JP4653579B2 - X線平面検出器 - Google Patents
X線平面検出器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4653579B2 JP4653579B2 JP2005204612A JP2005204612A JP4653579B2 JP 4653579 B2 JP4653579 B2 JP 4653579B2 JP 2005204612 A JP2005204612 A JP 2005204612A JP 2005204612 A JP2005204612 A JP 2005204612A JP 4653579 B2 JP4653579 B2 JP 4653579B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- conversion film
- charge conversion
- film
- flat panel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
R.A. Street et al., SPIE Vol.3659,p.36, 1999
本発明の第1実施形態によるX線平面検出器の平面回路図を図2に示す。
画素電極119および保護層118を覆うようにX線電荷変換膜103が設けられ、このX線電荷変換膜103上に共通電極250が設けられている。
本発明の第2実施形態によるX線平面検出器を図4を参照して説明する。本実施形態のX線平面検出器は、第1実施形態によるX線平面検出器のX線電荷変換膜103を、X線電荷変換膜103Aに置き換えた構成となっている。第1実施形態に係るX線電荷変換膜103はPbI2を蒸着成膜によって形成したが、本実施液体に係るX線電荷変換膜103AはPbI2を液相成長することによって形成したものである。
この液相成長による成膜は、溶液として純水を用い、90℃でPbI2を飽和まで溶解し0℃まで冷却して行った。水分の含有量は成長条件と水蒸気中での処理により行った。その結果、水分含有量と感度の関係は図3とほぼ同じであった。
次に、本発明の第3実施形態によるX線平面検出器を図5を参照して説明する。
次に、X線電荷変換膜103B上に、Pbを0.11原子%添加したInIからなるブロッキング膜103bを1μm〜50μm、好ましくは10μm成膜した。上記の蒸着中に第1実施形態と同様に真空容器に接続した純水容器の温度を制御して水分を添加した。
(第4実施形態)
次に、本発明の第4実施形態によるX線平面検出器を説明する。断面構造は図1に示す第1実施形態と同じであるため図を省略する。第1実施形態に係るX線電荷変換膜はPbI2を蒸着成膜によって形成したが、本実施形態によるX線電荷変換膜はPbI2の成膜後にプラズマにより、酸素、水素を添加して形成したものである。
蒸着によりTFTアレイのITO電極付きガラス基板に無添加のPbI2膜を10μm成膜した。この膜に室温でO2プラズマ中で5分処理した。プラズマ装置としてはRIE装置を用いた。圧力は5Torrで行った。この結果表面から2μm程度までO(酸素)が反応しており、濃度は1×10−2モル%と推定された。この後でH2プラズマ中で5分間処理した。H(水素)も表面より2μm程度まで反応し、濃度は1×10−2モル%と推定された。この上にPdを200nmを成膜し上部電極を形成した。
本実施形態も第1実施形態と同様に、残像、解像度不良、大きな暗電流が生じるのを防止することのできる。
103 X線電荷変換膜、
105 蓄積容量
106 信号線
110 基板
111 ゲート電極
111a 下容量電極
112 絶縁層
113 アンドープa−Si層
114 ストッパー層
115a ドレイン電極
115b ソース電極
116a 接続電極
116b 上容量電極
118 保護膜
119 画素電極
250 共通電極
Claims (5)
- 入射するX線を電荷に変換するX線電荷変換膜と、
このX線電荷変換膜の両面に設けられた画素電極および共通電極と、
を備え、
前記X線電荷変換膜は、酸素および水素が含まれた、Pb、Hg、Tl、Bi、Cd、In、Sb、Snのいずれかのハロゲン化物であることを特徴とするX線平面検出器。 - 前記X線電荷変換膜は、Pb、Hg、Tl、Bi、Cd、In、Sb、Snのいずれかの沃化物であることを特徴とする請求項1記載のX線平面検出器。
- 前記添加された酸素および水素は水であって、前記X線電荷変換膜は水分を0.002モル%から0.12モル%含有したことを特徴とする請求項1または2記載のX線平面検出器。
- 前記X線電荷変換膜と前記画素電極との間および前記X線電荷変換膜と前記共通電極との間の少なくとも一方の間に前記X線電荷変換膜と同じ材料にドナー性、又は、アクセプタ性の不純物が含まれた膜を備えていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のX線平面検出器。
- 基板上に設けられた信号線と、
前記基板上に設けられ、前記信号線と直交する走査線と、
前記信号線と前記走査線との交差領域に設けられ、一端が前記画素電極に接続され、他端が前記信号線に接続され、前記走査線により制御されるスイッチング素子と、
を備えたことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のX線平面検出器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005204612A JP4653579B2 (ja) | 2005-07-13 | 2005-07-13 | X線平面検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005204612A JP4653579B2 (ja) | 2005-07-13 | 2005-07-13 | X線平面検出器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007024588A JP2007024588A (ja) | 2007-02-01 |
JP4653579B2 true JP4653579B2 (ja) | 2011-03-16 |
Family
ID=37785562
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005204612A Expired - Fee Related JP4653579B2 (ja) | 2005-07-13 | 2005-07-13 | X線平面検出器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4653579B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6362868B2 (ja) * | 2014-01-21 | 2018-07-25 | 国立大学法人京都大学 | 高効率ペロブスカイト型太陽電池の製造方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61205948A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-12 | Canon Inc | レーザー光用の光受容部材 |
JPS63238523A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-04 | Canon Inc | 光センサ |
JP2000058804A (ja) * | 1998-07-08 | 2000-02-25 | Ftni Inc | スタティック画像作成およびダイナミック画像作成のための固有の高電圧保護を備えた直接変換ディジタル式x線検出器 |
JP2000340782A (ja) * | 1999-05-27 | 2000-12-08 | Sony Corp | 固体撮像素子およびその製造方法 |
JP2003179220A (ja) * | 2001-10-03 | 2003-06-27 | Toshiba Corp | X線平面検出器 |
JP2003218121A (ja) * | 2002-01-21 | 2003-07-31 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2004006766A (ja) * | 2002-03-28 | 2004-01-08 | Toshiba Corp | X線検出器 |
JP2004191102A (ja) * | 2002-12-09 | 2004-07-08 | Toshiba Corp | X線平面検出器 |
JP2005260049A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Toshiba Corp | X線平面検出器 |
-
2005
- 2005-07-13 JP JP2005204612A patent/JP4653579B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61205948A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-12 | Canon Inc | レーザー光用の光受容部材 |
JPS63238523A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-04 | Canon Inc | 光センサ |
JP2000058804A (ja) * | 1998-07-08 | 2000-02-25 | Ftni Inc | スタティック画像作成およびダイナミック画像作成のための固有の高電圧保護を備えた直接変換ディジタル式x線検出器 |
JP2000340782A (ja) * | 1999-05-27 | 2000-12-08 | Sony Corp | 固体撮像素子およびその製造方法 |
JP2003179220A (ja) * | 2001-10-03 | 2003-06-27 | Toshiba Corp | X線平面検出器 |
JP2003218121A (ja) * | 2002-01-21 | 2003-07-31 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2004006766A (ja) * | 2002-03-28 | 2004-01-08 | Toshiba Corp | X線検出器 |
JP2004191102A (ja) * | 2002-12-09 | 2004-07-08 | Toshiba Corp | X線平面検出器 |
JP2005260049A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Toshiba Corp | X線平面検出器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007024588A (ja) | 2007-02-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9806123B2 (en) | Image sensor and manufacturing method thereof | |
US7126128B2 (en) | Flat panel x-ray detector | |
JP5669882B2 (ja) | 画像検出器 | |
JP3589954B2 (ja) | 電磁波検出器、画像検出器、および電磁波検出器の製造方法 | |
KR0162903B1 (ko) | 방사선 검출기 및 다중-모듈 방사선 검출기 | |
KR100854854B1 (ko) | 방사선 검출기 | |
JP4949908B2 (ja) | 放射線画像検出方法および装置 | |
JP4153783B2 (ja) | X線平面検出器 | |
WO2015008630A1 (ja) | 放射線撮像装置および放射線撮像表示システム | |
US20070181816A1 (en) | Anisotropic conductive film, x-ray flat panel detector, infrared flat panel detector and display device | |
JP4026377B2 (ja) | 放射線検出装置 | |
JP4653579B2 (ja) | X線平面検出器 | |
JP3959398B2 (ja) | X線平面検出器 | |
JP2005033002A (ja) | 放射線検出器およびその製造方法 | |
JP4237652B2 (ja) | X線平面検出器 | |
JP3959399B2 (ja) | X線平面検出器 | |
JP2007093257A (ja) | 放射線検出器 | |
JP2004015001A (ja) | 放射線検出装置及びその製造方法並びに放射線撮像システム | |
JP2007103846A (ja) | 放射線検出器 | |
JP2003333427A (ja) | 放射線検出装置及びその駆動方法 | |
JP2006049773A (ja) | 放射線検出器 | |
JP2007273576A (ja) | X線検出器 | |
JP2001291854A (ja) | 2次元x線センサおよびその製造方法 | |
EP1936694A2 (en) | Image detector and radiation detecting system | |
JP2009128185A (ja) | 放射線検出器およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080530 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101115 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101119 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101217 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131224 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |