JP4673207B2 - 多層プリント配線板およびその製造方法 - Google Patents
多層プリント配線板およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4673207B2 JP4673207B2 JP2005364089A JP2005364089A JP4673207B2 JP 4673207 B2 JP4673207 B2 JP 4673207B2 JP 2005364089 A JP2005364089 A JP 2005364089A JP 2005364089 A JP2005364089 A JP 2005364089A JP 4673207 B2 JP4673207 B2 JP 4673207B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- via hole
- semiconductor element
- resin
- printed wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 315
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 232
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 232
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 190
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 153
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 79
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 79
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 58
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 45
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 39
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 14
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 14
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 13
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 435
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 148
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 83
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 83
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 65
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 64
- 239000010408 film Substances 0.000 description 59
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 50
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 46
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 40
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 31
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 28
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 20
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 19
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 15
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 15
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 15
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 14
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 14
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 13
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 13
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 12
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 10
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 10
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 10
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 9
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000011161 development Methods 0.000 description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 9
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 8
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 8
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 7
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 7
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 6
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 5
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- 230000006355 external stress Effects 0.000 description 5
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 5
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 5
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 description 4
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 3
- 239000002683 reaction inhibitor Substances 0.000 description 3
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 5-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-2h-tetrazole Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C2=NNN=N2)=C1 KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 2
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 2
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013532 laser treatment Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 2
- 239000001509 sodium citrate Substances 0.000 description 2
- NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K sodium citrate Chemical compound O.O.[Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 229910001379 sodium hypophosphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000805 composite resin Substances 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000007306 functionalization reaction Methods 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N gold nickel Chemical compound [Ni].[Au] MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IZLAVFWQHMDDGK-UHFFFAOYSA-N gold(1+);cyanide Chemical compound [Au+].N#[C-] IZLAVFWQHMDDGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L peroxydisulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/19—Manufacturing methods of high density interconnect preforms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/04105—Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/19—Manufacturing methods of high density interconnect preforms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/20—Structure, shape, material or disposition of high density interconnect preforms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
- H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
- H01L2224/241—Disposition
- H01L2224/24135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/24137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73267—Layer and HDI connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
- H01L2224/82009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
- H01L2224/8203—Reshaping, e.g. forming vias
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
- H01L2224/9222—Sequential connecting processes
- H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
- H01L2224/92244—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a build-up interconnect
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
本発明の他の目的は、信号遅延などの影響を受けにくい半導体素子実装用多層プリント配線板とその製造方法について提案することにある。
(1) 半導体素子が内蔵された樹脂絶縁層上に、他の樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層され、それらの導体層間の電気的接続が樹脂絶縁層に形成されたビアホールまたは全層を貫通して形成されたスルーホール導体層を介して行われる多層プリント配線板であって、
前記半導体素子は、前記樹脂絶縁層に形成された凹部内に埋設され、
前記樹脂絶縁層には、その樹脂絶縁層の上面および下面からそれぞれ形成されて互いに逆向きに重ね合わされた裁頭円錐状のフィルドビアからなり、その樹脂絶縁層の上面および下面に形成された導体層間を電気的に接続する第1のビアホールが形成され、
前記半導体素子が内蔵された樹脂絶縁層上に形成された他の樹脂絶縁層には、前記半導体素子の接続パッドに接続される第2のビアホールおよび前記第1のビアホールに接続される第3のビアホールが形成され、さらに、前記第2のビアホールと第3のビアホールとを電気的に接続する導体回路、あるいは前記第2のビアホールを前記スルーホール導体層に電気的に接続する導体回路が形成されてなる多層プリント配線板である。
(2) 少なくとも1つの半導体素子が内蔵された樹脂絶縁層上に、他の樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層され、それらの導体層間の電気的接続が樹脂絶縁層に形成されたビアホールを介して行われる多層プリント配線板を製造するにあたって、その製造工程中に、少なくとも以下の(a)〜(f)の工程、即ち、
(a) 第1の絶縁性樹脂基材を貫通するフィルドビアを形成すると共に、第1の絶縁性樹脂基材の一方の表面に金属層を形成する工程、
(b) 前記第1の絶縁性樹脂基材の一方の表面に第2の絶縁性樹脂基材を圧着して一体化する工程、
(c) 前記圧着された第2の絶縁性樹脂基材を貫通して前記第1の絶縁性樹脂基材に形成したフィルドビアに電気的に接続される他のフィルドビアを形成し、これらのフィルドビアにて第1のビアホールを構成すると共に、前記第2の絶縁性樹脂基材の表面に第1のビアホールに電気的に接続される導体層を形成する工程、
(d) 前記第1の絶縁性樹脂基材の他の表面から、前記金属層の表面に達する少なくとも1つの凹部を形成する工程、
(e) 前記凹部内に半導体素子を収容させ、接着剤を用いて接着する工程、
(f) 前記半導体素子を被覆する樹脂絶縁層を形成した後、その樹脂絶縁層を貫通して半導体素子の接続パッドに電気的に接続されるフィルドビアを形成し、これらのフィルドビアにて第2のビアホールを構成すると共に、前記樹脂絶縁層を貫通して第1のビアホールに電気的に接続されるフィルドビアを形成し、これらのフィルドビアにて第3のビアホールを構成し、さらに、前記第2のビアホールと第3のビアホールとを接続する導体回路を形成する工程、
を含むことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法である。
(3) 少なくとも1つの半導体素子が内蔵された樹脂絶縁層上に、他の樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層され、それらの導体層間の電気的接続が樹脂絶縁層に形成されたビアホールまたは全層を貫通するスルーホール導体層を介して行われる多層プリント配線板を製造するにあたって、その製造工程中に、少なくとも以下の(a)〜(i)の工程、即ち、
(a) 第1の絶縁性樹脂基材を貫通するフィルドビアを形成すると共に、第1の絶縁性樹脂基材の一方の表面に金属層を形成する工程、
(b) 前記第1の絶縁性樹脂基材の一方の表面に第2の絶縁性樹脂基材を圧着して一体化する工程、
(c) 前記圧着された第2の絶縁性樹脂基材を貫通して前記第1の絶縁性樹脂基材に形成したフィルドビアに電気的に接続される他のフィルドビアを形成し、これらのフィルドビアにて第1のビアホールを構成すると共に、前記第2の絶縁性樹脂基材の表面に第1のビアホールに電気的に接続される導体回路を形成する工程、
(d) 前記第1の絶縁性樹脂基材の他の表面から、前記金属層の表面に達する少なくとも1つの凹部を形成する工程、
(e) 前記凹部内に半導体素子を収容させ、接着剤を用いて接着する工程、
(f) 前記半導体素子を被覆する樹脂絶縁層を形成した後、その樹脂絶縁層を貫通して半導体素子の接続パッドに電気的に接続されるフィルドビアを形成し、これらのフィルドビアにて第2のビアホールを構成すると共に、前記樹脂絶縁層を貫通して第1のビアホールに電気的に接続されるフィルドビアを形成し、これらのフィルドビアにて第3のビアホールを構成し、さらに、前記第2のビアホールと第3のビアホールとを接続する導体回路を形成してなる第1の多層プリント配線板を作製する工程、
(g) 前記(a)〜(f)の工程を繰り返すことによって、第2の多層プリント配線板を作製する工程、
(h)前記第1の多層プリント配線板と第2の多層プリント配線板とを、樹脂絶縁層を介して積層する工程、
(i)前記積層された多層プリント配線板の全層を貫通するスルーホール導体を形成して、前記第2のビアホールに電気的に接続される導体回路を形成する工程、
を含むことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法である。
前記半導体素子は、予めその接続パッド上に柱状電極または仲介層が形成され、その柱状電極または仲介層を介して前記接続パッドと前記ビアホールとを電気的に接続することができる。
特に、プレーン層であるグランド用導体層/電源用導体層との接続箇所を増やすことが容易となり、半導体素子実装基板としての電気特性が確保されやすくなるのである。
例えば、フルグリッド状の接続パッドを有する半導体素子は、高機能かつ高周波領域で駆動される素子である。この半導体素子は、初期起動時における電源供給不足による電圧降下を引き起こすことがあるという課題がある。このような課題は、プレーン層であるグランド用導体層/電源用導体層との接続箇所を増加させることによって解決される、即ち、電源供給を遅延なく効率良く行なうことができるので、半導体素子の初期起動時に、誤作動などのトラブル発生が少なくなる。
したがって、凹部に半導体素子を収容する際には、半導体素子が傾くことが抑えられるので、収容された半導体素子の接続パッドに接続されるビアホールを樹脂絶縁層に形成する際にも、所望のビアホール形状とすることができる。さらに、金属層は樹脂絶縁層内に形成されているので、熱応力や外部応力などの影響によって反りが生じることが少なくなり、その結果、例えば、半導体素子の接続パッドとビアホール等の導体回路との接続不良が起きにくくなるため、電気接続性や接続信頼性が低下しにくくなる。
さらに、仲介層を設けることによって、半導体素子をプリント配線板に埋め込む、収容、収容する前、もしくはその後にでも半導体素子の動作確認や電気検査を容易に行なうことができる。
つまり、初期起動における半導体素子の電圧降下の程度を小さくすることができ、その結果、電圧降下を回復させるまでの時間も短縮されるので、上記のような半導体素子の不具合の防止を可能とする。
また、プレーン層に接続される導体層は、埋め込み基板に形成されたビアホールもしくはスルーホール導体により、複数箇所で接続されることが望ましい。それにより、配線長を必要以上に長くすることがないので、半導体素子の電圧降下を抑えられ、回復までの時間も早くなる。
これらの樹脂を用いることにより、半導体素子のパッドに対応する部分に接触するビアホールの形成と、そのビア形成の自由度が確保され、埋め込まれる半導体素子のパッドの配列がグリッド状でも、フルグリッド状でも同様にビアホール形成し、接続性を得ることができるのである。
したがって、凹部に半導体素子を収容する際には、半導体素子が傾くことが抑えられるので、収容された半導体素子のパッドに接続されるビアホールを樹脂絶縁層に形成する際にも、所望のビアホール形状とすることができる。さらに、金属層は樹脂絶縁層内に形成されているので、熱応力や外部応力などの影響によって反りが生じることが少なくなり、その結果、例えば、半導体素子の接続パッドとビアホール等の導体回路との接続不良が起きにくくなるため、電気接続性や接続信頼性が低下しにくくなる。
また、この凹部の底部に形成される金属層には、粗化面を設けてもよい。それにより、金属層と接着剤とが密着されるので、接着性が得られやすくなるのである。
(1)柱状電極を有する半導体素子の製造方法
本発明で用いる柱状電極を有する半導体素子とは、柱状電極あるいは再配線を有する半導体素子を意味する。
