JP2007103846A - 放射線検出器 - Google Patents
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Abstract
【課題】解像度特性に優れた放射線検出器を提供する。
【解決手段】放射線検出器は、基板と、基板上に互いに隙間を置いて配設された複数の画素電極19と、画素電極に接して基板上に設けられ、入射される放射線の強度に対応する大きさの電荷に変換する複数の結晶31を含む光導電層20と、光導電層に所定のバイアス電圧を印加可能なバイアス電極層とを備えている。複数の結晶31の面方向の平均粒径は、画素電極19間の隙間g未満である。
【選択図】 図3
【解決手段】放射線検出器は、基板と、基板上に互いに隙間を置いて配設された複数の画素電極19と、画素電極に接して基板上に設けられ、入射される放射線の強度に対応する大きさの電荷に変換する複数の結晶31を含む光導電層20と、光導電層に所定のバイアス電圧を印加可能なバイアス電極層とを備えている。複数の結晶31の面方向の平均粒径は、画素電極19間の隙間g未満である。
【選択図】 図3
Description
この発明は、放射線検出器に関し、特に、直接変換方式の放射線検出器に関する。
近年、新世代のX線診断用検出器としてアクティブマトリックス型のX線平面検出器が大きな注目を集めている。このX線平面検出器において、照射されたX線を検出することにより、X線撮影像またはリアルタイムのX線画像がデジタル信号として出力される。X線平面検出器は固体検出器であることから、画質性能や安定性の面でも極めて期待が大きい。このため、多くの大学やメーカーが研究開発に取り組んでいる。
実用化の最初の用途として、比較的大きなX線量で、静止画像を収集する人体の胸部・一般撮影用に開発され、近年商品化されている。より高い技術的なハードルをクリアして、透視線量下で毎秒30コマ以上のリアルタイム動画を実現させる必要のある循環器、消化器分野への応用に対しても近い将来に商品化が予想される。この動画用途に対しては、ノイズ(S/N:シグナル/ノイズ比)の改善や微小信号のリアルタイム処理技術等が重要な開発項目となっている。
X線平面検出器には、大きく分けて直接変換方式と間接変換方式との2通りがある。
直接変換方式は、X線をa−Seなどの光導電膜を用いて直接信号電荷に変換し、変換した信号電荷を電荷蓄積用キャパシタに蓄積する方式である(例えば、特許文献1参照)。この直接変換方式は、X線により発生した光導電電荷を高電界により直接に電荷蓄積用キャパシタに導く方式である。
直接変換方式は、X線をa−Seなどの光導電膜を用いて直接信号電荷に変換し、変換した信号電荷を電荷蓄積用キャパシタに蓄積する方式である(例えば、特許文献1参照)。この直接変換方式は、X線により発生した光導電電荷を高電界により直接に電荷蓄積用キャパシタに導く方式である。
一方、間接変換方式は、シンチレータ層によりX線を受けて一旦可視光に変換し、可視光をa−SiフォトダイオードやCCDにより信号電荷に変換して、電荷蓄積用キャパシタに導く方式である。シンチレータ層からの可視光は、フォトダイオードやCCDに到達する迄に光学的な拡散及び散乱が生じてしまうため、解像度特性が低下してしまう。
特開2005−33003号公報
上記したX線平面検出器において、特に直接変換方式のX線平面検出器は、アクティブマトリックスの画素ピッチで規定される解像度特性を得ることが求められている。このため、X線平面検出器の解像度特性の低下を抑制する技術が求められる。
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、解像度特性に優れた放射線検出器を提供することにある。
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、解像度特性に優れた放射線検出器を提供することにある。
上記課題を解決するため、本発明の態様に係る放射線検出器は、
基板と、
前記基板上に、この基板の平面に平行な面方向に1次元または2次元的に互いに隙間を置いて配設された複数の画素電極と、
前記画素電極に接して前記基板上に設けられ、入射される放射線の強度に対応する大きさの電荷に変換する複数の結晶を含む光導電層と、
前記光導電層に所定のバイアス電圧を印加可能なバイアス電極層とを備え、
前記複数の結晶の前記面方向の平均粒径は、前記画素電極間の隙間未満である。
基板と、
前記基板上に、この基板の平面に平行な面方向に1次元または2次元的に互いに隙間を置いて配設された複数の画素電極と、
前記画素電極に接して前記基板上に設けられ、入射される放射線の強度に対応する大きさの電荷に変換する複数の結晶を含む光導電層と、
前記光導電層に所定のバイアス電圧を印加可能なバイアス電極層とを備え、
前記複数の結晶の前記面方向の平均粒径は、前記画素電極間の隙間未満である。
この発明によれば、解像度特性に優れた放射線検出器を提供することができる。
以下、図面を参照しながらこの発明の放射線検出器を直接変換方式のX線検出器に適用した実施の形態について詳細に説明する。
図1及び図2に示すように、X線検出器は、アクティブマトリクス型の光電変換基板1を備えている。光電変換基板1は、ガラス等の絶縁性の材料で形成されているとともに画素領域Rを有した矩形状の基板10と、複数の第1駆動線11と、複数の第2駆動線12と、入射されるX線(放射線)の量に対応した電荷信号を出力する複数の画素部15とを備えている。
図1及び図2に示すように、X線検出器は、アクティブマトリクス型の光電変換基板1を備えている。光電変換基板1は、ガラス等の絶縁性の材料で形成されているとともに画素領域Rを有した矩形状の基板10と、複数の第1駆動線11と、複数の第2駆動線12と、入射されるX線(放射線)の量に対応した電荷信号を出力する複数の画素部15とを備えている。
複数の画素部15は基板10の画素領域Rに設けられている。より詳しくは、複数の画素部15は、複数の第1駆動線11及び複数の第2駆動線12で囲まれたマトリクス状の複数の領域に設けられている。図1に示した例では、16個の画素部15が図示されている。
複数の第1駆動線11及び複数の第2駆動線12は基板10上に配設されている。画素領域Rにおいて、複数の第1駆動線11及び複数の第2駆動線12は互いに交差して配設されている。
画素部15は、スイッチング素子としてのTFT(薄膜トランジスタ)16と、蓄積コンデンサ17と、画素電極19とを備えている。
TFT16は、基板10上に形成され、第1駆動線11の一部を延出したゲート電極16aと、基板及びゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜16bと、ゲート電極に重ねてゲート絶縁膜上に形成された半導体膜16cと、半導体膜のソース領域に接続されたソース電極16dと、半導体膜のドレイン領域に接続されたドレイン電極16eとで形成されている。
TFT16は、基板10上に形成され、第1駆動線11の一部を延出したゲート電極16aと、基板及びゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜16bと、ゲート電極に重ねてゲート絶縁膜上に形成された半導体膜16cと、半導体膜のソース領域に接続されたソース電極16dと、半導体膜のドレイン領域に接続されたドレイン電極16eとで形成されている。
蓄積コンデンサ17は、基板10上に形成された下部電極17aと、ゲート絶縁膜16bを介して下部電極に対向して設けられた上部電極17bとで形成されている。上部電極17bは、TFT16のドレイン電極16eと電気的に接続されている。
画素電極19は、TFT16及び蓄積コンデンサ17上の絶縁層18上に形成され、この絶縁層の一部に形成されたスルーホール18hを介してTFT16のドレイン電極16eに電気的に接続されている。絶縁層18は酸化珪素(SiO2)等で形成されている。画素電極19は、基板10の平面に平行な面方向にマトリクス状に配設けられているとともに互いに隙間を置いて設けられている。
この実施の形態において、画素電極19は、矩形状であり、より詳しくは幅wが125μm、長さlが125μmの正方形である。隣合う画素電極19間の隙間gは25μmである。隣合う画素電極19間のピッチpは、150μmである。
