JP4660951B2 - Ｘ線検出器再生方法 - Google Patents
Ｘ線検出器再生方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4660951B2 JP4660951B2 JP2001096062A JP2001096062A JP4660951B2 JP 4660951 B2 JP4660951 B2 JP 4660951B2 JP 2001096062 A JP2001096062 A JP 2001096062A JP 2001096062 A JP2001096062 A JP 2001096062A JP 4660951 B2 JP4660951 B2 JP 4660951B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray detector
- layer
- substrate
- electrode layer
- ray
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、Ｘ線検出用基板を再生する基板再生方法にかかり、特に、剥離液を用いて再生する技術分野に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、医用及び産業用広域にわたりＸ線やγ線のような放射線を用いた検出装置の役割が大きく、医療用では診断におけるデジタル画像の利用拡大はＸ線ＣＴに代表される。そのほか、アナログ系写真からの移行としては連続撮像とサブストラクションを容易にしたＤＳＡ、誇大な需要を持つ一般単純写真におけるＣＲ（ＤＲ）、最近では超音波装置においても積極的にデジタル化が行われてきた。ほぼすべての画像領域でデジタル化が進み出した背景にはアナログ系に匹敵する画質を得られるようになったことや撮像機器類の価格低下、画像保管や転送システムの利用により得られる種々の利点などが挙げられる。その中で、Ｘ線画像記録・読み出し方法の確立は、デジタル化された画像情報の多面的利用や画像ネットワークへの接続による診断の効率化や質の向上、経費削減などの多くの利点があげられ市場要求が高い分野である。
【０００３】
Ｘ線画像の記録・検出には銀塩フィルム、有機高分子フィルム或いは輝尽性蛍光フィルム、半導体素子が利用されている。しかしながら、デジタル化に対する上述した市場要求に対し、例えば輝尽性蛍光体の場合、Ｘ線エネルギーが一旦蓄積され、後に可視光照射で蛍光を発する現象を利用したものであり画像処理の時間遅れがありリアルタイムにおける画像処理に至らない状況にある。
【０００４】
このような課題から抜きに出る技術として、電極付きガラス基板、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）上にＸ線検出層を積層した直接変換型に代表されるＸ線イメージセンサ画像処理システム等が開発されている。その中で、Ｘ線検出層として無定型セレンなどの無機化合物を利用したセンサ開発がされている。
【０００５】
無機化合物層の形成技術は、真空蒸着法やイオンスパッタ、ＣＶＤ法などによる形成技術が一般的であり薄膜形成技術として定着している。しかしながら、画像白点等の異常欠陥画像が発生することがしばしばある。このような不具合のために現在の胸部１７インチ銀塩フィルムのような装置の置き換えを想定した場合、そのセンサ基板として大面積ＴＦＴを用いた場合ＴＦＴ基板が高価でありセンサ部形成作業時等における外観欠陥不良に伴う不良コストの為に実用化が困難である。このようなセンサ材料の不具合が発生した場合における基板再生技術の確立が実用化には不可欠な課題である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
以上の技術課題に鑑み、本発明はＸ線検出器上の無機化合物層を剥離するにあたり、Ｘ線検出器用基板を傷つけることなく剥離し、再生する方法を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、透明基板と、前記透明基板上に形成された透明性を有する第１電極層と、無機化合物から成り、前記第１電極層上に形成されたＸ線検出層と、金属から成り、前記Ｘ線検出層上に形成された第２電極層とを有するＸ線検出器の、前記第２電極層と前記Ｘ線検出層とを剥離し、該Ｘ線検出器を再生するＸ線検出器再生方法であって、前記Ｘ線検出器を運搬板上に配置し、前記透明基板と前記運搬板の間に弾性シートを挟み、前記透明基板を前記弾性シートに密着させた状態で、前記第２電極層表面に水を主成分とする剥離液を吹き付けるＸ線検出器再生方法である。
請求項２記載の発明は、前記弾性シートは接着性を有し、前記弾性シートにより、前記透明基板を前記運搬板に貼付した状態で、前記剥離液を吹き付ける請求項１記載のＸ線検出器再生方法である。
請求項３記載の発明は、前記第２電極層と前記Ｘ線検出層とを剥離し、前記第１電極層を露出させた後、前記透明基板を前記弾性シートを介して前記運搬板上に貼付したまま、蒸着装置内に搬入し、蒸着法により、前記第１電極層上にＸ線検出層を再生し、再生された前記Ｘ線検出層の表面に金属膜を形成し、該金属膜を第２電極層とする請求項２記載のＸ線検出器再生方法である。
【０００８】
【発明の実施の形態】
先ず、本発明に記載されるＸ線検出器の実施の形態を説明するが本発明の範囲を超えない限りこの例に限定されるものではない。下記の実施例では、透明基板としてガラス基板が用いられている。
【０００９】
図１は、透明基板１１１上に第１電極層１１２、Ｘ線検出層１２１、第２電極層１３０をこの順で形成したＸ線検出器１００を示している。Ｘ線検出器用基板１１０は透明基板１１１と第１電極層１１２とよりなり、無機化合物層１２０はＸ線検出層１２１よりなっている。
【００１０】
図２は、透明基板２１１上に第１電極層２１２、無機下部層２２２、Ｘ線検出層２２１、第２電極層２３０をこの順で形成したＸ線検出器２００を示している。Ｘ線検出器用基板２２０は透明基板２１１と第１電極層２１２とよりなり、無機化合物層２２０は無機下部層２２２とＸ線検出層２２１とよりなっている。
【００１１】
図３は、透明基板３１１上に第１電極層３１２、Ｘ線検出層３２１、無機上部層３２３、第２電極層３３０をこの順で形成したＸ線検出器３００を示している。Ｘ線検出器用基板３１０は透明基板３１１と第１電極層３１２とよりなり、無機化合物層３２０はＸ線検出層３２１と無機上部層３２３とよりなっている。
【００１２】
図４は、透明基板４１１上に第１電極層４１２、無機下部層４２２、Ｘ線検出層４２１、無機上部層４２３、第２電極層４３０をこの順で形成したＸ線検出器４００を示している。Ｘ線検出器用基板４１０は透明基板４１１と第１電極層４１２とよりなり、無機化合物層４２０は無機下部層４２２とＸ線検出層４２１と無機上部層４２３とよりなっている。
【００１３】
図５は、Ｘ線検出器用基板としてＴＦＴを用いたＸ線検出器５００の例である。電荷蓄積素子５１３を設けたＸ線検出器用基板５１０上に図４と同様の無機化合物層５２０と第２電極層５３０が形成されてなる。
【００１４】
透明基板５１１上に複数個のコンデンサ５１５と複数個のトランジスタ５１４とよりなる電荷蓄積素子５１３を有し、複数個の第１電極層５１２が形成されたＸ線検出器用基板５１０を示している。複数個のトランジスタ５１４と複数個のコンデンサ５１５、複数個のコンデンサ５１５と複数個の第１電極層５１２とはそれぞれ電気的に接続されている。また、各第１電極層５１２は絶縁物５１６により互いに絶縁されている。Ｘ線検出器用基板５１０上に無機下部層５２２、Ｘ線検出層５２１、無機上部層５２３、第２電極層５３０がこの順で形成されている。無機化合物層５２０は無機下部層５２２とＸ線検出層５２１と無機上部層５２３とよりなっている。
【００１５】
なお、図１乃至図３で示すＸ線検出器用基板１１０乃至Ｘ線検出器用基板３１０は、図５に示すＸ線検出器用基板５１０に置きかえることができる。第１電極層は酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）より構成される。
【００１６】
Ｘ線検出器用基板は、その表面に少なくとも第１電極層であるＩＴＯが露出しているものである。基板表面は図１〜図４に示すごとく全てＩＴＯでもよいし、図５に示すごとくＩＴＯがマトリクス状に配置された形態でもかまわない。後者の場合、Ｘ線有効検出領域において、１平方センチを単位面積とするＩＴＯの占有面積が３０％以上であるものが好ましい。なお、Ｘ線有効検出領域とは、Ｘ線をＸ線検出器表面に照射したときに、Ｘ線検出器がセンサとして機能する領域のことである。
【００１７】
Ｘ線検出層には無機化合物が用いられるが、その中でも無定型セレンを主成分とすることが好ましい。この場合の無定型セレン以外の含有物は、Ａｓ、Ｔｅ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｌ、Ｎａの存在が確認されている。Ａｓ、Ｔｅについては、１０重量％以下の範囲で含有されていても電気的特性に影響はない。他の不純物については、１重量％以下の含有率であれば、電気的特性に影響はないと推定される。Ｘ線検出層として無定型セレン主成分とする無機化合物以外としては、硫化カドミウム、硫化亜鉛カドミウム、酸化亜鉛などのＸ線に照射により電荷発生する材料を用いることができる。
【００１８】