次いで、下地金属層4の上面に液状レジストからなるメッキレジスト層を形成し、メッキレジスト層の半導体素子の接続パッドに対応する部分に開口部を形成する。
本発明において用いられる仲介層とは、半導体素子のパッド上に設けられるビアホールとの電気的な接続を行うための介在層を意味する。
本発明にかかる多層プリント配線板を製造するに当たって、それを構成する半導体素子収容用基板としては、絶縁性樹脂基材の両面に銅箔が貼付けられてなる第一の絶縁性樹脂基材と第二の絶縁性樹脂基材とを積層した形態のものを用いる。
このような加工条件のもとで形成され得るビアホール形成用開口の口径は、50〜250μmであることが望ましい。
このデスミア処理は、酸あるいは酸化剤(例えば、クロム酸、過マンガン酸)の薬液処理等の湿式処理や、酸素プラズマ放電処理、コロナ放電処理、紫外線レーザ処理またはエキシマレーザ処理等の乾式処理によって行われる。
これらのデスミア処理を選択する方法は、絶縁性樹脂基材の種類や、厚み、ビアホールの開口径、レーザ条件等により残留が予想されるスミア量に応じて選ばれる。
なお、場合によっては電解銅めっき処理の後、フィルドビアの上部に盛り上がった電解銅めっきを、ベルトサンダー研磨、バフ研磨、エッチング等によって除去して平坦化してもよい。
例えば、接着剤層であるプリプレグに銅箔を重ね合わせたものから第二の絶縁性樹脂基材を形成し、それを第一の絶縁性樹脂基材の片面に熱圧着により積層してなる積層体を形成する。
これらのフィルドビアは、前記(3)で形成されたフィルドビアに接続されて、第一絶縁性樹脂基材と第二絶縁性樹脂基材とからなる半導体素子収容基板の表面および裏面に形成した導体回路を電気的に接続する第1のビアホールを構成する。
また、無電解めっきを経て、電解めっきを形成してもよい。この場合には、無電解めっき膜は、銅、ニッケル、銀等の金属を用いてもよい。
このようなレーザ加工により、半導体素子を内蔵させる凹部が形成され、該凹部の底面には、金属層(この場合は、銅箔を指す。)が露出される。
この埋め込まれる半導体素子としては、前述したように、接続パッド上に予め柱状電極が形成された半導体素子、あるいは接続パッドを被覆する仲介層が形成された半導体素子のいずれをも用いることができるが、ここでは後者を用いる場合について説明する。
また、仲介層上には、直接、プリント配線板の導体回路をなす金属層を形成することが可能となる。
次いで、前記(1)〜(12)と同様にして、第一および第二の絶縁性樹脂基材からなる半導体素子収容用基板に複数の凹部、例えば2つの凹部を形成し、それらの凹部に異なる半導体素子をそれぞれ内蔵させると共に、各半導体素子の接続パッド上に形成した仲介層に電気的に接続されるビアホール(第2のビアホール)、半導体素子収容用基板である第一および第二の絶縁性樹脂基材にそれぞれ形成されたビアホール(第1のビアホール)に電気的に接続されるビアホール(第3のビアホール)、および第2のビアホールと第3のビアホールを接続する回路、あるいは前記第2のビアホールを前記スルーホール導体に電気的に接続するような導体回路を形成してなる別の多層プリント配線板を作製する。
さらに、絶縁樹脂層と銅箔を積層させ、前記(1)〜(4)と同様の処理を繰り返し行うことにより、更に多層化したビルドアップ配線層を有する別の多層プリント配線板を得ることができる。
なお、この一括プレスの圧着条件は、温度80〜250℃、プレス圧1〜25kgf/cm2で行われることが望ましい。
この加工条件は、ドリル回転数が100〜300Krpm、ドリルの送り速度が90〜150inch/分であることが望ましい。
なお、スルーホール導体形成用開口は、例えば、少なくとも多層プリント配線板における第2のビアホールと第3のビアホールを接続する導体回路を貫通して設ける。
なお、このスルーホール導体は、例えば、多層プリント配線板における第2のビアホールと第3のビアホールを接続する導体回路に電気的に接続され、層間絶縁層に設けたグランド層/電源層は、このスルーホール導体を介して、外部電源に電気的に接続される。
その後、レジストを剥離することにより、基板の片面または両面に、スルーホールランドおよびビアホールランドを含んだ導体回路が形成される。
これ以外にも、ニッケル−パラジウム−金、金(単層)、銀(単層)等を形成してもよい。耐食層を形成した後に、マスク層を剥離する。これにより、耐食層を形成された半田パッドと耐食層が形成されていない半田パッドとが混在するプリント配線板となる。
前記半田体および半田層の供給方法としては、半田転写法や印刷法を用いることができる。
(1)基材の準備
まず、半導体素子収容用基板を構成するプリント基板を製作する。このプリント基板は、第一絶縁性基材30と第二絶縁性基材40からなり、それらの基材を積層して形成する。プリント基板の材質の一例としては、エポキシ系樹脂をガラスクロスに含潰させてBステージとしたプリプレグと、銅箔とを積層して加熱プレスすることにより得られる両面銅張積層板を出発材料として用いる。
前記第一絶縁性基材30の一方の銅箔表面に、炭酸ガスレーザ照射を行って、銅箔34および樹脂絶縁層32を貫通して他方の銅箔表面に達するビアホール形成用開口36を形成した(図4(b)参照)。さらにその開口内を過マンガン酸の薬液処理によってデスミア処理した。
(照射条件)
パルスエネルギー: 75mJ
パルス幅: 80μs
パルス間隔: 0.7ms
周波数: 2000Hz
デスミア処理を終えた第一絶縁性基材30のビアホール形成用開口36を設けた銅箔面に、以下のようなめっき条件で、銅箔をめっきリードとする電解銅めっき処理を施した。
〔電解めっき液〕
硫酸 2.24 mol/l
硫酸銅 0.26 mol/l
添加剤A(反応促進剤) 11.0 ml/l
添加剤B(反応抑制剤) 10.0 ml/l
〔電解めっき条件〕
電流密度 1A/dm2
時間 65分
温度 22±2 ℃
前記(3)の工程を経た第一絶縁性基材30の銅箔34および銅めっき膜38上に、感光性ドライフィルムを用いてエッチングレジスト層(図示を省略)を形成した。即ち、第一絶縁性基材30の両面の銅箔面にエッチングレジスト層を形成した。そのレジスト層の厚みは、15〜20μmの範囲であり、フィルドビアのランドを含む導体回路および半導体素子のサイズに関連したサイズの金属層が描画されたマスクを用いて、露光・現像を経て、銅箔上にレジスト非形成部を形成した。
前記第一絶縁性基材30に積層される第二絶縁性基材40としては、厚みが60μmの樹脂絶縁層43の片面に、厚みが15μmの銅箔44が貼付されてなる片面銅張積層板を用いる。
(圧着条件)
温度: 180℃
プレス圧力: 150kgf/cm2
圧着時間: 15分
前記第二絶縁性基材40の銅箔形成面に対して、炭酸ガスレーザ照射を行って、銅箔44を貫通すると共に、樹脂絶縁層43を通して、前記第一絶縁性基材30に設けたフィルドビア39のビアランドを含む導体回路41表面に達するビアホール形成用開口46を形成した(図4(f)参照)。さらに、それら開口内を過マンガン酸の薬液処理によってデスミア処理した。
(照射条件)
パルスエネルギー: 75mJ
パルス幅: 80μs
パルス間隔: 0.7ms
周波数: 2000Hz
前記第一絶縁性基材30の表面を保護フィルムを貼付して被覆した後、開口内のデスミア処理を終えた第二絶縁性基材40の銅箔面に、以下のようなめっき条件で、銅箔をめっきリードとする電解銅めっき処理を施した。
〔電解めっき液〕
硫酸 2.24 mol/l
硫酸銅 0.26 mol/l
添加剤A(反応促進剤) 11.0 ml/l
