JP4622003B2 - 積層型バルントランス - Google Patents

Description

この発明は、携帯電話機のＩＣやテレビジョン受信機のアンテナ等の平衡−不平衡変換器として用いられる積層型バルントランスに関するものである。

バルントランスは、図２２の等価回路図で示すように、第１トランス１００と第２トランス２００とを有している。そして、第１トランス１００を構成するコイル１０１，１０２と第２トランス２００を構成するコイル２０１，２０２とを図に示すように接続することで、アンバランス端子３００側のインピーダンスとバランス端子３０１，３０２側のインピーダンスとの比を１対４にしている。
従来、この種の回路構造を持つ積層型バルントランスとしては、例えば特許文献１や特許文献２に開示の技術がある。
これらの積層型バルントランスは、第１及び第２トランス１００，２００のコイルを形成するためのコイル用導体パターンや磁性シート及び非磁性シートを積層することで、構成されており、小型化されている点に特徴を有する。

特開平０４−２０６９０５号公報 特開平０６−１２０４２８号公報

しかし、上述した従来の積層型バルントランスでは、次のような問題がある。
バルントランスでは、一般に アンバランス端子側のインピーダンスを１とすると、バランス端子側のインピーダンスが、トランスの数の２乗の値になる。例えば、トランス数が１の場合には、アンバランス端子側のインピーダンスとバランス端子側のインピーダンスとの比が１対１になり、図２２に示すように、トランス数が２の場合には、アンバランス端子側のインピーダンスとバランス端子側のインピーダンスとの比が１対４（２の２乗）になる。したがって、アンバランス端子に対するバランス端子側のインピーダンスの比を変えたい場合には、トランス数を変えればよいことになる。
しかしながら、アンバランス端子に対するバランス端子側のインピーダンスの比は、１、４、９、…というように、離散的な値を取り、しかも、比間の差が大きい。したがって、バランス端子側の線路が、アンバランス端子側の線路に対して、２、３、６…というようなインピーダンスの比を有する場合には、従来のバルントランスを使用することができない。すなわち、従来のバルントランスでは、汎用性に欠け、各種インピーダンスの線路に適用することができない。

この発明は、上述した課題を解決するためになされたもので、各種のインピーダンスを有する線路に適用可能な積層型バルントランスを提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、請求項１の発明は、第１磁性体基板と、この第１磁性体基板上に積層され且つそれぞれが互いに向き合う１次側コイルと２次側コイルとで構成された第１トランス及び第２トランスを内包する積層体と、この積層体上に設けられた第２磁性体基板とを備える積層型バルントランスであって、第１トランスの１次側コイルの一方端をアンバランス端子とすると共に１次側コイルの他方端を第１のバランス端子とし、２次側コイルの一方端及び他方端をそれぞれグランド端子とし、第２トランスの１次側コイルの一方端を第１トランスの１次側コイルの一方端に接続すると共に１次側コイルの他方端を第１トランスの２次側コイルの他方端に接続し、第２トランスの２次側コイルの一方端を第１トランスの２次側コイルの一方端に接続すると共に２次側コイルの他方端を第２のバランス端子とし、第１トランスの１次側コイルの線幅が一方端側から他方端側に向かって増加又は減少するように、１次側コイルの形状を設定すると共に、第２トランスの２次側コイルの線幅が一方端側から他方端側に向かって増加又は減少するように、２次側コイルの形状を設定した構成とする。
かかる構成により、第１トランスの１次側コイルの線幅が一方端側から他方端側に向かって増加するように、１次側コイルの形状を設定すると共に、第２トランスの２次側コイルの線幅が一方端側から他方端側に向かって増加するように、２次側コイルの形状を設定することで、アンバランス端子側のインピーダンスと第１及び第２のバランス端子側のインピーダンスとの比を、１対３等のように、１対４よりも小さくすることができる。また、第１トランスの１次側コイルの線幅が一方端側から他方端側に向かって減少するように、１次側コイルの形状を設定すると共に、第２トランスの２次側コイルの線幅が一方端側から他方端側に向かって減少するように、２次側コイルの形状を設定することで、１対６等のように、１対４よりも大きくすることができる。

また、請求項２の発明は、第１磁性体基板と、この第１磁性体基板上に積層され且つそれぞれが互いに向き合う１次側コイルと２次側コイルとで構成された一のトランスを内包する積層体と、この積層体上に設けられた第２磁性体基板とを備える積層型バルントランスであって、トランスの１次側コイルの一方端をアンバランス端子とすると共に１次側コイルの他方端を第１のバランス端子とし、２次側コイルの一方端をグランド端子とすると共に２次側コイルの他方端を第２のバランス端子とし、トランスの１次側コイルの線幅と２次側コイルの線幅とが一方端側から他方端側に向かって増加又は減少するように、１次側コイル及び２次側コイルの形状を設定した構成とする。
かかる構成により、１次側及び２次側コイルの線幅が一方端側から他方端側に向かって増加するように、コイルの形状を設定することで、アンバランス端子側のインピーダンスと第１及び第２のバランス端子側のインピーダンスとの比を、１対０．５等のように、１対１よりも小さくすることができる。また、１次側及び２次側コイルの線幅が一方端側から他方端側に向かって減少するように、コイルの形状を設定することで、当該比を、１対２等のように、１対１よりも大きくすることができる。

さらに、請求項３の発明は、第１磁性体基板と、この第１磁性体基板上に積層され且つそれぞれが互いに向き合う１次側コイルと２次側コイルとで構成された第１トランスないし第ｎトランス（ｎ＝３以上の整数）を内包する積層体と、この積層体上に設けられた第２磁性体基板とを備える積層型バルントランスであって、第１トランスの１次側コイルの一方端をアンバランス端子とすると共に当該１次側コイルの他方端を第１のバランス端子とし、第ｎトランスの２次側コイルの一方端をグランド端子とすると共に当該２次側コイルの他方端を第２のバランス端子とし、第１トランスないし第ｎ−１トランスの２次側コイルの一方端を第ｎトランスの２次側コイルの一方端に接続し、第２トランスないし第ｎトランスの１次側コイルの一方端を第１トランスの１次側コイルの一方端に接続すると共に他方端を前段のトランスの２次側コイルの他方端にそれぞれ接続し、第１トランスの１次側コイルの線幅が一方端側から他方端側に向かって増加又は減少するように、当該１次側コイルの形状を設定すると共に、第ｎトランスの２次側コイルの線幅が一方端側から他方端側に向かって増加又は減少するように、当該２次側コイルの形状を設定した構成とする。
かかる構成により、第１トランスの１次側コイルの線幅が一方端側から他方端側に向かって増加するように、１次側コイルの形状を設定すると共に、第ｎトランスの２次側コイルの線幅が一方端側から他方端側に向かって増加するように、２次側コイルの形状を設定することで、アンバランス端子側のインピーダンスとバランス端子側のインピーダンスとの比を、１対ｎ^２よりも小さくすることができる。また、第１トランスの１次側コイルの線幅が一方端側から他方端側に向かって減少するように、１次側コイルの形状を設定すると共に、第ｎトランスの２次側コイルの線幅が一方端側から他方端側に向かって減少するように、２次側コイルの形状を設定することで、１対ｎ^２よりも大きくすることができる。

以上詳しく説明したように、この発明によれば、アンバランス端子に対するバランス端子側のインピーダンスの比を、１、４、９、…というような離散的な値だけでなく、２、３、６…等のように、実装する線路のインピーダンスに合わせた比に任意に設定することができるので、各種インピーダンスの線路に低挿入損失で実装することができる汎用性に優れた積層型バルントランスを提供することができるという優れた効果がある。

この発明の第１実施例に係る積層型バルントランスの分解斜視図である。 積層型バルントランスの外観図である。 最下層の導体パターンの平面図である。 絶縁体層の平面図である。 二層目の導体パターンの平面図である。 第１トランスの１次側コイルを展開して示す概略平面図である。 三層目の導体パターンの平面図である。 絶縁体層の平面図である。 最上層の導体パターンの平面図である。 第２トランスの２次側コイルを展開して示す概略平面図である。 第１及び第２トランスの電気的構造を示す模式図である。 積層型バルントランスを線路上に実装した状態を示す平面図である。 この発明の第２実施例に係る積層型バルントランスの分解斜視図である。 １次側コイルの下層の導体パターンを示す平面図である。 中間の絶縁体層を示す平面図である。 １次側コイルの上層の導体パターンを示す平面図である。 ２次側コイルの下層の導体パターンを示す平面図である。 中間の絶縁体層を示す平面図である。 ２次側コイルの上層の導体パターンを示す平面図である。 第２実施例の積層型バルントランスの等価回路図である。 この発明の第３実施例に係る積層型バルントランスの等価回路図である。 従来例に係る１対４型のバルントランスの等価回路図である。

符号の説明

１，３…磁性体基板、 ２…積層体、 ４−１〜４−６…外部電極、 ５…第１トランス、 ５−１，６−１，８−１，９−１…１次側コイル、 ６…第２トランス、 ５−２，６−２，８−２，９−２…２次側コイル、 ７…絶縁体、 ８…トランス、 ５１〜５４，６１〜６４，８１〜８４…導体パターン、 ５１ａ〜５４ａ，６１ａ〜６４ａ…内部電極、 ５１ｂ〜５４ｂ，５１ｃ〜５４ｃ，６１ｂ〜６４ｂ，６１ｃ〜６４ｃ…パターン、 ７１〜７６…絶縁体層。

以下、この発明の最良の形態について図面を参照して説明する。

図１は、この発明の第１実施例に係る積層型バルントランスの分解斜視図であり、図２は、積層型バルントランスの外観図である。

図２に示すように、この実施例では、積層型バルントランスを、第１磁性体基板としての磁性体基板１と、この磁性体基板１上に積層された積層体２と、この積層体２上に接着された第２磁性体基板としての磁性体基板３と、外部電極４−１〜４−６とで構成した。

積層体２は、図１に示すように、第１トランス５と、この第１トランス５とほぼ同構造で且つ同方向を向く第２トランス６と、これら第１及び第２トランス５，６を外側から覆った絶縁体７（図２参照）とを有している。

絶縁体７は、例えば誘電体であって、絶縁体層７１〜７５を積層して成る。そして、第１及び第２トランス５，６は、このような絶縁体層７１〜７４上にパターン形成されている。
具体的には、第１トランス５を、積層方向で互いに向き合う１次側コイル５−１と２次側コイル５−２とで構成した。そして、１次側コイル５−１を導体パターン５１と導体パターン５２とで形成し、２次側コイル５−２を導体パターン５３と導体パターン５４とで形成した。
一方、第２トランス６も、積層方向で互いに向き合う１次側コイル６−１と２次側コイル６−２とで構成した。そして、１次側コイル６−１を導体パターン６３と導体パターン６４とで形成し、２次側コイル６−２を導体パターン６１と導体パターン６２とで形成した。

ここで、第１及び第２トランス５，６の構造について詳細に説明する。
導体パターン５１，６４は、磁性体基板１上に積層された絶縁体層７１上にフォトリソグラフィ法等によってパターン形成されている。そして、絶縁体層７２が導体パターン５１，６４上に積層された後、導体パターン５２，６３が絶縁体層７２上にパターン形成されている。
図３は、導体パターン５１，６４の平面図であり、図４は、絶縁体層７２の平面図であり、図５は、導体パターン５２，６３の平面図であり、図６は、第１トランス５の１次側コイル５−１を展開して示す概略平面図である。
図３に示すように、導体パターン５１は、内側から引き出された内部電極５１ａを有するパターン５１ｂと外側のパターン５１ｃとで形成されている。また、導体パターン５２は、図５に示すように、外側に引き出された内部電極５２ａを有するパターン５２ｂと内側のパターン５２ｃとで形成されている。そして、導体パターン５２のパターン５２ｂの端部５２ｂ′と導体パターン５１のパターン５１ｃの端部５１ｃ′とが図４に示す絶縁体層７２のスルーホール７２ａを通じて接続されている。また、パターン５１ｃの端部５１ｃ′′とパターン５２ｃの端部５２ｃ′とがスルーホール７２ｂを通じて接続され、パターン５２ｃの端部５２ｃ′′とパターン５１ｂの端部５１ｂ′とがスルーホール７２ｃを通じて接続されている。このようにして、内部電極５１ａ，５２ａを両端とするスパイラル状の１次側コイル５−１が形成されている。

ところで、この実施例では、パターン５２ｂの線幅が最も太く、パターン５１ｃ，５２ｃの順で線幅が細くなり、パターン５１ｂの線幅が最も細くなるように形成されている。
すなわち、図６に示すように、第１トランス５の１次側コイル５−１を展開すると、その線幅が一方端である内部電極５２ａ側から他方端である内部電極５１ａ側に向かって減少する。

一方、導体パターン６４は、図３に示すように、隣の導体パターン５１の外側中央部（内部電極５２ａと対応する位置）に引き出された内部電極６４ａを有するパターン６４ｂと内側のパターン６４ｃとで形成されている。また、導体パターン６３は、図５に示すように、内側から導体パターン５２，６３の間の中央にまで引き出された内部電極６３ａを有するパターン６３ｂと外側のパターン６３ｃとで形成されている。そして、パターン６４ｂの端部６４ｂ′とパターン６３ｃの端部６３ｃ′とがスルーホール７２ｄを通じて接続されている。また、パターン６３ｃの端部６３ｃ′′とパターン６４ｃの端部６４ｃ′とがスルーホール７２ｅを通じて接続され、パターン６４ｃの端部６４ｃ′′とパターン６３ｂの端部６３ｂ′とがスルーホール７２ｆを通じて接続されている。このようにして、内部電極６４ａ，６３ａを両端とし且つ線幅が内部電極６４ａ側から内部電極６３ａ側に向かって減少するスパイラル状の１次側コイル６−１が形成されている。

また、図１に示すように、導体パターン５３，６２は、導体パターン５２，６３の上に積層された絶縁体層７３上にパターン形成されている。そして、絶縁体層７４が導体パターン５３，６２上に積層された後、導体パターン５４，６１が絶縁体層７４上にパターン形成されている。
図７は、導体パターン５３，６２の平面図であり、図８は、絶縁体層７４の平面図であり、図９は、導体パターン５４，６１の平面図であり、図１０は、第２トランス６の２次側コイル６−２を展開して示す概略平面図である。
図７に示すように、導体パターン５３は、内側から導体パターン５３，６２の間の中央にまで引き出された内部電極５３ａを有するパターン５３ｂと外側のパターン５ｃｃとで形成されている。また、導体パターン５４は、隣の導体パターン６１の外側中央部（内部電極６２ａと対応する位置）に引き出された内部電極５４ａを有するパターン５４ｂと内側のパターン５４ｃとで形成されている。そして、導体パターン５４のパターン５４ｂの端部５４ｂ′と導体パターン５３のパターン５３ｃの端部５３ｃ′とが図８に示す絶縁体層７４のスルーホール７４ａを通じて接続されている。また、パターン５３ｃの端部５３ｃ′′とパターン５４ｃの端部５４ｃ′とがスルーホール７４ｂを通じて接続され、パターン５４ｃの端部５４ｃ′′とパターン５３ｂの端部５３ｂ′とがスルーホール７４ｃを通じて接続されている。このようにして、内部電極５４ａ，５３ａを両端とし且つ線幅が内部電極５４ａ側から内部電極５３ａ側に向かって減少するスパイラル状の２次側コイル５−２が形成されている。

一方、導体パターン６２は、図７に示すように、外側に引き出された内部電極６２ａを有するパターン６２ｂと内側のパターン６２ｃとで形成されている。また、導体パターン６１は、図９に示すように、内側から引き出された内部電極６１ａを有するパターン６１ｂと外側のパターン６１ｃとで形成されている。そして、パターン６２ｂの端部６２ｂ′とパターン６１ｃの端部６１ｃ′とがスルーホール７４ｄを通じて接続されている。また、パターン６１ｃの端部６１ｃ′′とパターン６２ｃの端部６２ｃ′とがスルーホール７４ｅを通じて接続され、パターン６２ｃの端部６２ｃ′′とパターン６１ｂの端部６１ｂ′とがスルーホール７４ｆを通じて接続されている。このようにして、内部電極６２ａ，６１ａを両端とするスパイラル状の２次側コイル６−２が形成されている。

ところで、この実施例では、パターン６２ｂの線幅が最も太く、パターン６１ｃ，６２ｃの順で線幅が細くなり、パターン６１ｂの線幅が最も細くなるように形成されている。
すなわち、図１０に示すように、第２トランス６の２次側コイル６−２を展開すると、その線幅が一方端である内部電極６２ａ側から他方端である内部電極６１ａ側に向かって減少するように、２次側コイル６−２の形状を設定してある。
そして、図１に示すように、絶縁体層７５が導体パターン５４，６１の上に積層され、磁性体基板３がこの絶縁体層７５の上に接着されている。

外部電極４−１〜４−６は、上記のような構造のチップ体の側面に形成されている。
具体的には、外部電極４−１が導体パターン５２，６４の内部電極５２ａ，６４ａの両方に電気的に接続され、外部電極４−２が導体パターン５１の内部電極５１ａに電気的に接続されている。そして、外部電極４−３が導体パターン６１の内部電極６１ａに電気的に接続され、外部電極４−４が導体パターン５３，６３の内部電極５３ａ，６３ａの両方に電気的に接続されると共に、外部電極４−５が導体パターン５４，６２の内部電極５４ａ，６２ａの両方に電気的に接続されている。

図１１は、第１及び第２トランス５，６の電気的構造を示す模式図である。
上記のような導体パターン同士の接続や外部電極４−１〜４−６と内部電極との接続によって、電気的構造は、図１１に示すような回路構造となる。
すなわち、第１トランス５の１次側コイル５−１の内部電極５２ａに接続した外部電極４−１をアンバランス端子とすると共に、内部電極５１ａに接続した外部電極４−２を第１のバランス端子とする。そして、２次側コイル５−２の両端となる内部電極５３ａ，５４ａに接続された外部電極４−４，４−５をグランド端子とする。また、第２トランス６の１次側コイル６−１の内部電極６４ａが１次側コイルの内部電極５２ａに接続している。そして、内部電極６３ａが、外部電極４−４を通じて、第１トランス５の２次側コイル５−２の内部電極５３ａに接続している。そして、２次側コイル６−２の内部電極６２ａが第１トランス５の２次側コイル５−２の内部電極５４ａに接続している。また、２次側コイル６−２の内部電極６１ａに接続した外部電極４−３を第２のバランス端子とする。
かかる回路構造は、図２２に示した１対４型のバルントランスと同構造である。しかし、この実施例の積層型バルントランスは、図６及び図１０に示したように、第１トランス５の１次側コイル５−１の線幅が内部電極５２ａ側から内部電極５１ａ側に向かって減少するように設定され、第２トランス６の２次側コイル６−２の線幅が内部電極６２ａ側から内部電極６１ａ側に向かって減少するように設定されているので、図１において、アンバランス端子である外部電極４−１側のインピーダンスと第１及び第２のバランス端子である外部電極４−２，４−３側のインピーダンスとの比を１対４でなく、１対５や１対６等のように、１対４よりも大きくすることができる。

次に、この実施例の積層型バルントランスが示す作用及び効果について説明する。
図１２は、積層型バルントランスを線路上に実装した状態を示す平面図である。
図１２において、信号ラインＡ１とグランドラインＡ２とで成る線路Ａの特性インピーダンスが５０Ωで、信号ラインＢ１，Ｂ２とグランドラインＢ３とで成る線路Ｂの特性インピーダンスが２００Ωの場合には、図２２に示した１対４型の積層型バルントランスを用いることができる。
しかし、実際の線路では、線路Ａ側と線路Ｂ側との特性インピーダンスの比が１対４にならず、１対４から大きくずれた比になる場合が多い。このような線路に従来の積層型バルントランスを実装しても、適正なバランス特性を得ることができず、その挿入損失が大きい。
これに対して、この実施例の積層型バルントランスでは、上記のように、アンバランス端子である外部電極４−１側のインピーダンスと第１及び第２のバランス端子である外部電極４−２，４−３側のインピーダンスとの比を１対６に設定することで、挿入損失の少ない実装が可能となる。
具体的には、第１トランス５の１次側コイル５−１の線幅と第２トランス６の２次側コイル６−２の線幅の変化を適宜設定し、外部電極４−１側のインピーダンスと外部電極４−２，４−３側のインピーダンスとの比を１対６に設定する。そして、かかる設定状態で、図１２に示すように、アンバランス端子である外部電極４−１を線路Ａ側の信号ラインＡ１に接続すると共に、外部電極４−５をグランドラインＡ２に接続し、第１及び第２のバランス端子である外部電極４−２，４−３を線路Ｂ側の信号ラインＢ１，Ｂ２に接続すると共に、外部電極４−４をグランドラインＢ３に接続する。これにより、積層型バルントランスが適正なバランス特性を示す。

発明者は、かかる想定を確認すべく、シミュレーションを行った。
シミュレーションでは、まず、第１トランス５の１次側コイル５−１と第２トランス６の２次側コイル６−２との線幅に図６や図１０に示したような変化をつけず、線幅を均一にした１対４型の積層型バルントランスを５０Ω線路Ａと３００Ωの線路Ｂ間に実装して、４７０ＭＨｚ，７５０ＭＨｚ，７９０ＭＨｚの高周波に対する挿入損失（ｄＢ）を計算した。すると、この１対４型の積層型バルントランスでは、４７０ＭＨｚ，７５０ＭＨｚ，７９０ＭＨｚの各高周波に対して、−０．８９４ｄＢ，−１．０５２ｄＢ，−１．０８５ｄＢの挿入損失であった。
次に、第１トランス５の１次側コイル５−１と第２トランス６の２次側コイル６−２との線幅に図６や図１０に示したような変化をつけてインピーダンス比を１対６にしたこの実施例の積層型バルントランスを５０Ω線路Ａと３００Ωの線路Ｂ間に実装して、４７０ＭＨｚ，７５０ＭＨｚ，７９０ＭＨｚの高周波に対する挿入損失（ｄＢ）を計算した。すると、この実施例の積層型バルントランスでは、４７０ＭＨｚ，７５０ＭＨｚ，７９０ＭＨｚの各高周波に対して、−０．８６４ｄＢ，−０．９０９ｄＢ，−０．９２３ｄＢの挿入損失であり、挿入損失が極めて小さくなることが確認された。

以上のように、この実施例の積層型バルントランスによれば、アンバランス端子に対するバランス端子側のインピーダンスの比を、５、６、７…等のように、実装する線路のインピーダンスに合わせた比に任意に設定することができるので、各種インピーダンスの線路に低挿入損失で実装することができる。
なお、この実施例では、第１トランス５の１次側コイル５−１と第２トランス６の２次側コイル６−２だけでなく、第１トランス５の２次側コイル５−２や第２トランス６の１次側コイル６−１の線幅にも、図６や図１０に示すような変化をつけた積層型バルントランスを例示したが、１次側コイル５−１と２次側コイル６−２にだけ、線幅の変化をつけ、２次側コイル５−２や１次側コイル６−１の線幅を均一した積層型バルントランスでも、この実施例とほぼ同様の作用及び効果を奏する。

次に、この発明の第２実施例について説明する。
図１３は、この発明の第２実施例に係る積層型バルントランスの分解斜視図であり、図１４は、１次側コイル８−１の下層の導体パターンを示す平面図であり、図１５は、中間の絶縁体層７２を示す平面図であり、図１６は、１次側コイル８−１の上層の導体パターンを示す平面図であり、図１７は、２次側コイル８−２の下層の導体パターンを示す平面図であり、図１８は、中間の絶縁体層７４を示す平面図であり、図１９は、２次側コイル８−２の上層の導体パターンを示す平面図である。

図１３に示すように、この実施例の積層型バルントランスは、一のトランス８を内包した積層体２を磁性体基板１，３で挟み、側面に４つの４−１〜４−４を取り付けた構成になっている。
具体的には、トランス８を、上下で向かい合う１次側コイル８−１と２次側コイル８−２とで構成し、１次側コイル８−１を導体パターン８１と導体パターン８２とで形成し、２次側コイル８−２を導体パターン８３と導体パターン８４とで形成した。
図１４に示すように、導体パターン８１は、内側から引き出された内部電極８１ａを有するパターン８１ｂと外側のパターン８１ｃとで形成されている。また、導体パターン８２は、図１６に示すように、外側に引き出された内部電極８２ａを有するパターン８２ｂと内側のパターン８２ｃとで形成されている。そして、導体パターン８２のパターン８２ｂの端部８２ｂ′と導体パターン８１のパターン８１ｃの端部８１ｃ′とが図１５に示す絶縁体層７２のスルーホール７２ａを通じて接続されている。また、パターン８１ｃの端部８１ｃ′′とパターン８２ｃの端部８２ｃ′とがスルーホール７２ｂを通じて接続され、パターン８２ｃの端部８２ｃ′′とパターン８１ｂの端部８１ｂ′とがスルーホール７２ｃを通じて接続されている。このようにして、内部電極８１ａ，８２ａを両端とするスパイラル状の１次側コイル８−１が形成されている。

かかる１次側コイル８−１においても、パターン８２ｂの線幅が最も太く、パターン８１ｃ，８２ｃの順で線幅が細くなり、パターン８１ｂの線幅が最も細くなるように形成され、一方端である内部電極８２ａ側から他方端である内部電極８１ａ側に向かって細くなっている。

一方、導体パターン８３，８４は、図１３に示すように、絶縁体層７３を介して導体パターン８１，８２の上方に配されている。
図１７に示すように、導体パターン８３は、内側から引き出された内部電極８３ａを有するパターン８３ｂと外側のパターン８３ｃとで形成されている。また、導体パターン８４は、図１９に示すように、外側に引き出された内部電極８４ａを有するパターン８４ｂと内側のパターン８４ｃとで形成されている。そして、導体パターン８４のパターン８４ｂの端部８４ｂ′と導体パターン８３のパターン８３ｃの端部８３ｃ′とが図１８に示す絶縁体層７４のスルーホール７４ａを通じて接続されている。また、パターン８３ｃの端部８３ｃ′′とパターン８４ｃの端部８４ｃ′とがスルーホール７４ｂを通じて接続され、パターン８４ｃの端部８４ｃ′′とパターン８３ｂの端部８３ｂ′とがスルーホール７４ｃを通じて接続されている。このようにして、内部電極８３ａ，８４ａを両端とするスパイラル状の２次側コイル８−２が形成されている。

かかる２次側コイル８−２においても、パターン８４ｂの線幅が最も太く、パターン８３ｃ，８４ｃの順で線幅が細くなり、パターン８３ｂの線幅が最も細くなるように形成され、一方端である内部電極８４ａ側から他方端である内部電極８３ａ側に向かって細くなっている。

そして、図１３に示すように、外部電極４−１が導体パターン８２の内部電極８２ａに電気的に接続し、外部電極４−２が導体パターン８１の内部電極８１ａに電気的に接続している。そして、外部電極４−３が導体パターン８３の内部電極８３ａに電気的に接続し、外部電極４−４が導体パターン８４の内部電極８４ａに電気的に接続している。

図２０は、第２実施例の積層型バルントランスの等価回路図である。
図２０に示すように、１次側コイル８−１の内部電極８２ａに接続した外部電極４−１をアンバランス端子とすると共に、内部電極８１ａに接続した外部電極４−２を第１のバランス端子とする。そして、２次側コイル８−２の内部電極８３ａに接続した外部電極４−３を第２のバランス端子とすると共に、内部電極８４ａに接続した外部電極４−４をグランド端子とすることで、１対１型のバルントランスと同構造になる。
しかし、この実施例の積層型バルントランスは、トランス８の１次側コイル８−１の線幅が内部電極８２ａ側から内部電極８１ａ側に向かって減少するように設定され、２次側コイル８−２の線幅も、内部電極８４ａ側から内部電極８３ａ側に向かって減少するように設定されているので、アンバランス端子である外部電極４−１側のインピーダンスと第１及び第２のバランス端子である外部電極４−２，４−３側のインピーダンスとの比を１対１でなく、１対１．５や１対２．０等のように、１対１よりも大きくすることができる。

逆に、外部電極４−２をアンバランス端子とすると共に、外部電極４−３をグランド端子とし、外部電極４−１，４−４を第１及び第２のバランス端子とすることで、アンバランス端子である外部電極４−２側のインピーダンスと第１及び第２のバランス端子である外部電極４−１，４−４側のインピーダンスとの比を１対１でなく、１対０．７５や１対０．５等のように、１対１よりも小さくすることができる。
その他の構成，作用及び効果は上記第１実施例と同様であるので、その記載は省略する。

次に、この発明の第３実施例について説明する。
図２１は、この発明の第３実施例に係る積層型バルントランスの等価回路図である。
この実施例は、図１に示した積層型バルントランスのごとく、磁性体基板１，３間に積層体２を挟み、その側面に外部電極４−１〜４−６を取り付けた構成において、図２１に示すように、ｎ（ｎ＝３以上の整数）個の第１トランス９（１）〜第ｎトランス９（ｎ）を積層体２に内包した。

具体的には、第１トランス９（１）の１次側コイル９−１の左方端を外部電極４−１に接続して、アンバランス端子とすると共に、右方端を外部電極４−２に接続して第１のバランス端子とした。また、最終段の第ｎトランス９（ｎ）では、２次側コイル９−２の左方端を外部電極４−５に接続してグランド端子とすると共に、右方端を外部電極４−３に接続して、第２のバランス端子とした。
そして、第１トランス９（１）〜第ｎ−１トランス９（ｎ−１）の各２次側コイル９−２の左方端を第ｎトランス９（ｎ）の２次側コイル９−２の左方端に接続した。すなわち、第１トランス９（１）〜第ｎトランス９（ｎ）のすべての２次側コイル９−２の左方端を外部電極４−５に接続して、グランド端子とした。また、第２トランス９（２）〜第ｎトランス９（ｎ）の１次側コイル９−１の左方端を第１トランス９（１）の１次側コイル９−１の左方端に接続した。すなわち、第１トランス９（１）〜第ｎトランス９（ｎ）の全ての１次側コイル９−１の左方端を外部電極４−１に接続して、アンバランス端子とした。そして、第２トランス９（２）〜第ｎトランス９（ｎ）の１次側コイル９−１の右方端を前段のトランス９（１）〜９（ｎ−１）の２次側コイル９−２の右方端にそれぞれ接続した。

かかる電気回路構造において、１次側及び２次側コイル９−１，９−２の線幅が均一であるならば、この積層型バルントランスは、１対ｎ^２ 型の積層型バルントランスであるが、この実施例においても、上記第１及び第２実施例と同様に、第１トランス９（１）の１次側コイル９−１の線幅を左方端側から右方端側に向かって増加又は減少するように設定し、第ｎトランス９（ｎ）の２次側コイル９−２の線幅を左方端側から右方端側に向かって増加又は減少するように設定してある。すなわち、これらのコイルの線幅を、アンバランス端子側から第１及び第２のバランス端子側に向かって増加又は減少させている。
これにより、第１トランス９（１）の１次側コイル９−１及び第ｎトランス９（ｎ）の２次側コイル９−２の線幅をアンバランス端子側から第１及び第２のバランス端子側に向かって増加させる構造にすると、外部電極４−１側のインピーダンスと外部電極４−２，４−３側のインピーダンスとの比を、１対ｎ^２よりも小さくすることができる。また、逆に、線幅をアンバランス端子側から第１及び第２のバランス端子側に向かって減少させる構造にすると、外部電極４−１側のインピーダンスと外部電極４−２，４−３側のインピーダンスとの比を、１対ｎ^２よりも大きくすることができる。
その他の構成，作用及び効果は、上記第１及び第２実施例と同様であるので、その記載は省略する。

なお、この発明は、上記実施例に限定されるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の変形や変更が可能である。
例えば、上記第１実施例では、アンバランス端子側から第１及び第２のバランス端子側に向かって線幅を減少させたコイルを適用した積層型バルントランスを例示したが、これに限定されるものではなく、線幅をアンバランス端子側から第１及び第２のバランス端子側に増加させたコイルを適用した積層型バルントランスもこの発明の範囲に含まれることは勿論である。

Claims (3)

1. 第１磁性体基板と、この第１磁性体基板上に積層され且つそれぞれが互いに向き合う１次側コイルと２次側コイルとで構成された第１トランス及び第２トランスを内包する積層体と、この積層体上に設けられた第２磁性体基板とを備える積層型バルントランスであって、
   上記第１トランスの１次側コイルの一方端をアンバランス端子とすると共に当該１次側コイルの他方端を第１のバランス端子とし、２次側コイルの一方端及び他方端をそれぞれグランド端子とし、上記第２トランスの１次側コイルの一方端を第１トランスの１次側コイルの上記一方端に接続すると共に当該１次側コイルの他方端を第１トランスの２次側コイルの上記他方端に接続し、第２トランスの２次側コイルの一方端を第１トランスの２次側コイルの上記一方端に接続すると共に当該２次側コイルの他方端を第２のバランス端子とし、
   上記第１トランスの１次側コイルの線幅が上記一方端側から上記他方端側に向かって増加又は減少するように、当該１次側コイルの形状を設定すると共に、上記第２トランスの２次側コイルの線幅が上記一方端側から上記他方端側に向かって増加又は減少するように、当該２次側コイルの形状を設定した、
   ことを特徴とする積層型バルントランス。
2. 第１磁性体基板と、この第１磁性体基板上に積層され且つそれぞれが互いに向き合う１次側コイルと２次側コイルとで構成された一のトランスを内包する積層体と、この積層体上に設けられた第２磁性体基板とを備える積層型バルントランスであって、
   上記トランスの１次側コイルの一方端をアンバランス端子とすると共に当該１次側コイルの他方端を第１のバランス端子とし、２次側コイルの一方端をグランド端子とすると共に当該２次側コイルの他方端を第２のバランス端子とし、
   上記トランスの１次側コイルの線幅と２次側コイルの線幅とが上記一方端側から上記他方端側に向かって増加又は減少するように、当該１次側コイル及び２次側コイルの形状を設定した、
   ことを特徴とする積層型バルントランス。
3. 第１磁性体基板と、この第１磁性体基板上に積層され且つそれぞれが互いに向き合う１次側コイルと２次側コイルとで構成された第１トランスないし第ｎトランス（ｎ＝３以上の整数）を内包する積層体と、この積層体上に設けられた第２磁性体基板とを備える積層型バルントランスであって、
   上記第１トランスの１次側コイルの一方端をアンバランス端子とすると共に当該１次側コイルの他方端を第１のバランス端子とし、上記第ｎトランスの２次側コイルの一方端をグランド端子とすると共に当該２次側コイルの他方端を第２のバランス端子とし、上記第１トランスないし第ｎ−１トランスの２次側コイルの一方端を第ｎトランスの２次側コイルの上記一方端に接続し、上記第２トランスないし第ｎトランスの１次側コイルの一方端を第１トランスの１次側コイルの上記一方端に接続すると共に他方端を前段のトランスの２次側コイルの他方端にそれぞれ接続し、
   上記第１トランスの１次側コイルの線幅が上記一方端側から上記他方端側に向かって増加又は減少するように、当該１次側コイルの形状を設定すると共に、上記第ｎトランスの２次側コイルの線幅が上記一方端側から上記他方端側に向かって増加又は減少するように、当該２次側コイルの形状を設定した、
   ことを特徴とする積層型バルントランス。

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