JP4640006B2 - プラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、テレビやコンピュータなどの画像表示に用いられるプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと記す）の製造方法に関する。

図１０はＰＤＰの内部構造を示す部分断面斜視図である。ＰＤＰは、互いに対向して配置された前面板５０と背面板６０とを備えている。前面板５０は、前面ガラス板５１上に、対をなす表示電極５２、誘電体層５３、保護層５４が順に形成されている構造となっている。背面板６０は、ガラス板６１上に、表示電極５２と直交するアドレス電極６２、隔壁６３が順に形成され、隔壁６３間には、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）に発光する蛍光体層６４ａ、６４ｂ、６４ｃが塗布されている。前面板５０と背面板６０とが対向配置されて放電空間が形成されるとともに、表示電極５２とアドレス電極６２とが交差する放電空間に放電セルを形成している。放電空間には放電ガスが封入され、この放電ガスを電極間で放電させて紫外線を発生させ、その紫外線を蛍光体層６４ａ、６４ｂ、６４ｃに照射することによって、カラーの画像表示を行う。

このようなＰＤＰの重要な課題として、放電電圧を下げ、面放電の電力効率を高めることがある。それには誘電体層５３の表面の電界強度を高めることが効果的で、その手段として２つの方法がある。１つは表示電極５２対の配列間隔（面放電ギャップの寸法）を小さくする方法であり、ほかの１つは表示電極５２を覆う誘電体層５３の厚さを低減する方法である。しかし、前者では、表示電極５２どうしの間に加わる電界が過大となって、エレクトロマイグレーションによる電極破壊を生じるおそれがある。後者では、誘電体層５３が薄くなるにつれて、誘電体層５３を形成する際の塵の混入や気泡の発生に起因した絶縁破壊が生じやすくなるという課題がある。しかし、後者の方法によれば、放電セルの高精細化にともなって放電セル面積が減少した場合においても、表示電極５２間のコンデンサの容量を確保できるという利点があるため、後者の課題を解決するための様々な方式が検討されている。

図１１は従来のＰＤＰの前面板の構造を示す断面図であり、表示電極を覆う誘電体層の厚さを低減するために、誘電体層を異なる工程で形成された２層の誘電体層で構成した例である。図１１に示すように、前面ガラス板５１に表示電極５２が形成され、その上に第１の誘電体層５３ａと第２の誘電体層５３ｂよりなる誘電体層が形成されている。さらにその上に保護層５４が設けられている。これらの２層構成の誘電体層の例として、第１の誘電体層５３ａとしては、ポリシラザンから空気中で熱分解されたＳｉＯ_２層を設け、第２の誘電体層５３ｂとしては、誘電体ガラスまたはＣＶＤ法で作成されたＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３またはＳｉＯ_２とＡｌ_２Ｏ_３の化合物からなる誘電体ガラス層を設けた例が開示されている（例えば、特許文献１参照）。また、ほかの例として、第１の誘電体層５３ａとしては、平均粒径が０．１μｍ〜１．５μｍのガラス粉末をそのガラスの軟化点から２０℃以内の温度で焼成した誘電体ガラス下層として形成し、第２の誘電体層５３ｂとして、誘電体ガラス下層の軟化点より１００℃程度低い軟化点を有するガラスを用い、このガラスの軟化点より５０℃〜１００℃高い温度で焼成された誘電体ガラス上層を設けた例が開示されている（例えば、特許文献２参照）。さらにほかの例として、第１の誘電体層５３ａとしてＣＶＤ法で金属酸化物層を設け、第２の誘電体層５３ｂとして、誘電率εが１０以上のガラス材料を設けた例が開示されている（例えば、特許文献３参照）。
特開平１１−１９５３８２号公報 特開２００２−３５８８９４号公報 特開２００３−７２１７号公報

しかしながら、ＰＤＰの表示電極を覆う誘電体層に、異なる工程で形成された２層の誘電体層を設ける従来の製造方法や構成では以下に述べるような課題を有していた。

例えば、特許文献１に示す方法では、誘電体ガラス層をＣＶＤ法で形成した場合、形成工程で用いるＣＶＤ装置の容器内壁にもＳｉＯ_２などの誘電体膜が付着するため、処理を重ねると内壁に付着した誘電体膜がパーティクルとなって剥がれ、誘電体ガラス層中に異物が混入して絶縁耐圧などの品質を著しく低下させてしまう。これを防止するには、ＣＶＤ法による誘電体ガラス層の形成後、ＣＶＤ装置内にフッ素を含むガスプラズマを発生させて、容器内壁に付着した誘電体膜を除去する（クリーニングする）必要がある。しかし、クリーニングする過程でＣＶＤ装置の容器内壁にフッ素を含む薄膜が堆積し、誘電体ガラス層を形成する過程でフッ素が容器内に飛び出してくるため、誘電体ガラス層にフッ素が混入する。そのため、誘電体ガラス層に混入したフッ素が、保護層中に拡散してくるため、保護層として用いられているＭｇＯの特性を悪化させ、放電電圧の上昇や放電遅れ時間のバラツキ増加などの課題を生じる。

また、特許文献２に示す方法では、ＣＶＤ法を用いた誘電体ガラス層を用いる場合と比較して絶縁耐圧が低いという課題がある。

また、特許文献３に示す方法では、ＣＶＤ法を用いていることから、特許文献１に示す方法と同様に、パーティクル発生の問題がある。これを防止するためにフッ素プラズマによるクリーニングを行った場合、誘電体ガラス層からなる第２の誘電体層が比較的ポーラスで気泡を含むために、フッ素が第２の誘電体層を透過して保護層にまで拡散し、放電電圧の上昇や放電遅れ時間のバラツキ増加などの問題を生じる。

本発明は、上記従来の問題点に鑑み、放電電圧が低く、発光効率に優れたＰＤＰの製造方法を提供することを目的としている。

上述したような課題を解決するために、本発明のＰＤＰの製造方法は、対向配置された前面板と背面板との間に放電ガスを封入したＰＤＰの製造方法であって、前面板を形成する工程が、ガラス板上に電極を形成する工程と、ガラス板上と電極上とにフッ素を含むガスを用いた化学的気相成長法によりフッ素および水を含む第１の誘電体層を形成する工程と、第１の誘電体層上に物理的気相成長法によりフッ素および水を含まない第２の誘電体層を形成する工程と、第２の誘電体層上に保護層を形成する工程とからなる。このような製造方法により、放電電圧が低く、発光効率に優れたＰＤＰを実現できる。

さらに、化学的気相成長法がプラズマＣＶＤ法であることが望ましく、このような製造方法により、安定したフッ素または水を含む第１の誘電体層を容易に形成できる。

さらに、フッ素を含むガスが、Ｃ_ｘＨ_ｙＦ_ｚ（ｘ、ｙ、ｚは正の整数、ただしｙはゼロを含む）、ＳＦ_６またはＮＦ_３の少なくとも１つであることが望ましく、このような製造方法により、フッ素を含む第１の誘電体層を容易に形成できる。

さらに、物理的気相成長法がスパッタリング法または電子ビーム蒸着法であることが望ましく、このような製造方法により、フッ素透過性の小さい、フッ素と水をともに含まない第２の誘電体層を容易に形成することができる。

以上のように、本発明のＰＤＰの製造方法によれば、放電電圧が低く、発光効率に優れたＰＤＰを提供することができる。

以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。

（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態について、図１〜図９を用いて説明する。図１は、本発明の第１の実施の形態におけるＰＤＰの前面板１００の概略構成を示す断面図である。図１において、ガラス板１上にパターニングされた透明導電膜２（ＩＴＯ薄膜）が形成され、透明導電膜２上にはバス電極となる不透明導電膜３が形成されている。透明導電膜２及び不透明導電膜３上にはこれらを覆うようにフッ素または水を含む第１の誘電体層４が形成され、第１の誘電体層４上にはフッ素と水をともに含まない第２の誘電体層５が形成されている。さらに第２の誘電体層５上には酸化マグネシウム薄膜からなる保護層６が形成されている。

以下、このような前面板１００の製造方法について説明する。まず、ガラス板１上にＩＴＯをスパッタリング法などを用いて成膜した後、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることにより透明導電膜２を形成する。

次に、透明導電膜２上に感光性の導電性ペーストを塗布した後、フォトリソグラフィー法によりパターニングすることにより不透明導電膜３を形成する。または透明導電膜２上にスパッタリング法により金属薄膜を堆積させた後、フォトリソグラフィー法によってパターニングして不透明導電膜３を形成してもよい。

