素を主溶媒としても良いし、発明協会公開技報２００１−１７４５（１２頁〜１６頁）に記載されているように、非塩素系溶媒を主溶媒としても良く、本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムに対しては特に限定されるものではない。

その他、本発明のセルロースアシレート溶液およびフィルムについての溶媒は、その溶解方法も含め以下の特許に開示されており、好ましい態様である。それらは、例えば、特開２０００−９５８７６号、特開平１２−９５８７７号、特開平１０−３２４７７４号、特開平８−１５２５１４号、特開平１０−３３０５３８号、特開平９−９５５３８号、特開平９−９５５５７号、特開平１０−２３５６６４号、特開平１２−６３５３４号、特開平１１−２１３７９号、特開平１０−１８２８５３号、特開平１０−２７８０５６号、特開平１０−２７９７０２号、特開平１０−３２３８５３号、特開平１０−２３７１８６号、特開平１１−６０８０７号、特開平１１−１５２３４２号、特開平１１−２９２９８８号、特開平１１−６０７５２号、特開平１１−６０７５２号各公報などに記載されている。これらの特許によると本発明のセルロースアシレートに好ましい溶媒だけでなく、その溶液物性や共存させる共存物質についても記載があり、本発明においても好ましい態様である。

セルロースアシレートフィルムの製造工程
溶解工程
本発明のセルロースアシレート溶液（ドープ）の調製は、その溶解方法は特に限定されず、室温でもよくさらには冷却溶解法あるいは高温溶解方法、さらにはこれらの組み合わせで実施される。本発明におけるセルロースアシレート溶液の調製、さらには溶解工程に伴う溶液濃縮、ろ過の各工程に関しては、発明協会公開技報（公技番号 ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて２２頁〜２５頁に詳細に記載されている製造工程が好ましく用いられる。

ドープ溶液の透明度
本発明で用いるセルロースアシレート溶液のドープ透明度としては８５％以上であることが好ましく、より好ましくは８８％以上であり、さらに好ましくは９０％以上である。本発明においてはセルロースアシレートドープ溶液に各種の添加剤が十分に溶解していることを確認した。具体的なドープ透明度の算出方法としては、ドープ溶液を１ｃｍ角のガラスセルに注入し、分光光度計（ＵＶ−３１５０、島津製作所）で５５０ｎｍの吸光度を測定した。溶媒のみをあらかじめブランクとして測定しておき、ブランクの吸光度との比からセルロースアシレート溶液の透明度を算出した。

流延、乾燥、巻き取り工程
次に、本発明のセルロースアシレート溶液を用いたセルロースアシレートフィルムの製造方法について述べる。本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムを製造する方法および設備は、従来セルローストリアセテートフィルム製造に供する溶液流延製膜方法および溶液流延製膜装置が用いることができる。例えば、溶解機（釜）から調製されたドープ（セルロースアシレート溶液）を貯蔵釜で一旦貯蔵し、ドープに含まれている泡を脱泡して最終調製をする。ドープをドープ排出口から、例えば回転数によって高精度に定量送液できる加圧型定量ギヤポンプを通して加圧型ダイに送り、ドープを加圧型ダイの口金（スリット）からエンドレスに走行している流延部の金属支持体の上に均一に流延され、金属支持体がほぼ一周した剥離点で、生乾きのドープ膜（ウェブとも呼ぶ）を金属支持体から剥離する。得られるウェブの両端をクリップで挟み、幅保持しながらテンターで搬送して乾燥し、続いて得られたフィルムを乾燥装置のロール群で機械的に搬送し乾燥を終了して巻き取り機でロール状に所定の長さに巻き取る。テンターとロール群の乾燥装置との組み合わせはその目的により変わる。さらに、本発明で用いるセルロースアシレートフィルムは、偏光膜への表面加工のために、塗布装置が付加されることが多い。これらについては、発明協会公開技報（公技番号 ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて２５頁〜３０頁に詳細に記載されており、流延（共流延を含む）、金属支持体、乾燥、剥離などに分類され、本発明において好ましく用いることができる。
また、セルロースアシレートフィルムの厚さは１０〜１２０μｍが好ましく、２０〜１００μｍがより好ましく、３０〜９０μｍがさらに好ましい。

高湿度処理後のセルロースアシレートフィルムの光学性能変化
セルロースアシレートフィルム物性評価
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムの環境変化による光学性能の変化については、６０℃、９０％ＲＨに２４０時間処理したセルロースアシレートフィルムのＲｅおよびＲｔｈの変化量が１５ｎｍ以下であることが好ましい。より好ましくは１２ｎｍ以下であり、１０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
高温度処理後のフィルムの光学性能変化
また、８０℃２４０時間処理したセルロースアシレートフィルムのＲｅおよびＲｔｈの変化量が１５ｎｍ以下であることが好ましい。より好ましくは１２ｎｍ以下であり、１０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
フィルム加熱処理後の化合物揮散量
本発明で用いるセルロースアシレートフィルムでは、Ｒｔｈを低下させる化合物と、ΔＲｔｈを低下させる化合物は、８０℃２４０時間処理したセルロースアシレートフィルムからの化合物の揮散量が３０％以下であることが好ましい。より好ましくは２５％以下であり、２０％以下であることがさらに好ましい。
なお、セルロースアシレートフィルムからの揮散量は、８０℃、２４０時間処理したフィルムおよび未処理のセルロースアシレートフィルムをそれぞれ溶媒に溶かし出し、液体高速クロマトグラフィーにて化合物を検出し、化合物のピーク面積をフィルム中に残存した化合物量として、下記式により算出した。
揮散量（％）＝ ｛（未処理品中の残存化合物量）−（処理品中の残存化合物量）｝／（未処理品中の残存化合物量）×１００

セルロースアシレートフィルムのガラス転移温度（Ｔｇ）
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムのガラス転移温度Ｔｇは、８０〜１６５℃である。耐熱性の観点から、Ｔｇが１００〜１６０℃であることがより好ましく、１１０〜１５０℃であることが特に好ましい。ガラス転移温度（Ｔｇ）の測定は、本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルム試料１０ｍｇを、常温から２００度まで昇降温速度５℃／分で示差走査熱量計（ＤＳＣ２９１０、Ｔ．Ａ．インスツルメント）で熱量測定を行い、ガラス転移温度（Ｔｇ）を算出することができる。

セルロースアシレートフィルムのヘイズ
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムのヘイズは０．０１〜２．０％であることが好ましい。より好ましくは０．０５〜１．５％であり、０．１〜１．０％であることがさらに好ましい。ヘイズの測定は、例えば、本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルム試料４０ｍｍ×８０ｍｍを、２５℃、６０％ＲＨで、ヘイズメーター（ＨＧＭ−２ＤＰ、スガ試験機）を用いてＪＩＳ Ｋ−６７１４に従って測定することができる。

セルロースアシレートフィルムのＲｅ、Ｒｔｈの湿度依存性
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムの面内のレターデーション（Ｒｅ）および膜厚方向のレターデーション（Ｒｔｈ）はともに湿度による変化が小さいことが好ましい。具体的には、２５℃１０％ＲＨにおけるＲｔｈ値と２５℃、８０％ＲＨにおけるＲｔｈ値の差ΔＲｔｈ（＝Ｒｔｈ１０％ＲＨ−Ｒｔｈ８０％ＲＨ）が０〜５０ｎｍであることが好ましい。より好ましくは０〜４０ｎｍであり、さらに好ましくは０〜３５ｎｍである。

セルロースアシレートフィルムの平衡含水率
本発明で用いるセルロースアシレートフィルムは、ポリビニルアルコールなどの水溶性ポリマーとの接着性を損なわないために、膜厚のいかんに関わらず、２５℃、８０％ＲＨにおける平衡含水率が、０〜４％であることが好ましく、０．１〜３．５％であることがより好ましく、１〜３％であることが特に好ましい。４％以下の平衡含水率とすることにより、レターデーションの湿度変化による依存性をより小さくでき好ましい。
本発明の含水率は、セルロースアシレートフィルム試料７ｍｍ×３５ｍｍを水分測定器、試料乾燥装置（ＣＡ−０３、ＶＡ−０５、共に三菱化学（株））にてカールフィッシャー法で測定し、水分量（ｇ）を試料重量（ｇ）で除して算出することができる。

セルロースアシレートフィルムの透湿度
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムの透湿度は、ＪＩＳ規格ＪＩＳＺ０２０８をもとに、温度６０℃、湿度９５％ＲＨの条件において測定し、膜厚８０μｍに換算して４００〜２０００ｇ／ｍ²・２４ｈであることが好ましい。５００〜１８００ｇ／ｍ²・２４ｈであることがより好ましく、６００〜１６００ｇ／ｍ²・２４ｈであることが特に好ましい。２０００ｇ／ｍ²・２４ｈ以下とすることにより、セルロースアシレートフィルムのＲｅ、Ｒｔｈの湿度依存性の絶対値を０．５ｎｍ／％ＲＨ以下により容易に保つことが可能となり、また、液晶表示装置の色味の変化や視野角の低下をより効果的に抑止できる。また、セルロースアシレートフィルムの透湿度を４００ｇ／ｍ²・２４ｈ以上とすることにより、セルロースアシレートフィルムの接着剤が乾燥しやすくなり、接着性がよりよくなる。
セルロースアシレートフィルムの膜厚が厚ければ透湿度は小さくなり、膜厚が薄ければ透湿度は大きくなる。そこでどのような膜厚のサンプルでも基準を８０μｍに設け換算するとよい。本発明では、膜厚は、８０μｍ換算の透湿度＝実測の透湿度×実測の膜厚μｍ／８０μｍ、として求めた。
透湿度の測定法は、「高分子の物性ＩＩ」（高分子実験講座４ 共立出版）の２８５頁〜２９４頁：蒸気透過量の測定（質量法、温度計法、蒸気圧法、吸着量法）に記載の方法を適用することができ、本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルム試料７０ｍｍφを２５℃、９０％ＲＨおよび６０℃、９５％ＲＨでそれぞれ２４時間調湿し、透湿試験装置（ＫＫ−７０９００７、東洋精機（株））にて、ＪＩＳ Ｚ−０２０８に従って、単位面積あたりの水分量を算出（ｇ／ｍ²）し、透湿度＝調湿後重量−調湿前重量で求めた。

フィルムの寸度変化
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムの寸度安定性は、６０℃、９０％ＲＨの条件下に２４時間静置した場合（高湿）の寸度変化率および９０℃、５％ＲＨの条件下に２４時間静置した場合（高温）の寸度変化率がいずれも０．５％以下であることが好ましい。
より好ましくは０．３％以下であり、さらに好ましくは０．１５％以下である。
本発明の寸法変化率は、以下に述べる方法で求めたものである。すなわち、セルロースアシレートフィルム試料３０ｍｍ×１２０ｍｍを２枚用意し、２５℃、６０％ＲＨで２４時間調湿し、自動ピンゲージ（新東科学（株））にて、両端に６ｍｍφの穴を１００ｍｍの間隔で開け、パンチ間隔の原寸（Ｌ０）とした。１枚の試料を６０℃、９０％ＲＨにて２４時間処理した後のパンチ間隔の寸法（Ｌ１）を測定し、もう１枚の試料を９０℃、５％ＲＨにて２４時間処理した後のパンチ間隔の寸法（Ｌ２）を測定した。すべての間隔の測定において最小目盛り１／１０００ｍｍまで測定した。６０℃、９０％ＲＨ（高湿）の寸度変化率＝｛｜Ｌ０−Ｌ１｜／Ｌ０｝×１００、９０℃、５％ＲＨ（高温）の寸度変化率＝｛｜Ｌ０−Ｌ２｜／Ｌ０｝×１００、として寸度変化率を求めた。

フィルムの弾性率
（弾性率）
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムの弾性率は、２００〜５００ｋｇｆ／ｍｍ²であることが好ましく、より好ましくは２４０〜４７０ｋｇｆ／ｍｍ²であり、さらに好ましくは２７０〜４４０ｋｇｆ／ｍｍ²である。本発明の弾性率は、東洋ボールドウィン製万能引っ張り試験機ＳＴＭ Ｔ５０ＢＰを用い、２３℃、７０％雰囲気中、引っ張り速度１０％／分で０．５％伸びにおける応力を測定して得られる値をいう。

フィルムの光弾性係数
（光弾性係数）
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムの光弾性係数は、５０×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎｅ以下であることが好ましく、３０×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎｅ以下であることがより好ましく、２０×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎｅ以下であることがさらに好ましい。光弾性係数は、セルロースアシレートフィルム試料１２ｍｍ×１２０ｍｍの長軸方向に対して引っ張り応力をかけ、その際のレターデーションをエリプソメーター（Ｍ１５０、日本分光（株））で測定し、応力に対するレターデーションの変化量から算出することができる。

延伸前後における正面レターデーション変化、遅相軸の検出
試料１００×１００ｍｍを用意し、固定一軸延伸機を用いて温度１４０℃の条件下で機械搬送方向（ＭＤ方向）または垂直方向（ＴＤ方向）に延伸を行った。延伸前後における各試料の正面レターデーションは自動複屈折計ＫＯＢＲＡ２１ＡＤＨを用いて測定した。遅相軸の検出は上記のレターデーション測定の際に得られる配向角から決定した。延伸によってＲｅの変化が小さいことが好ましく、具体的にはＲｅ（ｎ）をｎ（％）延伸したフィルムの面内正面レターデーション（ｎｍ）、Ｒｅ（０）を延伸していないフィルムの面内正面レターデーション（ｎｍ）としたときに、｜Ｒｅ（ｎ）−Ｒｅ（０）｜／ｎ≦１．０を有することが好ましく、｜Ｒｅ（ｎ）−Ｒｅ（０）｜／ｎ≦０．３以下がさらに好ましい。

遅相軸を有する方向
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムは、偏光膜が機械搬送方向（ＭＤ方向）に吸収軸を持つため、セルロースアシレートフィルムは遅相軸がＭＤ方向近傍またはＴＤ近傍にあることが好ましい。遅相軸が偏光膜と平行または直交させることにより光漏れや色味変化を低減できる。近傍とは、例えば、遅相軸とＭＤまたはＴＤ方向が０〜１０°、好ましくは０〜５°の範囲にあることを表す。

固有複屈折が正であるセルロースアシレートフィルム
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムは、フィルム面内において、遅相軸を有する方向に延伸すると正面レターデーションが大きくなり、遅相軸を有する方向と垂直な方向に延伸すると正面レターデーションが小さくなる。このことは固有複屈折が正であることを示しており、セルロースアシレートフィルム中で発現したレターデーションを打ち消すには遅相軸と垂直方向に延伸することが有効である。この方法としては例えば、フィルムが機械搬送方向（ＭＤ方向）に遅相軸を有している場合にＭＤとは垂直な方向（ＴＤ方向）にテンター延伸を用いて正面レターデーションを小さくすることが考えられる。逆の例として、ＴＤ方向に遅相軸を有している場合にはＭＤ方向の機械搬送ロールの張力を強めて延伸することによって正面レターデーションを小さくすることが考えられる。

固有複屈折が負であるセルロースアシレートフィルム
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムは、遅相軸を有する方向に延伸すると正面レターデーションが小さくなり、遅相軸を有する方向と垂直な方向に延伸すると正面レターデーションが大きくなる場合もある。このことは固有複屈折が負であることを示しており、フィルム中で発現したレターデーションを打ち消すには遅相軸と同一の方向に延伸することが有効である。この方法としては例えば、セルロースアシレートフィルムが機械搬送方向（ＭＤ方向）に遅相軸を有している場合にＭＤ方向の機械搬送ロールの張力を強めて延伸することによって正面レターデーションを小さくすることが考えられる。逆の例として、ＴＤ方向に遅相軸を有している場合にはＭＤとは垂直な方向（ＴＤ方向）にテンター延伸を用いて正面レターデーションを小さくすることが考えられる。

セルロースアシレートフィルムの評価方法
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムの評価に当たって、後述する本願実施例では、以下の方法で測定して実施した。
（面内のレターデーションＲｅ、膜厚方向のレターデーションＲｔｈ）
試料３０ｍｍ×４０ｍｍを、２５℃、６０％ＲＨで２時間調湿し、Ｒｅ（λ）は自動複屈折計ＫＯＢＲＡ２１ＡＤＨ（王子計測機器（株）製）において波長λｎｍの光をフィルム法線方向に入射させて測定した。また、Ｒｔｈ（λ）は前記Ｒｅ（λ）と、面内の遅相軸を傾斜軸としてフィルム法線方向を０°としてサンプルを１０°ごとに５０°まで傾斜させて波長λｎｍの光を入射させて測定したレターデーション値を基に、平均屈折率の仮定値１．４８および膜厚を入力し算出した。

（Ｒｅ、Ｒｔｈの波長分散測定）
試料３０ｍｍ×４０ｍｍを、２５℃、６０％ＲＨで２時間調湿し、エリプソメーターＭ−１５０（日本分光（株）製）において波長７８０ｎｍから３８０ｎｍの光をフィルム法線方向に入射させることにより各波長でのＲｅを求め、Ｒｅの波長分散を測定した。また、Ｒｔｈの波長分散については、前記Ｒｅ、面内の遅相軸を傾斜軸としてフィルム法線方向に対して＋４０°傾斜した方向から７８０〜３８０ｎｍの波長の光を入射させて測定したレターデーション値、および面内の遅相軸を傾斜軸としてフィルム法線方向に対して−４０°傾斜した方向から波長７８０〜３８０ｎｍの光を入射させて測定したレターデーション値の計３つの方向で測定したレターデーション値を基に、平均屈折率の仮定値１．４８および膜厚を入力して算出した。

（分子配向軸）
試料７０ｍｍ×１００ｍｍを、２５℃、６５％ＲＨで２時間調湿し、自動複屈折計（ＫＯＢＲＡ２１ＤＨ、王子計測（株））にて、垂直入射における入射角を変化させた時の位相差より分子配向軸を算出した。
（軸ズレ）
また、自動複屈折計（ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ、王子計測機器（株））で軸ズレ角度を測定した。幅方向に全幅にわたって等間隔で２０点測定し、絶対値の平均値を求めた。また、遅相軸角度（軸ズレ）のレンジとは、幅方向全域にわたって等間隔に２０点測定し、軸ズレの絶対値の大きい方から４点の平均と小さい方から４点の平均の差をとったものである。

（透過率）
試料２０ｍｍ×７０ｍｍを、２５℃、６０％ＲＨで透明度測定器（ＡＫＡ光電管比色計、ＫＯＴＡＫＩ製作所）で可視光（６１５ｎｍ）の透過率を測定した。
（分光特性）
試料１３ｍｍ×４０ｍｍを、２５℃、６０％ＲＨで分光光度計（Ｕ−３２１０、（株）日立製作所）にて、波長３００〜４５０ｎｍにおける透過率を測定した。傾斜幅は７２％の波長−５％の波長で求めた。限界波長は、（傾斜幅／２）＋５％の波長で表した。吸収端は、透過率０．４％の波長で表した。これより３８０ｎｍおよび３５０ｎｍの透過率を評価した。

セルロースアシレートフィルム表面の性状
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムの表面は、ＪＩＳＢ０６０１−１９９４に基づく該膜の表面凹凸の算術平均粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ以下、および最大高さ（Ｒｙ）が０．５μｍ以下であることが好ましい。好ましくは、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．０５μｍ以下、および最大高さ（Ｒｙ）が０．２μｍ以下である。膜表面の凹と凸の形状は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により評価することができる。

セルロースアシレートフィルムのレターデーションの面内ばらつき
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムは次の式を満たすことが好ましい。
｜Ｒｅ（ＭＡＸ）−Ｒｅ（ＭＩＮ）｜≦３、かつ、｜Ｒｔｈ（ＭＡＸ）−Ｒｔｈ（ＭＩＮ）｜≦５
式中、Ｒｅ（ＭＡＸ）、Ｒｔｈ（ＭＡＸ）−は任意に切り出した１ｍ四方のフィルムの最大レターデーション値、Ｒｅ（ＭＩＮ）、Ｒｔｈ（ＭＩＮ）は最小値である。

セルロースアシレートフィルムの保留性
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムにおいては、フィルムに添加した各種化合物の保留性が要求される。具体的には、本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムを８０℃、９０％ＲＨの条件下に４８時間静置した場合のフィルムの質量変化が、０〜５％であることが好ましく、より好ましくは０〜３％であり、さらに好ましくは０〜２％である。
（保留性の評価方法）
試料を１０ｃｍ×１０ｃｍのサイズに断裁し、２３℃、５５％ＲＨの雰囲気下で２４時間放置後の質量を測定して、８０±５℃、９０±１０％ＲＨの条件下で４８時間放置した。処理後の試料の表面を軽く拭き、２３℃、５５％ＲＨで１日放置後の質量を測定して、以下の方法で保留性を計算した。
保留性（質量％）＝｛（放置前の質量−放置後の質量）／放置前の質量｝×１００

（フィルムの力学特性）
カール
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムの幅方向のカール値は、−１０／ｍ〜＋１０／ｍであることが好ましい。本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムには、貼合などを長尺で行う際に、本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムの幅方向のカール値を前述の範囲内とすることにより、フィルムのハンドリングに支障をきたしたり、フィルムの切断が起きるのをより効果的に防ぐことができる。また、フィルムのエッジや中央部などで、フィルムが搬送ロールと強く接触するために発塵しやすくなり、フィルム上への異物付着が多くなり、光学補償フィルムの点欠陥や塗布スジの頻度が許容値を超えてしまうのをより効果的に防止できる。さらに、偏光膜との貼り合せ時に気泡が入ることを防ぐことができる観点からも好ましい。
カール値は、アメリカ国家規格協会の規定する測定方法（ＡＮＳＩ／ＡＳＣＰＨ１．２９−１９８５）に従い測定することができる。

（引裂き強度）
ＪＩＳＫ７１２８−２：１９９８の引裂き試験方法に基づく引裂き強度（エルメンドルフ引裂き法）が、本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムの膜厚が２０〜８０μｍの範囲において、２ｇ以上であることが好ましい。より好ましくは５〜２５ｇであり、さらに好ましくは６〜２５ｇである。また、６０μｍ換算で８ｇ以上が好ましく、より好ましくは８〜１５ｇである。具体的には、試料片５０ｍｍ×６４ｍｍを、２５℃、６５％ＲＨの条件下に２時間調湿した後に軽荷重引裂き強度試験機を用いて測定できる。

セルロースアシレートフィルムの残留溶剤量
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムに対する残留溶剤量が、０．０１〜１．５質量％の範囲となる条件で乾燥することが好ましく、より好ましくは０．０１〜１．０質量％である。本発明に用いる偏光膜の残留溶剤量は１．５％以下とすることでカールを抑制できる。１．０％以下であることがより好ましい。これは、前述のソルベントキャスト方法による成膜時の残留溶剤量が少なくすることで自由堆積が小さくなることが主要な効果要因になるためと思われる。

セルロースアシレートフィルムの吸湿膨張係数
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムの吸湿膨張係数は３０×１０^-5／％ＲＨ以下とすることが好ましい。吸湿膨張係数は、１５×１０^-5／％ＲＨ以下とすることが好ましく、１０×１０^-5／％ＲＨ以下であることがさらに好ましい。また、吸湿膨張係数は小さい方が好ましいが、通常は、１．０×１０^-5／％ＲＨ以上の値である。吸湿膨張係数は、一定温度下において相対湿度を変化させた時の試料の長さの変化量を示す。

表面処理
セルロースアシレートフィルムは、場合により表面処理を行うことによって、セルロースアシレートフィルムとの接着の向上を達成することができる。例えばグロー放電処理、紫外線照射処理、コロナ処理、火炎処理、酸またはアルカリ処理を用いることができる。ここでいうグロー放電処理とは、１０^-3〜２０Ｔｏｒｒの低圧ガス下でおこる低温プラズマでもよく、さらにまた大気圧下でのプラズマ処理も好ましい。プラズマ励起性気体とは上記のような条件においてプラズマ励起される気体をいい、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン、窒素、二酸化炭素、テトラフルオロメタンの様なフロン類およびそれらの混合物などがあげられる。これらについては、詳細が発明協会公開技報（公技番号 ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて３０頁〜３２頁に詳細に記載されており、本発明において好ましく用いることができる。

アルカリ鹸化処理によるセルロースアシレートフィルム表面の接触角
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムの表面処理の有効な手段の１つとしてアルカリ鹸化処理が挙げられる。この場合、アルカリ鹸化処理後のセルロースアシレートフィルム表面の接触角が５５°以下であることが好ましい。より好ましくは５０°以下であり、４５°以下であることがさらに好ましい。接触角の評価法はアルカリ鹸化処理後のフィルム表面に直径３ｍｍの水滴を落とし、セルロースアシレートフィルム表面と水滴のなす角をもとめる通常の手法によって親疎水性の評価として用いることができる。

耐光性
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムの光耐久性の指標として、スーパーキセノン光を２４０時間照射したセルロースアシレートフィルムの色差ΔＥ＊ａｂが２０以下であることが好ましい。より好ましくは１８以下であり、１５以下であることがさらに好ましい。色差の測定は、例えば、ＵＶ３１００（島津製作所製）を用いて行なうことができる。測定の仕方は、セルロースアシレートフィルムを２５℃６０％ＲＨに２時間以上調湿した後キセノン光照射前のセルロースアシレートフィルムのカラーを測定し、初期値（Ｌ０＊、ａ０＊、ｂ０＊）を求める。そして、セルロースアシレートフィルム単体で、スーパーキセノンウェザーメーターＳＸ−７５（スガ試験機（株）製）にて、１５０Ｗ／ｍ２、６０℃５０％ＲＨ条件にてキセノン光を２４０時間照射する。所定時間の経過後、セルロースアシレートフィルムを恒温槽から取り出し、２５℃６０％ＲＨに２時間調湿した後に、再びカラー測定を行い、照射経時後の値（Ｌ１＊、ａ１＊、ｂ１＊）を求めた。これらから、色差ΔＥ＊ａｂ＝（（Ｌ０＊−Ｌ１＊）＾２＋（ａ０＊−ａ１＊）＾２＋（ｂ０＊−ｂ１＊）＾２）＾０．５を求めることによって測定できる。

以下に実施例と比較例を挙げて本発明の特徴をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。なお、実施例３は、参考例である。

［実施例１］
＜ＩＰＳモード液晶セル１の作製＞
一枚のガラス基板上に、図１に示す様に、隣接する電極間の距離が２０μｍとなるように電極（図１中２及び３）を配設し、その上にポリイミド膜を配向膜として設け、ラビング処理を行なった。図１中に示す方向４に、ラビング処理を行なった。別に用意した一枚のガラス基板の一方の表面にポリイミド膜を設け、ラビング処理を行なって配向膜とした。二枚のガラス基板を、配向膜同士を対向させて、基板の間隔（ギャップ；ｄ）を３．９μｍとし、二枚のガラス基板のラビング方向が平行となるようにして重ねて貼り合わせ、次いで屈折率異方性（Δｎ）が０．０７６９及び誘電率異方性（Δε）が正の４．５であるネマチック液晶組成物を封入した。液晶層のｄ・Δｎの値は３００ｎｍであった。

＜第１位相差領域１の作製＞
下記の（Ａ）の共重合体１０重量部に、下記（Ｂ）のモノマー混合物９０重量部をグラフト重合させたスチレン系ポリマー１７０ｇを二塩化メチレン８３０ｇに溶解させた。
（Ａ）スチレン／ブタジエン共重合体（質量比：２０／８０）
（Ｂ）スチレン／アクリロニトリル／α−メチルスチレン（質量比：６０／２０／２０）
この溶液を乾燥後の膜厚が１０５μｍとなるようにガラス板上に流延し、５分間室温で放置した後、４５℃の温風で２０分間乾燥させ、得られたフィルム（膜）をガラス板から剥した。このフィルムを矩形の枠に張り付け、７０℃で１時間乾燥させた。更に１１０℃で１５時間乾燥させた後、１１５℃の条件で引張試験機（ストログラフＲ２、（株）東洋精機製）で、１．９倍の倍率で一軸延伸を行なった。上記のようにして、スチレン系ポリマーの一軸延伸フィルム得られたフィルムのレターデーションを測定した。Ｒｅは１８５ｎｍであり、Ｒｔｈは−９２ｎｍであった。このフィルムは、屈折率異方性が負であり、また、フィルムの光軸はフィルム面に平行な方向にあった（即ちフィルム面内にあった）。このフィルムを第１位相差領域１とした。

＜第２位相差領域１の作製＞
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、下記の組成を有するセルロースアセテート溶液を調製した。
セルロースアセテート溶液の組成
酢化度６０．９％のセルロースアセテート １００質量部
トリフェニルホスフェート（可塑剤） ７．８質量部
ビフェニルジフェニルホスフェート（可塑剤） ３．９質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ３００質量部
メタノール（第２溶媒） ５４質量部
１−ブタノール（第３溶媒） １１質量部
別のミキシングタンクに、下記のレターデーション上昇剤１６質量部、メチレンクロライド８０質量部及びメタノール２０質量部を投入し、加熱しながら攪拌して、レターデーション上昇剤溶液を調製した。セルロースアセテート溶液４８７質量部にレターデーション上昇剤溶液１１質量部を混合し、十分に攪拌してドープを調製した。

得られたドープを、バンド流延機を用いて流延した。バンド上での膜面温度が４０℃となってから、６０℃の温風で１分間乾燥し、フィルムをバンドから剥ぎ取った。次にフィルムを１４０℃の乾燥風で１０分間乾燥し、厚さ８０μｍの位フィルムを作製した。
このフィルムの光学特性は自動複屈折率計（ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ、王子計測機器（株）製）を用いて、Ｒｅの光入射角度依存性を測定することにより求めたところ、Ｒｅ＝１５ｎｍ、Ｒｔｈ＝１２０ｎｍであった。このフィルムを第２位相差領域１とした。

＜位相差膜付き第１偏光板１の作製＞
第１位相差領域１を、市販の偏光板（ＨＬＣ２−５６１８、（株）サンリッツ製）の透過軸と第１位相差領域１の遅相軸が直交になるように、貼り合わせた。さらに、この第１位相差領域１に市販の接着剤を２０μｍの厚さで塗り、第２位相差領域１を、その遅相軸が偏光板の透過軸と直交するように貼り付け位相差膜付き第１偏光板１を形成した。

