JP4661929B2 - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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H1={(WP−WA)/2}×tan(θ111B)
そして、活性層から凸部までの距離(H1)が短い場合、活性層で発生した光が凸部を構成する素子製造用基板に吸収され、光閉込め効果が不完全となり、発光効率(光出力/注入電流にて表されるスロープ効率)が低下してしまうといった問題がある。従って、現状では、例えば、活性層WAの幅を1.2μmとした場合、距離(H1)の最低値は約1.4μmである。
H2=(WP/2)×tan(θ111B)
そこで、図10の(A)に図示するように、凸部の高さ(H0)が低く、凸部の幅(WP)が広い、所謂低アスペクト比の凸部に基づきSDH型半導体レーザを製造した場合、図10の(B)に図示するように、活性層の側面に電流ブロック層を形成する余地が無くなってしまう場合がある。
(A){100}面を主面として有する素子製造用基板の該主面に、素子製造用基板の<110>方向と平行に延びる凸部を形成し、次いで、
(B)凸部の頂面上に、第1導電型を有する第1化合物半導体層、活性層、及び、第2導電型を有する第2化合物半導体層が順次積層されて成る発光部を形成し、併せて、凸部が形成されていない素子製造用基板の主面の部分に、第1導電型を有する第1化合物半導体層、活性層、及び、第2導電型を有する第2化合物半導体層が順次積層されて成る積層構造体を形成し、その後、
(C)該積層構造体上に、発光部を構成する活性層の側面を少なくとも覆う電流ブロック層を形成し、次に、
(D)全面にコンタクト層を形成し、該コンタクト層上に第2電極を形成した後、
(E)第2電極を介して素子製造用基板を支持基板に貼り合わせ、次いで、素子製造用基板を除去し、その後、
(F)第1化合物半導体層と電気的に接続された第1電極を形成する、
工程を具備し、
前記工程(A)は、
(a)素子製造用基板の主面に、<110>方向と平行に延びるマスク層を形成した後、
(b)マスク層をエッチング用マスクとして用いて、エッチング液を用いたウェットエッチング法にて素子製造用基板の主面をエッチングし、{110}面で切断したときの断面形状が、底辺の長さが上辺の長さよりも長い等脚台形であり、側面の傾斜角がθUである凸部上層を形成し、次いで、
(c)エッチング液の温度を変えて、マスク層及び凸部上層の側面をエッチング用マスクとして用いて、素子製造用基板の主面をウェットエッチング法にて更にエッチングし、{110}面で切断したときの断面形状が、底辺の長さが上辺の長さよりも長い等脚台形であり、且つ、側面の傾斜角がθD(但し、θD≠θU)である凸部下層を形成する、
各工程から成る。
θD≦θ111B≦θU(但し、θD≠θU)
を満足する形態とすることができ、この場合、前記工程(b)におけるエッチング液の温度を、前記工程(c)におけるエッチング液の温度よりも低くすることが好ましい。尚、どの程度、エッチング温度を高くすべきかは、使用するエッチング液、エッチングすべき被エッチング材料に依存するので、各種の試験を行い、適宜、決定すればよい。
HU/(HU+HD)≧0.5
好ましくは、
HU/(HU+HD)≧0.7
を満足することが望ましい。
(HU+HD)/WU≧0.4
好ましくは、
(HU+HD)/WU≧0.9
を満足することが望ましい。
θD<θ111B<θU
θD=θ111B<θU
θD<θ111B=θU
の3態様を含む。ここで、θ111Bの値は、具体的には、54.7度である。θ111B<θUの場合のθUの値として、56度乃至64度を挙げることができるし、θD<θ111Bの場合のθDの値として、46度乃至54度を挙げることができる。
HU/(HU+HD)≧0.5
を満足することに加えて、
0.1μm≦HU≦6μm
0.1μm≦HD≦3μm
より好ましくは、
0.1μm≦HD≦6μm
0.1μm≦WU≦2.5μm
一層好ましくは、
0.1μm≦HD≦3μm
0.1μm≦WU≦2.5μm
を満足することが望ましい。更には、上述したとおり、
HU/(HU+HD)≧0.7
を満足することに加えて、
0.1μm≦HU≦6μm
0.1μm≦HD≦3μm
より好ましくは、
0.1μm≦HD≦6μm
0.1μm≦WU≦2.5μm
一層好ましくは、
0.1μm≦HD≦3μm
0.1μm≦WU≦2.5μm
を満足することが望ましい。
(イ){100}面を主面として有する素子製造用基板110のこの主面に設けられ、素子製造用基板110の<110>方向(具体的には、例えば[011]方向であり、以下においても同様である)と平行に延びる凸部(突起部)111、
(ロ)凸部111の頂面上に、第1導電型(実施例1にあっては、具体的には、n型)を有する第1化合物半導体層121、活性層123、及び、第2導電型(実施例1にあっては、具体的には、p型)を有する第2化合物半導体層122が順次積層されて成る発光部120、並びに、
(ハ)凸部が形成されていない素子製造用基板110の主面の部分(素子製造用基板110の凹部面あるいは露出面と呼ぶ場合がある)に形成され、第1導電型(n型)を有する第1化合物半導体層121、活性層123、及び、第2導電型(p型)を有する第2化合物半導体層122が順次積層されて成る積層構造体120’、並びに、この積層構造体120’上に形成され、発光部120を構成する活性層123の側面を少なくとも覆う電流ブロック層140、
を具備している。そして、凸部111は、凸部下層111A及び凸部上層111Bの2層構造を有している。
(ロ’)第1導電型(実施例1にあっては、具体的には、n型)を有する第1化合物半導体層121、活性層123、及び、第2導電型(実施例1にあっては、具体的には、p型)を有する第2化合物半導体層122が順次積層されて成る発光部120、
(ハ’)第1導電型(n型)を有する第1化合物半導体層121、活性層123、及び、第2導電型(p型)を有する第2化合物半導体層122が順次積層されて成る積層構造体120’、並びに、この積層構造体120’上に形成され、発光部120を構成する活性層123の側面を少なくとも覆う電流ブロック層140、
(ニ’)全面を覆うコンタクト層132、
(ホ’)コンタクト層132上に形成された第2電極152、
(ヘ’)金属層181を介して第2電極152と貼り合わされた支持基板180、並びに、
(ト’)第1化合物半導体層121と電気的に接続された第1電極151、
を具備している。
θD≠θU
具体的には、
θD≦θ111B≦θU(但し、θD≠θU)
を満足する。より具体的には、
θD<θ111B<θU
を満足する。より一層具体的には、実施例1にあっては、θ111B=54.7度であり、θD=50度、θU=60度である。
HU/(HU+HD)≧0.5
(HU+HD)/WU≧0.4
を満足している。より具体的には、HU=2μm、HD=2μm、WU=4μmである。
(発光部の構成)
第2化合物半導体層122B・・・p−Al0.47Ga0.53As:Zn,Mg,C
第2化合物半導体層122A・・・p−Al0.4Ga0.6As:Zn,Mg,C
活性層123 ・・・[活性層−A]
第1化合物半導体層121 ・・・n−Al0.4Ga0.6As:Si
(電流ブロック部の構成)
埋込層131 ・・・p−Al0.47Ga0.53As:Zn,Mg,C
電流ブロック層140 ・・・n−Al0.47Ga0.53As:Si
電流ブロック層位置調整層130・・・p−Al0.47Ga0.53As:Zn,Mg,C
[活性層−A]
閉じ込め層 ・・・p−Al0.3Ga0.7As:Zn,Mg,C
閉じ込め層 ・・・i−Al0.3Ga0.7As
多重量子井戸構造・・・i−Al0.1Ga0.9As(井戸層)
i−Al0.3Ga0.7As(障壁層)及び
i−Al0.1Ga0.9As(井戸層)
閉じ込め層 ・・・i−Al0.3Ga0.7As
閉じ込め層 ・・・n−Al0.3Ga0.7As:Si
発光部120の側面から延びる{311}B結晶面領域(より具体的には、(31−1)B面及び(3−11)B面)、
素子製造用基板110の主面に沿って延びる{100}結晶面領域、及び、
{311}B結晶面領域と{100}結晶面領域との間に位置する{h11}B結晶面領域(より具体的には、(h1−1)B面及び(h−11)B面であり、ここで、hは4以上の整数である)、
から構成されている。尚、{h11}B結晶面領域(但し、hは4以上の整数)を、便宜上、高次の結晶面領域と呼ぶ場合がある。
先ず、{100}面を主面として有する素子製造用基板110のこの主面に、素子製造用基板110の<110>方向と平行に延びる凸部111を形成する。以下、この[工程−100]を、[工程−100A]〜[工程−100C]に分けて、説明する。
そのために、先ず、素子製造用基板110の主面に、<110>方向と平行に延びるマスク層161を形成する。具体的には、実施例1にあっては、CVD法にて素子製造用基板110の主面(下地)にSiO2から成るマスク層161を形成した後、リソグラフィ技術及びドライエッチング技術によって、{100}面を主面として有する素子製造用基板110のこの主面上に、<110>方向(より具体的には、[011]A方向)と平行に延びるマスク層161を形成する(図2の(A)参照)。
次いで、マスク層161をエッチング用マスクとして用いて、エッチング液を用いたウェットエッチング法にて素子製造用基板110の主面(露出した素子製造用基板110の主面の部分)をエッチングする。エッチング液として、クエン酸:純水:過酸化水素水=3:3:2(容積比)としたクエン酸過水を使用し、エッチング液を6〜9゜Cとしてウェットエッチングを行った。その結果、図2の(B)に示すように、{110}面で切断したときの断面形状が、底辺の長さが上辺の長さよりも長い等脚台形であり、側面111bの傾斜角がθUである凸部上層111Bを形成することができる。
次いで、エッチング液の温度を変えて、マスク層161及び凸部上層111Bの側面111bをエッチング用マスクとして用いて、素子製造用基板110の主面(下地)をウェットエッチング法にて更にエッチングする。具体的には、上述した組成のクエン酸過水を使用し、エッチング液を2〜5゜Cとしてウェットエッチングを行った。ところで、[工程−100B]にて得られた凸部上層111Bの側面111bはウェットエッチングにおけるエッチング安定結晶面であり、マスク層161及び凸部上層111Bの側面111bをエッチング用マスクとしてウェットエッチングを行うことができ、この[工程−100C]においては、凸部上層111Bの側面111bはエッチングされることが無い。こうして、{110}面で切断したときの断面形状が、底辺の長さが上辺の長さよりも長い等脚台形であり、且つ、側面111aの傾斜角がθD(但し、θD≠θU)である凸部下層111Aを形成することができる(図2の(C)参照)。尚、[工程−100B]におけるエッチング液の温度を、この[工程−100C]におけるエッチング液の温度よりも高くしたので、θD<θ111B<θUとなった。こうして、[011]A方向に延び、所望の頂面の幅と全体の高さを有する2重の台形状の凸部111を形成することができる。ここで、凸部111の幅方向は、[0−11]B方向に平行である。
次に、ウェットエッチング法に基づきマスク層161を除去した後(図3参照)、凸部111の頂面上に、第1導電型を有する第1化合物半導体層121、活性層123、及び、第2導電型を有する第2化合物半導体層122が順次積層されて成る発光部120を形成し、併せて、凸部111が形成されていない素子製造用基板110の主面の部分(凹部面,露出面)に、第1導電型を有する第1化合物半導体層121、活性層123、及び、第2導電型を有する第2化合物半導体層122が順次積層されて成る積層構造体120’を形成する。
その後、積層構造体120’上に、発光部120を構成する活性層123の側面を少なくとも覆う電流ブロック層140を形成する。具体的には、第2化合物半導体層122Bの形成に連続して、全面に、電流ブロック層位置調整層130をMOCVD法に基づき形成し、更に、例えば、電流ブロック層140を、順次、MOCVD法に基づき形成する(図6参照)。電流ブロック層140は、{111}B面上には結晶成長しない。また、電流ブロック層140の端面が、少なくとも活性層123の側面を覆うように、電流ブロック層140を形成する。このような構成、構造は、凸部上層111Bの頂面の幅WUと凸部111の高さ(HU+HD)、電流ブロック層位置調整層130の厚さを適切に選択することで達成することができる。このときの効果も、上述したとおりである。
次いで、全面に、埋込層131及びコンタクト層(キャップ層)132を、順次、MOCVD法に基づき形成する。尚、MOCVDを継続すると、やがて素子製造用基板110の凹部面の上方において結晶成長する化合物半導体から成る埋込層131が、自己成長停止している発光部120を完全に埋め尽くすようになる。その後、コンタクト層132に平坦化処理を施す。そして、平坦化されたコンタクト層132上に第2電極152を真空蒸着法に基づき形成する。こうして、図7に示す構造を得ることができる。尚、第2電極152を、所望に応じてパターニングしてもよい。
次に、第2電極152を介して素子製造用基板110を支持基板180に貼り合わせる。具体的には、支持基板180の表面に設けられた金属層181と第2電極152とを密着させる。そして、金属層181と第2電極152とを金属−金属接合法に基づき接合する。より具体的には、1気圧乃至10気圧程度の圧力を金属層181と第2電極152との間に加えて熱圧着する方法によって、均一な貼り合わせを行うことができる。尚、B、Al、Ga、In、Sn、Ag等を含んだ接着用部材を貼り合わせ面の間に介在させてもよい。
その後、素子製造用基板110を除去する。具体的には、アンモニア溶液+過酸化水素水、硫酸溶液+過酸化水素水、塩酸溶液+過酸化水素水、リン酸溶液+過酸化水素水等を用い、各溶液の混合比を変えることによって、種々の不純物の含有量に応じた酸化還元反応を調整することで、素子製造用基板110をエッチングすることができる。
次いで、第1化合物半導体層121と電気的に接続された第1電極151を形成する。具体的には、第1化合物半導体層121の適切な部位に第1電極151を真空蒸着法に基づき形成する。こうして、図1に示した構造を有する実施例1の半導体発光素子を得ることができる。尚、半導体発光素子を1つずつ分離してもよいし、多数個(例えば、4個、8個、16個等)を1群として纏めて、各群を相互に分離してもよい。尚、第1電極151の位置や第1電極151を構成する材料が光取り出しの妨げとならないよう、逆台形状の凹部における第1電極151の形成を出来る限り避け、あるいは又、第1電極151を透明導電材料から構成することで、第1電極151での光の吸収を出来る限り減らすことが好ましい。
Claims (7)
- (A)GaAsから成り、{100}面を主面として有する素子製造用基板の該主面に、素子製造用基板の<110>方向と平行に延びる凸部を形成し、次いで、
(B)凸部の頂面上に、第1導電型を有する第1化合物半導体層、活性層、及び、第2導電型を有する第2化合物半導体層が順次積層されて成り、AlGaAsから構成され、側面は{111}B面を有する発光部を形成し、併せて、凸部が形成されていない素子製造用基板の主面の部分に、第1導電型を有する第1化合物半導体層、活性層、及び、第2導電型を有する第2化合物半導体層が順次積層されて成り、AlGaAsから構成された積層構造体を形成し、その後、
(C)該積層構造体上に、発光部を構成する活性層の側面を少なくとも覆う電流ブロック層を形成し、次に、
(D)全面にコンタクト層を形成し、該コンタクト層上に第2電極を形成した後、
(E)第2電極を介して素子製造用基板を支持基板に貼り合わせ、次いで、素子製造用基板を除去し、その後、
(F)第1化合物半導体層と電気的に接続された第1電極を形成する、
工程を具備し、
前記工程(A)は、
(a)素子製造用基板の主面に、<110>方向と平行に延びるマスク層を形成した後、
(b)マスク層をエッチング用マスクとして用いて、エッチング液を用いたウェットエッチング法にて素子製造用基板の主面をエッチングし、{110}面で切断したときの断面形状が、底辺の長さが上辺の長さよりも長い等脚台形であり、側面の傾斜角がθUである凸部上層を形成し、次いで、
(c)エッチング液の温度を変えて、マスク層及び凸部上層の側面をエッチング用マスクとして用いて、素子製造用基板の主面をウェットエッチング法にて更にエッチングし、{110}面で切断したときの断面形状が、底辺の長さが上辺の長さよりも長い等脚台形であり、且つ、側面の傾斜角がθD(但し、θD≠θU)である凸部下層を形成する、
各工程から成り、
凸部上層を{110}面で切断したときの断面形状における底辺は、凸部下層を{110}面で切断したときの断面形状における上辺であり、
凸部の側面が(111)B面であるときの側面の傾斜角をθ 111B としたとき、
θ D ≦θ 111B ≦θ U (但し、θ D ≠θ U )
を満足する半導体発光素子の製造方法。 - 前記工程(b)におけるエッチング液の温度は、前記工程(c)におけるエッチング液の温度よりも高い請求項1に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 凸部上層の厚さをHU、凸部下層の厚さをHDとしたとき、
HU/(HU+HD)≧0.5
を満足する請求項1に記載の半導体発光素子の製造方法。 - HU/(HU+HD)≧0.7
を満足する請求項3に記載の半導体発光素子の製造方法。 - 凸部上層の厚さをHU、凸部下層の厚さをHD、凸部上層の幅をWUとしたとき、
(HU+HD)/WU≧0.4
を満足する請求項1に記載の半導体発光素子の製造方法。 - (HU+HD)/WU≧0.9
を満足する請求項5に記載の半導体発光素子の製造方法。 - 前記工程(A)に引き続き、全面にエッチングストップ層を形成する請求項1に記載の半導体発光素子の製造方法。
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