JP4642684B2 - Laser thermal transfer apparatus and laser thermal transfer method using the apparatus - Google Patents

Laser thermal transfer apparatus and laser thermal transfer method using the apparatus Download PDF

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本発明は、レーザ熱転写装置及びその装置を利用したレーザ熱転写法に関し、より詳細には、電磁石が具備された基板ステージと、磁性体を含む密着フレームを具備することで、基板と転写層の密着特性を高めることができるレーザ熱転写装置及びその装置を利用したレーザ熱転写法に関する。   The present invention relates to a laser thermal transfer apparatus and a laser thermal transfer method using the apparatus, and more specifically, a substrate stage provided with an electromagnet and a close contact frame including a magnetic material, thereby providing close contact between the substrate and the transfer layer. The present invention relates to a laser thermal transfer apparatus capable of enhancing characteristics and a laser thermal transfer method using the apparatus.

一般に、レーザ熱転写法（ＬＩＴＩ：Ｌａｓｅｒ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｉｍａｇｉｎｇ）を遂行するためには、少なくともレーザビーム、基板及びドナーフィルムを必要とする。ドナーフィルムは基材基板、光−熱変換層及び転写層を含む。   In general, at least a laser beam, a substrate, and a donor film are required to perform a laser induced thermal imaging (LITI). The donor film includes a base substrate, a light-heat conversion layer, and a transfer layer.

レーザ熱転写工程においては、転写層を基板に対向されるようにしてドナーフィルムを基板上にラミネーションした後、基材基板上にレーザビームを照射する。基材基板上に照射されたレーザビームは、光−熱変換層に吸収されて熱エネルギーに変換され、熱エネルギーによって転写層は基板上に転写される。   In the laser thermal transfer process, the donor film is laminated on the substrate so that the transfer layer faces the substrate, and then the base material substrate is irradiated with a laser beam. The laser beam irradiated onto the base substrate is absorbed by the light-heat conversion layer and converted into thermal energy, and the transfer layer is transferred onto the substrate by the thermal energy.

以下では図面を参照して従来の技術によるレーザ熱転写法を具体的に説明する。
図１は、従来の技術によるレーザ熱転写装置の断面図である。 Hereinafter, a conventional laser thermal transfer method will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is a sectional view of a conventional laser thermal transfer apparatus.

図１を参考すれば、前記チャンバ１００内の下部にステージ１１０を用意する。前記ステージ１１０は、基板１４０とドナーフィルム１６０をそれぞれ整列されるようにするために第１整列ホーム１７０と第２整列ホーム１８０を形成する。前記第２整列ホーム１８０は、前記第１整列ホーム１７０と段差を成して形成される。前記ステージ１１０上に形成された第１整列ホーム１７０の形状に沿って前記基板１４０が位置され、前記ステージ１１０上に形成された第２整列ホーム１８０の形状に沿って前記ドナーフィルム１６０が位置される。   Referring to FIG. 1, a stage 110 is prepared in the lower part of the chamber 100. The stage 110 forms a first alignment home 170 and a second alignment home 180 so that the substrate 140 and the donor film 160 are aligned. The second alignment home 180 is formed to have a step with the first alignment home 170. The substrate 140 is positioned along the shape of the first alignment home 170 formed on the stage 110, and the donor film 160 is positioned along the shape of the second alignment home 180 formed on the stage 110. The

前記基板１４０上に前記ドナーフィルム１６０がラミネーションされた後、レーザオシレータ１９０を利用して前記ドナーフィルム１６０の上部にレーザを照射し、前記ドナーフィルム１６０の転写層（図示せず）を前記基板１４０上に転写する。   After the donor film 160 is laminated on the substrate 140, a laser is applied to the upper portion of the donor film 160 using a laser oscillator 190, and a transfer layer (not shown) of the donor film 160 is applied to the substrate 140. Transfer on top.

しかし、基板をドナーフィルムにラミネーションするために第１整列ホーム１７０及び第２整列ホーム１８０下部領域の一区間にホースを連結して真空ポンプを稼動するが、ドナーフィルム１６０の転写層と基板１４０の間に空隙または異物が含まれることがあり得る。
また、このような従来の技術は、有機発光素子を製作する他の工程が真空チャンバ内で進行されるのとは違って大気中で行われることにより、酸素及び水気などによって有機発光素子の信頼性、寿命及び素子特性の低下を惹起させる。 However, in order to laminate the substrate to the donor film, a hose is connected to one section of the first alignment home 170 and the second alignment home 180 and a vacuum pump is operated. There may be voids or foreign objects in between.
In addition, such a conventional technique is different from the process in which the organic light emitting device is manufactured in the vacuum chamber, and is performed in the atmosphere, so that the reliability of the organic light emitting device is improved by oxygen and water. Cause deterioration of performance, lifetime, and device characteristics.

このような問題点を解消しようと有機発光素子の転写工程を真空チャンバ内で遂行するようにする。
しかし、有機発光素子の転写工程を真空チャンバ内で遂行する場合、有機発光表示素子の信頼性、寿命及び素子特性が向上することはできるが、転写層と基板の間に微細な空隙（孔）または異物などが発生されても真空ポンプまたは真空を利用したラミネーティング法を利用する工程を遂行することができず、転写層と基板の間の密着特性はさらに低下されるという問題点を持つ。 In order to eliminate such problems, the transfer process of the organic light emitting device is performed in a vacuum chamber.
However, when the transfer process of the organic light emitting device is performed in a vacuum chamber, the reliability, lifetime and device characteristics of the organic light emitting display device can be improved, but a fine gap (hole) is formed between the transfer layer and the substrate. Alternatively, even if foreign matter is generated, a process using a vacuum pump or a laminating method using a vacuum cannot be performed, and the adhesion characteristics between the transfer layer and the substrate are further deteriorated.

一方、前記従来のレーザ熱転写装置及びこれを利用した有機発光素子の製造方法に関する技術を記載した文献としては、下記特許文献１ないし３等がある。
特開２００４−３５５９４９号公報 特開２００４−２９６２２４号公報 米国特開第４，３７７，３３９号明細書 On the other hand, there are the following Patent Documents 1 to 3 and the like as documents describing techniques related to the conventional laser thermal transfer apparatus and a method for manufacturing an organic light emitting element using the same.
JP 2004-355949 A JP 2004-296224 A U.S. Pat. No. 4,377,339

したがって、本発明は、前記従来の問題点を解消するために導出された発明で、磁石が具備された基板ステージと磁性体を含む密着フレームとを真空チャンバ内に具備することで、基板とドナーフィルムの転写層の間の密着特性を高めることができるレーザ熱転写装置及びドナーフィルムを利用したレーザ熱転写法を提供するにその目的がある。   Accordingly, the present invention is an invention derived in order to solve the above-mentioned conventional problems, and includes a substrate stage provided with a magnet and a close contact frame including a magnetic body in a vacuum chamber, whereby a substrate and a donor are provided. It is an object of the present invention to provide a laser thermal transfer apparatus and a laser thermal transfer method using a donor film that can improve adhesion characteristics between transfer layers of a film.

また本発明の他の目的は、磁性体が具備された基板ステージと磁石を含む密着フレームとを真空チャンバ内に具備することで、基板とドナーフィルムの転写層の間の密着特性を高めることができるレーザ熱転写装置及びドナーフィルムを利用したレーザ熱転写法を提供するにその目的がある。   Another object of the present invention is to improve the adhesion characteristics between the substrate and the transfer layer of the donor film by providing in the vacuum chamber a substrate stage provided with a magnetic material and a contact frame including a magnet. The object is to provide a laser thermal transfer apparatus and a laser thermal transfer method using a donor film.

前記目的を果たすための本発明の一側面によれば、本発明のレーザ熱転写装置は、レーザオシレータを利用してドナーフィルムの転写層を転写し、有機電界発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において、電磁石が含まれた基板ステージと、前記基板ステージ上部と所定間隔離隔されて磁性体を含む密着フレームと、が前記レーザ熱転写装置内に具備される。   According to one aspect of the present invention for achieving the above object, a laser thermal transfer apparatus of the present invention uses a laser oscillator to transfer a transfer layer of a donor film to form a light emitting layer of an organic electroluminescence device. In the apparatus, the laser thermal transfer apparatus includes a substrate stage including an electromagnet, and a close contact frame including a magnetic material spaced apart from the upper portion of the substrate stage by a predetermined distance.

好ましくは、前記電磁石と前記磁性体の間には磁気力が作用し、前記電磁石は電圧を印加するための電気配線が含まれる。   Preferably, a magnetic force acts between the electromagnet and the magnetic body, and the electromagnet includes an electrical wiring for applying a voltage.

前記磁性体は、前記密着フレームの上下部または前記密着フレームの内部に形成されるか、前記密着フレーム自体が前記磁性体である。   The magnetic body is formed in the upper and lower portions of the contact frame or inside the contact frame, or the contact frame itself is the magnetic body.

前記磁性体は、鉄、ニッケル、クロムまたは磁性を持つ有機物、無機物及び磁性ナノ粒子の中の少なくとも一つの物質で形成され、前記密着フレームは前記ドナーフィルムの転写される部分に対応するパターンの開口部が形成される。   The magnetic body is formed of at least one of iron, nickel, chromium, magnetic organic substance, inorganic substance, and magnetic nanoparticles, and the contact frame has an opening having a pattern corresponding to a portion of the donor film to be transferred. Part is formed.

以上のように、本発明によれば、レーザ熱転写装置は真空状態で磁気力を利用して基板とドナーフィルムの転写層をラミネーティングできることにより、有機発光素子の寿命、歩留まり及び信頼性を維持することができる。また、レーザ熱転写装置は電磁石が具備された基板ステージと磁性体を含む密着フレームとが具備されることで、基板とドナーフィルムの転写層の密着特性をさらに高めることができる。   As described above, according to the present invention, the laser thermal transfer apparatus can laminate the transfer layer of the substrate and the donor film using a magnetic force in a vacuum state, thereby maintaining the lifetime, yield and reliability of the organic light emitting device. be able to. Further, the laser thermal transfer apparatus includes a substrate stage provided with an electromagnet and a close contact frame including a magnetic material, thereby further improving the close contact characteristics between the transfer layer of the substrate and the donor film.

以下、本発明による第１実施例を図示した図面を参照して本発明をより具体的に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the drawings illustrating a first embodiment of the present invention.

図２は、本発明によるレーザ熱転写装置の斜視図である。
図２を参照すれば、レーザ熱転写装置２００はレーザオシレータ２２０を利用して電磁石が具備された基板ステージ２６０と、前記基板ステージ２６０上部に位置されるドナーフィルム２４１と前記ドナーフィルム２４１上部に位置される密着フレーム２３２とを含む。 FIG. 2 is a perspective view of a laser thermal transfer apparatus according to the present invention.
Referring to FIG. 2, the laser thermal transfer apparatus 200 includes a substrate stage 260 including an electromagnet using a laser oscillator 220, a donor film 241 positioned on the substrate stage 260, and a donor film 241. A close contact frame 232.

前記レーザ熱転写装置２００の工程チャンバ２１０下部には、少なくとも一つの電磁石２６４が具備された基板ステージ２６０が形成される。前記基板ステージ２６０は、前記工程チャンバ２１０内に導入される前記基板２５０と前記ドナーフィルム２４１をそれぞれ順次位置させるためのステージであり、工程チャンバ２１０の底面に位置する。   A substrate stage 260 having at least one electromagnet 264 is formed below the process chamber 210 of the laser thermal transfer apparatus 200. The substrate stage 260 is a stage for sequentially positioning the substrate 250 and the donor film 241 introduced into the process chamber 210, and is located on the bottom surface of the process chamber 210.

前記電磁石２６４は、前記基板ステージ２６０内部に形成されたホーム２６３内側面に形成される。前記ホーム２６３内側面の所定領域にコイルが巻かれた棒または同心円形状の電磁石２６４が形成され、前記電磁石２６４は電力を印加する電気配線（図示せず）が形成される。この時、前記電磁石２６４は、ラミネーティングをより有利に遂行するために横及び縦の複数列で形成する。   The electromagnet 264 is formed on the inner surface of the home 263 formed in the substrate stage 260. A rod wound with a coil or a concentric electromagnet 264 is formed in a predetermined region on the inner surface of the home 263, and the electromagnet 264 is formed with an electrical wiring (not shown) for applying electric power. At this time, the electromagnets 264 are formed in a plurality of horizontal and vertical rows in order to perform laminating more advantageously.

前記基板２５０は、前記基板支持台２６５上に位置される。前記基板２５０は、前記基板ステージ２６０内部に形成された所定数の第１整列ホーム２６１を通じて上部方向に上昇された前記基板支持台２６５上に安着された後、前記基板２５０が安着された基板支持台２６５を下部方向に下降させて前記基板２５０を前記基板ステージ２６０上に安着させる。前記基板支持台２６５は、前記基板ステージ２６０内部に形成された第１整列ホーム２６１を通じて上部または下部に移動されうる。この時、前記基板２５０は、サブピクセル単位で形成された薄膜トランジスタ（図示せず）が所定数具備される。   The substrate 250 is positioned on the substrate support 265. The substrate 250 is seated on the substrate support 265 raised upward through a predetermined number of first alignment homes 261 formed in the substrate stage 260, and then the substrate 250 is seated. The substrate support 265 is lowered downward to seat the substrate 250 on the substrate stage 260. The substrate support 265 may be moved up or down through a first alignment home 261 formed in the substrate stage 260. At this time, the substrate 250 includes a predetermined number of thin film transistors (not shown) formed in sub-pixel units.

前記ドナーフィルム２４１が具備されたドナーフィルムトレイ２４０を前記基板２５０上部に位置させる。前記ドナーフィルム２４１が具備されたドナーフィルムトレイ２４０は、前記基板ステージ２６０内部に形成された所定数の第２整列ホーム２６２を通じて上部方向に上昇された前記ドナーフィルム支持台２６６上に安着された後、前記ドナーフィルム支持台２６６を下部方向に下降させて前記ドナーフィルム２４１が具備されたドナーフィルムトレイ２４０を前記基板ステージ２６０上に安着させる。   A donor film tray 240 provided with the donor film 241 is positioned on the substrate 250. The donor film tray 240 provided with the donor film 241 was seated on the donor film support 266 raised upward through a predetermined number of second alignment homes 262 formed in the substrate stage 260. Thereafter, the donor film support 266 is lowered downward to seat the donor film tray 240 provided with the donor film 241 on the substrate stage 260.

前記ドナーフィルムトレイ２４０の中心には開口部が形成されており、前記開口部には前記ドナーフィルム２４１が介在されている。前記ドナーフィルム２４１は、少なくとも基材基板、光−熱変換層及び転写層を具備して、光−熱変換層と転写層の間に中問層がさらに具備されうる。前記ドナーフィルム２４１が前記基板２５０上に位置される時、前記ドナーフィルムの転写層が前記基板２５０と対向されるように位置させる。   An opening is formed in the center of the donor film tray 240, and the donor film 241 is interposed in the opening. The donor film 241 includes at least a base substrate, a light-heat conversion layer, and a transfer layer, and an intermediate layer may be further provided between the light-heat conversion layer and the transfer layer. When the donor film 241 is positioned on the substrate 250, the transfer layer of the donor film is positioned to face the substrate 250.

前記磁性体２３４を含む密着フレーム２３２は、前記基板ステージ２６０内部に形成された電磁石２６４と磁気力を形成して前記基板ステージ２６０と前記密着フレーム２３２間に位置する前記基板２５０と前記ドナーフィルム２４１を力強くラミネーティングする。   The contact frame 232 including the magnetic body 234 forms a magnetic force with the electromagnet 264 formed inside the substrate stage 260, and the substrate 250 and the donor film 241 positioned between the substrate stage 260 and the contact frame 232. Laminating strongly.

前記磁性体２３４は、前記密着フレーム２３２の上下部、内部または前記磁性体２３４自体が前記密着フレーム２３２全体で形成されうる。また、前記密着フレーム２３２は、レーザが通過されうる開口ホーム２３３を具備し、これによって前記密着フレーム２３２は、レーザが前記ドナーフィルム２４１に照射される。前記開口ホーム２３３は、前記ドナーフィルム２４１の転写される部分に対応する大きさのホームが形成される。   The magnetic body 234 may be formed by the entire contact frame 232 in the upper and lower portions, the inside, or the magnetic body 234 itself of the contact frame 232. In addition, the contact frame 232 includes an opening home 233 through which a laser can pass, so that the laser is emitted to the donor film 241 in the contact frame 232. In the opening home 233, a home having a size corresponding to a portion of the donor film 241 to be transferred is formed.

前記密着フレーム移動手段２３１は、前記密着フレーム２３２が介在された前記密着フレームトレイ２３０を前記基板ステージ２６０方向に往復移動させる手段である。
前記レーザオシレータ２２０は、前記工程チャンバ２１０上部に位置される。前記レーザオシレータ２２０は、前記工程チャンバ２１０の外部または内部に設置することができ、前記レーザオシレータ２２０から発生するレーザが前記ドナーフィルム２４１上部から転写されうるように設置されるのが好ましい。 The contact frame moving means 231 is a means for reciprocating the contact frame tray 230 with the contact frame 232 interposed in the direction of the substrate stage 260.
The laser oscillator 220 is positioned on the process chamber 210. The laser oscillator 220 may be installed outside or inside the process chamber 210, and is preferably installed so that a laser generated from the laser oscillator 220 can be transferred from above the donor film 241.

図３ａは、本発明による基板ステージを拡大した斜視図、図３ｂは図３ａの切断線Ｉ−Ｉ′に沿った断面図である。
図３ａ及び図３ｂを参照すれば、前記基板ステージ２６０内部にホーム２６３を形成する。前記ホーム２６３内側面の所定領域にコイルが巻かれた棒状の電磁石２６４が形成される。前記電磁石２６４が複数の列に配置される場合、レーザが照射される電磁石のみに電力を印加し、磁性層が具備された密着フレームと磁気力を発生するようにして、レーザが照射される部分上に連続的に局所的なラミネーティングが行われるようにする。また、図示されなかったが各電磁石２６４には電力を印加する電気配線が形成される。
前記実施例では、電磁石を複数の列に配置したが、同心円状に配置されうることは勿論である。 3a is an enlarged perspective view of the substrate stage according to the present invention, and FIG. 3b is a cross-sectional view taken along the cutting line II ′ of FIG. 3a.
Referring to FIGS. 3 a and 3 b, a home 263 is formed in the substrate stage 260. A rod-shaped electromagnet 264 having a coil wound around a predetermined region on the inner surface of the home 263 is formed. When the electromagnets 264 are arranged in a plurality of rows, a portion where the laser is irradiated by applying power only to the electromagnet irradiated with the laser and generating a magnetic force with the contact frame provided with the magnetic layer. Make local laminating on top continuously. Although not shown, each electromagnet 264 is formed with electrical wiring for applying power.
In the above embodiment, the electromagnets are arranged in a plurality of rows, but it goes without saying that they can be arranged concentrically.

図４は、本発明による密着フレームの斜視図である。
図４を参照すれば、前記密着フレーム２３２は前記磁性体２３４及び少なくとも一つの開口ホーム２３３を具備する。
ここで、前記磁性体２３４は、図２に示された基板ステージ２６０内部に形成された電磁石２６４と磁気力を形成する。前記磁性層２３４は磁石にくっつく一般的な物質からなり、例えば鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）及びこれらの合金（Ｆｅ３Ｏ４、ＣｏＦｅＯ４、ＭｎＦｅＯ４）または磁石にくっつくすべての無機・有機物質の中で少なくとも一つの物質からなる。 FIG. 4 is a perspective view of a contact frame according to the present invention.
Referring to FIG. 4, the contact frame 232 includes the magnetic body 234 and at least one opening home 233.
Here, the magnetic body 234 forms a magnetic force with the electromagnet 264 formed inside the substrate stage 260 shown in FIG. The magnetic layer 234 is made of a general material that adheres to a magnet, such as iron (Fe), nickel (Ni), chromium (Cr), and alloys thereof (Fe 3 O 4 , CoFeO 4 , MnFeO 4 ) or magnets. It consists of at least one substance among all inorganic and organic substances.

図５は、本発明によるレーザオシレータを示した構成図である。
前記レーザオシレータ２２０は、前記ドナーフィルム２４１上部に位置される。前記レーザオシレータ２２０は、チャンバの外部または内部に設置されうるし、前記レーザオシレータ２２０から発生するレーザがドナーフィルム上部から照らされうるように設置されるのが好ましい。 FIG. 5 is a block diagram showing a laser oscillator according to the present invention.
The laser oscillator 220 is positioned on the donor film 241. The laser oscillator 220 may be installed outside or inside the chamber, and is preferably installed so that the laser generated from the laser oscillator 220 can be illuminated from above the donor film.

また、前記レーザオシレータ２２０の概略的が構成図である図５によれば、本実施例でレーザオシレータはＣＷＮＤ：ＹＡＧレーザ（１６０４ｎｍ）を使って、２個のガルバノメートルスキャナ２２１、２２２を具備し、スキャンレンズ２２３及びシリンダレンズ２２４を具備するが、これに制限されるものではない。前記レーザオシレータ２２０によって発生されたレーザビームは、前記レンズを通過して前記基板２５０上にラミネーションされた前記ドナーフィルム２４１上部から照射される。   Further, according to FIG. 5, which is a schematic diagram of the laser oscillator 220, in this embodiment, the laser oscillator includes two galvanometer scanners 221 and 222 using a CWND: YAG laser (1604 nm). The scanning lens 223 and the cylinder lens 224 are provided, but the invention is not limited thereto. The laser beam generated by the laser oscillator 220 is irradiated from above the donor film 241 that has been laminated on the substrate 250 through the lens.

図６ａないし図６ｆは、本発明のレーザ熱転写装置を利用したレーザ熱転写法の段階別断面図であり、図７はレーザ熱転写法を示すブロック図である。
図６ａを参照すれば、本レーザ熱転写法を説明するためには、まず、移送チャンバ４００内にロボットアーム４２０とエンドエフェクタ４１０をローディングする。前記移送チャンバ４００は、真空雰囲気を維持することが好ましい。前記移送チャンバ４００内にローディングされた前記エンドエフェクタ４１０上に基板２５０を安着させる（Ｓ１参照）。 6a to 6f are cross-sectional views of the laser thermal transfer method using the laser thermal transfer apparatus of the present invention, and FIG. 7 is a block diagram showing the laser thermal transfer method.
Referring to FIG. 6 a, in order to explain the present laser thermal transfer method, first, the robot arm 420 and the end effector 410 are loaded into the transfer chamber 400. The transfer chamber 400 preferably maintains a vacuum atmosphere. The substrate 250 is seated on the end effector 410 loaded in the transfer chamber 400 (see S1).

図６ｂを参照すれば、前記エンドエフェクタ４１０上に安着された前記基板２５０を前記工程チャンバ２１０内に移送させるために、前記エンドエフェクタ４１０を前記工程チャンバ２１０内に移送させる。以後、前記エンドエフェクタ４１０上に安着された前記基板２５０は、前記基板ステージ２６０内部に形成された所定数の貫通ホールを通じて上部方向に上昇された前記基板支持台２６５上に安着される。前記基板支持台２６５は、前記基板ステージ２６０の貫通ホールを通じて上部または下部に移動することができる。   Referring to FIG. 6 b, the end effector 410 is transferred into the process chamber 210 in order to transfer the substrate 250 seated on the end effector 410 into the process chamber 210. Thereafter, the substrate 250 seated on the end effector 410 is seated on the substrate support 265 raised upward through a predetermined number of through holes formed in the substrate stage 260. The substrate support 265 may move up or down through a through hole of the substrate stage 260.

以後、前記基板２５０を前記基板ステージ２６０上に安着させるために、前記基板支持台２６５を下部方向に下降させて前記基板２５０を前記基板ステージ２６０上に安着させる。前記基板ステージ２６０内には電磁石（図示せず）が具備される。この時、前記電磁石はラミネーティングをより有利に遂行するために横及び縦の複数列で形成する。また、前記工程チャンバ２１０は真空雰囲気を維持することが好ましい（Ｓ２参照）。   Thereafter, in order to seat the substrate 250 on the substrate stage 260, the substrate support 265 is moved downward to seat the substrate 250 on the substrate stage 260. An electromagnet (not shown) is provided in the substrate stage 260. At this time, the electromagnets are formed in a plurality of horizontal and vertical rows in order to perform laminating more advantageously. The process chamber 210 preferably maintains a vacuum atmosphere (see S2).

図６ｃを参照すれば、前記エンドエフェクタ４１０上に安着された前記基板２５０を前記基板支持台２６５上に安着させた後、前記エンドエフェクタ４１０を前記移送チャンバ４００内に移送させる。以後、前記エンドエフェクタ４１０上にドナーフィルム２４１が介在されたドナーフィルムトレイ２４０を位置させる。前記ドナーフィルム２４１は基材基板、光−熱変換層、中問層及び転写層が含まれる。   Referring to FIG. 6 c, after the substrate 250 seated on the end effector 410 is seated on the substrate support 265, the end effector 410 is transferred into the transfer chamber 400. Thereafter, the donor film tray 240 having the donor film 241 interposed thereon is positioned on the end effector 410. The donor film 241 includes a base substrate, a light-heat conversion layer, a medium layer, and a transfer layer.

図６ｄを参照すれば、前記エンドエフェクタ４１０上に安着された前記ドナーフィルム２４１が介在されたドナーフィルムトレイ２４０を前記工程チャンバ２１０内に移動させる。前記工程チャンバ２１０内に移動された前記ドナーフィルムトレイ２４０は、前記ドナーフィルム支持台２６６上に安着させる。また、前記ドナーフィルム２４１の転写層は前記基板２５０上部に対向されるように位置させる（Ｓ３参照）。   Referring to FIG. 6 d, the donor film tray 240 having the donor film 241 seated on the end effector 410 is moved into the process chamber 210. The donor film tray 240 moved into the process chamber 210 is seated on the donor film support 266. Further, the transfer layer of the donor film 241 is positioned so as to face the upper portion of the substrate 250 (see S3).

図６ｅを参照すれば、前記ドナーフィルムトレイ２４０を前記ドナーフィルム支持台２６６上に安着させた後、前記エンドエフェクタ４１０を前記移送チャンバ４００内に移送する。以後、前記ドナーフィルム支持台２６６上に安着された前記ドナーフィルムトレイ２４０のドナーフィルム２４１を前記基板２５０上にラミネーションするために、前記密着フレーム移送手段２３１を下部方向に下降させて前記ドナーフィルム２４１を前記基板２５０上にラミネーションさせる（Ｓ４参照）。   Referring to FIG. 6 e, after the donor film tray 240 is seated on the donor film support 266, the end effector 410 is transferred into the transfer chamber 400. Thereafter, in order to laminate the donor film 241 of the donor film tray 240 seated on the donor film support 266 onto the substrate 250, the contact frame transfer means 231 is moved downward to lower the donor film. 241 is laminated on the substrate 250 (see S4).

図６ｆを参照すれば、前記ドナーフィルム２４１の転写層を前記基板２５０上に転写層の密着特性を高めるために、前記基板ステージ２６０内に形成された電磁石に電力を印加させる。これによって前記工程チャンバ２１０内に形成された電磁石と前記磁性体が具備された密着フレーム２３２の間に磁気力が作用することで前記基板２５０と前記ドナーフィルム２４１の転写層の間の密着特性はさらに向上する。   Referring to FIG. 6f, in order to improve the adhesion property of the transfer layer of the donor film 241 on the substrate 250, power is applied to an electromagnet formed in the substrate stage 260. As a result, the magnetic force acts between the electromagnet formed in the process chamber 210 and the contact frame 232 provided with the magnetic material, so that the adhesion characteristics between the substrate 250 and the transfer layer of the donor film 241 are reduced. Further improve.

前記ドナーフィルム２４１の転写層を前記基板２５０上に転写させるために前記移送チャンバ４００と前記工程チャンバ２１０の間に形成されたゲートバルブ３００を閉じる。この時、前記工程チャンバ２１０内部または外部に形成されたレーザオシレータ２２０が作動して前記ドナーフィルム２４１上にレーザを照射させる。前記レーザオシレータ２２０は、前記転写層が転写されるライン別に移送可能である。これによって、前記転写層は前記基板２５０上部に転写されて有機電界発光素子の発光層を形成する（Ｓ５参照）。   In order to transfer the transfer layer of the donor film 241 onto the substrate 250, the gate valve 300 formed between the transfer chamber 400 and the process chamber 210 is closed. At this time, the laser oscillator 220 formed inside or outside the process chamber 210 operates to irradiate the donor film 241 with laser. The laser oscillator 220 can be transferred for each line on which the transfer layer is transferred. Accordingly, the transfer layer is transferred onto the substrate 250 to form a light emitting layer of the organic electroluminescent device (see S5).

一方、第１実施例とは違って、第２実施例として基板ステージには永久磁石が含まれ、密着フレームには磁性体が含まれることが可能である。すなわち、レーザ熱転写装置２００は、レーザオシレータ２２０を利用して永久磁石が具備された基板ステージ２６０と、前記基板ステージ２６０上部に位置されるドナーフィルム２４１と前記ドナーフィルム２４１上部に位置される磁性体を具備した密着フレーム２３２を含んで構成されうる。
この時、磁性体は、鉄、ニッケル、クロムまたは磁性を持つ有機物、無機物及び磁性ナノ粒子の中の少なくとも一つの物質で形成されうるし、密着フレームの上下部または密着フレームの内部に含まれることが可能であり、密着フレーム自体が磁性体で形成されうる。 On the other hand, unlike the first embodiment, as the second embodiment, the substrate stage may include a permanent magnet, and the contact frame may include a magnetic material. That is, the laser thermal transfer apparatus 200 includes a substrate stage 260 provided with permanent magnets using a laser oscillator 220, a donor film 241 positioned on the substrate stage 260, and a magnetic material positioned on the donor film 241. It may be configured to include a close contact frame 232 including
In this case, the magnetic material may be formed of at least one of iron, nickel, chromium, magnetic organic material, inorganic material, and magnetic nanoparticles, and may be included in the upper and lower portions of the contact frame or in the contact frame. The contact frame itself can be formed of a magnetic material.

密着フレームは、前記ドナーフィルムの転写される部分に対応するパターンの開口部が形成されることが好ましいがこれに制限されるのではない。   The close contact frame is preferably formed with an opening having a pattern corresponding to the transferred portion of the donor film, but is not limited thereto.

一方、基板ステージは所定数の貫通ホールを通じて前記基板を上部または下部に移動させる基板支持台をさらに具備するのが好ましい。基板支持台は、第１実施例で説明したところと同様であるから詳しい説明を略する。   Meanwhile, it is preferable that the substrate stage further includes a substrate support for moving the substrate upward or downward through a predetermined number of through holes. Since the substrate support is the same as that described in the first embodiment, a detailed description thereof will be omitted.

また、第３実施例として基板ステージに磁性体を含ませ、密着板に電磁石を含ませることができる。
この時、電磁石は密着フレームの上下部または前記密着フレームの内部に形成されうるし、密着フレームはドナーフィルムの転写される部分に対応するパターンの開口部が形成されることが好ましい。また、電磁石には電圧を印加するための電気配線が含まれなければならない。 As a third embodiment, the substrate stage can include a magnetic material, and the contact plate can include an electromagnet.
At this time, the electromagnet can be formed in the upper and lower portions of the contact frame or inside the contact frame, and the contact frame is preferably formed with an opening having a pattern corresponding to a portion of the donor film to be transferred. Also, the electromagnet must include electrical wiring for applying a voltage.

磁性体は鉄、ニッケル、クロムまたは磁性を持つ有機物、無機物及び磁性ナノ粒子の中の少なくとも一つの物質で形成されうるし、磁性体は前記基板ステージの上下部または前記基板ステージの内部に形成されうるし、基板ステージ自体を構成することも可能である。
この時、基板ステージは所定数の貫通ホールを通じて前記アクセプタ基板を上部または下部に移動させる基板支持台をさらに具備することができる。 The magnetic material may be formed of at least one of iron, nickel, chromium, or a magnetic organic material, inorganic material, and magnetic nanoparticles, and the magnetic material may be formed on the upper or lower portion of the substrate stage or inside the substrate stage. It is also possible to constitute the substrate stage itself.
At this time, the substrate stage may further include a substrate support for moving the acceptor substrate upward or downward through a predetermined number of through holes.

また、第４実施例として基板ステージに磁性体を含ませ、密着板に永久磁石を含ませることができる。
この時、永久磁石は前記密着フレームの上下部または前記密着フレームの内部に形成されうるし、密着フレーム自体が永久磁石で構成されることも可能である。密着フレームはドナーフィルムの転写される部分に対応するパターンの開口部が形成されることが好ましい。また、永久磁石は少なくとも一つの棒または円筒形状またはナノパーティクルで形成されうるが、ここに制限されるのではない。
ナノパーティクルはスピンコーティング、電子線蒸着（ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｂｅａｍ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）またはインクジェット工程を利用して密着フレームに含まれることが可能である。 As a fourth embodiment, the substrate stage can include a magnetic material, and the contact plate can include a permanent magnet.
At this time, the permanent magnet can be formed on the upper and lower portions of the contact frame or inside the contact frame, or the contact frame itself can be formed of a permanent magnet. The close contact frame is preferably formed with an opening having a pattern corresponding to the transferred portion of the donor film. In addition, the permanent magnet may be formed of at least one rod or cylindrical shape or nanoparticles, but is not limited thereto.
The nanoparticles may be included in the contact frame using spin coating, electron-beam deposition, or an inkjet process.

以上添付した図面を参照して本発明について詳細に説明したが、これは例示的なものに過ぎず、当該技術分野における通常の知識を有する者であれば、多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるということを理解することができる。   The present invention has been described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is only illustrative, and various modifications and other equivalent implementations may be made by those having ordinary skill in the art. It can be understood that the form is possible.

従来の技術によるレーザ熱転写装置の断面図である。It is sectional drawing of the laser thermal transfer apparatus by a prior art. 本発明によるレーザ熱転写装置の斜視図である。It is a perspective view of the laser thermal transfer apparatus by this invention. 本発明による基板ステージを拡大した斜視図である。It is the perspective view which expanded the substrate stage by this invention. 図３ａの切断線Ｉ−Ｉ′に沿った断面図である。FIG. 3b is a cross-sectional view along section line II ′ of FIG. 3a. 本発明による密着フレームの斜視図である。It is a perspective view of the contact | adherence frame by this invention. 本発明によるレーザオシレータを示した構成図である。It is the block diagram which showed the laser oscillator by this invention. 本発明のレーザ熱転写装置を利用したレーザ熱転写法の段階別断面図である。It is sectional drawing according to the step of the laser thermal transfer method using the laser thermal transfer apparatus of the present invention. 本発明のレーザ熱転写装置を利用したレーザ熱転写法の段階別断面図である。It is sectional drawing according to the step of the laser thermal transfer method using the laser thermal transfer apparatus of the present invention. 本発明のレーザ熱転写装置を利用したレーザ熱転写法の段階別断面図である。It is sectional drawing according to the step of the laser thermal transfer method using the laser thermal transfer apparatus of the present invention. 本発明のレーザ熱転写装置を利用したレーザ熱転写法の段階別断面図である。It is sectional drawing according to the step of the laser thermal transfer method using the laser thermal transfer apparatus of the present invention. 本発明のレーザ熱転写装置を利用したレーザ熱転写法の段階別断面図である。It is sectional drawing according to the step of the laser thermal transfer method using the laser thermal transfer apparatus of the present invention. 本発明のレーザ熱転写装置を利用したレーザ熱転写法の段階別断面図である。It is sectional drawing according to the step of the laser thermal transfer method using the laser thermal transfer apparatus of the present invention. レーザ熱転写法を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the laser thermal transfer method.

符号の説明Explanation of symbols

２１０ 工程チャンバ
２２０ レーザオシレータ
２３０ 密着フレームトレイ
２４０ ドナーフィルムトレイ
２５０ 基板
２６０ 基板ステージ 210 Process chamber 220 Laser oscillator 230 Adhering frame tray 240 Donor film tray 250 Substrate 260 Substrate stage

Claims (8)

レーザオシレータを利用してドナーフィルムの転写層を転写し、有機電界発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において、
内部に複数の電磁石が配置された略平板状の基板ステージと、前記基板ステージ上部と所定間隔離隔されて磁性体を含む略平板状の密着フレームと、を前記レーザ熱転写装置内に具備しており、
レーザビームが照射される電磁石のみに電力を印加し、磁性層が具備された密着フレームとの間で磁気力を発生させ、これによりレーザビームが照射される部分上に連続的に局所的なラミネーティングが行われるようにした、
ことを特徴とするレーザ熱転写装置。 In a laser thermal transfer device that transfers a transfer layer of a donor film using a laser oscillator and forms a light emitting layer of an organic electroluminescent element,
The laser thermal transfer apparatus includes a substantially flat substrate stage in which a plurality of electromagnets are arranged, and a substantially flat contact frame including a magnetic material spaced apart from the upper part of the substrate stage by a predetermined distance. ,
Electric power is applied only to the electromagnet irradiated with the laser beam, and a magnetic force is generated between the contact frame provided with the magnetic layer, so that a local laminator is continuously formed on the portion irradiated with the laser beam. Ting was done,
A laser thermal transfer apparatus. 前記磁性体は、鉄、ニッケル、クロムまたは磁性を持つ有機物、無機物及び磁性ナノ粒子の中の少なくとも一つの物質で形成されることを特徴とする請求項１に記載のレーザ熱転写装置。   2. The laser thermal transfer apparatus according to claim 1, wherein the magnetic body is formed of at least one of iron, nickel, chromium, or a magnetic organic substance, an inorganic substance, and magnetic nanoparticles. 前記磁性体は、前記密着フレームの上下部または前記密着フレームの内部に形成されることを特徴とする請求項１に記載のレーザ熱転写装置。   The laser thermal transfer apparatus according to claim 1, wherein the magnetic body is formed in an upper or lower portion of the contact frame or inside the contact frame. 前記磁性体は、密着フレーム自体であることを特徴とする請求項１に記載のレーザ熱転写装置。   The laser thermal transfer apparatus according to claim 1, wherein the magnetic body is a close contact frame itself. 前記密着フレームは、前記ドナーフィルムの転写される部分に対応するパターンの開口部が形成されることを特徴とする請求項１に記載のレーザ熱転写装置。   2. The laser thermal transfer apparatus according to claim 1, wherein the contact frame is formed with an opening having a pattern corresponding to a portion of the donor film to be transferred. 前記基板ステージは、所定数の貫通ホールを通じて前記基板を上部または下部に移動させる基板支持台をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載のレーザ熱転写装置。   The laser thermal transfer apparatus according to claim 1, wherein the substrate stage further includes a substrate support that moves the substrate upward or downward through a predetermined number of through holes. チャンバ内の複数の電磁石が配置された略平板状の基板ステージ上に基板を位置させる段階と、
前記基板の上部に少なくとも基材基板、光−熱変換層及び転写層が具備されたドナーフィルムを位置させる段階と、
前記ドナーフィルム上部に磁性体が具備された略平板状の密着フレームを位置させる段階と、
レーザビームが照射される電磁石のみに電力を印加し、磁性層が具備された密着フレームとの間で磁気力を発生させ、これによりレーザビームが照射される部分上で、前記ドナーフィルムを前記基板上に連続的かつ局所的にラミネーションする段階と、
前記ドナーフィルム上にレーザビームを照射して前記ドナーフィルムの転写層の一部を前記基板上に転写させる段階と、
を含むことを特徴とするレーザ熱転写装置を利用したレーザ熱転写法。 Positioning the substrate on a substantially flat substrate stage in which a plurality of electromagnets in the chamber are disposed;
Positioning a donor film having at least a base substrate, a light-heat conversion layer and a transfer layer on the substrate;
Positioning a substantially flat contact frame having a magnetic body on the donor film;
Electric power is applied only to the electromagnet irradiated with the laser beam, and a magnetic force is generated between the contact frame provided with the magnetic layer, whereby the donor film is placed on the substrate on the portion irradiated with the laser beam. Laminating continuously and locally on top,
Irradiating the donor film with a laser beam to transfer a portion of the transfer layer of the donor film onto the substrate;
A laser thermal transfer method using a laser thermal transfer apparatus. 前記チャンバは、真空チャンバであることを特徴とするレーザ熱転写装置を利用した請求項７に記載のレーザ熱転写法。   The laser thermal transfer method according to claim 7, wherein the chamber is a vacuum chamber.
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