＜液晶表示装置１の作製＞
前記で作製したＩＰＳモード液晶セル１の一方に、位相差膜付き第１偏光板１を貼り付けた。この時、第１位相差領域１の遅相軸が、液晶セルのラビング方向と直交になるように（即ち、第１位相差領域１の遅相軸が、黒表示時の液晶セルの液晶分子の遅相軸と直交になるように）、且つ第２位相差領域１が液晶セル側になるように貼り付けた。続いて、ＩＰＳモード液晶セル１のもう一方の側に市販の偏光板（ＨＬＣ２−５６１８、（株）サンリッツ製）をクロスニコルの配置で貼り付け、液晶表示装置を作製した。このように作製した液晶表示装置の漏れ光を測定した。測定はまず、暗室内に設置されたシャーカステン上に、偏光板を貼り合わせない状態で液晶セル１を置き、液晶セルのラビング方向を基準として左方向に４５度の方位で、且つ液晶セル法線方向から方向６０°の方向に１ｍ離れたところに設置された輝度計で輝度１を測定した。
次いで、上記と同じシャーカステン上に実施例１の液晶表示パネルを同様に配置して、暗表示の状態で同様に輝度２を測定し、これを輝度１に対する１００分率で表したものを漏れ光とした。測定した漏れ光は０．０９％であった。

［実施例２］
＜第１位相差領域２及び位相差膜１の作製＞
市販のセルロースアセテートフィルム（フジタックＴＤ８０ＵＦ、富士写真フイルム（株）製）の表面をケン化後、このフィルム上に下記の組成の配向膜塗布液をワイヤーバーコーターで２０ｍｌ／ｍ²塗布した。６０℃の温風で６０秒、さらに１００℃の温風で１２０秒乾燥し、膜を形成した。次に、形成した膜にフィルムの遅相軸方向と平行の方向にラビング処理を施して配向膜を形成した。
配向膜塗布液の組成
下記の変性ポリビニルアルコール １０質量部
水 ３７１質量部
メタノール １１９質量部
グルタルアルデヒド ０．５質量部
テトラメチルアンモニウムフルオライド ０．３質量部

次に、配向膜上に、下記のディスコチック液晶性化合物１．８ｇ、エチレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリアクリレート（Ｖ＃３６０、大阪有機化学（株）製）０．２ｇ、光重合開始剤（イルガキュアー９０７、チバガイギー社製）０．０６ｇ、増感剤（カヤキュアーＤＥＴＸ、日本化薬（株）製）０．０２ｇ、空気界面側垂直配向剤（例示化合物Ｐ−６）０．０１ｇを、３．９ｇのメチルエチルケトンに溶解した溶液を、＃５のワイヤーバーで塗布した。これを金属の枠に貼り付けて、１２５℃の恒温槽中で３分間加熱し、ディスコチック液晶化合物を配向させた。次に、１００℃で１２０Ｗ／ｃｍ高圧水銀灯を用いて、３０秒間ＵＶ照射しディスコチック液晶化合物を架橋した。その後、室温まで放冷した。この様にして、偏光板保護膜となる支持体上に、ディスコチック液晶性化合物から形成された位相差層を有する位相差膜１を作製した。

自動複屈折率計（ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ、王子計測機器（株）社製）を用いて、偏光板保護膜１のＲｅの光入射角度依存性を測定し、予め測定したセルロースアセテートフィルムの寄与分を差し引くことによって、上記で作製したディスコチック液晶位相差層のみの光学特性を算出したところ、Ｒｅが１８５ｎｍ、Ｒｔｈが−９３ｎｍ、液晶の平均傾斜角は８９．９°であり、ディスコチック液晶がフィルム面に対して垂直に配向していることが確認できた。この位相差層は、屈折率異方性が負で、光軸が層面に対して実質的に平行であることがわかった。また、この位相差層の遅相軸の方向は、配向膜のラビング方向と平行であった。この位相差層を第１位相差領域２とした。

＜位相差膜付き第１偏光板２の作製＞
延伸したポリビニルアルコールフィルムにヨウ素を吸着させて偏光膜を作製した。ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、作製した位相差膜１を、セルロースアセテートフィルムが偏光膜側となるように偏光膜の片側に貼り付けた。偏光膜の透過軸と位相差膜１の遅相軸（第１位相差領域２の遅相軸もこれに一致する）とが直交になるように配置した。
市販のセルロースアセテートフィルム（フジタックＴＤ８０ＵＦ、富士写真フイルム（株）製）にケン化処理を行い、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、偏光膜の反対側に貼り付けた。さらに実施例１で作製したアセチルセルロースフィルムからなる第２位相差領域１を、その遅相軸が前記偏光膜の透過軸に直交する様に位相差膜１側に貼り付け、位相差膜付き第１偏光板２を作製した。

＜液晶表示装置２の作製＞
前記で作製したＩＰＳモード液晶セル１の一方に、上記で作製した位相差膜付き第１偏光板２を貼り付けた。この時、前記第１偏光板２の第１位相差領域２の遅相軸が、液晶セルのラビング方向と直交になるように（即ち、第１位相差領域２の遅相軸が、黒表示時の液晶セルの液晶分子の遅相軸と直交になるように）、且つ第２位相差領域１側が液晶セル側になるように貼り付けた。続いて、ＩＰＳモード液晶セル１のもう一方の側に市販の偏光板（ＨＬＣ２−５６１８、（株）サンリッツ製）をクロスニコルの配置で貼り付け、液晶表示装置を作製した。このように作製した液晶表示装置の漏れ光は０．０９％であった。

［実施例３］
＜位相差膜付き第１偏光板３の作製＞
実施例２の位相差膜１の作製で用いたのと同一の組成のディスコチック液晶塗布液を、＃４．１で塗布して、実施例２と同様にして位相差膜２を作製した。この位相差膜２の、トリアセチルセルロース支持体の寄与分を除いたＲｅは１３０ｎｍで、Ｒｔｈは−６５ｎｍであった。位相差膜２において、位相差層中、ディスコチック液晶性化合物は、位相差膜１と同様、垂直配向していた。ディスコチック液晶性化合物から形成された前記位相差層は、屈折率異方性が負で、光軸が層面に対して実質的に平行であった。この位相差層を、第１位相差領域３とした。

延伸したポリビニルアルコールフィルムにヨウ素を吸着させて偏光膜を作製した。接着剤を用いて、上記位相差膜２を、ディスコチック液晶層側が偏光膜側となるように偏光膜の片側に貼り付けた。偏光膜の透過軸と位相差膜２の遅相軸（第１位相差領域２の遅相軸もこれに一致する）とが直交になるように配置した。市販のセルロースアセテートフィルム（フジタックＴＤ８０ＵＦ、富士写真フイルム（株）製）にケン化処理を行い、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、偏光膜の反対側に貼りつけた。さらに市販のセルロースアセテートフィルムを位相差膜２側に貼り付け、位相差膜付き第１偏光板３を作製した。この場合、位相差膜２のトリアセチルセルロース支持体とこれに隣接して貼り付けられた前記セルロースアセテートフィルムが、第２位相差領域３として機能する。この第２位相差領域３のＲｔｈは１１０ｎｍで、Ｒｅは２ｎｍあった。

＜液晶表示装置３の作製＞
前記で作製したＩＰＳモード液晶セル１の一方に、位相差膜付き第１偏光板３の第１位相差領域３の遅相軸が液晶セルのラビング方向と直交になるように（即ち、第１位相差領域３の遅相軸が、黒表示時の液晶セルの液晶分子の遅相軸と直交になるように）、且つ位相差膜２側が液晶セル側になるように貼り付けた。続いて、ＩＰＳモード液晶セル１のもう一方の側に市販の偏光板（ＨＬＣ２−５６１８、（株）サンリッツ製）をクロスニコルの配置で貼り付け、液晶表示装置を作製した。このように作製した液晶表示装置の漏れ光は０．０８％であった。

［実施例４］
＜支持体１の作製＞
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアセテート溶液Ａを調製した。
＜セルロースアセテート溶液Ａ組成＞
置換度２．８６のセルロースアセテート １００質量部
トリフェニルホスフェート（可塑剤） ７．８質量部
ビフェニルジフェニルホスフェート（可塑剤） ３．９質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ３００質量部
メタノール（第２溶媒） ５４質量部
１−ブタノール １１質量部