添加剤B(反応抑制剤) 10.0 ml/l
〔電解めっき条件〕
電流密度 1A/dm2
時間 65分
温度 22±2 ℃
前記(7)工程を経た第二絶縁性基材40の銅箔44および銅めっき上に、感光性ドライフィルムを用いてエッチングレジスト層(図示を省略)を形成した。このレジスト層の厚みは、15〜20μmの範囲であり、フィルドビアのランドを含む導体回路が描画されたマスクを用いて、露光・現像を経て、銅箔上にレジスト非形成部を形成した。
なお、第一絶縁性基材30に設けたフィルドビア39と、第二絶縁性基材40に設けたフィルドビア52とで、第1のビアホールを構成する。
前記(4)の工程で、エッチングによって銅箔部分が除去されている樹脂部分に炭酸ガスレーザ照射を行って、樹脂層を貫通して金属層表面に達する断面ほぼ矩形の開口を形成し、その開口内に金属層が露出するようにして、その開口の側面と金属層表面(底面)によって半導体素子55を内蔵するための凹部54が形成される(図5(a)参照)。
(照射条件)
パルスエネルギー: 100mJ
パルス幅: 90μs
パルス間隔: 0.7ms
周波数: 2000Hz
前記(1)〜(9)の工程に従って作製された半導体素子収容用基板の凹部54に収容、内蔵させる半導体素子55としては、以下の(a)〜(d)の工程により作製した柱状電極を有する半導体素子を用いた。
ウエハ状態のシリコン基板(半導体基板)上に接続パッドが形成され、その上面において接続パッドの中央部を除く部分に保護膜(パッシベーション膜)が形成され、接続パッドの中央部が保護膜に形成された開口部を介して露出されたものを用意する。
シリコン基板の上面全体に、スパッタリングにより、厚みが2μmの銅からなる下地金属層を形成する。
次に、下地金属層の上面にアクリル系樹脂等の感光性樹脂からなるドライフィルムレジストをラミネートして、厚みが110μmのメッキレジスト層を形成する。形成すべき柱状電極の高さを100μm程度に設定した。
さらに、下地金属層をメッキ電流路として電解銅めっきを行うことにより、メッキレジスト層の開口部内の下地銅層の上面に銅からなる柱状電極を形成する。
最後に、メッキレジスト層を剥離し、柱状電極をマスクとして下地金属層の不要な部分をエッチングして除去すると、柱状電極下にのみ下地金属層が残存される。
前記(c)で得られたシリコン基板の上面側にエポキシ樹脂やポリイミド等からなる絶縁樹脂である封止膜を形成する。この状態において、柱状電極の上面が封止膜によって覆われた場合には、表面を適宜に研磨することにより、柱状電極の上面を露出させる。
前記(10)で得られた基板60の表面および裏面に、厚みが60μmの補強材を含まない樹脂だけからなる樹脂絶縁層62、64をそれぞれ積層した。
前記樹脂絶縁層62の表面から、半導体素子収容用基板をなす第一絶縁性基材30に形成されたフィルドビア39に達するビアホール形成用開口70、および半導体素子上のパッド上に設けた柱状電極58に達するビアホール形成用開口72を形成すると共に、樹脂絶縁層64の表面から、半導体素子収容用基板をなす第二絶縁性基材43に形成されたフィルドビア52に達するビアホール形成用開口74を形成した(図5(c)参照)。この際のレーザ照射条件は、前記(6)の工程とほぼ同じであった。さらに、それら開口内を過マンガン酸の薬液処理によってデスミア処理した。
開口内のデスミア処理を終えた後、以下のようなめっき条件で、導体回路をめっきリードとする電解銅めっき処理を施した。
〔電解めっき液〕
硫酸 2.24 mol/l
硫酸銅 0.26 mol/l
添加剤A(反応促進剤) 10.0 ml/l
添加剤B(反応抑制剤) 10.0 ml/l
〔電解めっき条件〕
電流密度 1A/dm2
時間 65分
温度 22±2 ℃
これによって、開口70および72内が電解銅めっきで完全に充填される。
前記(13)の工程を経た銅箔および銅めっき上に、感光性ドライフィルムを用いてエッチングレジスト層を形成した。このレジスト層の厚みは、15〜20μmの範囲であり、フィルドビアのランドを含む導体回路が描画されたマスクを用いて、露光・現像を経て、銅箔上にレジスト非形成部を形成した。
その後、レジストをアルカリ液により剥離することによって、樹脂絶縁層62の表面には、半導体素子55のパッド上に設けた柱状電極58に電気的に接続されるフィルドビア76(第2のビアホール)や、第一絶縁性基材30に設けたフィルドビア39(第1のビアホール)のランドに電気的に接続するフィルドビア78(第3のビアホール)や、少なくともフィルドビア76とフィルドビア78とを接続する導体回路80が形成される。一方、樹脂絶縁層64の表面には、第二絶縁性基材40に設けたフィルドビア52(第1のビアホール)のランドに電気的に接続するフィルドビア82(第3のビアホール)や、少なくともフィルドビア82に接続される導体回路84が形成されてなる多層プリント配線板200が作製される。
なお、必要に応じて、ダミーパターンや、アライメントマーク、製品認識記号等を形成することもできる。
なお、このような積層化において、ビアホールの向きが同一方向になるように積層してもよいし、逆方向となるように積層してもよい。また、これら以外の組み合わせにより多層化をしてもよい。
これにより、表裏を接続するビアホールがあり、そのビアホールと導体回路を成す銅箔部分を有し、半導体素子が埋め込まれた回路基板が得られるのである。
このとき、層間絶縁層上の導体回路は、表層で引き回された配線と埋め込み基板の方へ引き回される配線とが形成されるのである。
次いで、前記(1)〜(15)と同様にして、第一および第二の絶縁性樹脂基材からなる半導体素子収容用基板に複数の凹部、例えば2つの凹部を形成し、それらの凹部に異なる半導体素子55B、55Cをそれぞれ内蔵させると共に、半導体素子収容用基板の表面および裏面に樹脂絶縁層62、64をそれぞれ積層し、
樹脂絶縁層62の表面には、各半導体素子の接続パッド上に形成した仲介層に電気的に接続されるフィルドビア90(第2のビアホール)や、半導体素子収容用基板である第一の絶縁性樹脂基材に形成されたフィルドビア92(第1のビアホール)に電気的に接続されるフィルドビア94(第3のビアホール)、および少なくともフィルドビア90とフィルドビア94とを接続する導体回路96を形成し、一方、樹脂絶縁層64の表面には、第二絶縁性基材に設けたフィルドビア98(第1のビアホール)のランドに電気的に接続するフィルドビア100(第3のビアホール)や、少なくともフィルドビア100に接続される導体回路102が形成されてなる別の多層プリント配線板300を作製する(図6参照)。
前記一つの半導体素子を内蔵する多層プリント配線板200と、2つの半導体素子を内蔵する多層プリント配線板300との間に、芯材が含浸されていない樹脂からなる樹脂絶縁層104を介在させ、かつ多層プリント配線板200、300の最外層に対して絶縁樹脂層106と銅箔108とを重ね合わせた状態で、一括してプレスすることにより、層間絶縁層内に複数の半導体素子が内蔵された積層体を作製する(図7参照)。
なお、この一括プレスの圧着条件は、温度80〜250℃、プレス圧1〜25kgf/cm2、圧着時間(圧着開始から終了までの時間)1〜15分間で行なう。
さらに、前記(17)で作製した積層体の全層を貫通するスルーホール導体形成用開口110および積層体の一方の最外層に位置する導体回路84に達するビアホール形成用開口112を、ドリル加工によって形成する。
