JP4675231B2 - 半導体集積回路装置 - Google Patents
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Description
また、電位の異なる補強配線を別々の配線層に配置し、補強ビアを連結する補強配線間を連結する2次的な補強配線を形成することで、高密度に補強配線を配置することができ、応力の分散効果を高めることが可能となる。
本発明の第1の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図1aは、本発明の第1の実施形態に係る半導体集積回路装置の要部断面図を示している。図1aに示すように、第1の実施形態に係る半導体集積回路装置は、シリコン(Si)等の半導体よりなる基板4と、基板4の上部に形成された複数の半導体素子2と、複数の半導体素子2を含み基板4の主面を覆う、例えばSiOCなどのlow−k膜や酸化シリコン(SiO2 )よりなる1層又は複数の絶縁層7と、各絶縁層7に形成された銅(Cu)等の導電性材料よりなる配線からなるファイン層5と、ファイン層5の主面を覆う、例えば酸化シリコン(SiO2 )よりなる1層又は複数の絶縁層と、各絶縁層に形成された銅(Cu)等の導電性材料よりなる配線からなるグローバル層6と、グローバル層6の上に形成されたアルミニウム(Al)合金等の導電性材料よりなり、信号用配線・導通ビア21を介して半導体素子2と電気的に接続されたパッド電極であるパッド9とを有している。
以下に、第1の実施形態の第1変形例について図面を参照して説明する。図11a,11bは本変形例に係る半導体集積回路装置の要部断面図を示している。図1と同一の構成要素には同一の符号を附すことにより説明を省略する。
3 分離層
4 半導体基板
5 ファイン層
6 グローバル層
9 パッド
23 補強ビア
24 補強配線
25 補強ビアの基板接合
Claims (15)
- 少なくとも2つの半導体素子が形成された半導体基板と、
少なくとも2つの前記半導体素子のうち隣接する2つの半導体素子の間に形成され、互いに隣接する2つの素子分離層部と、
前記隣接する2つの素子分離層部の間に形成された接合部と、
前記半導体基板の上に形成された複数の絶縁層と、
前記複数の絶縁層の上に形成されたパッド電極と、
前記パッド電極と前記半導体素子との間に形成された配線層と、
前記複数の絶縁層を貫通し、前記接合部と前記配線層とを接続する複数の接続部材とを備えていることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 前記配線層は複数存在し、それぞれが同一の絶縁層内に形成され、且つそれぞれが同一の高さに位置していることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。
- 少なくとも2つの半導体素子が形成された半導体基板と、
少なくとも2つの前記半導体素子のうち隣接する2つの半導体素子の間に形成され、互いに隣接する2つの素子分離層部と、
前記隣接する2つの素子分離層部の間に形成された接合部と、
前記半導体基板の上に形成された複数の絶縁層と、
前記複数の絶縁層の上に形成されたパッド電極と、
前記パッド電極の下側の領域において、前記半導体素子を覆うように、前記複数の絶縁層の上層に形成された板状の配線層と、
前記複数の絶縁層を貫通し、前記接合部と前記配線層とを接続する複数の接続部材とを備えていることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 前記配線層には、複数のスリットが形成されていることを特徴とする請求項3に記載の半導体集積回路装置。
- 前記複数の絶縁層中に形成された複数の金属配線層をさらに備え、
前記配線層は、前記複数の金属配線層とは異なる補強配線層であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。 - 前記接合部は、P/N接合部位、P/P接合部位又はN/N接合部位であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置
- 前記素子分離層は、ソース及びドレインを有する半導体素子の周囲を囲っていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
- 前記複数の絶縁層には、信号用配線が形成されていることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
- 前記接合部は、複数個存在し、
前記複数の接合部は、前記複数の半導体素子の四方を囲むように配置されていることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。 - 前記複数の接続部材は、下層のビアと上層のビアとが直列になるように構成されていることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
- 前記複数の接続部材は、アーチ状又はV字形状であることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
- 前記複数の絶縁層は、SiOCを含むことを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
- 前記複数の絶縁層は、下層の絶縁層であるファイン層と、上層の絶縁層であるグローバル層とから構成され、
前記ファイン層は、SiOCを含む一方、前記グローバル層は酸化シリコンからなることを特徴とする請求項1〜12のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。 - 前記接合部間の距離は、10μm〜40μmであることを特徴とする請求項1〜13のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
- 前記パッド電極上には、NiとAuとを有するメッキが形成されていることを特徴とする請求項1〜14のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
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