別のミキシングタンクに、下記の組成物を投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、添加剤溶液Ｂを調製した。
＜添加剤溶液Ｂ組成＞
メチレンクロライド ８０質量部
メタノール ２０質量部
下記光学的異方性低下剤 ４０質量部

セルロースアセテート溶液Ａを４７７質量部に、添加剤溶液Ｂの４０質量部を添加し、充分に攪拌して、ドープを調製した。ドープを流延口から０℃に冷却したドラム上に流延した。溶媒含有率７０質量％の場外で剥ぎ取り、フィルムの巾方向の両端をピンテンター（特開平４−１００９号の図３に記載のピンテンター）で固定し、溶媒含有率が３〜５質量％の状態で、横方向（機械方向に垂直な方向）の延伸率が３％となる間隔を保ちつつ乾燥した。その後、熱処理装置のロール間を搬送することによりさらに乾燥し、厚み８０μｍの支持体１を作製した。
自動複屈折率計（ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ、王子計測機器（株）社製）を用いて、Ｒｅの光入射角度依存性を測定し、光学特性を算出したところ、Ｒｅが１ｎｍ、Ｒｔｈが６ｎｍであることが確認できた。

＜位相差膜付き第１偏光板４の作製＞
上記支持体１を支持体に用いたこと、及びディスコチック液晶塗布液を＃４．２バーで塗布したこと以外は、実施例２の位相差膜１の作製と同様にして、位相差層を支持体１上に形成した。形成した位相差層のＲｅは１４０ｎｍで、Ｒｔｈは−７０ｎｍであった。形成した位相差層中、ディスコチック液晶性化合物は、位相差膜１と同様、垂直配向していた。ディスコチック液晶性化合物から形成された前記位相差層は、屈折率異方性が負で、光軸が層面に対して実質的に平行であった。これを第１位相差領域４とした。
さらに、レターデーション上昇剤溶液を９．２質量部にした以外は、実施例１の第２位相差領域１の作製と同様の方法で、セルロースアセテートフィルムを作製した。作製したセルロースアセテートフィルムのＲｔｈは１１０ｎｍで、Ｒｅは７ｎｍであった。このセルロースアセテートフィルムを第２位相差領域４として、第１位相差領域４に貼り付けた貼り付け方法は、市販の接着剤を２０μｍの厚さで塗った以外は、実施例２と同様にして行った。

第１位相差領域４と第２位相差領域４との積層体を、実施例２で製作した偏光膜に、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、支持体１が偏光膜側となるように偏光膜の片側に貼り付けた。偏光膜の透過軸と第１位相差領域４の遅相軸（第１位相差領域２の遅相軸もこれに一致する）とが直交になるように配置した。市販のセルロースアセテートフィルムにケン化処理を行い、偏光膜の反対側に貼りつけ位相差膜付き第１偏光板４を作製した。

＜液晶表示装置４の作製＞
前記で作製したＩＰＳモード液晶セル１の一方に、位相差膜付き第１偏光板４の第１位相差領域４の遅相軸が液晶セルのラビング方向と直交になるように、且つ第２位相差領域４側が液晶セル側になるように貼り付けた。続いて、ＩＰＳモード液晶セル１のもう一方の側に市販の偏光板（ＨＬＣ２−５６１８、（株）サンリッツ製）をクロスニコルの配置で貼り付け、液晶表示装置を作製した。このように作製した液晶表示装置の漏れ光は０．０９％であった。

［実施例５］
＜位相差膜付き第１偏光板５の作製＞
レターデーション上昇剤溶液を７質量部にしたこと以外は、実施例２の第２位相差領域２と同様の方法で、セルロースアセテートフィルムを作製した。このフィルムのＲｔｈは８０ｎｍ、Ｒｅは９ｎｍであった。このフィルムを第２位相差領域５とした。次に、作製したセルロースアセテートフィルムからなる第２位相差領域５を支持体に用いたこと、及びディスコチック液晶塗布液を＃４．３バーで塗布したこと以外は、実施例２の位相差膜１と同様な製作方法で、層を形成した。作製した層のＲｅは１４５ｎｍ、Ｒｔｈは−７３ｎｍであり、層中において、ディスコチック液晶性化合物は垂直配向状態に固定されていた。この層は屈折率異方性が負で、光軸が層面に対して実質的に平行であった。この層を、第１位相差領域５とした。

一方、実施例２で製作した偏光膜を、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、支持体１とケン化処理を行った市販のセルロースアセテートフィルムで挟んで貼り付け偏光板Ａを製作した。この偏光板の支持体１側に接着剤を塗布して第１位相差領域５をそのディスコチック液晶塗布面側を貼り付けて位相差膜付き第１偏光板５を作製した。

＜液晶表示装置５の作製＞
前記で作製したＩＰＳモード液晶セル１の一方に、位相差膜付き第１偏光板５の第１位相差領域５の遅相軸が液晶セルのラビング方向と直交になるように、且つ第２位相差領域５側が液晶セル側になるように貼り付けた。続いて、ＩＰＳモード液晶セル１のもう一方の側に偏光板Ａを支持体１をセル側にしてクロスニコルの配置で貼り付け、液晶表示装置を作製した。このように作製した液晶表示装置の漏れ光は０．０３％であった。

［実施例６］
＜位相差膜付き第１偏光板６の作製＞
レターデーション上昇剤溶液を６質量部にし、溶媒含有率が３〜５質量％の状態で、横方向（機械方向に垂直な方向）の延伸率が２５％となる間隔を保ちつつ乾燥した以外は、実施例２の第２位相差領域２と同様な製作方法で、セルロースアセテートフィルムを作製した。このフィルムのＲｔｈは７５ｎｍ、Ｒｅは３０ｎｍであった。このフィルムを第２位相差領域６とした。次に、作製したセルロースアセテートフィルムからなる第２位相差領域６を支持体に用いたこと、及びディスコチック液晶塗布液を＃４．１バーで塗布したこと以外は、実施例２の位相差膜１と同様な製作方法で、層を形成した。作製した層のＲｅは１３５ｎｍ、Ｒｔｈは−６７ｎｍであり、層中において、ディスコチック液晶性化合物は垂直配向状態に固定されていた。この層は屈折率異方性が負で、光軸が層面に対して実質的に平行であった。この層を第１位相差領域６とした。

一方、実施例５で製作した偏光板Ａの支持体１側に接着剤を塗布して、それに第１位相差領域６のディスコチック液晶塗布面側を貼り付けて位相差膜付き第１偏光板６を作製した。

＜液晶表示装置６の作製＞
前記で作製したＩＰＳモード液晶セル１の一方に、位相差膜付き第１偏光板６の第１位相差領域６の遅相軸が液晶セルのラビング方向と直交になるように、且つ第２位相差領域６側が液晶セル側になるように貼り付けた。続いて、ＩＰＳモード液晶セル１のもう一方の側に偏光板Ａを支持体１をセル側にしてクロスニコルの配置で貼り付け、液晶表示装置を作製した。このように作製した液晶表示装置の漏れ光は０．０４％であった。

［実施例７］
＜強誘電性液晶セル１の作製＞
ＩＴＯ電極付ガラス基板上ポリイミド膜を配向膜として設け、ラビング処理を行なった。この基板を２枚製作し、配向膜同士を対向させて、基板の間隔（ギャップ；ｄ）を１．９μｍとし、二枚のガラス基板のラビング方向が平行となるようにして重ねて貼り合わせ、次いで屈折率異方性（Δｎ）が０．１５及び自発分極（Ｐｓ）が１２ｎＣｃｍ^-2である強誘電性液晶組成物を封入した。液晶層のｄ・Δｎの値は２８０ｎｍであった。

