JP4625783B2 - 基板ステージ及び基板処理装置 - Google Patents
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- 各々独立に出力を制御可能な複数の温度調節器を内蔵した基板ステージにおいて、
前記基板ステージは略長方形のガラス基板を載置する略長方形のステージであり、
前記温度調節器は、前記基板ステージの内部における前記基板ステージの各外周部とその内側に複数配置して個別に温度調整を可能とした複数のヒータからなり、
前記基板ステージの内部で、かつ前記各ヒータの間に配置して隣接するヒータ間の熱遮蔽を行うための空間を設けてなり、
前記空間に冷却媒体を流すことで、前記ヒータ間の温度独立性を向上したことを特徴とする基板ステージ。 - 請求項1において、
前記ヒータは、前記基板ステージの前記外周のそれぞれに設けた4個と、該4個のヒータの内側で、かつループ状に配置した複数個で構成されたことを特徴とする基板ステージ。 - 請求項1又は2において、
前記冷却媒体が水であることを特徴とする基板ステージ。 - 請求項1又は2において、
前記冷却媒体が窒素ガスであることを特徴とする基板ステージ。 - 複数の処理部と、該処理部の間で略長方形の基板を搬入し搬出するロードロック装置と、基板処理室とを有し、
前記基板処理室には請求項1乃至4の何れかに記載した基板ステージを配置してなり、
前記基板処理室に配置した前記基板ステージに載置された前記略長方形の基板にプラズマ処理理等を施すことを特徴とする基板処理装置。
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JP2007281010A JP2007281010A (ja) | 2007-10-25 |
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---|---|---|---|---|
JP5897275B2 (ja) | 2011-07-25 | 2016-03-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御ユニット、基板載置台、基板処理装置、温度制御システム、及び基板処理方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH0383894A (ja) * | 1989-08-24 | 1991-04-09 | Mitsubishi Electric Corp | 気相成長装置 |
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JP2007281010A (ja) | 2007-10-25 |
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A621 | Written request for application examination |
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