光電変換基板1は、さらに、絶縁層18及び画素電極19上に形成された光導電層20と、この光導電層上に形成されたバイアス電極層21と、このバイアス電極層上に形成された絶縁層22と、この絶縁層22上に形成された遮蔽部としてのX線グリッド23とを備えている。
バイアス電極層21は、光導電層20に所定のバイアス電圧を印加可能に形成されている。X線グリッド23は、バイアス電極層21上に絶縁層22等を介して設けられているとともに画素電極19間に重なっている。このため、X線グリッド23は、画素部15に隣合う画素部から入射されるX線を遮蔽する機能を有し、散乱X線による解像度特性の低下を抑制している。このため、上記遮蔽部は、入射される放射線を遮蔽する機能を有し、散乱放射線による解像度特性の低下を抑制することができる。
図2及び図3に示すように、光導電層20は、画素電極19に接して設けられ、入射されるX線(放射線)の強度に対応する大きさの電荷に変換する複数の結晶31を含んでいる。光導電層20の厚さは、例えば400μmである。
この実施の形態において、結晶31の面方向の粒径dの平均値(以下、平均粒径と称する)は10μmであり、画素電極19間の隙間g未満である。
次に、上記したようなX線検出器を用いて例えば人体を検査し、X線像を撮影する場合について説明する。
まず、光電変換基板1およびX線管を人体を挟むように配置する。光電変換基板1のバイアス電極層21に所定のバイアス電圧Vbが印加された状態で、X線管から光電変換基板1に向けてX線が当てられる。
まず、光電変換基板1およびX線管を人体を挟むように配置する。光電変換基板1のバイアス電極層21に所定のバイアス電圧Vbが印加された状態で、X線管から光電変換基板1に向けてX線が当てられる。
X線は人体を透過する等して光電変換基板1の光導電層20に照射される。これにより、光導電層20で生起された電荷20aはバイアス電極層21に印加されているバイアス電圧Vbにより方向付けられる電界により、任意の各画素部15の画素電極19に移動する。なお、図2においては、電子eがバイアス電極層21に、ホール(正孔)hが画素電極19にそれぞれ向かう状態として説明されている。画素電極19に移動した電荷20aは、TFT16のドレイン電極16eを経由して各蓄積コンデンサ17に蓄積される。
続いて、第1駆動線11にTFT16をオン状態またはオフ状態に切替えるための駆動信号が入力される。ここで、駆動信号は図示しない駆動回路から出力されている。駆動信号によりTFT16がオン状態になると、各画素部15の蓄積コンデンサ17に蓄積された電荷は電荷信号として第2駆動線12に出力され、第2駆動線を介して図示しない信号処理部に伝送される。
信号処理部に伝送された電荷信号は信号処理され、例えばモニタに伝送される。これにより、モニタの表示画面にはX線検出器によって撮影された画像を表示させることができる。なお、TFT16をオン状態にする駆動信号は第1駆動線11毎に、それぞれ位相をずらして入力される。
次に、光導電層20の形成方法について説明する。
光導電層20を形成する際、形成材料に、高感度光導電材料としてPbI2を用い、形成方法に真空蒸着法を用いる。そして、基板10の加熱温度を200℃以下、形成速度を10μm/h以下にそれぞれ設定して光導電層20を形成した。上記のように形成した場合、面方向において、光導電層20の結晶31の平均粒径を測定したところ10μm以下であった。このため、結晶31の面方向の平均粒径が隣合う画素電極19間の隙間g未満となるように結晶31の粒径dが小さい光導電層20を形成することができる。
光導電層20を形成する際、形成材料に、高感度光導電材料としてPbI2を用い、形成方法に真空蒸着法を用いる。そして、基板10の加熱温度を200℃以下、形成速度を10μm/h以下にそれぞれ設定して光導電層20を形成した。上記のように形成した場合、面方向において、光導電層20の結晶31の平均粒径を測定したところ10μm以下であった。このため、結晶31の面方向の平均粒径が隣合う画素電極19間の隙間g未満となるように結晶31の粒径dが小さい光導電層20を形成することができる。
結晶31の面方向の平均粒径が小さい光導電層20を形成する方法は上述した実施の形態に限られるものではない。次に、結晶31の面方向の平均粒径が小さい光導電層20を形成する方法について詳細説明する。
このため、結晶31の面方向の平均粒径が小さい光導電層20の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法または液相成長法等を用い、その際、光導電層20が形成される母材となる基板10の加熱温度を低温化し、かつ、形成速度の低速化または形成材料に結晶成長抑制物質(不純物)の添加を行えば良い。上記したことは、形成材料が、PbI2やHgI2等の金属沃化物や金属ハロゲン化合物系の高感度光導電材料であっても適用することができる。これらの形成材料を用いることにより、入射したX線に対する出力信号強度を向上させることができる。
上述したことから、結晶31の面方向の平均粒径が小さい光導電層20を形成する場合、〈1〉基板10の加熱温度の低温化、〈2〉光導電層20の形成速度の低速化、〈3〉形成材料への不純物の添加といった形成条件の最適化を行えば良い。また、上述していないが、〈4〉光導電層20形成時の雰囲気等の最適化といった形成条件の最適化を行っても良い。例えば、真空蒸着法及びスパッタ法等では,低真空中若しくは不活性ガス中で成膜した場合の方が、高真空中で成膜した場合よりも結晶成長を抑制させることができる。なお、一般的には上記〈1〉、〈2〉、〈3〉の方が支配的である。
次に、光導電層20の結晶31の面方向の平均粒径の信頼性区間について統計学を用いて説明する。
始めに、標本の平均値をX、標本の大きさをn、母分散をσ、母平均をμとすると、母平均μに対する95%の信頼性区間は、(X−1.96σ/√n)以上、(X+1.96σ/√n)以下の区間であり、この区間は、
(X−1.96σ/√n, X+1.96σ/√n)・・・(1)
と表されることが知られている。
始めに、標本の平均値をX、標本の大きさをn、母分散をσ、母平均をμとすると、母平均μに対する95%の信頼性区間は、(X−1.96σ/√n)以上、(X+1.96σ/√n)以下の区間であり、この区間は、
(X−1.96σ/√n, X+1.96σ/√n)・・・(1)
と表されることが知られている。
このため、例えば、光導電層20の100個の結晶31の面方向の平均粒径を0.95gとした場合、上記Xを0.95gに、上記σを結晶31の平均粒径の標準偏差として5g/19.6に、上記nを結晶31の個数として100にそれぞれ置き換えることができる。
すると、上記(1)は、
(0.95g−1.96(5g/19.6)/√100, 0.95g+1.96(5g/19.6)/√100)
となり、計算すると、
(0.9g, 1.0g)・・・(2)
と表される。
(0.95g−1.96(5g/19.6)/√100, 0.95g+1.96(5g/19.6)/√100)
となり、計算すると、
(0.9g, 1.0g)・・・(2)
と表される。
上記(2)は、光導電層20の100個の結晶31の内、95個の結晶31は、粒径dが0.9g以上、1.0g以下の範囲内の値となることを意味していることから、結晶31の平均粒径の95%の信頼性区間は、画素電極19間の隙間g以下といえる。
上記したことから、光導電層20の複数の結晶31の面方向の平均粒径の標準偏差が5g/19.6以下であり、且つ、光導電層20のn個(n≧100)の結晶の面方向の平均粒径が0.95g以下であれば、少なくとも結晶31の平均粒径の95%の信頼性区間は、画素電極19間の隙間g以下といえる。
次に、上述した光導電層20の結晶31の平均粒径を測定する測定方法について説明する。結晶31の平均粒径を測定する方法としては,画素電極19が形成されている領域の光導電層20からランダムに選んだn個(n≧100)の結晶31の平均粒径を求めれば良い。例えば、100個の結晶31の平均粒径を求めた場合は、その値が0.95g以下となれば良い。
以上のように構成されたX線検出器によれば、光導電層20は形成条件の最適化が行われて形成されている。これにより、結晶31の面方向の平均粒径が画素電極19間の隙間g未満となる。このため、1つの結晶31が隣合う複数の画素電極19を跨ぐことはほとんどない。上述した実施の形態では、結晶31の面方向の平均粒径が10μm、画素電極19間の隙間gが25μmであるため、1つの結晶が隣合う複数の画素電極を跨ぐ可能性は無い。上記したことから、電荷が1つの結晶31から複数の画素電極19に与えられることはほとんどなくなるため、X線検出器の解像度特性の低下を抑制することができ、解像度特性に優れたX線検出器を得ることができる。
ここで、形成条件の最適化を行わずに光導電層20を形成した場合の解像度特性について説明する。光導電層20は、入射したX線に対する出力信号強度と十分なX線吸収率を得るために膜厚が数百μm以上となり、また、基板10上に一様に形成されることが多いが、真空蒸着法やスパッタリング法等を用いて一様に形成した場合、基板10上の絶縁層18及び画素電極19表面の構造(凹凸等)並びに性状(材質、結晶性等)から、光導電層を構成する物質(結晶)を単結晶とすることは非常に困難であり、多結晶体となることが多い。
上述した場合、結晶の粒径の増大が多く生じてしまい、結晶の平均粒径の増大も生じてしまう。これにより、結晶の面方向の平均粒径が画素電極19間の隙間g以上になると、結晶が複数の画素電極19を跨ぐ可能性が高くなってしまう。上記したことから、形成条件の最適化を行わずに光導電層20を形成した場合、解像度特性は低下してしまう。
また、光導電層20の複数の結晶31の面方向の平均粒径の標準偏差が5g/19.6以下であり、且つ、光導電層20の100個以上の結晶31の面方向の平均粒径が0.95g以下である。これにより、結晶31の平均粒径の95%の信頼性区間は、画素電極19間の隙間g以下となるため、結晶31が複数の画素電極19を跨ぐ可能性は極めて低くなり,解像度特性の低下を防止する事が可能となる。
なお、この発明は、上述した実施の形態に限定されることなく、この発明の範囲内で種々変形可能である。例えば、TFT16及び画素電極19は、基板10上に、かつ、面方向に1次元または2次元的に配置されていれば良く、さらに、画素電極19は互いに隙間を置いて配設されていれば良い。上述した実施の形態ではX線検出器について説明したが、これに限らずγ線等、他の放射線を検出する放射線検出器に適用することができる。
1…光電変換基板、10…基板、15…画素部、16…TFT、17…蓄積コンデンサ、18…絶縁層、19…画素電極、20…光導電層、21…バイアス電極層、22…絶縁層、23…X線グリッド、31…結晶、g…隙間、p…ピッチ。
Claims (3)
- 基板と、
前記基板上に、この基板の平面に平行な面方向に1次元または2次元的に互いに隙間を置いて配設された複数の画素電極と、
前記画素電極に接して前記基板上に設けられ、入射される放射線の強度に対応する大きさの電荷に変換する複数の結晶を含む光導電層と、
前記光導電層に所定のバイアス電圧を印加可能なバイアス電極層とを備え、
前記複数の結晶の前記面方向の粒径の平均値は、前記画素電極間の隙間未満である放射線検出器。 - 前記画素電極間の隙間をgとした場合、前記光導電層の複数の結晶の前記面方向の粒径の平均値の標準偏差が5g/19.6以下であり、且つ、前記光導電層の100個以上の結晶の前記面方向の粒径の平均値が0.95g以下である請求項1に記載の放射線検出器。
- 前記バイアス電極層上に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられているとともに前記画素電極間に設けられ、入射される放射線を遮蔽する遮蔽部とをさらに備えている請求項1に記載の放射線検出器。
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---|---|---|---|---|
WO2012004913A1 (ja) * | 2010-07-06 | 2012-01-12 | 株式会社島津製作所 | 放射線検出器およびそれを製造する方法 |
JP2015216271A (ja) * | 2014-05-12 | 2015-12-03 | 日本放送協会 | 固体撮像素子 |
WO2020003603A1 (ja) * | 2018-06-26 | 2020-01-02 | 国立大学法人京都大学 | 放射線検出器、及び放射線検出器の製造方法 |
-
2005
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