製作した強誘電性液晶セル１に対の一方に、実施例２で作製した位相差膜付き第１偏光板２を貼り付けた。この時、前記第１偏光板２の第１位相差領域２の遅相軸が、液晶セルに直流電圧１０Ｖを印加した場合の液晶分子の遅相軸と直交になるように、且つ第２位相差領域１側が液晶セル側になるように貼り付けた。続いて、強誘電性液晶セル１のもう一方の側に市販の偏光板（ＨＬＣ２−５６１８、（株）サンリッツ製）をクロスニコルの配置で貼り付け、液晶表示装置を作製した。このように作製した液晶表示装置の漏れ光光は０．１０％であった。

［実施例８］
＜支持体２の作製＞
（セルロースアセテート溶液の調製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、攪拌して各成分を溶解し、セルロースアセテート溶液Ａを調製した。

（セルロースアセテート溶液Ａ組成）
酢化度２．８６のセルロースアセテート １００．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ４０２．０質量部
メタノール（第２溶媒） ６０．０質量部

（マット剤溶液の調製）
平均粒子サイズ１６ｎｍのシリカ粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ Ｒ９７２、日本アエロジル（株）製）を２０質量部、メタノール８０質量部を３０分間よく攪拌混合してシリカ粒子分散液とした。この分散液を下記の組成物とともに分散機に投入し、さらに３０分以上攪拌して各成分を溶解し、マット剤溶液を調製した。

（マット剤溶液組成）
平均粒子サイズ１６ｎｍのシリカ粒子分散液 １０．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ７６．３質量部
メタノール（第２溶媒） ３．４質量部
セルロースアセテート溶液Ａ １０．３質量部

（添加剤溶液の調製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアセテート溶液を調製した。

（添加剤溶液組成）
光学異方性を低下させる化合物（Ａ−１９）４９．３質量部
波長分散調整剤（ＵＶ−１０２） ７．６質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ５８．４質量部
メタノール（第２溶媒） ８．７質量部
セルロースアセテート溶液Ａ １２．８質量部
なお、Ａ−１９とＵＶ−１０２の ＬｏｇＰ値はそれぞれ２．９、５．６である。

（セルロースアセテートフィルムの作製）
上記セルロースアセテート溶液Ａを９４．６質量部、マット剤溶液を１．３質量部、添加剤溶液４．１質量部それぞれを濾過後に混合し、バンド流延機を用いて流延した。上記組成で光学異方性を低下させる化合物および波長分散調整剤のセルロースアセテートに対する質量比はそれぞれ１２％、１．８％であった。残留溶剤量３０％でフィルムをバンドから剥離し、１４０℃で４０分間乾燥させセルロースアセテートフィルムを製造した。得られたセルロースアセテートフィルムの残留溶剤量は０．２％であり、膜厚は４０μｍであった。

また、この膜のＲｅ（６３０）は０．３ｎｍ、Ｒｔｈ（６３０）は３．２ｎｍ、｜Ｒｅ（４００）−Ｒｅ（７００）｜は１．２ｎｍ、｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜は７．５ｎｍ、フィルムのＴｇは１３４．３℃、フィルムのヘイズは０．３４％、ΔＲｔｈ（１０％ＲＨ−８０％ＲＨ）は２４．９ｎｍであった。この膜を保護膜１とした。

＜偏光板Ｂの作製＞
次に延伸したポリビニルアルコールフィルムにヨウ素を吸着させて偏光膜を製作し、市販のセルロースアセテートフィルム（フジタックＴＤ８０ＵＦ、富士写真フイルム（株）製、Ｒｅ＝２ｎｍ、Ｒｔｈ＝４８ｎｍ）にケン化処理を行い、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、偏光膜の片面に貼り付けた。さらに偏光膜のもう片側に支持体２をそのセルロースアセテートフィルム側が偏光膜側になるようにポリビニルアルコール系接着剤を用いて貼り付け、偏光板Ｂを作製した。

［実施例８］
実施例５と同様に形成した第２位相差領域５および第１位相差領域５を偏光板Ｂの支持体２側に接着剤を塗布して第１位相差領域５をそのディスコチック液晶塗布面側を貼り付けて位相差膜付き第１偏光板８を作製した。

＜液晶表示装置８の作製＞
前記で作製したＩＰＳモード液晶セル１の一方に、位相差膜付き第１偏光板８の第１位相差領域５の遅相軸が液晶セルのラビング方向と直交になるように、且つ第２位相差領域５側が液晶セル側になるように貼り付けた。続いて、ＩＰＳモード液晶セル１のもう一方の側に偏光板Ａを支持体１をセル側にしてクロスニコルの配置で貼り付け、液晶表示装置を作製した。このように作製した液晶表示装置の漏れ光は０．０２％であった。

［比較例１］
前記作製したＩＰＳモード液晶セル１の両側に市販の偏光板（ＨＬＣ２−５６１８、（株）サンリッツ製）を、クロスニコルの配置で貼り付け、液晶表示装置を作製した。光学補償フィルムは用いなかった。この市販の偏光板の保護フィルムを湯浴中ではがし、光学特性を測定したところＲｅ（６３０）は４．７ｎｍ、Ｒｔｈ（６３０）は４８．５ｎｍ、｜Ｒｅ（４００）−Ｒｅ（７００）｜は１０．１ｎｍ、｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜は２３．４ｎｍであった。上記液晶表示装置では、実施例１と同様に、上側の偏光板の透過軸が液晶セルのラビング方向と平行になるように偏光板を貼り付けた。このように作製した液晶表示装置の漏れ光は０．５５％であった。

［比較例２］
＜位相差膜付き第１偏光板９の作製＞
延伸したポリビニルアルコールフィルムにヨウ素を吸着させて偏光膜を製作した。ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、実施例２で作製した位相差膜１を、セルロースアセテートフィルムが偏光膜側となるように偏光膜の片側に貼り付けた。偏光膜の透過軸と位相差膜１の遅相軸とは平行になるように配置した。市販のセルロースアセテートフィルム（フジタックＴＤ８０ＵＦ、富士写真フイルム（株）製）にケン化処理を行い、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、偏光膜の反対側に貼りつけた。さらに実施例１で製作した第２位相差領域１をその遅相軸が偏光板の透過軸に直交する様に位相差１側に貼り付け、位相差膜付き第１偏光板９を製作した。

＜液晶表示装置９の作製＞
前記で作製したＩＰＳモード液晶セル１の一方に、位相差膜付き第１偏光板１の第１位相差領域１の遅相軸が液晶セルのラビング方向と平行になるように、且つ第２位相差領域１側が液晶セル側になるように貼り付けた。続いて、ＩＰＳモード液晶セル１のもう一方の側に市販の偏光板（ＨＬＣ２−５６１８、（株）サンリッツ製）をクロスニコルの配置で貼り付け、液晶表示装置を作製した。このように作製した液晶表示装置の漏れ光は０．４８％であった。

［比較例３］
第２位相差領域１を貼合しなかった以外は、実施例２の位相差膜付き第１偏光板２と同様に位相差膜付き第１偏光板３を製作した。実施例１で作製したＩＰＳモード液晶セル１の一方に、位相差膜付き第１偏光板３の第１位相差領域２の遅相軸が液晶セルのラビング方向と直交になるように、ディスコチック液晶塗布面側が液晶セル側になるように貼り付けた。続いて、ＩＰＳモード液晶セル１のもう一方の側に市販の偏光板（ＨＬＣ２−５６１８、（株）サンリッツ製）をクロスニコルの配置で貼り付け、液晶表示装置を作製した。このように作製した液晶表示装置の漏れ光は１．５％であった。