このスルーホール導体形成用開口110の形成は、ドリル回転数が100〜300Krpm、ドリルの送り速度が90〜150inch/分であるような加工条件の範囲内で行われることが望ましく、またビアホール形成用開口112の加工条件は、前記(7)における条件とほぼ同様とすることが望ましい(図8参照)。
なお、スルーホール導体形成用開口110は、例えば、第1の多層プリント配線板における第2のビアホール76と第3のビアホール78を接続する導体回路80および第2の多層プリント配線板における第2のビアホール90と第3のビアホール94とを接続する導体回路96を少なくとも貫通して設ける。
なお、このスルーホール導体導体114は、例えば、多層プリント配線板における第2のビアホールと第3のビアホールを接続する導体回路80、96に電気的に接続され、層間絶縁層に設けたグランド層/電源層は、このスルーホール導体導体114を介して、外部電源に電気的に接続される。
その後、レジストを剥離することにより、基板の片面または両面に、スルーホールランドおよびビアホールランドを含んだ最も外側に位置する導体回路118が形成される(図9参照)。
前記(1)〜(20)の工程により得られた多層化された基板の最上層および最下層に位置する基板の表面に、ソルダーレジスト層を形成した。フィルム化されたソルダーレジストを貼り付ける、もしくは予め粘度を調整されたワニスにより塗布することにより基板上に、ソルダーレジスト層を20〜30μmの厚さで形成する。
この場合には、ソルダーレジスト層上に感光性樹脂からなるドライフィルム状となったマスク層を形成する。フィルム化されたマスク層を貼り付ける、もしくは予め粘度を調整されたワニスにより塗布することによりソルダーレジスト層上に、マスク層を10〜20μmの厚さで形成した。
次に、ソルダーレジスト層120を形成した基板を、塩化ニッケル30g/1、次亜リン酸ナトリウム10g/1、クエン酸ナトリウム10g/1からなるpH=5の無電解ニッケルめっき液に20分間浸漬して、開口部に厚さ5μmのニッケルめっき層を形成した。
さらに、その基板を、シアン化金力リウム2g/1、塩化アンモニウム75g/1、クエン酸ナトリウム50g/1、次亜リン酸ナトリウム10g/1からなる無電解金めっき液に93℃の条件で23秒間浸漬して、ニッケルめっき層上に厚さ0.03μmの金めっき層を形成し、ニッケルめっき層と金めっき層とからなる被覆金属層(図示を省略)を形成した。
そして、最上層の多層回路基板を覆うソルダーレジスト層120の開口から露出する半田パッドに対して、融点が約183℃のSn/Pb半田もしくはSn/Ag/Cuからなる半田ペーストを印刷し、183℃でリフローすることにより、半田層122を形成した。
以下の(a)〜(c)の工程で作製した、仲介層を有する半導体素子を半導体素子収容用基板の凹部に埋め込んだ以外は、実施例1−1と同様の処理を行って、多層プリント配線板を製造した。
これにより、縦5mm×横5mm、厚さが100μmである半導体素子が得られた。
前記(6)の工程において、半導体素子収容用の凹部の側面に85度のテーパを形成した以外は、実施例1−1と同様の処理を行って、多層プリント配線板を製造した。
前記(6)の工程において、半導体素子収容用の凹部の側面に85度のテーパを形成し、かつ仲介層を有する半導体素子を埋め込んだ以外は、実施例1−1と同様に行った。
特開2001−267490号公報に記載されたような方法で、半導体素子を埋め込んだプリント配線板を作製した。このプリント配線板は、半導体素子を埋め込む基板にグランド層/電源層であるプレーン層を備えていない。
半導体素子を埋め込む基板として、補強材を含まない樹脂だけから形成した基板を用い、この基板に凹部を形成し、柱状電極を有する半導体素子をその凹部に埋め込んだ以外は、実施例1−1と同様にしてプリント配線板を作製した。このプリント配線板は、半導体素子を埋め込む基板にグランド層/電源層であるプレーン層を備えていない。
半導体素子を埋め込む基板として、補強材を含まない樹脂だけから形成した基板を用い、この基板に凹部を形成し、仲介層を有する半導体素子をその凹部に埋め込んだ以外は、実施例1−1と同様にしてプリント配線板を作製した。このプリント配線板は、半導体素子を埋め込む基板にグランド層/電源層であるプレーン層を備えていない。
埋め込まれた半導体素子の電圧の経時変化をシュミレーションした結果を、図11に示す。図において、縦軸に半導体素子へ供給される電圧を、横軸に時間を取ってあり、半導体素子の起動開始時間を0[s] とした。電圧が0Vに回復するまでの時間を測定し、その回復までに要する時間(秒)を表1に示した。
多層プリント配線板に埋め込まれた半導体素子に接続される導体回路の抵抗値を3ヶ所で測定して、それらの平均値を測定値として、表1に示した。
130℃/3分⇔―55℃/3分を1サイクルとするヒートサイクル試験を2000サイクルまで行い、1000サイクル以降200サイクル毎に、試験終了後、2時間放置させた後に、導通試験を行い、抵抗変化率が20%を越えた回路の有無を測定し、20%を越えたサイクル数を比較した。
また、同様に、各比較例に比べて、電気特性も確保されやすいことが確認された。
32 樹脂絶縁層
34 銅箔
36 ビアホール形成用開口
38 電解銅めっき層
39 ビアホール
40 第二絶縁性樹脂基材
41 導体回路(ビアランドを含む)
42 金属層
43 樹脂絶縁層
44 銅箔
46 ビアホール形成用開口
50 導体回路(ビアランドを含む)
52 ビアホール
54 凹部
55A〜55C 半導体素子
58 柱状電極
60 半導体素子実装基板
62、64 樹脂絶縁層
70、72、74 ビアホール形成用開口
76、78、82 ビアホール
80、84 導体回路(ビアランドを含む)
90、92、94、98、100 ビアホール
96、102 導体回路(ビアランドを含む)
106 樹脂絶縁層
108 銅箔
110 スルーホール導体形成用開口
112 ビアホール形成用開口
114 スルーホール導体
116 ビアホール
118 導体回路
120 ソルダーレジスト層
122 半田体
200 第1の多層プリント配線板
300 第2の多層プリント配線板
Claims (10)
- 半導体素子が内蔵された樹脂絶縁層上に、他の樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層され、それらの導体層間の電気的接続が樹脂絶縁層に形成されたビアホールまたは全層を貫通して形成されたスルーホール導体層を介して行われる多層プリント配線板であって、
前記半導体素子は、前記樹脂絶縁層に形成された凹部内に埋設され、
前記樹脂絶縁層には、その樹脂絶縁層の上面および下面からそれぞれ形成されて互いに逆向きに重ね合わされた裁頭円錐状のフィルドビアからなり、その樹脂絶縁層の上面および下面に形成された導体層間を電気的に接続する第1のビアホールが形成され、
前記半導体素子が内蔵された樹脂絶縁層上に形成された他の樹脂絶縁層には、前記半導体素子の接続パッドに接続される第2のビアホールおよび前記第1のビアホールに接続される第3のビアホールが形成され、さらに、前記第2のビアホールと第3のビアホールとを電気的に接続する導体回路、あるいは前記第2のビアホールを前記スルーホール導体層に電気的に接続する導体回路が形成されてなる多層プリント配線板。 - 前記他の樹脂絶縁層にはグランド用導体層または電源供給用導体層が形成され、前記半導体素子の接続パッドは、前記導体回路を介して、グランド用導体層または電源供給用導体層に電気的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の多層プリント配線板。
