JP4640222B2 - インクジェットヘッドの製造方法 - Google Patents
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Description
基板上に液相法又は気相法を用いて前記アクチュエーターを形成し、上部構造体を製造する工程と、
前記基板から前記上部構造体を分離する工程と、
前記基板とは別に、圧力室を有する下部構造体を金属ガラスによって形成する工程と、
前記上部構造体と前記下部構造体とを接合する工程と、を備えたことを特徴としている。
すなわち、シリコン基板上にアクチュエーターやこれに接続する配線などを直接形成し、さらに同一のシリコン基板に圧力室も形成する従来法では、多くの工程を経てアクチュエーターや配線などを形成した後、圧力室を形成した際に、例えば異物や欠陥等に起因してこの圧力室に不良が発生すると、その上に形成された正常なアクチュエーターや配線なども、結果的に不良品の一部となってしまう。したがって、この正常なアクチュエーターや配線などは、最終的な製品に供されることができなくなり、そのため歩留まりが大きく低下し、製造コストの低減化が妨げられていた。
これに対し、本発明によれば、前述したように良品と判定された正常な上部構造体は、同じく良品と判定された下部構造体と接合されるようになるので、正常であるにもかかわらず不良品となってしまうといった不都合がなく、したがって、前述したように前記ヘッド用チップの良品率(歩留まり)が上がり、その絶対数も十分に確保できることにより、製造コストの低減化が可能になる。
また、下部構造体を金属ガラスによって形成しているので、例えば従来のようにシリコンウエハから形成する場合に比べ、加工バラツキなどが少なく、したがって良品率が高くなる。また、高価なシリコンに比べて安価であることから、材料コストの低減化が図れる。
また、高温プロセスを含むインクジェットヘッドの上部構造体の製造工程と、低温プロセスからなる下部構造体の形成工程とを、連続させることなく別にしているので、工程管理が容易になり、したがって生産性の向上を図ることが可能になる。
このようにすれば、シリコン基板を用いることで比較的容易にしかも高精度にシリコン型を形成することができるため、このシリコン型から下部構造体をより容易にかつ高精度に形成することができる。
このようにすれば、シリコンからレプリカを作製するため、レプリカを高精度に形成することができる。したがって、このレプリカを基に形成した金属型も高精度になることから、この金属型から下部構造体をより高精度に形成することができる。また、金属型は例えばシリコンからなる型などに比べて耐久性が高いため、量産性に優れたものとなる。
このようにすれば、圧力室の内壁面を構成する面も酸化膜となるため、より化学的に安定になることで耐薬品性などが向上し、種々のインクに対して良好な耐性を有するようになる。
下部構造体の形状が複雑になっても、該下部構造体を複数の部材にして形成し、これら部材を組み立てることで下部構造体を得るため、個々の部材については比較的単調な形状にすることで、複雑な形状の下部構造体の製造を比較的容易にすることができる。
圧電体素子でアクチュエーターを構成することにより、インクの吐出駆動を精度良く行わせることができるうえ、バブル方式に比べ、高速駆動も可能となる。
特に基板上への圧電体素子の形成には高温の熱処理プロセスが必要であるため、、基板としては十分な耐熱性が必要になるが、シリコン基板を用いることで、耐熱性についての要件を満たすことになる。また、アクチュエーターの形成などを半導体プロセスによって行う場合にも、基板のサイズの選択肢が広く大型の基板(12inch)も用意可能であることや、既存の半導体プロセス装置をそのまま利用できることなどから、有利になる。
このようにすれば、金属ガラス材料を適宜に調整することにより、上部構造体との接合性を高めることができる。
基板上に液相法又は気相法によって前記アクチュエーターが形成され、さらに前記基板から分離されたことで得られる上部構造体と、前記基板とは別に、金属ガラスにより圧力室を有して形成された下部構造体とが、一体に接合されてなることを特徴としている。
また、下部構造体が金属ガラスによって形成されているので、例えば従来のようにシリコンウエハから形成される場合に比べ、加工バラツキなどが少なく、したがって良品率が高くなる。また、高価なシリコンに比べて安価であることから、材料コストの低減化が図れる。
まず、本発明のインクジェットヘッドの一実施形態について説明する。
図1は、インクジェットヘッドの一実施形態の要部、すなわちヘッド用チップの要部を示す図であり、図1中符号1はインクジェットヘッドである。このインクジェットヘッド1は、インクジェット式プリンターなどに用いられるもので、インクを貯留する圧力室2と、該圧力室2に貯留されたインクを吐出するためのノズル3と、前記圧力室2の内圧を変化させ、前記ノズル3から該圧力室2内のインクを吐出させるためのアクチュエーター4と、を備えて構成されたものである。
また、このような圧力室2は、インクジェットヘッド1の底面側を示す斜視図である図2に示すように、二列に整列した状態で多数配設されており、その底面側がノズルプレート9によって覆われ、閉じられている。ノズルプレート9に形成された多数のノズル3は、それぞれ圧力室2内に連通する位置に配置され、かつ二列に整列した状態で配置されている。
なお、図2では、簡略化して圧力室2を12個×2列で示したが、実際には、前述したように多数のアクチュエーター4に対応して、圧力室2も多数個形成されている。また、本実施形態では2列で示しているが、必ずしも2列である必要はない。一列内で必要なノズル数、チップサイズ、必要な総ノズル数等を考慮し、都度適当な列数にすればよい。一般に列数を減らし、チップサイズを小型化すればアクチュエーターや圧力室の歩留まりは向上するが、ヘッドにチップを組み込む工程での煩雑さは増える。
このようにして圧力室2内の容積が増大し、内圧が低下すると、連通部7を介して接続するリザーバ(図示せず)内にインクが充填されている場合には、増大した容積分に相当するインクが、リザーバから連通部7を介して圧力室2内に流入する。
なお、前記リザーバには、前述したようにインクジェットヘッド1とは別に設けられたインクタンク(図示せず)より、チューブ(図示せず)を介してインクが供給されるようになっている。
本発明が特に従来の製造方法と異なるところは、半導体プロセスにより下部構造体5と上部構造体6とを別個に形成し、特にそれぞれ良品として判定されたものどうしを接合することにより、良品としてのインクジェットヘッド1を得る点にある。
また、本実施形態では下部電極11として白金を用いているが、Irなどの金属や導電性酸化物電極、例えばSrRuO3やLaNiO3などでもよい。下部電極11には電極としての機能の他に、上部に形成する圧電体膜12の配向制御の機能も必要である。特に(100)配向させたペロブスカイト構造の酸化物電極は、PZT(圧電体膜12)の配向制御にもっとも都合がよい。
次いで、下部電極11上に、図3(d)に示すようにゾルゲル法等の液相法によってPZTからなる圧電体層12aを形成する。ここで、ゾルゲル法による圧電体層12aの形成方法としては、まず、PZTを構成する金属元素、すなわちPb、Zr、Tiを含有する化合物、例えばアルコキシド等の有機化合物を溶媒(分散媒)に溶解(分散)し、得られた溶液(分散液)を公知の塗布法で前記下部電極11上に配し、その後、焼成することによって圧電体層12aを得る、といった手法が採用される。なお、ゾルゲル法以外の手法として、例えばスパッタ法やCVD法、MOCVD法等の気相法や水熱合成法のような液相プロセスにより、圧電体層12aを形成するようにしてもよい。
このようにして下部電極11上に圧電体層12a及び上部電極層13aを形成したら、公知のレジスト技術、露光・現像技術によってレジストパターン(図示せず)を形成する。そして、このレジストパターンをマスクにして反応性イオンエッチング(RIE)等のドライエッチングを行い、上部電極層13a及び圧電体層12aをパターニングすることにより、図4(b)に示すように上部電極13及び圧電体膜12を形成する。これにより、圧電体素子からなるアクチュエーター4が得られる。
次いで、レジストパターン(図示せず)を形成し、このレジストパターンをマスクにして前記保護膜14をエッチングすることにより、図4(d)に示すように前記上部電極13に通じるコンタクトホール16を形成する。
次いで、必要に応じて前記配線15を覆う層間絶縁膜等(図示せず)を形成し、さらにシリコン基板20上の全面に、図6(c)に示すように封止板17を接着等により貼設する。これにより、シリコン基板20上には、図5に示した各チップ領域21毎に、上部構造体6が形成される。
このようにして各チップ単位の上部構造体6を得たら、先に行った電気特性や外観についての検査結果より、良品と判定されたものを選別し、次工程に供するようにする。
この方法では、まず、半導体プロセスに用いられるシリコン加工技術やMEMSなどによってシリコン基板を加工し、図8(a)に示すように下部構造体形成用のシリコン型30を形成する。すなわち、シリコン基板の一方の側を加工することにより、下部構造体の形状に対応するキャビティ31を形成し、これによってシリコン型30を得る。ここで、シリコンは加工が容易でしかも高精度の加工が可能であることから、シリコン型30を容易にかつ高精度に作製することができる。
この金属ガラスの液状物32の調整(作製)方法としては、例えば以下に示す二つの方法が挙げられる。
第1の方法では、加水分解可能な有機金属化合物を、水と有機溶媒とからなる反応液中において、ホウ素イオンの存在下にハロゲンイオンを触媒とし、pHを4.5〜5.0に調整しながら加水分解、脱水縮合させる。これにより、金属ガラス硬化体の前駆体である液状物32が得られる。
このようにして調整した液状物32は、例えば200℃以下の温度で加熱しガラス化させることにより、硬化した金属ガラス、すなわち金属ガラスの硬化体となる。
なお、このようにして得られる金属ガラスの硬化体としては、Pd、Cu、Si、Al、Zr、希土類、Ti、Fe、Mg、Ni、Co、Caの少なくとも一種を主成分もしくは添加成分としているのが望ましい。
このようにして得られた金属ガラスの液状物32は、常温では液体の状態に保持される。そして、例えば200℃以下の比較的低温による加熱により硬化し、硬化後ガラス質を示す材料となる。このようにして得られたガラス質材料は、樹脂材に比べて耐光性、耐湿性、及び耐熱性に優れ、十分な耐久性を有するものとなる。
この方法では、まず、半導体プロセスに用いられるシリコン加工技術やMEMSなどによってシリコンを加工し、図9(a)に示すように下部構造体5のレプリカ40を形成する。なお、図9(a)に示したレプリカ40では、その底面側に板状部41を形成し、この板状部41を下部構造体5に対応する部分より外側に張り出させておく。
次いで、電鋳法によって前記レプリカ40の表面を覆って金属型を形成する。すなわち、レプリカ40とその表面に形成した導電膜42を電鋳型とし、この電鋳型の前記導電膜42を陰極にして電解メッキを行い、電鋳型の外側にNi等の金属やその合金等を電着させる。これにより、図9(c)に示すように金属型43を形成する。
このようにすれば、下部構造体5の形状が複雑になっても、これを複数の構成部材にして形成し、さらに組み立てることで下部構造体5が得られるため、個々の部材については比較的単調な形状にすることで、複雑な形状の下部構造体5の製造を比較的容易にすることができる。
このようにして得られたインクジェットヘッド1は、インクジェット式のプリンターや、工業用のインクジェット装置などに用いられる。
また、高温プロセスを含むインクジェットヘッド1の上部構造体6の製造工程と、低温プロセスからなる下部構造体5の形成工程とを、連続させることなく別にしているので、工程管理が容易になり、したがって生産性の向上を図ることができる。
また、下部構造体5が金属ガラスによって形成されているので、例えば従来のようにシリコンウエハから形成される場合に比べ、加工バラツキなどが少なく、したがって良品率が高いものとなる。また、高価なシリコンに比べて安価であることから、材料コストも低減化されたものとなる。
また、下部構造体5の形成方法についても、金属ガラスで形成できれば、型成形法に限定されることなく、従来公知の種々の方法が採用可能である。
Claims (8)
- インクを貯留する圧力室と、該圧力室に設けられて前記インクを吐出するためのノズルと、前記圧力室の内圧を変化させ、前記ノズルから該圧力室内のインクを吐出させるためのアクチュエーターと、を具備してなるインクジェットヘッドの製造方法において、
基板上に前記アクチュエーターを形成し、上部構造体を製造する工程と、
前記基板から前記上部構造体を分離する工程と、
前記基板とは別に、圧力室を有する下部構造体を金属ガラスによって形成する工程と、
前記上部構造体と前記下部構造体とを接合する工程と、を備え、
前記下部構造体を形成する工程は、シリコンを加工することで下部構造体形成用のシリコン型を形成する工程と、前記シリコン型に、加水分解可能な有機金属化合物を加水分解し、さらに脱水縮合して得られた、金属ガラスの硬化体の前駆体である液状物を入れる工程と、前記液状物を硬化させて金属ガラスの硬化体を形成する工程と、前記金属ガラスの硬化体をシリコン型から離型することで下部構造体を形成する工程と、を含むことを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。 - インクを貯留する圧力室と、該圧力室に設けられて前記インクを吐出するためのノズルと、前記圧力室の内圧を変化させ、前記ノズルから該圧力室内のインクを吐出させるためのアクチュエーターと、を具備してなるインクジェットヘッドの製造方法において、