以下に、実施例１〜８及び比較例１〜３の評価結果をまとめる。

本発明の液晶表示装置の画素領域例を示す概略図である。 本発明の液晶表示装置の例を示す概略図である。

符号の説明

１ 液晶素子画素領域
２ 画素電極
３ 表示電極
４ ラビング方向
５ａ、５ｂ 黒表示時の液晶化合物のダイレクター
６ａ、６ｂ 白表示時の液晶化合物のダイレクター
７ａ，７ｂ、１９ａ，１９ｂ 偏光膜用保護膜
８、２０ 偏光膜
９、２１ 偏光膜の偏光透過軸
１０ 第１位相差領域
１１ 第１位相差領域の遅相軸
１２ 第２位相差領域
１３、１７ セル基板
１４、１８ セル基板ラビング方向
１５ 液晶層
１６ 液晶層の遅相軸方向

Claims (19)

1. 第１偏光膜と、第１位相差領域と、第２位相差領域と、第１基板と、液晶層と、第２基板とがこの順序で配置され、黒表示時に該液晶層の液晶分子が前記一対の基板の表面に対して平行に配向する液晶表示装置であって、
   前記第２の基板のさらに外側に第２偏光膜を有し、
   前記第１偏光膜及び／又は前記第２偏光膜を挟んで配置された一対の保護膜を有し、該一対の保護膜のうち液晶層に近い側の保護膜が、セルロースアシレートフィルムであり、
   該セルロースアシレートフィルムが、Ｒｔｈ（λ）を低下させ、且つオクタノール−水分配係数（ＬｏｇＰ値）が０〜７である化合物の少なくとも１種を、該セルロースアシレート固形分に対して０．０１〜３０質量％含み、
   前記第２位相差領域の面内のレターデーションＲｅが１００ｎｍ以下で、且つ第２位相差領域の厚み方向のレターデーションＲｔｈが５０ｎｍ〜２００ｎｍであり、第１位相差領域が屈折率異方性が負で光軸が層面に対して実質的に平行であり、該第１位相差領域の遅相軸が第１偏光膜の透過軸及び黒表示時の液晶分子の遅相軸方向に直交である液晶表示装置；なお、Ｒｔｈの符号は、面内の遅相軸を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して＋２０°傾斜した方向から波長５５０ｎｍの光を入射させて測定したレターデーションがＲｅを超える場合を正とし、Ｒｅを下回る場合を負とするが、ただし、｜Ｒｔｈ／Ｒｅ｜が９以上の試料では、回転自由台座付きの偏光顕微鏡を用いて、面内の進相軸を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して＋４０°傾斜した状態で、偏光板の検板を用いて決定できる試料の遅相軸がフィルム平面に平行にある場合を正とし、遅相軸がフィルムの厚み方向にある場合を負とする。
2. 前記第１位相差領域のＲｅが５０ｎｍ〜４００ｎｍである請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記第２位相差領域の遅相軸が第１偏光膜の透過軸と実質的に直交している請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
4. 前記第１位相差領域及び第２位相差領域の少なくとも一方が、ディスコチック液晶性化合物を含む請求項１〜３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
5. 前記一対の保護膜のうち液晶層に近い側の保護膜の厚み方向の位相差Ｒｔｈが２５ｎｍ以下である請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
6. 前記一対の保護膜のうち液晶層に近い側の保護膜が下記式（Ｉ）および（ＩＩ）を満たすセルロースアシレートフィルムである請求項１〜５のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
   （Ｉ）０≦Ｒｅ（６３０）≦１０、かつ、｜Ｒｔｈ（６３０）｜≦２５
   （ＩＩ）｜Ｒｅ（４００）−Ｒｅ（７００）｜≦１０、かつ、｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜≦３５
   （式（Ｉ）、（ＩＩ）中、Ｒｅ（λ）は波長λｎｍにおける面内レターデーション（ｎｍ）を表し、Ｒｔｈ（λ）は波長λｎｍにおける膜厚方向のレターデーション（ｎｍ）を表す。）
7. 前記セルロースアシレートフィルムが、該セルロースアシレートフィルムの膜厚方向のレターデーションを低下させる化合物を、下記式（ＩＩＩ）および（ＩＶ）を満足する範囲で少なくとも１種含有する請求項６に記載の液晶表示装置。
   （ＩＩＩ）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０））／Ａ≦−１．０
   （ＩＶ）０．０１≦Ａ≦３０
   （式（ＩＩＩ）および（ＩＶ）中、Ｒｔｈ（Ａ）は、Ｒｔｈを低下させる化合物をＡ％含有したセルロースアシレートフィルムのＲｔｈ（ｎｍ）を表し、Ｒｔｈ（０）は、該セルロースアシレートフィルムであって、Ｒｔｈ（λ）を低下させる化合物を含有しないセルロースアシレートフィルムのＲｔｈ（ｎｍ）を表し、Ａは、セルロースアシレートフィルム原料ポリマーに対する、Ｒｔｈ（λ）を低下させる化合物の重量（％）を表す。）
8. 前記セルロースアシレートフィルムが、アシル置換度が２．８５〜３．００のセルロースアシレートに、Ｒｔｈ（λ）を低下させる化合物を少なくとも１種、セルロースアシレート固形分に対して０．０１〜３０質量％含む請求項１〜７のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
9. 前記セルロースアシレートフィルムが、前記セルロースアシレートフィルムの｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜を低下させる化合物の少なくとも１種を、該セルロースアシレート固形分に対して０．０１〜３０質量％含む請求項１〜８のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
10. 前記セルロースアシレートフィルムの膜厚が、１０〜１２０μｍである請求項１〜９のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
11. 前記Ｒｔｈ（λ）を低下させ、かつオクタノール−水分配係数（ＬｏｇＰ値）が０〜７である化合物が、下記一般式（１３）又は下記一般式（１８）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種である請求項１〜１０のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
    

    

    （一般式（１３）中、Ｒ¹¹はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ¹²およびＲ¹³はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。）
    

    

    （一般式（１８）中、Ｒ¹⁴はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ¹⁵およびＲ¹⁶はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。）
12. 前記セルロースアシレートフィルムが、波長３８０ｎｍにおける分光透過率が４５〜９５％であり、且つ波長３５０ｎｍにおける分光透過率が１０％以下である請求項１〜１１のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
13. 前記セルロースアシレートフィルムを、６０℃で且つ９０％ＲＨの環境下で２４０時間処理した後のセルロースアシレートフィルムのＲｔｈ（λ）の変化量が、１５ｎｍ以下である請求項１〜１２のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
14. 前記セルロースアシレートフィルムを、８０℃で２４０時間処理した後のセルロースアシレートフィルムのＲｔｈ（λ）の変化量が、１５ｎｍ以下である、請求項１〜１３のいずれかに記載の液晶表示装置。
15. 前記セルロースアシレートフィルムが、フィルム面内の正面レターデーションが下記式を満足する請求項１〜１４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
    ｜Ｒｅ（ｎ）−Ｒｅ（０）｜／ｎ≦１．０
    （式中、Ｒｅ（ｎ）は、ｎ（％）延伸したフィルムの面内正面レターデーション（ｎｍ）を表し、Ｒｅ（０）は、延伸していないフィルムの面内正面レターデーション（ｎｍ）を表す。）
16. 前記セルロースアシレートフィルムが、該フィルム面内に、該フィルムを製造する機械の該フィルムの搬送方向（ＭＤ方向）に対して垂直な方向（ＴＤ方向）に遅相軸を有する請求項１〜１５のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
17. 前記セルロースアシレートフィルムが、該フィルム面内において遅相軸を有する方向に延伸すると正面レターデーションが小さくなり、遅相軸を有する方向と垂直な方向に延伸すると正面レターデーションが大きくなる請求項１〜１６のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
18. 前記液晶セルの一対の基板のうち視認側と反対側の基板により近い位置に、前記第１位相差領域および前記第２位相差領域が配置されている請求項１〜１７のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
19. 前記液晶セルの一対の基板のうち視認側の基板により近い位置に、前記第１位相差領域および前記第２位相差領域が配置されている請求項１〜１８のいずれか１項に記載の液晶表示装置。

Images