Ｘ線検出層の膜厚は３００μｍ〜３０００μｍ程度であるが、Ｘ線検出器の機能によって適宜選択することができる。
無機下部層は、Ｘ線検出器の機能や性能に応じて適宜選択されるが、酸化砒素、酸化硼素、酸化ビスマス、酸化カルシウム、酸化セリウムなどの酸化物、硫化アンチモン、硫化カドミウム、硫化鉛、硫化亜鉛などの硫化物、セレンテルル、セレン砒素、セレンクロルなどのセレン化合物などを用いることができる。
【００１９】
無機上部層は、Ｘ線検出器の機能や性能に応じて適宜選択されるが、酸化砒素、酸化硼素、酸化ビスマス、酸化カルシウム、酸化セリウムなどの酸化物、硫化アンチモン、硫化カドミウム、硫化鉛、硫化亜鉛などの硫化物、セレンテルル、セレン砒素、セレンクロルなどのセレン化合物などを用いることができる。
【００２０】
無機下部層、無機上部層及びＸ線検出層を合わせた無機化合物層の合計膜厚は３００μｍ以上３０００μｍ以下である。３００μｍより薄いとＸ線検出器としての機能が損なわれ、３０００μｍ以上では本発明で示す水または水を主成分とする剥離液の噴射による無機化合物層の剥離が困難となるため好ましくない。
【００２１】
第２電極層しては、金、アルミニウムなど公知の導電性材料が用いられる。無機化合物層及び第２電極層の形成方法は、各層を構成する材料や処理能力などに応じて適宜選択することができるが、真空蒸着法により形成することが好ましい。
【００２２】
次に本発明の再生方法を説明するが、本発明の範囲を超えない限りこの例に限定されるものではない。
本発明の再生方法は、固定されたＸ線検出器に水または水を主成分とする剥離液を噴射し、第１電極層と無機化合物層との界面から第１電極層より上層（Ｘ線が照射される側の層）である無機化合物層と第２電極層を剥離することによりなされるものである。
【００２３】
剥離作業の一例を示す。図６(ａ)の符号６００はＸ線検出器であり、剥離作業を行う対象を示している。このＸ線検出器６００は透明基板６１１を有しており、該透明基板６１１上には、第１電極層６１２が形成されている。第１電極層６１２表面には、無機化合物層から成るＸ線検出層６２０が形成されており、Ｘ線検出層６２０表面には第２電極層６３０が形成されている。なお、符号６１０は透明基板６１１と第１電極層６１２とから成るＸ線検出器用基板を示している。
【００２４】
図６(ｂ)の符号６０３は金属製の運搬板であり、該運搬板６０３上にはシリコン樹脂から成る弾性シート６０２が貼付されている。弾性シート６０２の表面と裏面は接着性を有しており、弾性シート６０２は、弾性シート６０２自身の接着力によって運搬板６０３に貼付されている。
【００２５】
この運搬板６０３を、図６(ｃ)に示すように、作業台６０１上に配置し、固定器具６０４によって作業台６０１に固定する。
この状態では、弾性シート６０２表面は、鉛直上方に向けられており、弾性シート６０２上に、Ｘ線検出器６００の透明基板６１１の裏面を押しつけると、Ｘ線検出器６００は、弾性シート６０２の接着力によって、運搬板６０３に固定される。
【００２６】
運搬板６０３は固定器具６０４によって作業台６０１に固定されているから、結局、Ｘ線検出器６００が作業台６０１に固定される。
図７に示すように、第２電極層６３０の上方に噴射装置６０５を配置し、噴射装置６０５の下端部から水または水を主成分とする剥離液６０６をＸ線検出器６００に向けて噴射すると、Ｘ線検出層６２０は比較的柔らかい材料で構成されているため、第２電極層６３０とその下層のＸ線検出層６２０とが剥離液６０６によって剥ぎ取られる。第２電極層６３０とＸ線検出層６２０とが除去されると第１電極層６１２が露出する。
【００２７】
透明基板６１１はＸ線検出層６２０よりも硬い材料で構成されており、その表面に形成された第１電極層６１２と透明基板６１１との結合力が高く、第１電極層６１２は第２電極層６３０よりも硬いため、第１電極層６１２は剥離されず、その表面が露出する。
【００２８】
弾性シート６０２の弾性により、剥離液６０６を３００Ｋｇ／ｃｍ2以上１０００Ｋｇ／ｃｍ2以下の範囲で吹き付けても、透明基板６１１と第１電極層６１２には、割れ、欠け、及びひび割れは生じなかった。
図７(ｂ)は、第１電極層６１２表面が露出した状態を示しており、この状態では、元のＸ線検出器６００のＸ線検出器用基板６１０が弾性シート６０２上に残っている。
【００２９】
次に、図８に示すように、弾性シート６０２により、Ｘ線検出器用基板６１０を運搬板６０３上に貼付したまま作業台６０１上から取り外し、乾燥装置中に搬入し、乾燥させる。
Ｘ線検出器用基板６１０が乾燥した後、無機化合物層と第２電極層の再生作業を開始する。
【００３０】
図９の符号８０１は、再生作業に使用する真空蒸着装置を示している。
上記剥離工程により、第１電極層６１２を露出されたＸ線検出器用基板６１０を、弾性シート６０２によって運搬板６０３に貼付したまま、真空蒸着装置８０１の真空槽８１０内に搬入する。
【００３１】
真空槽８１０の天井側にはホルダ８１５が設けられており、搬入した運搬板６０３上のＸ線検出器用基板６１０は、第１電極層６１２側を鉛直下方に向け、運搬板６０３側をホルダ８１５に密着させ、押さえ金具８１６で運搬板６０３をホルダ８１５に固定する。
【００３２】
Ｘ線検出器用基板６１０は、弾性シート６０２によって運搬板６０３に貼付されているから、真空槽８１０の天井側に固定されている。
真空槽８１０の底壁側には、第１の容器８１１と、該第１の容器８１１内に納められた第１の蒸着材料８１２が納められてる。
【００３３】
この第１の蒸着材料８１２は、剥離前のＸ線検出層６２０を構成していた無機材料と同じ材料で構成されており、真空槽８１０内を真空雰囲気にした後、第１の蒸着材料８１２を加熱し、図１０に示すように、その蒸気８１８を放出させると、第１の容器８１１の上方に位置するＸ線検出器用基板６１０に蒸気が飛行し、第１電極層６１２の表面に、無機化合物が析出し、剥離前のＸ線検出層６２０と同じ組成の新たな無機化合物層６４０が形成される。
【００３４】
無機化合物層６４０が所定膜厚まで成長したところで、第１の蒸着材料８１２の加熱を停止し、蒸気の放出を終了させる。
次いで、真空槽８１０の真空雰囲気を維持しながら、図１１に示すように、第１の容器８１１を第２の容器８１３に交換し、Ｘ線検出器用基板６１０の鉛直下方に第２の容器８１３を配置する。
【００３５】
第２の容器８１３内には、第２電極層１３０を構成する材料と同じ金属材料である第２の蒸着材料８１４が配置されており、第２の蒸着材料８１４を加熱し、その蒸気８１９を放出させると、再生された無機化合物層６４０の表面に金属膜が成長し、その金属膜が所定膜厚まで成長すると新たな第２電極層６５０が得られる。
【００３６】
図１１の符号６０８は、無機化合物層６４０と第２電極層６５０とが再生されたＸ線検出器を示している。押さえ金具８１５を解除し、運搬板６０３と一緒にＸ線検出器６０８を取り外し、真空槽８１０の外部に取り出し、再生作業は終了する。
【００３７】
以上説明したように、再生対象のＸ線検出器６００を、弾性シート６０２によって運搬板６０３に貼付した後、剥離液を噴射する剥離作業と真空槽内での蒸着作業を、透明基板６１１を弾性シート６０２によって運搬板６１１に貼り付けた状態で行っている。
【００３８】
剥離作業の際には、弾性シート６０２は、剥離液が噴射されるときの緩衝材料となり、透明基板６１１や第１電極層６１２の破壊を防ぎ、蒸着作業の際には、熱伝導材料となり、Ｘ線検出器用基板６１０に生じる熱を、運搬板６０２を介してホルダ８１５に伝達し、Ｘ線検出器用基板６１０の昇温を防いでいる。
【００３９】
従って、弾性シート６０２は、接着性と弾性を有しているほか、高熱伝導性の材料を用いることが望ましい。また、運搬板６０２にも高熱伝導性が求められるため、ステンレスやアルミニウム等の金属で構成することが望ましい。
【００４０】
上記実施例で用いたＸ線検出器６００に代え、図１〜図５に示したＸ線検出器１００、２００、３００、４００、５００も、同じ工程で再生することができる。
なお運搬板６０３を作業台６０１に固定する際に、固定機構６０４を用いたが、図示した固定機構６０４に限定されるものではなく、例えば、例えば運搬板６０３に貫通孔を、作業台６０１にねじ受けをそれぞれ設け、ねじなどで固定することも可能である。
【００４１】
弾性シート６０２を設けることでガラスからなるＸ線検出器用基板６１０が割れるおそれが少なくなり好ましい。また運搬板６０３を設けているため、作業台６０１への固定や取り外し作業においてＸ線検出器用基板６１０に直接触れずに行うことができ、更に、運搬板６０３を固定することでＸ線検出器６００を直接作業台６０１に固定する必要がなく、固定や取り外し作業におけるＸ線検出器６００の損傷を防ぐことができるため好ましい。更には、Ｘ線検出層６２０を形成する前にＸ線検出器用基板６１０を弾性シート６０２を介して運搬板６０３に固定しておくと、作業中においてＸ線検出器用基板６１０に触れる機会を減らすことができ、無機化合物層形成手段への固定も運搬板６０３と無機化合物層形成手段とで行うことができるため、固定や取り外し作業によるＸ線検出器６００の損傷を防ぐことができるためより好ましい。
【００４２】
弾性シートとしては、シリコンゴムなどを用いることができる。運搬板６０３としてはアルミニウムなどを用いることができる。
Ｘ線検出器６００の工程は、図６に限定されることなくＸ線検出器６００を直接作業台６０１に固定してもかまわないが、いずれの方法においても、Ｘ線検出器を破損しない方法により行われるのが望ましい。
【００４３】
噴射装置６０５としては、公知の噴射装置を用いることができる。噴射装置６０５は、例えば、ポンプなどを介して噴射ヘッドより剥離液を噴射するものが上げられるが、Ｘ線検出器用基板６１０を破損せず、Ｘ線検出層６２０を剥離できる程度の水圧を維持できるものであればよい。
【００４４】
剥離液６０６をＸ線検出器６００に噴射する圧力は、剥離する層の種類、厚さなどにより異なるが、３００Ｋｇ／ｃｍ2〜１０００Ｋｇ／ｃｍ2程度が好ましい。
剥離に用いる剥離液６０６は、水が好ましいが、水に各種有機溶剤や界面活性剤などを添加した溶液を用いることもできる。有機溶剤や界面活性剤などの添加割合は、特に限定されないが溶液に対して１０重量％以下が好ましい。溶液を適宜選択することにより、剥離と同時に基板表面の洗浄効果を付加することも可能である。
剥離液６０６の温度は剥離する無機化合物層の種類によって適宜選択されるが、Ｘ線検出層が無定型セレンである場合、常温であることが好ましい。
【００４５】
【実施例】
以下に実施例と比較例とにより更に詳しく説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００４６】
【実施例】
＜実施例１＞
透明基板上に酸化インジウムスズからなる第１電極層が形成されているＸ線検出器用基板（以下、ＩＴＯ基板）上にＸ線検出層として無定型セレン（以下、Ｓｅ）を真空蒸着で膜厚３００μｍで成膜形成し、その上に第２電極層として金（以下、Ａｕ）を真空蒸着で成膜形成したＸ線検出器を、プレート状の運搬板に接着性を有する緩衝材から成る弾性シートを貼付けた運搬板上に設置し、穴径φ０．２ｍｍ×穴数７個の放水用揺動ノズルにより剥離液として水を水圧３００ｋｇ／ｃｍ2でＸ線検出器表面に噴射し、Ｓｅ及びＡｕの剥離洗浄を実施した。結果、ＩＴＯ基板を破壊することなくＳｅ及びＡｕを剥離洗浄することが出来た。
【００４７】
剥離洗浄されたＩＴＯ基板上に、再度各層を前記と同様の方法で成膜形成し、外観及び電気特性の評価を実施した。結果、剥離洗浄前のＸ線検出器と同等の特性を得ることが出来、ＩＴＯ基板の再生が確認できた。
【００４８】
【実施例】
＜実施例２＞
実施例１において、Ｘ線検出層のＳｅを真空蒸着で膜厚３０００μｍで成膜形成したものを同様の方法で剥離洗浄を実施した。結果、ＩＴＯ基板を破壊することなくＳｅ及びＡｕを剥離洗浄することが出来た。
剥離されたＩＴＯ基板上に、再度各層を前記と同様の方法で成膜形成し、前記特性評価を実施した。結果、剥離洗浄前のＸ線検出器と同等の特性を得ることが出来、ＩＴＯ基板の再生が確認できた。
【００４９】
【実施例】
＜実施例３＞
実施例１〜２において、前記ＩＴＯ基板とＳｅとの間に無機下部層として硫化カドミウム（以下、ＣｄＳ）を真空蒸着で成膜形成したＸ線検出器を同様の方法で剥離洗浄を実施した。結果、ＩＴＯ基板を破壊することなくＣｄＳ及びＳｅ及びＡｕを剥離洗浄することが出来た。
【００５０】
剥離洗浄されたＩＴＯ基板上に、再度各層を前記と同様の方法で成膜形成し、前記特性評価を実施した。結果、剥離洗浄前のＸ線検出器と同等の特性を得ることが出来、ＩＴＯ基板の再生が確認できた。
【００５１】
【実施例】
＜実施例４＞
実施例３において、前記無機下部層を無定型セレンテルル（以下、ＳｅＴｅ）に代え、真空蒸着で成膜形成したＸ線検出器を同様の方法で剥離洗浄を実施した。結果、ＩＴＯ基板を破壊することなくＳｅＴｅ及びＳｅ及びＡｕを剥離洗浄することが出来た。
剥離洗浄されたＩＴＯ基板上に、再度各層を前記と同様の方法で成膜形成し、前記特性評価を実施した。結果、剥離洗浄前のＸ線検出器と同等の特性を得ることが出来、ＩＴＯ基板の再生が確認できた。
【００５２】
＜実施例５＞
実施例４において、前記無機下部層を酸化セリウム（以下、ＣｅＯ）に代え、真空蒸着で成膜形成したＸ線検出器を同様の方法で剥離洗浄を実施した。結果、ＩＴＯ基板を破壊することなくＣｅＯ及びＳｅ及びＡｕを剥離洗浄することが出来た。
剥離洗浄されたＩＴＯ基板上に、再度各層を前記と同様の方法で成膜形成し、前記特性評価を実施した。結果、剥離洗浄前のＸ線検出器と同等の特性を得ることが出来、ＩＴＯ基板の再生が確認できた。
【００５３】
【実施例】
＜実施例６＞
実施例１〜２において、前記ＳｅとＡｕとの間に無機上部層としてＣｄＳを真空蒸着で成膜形成したＸ線検出器を同様の方法で剥離洗浄を実施した。結果、ＩＴＯ基板を破壊することなくＳｅ及びＣｄＳ及びＡｕを剥離洗浄することが出来た。
剥離洗浄されたＩＴＯ基板上に、再度各層を前記と同様の方法で成膜形成し、前記特性評価を実施した。結果、剥離洗浄前のＸ線検出器と同等の特性を得ることが出来、ＩＴＯ基板の再生が確認できた。
【００５４】
【実施例】
＜実施例７＞
実施例６において、前記無機上部層をＳｅＴｅに代え、真空蒸着で成膜形成したＸ線検出器を同様の方法で剥離洗浄を実施した。結果、ＩＴＯ基板を破壊することなくＳｅ及びＳｅＴｅ及びＡｕを剥離洗浄することが出来た。
剥離洗浄されたＩＴＯ基板上に、再度各層を前記と同様の方法で成膜形成し、前記特性評価を実施した。結果、剥離洗浄前のＸ線検出器と同等の特性を得ることが出来、ＩＴＯ基板の再生が確認できた。
【００５５】
＜実施例８＞
実施例６において、前記無機上部層をＣｅＯに代え、真空蒸着で成膜形成したＸ線検出器を同様の方法で剥離洗浄を実施した。結果、ＩＴＯ基板を破壊することなくＳｅ及びＣｅＯ及びＡｕを剥離洗浄することが出来た。
剥離洗浄されたＩＴＯ基板上に、再度各層を前記と同様の方法で成膜形成し、前記特性評価を実施した。結果、剥離洗浄前のＸ線検出器と同等の特性を得ることが出来、ＩＴＯ基板の再生が確認できた。
【００５６】
【実施例】
＜実施例９＞
実施例１〜２において、前記ＩＴＯ基板とＳｅとの間に無機下部層としてＣｄＳを、前記ＳｅとＡｕとの間に無機上部層としてＣｄＳを真空蒸着で成膜形成したＸ線検出器を同様の方法で剥離洗浄を実施した。結果、ＩＴＯ基板を破壊することなく下部ＣｄＳ及びＳｅ及び上部ＣｄＳ及びＡｕを剥離洗浄することが出来た。
剥離洗浄されたＩＴＯ基板上に、再度各層を前記と同様の方法で成膜形成し、前記特性評価を実施した。結果、剥離洗浄前のＸ線検出器と同等の特性を得ることが出来、Ｘ線検出器用基板の再生が確認できた。
【００５７】
【実施例】
＜実施例１０＞
実施例９において、前記無機下部層と無機上部層をＳｅＴｅに代え、真空蒸着で成膜形成したＸ線検出器を同様の方法で剥離洗浄を実施した。結果、ＩＴＯ基板を破壊することなく下部ＳｅＴｅ及びＳｅ及び上部ＳｅＴｅ及びＡｕを剥離洗浄することが出来た。
剥離洗浄されたＩＴＯ基板上に、再度各層を前記と同様の方法で成膜形成し、前記特性評価を実施した。結果、剥離洗浄前のＸ線検出器と同等の特性を得ることが出来、Ｘ線検出器用基板の再生が確認できた。
【００５８】
＜実施例１１＞
実施例９において、前記無機下部層と無機上部層をＣｅＯに代え、真空蒸着で成膜形成したＸ線検出器を同様の方法で剥離洗浄を実施した。結果、ＩＴＯ基板を破壊することなく下部ＣｅＯ及びＳｅ及び上部ＣｅＯ及びＡｕを剥離洗浄することが出来た。
剥離洗浄されたＩＴＯ基板上に、再度各層を前記と同様の方法で成膜形成し、前記特性評価を実施した。結果、剥離洗浄前のＸ線検出器と同等の特性を得ることが出来、Ｘ線検出器用基板の再生が確認できた。
【００５９】
【実施例】
＜実施例１２＞
実施例１〜１１において、前記Ｘ線検出層を無定型セレン砒素（以下、ＳｅＡｓ）に代え、各層を真空蒸着で成膜形成したＸ線検出器を同様の方法で剥離洗浄を実施した。結果、ＩＴＯ基板を破壊することなく各層を剥離洗浄することが出来た。
剥離洗浄されたＩＴＯ基板上に、再度各層を前記と同様の方法で成膜形成し、前記特性評価を実施した。結果、剥離洗浄前のＸ線検出器と同等の特性を得ることが出来、Ｘ線検出器用基板の再生が確認できた。
【００６０】
【実施例】
＜実施例１３＞
実施例１〜１２において、前記Ｘ線検出器用基板を薄膜トランジスタを有するＸ線検出器用基板（以下、ＴＦＴ基板）に代え、ＴＦＴ基板上に各層を真空蒸着で成膜形成した前記Ｘ線検出器を同様の方法で剥離洗浄を実施した。結果、ＴＦＴ基板を破壊することなく各層を剥離洗浄することが出来た。
剥離洗浄されたＴＦＴ基板上に、再度各層を前記と同様の方法で成膜形成し、前記特性評価を実施した。結果、剥離洗浄前のＸ線検出器と同等の特性を得ることが出来、Ｘ線検出器用基板の再生が確認できた。
【００６１】
【実施例】
＜実施例１４＞
実施例１〜１３において、前記剥離液をイソプロピルアルコール水溶液に代え、各Ｘ線検出器表面に噴射し、同様の剥離洗浄を実施した。結果、Ｘ線検出器用基板を破壊することなく各層を剥離洗浄することが出来た。
剥離洗浄されたＸ線検出器用基板上に、再度各層を前記と同様の方法で成膜形成し、前記特性評価を実施した。結果、剥離洗浄前のＸ線検出器と同等の特性を得ることが出来、Ｘ線検出器用基板の再生が確認できた。
【００６２】
【実施例】
＜実施例１５＞
実施例１４において、前記剥離液をアセトン水溶液に代え、各Ｘ線検出器表面に噴射し、同様の剥離洗浄を実施した。結果、Ｘ線検出器用基板を破壊することなく各層を剥離洗浄することが出来た。
剥離洗浄されたＸ線検出器用基板上に、再度各層を前記と同様の方法で成膜形成し、前記特性評価を実施した。結果、剥離洗浄前のＸ線検出器と同等の特性を得ることが出来、Ｘ線検出器用基板の再生が確認できた。