- 前記凹部は複数個形成され、それぞれの凹部には異なる半導体素子が埋設されていることを特徴とする請求項2に記載の多層プリント配線板
- 前記凹部の底面には、金属層が形成され、その金属層を介して半導体素子が凹部に埋設されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の多層プリント配線板。
- 前記凹部の側面は、その側面が底面から上方に向かうにつれて末広がりとなるようなテーパを有して形成されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の多層プリント配線板。
- 前記半導体素子の接続パッド上に仲介層が形成され、その仲介層を介して前記接続パッドと前記ビアホールとが電気的に接続されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の多層プリント配線板。
- 少なくとも1つの半導体素子が内蔵された樹脂絶縁層上に、他の樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層され、それらの導体層間の電気的接続が樹脂絶縁層に形成されたビアホールを介して行われる多層プリント配線板を製造するにあたって、その製造工程中に、少なくとも以下の(a)〜(f)の工程、即ち、
(a) 第1の絶縁性樹脂基材を貫通するフィルドビアを形成すると共に、第1の絶縁性樹脂基材の一方の表面に金属層を形成する工程、
(b) 前記第1の絶縁性樹脂基材の一方の表面に第2の絶縁性樹脂基材を圧着して一体化する工程、
(c) 前記圧着された第2の絶縁性樹脂基材を貫通して前記第1の絶縁性樹脂基材に形成したフィルドビアに電気的に接続される他のフィルドビアを形成し、これらのフィルドビアにて第1のビアホールを構成すると共に、前記第2の絶縁性樹脂基材の表面に第1のビアホールに電気的に接続される導体層を形成する工程、
(d) 前記第1の絶縁性樹脂基材の他の表面から、前記金属層の表面に達する少なくとも1つの凹部を形成する工程、
(e) 前記凹部内に半導体素子を収容させ、接着剤を用いて接着する工程、
(f) 前記半導体素子を被覆する樹脂絶縁層を形成した後、その樹脂絶縁層を貫通して半導体素子の接続パッドに電気的に接続されるフィルドビアを形成し、これらのフィルドビアにて第2のビアホールを構成すると共に、前記樹脂絶縁層を貫通して第1のビアホールに電気的に接続されるフィルドビアを形成し、これらのフィルドビアにて第3のビアホールを構成し、さらに、前記第2のビアホールと第3のビアホールとを接続する導体回路を形成する工程、
を含むことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。 - 少なくとも1つの半導体素子が内蔵された樹脂絶縁層上に、他の樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層され、それらの導体層間の電気的接続が樹脂絶縁層に形成されたビアホールまたは全層を貫通するスルーホール導体層を介して行われる多層プリント配線板を製造するにあたって、その製造工程中に、少なくとも以下の(a)〜(i)の工程、即ち、
(a) 第1の絶縁性樹脂基材を貫通するフィルドビアを形成すると共に、第1の絶縁性樹脂基材の一方の表面に金属層を形成する工程、
(b) 前記第1の絶縁性樹脂基材の一方の表面に第2の絶縁性樹脂基材を圧着して一体化する工程、
(c) 前記圧着された第2の絶縁性樹脂基材を貫通して前記第1の絶縁性樹脂基材に形成したフィルドビアに電気的に接続される他のフィルドビアを形成し、これらのフィルドビアにて第1のビアホールを構成すると共に、前記第2の絶縁性樹脂基材の表面に第1のビアホールに電気的に接続される導体回路を形成する工程、
(d) 前記第1の絶縁性樹脂基材の他の表面から、前記金属層の表面に達する少なくとも1つの凹部を形成する工程、
(e) 前記凹部内に半導体素子を収容させ、接着剤を用いて接着する工程、
(f) 前記半導体素子を被覆する樹脂絶縁層を形成した後、その樹脂絶縁層を貫通して半導体素子の接続パッドに電気的に接続されるフィルドビアを形成し、これらのフィルドビアにて第2のビアホールを構成すると共に、前記樹脂絶縁層を貫通して第1のビアホールに電気的に接続されるフィルドビアを形成し、これらのフィルドビアにて第3のビアホールを構成し、さらに、前記第2のビアホールと第3のビアホールとを接続する導体回路を形成してなる第1の多層プリント配線板を作製する工程、
(g) 前記(a)〜(f)の工程を繰り返すことによって、第2の多層プリント配線板を作製する工程、
(h)前記第1の多層プリント配線板と第2の多層プリント配線板とを、樹脂絶縁層を介して積層する工程、
(i)前記積層された多層プリント配線板の全層を貫通するスルーホール導体を形成して、前記第2のビアホールに電気的に接続される導体回路を形成する工程、
を含むことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。 - 前記凹部はレーザ照射によって形成され、その側面は底面から上方に向かうにつれて末広がりとなるようなテーパを有する形状に形成されることを特徴とする請求項7または8に記載の多層プリント配線板の製造方法。
- 前記半導体素子は、予めその接続パッド上に柱状電極または仲介層が形成され、その柱状電極または仲介層を介して前記接続パッドと第2のビアホールとが電気的に接続されることを特徴とする請求項7または8に記載の多層プリント配線板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005364089A JP4673207B2 (ja) | 2005-12-16 | 2005-12-16 | 多層プリント配線板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005364089A JP4673207B2 (ja) | 2005-12-16 | 2005-12-16 | 多層プリント配線板およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007165810A JP2007165810A (ja) | 2007-06-28 |
JP4673207B2 true JP4673207B2 (ja) | 2011-04-20 |
Family
ID=38248321
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005364089A Active JP4673207B2 (ja) | 2005-12-16 | 2005-12-16 | 多層プリント配線板およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4673207B2 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5112005B2 (ja) * | 2007-10-25 | 2013-01-09 | 日本特殊陶業株式会社 | 板状部品内蔵配線基板及びその製造方法 |
