JP4637776B2

JP4637776B2 - Laser thermal transfer method and organic electroluminescent device manufacturing method using donor film

Info

Publication number: JP4637776B2
Application number: JP2006083723A
Authority: JP
Inventors: 承鉉李; 妍周成; 明原宋; 炳旭兪; 泰旻姜; 鎭旭成; 碩原魯; 茂顯金; 善浩金
Original assignee: Samsung Mobile Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2005-08-30
Filing date: 2006-03-24
Publication date: 2011-02-23
Anticipated expiration: 2026-03-24
Also published as: TWI368455B; TW200711520A; JP2007066871A

Description

本発明は、レーザ熱転写方法及びドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造方法に関し、より具体的には、電磁石層が具備されたアクセプタ基板と、磁性層を含むドナーフィルムを形成することで、アクセプタ基板と転写層の密着特性を高めることができるレーザ熱転写方法及びドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造方法に関する。 The present invention relates to a laser thermal transfer method and a method for producing an organic electroluminescent device using a donor film, and more specifically, by forming an acceptor substrate provided with an electromagnet layer and a donor film including a magnetic layer, The present invention relates to a laser thermal transfer method capable of improving adhesion characteristics between an acceptor substrate and a transfer layer, and a method for producing an organic electroluminescent element using a donor film.

本発明の適用分野は特定産業分野に限定されるのではなく、多様に適用することができるが、有機発光素子製作の時有機発光層等を形成するが有用であると予想される。有機発光素子は第１電極と第２電極間に発光層を形成し、電極の間に電圧を印加することで、発光層で正孔と電子が合体することで自発発光する素子である。 The application field of the present invention is not limited to a specific industrial field, and can be applied in various ways. However, it is expected that it is useful to form an organic light emitting layer or the like when manufacturing an organic light emitting element. An organic light-emitting element is an element that spontaneously emits light when a light-emitting layer is formed between a first electrode and a second electrode and a voltage is applied between the electrodes to combine holes and electrons in the light-emitting layer.

以下では有機発光素子に用いられるレーザ熱転写装置を基準として本発明の従来の技術及び本発明の構成等が説明されるが本発明がこれに限定されるのではない。 Hereinafter, the conventional technique of the present invention and the configuration of the present invention will be described with reference to a laser thermal transfer apparatus used for an organic light emitting device, but the present invention is not limited thereto.

レーザ熱転写方法は基材基板、光熱変換層、及び転写層を含むドナー基板にレーザを照射させて基材基板を通過したレーザを光熱変換層で熱に変化させて光熱変換層を変形膨脹させることで、隣接した転写層を変形膨脹させてアクセプタ基板に転写層が接着されて転写されるようにする方法である。 In the laser thermal transfer method, the base substrate, the photothermal conversion layer, and the donor substrate including the transfer layer are irradiated with laser, and the laser that has passed through the base substrate is changed into heat by the photothermal conversion layer to deform and expand the photothermal conversion layer. In this method, the adjacent transfer layer is deformed and expanded so that the transfer layer is adhered and transferred to the acceptor substrate.

レーザ熱転写方法を施す場合、発光層の転写が行われるチャンバ内部は、発光素子形成の時の他の蒸着工程と同調されるようにするために真空状態が行われることが好ましいので、真空状態で主に行われるが、従来の方法によって真空状態でレーザ熱転写を行う場合、接着力が弱くなって、転写層の転写が十分に行われないという問題点がある。よって、レーザ熱転写方法において、ドナー基板とアクセプタ基板をラミネーティングさせる方法は、重要な意味を持ち、これを解決するためのさまざまな方案が研究されている。 When performing the laser thermal transfer method, the inside of the chamber in which the light emitting layer is transferred is preferably in a vacuum state so as to be synchronized with other vapor deposition processes when forming the light emitting element. Although it is mainly performed, when laser thermal transfer is performed in a vacuum state by a conventional method, there is a problem that the adhesive force becomes weak and transfer of the transfer layer is not sufficiently performed. Therefore, in the laser thermal transfer method, a method of laminating a donor substrate and an acceptor substrate has an important meaning, and various methods for solving this have been studied.

図１は、上述した問題点を解決するための従来の技術によるレーザ熱転写装置の部分断面図である。これによれば、レーザ熱転写装置１０は、チャンバ１１内部に位置する基板ステージ１２及びチャンバ１１上部に位置したレーザ照射装置１３を含んで構成される。 FIG. 1 is a partial cross-sectional view of a conventional laser thermal transfer apparatus for solving the above-described problems. According to this, the laser thermal transfer apparatus 10 includes a substrate stage 12 positioned inside the chamber 11 and a laser irradiation apparatus 13 positioned above the chamber 11.

基板ステージ１２は、チャンバ１１に導入されるアクセプタ基板１４とドナーフィルム１５をそれぞれ順次位置させるためのステージである。
この時、アクセプタ基板１４とドナーフィルム１５の間に異物や空間なしにラミネーティングされるために、レーザ熱転写が行われるチャンバ１１内部を真空で維持せず、基板ステージ１２下部にホース１６を連結して真空ポンプPで吸いこみ、アクセプタ基板１４とドナーフィルム１５を合着させる。 The substrate stage 12 is a stage for sequentially positioning the acceptor substrate 14 and the donor film 15 introduced into the chamber 11.
At this time, since laminating is performed between the acceptor substrate 14 and the donor film 15 without any foreign matter or space, the inside of the chamber 11 where laser thermal transfer is performed is not maintained in vacuum, and a hose 16 is connected to the lower portion of the substrate stage 12. Then, the acceptor substrate 14 and the donor film 15 are bonded together by suction with a vacuum pump P.

しかし、このような従来の技術においてもアクセプタ基板１４とドナーフィルム１５の間の異物１と空間が発生することを完全に防止することができず、かつ、チャンバ１１内部の真空状態を維持することができなくなるため、製品の寿命および信頼性に良くない影響を及ぼすことが知られている。 However, even in such a conventional technique, the generation of the foreign matter 1 and the space between the acceptor substrate 14 and the donor film 15 cannot be completely prevented, and the vacuum state inside the chamber 11 is maintained. Is known to have a negative impact on product life and reliability.

一方、前記従来のレーザ熱転写方法及びドナーフィルムを利用した有機発光素子の製造方法に関する技術を記載した文献としては、下記特許文献１ないし３等がある。
特開２００４−３５５９４９号公報特開２００４−２９６２２４号公報米国特許出願公開第４,３７７,３３９号明細書 On the other hand, there are the following Patent Documents 1 to 3 as documents describing techniques related to the conventional laser thermal transfer method and a method for manufacturing an organic light emitting device using a donor film.
JP 2004-355949 A JP 2004-296224 A US Patent Application Publication No. 4,377,339

したがって、本発明は前記従来の問題点を解消するために導出された発明であり、真空チャンバ内でアクセプタ基板一面に形成される電磁石層及び磁性層を含むドナーフィルムを形成することでアクセプタ基板と転写層の密着特性を高めることができるレーザ熱転写方法及びドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造方法を提供することにその目的がある。 Accordingly, the present invention is an invention derived in order to solve the above-mentioned conventional problems, and by forming a donor film including an electromagnet layer and a magnetic layer formed on the entire surface of the acceptor substrate in a vacuum chamber, It is an object of the present invention to provide a laser thermal transfer method capable of enhancing the adhesion property of the transfer layer and a method for producing an organic electroluminescent device using a donor film.

前記目的を果たすための、本発明の一側面によれば、本発明のレーザ熱転写ドナーフィルムを利用したレーザ熱転写方法は、チャンバ内の基板ステージ上にアクセプタ基板を位置させる段階と、前記アクセプタ基板の少なくとも一面に電磁石層を形成する段階と、前記アクセプタ基板の他面に少なくとも光-熱変換層、転写層及び磁性層が具備されたドナーフィルムを位置させる段階と、前記ドナーフィルムを前記アクセプタ基板上にラミネーションする段階と、前記ドナーフィルム上にレーザビームを照射して前記転写層の少なくとも一部をアクセプタ基板上に転写させる段階とを含む。 According to one aspect of the present invention for achieving the above object, a laser thermal transfer method using the laser thermal transfer donor film of the present invention includes a step of positioning an acceptor substrate on a substrate stage in a chamber; Forming an electromagnet layer on at least one surface; positioning a donor film having at least a light-heat conversion layer, a transfer layer, and a magnetic layer on the other surface of the acceptor substrate; and placing the donor film on the acceptor substrate Laminating, and irradiating the donor film with a laser beam to transfer at least a portion of the transfer layer onto the acceptor substrate.

また、本発明の他の一側面によれば、本発明のドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造方法は、アクセプタ基板の少なくとも一面に電磁石層を形成する段階と、前記アクセプタ基板上に第１電極層を形成する段階と、前記第１電極層上に形成されて、前記第１電極層の一領域を部分的に露出するように開口部を持つ画素規定膜を形成する段階と、前記第１電極層と前記画素規定膜上にレーザ熱転写方法によって磁性層を含むドナーフィルムの転写層が転写される段階と、前記転写層と前記画素規定膜上に第２電極層を形成する段階とを含む。 According to another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing an organic electroluminescent device using the donor film of the present invention, comprising: forming an electromagnet layer on at least one surface of an acceptor substrate; Forming a first electrode layer, forming a pixel defining layer formed on the first electrode layer and having an opening so as to partially expose a region of the first electrode layer; and Transferring a donor film transfer layer including a magnetic layer onto the first electrode layer and the pixel defining film by a laser thermal transfer method; forming a second electrode layer on the transfer layer and the pixel defining film; including.

本発明の他の一側面によれば、本発明のレーザ熱転写方法は、チャンバ内の基板ステージ上に基板を位置させる段階と、前記基板の少なくとも一面に永久磁石層を形成する段階と、前記基板の他面に少なくとも光-熱変換層、転写層及び磁性層が具備されたドナーフィルムを位置させる段階と、前記ドナーフィルムを前記基板上にラミネーションする段階と、前記ドナーフィルム上にレーザビームを照射して前記転写層の少なくとも一部を基板上に転写させる段階とを含む。 According to another aspect of the present invention, the laser thermal transfer method of the present invention includes a step of positioning a substrate on a substrate stage in a chamber, a step of forming a permanent magnet layer on at least one surface of the substrate, and the substrate. Positioning a donor film having at least a light-to-heat conversion layer, a transfer layer, and a magnetic layer on the other surface; laminating the donor film on the substrate; and irradiating the donor film with a laser beam And transferring at least a part of the transfer layer onto the substrate.

本発明の他の一側面によれば、本発明のドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造方法は、基板の少なくとも一面に永久磁石層を形成する段階と、前記基板上に第１電極層を形成する段階と、前記第１電極層上に形成されて、前記第１電極層の一領域が部分的に露出するように開口部を持つ画素規定膜を形成する段階と、前記第１電極層と前記画素規定膜上にレーザ熱転写方法によって磁性層を含むドナーフィルムの転写層が転写される段階と、前記転写層と前記画素規定膜上に第２電極層を形成する段階とを含む。 According to another aspect of the present invention, a method of manufacturing an organic electroluminescent device using the donor film of the present invention includes a step of forming a permanent magnet layer on at least one surface of a substrate, and a first electrode layer on the substrate. Forming a pixel defining layer formed on the first electrode layer and having an opening so that a region of the first electrode layer is partially exposed; and the first electrode A transfer layer of a donor film including a magnetic layer is transferred onto the layer and the pixel defining film by a laser thermal transfer method; and a second electrode layer is formed on the transfer layer and the pixel defining film.

本発明のまた他の一側面によれば、本発明のレーザ熱転写方法は、チャンバ内の基板ステージ上にアクセプタ基板を位置させる段階と、前記アクセプタ基板の少なくとも一面に磁性層を形成する段階と、前記アクセプタ基板他面に少なくとも光-熱変換層、転写層及び永久磁石層が具備されたドナーフィルムを位置させる段階と、前記ドナーフィルムを前記アクセプタ基板上にラミネーションする段階と、前記ドナーフィルム上にレーザビームを照射して前記転写層の少なくとも一部をアクセプタ基板上に転写させる段階とを含む。 According to still another aspect of the present invention, the laser thermal transfer method of the present invention includes a step of positioning an acceptor substrate on a substrate stage in a chamber, and a step of forming a magnetic layer on at least one surface of the acceptor substrate; Positioning a donor film having at least a light-to-heat conversion layer, a transfer layer, and a permanent magnet layer on the other side of the acceptor substrate; laminating the donor film on the acceptor substrate; and on the donor film Irradiating a laser beam to transfer at least a part of the transfer layer onto the acceptor substrate.

本発明の他の一側面によれば、本発明のドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造方法は、アクセプタ基板の少なくとも一面に磁性層を形成する段階と、前記アクセプタ基板上に第１電極層を形成する段階と、前記第１電極層上に形成されて、前記第１電極層の一領域が部分的に露出するように開口部を持つ画素規定膜を形成する段階と、前記第１電極層と前記画素規定膜上にレーザ熱転写方法によって永久磁石層を含むドナーフィルムの転写層が転写される段階と、前記転写層と前記画素規定膜上に第２電極層を形成する段階とを含む。 According to another aspect of the present invention, a method for manufacturing an organic electroluminescent device using the donor film of the present invention includes a step of forming a magnetic layer on at least one surface of an acceptor substrate, and a first electrode on the acceptor substrate. Forming a layer, forming a pixel defining layer formed on the first electrode layer and having an opening so as to partially expose a region of the first electrode layer, and the first Transferring a donor film transfer layer including a permanent magnet layer onto the electrode layer and the pixel defining film by a laser thermal transfer method; and forming a second electrode layer on the transfer layer and the pixel defining film. Including.

以上のように、本発明によれば、真空下で磁力を利用してドナーフィルムと基板をラミネーティングできるようになって有機発光素子の以前工程と同じく真空状態を維持することができるだけではなく、ドナーフィルムと基板の間に異物や空隙が発生することを防止することができる。よって、有機発光素子の寿命、歩留まり及び信頼性を維持することができる。 As described above, according to the present invention, not only can the donor film and the substrate be laminated using a magnetic force under vacuum, and the vacuum state can be maintained as in the previous step of the organic light emitting device. Generation | occurrence | production of a foreign material and a space | gap between a donor film and a board | substrate can be prevented. Therefore, the lifetime, yield and reliability of the organic light emitting device can be maintained.

以下では本発明のさまざまな実施例を参照し、本発明をより詳細に説明する。図２aないし図２fは、本発明の一側面によるレーザ熱転写方法を説明するための工程断面図である。 The invention is described in more detail below with reference to various embodiments of the invention. 2a to 2f are process sectional views for explaining a laser thermal transfer method according to one aspect of the present invention.

図２aないし図２fは、本発明の一側面によるレーザ熱転写方法を説明するための工程断面図であり、図３は、レーザ熱転写方法を示すブロック図である。 2a to 2f are process sectional views for explaining a laser thermal transfer method according to one aspect of the present invention, and FIG. 3 is a block diagram showing the laser thermal transfer method.

<第１実施例>
図２aを参照すれば、本発明の第１実施例によるレーザ熱転写方法を説明するために、まず、移送チャンバ２００b内にロボット腕２４０とエンドエフェクタ(end-effector)２５０をローディングする。前記移送チャンバ２００bは、真空雰囲気を維持することが好ましい。 <First embodiment>
Referring to FIG. 2a, in order to describe the laser thermal transfer method according to the first embodiment of the present invention, first, a robot arm 240 and an end-effector 250 are loaded into the transfer chamber 200b. The transfer chamber 200b preferably maintains a vacuum atmosphere.

前記エンドエフェクタ２５０上に電磁石層２６０と前記アクセプタ基板２７０を安着させる。前記電磁石層２６０は、一つの大きい平面磁石や複数個が配列された形態が可能である。前記電磁石層２６０が配置される類型には制限がないが、ラミネーティングをより有利に遂行するためには大きい平面磁石で形成することが好ましい(S１参照)。 The electromagnet layer 260 and the acceptor substrate 270 are seated on the end effector 250. The electromagnet layer 260 may have a single large planar magnet or a plurality of arranged electromagnets. There is no limitation on the type in which the electromagnet layer 260 is disposed. However, in order to perform laminating more advantageously, the electromagnet layer 260 is preferably formed of a large planar magnet (see S1).

図２bを参照すれば、前記エンドエフェクタ２５０上に安着された前記電磁石層２６０と前記アクセプタ基板２７０を前記工程チャンバ２００a内に移送させるために、前記エンドエフェクタ２５０を前記工程チャンバ２００a内に移送させる。以後、前記エンドエフェクタ２５０上に安着された前記電磁石層２６０と前記基板２７０は、前記エンドエフェクタ２５０内部に形成された所定数の貫通ホール(図示せず)を通じて上部方向に上昇された前記基板支持台２２０上に安着される。 Referring to FIG. 2b, in order to transfer the electromagnet layer 260 and the acceptor substrate 270 seated on the end effector 250 into the process chamber 200a, the end effector 250 is transferred into the process chamber 200a. Let Thereafter, the electromagnet layer 260 and the substrate 270 seated on the end effector 250 are raised upward through a predetermined number of through holes (not shown) formed in the end effector 250. It is seated on the support table 220.

前記基板支持台２２０は、前記基板ステージ２３０の貫通ホールを通じて上部または下部に移動することができる。前記電磁石層２６０とアクセプタ基板２７０を前記基板ステージ２３０上に安着させるために、前記基板支持台２２０を下部方向に下降させて前記電磁石層２６０と前記アクセプタ基板２７０を前記基板ステージ２３０上に安着させる。この時、前記工程チャンバ２００aは真空雰囲気を維持することが好ましい(S２参照)。 The substrate support 220 may move upward or downward through a through hole of the substrate stage 230. In order to seat the electromagnet layer 260 and the acceptor substrate 270 on the substrate stage 230, the substrate support base 220 is lowered downward so that the electromagnet layer 260 and the acceptor substrate 270 are rested on the substrate stage 230. Put on. At this time, the process chamber 200a is preferably maintained in a vacuum atmosphere (see S2).

図２cを参照すれば、前記エンドエフェクタ２５０上に安着された前記電磁石層２６０及び前記アクセプタ基板２７０を前記基板支持台２２０上に安着させた後、前記エンドエフェクタ２５０を前記移送チャンバ２００b内に移送させる。以後、前記移送チャンバ２００b内に位置した前記エンドエフェクタ２５０上にドナーフィルム２８０が具備されたフィルムトレイ２８０aを位置させる。 Referring to FIG. 2c, after the electromagnet layer 260 and the acceptor substrate 270 seated on the end effector 250 are seated on the substrate support 220, the end effector 250 is placed in the transfer chamber 200b. To be transported. Thereafter, a film tray 280a provided with a donor film 280 is positioned on the end effector 250 positioned in the transfer chamber 200b.

前記フィルムトレイ２８０aの中心には開口部が形成されており、前記開口部には前記ドナーフィルム２８０が介在されている。また、前記ドナーフィルム２８０は基材基板、磁性層、光-熱変換層、中間層及び転写層が含まれる。 An opening is formed at the center of the film tray 280a, and the donor film 280 is interposed in the opening. The donor film 280 includes a base substrate, a magnetic layer, a light-heat conversion layer, an intermediate layer, and a transfer layer.

図２dを参照すれば、前記エンドエフェクタ２５０上に安着された前記ドナーフィルム２８０が具備された前記フィルムトレイ２８０aを前記工程チャンバ２００a内に移動させる。前記工程チャンバ２００a内に移動された前記フィルムトレイ２８０aを前記ドナーフィルム支持台２１０上に安着させる。 Referring to FIG. 2d, the film tray 280a having the donor film 280 seated on the end effector 250 is moved into the process chamber 200a. The film tray 280a moved into the process chamber 200a is seated on the donor film support 210.

図２eを参照すれば、前記フィルムトレイ２８０aを前記ドナーフィルム支持台２１０上に安着させた後、前記エンドエフェクタ２５０を前記移送チャンバ２００b内に移送させる。以後、前記ドナーフィルム支持台２１０上に安着された前記フィルムトレイ２１０の前記ドナーフィルム２８０を前記アクセプタ基板２７０上にラミネーションさせるために、前記電磁石層２６０に形成された電気配線(図示せず)に電力を印加させた後、前記工程チャンバ２００a内に位置した前記ドナーフィルム支持台２１０を下部方向に下降させて前記ドナーフィルム２８０を前記アクセプタ基板２７０上にラミネーションさせる。この時、前記基板２７０下部に形成された前記電磁石層２６０と磁性層が具備された前記ドナーフィルム２８０の間に磁気力が作用することで、前記アクセプタ基板２７０と前記ドナーフィルムの転写層２８０の間に密着特性はさらに向上させることができる(S３参照)。 Referring to FIG. 2e, after the film tray 280a is seated on the donor film support 210, the end effector 250 is transferred into the transfer chamber 200b. Thereafter, an electrical wiring (not shown) formed on the electromagnet layer 260 for laminating the donor film 280 of the film tray 210 seated on the donor film support 210 on the acceptor substrate 270. Then, the donor film support 210 located in the process chamber 200a is lowered downward to cause the donor film 280 to be laminated on the acceptor substrate 270. At this time, a magnetic force acts between the electromagnet layer 260 formed under the substrate 270 and the donor film 280 having the magnetic layer, so that the acceptor substrate 270 and the transfer layer 280 of the donor film are formed. In the meantime, the adhesion property can be further improved (see S3).

図２fを参照すれば、前記ドナーフィルム２８０の転写層を前記アクセプタ基板２７０上に転写させるために前記移送チャンバ２００bと前記工程チャンバ２００aの間に形成されたゲートバルブ２００を閉じる。この時、前記工程チャンバ２００a内部または外部に形成されたレーザオシレータ２９０が作動して前記ドナーフィルム２８０上部にレーザを照射させる。前記レーザオシレータ２９０は、前記転写層が転写されるライン別に移送可能である。 Referring to FIG. 2f, the gate valve 200 formed between the transfer chamber 200b and the process chamber 200a is closed to transfer the transfer layer of the donor film 280 onto the acceptor substrate 270. At this time, the laser oscillator 290 formed inside or outside the process chamber 200a is operated to irradiate the upper portion of the donor film 280 with laser. The laser oscillator 290 can be transferred for each line on which the transfer layer is transferred.

以下では、前記レーザオシレータ２９０をより具体的に説明する。
前記レーザオシレータ２９０は、前記ドナーフィルム２８０上部に位置される。前記レーザオシレータ２９０は、チャンバの外部または内部に設置されうるし、前記レーザが上部から照らされうるように設置されることが好ましい。また、レーザオシレータの概略的な構成図２９０によれば、本実施例でレーザオシレータは、CWND:YAGレーザ(１６０４nm)を使って、２個のガルバノメータスキャナ（Galvanometer）２９１、２９２を具備し、スキャンレンズ２９３及びシリンダレンズ２９４を具備するがこれに制限されるものではない(S４参照)。 Hereinafter, the laser oscillator 290 will be described in more detail.
The laser oscillator 290 is positioned on the donor film 280. The laser oscillator 290 may be installed outside or inside the chamber, and is preferably installed so that the laser can be illuminated from above. In addition, according to the schematic configuration diagram 290 of the laser oscillator, in this embodiment, the laser oscillator includes two galvanometer scanners 291 and 292 using a CWND: YAG laser (1604 nm), and scan. The lens 293 and the cylinder lens 294 are provided, but not limited thereto (see S4).

<第２実施例>
本発明の第２実施例によるレーザ熱転写方法を説明するために、まず、移送チャンバ２００b内にロボット腕２４０とエンドエフェクタ２５０をローディングする。前記エンドエフェクタ２５０上に永久磁石層２６０と前記アクセプタ基板２７０を安着させる。前記永久磁石層２６０は、一つの大きい平面磁石や複数個が配列された形態が可能である。前記永久磁石層２６０が配置される類型には制限がないが、ラミネーティングをより有利に遂行するためには大きい平面磁石で形成することが好ましい。 <Second embodiment>
In order to describe the laser thermal transfer method according to the second embodiment of the present invention, first, the robot arm 240 and the end effector 250 are loaded into the transfer chamber 200b. The permanent magnet layer 260 and the acceptor substrate 270 are seated on the end effector 250. The permanent magnet layer 260 may have one large planar magnet or a plurality of arranged permanent magnets. Although there is no restriction | limiting in the type by which the said permanent magnet layer 260 is arrange | positioned, In order to perform laminating more advantageously, it is preferable to form with a large planar magnet.

一方、前記エンドエフェクタ２５０を前記移送チャンバ２００b内に移送させた後、前記移送チャンバ２００b内に位置した前記エンドエフェクタ２５０上にドナーフィルム２８０が具備されたフィルムトレイ２８０aを位置させる。この時前記ドナーフィルム２８０は基材基板、磁性層、光-熱変換層、中間層及び転写層を含む。 Meanwhile, after the end effector 250 is transferred into the transfer chamber 200b, a film tray 280a provided with a donor film 280 is positioned on the end effector 250 positioned in the transfer chamber 200b. At this time, the donor film 280 includes a base substrate, a magnetic layer, a light-heat conversion layer, an intermediate layer, and a transfer layer.

前述したように、前記磁性層をドナーフィルム２８０に挿入させることで、前記アクセプタ基板２７０上部に位置される時、前記基板２７０一面に形成された永久磁石層２６０と相互磁気的引力を形成する。よって、ドナーフィルムとアクセプタ基板も磁力によって密着されるようにする効果がある。 As described above, the magnetic layer is inserted into the donor film 280 to form a mutual magnetic attractive force with the permanent magnet layer 260 formed on the entire surface of the substrate 270 when the magnetic layer is positioned on the acceptor substrate 270. Therefore, there is an effect that the donor film and the acceptor substrate are also brought into close contact by magnetic force.

<第３実施例>
本発明の第３実施例によるレーザ熱転写方法を説明するために、まず、移送チャンバ２００b内にロボット腕２４０とエンドエフェクタ２５０をローディングする。前記エンドエフェクタ２５０上に磁石層２６０と前記アクセプタ基板２７０を安着させる。前記磁石層２６０はFe、Ni、Cr、Fe_２O_３、Fe_３O_４、CoFe_２O_４及びその混合物で構成されるグループより選択される一つからなる。 <Third embodiment>
In order to describe the laser thermal transfer method according to the third embodiment of the present invention, first, the robot arm 240 and the end effector 250 are loaded into the transfer chamber 200b. The magnet layer 260 and the acceptor substrate 270 are seated on the end effector 250. The magnet layer 260 is made of one selected from the group consisting of Fe, Ni, Cr, Fe ₂ O ₃ , Fe ₃ O ₄ , CoFe ₂ O ₄ and mixtures thereof.

一方、前記エンドエフェクタ２５０を前記移送チャンバ２００b内に移送させた後、前記移送チャンバ２００b内に位置した前記エンドエフェクタ２５０上にドナーフィルム２８０が具備されたフィルムトレイ２８０aを位置させる。前記ドナーフィルム２８０は、基材基板、永久磁石層、光-熱変換層、中間層及び転写層を含む。
この時、前記永久磁石層は、前記アクセプタ基板の一面に形成された磁性層と互いに磁気力を形成させるために挿入される層であり、アルニコ磁石(Alnico Magnet)、フェライト磁石(Ferrite Magnet)、稀土類磁石、ゴム磁石、プラスチック磁石等が使用されうる。 Meanwhile, after the end effector 250 is transferred into the transfer chamber 200b, a film tray 280a provided with a donor film 280 is positioned on the end effector 250 positioned in the transfer chamber 200b. The donor film 280 includes a base substrate, a permanent magnet layer, a light-heat conversion layer, an intermediate layer, and a transfer layer.
At this time, the permanent magnet layer is a layer inserted in order to form a magnetic force with the magnetic layer formed on one surface of the acceptor substrate, Alnico Magnet, Ferrite Magnet, Rare earth magnets, rubber magnets, plastic magnets, etc. can be used.

前述したように、前記永久磁石層をドナーフィルム２８０に挿入させることで、前記アクセプタ基板２７０上部に位置される時、前記基板２７０一面に形成された磁性層２６０と相互磁気的引力を形成する。よって、ドナーフィルムとアクセプタ基板も磁力によって密着されるようにする効果がある。 As described above, the permanent magnet layer is inserted into the donor film 280 to form a mutual magnetic attractive force with the magnetic layer 260 formed on the entire surface of the acceptor substrate 270 when the permanent magnet layer is positioned on the acceptor substrate 270. Therefore, there is an effect that the donor film and the acceptor substrate are also brought into close contact by magnetic force.

図４は、本発明によるレーザ転写用ドナーフィルム構造の第１実施例を示した断面図である。
図４を参照すれば、前記ドナーフィルム２８０は、基材基板２８１、前記基材基板２８１の一面に位置する磁性を帯びる物質を含む光-熱変換層２８２、前記光-熱変換層２８２上に位置する中間層２８３と、前記中間層２８３上に位置する転写層２８４からなる。
説明の重複を避けるために、前記第１実施例と同じ構成要素である基材基板２８１、中間層２８３及び転写層２８４に対する具体的な説明は略する。 FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a first embodiment of a donor film structure for laser transfer according to the present invention.
Referring to FIG. 4, the donor film 280 is formed on the base substrate 281, the light-heat conversion layer 282 including a magnetic material located on one surface of the base substrate 281, and the light-heat conversion layer 282. The intermediate layer 283 is positioned, and the transfer layer 284 is positioned on the intermediate layer 283.
In order to avoid duplication of explanation, specific explanations of the base substrate 281, the intermediate layer 283, and the transfer layer 284, which are the same components as those in the first embodiment, are omitted.

前記基材基板２８１は、透明性高分子、例えば、ポリエチレンテレフタラート、ポリエステル、ポリアクリル、ポリエポキシ、ポリエチレンまたはポリスチレンからなり、これらに制限されない。 The base substrate 281 is made of a transparent polymer such as polyethylene terephthalate, polyester, polyacryl, polyepoxy, polyethylene, or polystyrene, but is not limited thereto.

前記磁性を帯びる物質を含む光-熱変換層２８２は、前記基材基板２８１上にパッド形態で所定間隔をおいて形成されうる。前記磁性を帯びる物質を含む光-熱変換層２８２は、磁石にくっつく一般的な物質からなり、例えば、鉄、ニッケル、クロム及びこれらの合金(Fe_２O_３、Fe_３O_４、CoFe_２O_４)または磁石にくっつくすべての無機・有機物質または磁性ナノ粒子の中で少なくとも一つの物質とこれらの複合層の中で一つを含んで形成されうる。前記磁性を帯びる物質を含む光-熱変換層２８２は、磁性を帯び、レーザビームを吸収して熱に変化させる役割をする。 The light-to-heat conversion layer 282 including the magnetic material may be formed on the base substrate 281 in a pad shape at a predetermined interval. The light-to-heat conversion layer 282 including the magnetic material is made of a general material that adheres to a magnet. For example, iron, nickel, chromium, and alloys thereof (Fe ₂ O ₃ , Fe ₃ O ₄ , CoFe ₂ O) are used. ₄ ) or at least one of all inorganic / organic materials or magnetic nanoparticles adhered to the magnet and one of these composite layers. The light-to-heat conversion layer 282 including the magnetic material is magnetic and serves to absorb the laser beam and change it into heat.

前記中間層２８３は、前記磁性物質を帯びる光-熱変換層２８２上にパッド形態で所定間隔を持って形成されうる。 The intermediate layer 283 may be formed in a pad shape with a predetermined interval on the light-heat conversion layer 282 bearing the magnetic material.

前記転写層２８４は、前記中間層２８３上に形成され、前記基板上にパターニング対象の層として、有機物質、例えば、高分子または低分子物質からなる。 The transfer layer 284 is formed on the intermediate layer 283 and is made of an organic material such as a polymer or a low molecular material as a patterning target layer on the substrate.

図５は、本発明によるレーザ転写用ドナーフィルム構造の第２実施例を示した断面図である。
図５を参照すれば、ドナーフィルム３８０は、基材基板３８１、前記基材基板３８１の一面に形成される前記磁性層３８２と、前記磁性層３８２上に形成される光-熱変換層３８３と、前記光-熱変換層３８３上に形成される中間層３８４と、前記中間層３８４上に形成される転写層３８５からなる。 FIG. 5 is a sectional view showing a second embodiment of the donor film structure for laser transfer according to the present invention.
Referring to FIG. 5, the donor film 380 includes a base substrate 381, the magnetic layer 382 formed on one surface of the base substrate 381, and a light-heat conversion layer 383 formed on the magnetic layer 382. The intermediate layer 384 formed on the light-heat conversion layer 383 and the transfer layer 385 formed on the intermediate layer 384.

前記基材基板３８１は、透明性高分子、例えば、ポリエチレン、テレフタレート、ポリエステル、ポリアクリル、ポリエポキシ、ポリエチレンまたはポリスチレンからなり、これらに制限されない。 The base substrate 381 is made of a transparent polymer such as polyethylene, terephthalate, polyester, polyacryl, polyepoxy, polyethylene, or polystyrene, but is not limited thereto.

前記磁性層３８２は、前記基材基板３８１上にパッド形態で所定間隔をおいて形成されうる。前記磁性層３８２は、磁石にくっつく一般的な物質からなり、例えば、鉄、ニッケル、クロム及びこれらの合金(Fe_３O_４、CoFeO_４、MnFeO_４)または磁石にくっつくすべての無機・有機物質の中で少なくとも一つの物質からなる。 The magnetic layer 382 may be formed on the base substrate 381 in a pad shape at a predetermined interval. The magnetic layer 382 is made of a general material that adheres to a magnet. For example, iron, nickel, chromium, and their alloys (Fe ₃ O ₄ , CoFeO ₄ , MnFeO ₄ ), or all inorganic and organic materials that adhere to a magnet. It consists of at least one substance.

前記光-熱変換層３８３は、磁性層３８２上にパッド形態で所定間隔をおいて形成されうる。前記光-熱変換層３８３は、有機膜、金属及びこれらの複合層の中で一つからなることができるし、レーザビームを吸収して熱に変化させる役割をする。 The light-heat conversion layer 383 may be formed on the magnetic layer 382 in the form of a pad with a predetermined interval. The light-heat conversion layer 383 may be formed of one of an organic film, a metal, and a composite layer thereof, and serves to absorb a laser beam and change it into heat.

前記中間層３８４は、前記光-熱変換層３８３上にパッド形態で所定間隔をおいて形成されうる。前記中間層３８４は、無機物質または有機物質の中で一つからなる。前記中間層３８４は、前記光-熱変換層３８３を保護するためのもので、高い熱抵抗を有することが好ましい。 The intermediate layer 384 may be formed on the light-heat conversion layer 383 in a pad shape at a predetermined interval. The intermediate layer 384 is made of one of an inorganic material and an organic material. The intermediate layer 384 is for protecting the light-heat conversion layer 383 and preferably has a high thermal resistance.

前記転写層３８５は、前記中間層３８４上に形成され、前記基板上にパターニング対象の層として、有機物質、例えば、高分子または低分子物質からなる。 The transfer layer 385 is formed on the intermediate layer 384 and is made of an organic material such as a polymer or a low molecular material as a layer to be patterned on the substrate.

図６は、本発明によるレーザ転写用ドナーフィルム構造の第３実施例を示した断面図である。
図６を参照すれば、前記ドナーフィルム４８０は、基材基板４８１、前記基材基板４８１の一面に位置する光-熱変換層４８２、前記光-熱変換層４８２上に位置する磁性層４８３と、前記磁性層４８３上に位置する中間層４８４と、前記中間層４８４上に位置する転写層４８５からなる。
説明の重複を避けるため、前記第１実施例と同じ構成要素である基材基板４８１、光-熱変換層４８２、転写層４８５に対する具体的な説明は略する。 FIG. 6 is a sectional view showing a third embodiment of the donor film structure for laser transfer according to the present invention.
Referring to FIG. 6, the donor film 480 includes a base substrate 481, a light-heat conversion layer 482 positioned on one surface of the base substrate 481, and a magnetic layer 483 positioned on the light-heat conversion layer 482. And an intermediate layer 484 positioned on the magnetic layer 483 and a transfer layer 485 positioned on the intermediate layer 484.
In order to avoid duplication of description, detailed explanations of the base substrate 481, the light-heat conversion layer 482, and the transfer layer 485, which are the same components as those in the first embodiment, are omitted.

前記基材基板４８１は、透明性高分子、例えば、ポリエチレン、テレフタレート、ポリエステル、ポリアクリル、ポリエポキシ、ポリエチレンまたはポリスチレンからなり、これらに制限されない。 The base substrate 481 is made of a transparent polymer such as polyethylene, terephthalate, polyester, polyacryl, polyepoxy, polyethylene, or polystyrene, but is not limited thereto.

前記光-熱変換層４８２は、基材基板４８１にパッド形態で所定間隔をおいて形成されうる。
前記磁性層４８３は、前記光-熱変換層４８２上にパッド形態で所定間隔をおいて形成されうる。前記磁性層４８３は、磁石にくっつく一般的な物質からなり、例えば、鉄、ニッケル、クロム及びこれらの合金(Fe_３O_４、CoFeO_４、MnFeO_４)または磁石にくっつくすべての無機・有機物質の中で少なくとも一つの物質からなる。 The light-heat conversion layer 482 may be formed on the base substrate 481 in a pad shape with a predetermined interval.
The magnetic layer 483 may be formed on the light-heat conversion layer 482 in a pad shape at a predetermined interval. The magnetic layer 483 is made of a general material that adheres to a magnet. For example, iron, nickel, chromium, and alloys thereof (Fe ₃ O ₄ , CoFeO ₄ , MnFeO ₄ ) or all inorganic and organic materials that adhere to a magnet. It consists of at least one substance.

前記中間層４８４は、前記磁性層４８３上にパッド形態で所定間隔をおいて形成されうる。前記中間層４８４は、転写パターンの特性が向上されるように前記転写層４８５との転写力を制御する役割をする。 The intermediate layer 484 may be formed on the magnetic layer 483 in a pad shape at a predetermined interval. The intermediate layer 484 serves to control the transfer force with the transfer layer 485 so that the characteristics of the transfer pattern are improved.

前記転写層４８５は、前記中問層４８４上に形成され、前記基板上にパターニングしようとする層として、有機物質、例えば、高分子または低分子物質からなる。 The transfer layer 485 is formed on the intermediate layer 484 and is made of an organic material such as a polymer or a low molecular material as a layer to be patterned on the substrate.

前記実施例で磁性層２８２、３８２、４８３は、基材基板３８１の一面、光-熱変換層４８２の一面及び光-熱変換層２８２に含んで形成されたが、前記磁性層は、これの位置に限定されず、基材基板、光-熱変換層及び中間層の少なくとも一側に形成されうることは勿論であり、磁性を帯びる物質を含む基材基板を形成することができることは勿論である。ただし、転写層一面及び他面に磁性層を形成する場合、転写層の特性が変化されうることがあり、転写層一面及び他面には磁性層を形成しない。 In the embodiment, the magnetic layers 282, 382, and 483 are formed so as to be included in one surface of the base substrate 381, one surface of the light-heat conversion layer 482, and the light-heat conversion layer 282. Of course, it is not limited to the position, and it can be formed on at least one side of the base substrate, the light-heat conversion layer and the intermediate layer, and of course, a base substrate containing a magnetic substance can be formed. is there. However, when the magnetic layer is formed on one side and the other side of the transfer layer, the characteristics of the transfer layer may be changed, and the magnetic layer is not formed on the one side and the other side of the transfer layer.

図７aないし図７eは、本発明の他の実施例によるドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造工程を順次示した断面図である。 7a to 7e are cross-sectional views sequentially illustrating a manufacturing process of an organic electroluminescent device using a donor film according to another embodiment of the present invention.

まず、図７aに示されたように、前記基板５００下部に前記電磁石層５１０を形成する。前記基板５００の一領域上に前記第１電極層５２０が形成される。前記画素規定膜５３０は、前記第１電極層５２０上に形成されて、前記基板５００上に前記第１電極層５２０を少なくとも部分的に露出させる開口部５４０を含む。前記画素規定膜５３０は、５００Åないし３０００Åの範囲厚さで形成される。 First, as shown in FIG. 7 a, the electromagnet layer 510 is formed under the substrate 500. The first electrode layer 520 is formed on a region of the substrate 500. The pixel defining layer 530 includes an opening 540 that is formed on the first electrode layer 520 and at least partially exposes the first electrode layer 520 on the substrate 500. The pixel defining layer 530 is formed with a thickness ranging from 500 to 3000 mm.

そして、図７bに示されたように、前記基板５００上にドナーフィルム５５０を位置させる。前記ドナーフィルム５５０と前記基板５００の間に密着が良いほど後続転写工程での転写效率が向上するので、前記ドナーフィルム５５０の転写層５５５を前記基板５００上によく密着されるようにラミネーションすることが好ましい。 Then, as shown in FIG. 7 b, a donor film 550 is positioned on the substrate 500. As the adhesion between the donor film 550 and the substrate 500 is improved, the transfer efficiency in the subsequent transfer process is improved. Therefore, the transfer layer 555 of the donor film 550 is laminated so as to be closely adhered to the substrate 500. Is preferred.

次に、図７cに示されたように、前記基板５００上に転写される領域に前記ドナーフィルム５５０の上部に局部的に選択された画素領域にレーザを照射する。
前記ドナーフィルム５５０の選択された画素領域上にレーザが照射されれば、前記光-熱変換層５５３が膨脹するにつれて前記転写層５５５が膨脹されつつ前記ドナーフィルム５５０の基材基板５５１から分離して有機電界発光素子の基板５００に転写される。この時、前記電磁石層５１０に形成された電気配線(図示せず)に電力を印加させる。これによって、前記磁性層５５２と前記電磁石層５１０の間に磁気力が作用されることで、前記転写層５５５の転写特性をさらに高めることができる。 Next, as shown in FIG. 7 c, a region of the pixel transferred locally on the substrate 500 is irradiated with a laser on the region to be transferred onto the substrate 500.
When the selected pixel region of the donor film 550 is irradiated with laser, the transfer layer 555 is expanded as the light-heat conversion layer 553 expands, and the donor film 550 is separated from the base substrate 551. And transferred to the substrate 500 of the organic electroluminescent element. At this time, electric power is applied to electrical wiring (not shown) formed on the electromagnet layer 510. Accordingly, a magnetic force is applied between the magnetic layer 552 and the electromagnet layer 510, so that the transfer characteristics of the transfer layer 555 can be further enhanced.

次に、図７dのように、前記基板５００上に前記転写層５５５aが転写されれば、前記ドナーフィルム５５０と前記基板５００を分離させる。前記分離した基板５００上には前記開口部５４０に沿って前記転写層５５５aが転写され、前記ドナーフィルム５５０下部の前記転写層５５５a中レーザが照射された領域の前記転写層５５５aのみ転写され、レーザが照射されない領域の前記転写層５５５bは、前記ドナーフィルム５４０上にそのまま残るようになる。 Next, as shown in FIG. 7d, when the transfer layer 555a is transferred onto the substrate 500, the donor film 550 and the substrate 500 are separated. The transfer layer 555a is transferred along the opening 540 onto the separated substrate 500, and only the transfer layer 555a in the region irradiated with the laser in the transfer layer 555a below the donor film 550 is transferred. The transfer layer 555b in the region not irradiated with is left as it is on the donor film 540.

以後、図７eのように、前記転写層５５５aが転写された後、前記転写層５５５a上に第２電極層５６０を形成する。また、前記基板５００と対向される位置に前記封止カバー５８０が形成される。前記封止カバー５８０の内側面、すなわち、前記基板５００の積層物と対向される位置に前記吸湿剤５７０が形成される。 Thereafter, as shown in FIG. 7e, after the transfer layer 555a is transferred, a second electrode layer 560 is formed on the transfer layer 555a. Further, the sealing cover 580 is formed at a position facing the substrate 500. The hygroscopic agent 570 is formed on the inner surface of the sealing cover 580, that is, at a position facing the laminate of the substrate 500.

前記吸湿剤５７０は、前記封止カバー５８０内に形成された水気及び酸素を吸収することができる。これによって、有機電界発光表示素子の有機層が水気などによって損傷及び腐食されることを防止することができる。 The hygroscopic agent 570 can absorb moisture and oxygen formed in the sealing cover 580. Accordingly, it is possible to prevent the organic layer of the organic light emitting display element from being damaged or corroded by moisture or the like.

以上添付した図面を参照して本発明について詳細に説明したが、これは例示的なものに過ぎず、当該技術分野における通常の知識を有する者であれば、多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるということを理解することができる。 The present invention has been described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is only illustrative, and various modifications and other equivalent implementations may be made by those having ordinary skill in the art. It can be understood that the form is possible.

図１は、従来の技術によるレーザ熱転写方法を説明するための工程断面図である。FIG. 1 is a process cross-sectional view for explaining a conventional laser thermal transfer method. 図２aは、本発明の一側面によるレーザ熱転写方法を説明するための工程断面図である。FIG. 2A is a process cross-sectional view for explaining a laser thermal transfer method according to one aspect of the present invention. 図２ｂは、本発明の一側面によるレーザ熱転写方法を説明するための工程断面図である。FIG. 2B is a process cross-sectional view for explaining a laser thermal transfer method according to an aspect of the present invention. 図２ｃは、本発明の一側面によるレーザ熱転写方法を説明するための工程断面図である。FIG. 2C is a process cross-sectional view for explaining a laser thermal transfer method according to an aspect of the present invention. 図２ｄは、本発明の一側面によるレーザ熱転写方法を説明するための工程断面図である。FIG. 2D is a process cross-sectional view for explaining a laser thermal transfer method according to an aspect of the present invention. 図２ｅは、本発明の一側面によるレーザ熱転写方法を説明するための工程断面図である。FIG. 2E is a process cross-sectional view illustrating a laser thermal transfer method according to an aspect of the present invention. 図２ｆは、本発明の一側面によるレーザ熱転写方法を説明するための工程断面図である。FIG. 2f is a process cross-sectional view for explaining a laser thermal transfer method according to one aspect of the present invention. 図３は、レーザ熱転写方法を示すブロック図である。FIG. 3 is a block diagram showing a laser thermal transfer method. 図４は、本発明によるレーザ転写用ドナーフィルム構造の第１実施例を示した断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a first embodiment of a donor film structure for laser transfer according to the present invention. 図５は、本発明によるレーザ転写用ドナーフィルム構造の第２実施例を示した断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing a second embodiment of the donor film structure for laser transfer according to the present invention. 図６は、本発明によるレーザ転写用ドナーフィルム構造の第３実施例を示した断面図である。FIG. 6 is a sectional view showing a third embodiment of the donor film structure for laser transfer according to the present invention. 図７aは、本発明の他の実施例によるドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造工程を示した断面図である。FIG. 7a is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process of an organic electroluminescent device using a donor film according to another embodiment of the present invention. 図７ｂは、本発明の他の実施例によるドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造工程を示した断面図である。FIG. 7b is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process of an organic electroluminescent device using a donor film according to another embodiment of the present invention. 図７ｃは、本発明の他の実施例によるドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造工程を示した断面図である。FIG. 7c is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process of an organic electroluminescent device using a donor film according to another embodiment of the present invention. 図７ｄは、本発明の他の実施例によるドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造工程を示した断面図である。FIG. 7d is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process of an organic electroluminescent device using a donor film according to another embodiment of the present invention. 図７ｅは、本発明の他の実施例によるドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造工程を示した断面図である。FIG. 7e is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process of an organic electroluminescent device using a donor film according to another embodiment of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

２１０ドナーフィルム支持台
２２０基板支持台
２３０基板ステージ
２６０電磁石層
２７０アクセプタ基板
２８０ドナーフィルム
２９０レーザオシレータ 210 Donor film support base 220 Substrate support base 230 Substrate stage 260 Electromagnet layer 270 Acceptor substrate 280 Donor film 290 Laser oscillator

Claims

チャンバ内の基板ステージ上にアクセプタ基板を位置させる段階と、
前記アクセプタ基板の少なくとも一面に電磁石層を積層する段階と、
前記アクセプタ基板の他面に、少なくとも光-熱変換層、転写層及び磁性層が積層されたドナーフィルムを位置させる段階と、
前記ドナーフィルムを前記アクセプタ基板上にラミネーションする段階と、
前記ドナーフィルム上にレーザビームを照射して前記転写層の少なくとも一部をアクセプタ基板上に転写させる段階と、
を含み、
前記磁性層は、前記ドナーフィルムの一面全体に積層される
ことを特徴とするレーザ熱転写方法。 Positioning an acceptor substrate on a substrate stage in a chamber;
Laminating an electromagnet layer on at least one surface of the acceptor substrate;
Positioning a donor film having at least a light-heat conversion layer, a transfer layer, and a magnetic layer laminated on the other surface of the acceptor substrate;
Laminating the donor film onto the acceptor substrate;
Irradiating the donor film with a laser beam to transfer at least a portion of the transfer layer onto the acceptor substrate;
Only including,
The laser thermal transfer method , wherein the magnetic layer is laminated on the entire surface of the donor film .

前記磁性層は、
Fe、Ni、Cr、Fe_２O_３、Fe_３O_４、CoFe_２O_４及びその混合物で構成されるグループより選択されるいずれかひとつであることを特徴とする請求項１に記載のレーザ熱転写方法。 The magnetic layer is
_2. The laser thermal transfer according to claim 1, wherein the laser thermal transfer is any one selected from the group consisting of Fe, Ni, Cr, Fe ₂ O ₃ , Fe ₃ O ₄ , CoFe ₂ O ₄ and a mixture thereof. Method.

前記チャンバは、
真空チャンバであることを特徴とする請求項１に記載のレーザ熱転写方法。 The chamber is
The laser thermal transfer method according to claim 1, wherein the laser thermal transfer method is a vacuum chamber.

前記ドナーフィルムは、
基材基板と、
前記基材基板上に形成される磁性層と、
前記磁性層上に形成される光-熱変換層と、
前記光-熱変換層上に形成される転写層と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載のレーザ熱転写方法。 The donor film is
A base substrate;
A magnetic layer formed on the base substrate;
A light-to-heat conversion layer formed on the magnetic layer;
A transfer layer formed on the light-heat conversion layer;
The laser thermal transfer method according to claim 1, comprising:

前記光-熱変換層は、
磁性物質をさらに含むことを特徴とする請求項４に記載のレーザ熱転写方法。 The light-to-heat conversion layer is
5. The laser thermal transfer method according to claim 4, further comprising a magnetic substance.

アクセプタ基板の少なくとも一面に電磁石層を積層する段階と、
前記アクセプタ基板上に第１電極層を形成する段階と、
前記第１電極層上に形成され、前記第１電極層の一領域が部分的に露出するように開口部を持つ画素規定膜を形成する段階と、
前記第１電極層と前記画素規定膜上にレーザ熱転写方法によって、磁性層が積層されたドナーフィルムの転写層が転写される段階と、
前記転写層と前記画素規定膜上に第２電極層を形成する段階と、
を含み、
前記磁性層は、前記ドナーフィルムの一面全体に積層される
ドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造方法。 Laminating an electromagnet layer on at least one surface of the acceptor substrate;
Forming a first electrode layer on the acceptor substrate;
Forming a pixel defining layer formed on the first electrode layer and having an opening so that a region of the first electrode layer is partially exposed;
A transfer layer of a donor film having a magnetic layer laminated thereon is transferred onto the first electrode layer and the pixel defining film by a laser thermal transfer method;
Forming a second electrode layer on the transfer layer and the pixel defining layer;
Only including,
The method for manufacturing an organic electroluminescent element using a donor film, wherein the magnetic layer is laminated on the entire surface of the donor film.

チャンバ内の基板ステージ上に基板を位置させる段階と、
前記基板の少なくとも一面に永久磁石層を形成する段階と、
前記基板の他面に、少なくとも光-熱変換層、転写層及び磁性層が積層されたドナーフィルムを位置させる段階と、
前記ドナーフィルムを前記基板上にラミネーションする段階と、
前記ドナーフィルム上にレーザビームを照射して前記転写層の少なくとも一部を基板上に転写させる段階と、
を含み、
前記磁性層は、前記ドナーフィルムの一面全体に積層される
ことを特徴とするレーザ熱転写方法。 Positioning a substrate on a substrate stage in a chamber;
Forming a permanent magnet layer on at least one surface of the substrate;
Positioning a donor film having at least a light-to-heat conversion layer, a transfer layer, and a magnetic layer laminated on the other surface of the substrate;
Laminating the donor film onto the substrate;
Irradiating the donor film with a laser beam to transfer at least a portion of the transfer layer onto the substrate;
Only including,
The laser thermal transfer method , wherein the magnetic layer is laminated on the entire surface of the donor film .

前記磁性層と前記永久磁石層の間に磁気力が作用することを特徴とする請求項７に記載のレーザ熱転写方法。 The laser thermal transfer method according to claim 7, wherein a magnetic force acts between the magnetic layer and the permanent magnet layer.

前記永久磁石層は、
少なくとも一つの棒または円筒形状で形成されることを特徴とする請求項７に記載のレーザ熱転写方法。 The permanent magnet layer is
8. The laser thermal transfer method according to claim 7, wherein the laser thermal transfer method is formed in at least one rod or cylindrical shape.

前記永久磁石層は、
磁性ナノパーティクルからなることを特徴とする請求項７に記載のレーザ熱転写方法。 The permanent magnet layer is
The laser thermal transfer method according to claim 7, comprising magnetic nanoparticles.

前記磁性層は、
Fe、Ni、Cr、Fe_２O_３、Fe_３O_４、CoFe_２O_４及びその混合物で構成されるグループより選択されるいずれかひとつであることを特徴とする請求項７に記載のレーザ熱転写方法。 The magnetic layer is
The laser thermal transfer according to claim 7, wherein the laser thermal transfer is any one selected from the group consisting of Fe, Ni, Cr, Fe ₂ O ₃ , Fe ₃ O ₄ , CoFe ₂ O ₄ and mixtures thereof. Method.

前記チャンバは、
真空チャンバであることを特徴とする請求項７に記載のレーザ熱転写方法。 The chamber is
The laser thermal transfer method according to claim 7, wherein the laser thermal transfer method is a vacuum chamber.

前記ドナーフィルムは、
基材基板と、
前記基材基板上に形成される磁性層と、
前記磁性層上に形成される光-熱変換層と、
前記光-熱変換層上に形成される転写層と、
を含むことを特徴とする請求項７に記載のレーザ熱転写方法。 The donor film is
A base substrate;
A magnetic layer formed on the base substrate;
A light-to-heat conversion layer formed on the magnetic layer;
A transfer layer formed on the light-heat conversion layer;
The laser thermal transfer method according to claim 7, comprising:

前記光-熱変換層は、
磁性物質をさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載のレーザ熱転写方法。 The light-to-heat conversion layer is
The laser thermal transfer method according to claim 13, further comprising a magnetic substance.

基板の少なくとも一面に永久磁石層を形成する段階と、
前記基板上に第１電極層を形成する段階と、
前記第１電極層上に形成され、
前記第１電極層の一領域が部分的に露出するように開口部を持つ画素規定膜を形成する段階と、
前記第１電極層と前記画素規定膜上にレーザ熱転写方法によって、磁性層が積層されたドナーフィルムの転写層が転写される段階と、
前記転写層と前記画素規定膜上に第２電極層を形成する段階と、
を含み、
前記磁性層は、前記ドナーフィルムの一面全体に積層される
ことを特徴とするドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造方法。 Forming a permanent magnet layer on at least one surface of the substrate;
Forming a first electrode layer on the substrate;
Formed on the first electrode layer;
Forming a pixel defining layer having an opening so that a region of the first electrode layer is partially exposed;
A step of transferring a transfer layer of a donor film in which a magnetic layer is laminated on the first electrode layer and the pixel defining film by a laser thermal transfer method;
Forming a second electrode layer on the transfer layer and the pixel defining layer;
Only including,
The method for manufacturing an organic electroluminescent element using a donor film, wherein the magnetic layer is laminated on the entire surface of the donor film.

チャンバ内の基板ステージ上にアクセプタ基板を位置させる段階と、
前記アクセプタ基板の少なくとも一面に磁性層を形成する段階と、
前記アクセプタ基板の他面に、少なくとも光-熱変換層、転写層及び永久磁石層が積層されたドナーフィルムを位置させる段階と、
前記ドナーフィルムを前記アクセプタ基板上にラミネーションする段階と、
前記ドナーフィルム上にレーザビームを照射して前記転写層の少なくとも一部をアクセプタ基板上に転写させる段階と、
を含み、
前記磁性層は、前記ドナーフィルムの一面全体に積層される
ことを特徴とするレーザ熱転写方法。 Positioning an acceptor substrate on a substrate stage in a chamber;
Forming a magnetic layer on at least one surface of the acceptor substrate;
Positioning a donor film having at least a light-heat conversion layer, a transfer layer, and a permanent magnet layer laminated on the other surface of the acceptor substrate;
Laminating the donor film onto the acceptor substrate;
Irradiating the donor film with a laser beam to transfer at least a portion of the transfer layer onto the acceptor substrate;
Only including,
The laser thermal transfer method , wherein the magnetic layer is laminated on the entire surface of the donor film .

前記磁性層は、
Fe、Ni、Cr、Fe_２O_３、Fe_３O_４、CoFe_２O_４及びその混合物で構成されるグループより
選択されるいずれかひとつであることを特徴とする請求項１６に記載のレーザ熱転写方法。 The magnetic layer is
LITI according to claim 16, Fe, Ni, Cr, characterized in that one one selected from the group consisting of _{_{_{Fe 2 O 3, Fe 3 O}}} 4, CoFe 2 O 4 and mixtures thereof Method.

前記チャンバは、
真空チャンバであることを特徴とする請求項１６に記載のレーザ熱転写方法。 The chamber is
The laser thermal transfer method according to claim 16, wherein the laser thermal transfer method is a vacuum chamber.

前記ドナーフィルムは、
基材基板と、
前記基材基板上に形成される永久磁石層と、
前記磁性層上に形成される光-熱変換層と、
前記光-熱変換層上に形成される転写層を含むことを特徴とする請求項１６に記載のレーザ熱転写方法。 The donor film is
A base substrate;
A permanent magnet layer formed on the base substrate;
A light-to-heat conversion layer formed on the magnetic layer;
The laser thermal transfer method according to claim 16, further comprising a transfer layer formed on the light-heat conversion layer.

前記永久磁石層を基材基板または光-熱変換層内部に永久磁石層ナノ粒子の形態で形成することを特徴とする請求項１９に記載のレーザ熱転写方法。 20. The laser thermal transfer method according to claim 19, wherein the permanent magnet layer is formed in the form of permanent magnet layer nanoparticles inside the base substrate or the light-heat conversion layer.

アクセプタ基板の少なくとも一面に磁性層を形成する段階と、
前記アクセプタ基板上に第１電極層を形成する段階と、
前記第１電極層上に形成され、
前記第１電極層の一領域が部分的に露出するように開口部を持つ画素規定膜を形成する段階と、
前記第１電極層と前記画素規定膜上にレーザ熱転写方法によって、永久磁石層が積層されたドナーフィルムの転写層が転写される段階と、
前記転写層と前記画素規定膜上に第２電極層を形成する段階と、
を含み、
前記磁性層は、前記ドナーフィルムの一面全体に積層される
ことを特徴とするドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造方法。 Forming a magnetic layer on at least one surface of the acceptor substrate;
Forming a first electrode layer on the acceptor substrate;
Formed on the first electrode layer;
Forming a pixel defining layer having an opening so that a region of the first electrode layer is partially exposed;
A step of transferring a transfer layer of a donor film in which a permanent magnet layer is laminated on the first electrode layer and the pixel defining film by a laser thermal transfer method;
Forming a second electrode layer on the transfer layer and the pixel defining layer;
Only including,
The method for manufacturing an organic electroluminescent element using a donor film, wherein the magnetic layer is laminated on the entire surface of the donor film.