【００６３】
【実施例】
＜実施例１６＞
実施例１４において、前記剥離液を石鹸水に代え、各Ｘ線検出器表面に噴射し、同様の剥離洗浄を実施した。結果、Ｘ線検出器用基板を破壊することなく各層を剥離洗浄することが出来た。
剥離洗浄されたＸ線検出器用基板上に、再度各層を前記と同様の方法で成膜形成し、前記特性評価を実施した。結果、剥離洗浄前のＸ線検出器と同等の特性を得ることが出来、Ｘ線検出器用基板の再生が確認できた。
【００６４】
【実施例】
＜実施例１７＞
実施例１〜１６において、前記剥離液の水圧を１０００ｋｇ／ｃｍ2として各Ｘ線検出器表面に噴射し、同様の剥離洗浄を実施した。結果、Ｘ線検出器用基板を破壊することなく各層を剥離洗浄することが出来た。
剥離洗浄されたＸ線検出器用基板上に、再度各層を前記と同様の方法で成膜形成し、前記特性評価を実施した。結果、剥離洗浄前のＸ線検出器と同等の特性を得ることが出来、Ｘ線検出器用基板の再生が確認できた。
【００６５】
＜比較例１＞
実施例１〜１７において、前記Ｘ線検出器を前記ベース板に設置せずに同様の方法で剥離洗浄を実施した。結果、Ｘ線検出器用基板が破壊されてしまった。
【００６６】
＜比較例２＞
実施例１〜１７において、前記剥離液をイソプロピルアルコールに代え、各Ｘ線検出器表面に噴射し、同様の剥離洗浄を実施した。結果、Ｘ線検出器用基板を破壊することなく各層を剥離することが出来たが、無機化合物層が剥離されたＸ線検出器用基板表面にはシミが発生してしまった。
【００６７】
＜比較例３＞
比較例２において、前記剥離液をアセトンに代え、各Ｘ線検出器表面に噴射し、同様の剥離洗浄を実施した。結果、Ｘ線検出器用基板を破壊することなく各層を剥離することが出来たが、無機化合物層が剥離されたＸ線検出器用基板表面にはシミが発生してしまった。
【００６８】
＜比較例４＞
実施例１〜１７において、前記剥離液の水圧を２００ｋｇ／ｃｍ2として各Ｘ線検出器表面に噴射し、同様の剥離洗浄を実施した。結果、Ｘ線検出器用基板を破壊することないが、各層を完全に剥離することが出来なかった。
【００６９】
＜比較例５＞
比較例４において、前記剥離液の水圧を１１００ｋｇ／ｃｍ2として各Ｘ線検出器表面に噴射し、同様の剥離洗浄を実施した。結果、Ｘ線検出器用基板が部分的に破壊されてしまった。
【００７０】
＜比較例６＞
実施例１〜１７において、穴径φ１．７ｍｍ×穴数１個の平射ノズルにより水または溶液を各Ｘ線検出器表面に噴射し、同様の剥離洗浄を実施した。結果、Ｘ線検出器用基板が破壊されてしまった。
【００７１】
＜比較例７＞
実施例１〜１７において、前記Ｘ線検出層の膜厚を２５０μｍとして、各層を真空蒸着で成膜形成したＸ線検出器については、Ｘ線検出器として必要な機能を得ることが出来なかった。
【００７２】
＜比較例８＞
比較例７において、前記Ｘ線検出層の膜厚を３１００μｍとして、各層を真空蒸着で成膜形成したＸ線検出器を同様の方法で剥離洗浄を実施した。結果、Ｘ線検出器用基板を破壊することないが各層を完全に剥離することが出来なかった。
【００７３】
【発明の効果】
剥離作業の際に、第１電極層や透明基板が破壊されない。また、蒸着の際に高温に加熱されないので、特性のよいＸ線検出層が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明方法で再生可能なＸ線検出器の第１例を示す断面図
【図２】本発明方法で再生可能なＸ線検出器の第２例を示す断面図
【図３】本発明方法で再生可能なＸ線検出器の第３例を示す断面図
【図４】本発明方法で再生可能なＸ線検出器の第４例を示す断面図
【図５】本発明方法で再生可能なＸ線検出器の第５例を示す断面図
【図６】（ａ）：本発明方法を説明するためのＸ線検出器
（ｂ）：本発明に用いられる運搬板と弾性シート
（ｃ）：運搬板を作業台に固定した状態を説明するための図
【図７】（ａ）、（ｂ）：Ｘ線検出器の第２電極層上に剥離液を噴射する状態を説明するための図
【図８】第二の電極層とＸ線検出層とを剥離した後の状態を説明するための図
【図９】本発明の蒸着工程を説明するための図（１）
【図１０】本発明の蒸着工程を説明するための図（２）
【図１１】本発明の蒸着工程を説明するための図（３）
【符号の説明】
１００、２００、３００、４００、５００、６００……Ｘ線検出器
１１１、２１１、３１１、４１１、５１１、６１１……透明基板
１１２、２１２、３１２、４１２、５１２、６１２……第１電極層
１２０、２２０、３２０、４２０、５２０、６２０……Ｘ線検出層
１３０、２３０、３３０、４３０、５３０、６３０……第２電極層
６０１……運搬板
６０６……剥離液
６０２……弾性シート
６４０……再生されたＸ線検出層
６５０……再生された第２電極層
８０１……蒸着装置
【発明の属する技術分野】
本発明は、Ｘ線検出用基板を再生する基板再生方法にかかり、特に、剥離液を用いて再生する技術分野に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、医用及び産業用広域にわたりＸ線やγ線のような放射線を用いた検出装置の役割が大きく、医療用では診断におけるデジタル画像の利用拡大はＸ線ＣＴに代表される。そのほか、アナログ系写真からの移行としては連続撮像とサブストラクションを容易にしたＤＳＡ、誇大な需要を持つ一般単純写真におけるＣＲ（ＤＲ）、最近では超音波装置においても積極的にデジタル化が行われてきた。ほぼすべての画像領域でデジタル化が進み出した背景にはアナログ系に匹敵する画質を得られるようになったことや撮像機器類の価格低下、画像保管や転送システムの利用により得られる種々の利点などが挙げられる。その中で、Ｘ線画像記録・読み出し方法の確立は、デジタル化された画像情報の多面的利用や画像ネットワークへの接続による診断の効率化や質の向上、経費削減などの多くの利点があげられ市場要求が高い分野である。
【０００３】
Ｘ線画像の記録・検出には銀塩フィルム、有機高分子フィルム或いは輝尽性蛍光フィルム、半導体素子が利用されている。しかしながら、デジタル化に対する上述した市場要求に対し、例えば輝尽性蛍光体の場合、Ｘ線エネルギーが一旦蓄積され、後に可視光照射で蛍光を発する現象を利用したものであり画像処理の時間遅れがありリアルタイムにおける画像処理に至らない状況にある。
【０００４】
このような課題から抜きに出る技術として、電極付きガラス基板、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）上にＸ線検出層を積層した直接変換型に代表されるＸ線イメージセンサ画像処理システム等が開発されている。その中で、Ｘ線検出層として無定型セレンなどの無機化合物を利用したセンサ開発がされている。
【０００５】
無機化合物層の形成技術は、真空蒸着法やイオンスパッタ、ＣＶＤ法などによる形成技術が一般的であり薄膜形成技術として定着している。しかしながら、画像白点等の異常欠陥画像が発生することがしばしばある。このような不具合のために現在の胸部１７インチ銀塩フィルムのような装置の置き換えを想定した場合、そのセンサ基板として大面積ＴＦＴを用いた場合ＴＦＴ基板が高価でありセンサ部形成作業時等における外観欠陥不良に伴う不良コストの為に実用化が困難である。このようなセンサ材料の不具合が発生した場合における基板再生技術の確立が実用化には不可欠な課題である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
以上の技術課題に鑑み、本発明はＸ線検出器上の無機化合物層を剥離するにあたり、Ｘ線検出器用基板を傷つけることなく剥離し、再生する方法を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、透明基板と、前記透明基板上に形成された透明性を有する第１電極層と、無機化合物から成り、前記第１電極層上に形成されたＸ線検出層と、金属から成り、前記Ｘ線検出層上に形成された第２電極層とを有するＸ線検出器の、前記第２電極層と前記Ｘ線検出層とを剥離し、該Ｘ線検出器を再生するＸ線検出器再生方法であって、前記Ｘ線検出器を運搬板上に配置し、前記透明基板と前記運搬板の間に弾性シートを挟み、前記透明基板を前記弾性シートに密着させた状態で、前記第２電極層表面に水を主成分とする剥離液を吹き付けるＸ線検出器再生方法である。
請求項２記載の発明は、前記弾性シートは接着性を有し、前記弾性シートにより、前記透明基板を前記運搬板に貼付した状態で、前記剥離液を吹き付ける請求項１記載のＸ線検出器再生方法である。
請求項３記載の発明は、前記第２電極層と前記Ｘ線検出層とを剥離し、前記第１電極層を露出させた後、前記透明基板を前記弾性シートを介して前記運搬板上に貼付したまま、蒸着装置内に搬入し、蒸着法により、前記第１電極層上にＸ線検出層を再生し、再生された前記Ｘ線検出層の表面に金属膜を形成し、該金属膜を第２電極層とする請求項２記載のＸ線検出器再生方法である。
【０００８】
【発明の実施の形態】
先ず、本発明に記載されるＸ線検出器の実施の形態を説明するが本発明の範囲を超えない限りこの例に限定されるものではない。下記の実施例では、透明基板としてガラス基板が用いられている。
【０００９】
図１は、透明基板１１１上に第１電極層１１２、Ｘ線検出層１２１、第２電極層１３０をこの順で形成したＸ線検出器１００を示している。Ｘ線検出器用基板１１０は透明基板１１１と第１電極層１１２とよりなり、無機化合物層１２０はＸ線検出層１２１よりなっている。
【００１０】
図２は、透明基板２１１上に第１電極層２１２、無機下部層２２２、Ｘ線検出層２２１、第２電極層２３０をこの順で形成したＸ線検出器２００を示している。Ｘ線検出器用基板２２０は透明基板２１１と第１電極層２１２とよりなり、無機化合物層２２０は無機下部層２２２とＸ線検出層２２１とよりなっている。
【００１１】
図３は、透明基板３１１上に第１電極層３１２、Ｘ線検出層３２１、無機上部層３２３、第２電極層３３０をこの順で形成したＸ線検出器３００を示している。Ｘ線検出器用基板３１０は透明基板３１１と第１電極層３１２とよりなり、無機化合物層３２０はＸ線検出層３２１と無機上部層３２３とよりなっている。
【００１２】
図４は、透明基板４１１上に第１電極層４１２、無機下部層４２２、Ｘ線検出層４２１、無機上部層４２３、第２電極層４３０をこの順で形成したＸ線検出器４００を示している。Ｘ線検出器用基板４１０は透明基板４１１と第１電極層４１２とよりなり、無機化合物層４２０は無機下部層４２２とＸ線検出層４２１と無機上部層４２３とよりなっている。
【００１３】
図５は、Ｘ線検出器用基板としてＴＦＴを用いたＸ線検出器５００の例である。電荷蓄積素子５１３を設けたＸ線検出器用基板５１０上に図４と同様の無機化合物層５２０と第２電極層５３０が形成されてなる。
【００１４】
透明基板５１１上に複数個のコンデンサ５１５と複数個のトランジスタ５１４とよりなる電荷蓄積素子５１３を有し、複数個の第１電極層５１２が形成されたＸ線検出器用基板５１０を示している。複数個のトランジスタ５１４と複数個のコンデンサ５１５、複数個のコンデンサ５１５と複数個の第１電極層５１２とはそれぞれ電気的に接続されている。また、各第１電極層５１２は絶縁物５１６により互いに絶縁されている。Ｘ線検出器用基板５１０上に無機下部層５２２、Ｘ線検出層５２１、無機上部層５２３、第２電極層５３０がこの順で形成されている。無機化合物層５２０は無機下部層５２２とＸ線検出層５２１と無機上部層５２３とよりなっている。
【００１５】
なお、図１乃至図３で示すＸ線検出器用基板１１０乃至Ｘ線検出器用基板３１０は、図５に示すＸ線検出器用基板５１０に置きかえることができる。第１電極層は酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）より構成される。
【００１６】
Ｘ線検出器用基板は、その表面に少なくとも第１電極層であるＩＴＯが露出しているものである。基板表面は図１〜図４に示すごとく全てＩＴＯでもよいし、図５に示すごとくＩＴＯがマトリクス状に配置された形態でもかまわない。後者の場合、Ｘ線有効検出領域において、１平方センチを単位面積とするＩＴＯの占有面積が３０％以上であるものが好ましい。なお、Ｘ線有効検出領域とは、Ｘ線をＸ線検出器表面に照射したときに、Ｘ線検出器がセンサとして機能する領域のことである。
【００１７】
Ｘ線検出層には無機化合物が用いられるが、その中でも無定型セレンを主成分とすることが好ましい。この場合の無定型セレン以外の含有物は、Ａｓ、Ｔｅ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｌ、Ｎａの存在が確認されている。Ａｓ、Ｔｅについては、１０重量％以下の範囲で含有されていても電気的特性に影響はない。他の不純物については、１重量％以下の含有率であれば、電気的特性に影響はないと推定される。Ｘ線検出層として無定型セレン主成分とする無機化合物以外としては、硫化カドミウム、硫化亜鉛カドミウム、酸化亜鉛などのＸ線に照射により電荷発生する材料を用いることができる。
【００１８】
Ｘ線検出層の膜厚は３００μｍ〜３０００μｍ程度であるが、Ｘ線検出器の機能によって適宜選択することができる。
無機下部層は、Ｘ線検出器の機能や性能に応じて適宜選択されるが、酸化砒素、酸化硼素、酸化ビスマス、酸化カルシウム、酸化セリウムなどの酸化物、硫化アンチモン、硫化カドミウム、硫化鉛、硫化亜鉛などの硫化物、セレンテルル、セレン砒素、セレンクロルなどのセレン化合物などを用いることができる。
【００１９】
無機上部層は、Ｘ線検出器の機能や性能に応じて適宜選択されるが、酸化砒素、酸化硼素、酸化ビスマス、酸化カルシウム、酸化セリウムなどの酸化物、硫化アンチモン、硫化カドミウム、硫化鉛、硫化亜鉛などの硫化物、セレンテルル、セレン砒素、セレンクロルなどのセレン化合物などを用いることができる。
【００２０】
無機下部層、無機上部層及びＸ線検出層を合わせた無機化合物層の合計膜厚は３００μｍ以上３０００μｍ以下である。３００μｍより薄いとＸ線検出器としての機能が損なわれ、３０００μｍ以上では本発明で示す水または水を主成分とする剥離液の噴射による無機化合物層の剥離が困難となるため好ましくない。
【００２１】
第２電極層しては、金、アルミニウムなど公知の導電性材料が用いられる。無機化合物層及び第２電極層の形成方法は、各層を構成する材料や処理能力などに応じて適宜選択することができるが、真空蒸着法により形成することが好ましい。
【００２２】
次に本発明の再生方法を説明するが、本発明の範囲を超えない限りこの例に限定されるものではない。
本発明の再生方法は、固定されたＸ線検出器に水または水を主成分とする剥離液を噴射し、第１電極層と無機化合物層との界面から第１電極層より上層（Ｘ線が照射される側の層）である無機化合物層と第２電極層を剥離することによりなされるものである。
【００２３】
剥離作業の一例を示す。図６(ａ)の符号６００はＸ線検出器であり、剥離作業を行う対象を示している。このＸ線検出器６００は透明基板６１１を有しており、該透明基板６１１上には、第１電極層６１２が形成されている。第１電極層６１２表面には、無機化合物層から成るＸ線検出層６２０が形成されており、Ｘ線検出層６２０表面には第２電極層６３０が形成されている。なお、符号６１０は透明基板６１１と第１電極層６１２とから成るＸ線検出器用基板を示している。
【００２４】
図６(ｂ)の符号６０３は金属製の運搬板であり、該運搬板６０３上にはシリコン樹脂から成る弾性シート６０２が貼付されている。弾性シート６０２の表面と裏面は接着性を有しており、弾性シート６０２は、弾性シート６０２自身の接着力によって運搬板６０３に貼付されている。
【００２５】
この運搬板６０３を、図６(ｃ)に示すように、作業台６０１上に配置し、固定器具６０４によって作業台６０１に固定する。
この状態では、弾性シート６０２表面は、鉛直上方に向けられており、弾性シート６０２上に、Ｘ線検出器６００の透明基板６１１の裏面を押しつけると、Ｘ線検出器６００は、弾性シート６０２の接着力によって、運搬板６０３に固定される。
【００２６】
運搬板６０３は固定器具６０４によって作業台６０１に固定されているから、結局、Ｘ線検出器６００が作業台６０１に固定される。
図７に示すように、第２電極層６３０の上方に噴射装置６０５を配置し、噴射装置６０５の下端部から水または水を主成分とする剥離液６０６をＸ線検出器６００に向けて噴射すると、Ｘ線検出層６２０は比較的柔らかい材料で構成されているため、第２電極層６３０とその下層のＸ線検出層６２０とが剥離液６０６によって剥ぎ取られる。第２電極層６３０とＸ線検出層６２０とが除去されると第１電極層６１２が露出する。
【００２７】
透明基板６１１はＸ線検出層６２０よりも硬い材料で構成されており、その表面に形成された第１電極層６１２と透明基板６１１との結合力が高く、第１電極層６１２は第２電極層６３０よりも硬いため、第１電極層６１２は剥離されず、その表面が露出する。
【００２８】
弾性シート６０２の弾性により、剥離液６０６を３００Ｋｇ／ｃｍ2以上１０００Ｋｇ／ｃｍ2以下の範囲で吹き付けても、透明基板６１１と第１電極層６１２には、割れ、欠け、及びひび割れは生じなかった。
図７(ｂ)は、第１電極層６１２表面が露出した状態を示しており、この状態では、元のＸ線検出器６００のＸ線検出器用基板６１０が弾性シート６０２上に残っている。
【００２９】
次に、図８に示すように、弾性シート６０２により、Ｘ線検出器用基板６１０を運搬板６０３上に貼付したまま作業台６０１上から取り外し、乾燥装置中に搬入し、乾燥させる。
Ｘ線検出器用基板６１０が乾燥した後、無機化合物層と第２電極層の再生作業を開始する。
【００３０】
図９の符号８０１は、再生作業に使用する真空蒸着装置を示している。
上記剥離工程により、第１電極層６１２を露出されたＸ線検出器用基板６１０を、弾性シート６０２によって運搬板６０３に貼付したまま、真空蒸着装置８０１の真空槽８１０内に搬入する。
【００３１】
真空槽８１０の天井側にはホルダ８１５が設けられており、搬入した運搬板６０３上のＸ線検出器用基板６１０は、第１電極層６１２側を鉛直下方に向け、運搬板６０３側をホルダ８１５に密着させ、押さえ金具８１６で運搬板６０３をホルダ８１５に固定する。
【００３２】
Ｘ線検出器用基板６１０は、弾性シート６０２によって運搬板６０３に貼付されているから、真空槽８１０の天井側に固定されている。
真空槽８１０の底壁側には、第１の容器８１１と、該第１の容器８１１内に納められた第１の蒸着材料８１２が納められてる。
【００３３】
この第１の蒸着材料８１２は、剥離前のＸ線検出層６２０を構成していた無機材料と同じ材料で構成されており、真空槽８１０内を真空雰囲気にした後、第１の蒸着材料８１２を加熱し、図１０に示すように、その蒸気８１８を放出させると、第１の容器８１１の上方に位置するＸ線検出器用基板６１０に蒸気が飛行し、第１電極層６１２の表面に、無機化合物が析出し、剥離前のＸ線検出層６２０と同じ組成の新たな無機化合物層６４０が形成される。
【００３４】
無機化合物層６４０が所定膜厚まで成長したところで、第１の蒸着材料８１２の加熱を停止し、蒸気の放出を終了させる。
次いで、真空槽８１０の真空雰囲気を維持しながら、図１１に示すように、第１の容器８１１を第２の容器８１３に交換し、Ｘ線検出器用基板６１０の鉛直下方に第２の容器８１３を配置する。
【００３５】
第２の容器８１３内には、第２電極層１３０を構成する材料と同じ金属材料である第２の蒸着材料８１４が配置されており、第２の蒸着材料８１４を加熱し、その蒸気８１９を放出させると、再生された無機化合物層６４０の表面に金属膜が成長し、その金属膜が所定膜厚まで成長すると新たな第２電極層６５０が得られる。
【００３６】
図１１の符号６０８は、無機化合物層６４０と第２電極層６５０とが再生されたＸ線検出器を示している。押さえ金具８１５を解除し、運搬板６０３と一緒にＸ線検出器６０８を取り外し、真空槽８１０の外部に取り出し、再生作業は終了する。
【００３７】
以上説明したように、再生対象のＸ線検出器６００を、弾性シート６０２によって運搬板６０３に貼付した後、剥離液を噴射する剥離作業と真空槽内での蒸着作業を、透明基板６１１を弾性シート６０２によって運搬板６１１に貼り付けた状態で行っている。
【００３８】
剥離作業の際には、弾性シート６０２は、剥離液が噴射されるときの緩衝材料となり、透明基板６１１や第１電極層６１２の破壊を防ぎ、蒸着作業の際には、熱伝導材料となり、Ｘ線検出器用基板６１０に生じる熱を、運搬板６０２を介してホルダ８１５に伝達し、Ｘ線検出器用基板６１０の昇温を防いでいる。
【００３９】
従って、弾性シート６０２は、接着性と弾性を有しているほか、高熱伝導性の材料を用いることが望ましい。また、運搬板６０２にも高熱伝導性が求められるため、ステンレスやアルミニウム等の金属で構成することが望ましい。
【００４０】
上記実施例で用いたＸ線検出器６００に代え、図１〜図５に示したＸ線検出器１００、２００、３００、４００、５００も、同じ工程で再生することができる。
なお運搬板６０３を作業台６０１に固定する際に、固定機構６０４を用いたが、図示した固定機構６０４に限定されるものではなく、例えば、例えば運搬板６０３に貫通孔を、作業台６０１にねじ受けをそれぞれ設け、ねじなどで固定することも可能である。
【００４１】
弾性シート６０２を設けることでガラスからなるＸ線検出器用基板６１０が割れるおそれが少なくなり好ましい。また運搬板６０３を設けているため、作業台６０１への固定や取り外し作業においてＸ線検出器用基板６１０に直接触れずに行うことができ、更に、運搬板６０３を固定することでＸ線検出器６００を直接作業台６０１に固定する必要がなく、固定や取り外し作業におけるＸ線検出器６００の損傷を防ぐことができるため好ましい。更には、Ｘ線検出層６２０を形成する前にＸ線検出器用基板６１０を弾性シート６０２を介して運搬板６０３に固定しておくと、作業中においてＸ線検出器用基板６１０に触れる機会を減らすことができ、無機化合物層形成手段への固定も運搬板６０３と無機化合物層形成手段とで行うことができるため、固定や取り外し作業によるＸ線検出器６００の損傷を防ぐことができるためより好ましい。
【００４２】
弾性シートとしては、シリコンゴムなどを用いることができる。運搬板６０３としてはアルミニウムなどを用いることができる。
Ｘ線検出器６００の工程は、図６に限定されることなくＸ線検出器６００を直接作業台６０１に固定してもかまわないが、いずれの方法においても、Ｘ線検出器を破損しない方法により行われるのが望ましい。
【００４３】
噴射装置６０５としては、公知の噴射装置を用いることができる。噴射装置６０５は、例えば、ポンプなどを介して噴射ヘッドより剥離液を噴射するものが上げられるが、Ｘ線検出器用基板６１０を破損せず、Ｘ線検出層６２０を剥離できる程度の水圧を維持できるものであればよい。
【００４４】
剥離液６０６をＸ線検出器６００に噴射する圧力は、剥離する層の種類、厚さなどにより異なるが、３００Ｋｇ／ｃｍ2〜１０００Ｋｇ／ｃｍ2程度が好ましい。
剥離に用いる剥離液６０６は、水が好ましいが、水に各種有機溶剤や界面活性剤などを添加した溶液を用いることもできる。有機溶剤や界面活性剤などの添加割合は、特に限定されないが溶液に対して１０重量％以下が好ましい。溶液を適宜選択することにより、剥離と同時に基板表面の洗浄効果を付加することも可能である。
剥離液６０６の温度は剥離する無機化合物層の種類によって適宜選択されるが、Ｘ線検出層が無定型セレンである場合、常温であることが好ましい。
【００４５】
【実施例】
以下に実施例と比較例とにより更に詳しく説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００４６】
【実施例】
＜実施例１＞
透明基板上に酸化インジウムスズからなる第１電極層が形成されているＸ線検出器用基板（以下、ＩＴＯ基板）上にＸ線検出層として無定型セレン（以下、Ｓｅ）を真空蒸着で膜厚３００μｍで成膜形成し、その上に第２電極層として金（以下、Ａｕ）を真空蒸着で成膜形成したＸ線検出器を、プレート状の運搬板に接着性を有する緩衝材から成る弾性シートを貼付けた運搬板上に設置し、穴径φ０．２ｍｍ×穴数７個の放水用揺動ノズルにより剥離液として水を水圧３００ｋｇ／ｃｍ2でＸ線検出器表面に噴射し、Ｓｅ及びＡｕの剥離洗浄を実施した。結果、ＩＴＯ基板を破壊することなくＳｅ及びＡｕを剥離洗浄することが出来た。
【００４７】
剥離洗浄されたＩＴＯ基板上に、再度各層を前記と同様の方法で成膜形成し、外観及び電気特性の評価を実施した。結果、剥離洗浄前のＸ線検出器と同等の特性を得ることが出来、ＩＴＯ基板の再生が確認できた。
【００４８】
【実施例】
＜実施例２＞
実施例１において、Ｘ線検出層のＳｅを真空蒸着で膜厚３０００μｍで成膜形成したものを同様の方法で剥離洗浄を実施した。結果、ＩＴＯ基板を破壊することなくＳｅ及びＡｕを剥離洗浄することが出来た。
剥離されたＩＴＯ基板上に、再度各層を前記と同様の方法で成膜形成し、前記特性評価を実施した。結果、剥離洗浄前のＸ線検出器と同等の特性を得ることが出来、ＩＴＯ基板の再生が確認できた。
【００４９】
【実施例】
＜実施例３＞
実施例１〜２において、前記ＩＴＯ基板とＳｅとの間に無機下部層として硫化カドミウム（以下、ＣｄＳ）を真空蒸着で成膜形成したＸ線検出器を同様の方法で剥離洗浄を実施した。結果、ＩＴＯ基板を破壊することなくＣｄＳ及びＳｅ及びＡｕを剥離洗浄することが出来た。
【００５０】
剥離洗浄されたＩＴＯ基板上に、再度各層を前記と同様の方法で成膜形成し、前記特性評価を実施した。結果、剥離洗浄前のＸ線検出器と同等の特性を得ることが出来、ＩＴＯ基板の再生が確認できた。
【００５１】
【実施例】
＜実施例４＞
実施例３において、前記無機下部層を無定型セレンテルル（以下、ＳｅＴｅ）に代え、真空蒸着で成膜形成したＸ線検出器を同様の方法で剥離洗浄を実施した。結果、ＩＴＯ基板を破壊することなくＳｅＴｅ及びＳｅ及びＡｕを剥離洗浄することが出来た。
剥離洗浄されたＩＴＯ基板上に、再度各層を前記と同様の方法で成膜形成し、前記特性評価を実施した。結果、剥離洗浄前のＸ線検出器と同等の特性を得ることが出来、ＩＴＯ基板の再生が確認できた。
【００５２】
＜実施例５＞
実施例４において、前記無機下部層を酸化セリウム（以下、ＣｅＯ）に代え、真空蒸着で成膜形成したＸ線検出器を同様の方法で剥離洗浄を実施した。結果、ＩＴＯ基板を破壊することなくＣｅＯ及びＳｅ及びＡｕを剥離洗浄することが出来た。
剥離洗浄されたＩＴＯ基板上に、再度各層を前記と同様の方法で成膜形成し、前記特性評価を実施した。結果、剥離洗浄前のＸ線検出器と同等の特性を得ることが出来、ＩＴＯ基板の再生が確認できた。
【００５３】
【実施例】
＜実施例６＞
実施例１〜２において、前記ＳｅとＡｕとの間に無機上部層としてＣｄＳを真空蒸着で成膜形成したＸ線検出器を同様の方法で剥離洗浄を実施した。結果、ＩＴＯ基板を破壊することなくＳｅ及びＣｄＳ及びＡｕを剥離洗浄することが出来た。
剥離洗浄されたＩＴＯ基板上に、再度各層を前記と同様の方法で成膜形成し、前記特性評価を実施した。結果、剥離洗浄前のＸ線検出器と同等の特性を得ることが出来、ＩＴＯ基板の再生が確認できた。
【００５４】
【実施例】
＜実施例７＞
実施例６において、前記無機上部層をＳｅＴｅに代え、真空蒸着で成膜形成したＸ線検出器を同様の方法で剥離洗浄を実施した。結果、ＩＴＯ基板を破壊することなくＳｅ及びＳｅＴｅ及びＡｕを剥離洗浄することが出来た。
剥離洗浄されたＩＴＯ基板上に、再度各層を前記と同様の方法で成膜形成し、前記特性評価を実施した。結果、剥離洗浄前のＸ線検出器と同等の特性を得ることが出来、ＩＴＯ基板の再生が確認できた。
【００５５】
＜実施例８＞
実施例６において、前記無機上部層をＣｅＯに代え、真空蒸着で成膜形成したＸ線検出器を同様の方法で剥離洗浄を実施した。結果、ＩＴＯ基板を破壊することなくＳｅ及びＣｅＯ及びＡｕを剥離洗浄することが出来た。
剥離洗浄されたＩＴＯ基板上に、再度各層を前記と同様の方法で成膜形成し、前記特性評価を実施した。結果、剥離洗浄前のＸ線検出器と同等の特性を得ることが出来、ＩＴＯ基板の再生が確認できた。
【００５６】
【実施例】
＜実施例９＞
実施例１〜２において、前記ＩＴＯ基板とＳｅとの間に無機下部層としてＣｄＳを、前記ＳｅとＡｕとの間に無機上部層としてＣｄＳを真空蒸着で成膜形成したＸ線検出器を同様の方法で剥離洗浄を実施した。結果、ＩＴＯ基板を破壊することなく下部ＣｄＳ及びＳｅ及び上部ＣｄＳ及びＡｕを剥離洗浄することが出来た。
剥離洗浄されたＩＴＯ基板上に、再度各層を前記と同様の方法で成膜形成し、前記特性評価を実施した。結果、剥離洗浄前のＸ線検出器と同等の特性を得ることが出来、Ｘ線検出器用基板の再生が確認できた。
【００５７】
【実施例】
＜実施例１０＞
実施例９において、前記無機下部層と無機上部層をＳｅＴｅに代え、真空蒸着で成膜形成したＸ線検出器を同様の方法で剥離洗浄を実施した。結果、ＩＴＯ基板を破壊することなく下部ＳｅＴｅ及びＳｅ及び上部ＳｅＴｅ及びＡｕを剥離洗浄することが出来た。
剥離洗浄されたＩＴＯ基板上に、再度各層を前記と同様の方法で成膜形成し、前記特性評価を実施した。結果、剥離洗浄前のＸ線検出器と同等の特性を得ることが出来、Ｘ線検出器用基板の再生が確認できた。
【００５８】
＜実施例１１＞
実施例９において、前記無機下部層と無機上部層をＣｅＯに代え、真空蒸着で成膜形成したＸ線検出器を同様の方法で剥離洗浄を実施した。結果、ＩＴＯ基板を破壊することなく下部ＣｅＯ及びＳｅ及び上部ＣｅＯ及びＡｕを剥離洗浄することが出来た。
剥離洗浄されたＩＴＯ基板上に、再度各層を前記と同様の方法で成膜形成し、前記特性評価を実施した。結果、剥離洗浄前のＸ線検出器と同等の特性を得ることが出来、Ｘ線検出器用基板の再生が確認できた。
【００５９】
【実施例】
＜実施例１２＞
実施例１〜１１において、前記Ｘ線検出層を無定型セレン砒素（以下、ＳｅＡｓ）に代え、各層を真空蒸着で成膜形成したＸ線検出器を同様の方法で剥離洗浄を実施した。結果、ＩＴＯ基板を破壊することなく各層を剥離洗浄することが出来た。
剥離洗浄されたＩＴＯ基板上に、再度各層を前記と同様の方法で成膜形成し、前記特性評価を実施した。結果、剥離洗浄前のＸ線検出器と同等の特性を得ることが出来、Ｘ線検出器用基板の再生が確認できた。
【００６０】
【実施例】
＜実施例１３＞
実施例１〜１２において、前記Ｘ線検出器用基板を薄膜トランジスタを有するＸ線検出器用基板（以下、ＴＦＴ基板）に代え、ＴＦＴ基板上に各層を真空蒸着で成膜形成した前記Ｘ線検出器を同様の方法で剥離洗浄を実施した。結果、ＴＦＴ基板を破壊することなく各層を剥離洗浄することが出来た。
剥離洗浄されたＴＦＴ基板上に、再度各層を前記と同様の方法で成膜形成し、前記特性評価を実施した。結果、剥離洗浄前のＸ線検出器と同等の特性を得ることが出来、Ｘ線検出器用基板の再生が確認できた。
【００６１】
【実施例】
＜実施例１４＞
実施例１〜１３において、前記剥離液をイソプロピルアルコール水溶液に代え、各Ｘ線検出器表面に噴射し、同様の剥離洗浄を実施した。結果、Ｘ線検出器用基板を破壊することなく各層を剥離洗浄することが出来た。
剥離洗浄されたＸ線検出器用基板上に、再度各層を前記と同様の方法で成膜形成し、前記特性評価を実施した。結果、剥離洗浄前のＸ線検出器と同等の特性を得ることが出来、Ｘ線検出器用基板の再生が確認できた。
【００６２】
【実施例】
＜実施例１５＞
実施例１４において、前記剥離液をアセトン水溶液に代え、各Ｘ線検出器表面に噴射し、同様の剥離洗浄を実施した。結果、Ｘ線検出器用基板を破壊することなく各層を剥離洗浄することが出来た。
剥離洗浄されたＸ線検出器用基板上に、再度各層を前記と同様の方法で成膜形成し、前記特性評価を実施した。結果、剥離洗浄前のＸ線検出器と同等の特性を得ることが出来、Ｘ線検出器用基板の再生が確認できた。
【００６３】
【実施例】
＜実施例１６＞
実施例１４において、前記剥離液を石鹸水に代え、各Ｘ線検出器表面に噴射し、同様の剥離洗浄を実施した。結果、Ｘ線検出器用基板を破壊することなく各層を剥離洗浄することが出来た。
剥離洗浄されたＸ線検出器用基板上に、再度各層を前記と同様の方法で成膜形成し、前記特性評価を実施した。結果、剥離洗浄前のＸ線検出器と同等の特性を得ることが出来、Ｘ線検出器用基板の再生が確認できた。
【００６４】
【実施例】
＜実施例１７＞
実施例１〜１６において、前記剥離液の水圧を１０００ｋｇ／ｃｍ2として各Ｘ線検出器表面に噴射し、同様の剥離洗浄を実施した。結果、Ｘ線検出器用基板を破壊することなく各層を剥離洗浄することが出来た。
剥離洗浄されたＸ線検出器用基板上に、再度各層を前記と同様の方法で成膜形成し、前記特性評価を実施した。結果、剥離洗浄前のＸ線検出器と同等の特性を得ることが出来、Ｘ線検出器用基板の再生が確認できた。
【００６５】
＜比較例１＞
実施例１〜１７において、前記Ｘ線検出器を前記ベース板に設置せずに同様の方法で剥離洗浄を実施した。結果、Ｘ線検出器用基板が破壊されてしまった。
【００６６】
＜比較例２＞
実施例１〜１７において、前記剥離液をイソプロピルアルコールに代え、各Ｘ線検出器表面に噴射し、同様の剥離洗浄を実施した。結果、Ｘ線検出器用基板を破壊することなく各層を剥離することが出来たが、無機化合物層が剥離されたＸ線検出器用基板表面にはシミが発生してしまった。
【００６７】
＜比較例３＞
比較例２において、前記剥離液をアセトンに代え、各Ｘ線検出器表面に噴射し、同様の剥離洗浄を実施した。結果、Ｘ線検出器用基板を破壊することなく各層を剥離することが出来たが、無機化合物層が剥離されたＸ線検出器用基板表面にはシミが発生してしまった。
【００６８】
＜比較例４＞
実施例１〜１７において、前記剥離液の水圧を２００ｋｇ／ｃｍ2として各Ｘ線検出器表面に噴射し、同様の剥離洗浄を実施した。結果、Ｘ線検出器用基板を破壊することないが、各層を完全に剥離することが出来なかった。
【００６９】
＜比較例５＞
比較例４において、前記剥離液の水圧を１１００ｋｇ／ｃｍ2として各Ｘ線検出器表面に噴射し、同様の剥離洗浄を実施した。結果、Ｘ線検出器用基板が部分的に破壊されてしまった。
【００７０】
＜比較例６＞
実施例１〜１７において、穴径φ１．７ｍｍ×穴数１個の平射ノズルにより水または溶液を各Ｘ線検出器表面に噴射し、同様の剥離洗浄を実施した。結果、Ｘ線検出器用基板が破壊されてしまった。
【００７１】
＜比較例７＞
実施例１〜１７において、前記Ｘ線検出層の膜厚を２５０μｍとして、各層を真空蒸着で成膜形成したＸ線検出器については、Ｘ線検出器として必要な機能を得ることが出来なかった。
【００７２】
＜比較例８＞
比較例７において、前記Ｘ線検出層の膜厚を３１００μｍとして、各層を真空蒸着で成膜形成したＸ線検出器を同様の方法で剥離洗浄を実施した。結果、Ｘ線検出器用基板を破壊することないが各層を完全に剥離することが出来なかった。
【００７３】
【発明の効果】
剥離作業の際に、第１電極層や透明基板が破壊されない。また、蒸着の際に高温に加熱されないので、特性のよいＸ線検出層が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明方法で再生可能なＸ線検出器の第１例を示す断面図
【図２】本発明方法で再生可能なＸ線検出器の第２例を示す断面図
【図３】本発明方法で再生可能なＸ線検出器の第３例を示す断面図
【図４】本発明方法で再生可能なＸ線検出器の第４例を示す断面図
【図５】本発明方法で再生可能なＸ線検出器の第５例を示す断面図
【図６】（ａ）：本発明方法を説明するためのＸ線検出器
（ｂ）：本発明に用いられる運搬板と弾性シート
（ｃ）：運搬板を作業台に固定した状態を説明するための図
【図７】（ａ）、（ｂ）：Ｘ線検出器の第２電極層上に剥離液を噴射する状態を説明するための図
【図８】第二の電極層とＸ線検出層とを剥離した後の状態を説明するための図
【図９】本発明の蒸着工程を説明するための図（１）
【図１０】本発明の蒸着工程を説明するための図（２）
【図１１】本発明の蒸着工程を説明するための図（３）
【符号の説明】
１００、２００、３００、４００、５００、６００……Ｘ線検出器
１１１、２１１、３１１、４１１、５１１、６１１……透明基板
１１２、２１２、３１２、４１２、５１２、６１２……第１電極層
１２０、２２０、３２０、４２０、５２０、６２０……Ｘ線検出層
１３０、２３０、３３０、４３０、５３０、６３０……第２電極層
６０１……運搬板
６０６……剥離液
６０２……弾性シート
６４０……再生されたＸ線検出層
６５０……再生された第２電極層
８０１……蒸着装置
Claims (3)
- 透明基板と、
前記透明基板上に形成された透明性を有する第１電極層と、
無機化合物から成り、前記第１電極層上に形成されたＸ線検出層と、
金属から成り、前記Ｘ線検出層上に形成された第２電極層とを有するＸ線検出器の、前記第２電極層と前記Ｘ線検出層とを剥離し、該Ｘ線検出器を再生するＸ線検出器再生方法であって、
前記Ｘ線検出器を運搬板上に配置し、前記透明基板と前記運搬板の間に弾性シートを挟み、前記透明基板を前記弾性シートに密着させた状態で、前記第２電極層表面に水を主成分とする剥離液を吹き付けるＸ線検出器再生方法。 - 前記弾性シートは接着性を有し、前記弾性シートにより、前記透明基板を前記運搬板に貼付した状態で、前記剥離液を吹き付ける請求項１記載のＸ線検出器再生方法。
