JP2000011888A - プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法Info
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- JP2000011888A JP2000011888A JP17332098A JP17332098A JP2000011888A JP 2000011888 A JP2000011888 A JP 2000011888A JP 17332098 A JP17332098 A JP 17332098A JP 17332098 A JP17332098 A JP 17332098A JP 2000011888 A JP2000011888 A JP 2000011888A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマディスプレイパネルのＭｇＯ膜に起
因した放電特性の劣化を抑制し、かつ、パネル組立工程
（封着工程）時のＭｇＯ膜のクラック発生を防止するた
め、ＭｇＯ膜内の水分や炭酸ガスの含有量を低減し、膜
の緻密化を図る。 【解決手段】 ＭｇＯ膜を形成している基板を３００℃
〜４００℃の温度で熱処理し、ＭｇＯ膜の加熱脱ガスに
よる緻密化を行ってから、前面板と背面板を組み立て
る。
因した放電特性の劣化を抑制し、かつ、パネル組立工程
（封着工程）時のＭｇＯ膜のクラック発生を防止するた
め、ＭｇＯ膜内の水分や炭酸ガスの含有量を低減し、膜
の緻密化を図る。 【解決手段】 ＭｇＯ膜を形成している基板を３００℃
〜４００℃の温度で熱処理し、ＭｇＯ膜の加熱脱ガスに
よる緻密化を行ってから、前面板と背面板を組み立て
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネルおよびその製造方法に係り、特に、表示電極
上の誘電体層に対する保護膜とその形成方法に関する。
レイパネルおよびその製造方法に係り、特に、表示電極
上の誘電体層に対する保護膜とその形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマディスプレイパネルの１例を、
図７と図８に示す。図７は、プラズマディスプレイパネ
ルの構造を示す斜視図であるが、見やすくするため、前
面板１を背面板２と放電空間３より離して図示した。
図７と図８に示す。図７は、プラズマディスプレイパネ
ルの構造を示す斜視図であるが、見やすくするため、前
面板１を背面板２と放電空間３より離して図示した。
【０００３】前面板１は、前面ガラス基板４上に、ＩＴ
Ｏ（Indium Tin Oxide）などの透明導電材料からなる表
示電極６と、バス電極７と、低融点ガラス等からなる誘
電体層８と、ＭｇＯ（酸化マグネシウム）などの材料か
らなる保護膜９とが形成された構造となっている。背面
板２は、背面ガラス基板５上に、アドレス電極１０と、
バリアリブ１１と、蛍光体層１２とが形成された構造と
なっている。そして、前面板１と背面板２を、表示電極
６とアドレス電極１０がほぼ直交するように張り合わせ
ることにより、前面板１と背面板２の間に放電空間３を
形成している。
Ｏ（Indium Tin Oxide）などの透明導電材料からなる表
示電極６と、バス電極７と、低融点ガラス等からなる誘
電体層８と、ＭｇＯ（酸化マグネシウム）などの材料か
らなる保護膜９とが形成された構造となっている。背面
板２は、背面ガラス基板５上に、アドレス電極１０と、
バリアリブ１１と、蛍光体層１２とが形成された構造と
なっている。そして、前面板１と背面板２を、表示電極
６とアドレス電極１０がほぼ直交するように張り合わせ
ることにより、前面板１と背面板２の間に放電空間３を
形成している。
【０００４】図８は、図７に示したプラズマディスプレ
イパネルのアドレス電極１０に平行な要部断面図であ
り、パネルの断面構造をわかりやすくしたものである。
図７と図８に示したＭｇＯ膜からなる保護膜９は、誘電
体層８を放電時のイオン衝撃から保護するために設けら
れているが、２次電子放出係数が大きいため、放電電圧
を低下させ、駆動を容易にしている。このようなＭｇＯ
膜の形成には、基本的に、膜材料をたとえば電子ビーム
加熱などによって蒸発させて、誘電体層の表面に結晶成
長の形で堆積させる蒸着法が用いられている。
イパネルのアドレス電極１０に平行な要部断面図であ
り、パネルの断面構造をわかりやすくしたものである。
図７と図８に示したＭｇＯ膜からなる保護膜９は、誘電
体層８を放電時のイオン衝撃から保護するために設けら
れているが、２次電子放出係数が大きいため、放電電圧
を低下させ、駆動を容易にしている。このようなＭｇＯ
膜の形成には、基本的に、膜材料をたとえば電子ビーム
加熱などによって蒸発させて、誘電体層の表面に結晶成
長の形で堆積させる蒸着法が用いられている。
【０００５】かような一般的なプラズマディスプレイパ
ネルの構造や製造方法については、たとえば、フラット
パネルディスプレイ１９９７年号（日経ＢＰ社編、日経
マイクロデバイス別冊、１９９６年）の２０２頁から２
０７頁に記載されている。
ネルの構造や製造方法については、たとえば、フラット
パネルディスプレイ１９９７年号（日経ＢＰ社編、日経
マイクロデバイス別冊、１９９６年）の２０２頁から２
０７頁に記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術によるプラズマディスプレイパネルでは、放電開
始電圧が高く発光の頻度が少ない放電セルが存在した
り、使用時間が長くなると放電開始電圧が高くなり動作
が不安定になることがあった。この原因については、す
べてが明白になってはいないが、誘電体層８の保護膜９
は、放電空間に接することから、放電特性に大きな影響
を与えることが考えられる。
来技術によるプラズマディスプレイパネルでは、放電開
始電圧が高く発光の頻度が少ない放電セルが存在した
り、使用時間が長くなると放電開始電圧が高くなり動作
が不安定になることがあった。この原因については、す
べてが明白になってはいないが、誘電体層８の保護膜９
は、放電空間に接することから、放電特性に大きな影響
を与えることが考えられる。
【０００７】また、前面板１と背面板２の封着工程にお
いて、保護膜９として設けたＭｇＯ膜にクラックが発生
することがあった。
いて、保護膜９として設けたＭｇＯ膜にクラックが発生
することがあった。
【０００８】誘電体層８の保護膜９として用いるＭｇＯ
膜の膜質については、結晶配向性、可視光透過率、表面
形態以外は、ほとんど考慮されていない。しかし、酸素
ガスを導入した雰囲気中で電子ビーム蒸着法で形成した
ＭｇＯ膜には、図５と図６に示すように、膜質的な問題
があることが考えられる。
膜の膜質については、結晶配向性、可視光透過率、表面
形態以外は、ほとんど考慮されていない。しかし、酸素
ガスを導入した雰囲気中で電子ビーム蒸着法で形成した
ＭｇＯ膜には、図５と図６に示すように、膜質的な問題
があることが考えられる。
【０００９】図５は、加熱によるＭｇＯ膜からのガス放
出の様子を示したものである。この図からわかるよう
に、１００℃〜１５０℃の加熱温度でＨ2Ｏ （水分）が
放出され、３００℃近傍の加熱温度でＣＯ、ＣＯ2 （炭
酸ガス）が放出されている。このようにな放出ガスは、
パネル組み立て後の放電特性に影響を与え、動作を不安
定にする可能性が高い。
出の様子を示したものである。この図からわかるよう
に、１００℃〜１５０℃の加熱温度でＨ2Ｏ （水分）が
放出され、３００℃近傍の加熱温度でＣＯ、ＣＯ2 （炭
酸ガス）が放出されている。このようにな放出ガスは、
パネル組み立て後の放電特性に影響を与え、動作を不安
定にする可能性が高い。
【００１０】図６は、シリコンウェハー上に形成したＭ
ｇＯ膜の熱応力挙動を示したものである。ＭｇＯ膜の膜
応力は、圧縮応力で、３００℃の温度までの変化はほと
んどないが、それより高くなると急激に引張応力側に変
化することがわかる。シリコンウェハーの熱膨張係数
が、プラズマディスプレイパネルに用いるガラス板より
著しく小さいことを考えると、実際のパネル組み立て工
程では、大きな引張応力がＭｇＯ膜に発生する。このた
め、ＭｇＯ膜にクラックが発生する確率が高くなる。
ｇＯ膜の熱応力挙動を示したものである。ＭｇＯ膜の膜
応力は、圧縮応力で、３００℃の温度までの変化はほと
んどないが、それより高くなると急激に引張応力側に変
化することがわかる。シリコンウェハーの熱膨張係数
が、プラズマディスプレイパネルに用いるガラス板より
著しく小さいことを考えると、実際のパネル組み立て工
程では、大きな引張応力がＭｇＯ膜に発生する。このた
め、ＭｇＯ膜にクラックが発生する確率が高くなる。
【００１１】本発明は、上記従来技術のもつ問題点に鑑
みてなされたものであり、プラズマディスプレイパネル
のＭｇＯ膜に起因した放電特性の劣化を抑制するため
に、ＭｇＯ膜への水分や炭酸ガスの含有量を低減し、ま
た、パネル組立工程（封着工程）時のＭｇＯ膜のクラッ
ク発生を防止するために、ＭｇＯ膜内に発生する引張応
力の低減を図ることを目的とするものである。
みてなされたものであり、プラズマディスプレイパネル
のＭｇＯ膜に起因した放電特性の劣化を抑制するため
に、ＭｇＯ膜への水分や炭酸ガスの含有量を低減し、ま
た、パネル組立工程（封着工程）時のＭｇＯ膜のクラッ
ク発生を防止するために、ＭｇＯ膜内に発生する引張応
力の低減を図ることを目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的は、前面板と背
面板の組み立てに先立って、誘電体層上に設けたＭｇＯ
膜からなる保護膜に熱処理を行い、ＭｇＯ膜を緻密化さ
せることにより達成される。特に、本発明の効果を高め
るためには、上記熱処理の温度を３００〜４００℃とす
るのが好ましい。以下、この理由について述べる。
面板の組み立てに先立って、誘電体層上に設けたＭｇＯ
膜からなる保護膜に熱処理を行い、ＭｇＯ膜を緻密化さ
せることにより達成される。特に、本発明の効果を高め
るためには、上記熱処理の温度を３００〜４００℃とす
るのが好ましい。以下、この理由について述べる。
【００１３】蒸着法で形成したＭｇＯ膜内には、水や水
酸化物、炭酸塩として水分や炭酸ガス成分が含まれてい
る。これらは、図５に示したように、熱処理によってＨ
2ＯやＣＯ、ＣＯ2 として放出される。従って、組み立
てに先立って熱処理を行うことによって、これらを除去
できる。水分だけの除去が目的であれば、１５０℃程度
の熱処理でも有効であるが、炭酸ガス成分まで除去する
ためには、３００℃以上の加熱温度が必要となる。しか
し、誘電体層８を構成している低融点ガラスのガラス転
移点を越えることは望ましくなく、熱処理温度を４００
℃以下とすることが良い。このように、熱処理によりＭ
ｇＯ膜内に含有されているガス放出源を無くせるので、
組み立てた後に内部から放出するガスを著しく低減でき
る。また、水分や炭酸ガス成分が放出されることによっ
て、膜が緻密化されるので、その後に新たに吸蔵される
ガス成分も著しく低減される。
酸化物、炭酸塩として水分や炭酸ガス成分が含まれてい
る。これらは、図５に示したように、熱処理によってＨ
2ＯやＣＯ、ＣＯ2 として放出される。従って、組み立
てに先立って熱処理を行うことによって、これらを除去
できる。水分だけの除去が目的であれば、１５０℃程度
の熱処理でも有効であるが、炭酸ガス成分まで除去する
ためには、３００℃以上の加熱温度が必要となる。しか
し、誘電体層８を構成している低融点ガラスのガラス転
移点を越えることは望ましくなく、熱処理温度を４００
℃以下とすることが良い。このように、熱処理によりＭ
ｇＯ膜内に含有されているガス放出源を無くせるので、
組み立てた後に内部から放出するガスを著しく低減でき
る。また、水分や炭酸ガス成分が放出されることによっ
て、膜が緻密化されるので、その後に新たに吸蔵される
ガス成分も著しく低減される。
【００１４】図６に示したように、組み立て工程におい
て大きな引張応力が発生するのは、熱工程でのガス放出
による膜質変化が起こっているからである。これも、大
きな引張応力が発生しない温度での熱処理による緻密化
を行うことによって、ＭｇＯ膜の熱膨張係数をガラス板
や誘電体層に近づけることができ、パネル組み立て工程
での引張応力の発生を低減でき、従って、クラックの発
生を防止できる。
て大きな引張応力が発生するのは、熱工程でのガス放出
による膜質変化が起こっているからである。これも、大
きな引張応力が発生しない温度での熱処理による緻密化
を行うことによって、ＭｇＯ膜の熱膨張係数をガラス板
や誘電体層に近づけることができ、パネル組み立て工程
での引張応力の発生を低減でき、従って、クラックの発
生を防止できる。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の１実施形態を図１により
説明する。この図は、本発明を適用したプラズマディス
プレイパネルの製造工程を要部断面図で示したものであ
る。
説明する。この図は、本発明を適用したプラズマディス
プレイパネルの製造工程を要部断面図で示したものであ
る。
【００１６】まず、前面板の製造工程について説明す
る。ソーダガラス等からなる前面ガラス基板４を受け入
れて（工程Ｓ１）、これを洗浄し、ＳｉＯ2 膜（図示せ
ず）を形成する。次に、ＩＴＯ膜をスパッタリング法等
により成膜し、公知のフォトエッチング法によりパター
ニングを行い、表示電極パターン６を形成する（工程Ｓ
２）。次に、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ積層膜をスパッタリング
法等により成膜し、公知のフォトエッチング法によりパ
ターニングを行い、バス電極パターン７を形成する（工
程Ｓ３）。続いて、低融点ガラスを印刷で塗着し、乾燥
・焼成を行い、誘電体層８を形成する（工程Ｓ４）。次
に、印刷法等によりシール層（図示せず）を形成し（工
程Ｓ５）、電子線蒸着法等によりＭｇＯ膜の蒸着を行
い、膜厚が０．５マイクロメートルの保護層９を形成す
る（工程Ｓ６）。これで前面板１が完成する。
る。ソーダガラス等からなる前面ガラス基板４を受け入
れて（工程Ｓ１）、これを洗浄し、ＳｉＯ2 膜（図示せ
ず）を形成する。次に、ＩＴＯ膜をスパッタリング法等
により成膜し、公知のフォトエッチング法によりパター
ニングを行い、表示電極パターン６を形成する（工程Ｓ
２）。次に、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ積層膜をスパッタリング
法等により成膜し、公知のフォトエッチング法によりパ
ターニングを行い、バス電極パターン７を形成する（工
程Ｓ３）。続いて、低融点ガラスを印刷で塗着し、乾燥
・焼成を行い、誘電体層８を形成する（工程Ｓ４）。次
に、印刷法等によりシール層（図示せず）を形成し（工
程Ｓ５）、電子線蒸着法等によりＭｇＯ膜の蒸着を行
い、膜厚が０．５マイクロメートルの保護層９を形成す
る（工程Ｓ６）。これで前面板１が完成する。
【００１７】次に、背面板の製造工程について説明す
る。ソーダガラス等からなる背面ガラス基板５を受け入
れて（工程Ｓ１１）、これを洗浄し、ＳｉＯ2 膜（図示
せず）を形成する。次に、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ積層膜をス
パッタリング法等により成膜し、公知のフォトエッチン
グ法によりパターニングを行い、アドレス電極パターン
１０を形成する（工程Ｓ１２）。続いて、アドレス電極
１０の保護層（図示せず）を印刷法等により形成し、次
に、バリアリブ材料を印刷法等により塗着し、乾燥を行
う。そして、ドライフィルムを用いた公知のフォトリソ
グラフィー法とサンドブラスト法により、バリアリブ１
１を形成する（工程Ｓ１３）。次に、蛍光体層１２を印
刷法等により塗着し、乾燥・焼成を行う（工程Ｓ１
４）。次いで、シール層（図示せず）を印刷法等により
形成して（工程Ｓ１４）、背面板２が完成する。
る。ソーダガラス等からなる背面ガラス基板５を受け入
れて（工程Ｓ１１）、これを洗浄し、ＳｉＯ2 膜（図示
せず）を形成する。次に、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ積層膜をス
パッタリング法等により成膜し、公知のフォトエッチン
グ法によりパターニングを行い、アドレス電極パターン
１０を形成する（工程Ｓ１２）。続いて、アドレス電極
１０の保護層（図示せず）を印刷法等により形成し、次
に、バリアリブ材料を印刷法等により塗着し、乾燥を行
う。そして、ドライフィルムを用いた公知のフォトリソ
グラフィー法とサンドブラスト法により、バリアリブ１
１を形成する（工程Ｓ１３）。次に、蛍光体層１２を印
刷法等により塗着し、乾燥・焼成を行う（工程Ｓ１
４）。次いで、シール層（図示せず）を印刷法等により
形成して（工程Ｓ１４）、背面板２が完成する。
【００１８】前面板１と背面板２との貼り合わせ工程の
前に、前面板１の熱処理を行い（工程Ｓ７）、然る後、
前面板１と背面板２を貼り合わせて組み立て、封着を行
う（工程Ｓ２１）。次に、パネル内を真空排気し、Ｎｅ
とＸｅからなる放電ガスを封入する（工程Ｓ２２）。最
後にエージングを行って（工程Ｓ２３）、これにより、
パネルが完成する。
前に、前面板１の熱処理を行い（工程Ｓ７）、然る後、
前面板１と背面板２を貼り合わせて組み立て、封着を行
う（工程Ｓ２１）。次に、パネル内を真空排気し、Ｎｅ
とＸｅからなる放電ガスを封入する（工程Ｓ２２）。最
後にエージングを行って（工程Ｓ２３）、これにより、
パネルが完成する。
【００１９】本実施形態において特徴的なところは、前
面板１と背面板２を組み立てる前に、前面板１を熱処理
した点である。この熱処理条件は、パネルに合わせて適
正化すればよいが、熱処理温度は３００℃〜４００℃の
間で行うのがよい。これにより、上述したように、水分
のみでなく炭酸ガス源も除去できるからである。熱処理
時間は、ガス放出の状況を調べて適正化するのが良い。
面板１と背面板２を組み立てる前に、前面板１を熱処理
した点である。この熱処理条件は、パネルに合わせて適
正化すればよいが、熱処理温度は３００℃〜４００℃の
間で行うのがよい。これにより、上述したように、水分
のみでなく炭酸ガス源も除去できるからである。熱処理
時間は、ガス放出の状況を調べて適正化するのが良い。
【００２０】この本発明の特徴となる熱処理によるＭｇ
Ｏ膜の膜質変化を、図２〜図４によって説明する。図２
は、ＭｇＯ膜の赤外吸収曲線である。（ａ）は水分に関
係した吸収ピーク（水酸化物、吸着水）を示し、（ｂ）
は炭酸ガスに関係した吸収ピーク（炭酸塩）を示してい
る。従来法によるＭｇＯ膜に比べて、本発明によるＭｇ
Ｏ膜の吸収ピークが著しく低くなっていることがわか
る。
Ｏ膜の膜質変化を、図２〜図４によって説明する。図２
は、ＭｇＯ膜の赤外吸収曲線である。（ａ）は水分に関
係した吸収ピーク（水酸化物、吸着水）を示し、（ｂ）
は炭酸ガスに関係した吸収ピーク（炭酸塩）を示してい
る。従来法によるＭｇＯ膜に比べて、本発明によるＭｇ
Ｏ膜の吸収ピークが著しく低くなっていることがわか
る。
【００２１】本発明によるＭｇＯ膜を加熱した場合のガ
ス放出の状況を示したものが、図３である。同図に示す
ように、本発明の適用によって、ガス放出量が著しく低
減されたことがわかる。このため、組立・封着後の排気
時間の短縮が可能になり、また、ＭｇＯ膜からの放出ガ
スによる放電特性の劣化を防止できる。さらに、ＭｇＯ
膜が熱処理で緻密化する（膜密度が上がり、屈折率も大
きくなる）ので、再付着する水分や炭酸ガスの吸収も少
なくなる効果も得られている。
ス放出の状況を示したものが、図３である。同図に示す
ように、本発明の適用によって、ガス放出量が著しく低
減されたことがわかる。このため、組立・封着後の排気
時間の短縮が可能になり、また、ＭｇＯ膜からの放出ガ
スによる放電特性の劣化を防止できる。さらに、ＭｇＯ
膜が熱処理で緻密化する（膜密度が上がり、屈折率も大
きくなる）ので、再付着する水分や炭酸ガスの吸収も少
なくなる効果も得られている。
【００２２】図４は、シリコンウェハー上に形成した本
発明によるＭｇＯ膜の膜応力の温度変化を示したもので
ある。本発明によるＭｇＯ膜の膜応力は、引張応力とな
っているが、温度上昇とともに圧縮側に変化し、４００
℃の温度になっても大きな引張応力は発生していない。
誘電体層８や前面ガラス基板４の熱膨張係数は、シリコ
ンウエハーよりはるかに大きいが、本発明の適用によっ
て、ＭｇＯ膜（保護膜９）と、誘電体層８や前面ガラス
基板４との熱膨張係数差を小さくできることが、この図
からわかる。その結果、組立時（封着工程）でのＭｇＯ
膜のクラックをほとんど無くすことができるようになっ
た。また、本実施形態の場合、ＭｇＯ膜からなる保護層
９の膜厚を０．５マイクロメートルとしているが、これ
に限定されるものではなく、保護層としての働きや製造
プロセスから考えて０．２〜２マイクロメートルの範囲
で設定するのが実際的である。
発明によるＭｇＯ膜の膜応力の温度変化を示したもので
ある。本発明によるＭｇＯ膜の膜応力は、引張応力とな
っているが、温度上昇とともに圧縮側に変化し、４００
℃の温度になっても大きな引張応力は発生していない。
誘電体層８や前面ガラス基板４の熱膨張係数は、シリコ
ンウエハーよりはるかに大きいが、本発明の適用によっ
て、ＭｇＯ膜（保護膜９）と、誘電体層８や前面ガラス
基板４との熱膨張係数差を小さくできることが、この図
からわかる。その結果、組立時（封着工程）でのＭｇＯ
膜のクラックをほとんど無くすことができるようになっ
た。また、本実施形態の場合、ＭｇＯ膜からなる保護層
９の膜厚を０．５マイクロメートルとしているが、これ
に限定されるものではなく、保護層としての働きや製造
プロセスから考えて０．２〜２マイクロメートルの範囲
で設定するのが実際的である。
【００２３】なお、本発明は、上記した実施形態のみに
限定されるものではなく、誘電体を保護するためにＭｇ
Ｏ膜が形成されていれば、どのような構造のプラズマデ
ィスプレイパネルでも差し支えない。
限定されるものではなく、誘電体を保護するためにＭｇ
Ｏ膜が形成されていれば、どのような構造のプラズマデ
ィスプレイパネルでも差し支えない。
【００２４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ＭｇＯ膜
からのガス放出が極力抑えられるので、誘電体層を保護
するためのＭｇＯ膜に起因した放電特性の劣化や経時変
化を抑制でき、かつ、放電ガス封入の前の真空排気時間
を短縮できる。また、ＭｇＯ膜内に発生する引張応力が
低減されるので、パネル組立工程（封着工程）時のＭｇ
Ｏ膜のクラック発生を防止できる。
からのガス放出が極力抑えられるので、誘電体層を保護
するためのＭｇＯ膜に起因した放電特性の劣化や経時変
化を抑制でき、かつ、放電ガス封入の前の真空排気時間
を短縮できる。また、ＭｇＯ膜内に発生する引張応力が
低減されるので、パネル組立工程（封着工程）時のＭｇ
Ｏ膜のクラック発生を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の１実施形態に係るプラズマディスプレ
イパネルの製造工程を、要部断面図で示した工程フロー
図である。
イパネルの製造工程を、要部断面図で示した工程フロー
図である。
【図２】本発明の適用によるＭｇＯ膜の水分と炭酸ガス
の含有量の減少を示す赤外吸収スペクトルを表わした説
明図である。
の含有量の減少を示す赤外吸収スペクトルを表わした説
明図である。
【図３】本発明によるＭｇＯ膜からのガス放出を示す説
明図である。
明図である。
【図４】本発明によるＭｇＯ膜の膜応力の温度変化を示
す説明図である。
す説明図である。
【図５】従来法によるＭｇＯ膜からのガス放出を示す説
明図である。
明図である。
【図６】従来法によるＭｇＯ膜の膜応力の温度変化を示
す説明図である。
す説明図である。
【図７】プラズマディスプレイパネルの１例を示す斜視
図である。
図である。
【図８】図７に示したプラズマディスプレイパネルの要
部断面図である。
部断面図である。
１ 前面板 ２ 背面板 ３ 放電空間 ４ 前面ガラス基板 ５ 背面ガラス基板 ６ 表示電極（透明電極） ７ バス電極 ８ 誘電体層 ９ 保護層（ＭｇＯ膜） １０ アドレス電極 １１ バリアリブ １２ 蛍光体層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 牛房 信之 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 薮下 明 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 福島 誠 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 柳原 直人 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所情報メディア事業本部内 (72)発明者 鈴木 重明 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所情報メディア事業本部内 (72)発明者 餅田 和博 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所情報メディア事業本部内 Ｆターム(参考） 5C027 AA07 5C040 BB04 DD11
Claims (4)
- 【請求項１】 表示を行うための主放電を発生させる表
示電極を形成した前面板と、表示セルを選択するための
アドレス電極を形成した背面板とが互いに平行かつ対向
して配設され、上記前面板と上記背面板の間にバリアリ
ブによって分離された放電空間を有する複数個の放電セ
ルが存在し、該放電セル中に少なくとも１種類以上の発
光色を示す蛍光面が形成されてなるプラズマディスプレ
イパネルにおいて、 上記表示電極を被覆するように可視光に対して透明な誘
電体層が形成され、該誘電体層上に、熱処理を施された
ＭｇＯを主成分とする保護膜が形成されていることを特
徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項２】 請求項１に記載のプラズマディスプレイ
パネルにおいて、 上記保護膜の熱処理温度を３００〜４００℃としたこと
を特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載のプラズマディ
スプレイパネルにおいて、 上記熱処理を施されたＭｇＯを主成分とする保護膜の膜
厚を、０．２〜２マイクロメートルとしたことを特徴と
するプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項４】 請求項１または２または３に記載のプラ
ズマディスプレイパネルを作製するための製造方法であ
って、 上記前面板と上記背面板を張り合わせるのに先立って、
ＭｇＯを主成分とする保護膜を形成した前面板を熱処理
することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17332098A JP2000011888A (ja) | 1998-06-19 | 1998-06-19 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17332098A JP2000011888A (ja) | 1998-06-19 | 1998-06-19 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000011888A true JP2000011888A (ja) | 2000-01-14 |
Family
ID=15958258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17332098A Pending JP2000011888A (ja) | 1998-06-19 | 1998-06-19 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000011888A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001075926A1 (fr) * | 2000-03-31 | 2001-10-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede de fabrication d'un ecran a plasma |
| KR20020070755A (ko) * | 2001-03-01 | 2002-09-11 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| JP2007026751A (ja) * | 2005-07-13 | 2007-02-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
| JP2009117180A (ja) * | 2007-11-06 | 2009-05-28 | Hitachi Displays Ltd | 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
| JP2010185100A (ja) * | 2009-02-10 | 2010-08-26 | Ulvac Japan Ltd | 成膜方法、パネル製造装置、アニール装置 |
-
1998
- 1998-06-19 JP JP17332098A patent/JP2000011888A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001075926A1 (fr) * | 2000-03-31 | 2001-10-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede de fabrication d'un ecran a plasma |
| US7070471B2 (en) | 2000-03-31 | 2006-07-04 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | Production method for plasma display panel |
| CN100336157C (zh) * | 2000-03-31 | 2007-09-05 | 松下电器产业株式会社 | 等离子体显示面板的制造方法 |
| KR100798986B1 (ko) * | 2000-03-31 | 2008-01-28 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법 |
| KR20020070755A (ko) * | 2001-03-01 | 2002-09-11 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| JP2007026751A (ja) * | 2005-07-13 | 2007-02-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
| JP4640006B2 (ja) * | 2005-07-13 | 2011-03-02 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| JP2009117180A (ja) * | 2007-11-06 | 2009-05-28 | Hitachi Displays Ltd | 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
| JP2010185100A (ja) * | 2009-02-10 | 2010-08-26 | Ulvac Japan Ltd | 成膜方法、パネル製造装置、アニール装置 |
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