JP5395360B2 (ja) * | 2008-02-25 | 2014-01-22 | 新光電気工業株式会社 | 電子部品内蔵基板の製造方法 |
KR100951344B1 (ko) | 2008-03-25 | 2010-04-08 | 주식회사 아이엠텍 | 프로브 카드, 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머 및스페이스 트랜스포머 제조 방법 |
JP2009246271A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Tdk Corp | 電子素子内蔵基板への配線方法および電子素子内蔵基板の製造方法 |
US8008125B2 (en) * | 2009-03-06 | 2011-08-30 | General Electric Company | System and method for stacked die embedded chip build-up |
JP5548855B2 (ja) * | 2010-09-27 | 2014-07-16 | 日本電気株式会社 | 配線基板及びその製造方法 |
KR101282965B1 (ko) * | 2010-11-05 | 2013-07-08 | 주식회사 두산 | 신규 인쇄회로기판 및 이의 제조방법 |
JP2014116548A (ja) * | 2012-12-12 | 2014-06-26 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 多層配線基板およびその製造方法 |
JP6341714B2 (ja) * | 2014-03-25 | 2018-06-13 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板及びその製造方法 |
JP2016063114A (ja) * | 2014-09-19 | 2016-04-25 | 大日本印刷株式会社 | 貫通電極基板及びその製造方法 |
JP7383866B2 (ja) | 2017-01-09 | 2023-11-21 | サムソン エレクトロ-メカニックス カンパニーリミテッド. | プリント回路基板 |
JP6898265B2 (ja) * | 2018-03-02 | 2021-07-07 | 京セラ株式会社 | 複合基板の製造方法 |
US10515898B2 (en) | 2018-05-14 | 2019-12-24 | Tdk Corporation | Circuit board incorporating semiconductor IC and manufacturing method thereof |
KR102421816B1 (ko) * | 2020-06-26 | 2022-07-20 | 주식회사 심텍 | 캐비티 내에 실장된 칩을 구비하는 적층 패키지 및 이의 제조 방법 |
CN114765918A (zh) * | 2021-01-14 | 2022-07-19 | 庆鼎精密电子(淮安)有限公司 | 电路板组件及其制作方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000223837A (ja) * | 1999-02-01 | 2000-08-11 | Kyocera Corp | 電気素子搭載配線基板およびその製造方法 |
JP2001332651A (ja) * | 2000-05-24 | 2001-11-30 | Kyocera Corp | 電子部品搭載用基板 |
JP2003007896A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-10 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板 |
-
2005
- 2005-12-16 JP JP2005364089A patent/JP4673207B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000223837A (ja) * | 1999-02-01 | 2000-08-11 | Kyocera Corp | 電気素子搭載配線基板およびその製造方法 |
JP2001332651A (ja) * | 2000-05-24 | 2001-11-30 | Kyocera Corp | 電子部品搭載用基板 |
JP2003007896A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-10 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007165810A (ja) | 2007-06-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4673207B2 (ja) | 多層プリント配線板およびその製造方法 | |
JP5188809B2 (ja) | 多層プリント配線板およびその製造方法 | |
JP5188816B2 (ja) | 多層プリント配線板およびその製造方法 | |
US8966750B2 (en) | Method of manufacturing a multilayered printed wiring board | |
JP2012156525A (ja) | 多層プリント配線板 | |
WO2006046510A1 (ja) | 多層プリント配線板及び多層プリント配線板の製造方法 | |
JP4592891B2 (ja) | 多層回路基板および半導体装置 | |
JP4022405B2 (ja) | 半導体チップ実装用回路基板 | |
JP2007116185A (ja) | 半導体モジュール | |
JP6107021B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP2004214227A (ja) | 層間接続部及び多層配線板 | |
JP2007059951A (ja) | 半導体チップ実装用回路基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080801 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100930 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101012 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101207 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110118 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110120 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4673207 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140128 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |