JP4620368B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、この発明の実施の形態1に係るパワー用途の半導体装置を示す断面図である。高濃度のn型(以下、単にn+と称する場合がある)SiC基板(半導体基板)1上にエピタキシャル成長により低濃度のn型(以下、単にn-と称する場合がある)ドリフト領域(半導体層)2が形成されている。ここでSiC基板1は、シリコンよりバンドギャップの広いワイドバンドギャップの半導体基板である。
図10から図12は本実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を示す断面図である。図10に示された工程では、実施の形態1の図2に示された工程と同様に、マスク材21を用いてイオン注入を行い、ベース領域5を形成する。
図13は本実施の形態に係る半導体装置の構造を示す断面図である。本実施の形態では、チャネル領域11上に形成されたn型のSiCチャネルエピタキシャル層(エピタキシャル層)31をさらに備えている。SiCチャネルエピタキシャル層(以下単にチャネルエピ層と称する)31の不純物濃度は、5×1015〜2×1017cm-3で、厚さは0.1〜2μmに形成されている。
Claims (2)
- シリコンよりバンドギャップの広いワイドバンドギャップ半導体基板と、
前記半導体基板の主面に形成された半導体層と、
前記半導体層の表層部に形成された第1導電型の電流出力領域と、
前記半導体層の表層部に前記電流出力領域と離れて形成された第1導電型のチャネル接続領域とを備え、
前記電流出力領域と前記チャネル接続領域に挟まれた前記半導体層の領域がチャネル領域として規定され、
前記電流出力領域を含む前記半導体層の表層部に、前記チャネル接続領域まで延設して形成され、前記電流出力領域の深さよりも深い第2導電型の不純物領域と、
前記チャネル領域上に、ゲート酸化膜を介して形成されたゲート電極と、
前記電流出力領域に接続された電流出力電極と、
前記半導体基板の裏面に形成された電流入力電極と、
をさらに備え、
前記チャネル接続領域の不純物濃度は、前記電流出力領域の不純物濃度より低い半導体装置の製造方法であって、
(a)前記半導体層上に、前記チャネル接続領域に対応する領域を開口した第1開口部及び前記電流出力領域に対応する領域を開口した第2開口部を有する第1のマスクを形成する工程と、
(b)前記第2開口部を塞ぎ、かつ前記第1開口部を塞がないように第3のマスクを形成する工程と、
(c)前記第1のマスク及び前記第3のマスクを用いてイオン注入することにより前記チャネル接続領域を形成する工程と、
(d)前記第1開口部を塞ぎ、かつ前記第2開口部を塞がないように第2のマスクを形成する工程と、
(e)前記第1のマスク及び前記第2のマスクを用いてイオン注入することにより前記電流出力領域を形成する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - シリコンよりバンドギャップの広いワイドバンドギャップ半導体基板と、
前記半導体基板の主面に形成された半導体層と、
前記半導体層の表層部に形成された第1導電型の電流出力領域と、
前記半導体層の表層部に前記電流出力領域と離れて形成された第1導電型のチャネル接続領域とを備え、
前記電流出力領域と前記チャネル接続領域に挟まれた前記半導体層の領域がチャネル領域として規定され、
前記電流出力領域を含む前記半導体層の表層部に、前記チャネル接続領域まで延設して形成され、前記電流出力領域の深さよりも深い第2導電型の不純物領域と、
前記チャネル領域上に、ゲート酸化膜を介して形成されたゲート電極と、
前記電流出力領域に接続された電流出力電極と、
前記半導体基板の裏面に形成された電流入力電極と、
前記チャネル領域上に形成された第1導電型のエピタキシャル層と、
をさらに備え、
前記チャネル接続領域の不純物濃度は、前記電流出力領域の不純物濃度より低い半導体装置の製造方法であって、
(a)前記半導体層上に、前記チャネル接続領域に対応する領域を開口した第1開口部及び前記電流出力領域に対応する領域を開口した第2開口部を有する第1のマスクを形成する工程と、
(b)前記第2開口部を塞ぎ、かつ前記第1開口部を塞がないように第3のマスクを形成する工程と、
(c)前記第1のマスク及び前記第3のマスクを用いてイオン注入することにより前記チャネル接続領域を形成する工程と、
(d)前記第1開口部を塞ぎ、かつ前記第2開口部を塞がないように第2のマスクを形成する工程と、
(e)前記第1のマスク及び前記第2のマスクを用いてイオン注入することにより前記電流出力領域を形成する工程と、
(f)前記チャネル接続領域及び前記電流出力領域を形成後に、前記チャネル領域を覆うようにエピタキシャル層を形成する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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