JP4635444B2 - 電界効果トランジスタ用エピタキシャルウエハ - Google Patents
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Description
図3は、その測定結果を示す。
図4は、Nd積を変えて15V印加した時のソース−ドレイン間のリーク電流値を比較したグラフである。ここで、Nd積=0の時の値は、本発明の実施例におけるリーク電流低減層を成長していないとき(従来例)の値である。
2 半絶縁性GaAs基板
3 バッファ層
3a 第1のバッファ層
3b 第2のバッファ層
3c 第3のバッファ層
3d 第4のバッファ層
4 第1のキャリア供給層
5 第1のスペーサ層
6 チャネル層
7 第2のスペーサ層
8 第2のキャリア供給層
9 ショットキー層
10 コンタクト層
20 MOVPE装置
21 反応炉
22 サセプタ
23 ヒータ
24 制御軸
25 石英ノズル
26 排気部
27 基板
30 バッファ層
30a 第1のバッファ層
30b 第2のバッファ層
30c 第3のバッファ層
31 TMGガス発生装置
32 TMAガス発生装置
33 AsH3ガス発生装置
34 TMIガス発生装置
35 ジシランガス発生装置
Claims (7)
- 半絶縁性GaAs基板と、前記半絶縁性GaAs基板上に形成されるバッファ層と、前記バッファ層上に形成され自由電子が流れるチャネル層とを有する電界効果トランジスタ用エピタキシャルウエハにおいて、
前記バッファ層は、半絶縁性GaAs基板側からp−GaAs層と、p−AlGaAs結晶層とを備え、前記p−AlGaAs結晶層は、キャリア濃度と層厚さとの積が1.5×10 11 〜2.5×10 11 cm -2 であることを特徴とする電界効果トランジスタ用エピタキシャルウエハ。 - 前記バッファ層は、前記p−AlGaAs結晶層上に、前記p−AlGaAs結晶層よりもAl組成比の小さいp−AlGaAs層を備えることを特徴とする請求項1に記載の電界効果トランジスタ用エピタキシャルウエハ。
- 前記チャネル層の上層及び下層にキャリア供給層を備えることを特徴とする請求項1記載の電界効果トランジスタ用エピタキシャルウエハ。
- 前記p−AlGaAs結晶層は、前記キャリア濃度が2.5×10 17 cm -3 、前記層厚さが10nmであることを特徴とする請求項1記載の電界効果トランジスタ用エピタキシャルウエハ。
- 前記結晶層は、AlxGa1-xAs(0.35<x<1.0)であることを特徴とする請求項1記載の電界効果トランジスタ用エピタキシャルウエハ。
- 前記結晶層は、Al元素,Ga元素およびIn元素のうちのいずれか2つの元素と、As元素またはP元素のうちいずれか1つの元素の計3つの元素を含むことを特徴とする請求項1記載の電界効果トランジスタ用エピタキシャルウエハ。
- 前記結晶層は、Al元素,Ga元素およびIn元素と、As元素またはP元素のうちいずれか1つの元素の計4元素を含むことを特徴とする請求項1記載の電界効果トランジスタ用エピタキシャルウエハ。
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