基板上に前記アクチュエーターを形成し、上部構造体を製造する工程と、
前記基板から前記上部構造体を分離する工程と、
前記基板とは別に、圧力室を有する下部構造体を金属ガラスによって形成する工程と、
前記上部構造体と前記下部構造体とを接合する工程と、を備え、
前記下部構造体を形成する工程は、シリコンを加工することで下部構造体のレプリカを形成する工程と、前記レプリカの表面に導電膜を形成する工程と、電鋳法によって前記レプリカの表面を覆って金属型を形成する工程と、前記金属型から前記レプリカを離型する工程と、前記金属型に、加水分解可能な有機金属化合物を加水分解し、さらに脱水縮合して得られた、金属ガラスの硬化体の前駆体である液状物を入れる工程と、前記液状物を硬化させて金属ガラスの硬化体を形成する工程と、前記金属ガラスの硬化体を金属型から離型することで下部構造体を形成する工程と、を含むことを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。 - 前記上部構造体を製造する工程では、基板上に液相法又は気相法を用いて前記アクチュエーターを形成することを特徴とする請求項1又は2に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
- 前記下部構造体を形成する工程では、得られた金属ガラスの硬化体からなる下部構造体の表層部を加熱酸化してその表面に酸化膜を形成する工程を、有していることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
- 前記下部構造体を形成する工程では、金属ガラスの硬化体によって下部構造体を構成する複数の部材を形成し、その後、該部材を組み立てることで下部構造体とすることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
- 前記アクチュエーターは、圧電体素子からなることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
- 前記基板は、シリコン基板であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
- 前記金属ガラスは、Pd、Cu、Si、Al、Zr、希土類、Ti、Fe、Mg、Ni、Co、Caの少なくとも一種を主成分もしくは添加成分としていることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003166044A (ja) * | 2001-11-29 | 2003-06-13 | Ykk Corp | ジルコニウム基非晶質合金の調色方法 |
JP2004001550A (ja) * | 2003-08-18 | 2004-01-08 | Seiko Epson Corp | インクジェット式記録ヘッド |
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Patent Citations (4)
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---|---|---|---|---|
JP2003166044A (ja) * | 2001-11-29 | 2003-06-13 | Ykk Corp | ジルコニウム基非晶質合金の調色方法 |
JP2004106197A (ja) * | 2002-09-13 | 2004-04-08 | Hitachi Koki Co Ltd | インクジェットヘッド |
JP2004001550A (ja) * | 2003-08-18 | 2004-01-08 | Seiko Epson Corp | インクジェット式記録ヘッド |
JP2006028604A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Ricoh Co Ltd | 微細形状転写方法、鋳型製作方法、鋳型表面処理法及び鋳型 |
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