次に、不透明導電膜３上にフッ素または水を含む第１の誘電体層４を形成する。第１の誘電体層４の主成分材料としては、比誘電率３．５〜４．０程度のフッ素化シリコン酸化膜を用い、これにフッ素または水を含有させる。フッ素を含有するシリコン酸化膜は、比誘電率が小さいという特徴をもち、同じ表示電極間静電容量であれば、より薄い誘電体層とすることができるため、極めて放電電圧が小さいＰＤＰを実現できる。

第１の誘電体層４は、図２に示すようなプラズマＣＶＤ装置を用いて成膜する。図２において、真空容器７内の下部電極８上にガラス板９を配置し、図示しないガス供給装置から上部電極１０の下方に設けられたシャワーヘッド１１を通じてＴＥＯＳ（ＴｅｔｒａｅｔｈｙｌｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅまたはＴｅｔｒａｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ、珪酸エチルとも呼ばれ、化学式はＳｉ（ＯＣ_２Ｈ_５）_４である）、Ｈｅ、Ｃ_２Ｆ_６、Ｏ_２ガスを供給する。図示しないポンプで排気して真空容器７内を所定の圧力に保ちながら、上部電極１０に上部電極用高周波電源１２より１３．５６ＭＨｚの高周波電力を供給し、下部電極８に下部電極用高周波電源１３より１ＭＨｚの高周波電力を供給することにより、ガラス板９上にフッ素化シリコン酸化膜を形成する。フッ素化シリコン酸化膜は可視光に対する透過率に優れるとともに、耐電圧にも優れる絶縁材料である。第１の誘電体層４の膜厚（平坦部の膜厚）は、不透明導電膜３間の静電容量や絶縁耐圧などを考慮して決定される。また、第１の誘電体層４を形成するに際して、図３に示すような誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）ＣＶＤ装置を用いてもよい。ＩＣＰ−ＣＶＤ装置によれば、より緻密で化学的・物理的に安定なフッ素化シリコン酸化膜を形成することができる。図３において、真空容器７内の下部電極８上にガラス板９を配置し、真空容器７内へガス供給装置１５からＴＥＯＳ、Ｈｅ、Ｃ_２Ｆ_６、Ｏ_２ガスを供給する。ポンプ１６で排気し、昇降弁１７によって真空容器７内を所定の圧力に保ちながら、コイル用高周波電源１８により１３．５６ＭＨｚの高周波電力を、誘電体窓Ｄに沿って設けられたコイル１９に供給し、下部電極８に下部電極用高周波電源１３より１ＭＨｚの高周波電力を供給することにより、ガラス板９上にフッ素化シリコン酸化膜を形成することができる。ガスの排気は排気口２０を通して行われ、また、下部電極８は、支柱２１によって真空容器７に固定されている。

また、第１の誘電体層４を形成するに際して、図４に示すような大気圧プラズマＣＶＤ装置を用いてもよい。大気圧プラズマＣＶＤ装置によれば、より高速にフッ素化シリコン酸化膜を形成することができる。図４において、誘電管２２の周辺に、高周波電極２３及び接地電極２４が設けられ、誘電管２２を通じてＴＥＯＳ、Ｈｅ、Ｃ_２Ｆ_６、Ｏ_２ガスを図の下方へ供給しつつ、高周波電源２５より１３．５６ＭＨｚの高周波電力を高周波電極２３に供給すると、誘電管２２内に大気圧プラズマが生成され、活性粒子流２６がガラス板９の表面に噴出する。活性粒子流２６は原料ガスが分解して生じる成膜プリカーサを多量に含んでおり、ガラス板９上にフッ素化シリコン酸化膜が形成される。

第１の誘電体層４を上記工程で形成後、前面板１００を大気中に取り出して水蒸気を含む雰囲気に暴露すると、空気中の水蒸気が作用して、フッ素化シリコン酸化膜中にわずかではあるが、水が侵入する。こうして、フッ素または水を含んだ第１の誘電体層４が形成される。このような吸湿性は、プラズマＴＥＯＳ（プラズマＣＶＤ法によるＴＥＯＳを用いた成膜方法）という成膜方法に特有の現象で、とくにフッ素を含有させた場合に顕著である。このように前面板１００を水蒸気を含む雰囲気に暴露した後に、第２の誘電体層を形成する。

次に、フッ素と水をともに含まない第２の誘電体層５を形成する。第２の誘電体層５としては、比誘電率４．３〜４．７程度のシリコン酸化膜を用いる。第２の誘電体層５は、図５に示すようなスパッタリング装置を用いて成膜する。図５において、真空容器２７内の基板ホルダ２８にガラス板９を載置し、ガス供給装置２９より真空容器２７内にＡｒガスを供給しつつ、ポンプ３０で排気しながら、図示しない調圧弁により真空容器２７内の圧力を所定の値に保つ。バッキングプレート３１とこれにボンディングされたシリコン酸化物ターゲット３２に、高周波電源３３より高周波電力を供給することにより、シリコン酸化物ターゲット３２表面にプラズマが発生し、スパッタリングによってガラス板９上にシリコン酸化膜を形成することができる。シリコン酸化物ターゲット３２としてシリコンを用い、ガスとしてＡｒ及びＯ_２を用いて、反応性スパッタによってシリコン酸化膜を形成してもよい。

第２の誘電体層５を形成するに際して、図６に示すような電子ビーム蒸着装置を用いることもできる。図６において、真空容器２７内の基板ホルダ２８にガラス板９を載置し、真空容器２７内をポンプ３０で排気しながら、るつぼ３４内に設けられた蒸着源３５（シリコン酸化物ペレット）に、電子ビーム源３６より電子ビーム３７を照射すると、蒸着源が加熱されて気化し、ガラス板９の表面にシリコン酸化膜を形成することができる。

こうして形成された第１の誘電体層４及び第２の誘電体層５の主たる構成元素は、いずれの誘電体層においてもシリコン及び酸素である。このことは、安価で安定した誘電体層の実現に効果的である。

次いで、第２の誘電体層５上に保護層６を形成する。保護層６は、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法などを用いて形成された酸化マグネシウム薄膜である。その膜厚（平坦部の膜厚）は、パネル動作中に保護層６が受けるダメージとパネルの寿命、成膜時間（コスト）などを考慮して決定されるが、概ね０．３μｍ〜２μｍである。フッ素と水をともに含まない第２の誘電体層５は、フッ素または水を含む第１の誘電体層４からフッ素または水がＭｇＯ膜で形成された保護層６へ拡散してくるのを抑制するため、保護層６の特性を悪化させることがなく、放電電圧の上昇や放電遅れ時間のバラツキ増加などの問題を生じないという効果がある。以上の工程により前面板１００が形成される。

上記工程において、第１の誘電体層４のフッ素含有量が多すぎると吸湿性が高くなりすぎて比誘電率の経時変化の原因となる。図７は誘電体のフッ素含有率と比誘電率の変化を示す図である。フーリエ変換赤外分光法（ＦＴＩＲ：Ｆｏｕｒｉｅｒ Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ Ｉｎｆｒａｒｅｄ Ｓｐｅｃｔｒｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒ）において、Ｓｉ−Ｆ結合に起因する分光強度とＳｉ−Ｏ結合に起因する分光強度の比をＲとしてフッ素含有量を測定したとき、図７から、第１の誘電体層においてＲが０．２以上５以下、第２の誘電体層５においてＲが０．２未満（測定下限を含む）であることが望ましいことがわかる。

第１の誘電体層４の水分は、イオン化により一部がＨ^＋、ＯＨ⁻という形で存在している。Ｈ^＋は還元性を有するため、透明導電膜２として用いられるＩＴＯやＺｎＯの過剰な酸素の影響を抑制し、低抵抗化を促進する効果があり、透明導電膜２の導電性向上に効果がある。しかし、第１の誘電体層４の水含有量が多すぎると経時変化の原因となる。図８は誘電体の水分含有率と、誘電体の比誘電率の変化率、透明導電膜２の抵抗値を示す図である。５００℃までの昇温脱離（ＴＤＳ：Ｔｈｅｒｍａｌ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）によるＨ_２Ｏ（質量数１８）に起因する脱ガス量によって水分含有量を測定したとき、図８から、第１の誘電体層４の脱ガス量が第２の誘電体層５の脱ガス量の１０倍以上１０００倍以下である場合に比誘電率の変化が少なく、透明電極の抵抗値が小さいという効果があることがわかる。

図９は誘電体層の膜厚と、バス電極間の静電容量、絶縁耐圧との関係を示す図である。第１の誘電体層４の膜厚が薄すぎると絶縁耐圧が不足したり静電容量が高くなりすぎ、逆に厚すぎると静電容量が低くなりすぎてアドレス放電時に十分な壁電荷が形成されない。これらの観点から、第１の誘電体層４の厚さは５μｍ以上２５μｍ以下、第２の誘電体層５の厚さは１００ｎｍ以上５μｍ以下とすることが望ましい。さらに好ましくは、第１の誘電体層の厚さを５μｍ以上２５μｍ以下、第２の誘電体層の厚さを２００ｎｍ以上１μｍ以下とすることが望ましい。第１の誘電体層４の厚さが薄すぎると、静電容量確保の観点から相対的に第２の誘電体層５の厚さを厚くしなければならなくなるが、スパッタや電子ビーム蒸着などの物理的気相成長法（ＰＶＤ：Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を用いるので、５μｍより厚いフッ素及び水を含まない第２の誘電体層５を形成することが困難である。なぜなら、ＰＶＤによる薄膜は、ＣＶＤによる薄膜と比較して密着強度が弱く、内部応力の制御も困難であるため、膜厚を厚くすると膜剥がれが生じやすいためである。なお、ＰＶＤ法によるシリコン酸化膜は、フッ素や水の透過性が小さいという優れた特性を有する。ＰＶＤ法では、ＣＶＤ法のように成膜装置内壁の至る所に薄膜が付着するのではなく、基板としてのガラス板の周辺に付着するのみであるので、防着板などを用いてパーティクルの発生を抑制することができる。こうしたパーティクルの発生は、ＰＶＤといえども処理枚数が多くなると問題となる。こうした観点からも、第２の誘電体層５の厚さは、フッ素や水の透過性を抑制するに十分な厚さ（２００ｎｍ以上）で、かつ、なるべく薄い厚さ（５μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下）であることが望ましい。

なお、第１の誘電体層４を形成する工程において、原料ガスにフッ素を含むガスとしてＣ_２Ｆ_６を用いる場合を例示したが、フッ素を含むガスが、Ｃ_ｘＨ_ｙＦ_ｚ（ｘ、ｙ、ｚは正の整数、ただしｙはゼロを含む）、ＳＦ_６またはＮＦ_３であってもよい。Ｃ_ｘＨ_ｙＦ_ｚとしては、例えば、Ｃ_２Ｆ_６のほか、ＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_８、ＣＨＦ_３などがある。

（第２の実施の形態）
第１の実施の形態では、プラズマＣＶＤ装置を用いて、ＴＥＯＳ、Ｈｅ、Ｃ_２Ｆ_６、Ｏ_２ガスを供給しつつ、フッ素化シリコン酸化膜を形成する場合を例示したが、第２の実施の形態では、ガスとしてはＴＥＯＳ、Ｈｅ、Ｏ_２ガスを用い、Ｃ_２Ｆ_６を用いない例を示す。誘電体層の比誘電率をさほど下げる必要がない場合であれば、第１の誘電体層にフッ素を含有させる必要はない。しかし、従来例で説明したように、第１の誘電体層をＣＶＤ法で形成した場合、形成工程で用いるＣＶＤ装置の容器内壁にもＳｉＯ_２などの誘電体膜が付着するため、処理を重ねるとパーティクルとなって剥がれ、第１の誘電体層中に異物が混入して絶縁耐圧などの品質を著しく低下させてしまう。これを防止するには、ＣＶＤ法による第１の誘電体層の形成後、ＣＶＤ装置内にフッ素を含むガスプラズマを発生させて、容器内壁に付着した誘電体膜を除去する（クリーニングする）必要がある。しかし、クリーニングする過程でＣＶＤ装置の容器内壁にフッ素を含む薄膜が堆積し、第１の誘電体層を形成する過程でフッ素が容器内に飛び出してくるため、誘電体ガラス層にフッ素が混入する。混入したフッ素が保護層中に拡散してくるのを防止するために、フッ素透過性の小さいフッ素と水をともに含まない第２の誘電体層を形成する。その方法としては、第１の実施の形態で述べたのと同様、ＰＶＤ法が適している。

プラズマＣＶＤ装置におけるクリーニング工程は、フッ素を含む第１の誘電体層を形成する工程に先立ち、フッ素を含む誘電体層を形成するためのＣＶＤ装置の内壁にフッ素を含む薄膜を堆積する過程であるとも考えられる。このクリーニング工程においては、化学的気相成長装置（ＣＶＤ装置）内にフッ素ガスを含むガスを用いたプラズマを発生させることが望ましいが、フッ素を含むガスが、Ｃ_ｘＨ_ｙＦ_ｚ（ｘ、ｙ、ｚは正の整数、ただしｙはゼロを含む）、ＳＦ_６またはＮＦ_３であることが望ましい。Ｃ_ｘＨ_ｙＦ_ｚとしては、例えば、Ｃ_２Ｆ_６のほか、ＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_８、ＣＨＦ_３などがある。

以上述べた本発明の実施の形態においては、第１の誘電体層及び第２の誘電体層の主成分がシリコン及び酸素である場合を例示したが、フッ素と水をともに含まない第２の誘電体層は、その膜厚が小さくてよいので、フッ素及び水の透過性が小さく、可視光透過率が大きく、非晶質で化学的に安定な薄膜を用いることができる。このような薄膜として、アルミナ薄膜などの金属酸化物を用いることができる。非晶質である方が好ましいのは、結晶性だと、結晶粒界を通じてＭｇＯに向けてフッ素や水が拡散しやすいためである。

また第１及び第２の実施の形態では第１の誘電体層がフッ素及び水をともに含む場合を例示したが、第１の誘電体層に含まれるフッ素及び水の作用効果はそれぞれ独立して作用するので、第１の誘電体層がフッ素をまたは水のいずれかをのみを含む場合でも第１の誘電体層の誘電率を下げ、透明導電膜の抵抗値を下げる効果がある。

本発明は、優れた特性を有するＰＤＰの製造方法であり、テレビやコンピュータなどの画像表示に用いられるディスプレイ装置に有用である。

本発明の第１の実施の形態におけるＰＤＰの前面板の断面図 本発明の第１の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法に用いたプラズマＣＶＤ装置の断面図 同ＰＤＰの製造方法に用いた誘導結合型プラズマＣＶＤ装置の断面図 同ＰＤＰの製造方法に用いた大気圧プラズマＣＶＤ装置の断面図 同ＰＤＰの製造方法に用いたスパッタリング装置の断面図 同ＰＤＰの製造方法に用いた電子ビーム蒸着装置の断面図 誘電体のフッ素含有率と比誘電率の変化率及び比誘電率との関係を示す図 誘電体の水分含有率と比誘電率の変化率及び透明電極の抵抗値との関係を示す図 誘電体層の膜厚とバス電極間の静電容量及び絶縁耐圧との関係を示す図 ＰＤＰの内部構造を示す部分断面斜視図 従来のＰＤＰの前面板の構造を示す断面図

符号の説明

１ ガラス板
２ 透明導電膜
３ 不透明導電膜
４ 第１の誘電体層
５ 第２の誘電体層
６ 保護層
７，２７ 真空容器
８ 下部電極
９ ガラス板
１０ 上部電極
１１ シャワーヘッド
１２ 上部電極用高周波電源
１３ 下部電極用高周波電源
１５，２９ ガス供給装置
１６，３０ ポンプ
１７ 昇降弁
１８ コイル用高周波電源
１９ コイル
２０ 排気口
２１ 支柱
２２ 誘電管
２３ 高周波電極
２４ 接地電極
２５，３３ 高周波電源
２６ 活性粒子流
２８ 基板ホルダ
３１ バッキングプレート
３２ シリコン酸化物ターゲット
３４ るつぼ
３５ 蒸着源
３６ 電子ビーム源
３７ 電子ビーム
１００ （ＰＤＰの）前面板

Claims (4)

1. 対向配置された前面板と背面板との間に放電ガスを封入したプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記前面板を形成する工程が、ガラス板上に電極を形成する工程と、前記ガラス板上と前記電極上とにフッ素を含むガスを用いた化学的気相成長法によりフッ素および水を含む第１の誘電体層を形成する工程と、前記第１の誘電体層上に物理的気相成長法によりフッ素および水を含まない第２の誘電体層を形成する工程と、前記第２の誘電体層上に保護層を形成する工程とからなることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
2. 前記化学的気相成長法がプラズマＣＶＤ法であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
3. 前記フッ素を含むガスが、Ｃ_xＨ_yＦ_z（ｘ、ｙ、ｚは正の整数、ただしｙはゼロを含む）、ＳＦ₆またはＮＦ₃の少なくとも１つであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
4. 前記物理的気相成長法がスパッタリング法または電子ビーム蒸着法であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。

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