- 前記第２電極層と前記Ｘ線検出層とを剥離し、前記第１電極層を露出させた後、前記透明基板を前記弾性シートを介して前記運搬板上に貼付したまま、蒸着装置内に搬入し、蒸着法により、前記第１電極層上にＸ線検出層を再生し、再生された前記Ｘ線検出層の表面に金属膜を形成し、該金属膜を第２電極層とする請求項２記載のＸ線検出器再生方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001096062A JP4660951B2 (ja) | 2001-03-29 | 2001-03-29 | Ｘ線検出器再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001096062A JP4660951B2 (ja) | 2001-03-29 | 2001-03-29 | Ｘ線検出器再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002296354A JP2002296354A (ja) | 2002-10-09 |
| JP4660951B2 true JP4660951B2 (ja) | 2011-03-30 |
Family
ID=18950030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001096062A Expired - Fee Related JP4660951B2 (ja) | 2001-03-29 | 2001-03-29 | Ｘ線検出器再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4660951B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4959586A (ja) * | 1972-10-05 | 1974-06-10 | ||
| JPH02132858A (ja) * | 1988-11-12 | 1990-05-22 | Dainippon Printing Co Ltd | 光電変換素子基板を再生使用するカラー固体撮像装置の製造方法 |
| JPH11243039A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-09-07 | Canon Inc | 半導体部材の製造方法および半導体部材 |
| JP2001077278A (ja) * | 1999-10-15 | 2001-03-23 | Amkor Technology Korea Inc | 半導体パッケージと、このためのリードフレーム及び、半導体パッケージの製造方法とそのモールド |
-
2001
- 2001-03-29 JP JP2001096062A patent/JP4660951B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4959586A (ja) * | 1972-10-05 | 1974-06-10 | ||
| JPH02132858A (ja) * | 1988-11-12 | 1990-05-22 | Dainippon Printing Co Ltd | 光電変換素子基板を再生使用するカラー固体撮像装置の製造方法 |
| JPH11243039A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-09-07 | Canon Inc | 半導体部材の製造方法および半導体部材 |
| JP2001077278A (ja) * | 1999-10-15 | 2001-03-23 | Amkor Technology Korea Inc | 半導体パッケージと、このためのリードフレーム及び、半導体パッケージの製造方法とそのモールド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002296354A (ja) | 2002-10-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP2357495B1 (en) | Scintillator panel | |
| US7316964B2 (en) | Active matrix substrate, a manufacturing method of the active matrix substrate | |
| JP4594188B2 (ja) | 放射線検出装置及び放射線検出システム | |
| JP4612876B2 (ja) | 放射線検出装置、シンチレータパネル、これらの製造方法及び放射線検出システム | |
| JP4266898B2 (ja) | 放射線検出装置とその製造方法および放射線撮像システム | |
| KR20000065225A (ko) | 방사선 검출소자 및 그 제조방법 | |
| JP2012002700A (ja) | 放射線検出装置、その製造方法及び放射線撮像システム | |
| JPWO2007123039A1 (ja) | ホットメルト型部材及び有機ｅｌ表示パネル | |
| JP2783918B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JP2009233487A (ja) | 成膜方法および成膜装置、放射線検出器の製造方法 | |
| JP5535670B2 (ja) | 放射線画像検出器の製造方法 | |
| JP4660951B2 (ja) | Ｘ線検出器再生方法 | |
| CN1601760A (zh) | 辐射检测器 | |
| WO2002061459A1 (fr) | Panneau de scintillation et detecteur d'images de rayonnement | |
| JPS60239946A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JP2011119179A (ja) | 電子デバイスの製造方法、放射線センサの製造方法及び有機ｅｌ表示装置の製造方法 | |
| JPS6190434A (ja) | 電子素子の製造方法 | |
| JP2004266089A (ja) | 清掃装置および清掃方法 | |
| KR101486250B1 (ko) | 이미지센서와 그 제조방법 | |
| JP2001281343A (ja) | ２次元画像検出器およびその製造方法 | |
| JPS61245536A (ja) | 電子素子の製造方法 | |
| JP2006184187A (ja) | 放射線検出装置、シンチレータパネル、および放射線検出システム | |
| JP7268454B2 (ja) | 放射線撮影装置 | |
| JPH08125208A (ja) | 光電変換装置 | |
| JP2021015058A (ja) | 放射線撮像装置および放射線撮像システム |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20060927 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20060927 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20060927 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061124 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080314 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100816 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100824 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20101021 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101021 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20101025 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20101101 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20101101 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20101025 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20101101 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101207 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101220 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140114 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |