JP4618468B2 - 電源装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電源装置に関し、例えばテレビジョン装置が待機動作状態のとき、消費電力を低減するようになされた電源装置に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、テレビジョン装置おいては、ＡＣ（Alternating Current ）プラグが商用電源に挿入された後にメインスイッチがオン動作されると、当該ＡＣプラグから商用電圧がテレビジョン装置本来の機能を動作させる本体に供給される。テレビジョン装置内の本体は、ＡＣプラグから供給される商用電圧に基づいて動作し、例えばＣＲＴ(Cathode Ray Tube display)に映像を受像する等、種々の処理を実行するようになされている。
【０００３】
またテレビジョン装置においては、サブスイッチであるリモートコントローラからの遠隔操作によってもテレビジョン装置内の本体に商用電圧を供給させるようになされている。この場合テレビジョン装置は、リモートコントローラから赤外線に重畳された制御信号を受光するまで待機動作状態とすることができる。
【０００４】
テレビジョン装置は、待機動作状態において、ＡＣプラグが商用電源に挿入されることにより供給される商用電圧を待機電源部及び主電源スイッチに供給する。待機電源部はＡＣプラグから供給された商用電圧の電圧レベルを引き下げると共に直流電圧に変換し、これを受光部に供給する。
【０００５】
また、主電源スイッチは受光部から制御信号が供給されるまでオフ動作状態となっており、テレビジョン装置の本体にＡＣプラグから供給された商用電圧を供給しない。
【０００６】
これに対して、受光部はリモートコントローラから赤外線に重畳された制御信号を受光すると、当該受光した赤外線を光電変換することにより、赤外線に重畳された制御信号を抽出し、これを主電源スイッチに出力する。
【０００７】
これにより主電源スイッチはオン動作し、商用電圧が本体に供給される。従ってテレビジョン装置は待機動作状態から主電源投入状態に移行する。
【０００８】
このようにテレビジョン装置が待機動作状態のときは、待機電源部のみが電力を消費するようになされており、これによりテレビジョン装置全体としては、省エネルギーを計るようになされている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところでかかる構成の待機電源部は、内部に設けられた電源トランスの１次側に対して間欠的に電流を流すことにより、当該電源トランスを間欠的に励磁させ、電源トランスの２次側を介して商用電圧の電圧レベルを引き下げると共に直流電圧に変換し、これを受光部に供給する。
【００１０】
この場合待機電源部の消費電力は、常時電源トランスを励磁させる場合に比べると、間欠的に励磁させているので少なくなり、当該待機電源部は、消費電力を低減し、これによりテレビジョン装置全体としては、さらに省エネルギーを計ることができる。
【００１１】
しかしながら従来の待機電源部においては、電源トランスを間欠的に励磁させるための回路の主要部分が１次側に設けられており、当該１次側回路内の電流値が多くなるので、１次側回路内の電流を蓄えるコンデンサ容量を大きくする必要がある。すなわち待機電源部は、省エネルギーを計るには未だ不十分であった。
【００１２】
またこの場合の待機電源部は、電源トランスの１次側の回路に供給する電流を蓄えるコンデンサ容量が大きいことにより、当該コンデンサに電流を蓄える時間が長時間費やされてしまうという問題があった。
【００１３】
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、一段と効率良く省エネルギーを計ることができる電源装置を提案しようとするものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を解決するため本発明は、電源装置であって、交流電源ラインに接続されるトランスと、トランスの一次側と二次側とを絶縁するフォトカプラと、トランスの一次巻線と交流電源ラインとの間に設けられる電界効果トランジスタと、トランスの二次側に設けられ、トランスの二次巻線を介して蓄積される電圧レベルが閾値を越える場合にはフォトカプラを駆動させ、閾値を下回る場合にはフォトカプラを停止させる２次側回路と、トランスの一次側に設けられ、フォトカプラが駆動状態の場合には電界効果トランジスタを開状態とし、該フォトカプラが停止状態の場合には交流電源ライン間に接続されるコンデンサを通る電流から得られる電圧を電界効果トランジスタに与えて閉状態とする一次側回路とを有する。
また本発明は、電源装置であって、交流電源ラインに接続されるトランスと、トランスの一次側と二次側とを絶縁するフォトカプラと、トランスの一次巻線と交流電源ラインとの間に設けられるスイッチング素子と、トランスの二次側に設けられ、トランスの二次巻線を介して蓄積される電圧レベルが閾値を越える場合にはフォトカプラを停止させ、閾値を下回る場合にはフォトカプラを駆動させる２次側回路と、トランスの一次側に設けられ、フォトカプラが停止状態の場合にはスイッチング素子を開状態とし、該フォトカプラが駆動状態の場合にはスイッチング素子を閉状態とする一次側回路とを有する。
【００１５】
（１）第一の実施の形態
図１において、１００はテレビジョン装置を示し、ユーザがテレビジョン装置１００のＡＣ（Alternating Current ）プラグ（図示せず）を商用電源８０に挿入すると、商用電源８０から供給される商用電圧は、主電源スイッチ８５及び電源装置としての待機電源部７０に供給される。
【００１６】
テレビジョン装置１００は、ＡＣプラグが商用電源８０に挿入されてから受光部７５がリモートコントローラ（図示せず）より本体９０の起動を表す制御信号を受光するまでの間、主電源スイッチ８５を介して商用電源８０から供給される商用電圧を本体９０に出力しない待機動作状態となる。
【００１７】
またテレビジョン装置１００は、受光部７５が本体９０の起動を表す制御信号を受光すると、待機動作状態から主電源投入状態に移行し、主電源スイッチ８５に供給される商用電圧を本体９０に出力する。これにより本体９０は、主電源スイッチ８５に供給される商用電圧に基づいて起動し、例えば図示しないＣＲＴ（Cathode Ray Tube Display）に映像を受像する等、種々の処理を行うようになされている。
【００１８】
テレビジョン装置１００の待機動作状態において、待機電源部７０は商用電源８０から供給される商用電圧の電圧レベルを引き下げると共にこれを直流電圧に変換し、常時受光部７５に出力する。受光部７５は、待機電源部７０から供給される直流電圧を待機電源として常時動作するようになされており、これによりリモートコントローラから供給される制御信号を常時待ち受ける。
【００１９】
図２は、待機電源部７０の回路構成を示し、待機電源部７０は電源トランスＴｒの１次側に励磁回路部５０を有すると共に、２次側に制御回路部６０を有する。
【００２０】
励磁回路部５０は、待機動作状態において、ＡＣプラグ（図示せず）が商用電源８０（図１）に挿入された際にＡＣ入力端１及び２を介して供給される商用電圧に基づいて電源トランスＴｒを初期励磁動作させることにより、制御回路部６０を動作させる。
【００２１】
制御回路部６０は、励磁回路部５０によって電源トランスＴｒが初期励磁動作なされたことにより一旦動作すると、必要に応じて電源トランスＴｒの励磁動作停止及び通常励磁動作を間欠的に制御することによりテレビジョン装置１００の待機動作状態を維持するようになされている。
【００２２】
ここで初期励磁動作とは、テレビジョン装置１００の待機動作状態を維持する制御回路部６０を動作させるため、励磁回路部５０によって電源トランスＴｒを励磁状態にさせる動作であり、通常励磁動作とは、初期励磁動作が終了した以降、制御回路部６０によって電源トランスＴｒを励磁状態にさせる動作である。
【００２３】
テレビジョン装置のＡＣプラグが商用電源８０に挿入されてから電源トランスＴｒが初期励磁動作する過程において、商用電源８０から商用電圧入力端１にマイナス電圧が供給されると共に、商用電圧入力端２にプラス電圧が与えられる（図３（Ａ）ｔ1 〜ｔ2 ）と、このとき励磁回路部５０には、商用電圧入力端２、コンデンサＣ２、スイッチング用の電界効果トランジスタ（以下、これをＦＥＴ（：Field Effect Transistor ）と呼ぶ) ６、電源トランスＴｒの一次巻線３及び商用電圧入力端１を順次介して電流が流れる。これによりコンデンサＣ２には、接続点１４側がプラスとなるように電荷が充電される。
【００２４】
また商用電源８０から商用電圧入力端１及び２それぞれに供給される電圧がゼロになるまでの間（図３（Ａ）ｔ2 〜ｔ3 ）、励磁回路部５０には、商用電圧入力端２、商用電源８０、商用電圧入力端１、コンデンサＣ１、抵抗Ｒ１、整流ダイオードＤ２、ＦＥＴ５及び６をオン動作させるための電圧を蓄積するコンデンサ（以下、これをスイッチング電圧蓄積用コンデンサと呼ぶ）Ｃ３を順次介してコンデンサＣ２に充電された電荷が放電される。
【００２５】
これによりコンデンサＣ１には、接続点１６側がプラスとなるように電荷が充電されると共に、スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３には、接続点１５側がプラスとなるように電荷が充電される。これによりスイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３の電圧は上昇する。
【００２６】
さらに商用電圧入力端１及び２の電圧がゼロの状態から商用電圧入力端１にプラス電圧が供給されると共に、商用電圧入力端２にマイナス電圧が供給される（図３（Ａ）ｔ3 〜ｔ4 ）と、このとき励磁回路部５０には、商用電圧入力端１、コンデンサＣ１、抵抗Ｒ１、整流ダイオードＤ２、スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３、コンデンサＣ２及び商用電圧入力端２を順次介してコンデンサＣ２に充電された電荷が放電される。
【００２７】
ここでコンデンサＣ２に充電された電荷が全て放電されると、励磁回路部５０には、商用電圧入力端１、コンデンサＣ１、抵抗Ｒ１、整流ダイオードＤ２、スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３、ＦＥＴ５及び商用電圧入力端２を順次介して電流が流れる。これによりコンデンサＣ１には、接続点１６側がプラスとなるように電荷が充電されると共に、スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３には、接続点１５側がプラスとなるように電荷が充電される。
【００２８】
さらにまた商用電源８０商用電圧入力端１及び２それぞれに供給される電圧がゼロになるまでの間（図３（Ａ）ｔ4 〜ｔ5 ）、励磁回路部５０には、商用電圧入力端１、商用電源８０、商用電圧入力端２、コンデンサＣ２、整流ダイオードＤ１、抵抗Ｒ１及びコンデンサＣ１を順次介してコンデンサＣ１に充電された電荷が放電される。これによりコンデンサＣ２には、接続点１４側がプラスとなるように電荷が充電される。
【００２９】
このようにして商用電源８０から商用電圧が供給される（図３（Ａ）ｔ1 〜ｔ5 ）と、励磁回路部５０は、スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３に半波整流された電流の充電（電荷の蓄積）を行う。従って所定の期間商用電源８０（図１）から商用電圧が供給（図３（Ａ）ｔ5 〜ｔn ）されると、励磁回路部５０は、スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３への充電を繰り返すことになる。
【００３０】
因みに抵抗Ｒ１においては、商用電源８０から供給される商用電圧に高電圧スパイクノイズが含まれていた場合、当該高電圧スパイクノイズがコンデンサＣ１を介して励磁回路部５０内の各素子を破壊しないように設けられた制限抵抗であり、励磁回路部５０が電源トランスＴｒを励磁させる過程にて影響しないようになされている。またスイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３への充電においては、電圧制限用ダイオードＤ３により所定のレベルで制限されるようになされている。
【００３１】
ここでスイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３に充電が繰り返されることにより所定の電圧値が得られると（図３（Ｂ）Ｔ１′）、スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３に充電された半波電流は、抵抗Ｒ２を介してＦＥＴ５のゲート及びＦＥＴ６のゲートそれぞれに供給され、これによりＦＥＴ５及び６は、オン動作する（図３（Ｃ）Ｔ１′）。
【００３２】
このときコンデンサＣ２は、短絡されることとなり、従ってスイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３に充電される電荷は、多くなる（図３（Ｂ）Ｔ１′以降）。その結果スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３の充電電圧は、抵抗Ｒ２を介してＦＥＴ５及び６のゲートそれぞれに供給され続け、これによりＦＥＴ５及び６は、オン動作を維持する。この場合電源トランスＴｒの１次側には、商用電源８０からの商用電圧が直接加わることとなり（図３（Ｇ）Ｔ１′）、これにより電源トランスＴｒは、初期励磁動作する。
【００３３】
因みにコンデンサＣ１の容量とコンデンサＣ２の容量とが同量の場合、コンデンサＣ２が短絡されることによりスイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３に蓄積される電荷は、コンデンサＣ２が短絡される以前に蓄積される電荷よりおよそ２倍になる。
【００３４】
また電源トランスＴｒの１次側に直接商用電圧が加わることにより当該電源トランスＴｒが初期励磁動作すると、電源トランスＴｒの１次巻線３に供給されている商用電圧は、電源トランスＴｒの２次巻線４を介して整流ダイオードＤ４において直流電圧とされ、制御回路部６０に供給される。これにより制御回路部６０の電源となるコンデンサ（以下、これを二次側電圧蓄積用コンデンサと呼ぶ）Ｃ４には、直流電圧が充電される（図３（Ｄ）Ｔ１′）と共に、受光部７５（図１）には出力端７を介して直流電圧が出力され初める。
【００３５】
ここで制御回路部６０内部に設けられる内電圧調整用ＩＣ(Integrated Circuit)１７は、電源トランスＴｒ、整流ダイオードＤ４及び二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４を順次介して供給される直流電圧が所定の電圧値となることにより一旦動作状態になると、当該内電圧調整用ＩＣ１７に入力される電圧を監視するようになされており、制御回路部６０は内電圧調整用ＩＣ１７による監視結果に応じてスイッチング用のＦＥＴ５及び６をオフ動作させるようになされている。これにより電源トランスＴｒは、励磁動作を停止する。
【００３６】
すなわち電源トランスＴｒが初期励磁動作から励磁動作を停止するまでの過程において、電源トランスＴｒが初期励磁動作となると、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４端子電圧が所定の電圧レベルになるまでは内電圧調整用ＩＣ１７の入力電圧及び出力電圧は、それぞれ二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４に蓄積されていく電荷に応じて上昇する。
【００３７】
このときＰＮＰ型トランジスタ１０のベースに与えられる電圧は、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の端子電圧を分圧抵抗Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７により分圧したものであり、またＰＮＰ型トランジスタ１０のエミッタに与えられる電圧は、内電圧調整用ＩＣ１７の出力電圧である。従ってトランジスタ１０のベース電圧はエミッタ電圧より低くなり、その結果トランジスタ１０はオン動作し（図３（Ｅ）Ｔ１′）、これにより内電圧調整用ＩＣ１７の出力電圧は、トランジスタ１０及び抵抗Ｒ８を介してトランジスタ１１のベースに供給される。
【００３８】
これによりトランジスタ１１のベース電圧は上昇することとなり、その結果トランジスタ１１はオン動作する（図３（Ｅ）Ｔ１′）。この場合、トランジスタ１０のベース電圧は、分圧抵抗Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７の分圧抵抗から分圧抵抗Ｒ４及びＲ５のみの分圧抵抗となり、これによりトランジスタ１０のベース電圧はさらに下降する。
【００３９】
従ってトランジスタ１０のエミッタからコレクタを介して流れる電流は、多くなり、これに伴ってトランジスタ１１のコレクタからエミッタを介して流れる電流も多くなるので、トランジスタ１０及び１１のオン動作は持続する。
【００４０】
因みにトランジスタ１１のベースは、外部より常時オン動作させるための端子９に抵抗Ｒ９を介して接続されている。また抵抗Ｒ８及びＲ１０は、トランジスタ１０のコレクタ電流が所定量流れた際にトランジスタ１１をオン動作させるための抵抗である。さらに分圧抵抗Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７においては、トランジスタ１０及び１１がオン動作する前にトランジスタ１２がオン動作しないようになされている。
【００４１】
ここで、内電圧調整用ＩＣ１７は、所定の電圧値が与えられることにより一旦正常動作状態の際には制御回路部６０内の電圧値を一定に保つので、所定の電圧レベル以上の電圧が入力されると、トランジスタ１０のエミッタ電圧は一定であるのに対し、ベース電圧は上昇するようになされている。
【００４２】
従って内電圧調整用ＩＣ１７に入力される電圧（すなわち二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４が充電されることにより得られる電圧）が所定の電圧レベルを越えると（図３（Ｄ）Ｔ２：Upper limit ）、トランジスタ１０はベース電圧が上昇してオン動作を維持できなくなる。
【００４３】
これによりトランジスタ１０はオフ動作し（図３（Ｅ）Ｔ２）、従ってトランジスタ１１のベース電圧は下がることになり、その結果、トランジスタ１１はオフ動作する（図３（Ｅ）Ｔ２）。
【００４４】
これによりトランジスタ１１のコレクタ電圧が上昇し、これに伴ってトランジスタ１０のベース電圧はさらに上昇してオフ動作に正帰還がかかって直ちにトランジスタ１０及び１１それぞれがオフ動作する。これによりトランジスタ１２のベース電圧は上がることになり、その結果、トランジスタ１２はオン動作する（図３（Ｆ）Ｔ２）。
【００４５】
従って内電圧調整用ＩＣ１７から出力される電流は、抵抗Ｒ３、電源トランスＴｒの１次側及び２次側を絶縁するフォトカプラＰＨ内のダイオードＤ７及びトランジスタ１２を順次介して出力端８のグランドに供給される。このときフォトカプラＰＨ内のトランジスタ１３はオン動作する。
【００４６】
これにより励磁回路部５０内において、スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３及び抵抗Ｒ２を介してＦＥＴ５及び６に供給されていた電流は、フォトカプラＰＨ内のトランジスタ１３のコレクタからエミッタを介して流れる。従ってＦＥＴ５及び６それぞれのゲート−ソース間は、短絡されることにより、ＦＥＴ５及び６は、オフ動作する（図３（Ｃ）Ｔ２）。
【００４７】
従って電源トランスＴｒの１次側に供給されていた商用電圧は、供給されないこととなり（図３（Ｇ）Ｔ２）、これにより初期励磁動作していた電源トランスＴｒは、励磁動作を停止する。
【００４８】
このようにして制御回路部６０は、内部の内電圧調整用ＩＣ１７に入力される電圧が所定の電圧レベルを越えると、スイッチング用のＦＥＴ５及び６をオフ動作させ、これにより電源トランスＴｒは、励磁動作を停止する。
【００４９】
また電源トランスＴｒの初期励磁動作が制御回路部６０によって停止されると、制御回路部６０内の二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４に蓄積された電荷は、制御回路部６０内及び出力端７を介して受光部７５（図１）に負荷電流として放電される（図３（Ｄ）Ｔ２〜Ｔ３）。
【００５０】
ここで二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の電荷が放電されることにより内電圧調整用ＩＣ１７に入力される電圧が所定の電圧レベル以下になると（図３（Ｄ）Ｔ３：Lower limit ）、トランジスタ１０のベース電圧はエミッタ電圧より低くなる。
【００５１】
この場合トランジスタ１０はベース電圧が下がることによりオン動作し、これにより制御回路部６０は、電源トランスＴｒが初期励磁動作から励磁動作停止する過程において上述したように内電圧調整用ＩＣ１７に入力される電圧が所定の電圧レベルを越えるまで、スイッチング用のＦＥＴ５及び６をオン動作させる。これにより電源トランスＴｒは通常励磁動作し、整流ダイオードＤ４を通過した直流電流は、再び二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４に充電される（図３（Ｄ）Ｔ３〜Ｔ４）。
【００５２】
さらに内電圧調整用ＩＣ１７に入力される電圧値が所定の電圧レベルを越えると（図３（Ｄ）Ｔ４）、制御回路部６０は、スイッチング用のＦＥＴ５及び６をオフ動作させる。これにより電源トランスＴｒは励磁動作を停止する。
【００５３】
このようにして制御回路部６０は、内電圧調整用ＩＣ１７により、当該内電圧調整用ＩＣ１７に入力される電圧が所定の電圧レベルを越えると電源トランスＴｒをオフ動作させ、所定の電圧レベルよりも下降すると電源トランスＴｒをオン動作させるようになされており、これにより電源トランスＴｒは、制御回路部６０により間欠的に通常励磁動作及び励磁動作停止を制御される。
【００５４】
従って制御回路部６０の内電圧調整用ＩＣ１７の出力端７は、常に一定の電圧が保たれており、これにより受光部７５には出力端７を介して一定の電圧が加えられる。従って制御回路部６０は、テレビジョン装置１００の待機動作状態を維持する。
【００５５】
このように励磁回路部５０は、ＡＣ入力端１及び２を介して商用電圧が供給されると、スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３に半波整流された電流の充電を繰り返してＦＥＴ５及び６をオン動作させることにより、電源トランスＴｒを初期励磁動作させることができる。
【００５６】
また励磁回路部５０は、スイッチング用のＦＥＴ５及び６をオン動作させ、当該電源トランスＴｒの１次巻線３に対してＡＣ入力端１及び２を介して供給される商用電圧を直接加える。これにより電源トランスＴｒの２次側である制御回路部６０の二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４は、短時間に充電される。すなわち励磁回路部５０は、短時間に二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４を充電することができる。
【００５７】
従って例えば停電等、商用電源（図示せず）から商用電圧が所定期間供給されない場合において、励磁回路部５０は、停電状態が復帰したことによる商用電源８０からの供給開始時には直ちにスイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３に対して充電を繰り返してＦＥＴ５及び６をオン動作させ、これにより電源トランスＴｒを再び初期励磁動作させることができる。これにより励磁回路部５０は、短時間に制御回路部６０を正常動作状態にさせることができる。
【００５８】
さらに制御回路部６０は、内部電圧を一定に保たれるようになされており、所定の電圧レベル以上になった場合にはフォトカプラＰＨを介してＦＥＴ５及び６をオフ動作させると共に、所定の電圧レベル以下になった場合にはフォトカプラＰＨを介してＦＥＴ５及び６をオン動作させることができ、かくして間欠的に電源トランスＴｒの励磁を制御することができる。
【００５９】
ここで待機電源部７０の構成において、例えばコンデンサＣ4 の容量を 4700[ μF]、内電圧調整用ＩＣ１７の内部ロス電流値を 2[ μA]、フォトカプラＰＨのトランジスタ１３内の電流値を 30 [ μA]、トランジスタ１０及び１１に流れる電流値を 10 [ μA]、内電圧調整用ＩＣ１７における入力電圧の上限電圧値を 8[V] 、内電圧調整用ＩＣ１７における入力電圧の下限電圧値を 6[V] 、コンデンサＣ4 の充電効率を 50[%]、コンデンサＣ4 の充電時間を 50[ms] 、ＦＥＴ５及び６がオフ動作の際にフォトカプラＰＨ内のトランジスタ１３に流れる電流値を 0.5[ μA]、スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３の端子電圧値を 10[V]、抵抗Ｒ１値を 100[kΩ] 、電源トランスＴｒの励磁損を 0.1[W] 、ＦＥＴ５及び６のオン動作時又はオフ動作時のロスを 0、各コンデンサＣ１〜Ｃ４のリーク電流値を 0、各ダイオードＤ１〜Ｄ３のロスを 0と具体的に仮定した場合、励磁回路部５０がＦＥＴ５及び６をオン動作させる消費電力は、ダイオードＤ２を通過する電力（すなわち 10[V]× 0.5[ μA]＝5[μW]）と、抵抗Ｒ１のロス分の電力（すなわちＲＩ２＝ 100[kΩ] ×（ 1.1[ μA]）２＝ 0.121[ μW]：交流電流全てがダイオードＤ１を通過したと仮定する）との 5.121[ μW]である。
【００６０】
また二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の充電電力において、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の容量に内電圧調整用ＩＣ１７における入力電圧の上限電圧値である 8[V] の電圧があるときのエネルギー（すなわちＣＶ２／２＝ 0.1504[J]）と、コンデンサＣ4 の容量に内電圧調整用ＩＣ１７における入力電圧の下限電圧値である 6[V] の電圧があるときのエネルギー（すなわちＣＶ２／２＝ 0.0846[J]）との差は、 0.0658[J]であるから、コンデンサＣ4 の充電に必要なエネルギーは、コンデンサＣ4 の充電効率を 50[%]であることにより 0.1316[J]（すなわち 0.0658[J]× 2）となる。従ってコンデンサＣ4 の電圧が 8[V] から 6[V] になるまでの時間は、ＣＶ＝ＩＴ（Ｃ：コンデンサ容量、Ｖ：電圧差、Ｉ：電流、Ｔ：時間）により、223.8[sec]（すなわちＴ＝ＣＶ／Ｉ＝ 4700[μF]× 2[V] ／（ 2[ μA]＋ 30[μA]＋ 10[μA]））となる。これにより充放電１周期の二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の平均充電電力は、 0.588[mW]（すなわち 0.1316[J]／（ 223.8[sec] ＋ 0.05[sec]））となる。
【００６１】
さらに電源トランスＴｒの平均励磁電力は、励磁電力×動作時間／１周期時間により、 0.0223[mW] （すなわち 0.1[W] × 50[ms] ／（ 223.8[sec] ＋ 0.05[sec]））となる。
【００６２】
すなわち上述のように仮定した場合の待機電源部７０における計算上の消費電力は、0.61542[mW] （すなわち 0.00512[mW]＋ 0.588[mW]＋ 0.0223[mW] ）である。実際上の待機電源部７０の消費電力においては、例えば電源トランスＴｒの突入電流等、計算上仮定しなかった項目があるために増えるものと思われるが、少なくとも 1[mW]以下には納まる。
【００６３】
また、負荷電力を 1[mW]及び電源効率を 30[%]と仮定すると、負荷をつないだことによる増加分は 3.33[mW] であり、待機電源部７０内部消費分の 1[mW]を加えると、 4.33[mW] となるため、年間消費電力量は 37.93[Wh]（すなわち 0.00433[W] × 24[時間] × 365[ 日] ）となる。ここで 1[kWh] あたり 23[円] と仮定すれば、年間消費電力料金は 0.872[ 円/ 年] （すなわち 37.93[Wh]× 23[円] ）となる。
【００６４】
従って、例えば電池にて２〜３年動作する電機機器に代えて、待機電源部７０にて当該電機機器が動作するようにした場合、年間消費電力料金においては、電池にて２〜３年動作する電機機器よりも待機電源部７０にて動作する当該電機機器のほうが計算上低減し得る。これにより電機機器を使用するユーザは、当該電機機器を使用するために消費する料金を低減することができる。
【００６５】
このように待機電源部７０は、電源トランスＴｒを初期励磁動作、通常励磁動作及び励磁動作停止させるためのスイッチング素子をＦＥＴ５及び６としたことにより、励磁回路部５０が電源トランスＴｒを初期励磁動作させるための電力と、制御回路部６０が電源トランスＴｒを通常励磁動作及び励磁動作停止させるための電力とを一段と低減させることができる。
【００６６】
以上の構成において、電源トランスＴｒの一次側に設けられた励磁回路部５０は、商用電圧が供給されると、直流電圧発生回路としてのコンデンサＣ１及びＣ２、抵抗Ｒ１、抵抗Ｒ２、整流ダイオードＤ１及びＤ２、電圧制限ダイオードＤ３、スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３によって当該スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３に半波整流された電流の充電を繰り返してＦＥＴ５及び６をオン動作することにより、電源トランスＴｒを初期励磁動作させる。
【００６７】
この場合励磁回路部５０は、電源トランスＴｒの１次巻線３に対して商用電圧を直接加えるようになされており、これにより励磁回路部５０は、電源トランスＴｒの２次側に設けられる少ない電力で動作するようになされた制御回路部６０を短時間に正常動作状態にさせる。
【００６８】
また正常動作状態となった制御回路部６０は、当該制御回路内の電圧値を常時監視することにより一定に保つようになされている。すなわち制御回路部６０は、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４が所定の電圧レベル以上になったときにはフォトカプラＰＨを動作させることにより、ＦＥＴ５及び６をオフ動作させると共に、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４が所定の電圧レベル以下になったときには励磁回路部５０のフォトカプラＰＨの動作を停止させることにより、ＦＥＴ５及び６をオン動作させる。
【００６９】
従って制御回路部６０は、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の電圧値に応じてフォトカプラＰＨを介してＦＥＴ５及び６をオン−オフ動作させることができ、これにより励磁回路部５０は、当該ＦＥＴ５及び６のオン−オフ動作によって電源トランスＴｒを励磁させる、又は停止させる。すなわち制御回路部６０は、少ない電力で動作して電源トランスＴｒを間欠的に制御することができる。
【００７０】
さらに待機電源部７０は、電源トランスＴｒを初期励磁動作、通常励磁動作及び励磁動作停止させるためのスイッチング素子をＦＥＴ５及び６としたことにより、励磁回路部５０が電源トランスＴｒを初期励磁動作させるための電力と、制御回路が電源トランスＴｒを通常励磁動作及び励磁動作停止させるための電力を一段と低減させることができる。
【００７１】
以上の構成によれば、電源トランスＴｒの１次側に励磁回路部５０を設けると共に、２次側に制御回路部６０を設け、当該制御回路部６０が励磁回路部５０を間欠的に制御するようにしたことにより、スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３及び二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の容量が少なくても動作するので待機電源部７０の消費電力を一段と抑え得ることができ、かくして、一段と効率良く省エネルギーを計ることができる。
【００７２】
なお上述の第一の実施の形態においては、ＦＥＴ５及び６のオン動作をスイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３の充電をコンデンサＣ１及びＣ２によるリアクタンスにて行う場合について述べたが、本発明はこれに限らず、図２との対応部分に同一符号を付して示す図４において、ＦＥＴ５及び６のオン動作を抵抗Ｒ２１にて行うようにしても良い。この場合、電源トランスＴｒの１次側のロスは、待機電源部７０全体のロスと比べた場合においても少ないことにより、電源トランスＴｒを励磁状態にさせるためのスイッチング素子（ＦＥＴ５及び６）のオン動作を抵抗Ｒ２１にて行うようにしても上述した実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００７３】
また上述の第一の実施の形態においては、電源トランスＴｒの励磁状態にさせるためのスイッチング素子としてＦＥＴ５及び６を用いる場合について述べたが、本発明はこれに限らず、図２との対応部分に同一符号を付して示す図５において、ＦＥＴ２２を１つとし、ブリッジダイオードＤ２３ａ、Ｄ２３ｂ、Ｄ２３ｃ及びＤ２３ｄを併用するスイッチング素子を用いるようにしても良い。この場合ＦＥＴ２２が１つのため、ＦＥＴ５及び６を２つ設けるよりもその特性のばらつきによる直流電流が電源トランスＴｒの一次巻線３に流れることがなくなる。
【００７４】
また上述の第一の実施の形態においては、電源トランスＴｒの励磁状態にさせるためのスイッチング素子としてＦＥＴ５及び６を用いる場合について述べたが、本発明はこれに限らず、図２との対応部分に同一符号を付して示す図６において、ＦＥＴ２４と、当該ＦＥＴ２４に直列に接続された抵抗と、サイリスタ２５とを組み合わせ、当該組み合わせにブリッジダイオードＤ２６ａ、Ｄ２６ｂ、Ｄ２６ｃ及びＤ２６ｄを併用するスイッチング素子を用いるようにしても良い。この場合サイリスタの特性により大電流化に対応し易い。
【００７５】
また上述の第一の実施の形態においては、電源トランスＴｒの励磁状態にさせるためのスイッチング素子としてＦＥＴ５及び６を用いる場合について述べたが、本発明はこれに限らず、図２との対応部分に同一符号を付して示す図７において、ＦＥＴ５及び６と、当該ＦＥＴ５及び６に直列に接続された制限抵抗と、トライアック２８とを組み合わせたスイッチング素子を用いるようにしても良い。
この場合トライアックの特性により大電流化に対応し易い。
【００７６】
また上述の第一の実施の形態においては、電源トランスＴｒの励磁状態にさせるためのスイッチング素子としてＦＥＴ５及び６を用いる場合について述べたが、本発明はこれに限らず、図２との対応部分に同一符号を付して示す図８において、ＩＧＢＴ(Insulated Gate Bipolar Transistor) ３１を使用すると共に、ブリッジダイオードＤ３２ａ、Ｄ３２ｂ、Ｄ３２ｃ及びＤ３２ｄを併用するスイッチング素子を用いるようにしても良い。この場合、上述した実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００７７】
また上述の第一の実施の形態においては、電源トランスＴｒの励磁状態にさせるためのスイッチング素子としてＦＥＴ５及び６を用いる場合について述べたが、本発明はこれに限らず、図２との対応部分に同一符号を付して示す図９において、ＩＧＢＴ(Insulated Gate Bipolar Transistor) ３３及び３４を直列に接続したスイッチング素子を用いるようにしても良い。この場合、上述した実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００７８】
また上述の第一の実施の形態においては、制御回路部６０内にてトランジスタ１２をオン動作させることによりフオトカプラＰＨをオン動作させる場合について述べたが、本発明はこれに限らず、図２との対応部分に同一符号を付して示す図１０において、制御回路６４内にオシレータ（ＯＳＣ）３５を設け、当該オシレータ３５が出力するパルス波形に基づいてフォトカプラＰＨをオン−オフ動作させ、フォトカプラＰＨがオフ動作しているとき、励磁回路５４内の直流電圧回路に加えたコンデンサＣ３６に充電する電流にてＦＥＴ５及び６のオフ動作を維持するようにしても良い。この場合、制御回路６４はフォトカプラＰＨに流す平均電流を一段と少なくすることができる。
【００７９】
因みに図１１はオシレータ３５の回路構成例を示し、ダイオードＤ４１、Ｄ４３及びＤ４４と、抵抗Ｒ３８、Ｒ３９及びＲ４２と、コンデンサＣ４３と、Ｃ−ＭＯＳ Ｌogic inverter ４０とから構成される。この場合、オシレータ３５においては、抵抗Ｒ３８を抵抗Ｒ３９よりも小さい値にすることにより、図１２に示すような波形をトランジスタ１２のベース電圧として出力する。
【００８０】
また、この場合のオシレータ３５においては、Ｃ−ＭＯＳ Ｌogic inverter４０を使用することにより、一段と少ない電流でトランジスタ１２を動作させることができる。すなわち、オシレータ３５は、トリガー端子３８（図１１）を介して供給される信号の論理レベルがＨｉになると、トランジスタ１２のベースに与えられるパルスの論理レベルをＬｏとするようになされており、その結果フォトカプラＰＨ（図１１）は、オフ動作する。
【００８１】
一方、オシレータ３５は、トリガー端子３８（図１１）を介して供給される信号の論理レベルがＬｏになると、トランジスタ１２のベースには、図１２に示すような出力が加えられ、その結果フォトカプラＰＨ（図１１）は、高速にオン−オフ動作するようになされ、コンデンサＣ３６（図１０）は、ＦＥＴ５及び６のゲート電圧をＬｏに保持する。
【００８２】
また上述の第一の実施の形態においては、電源トランスＴｒが励磁停止状態のとき、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４に充電された電荷に基づいて制御回路部６０が動作する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４に換えて、充放電し得る２次電池を設けるようにしても良い。この場合、２次電池の種類によっては図２との対応部分に同一符号を付して示す図１３において、二次側電圧蓄積用コントロール回路４５を設けるようにする。すなわち二次側電圧蓄積用コントロール回路４５は、制御回路部６０内の電圧が所定の電圧レベルを越えると、２次電池Ｃ４６の充電を停止し、これに対して所定の電圧レベルよりも下降すると、２次電池Ｃ４６を充電する。このようにすれば、上述の実施の形態より一段と効率よく省エネルギーを計ることができる。
【００８３】
（２）第二の実施の形態
図１及び図２との対応部分に同一符号を付して示す図１４において、テレビジョン装置１００は、商用電源８０にＡＣプラグ８１が挿入されると、当該商用電源８０及びＡＣプラグ８１を順次介して待機電源部７０のみに商用電圧を供給する（待機動作状態）。
【００８４】
この待機動作状態において、テレビジョン装置１００の待機電源部７０は、電源トランスＴｒの一次側の励磁回路部５１によってＡＣプラグ８１から供給された商用電圧を当該電源トランスＴｒの１次捲線３に供給して初期励磁動作させことにより、当該商用電圧を１次捲線３及び２次捲線４を順次介して二次側の制御回路部６１に供給する。
【００８５】
制御回路部６１は、励磁回路部５１から供給された商用電圧を所定レベル引き下げて直流電圧に変換し、当該直流電圧によって一旦動作すると、必要に応じて励磁回路部５１における電源トランスＴｒの励磁動作を間欠的に制御することにより、復号部７６を駆動させるための待機用電圧Ｖ１を常時復号部７６に供給する。
【００８６】
復号部７６は、待機電源部７０から供給される待機用電圧Ｖ１によって動作し、受光部７５によってリモートコントローラ（図示せず）から供給される赤外線信号を待ち受けるようになされている。
【００８７】
ここで、復号部７６においては、受光部７５によってリモートコントローラ（図示せず）からの赤外線信号を受光すると、当該赤外線信号を光電変換することにより制御信号Ｓ１に復元し、これをマイコン７７に送出する。
【００８８】
マイコン７７は、制御信号Ｓ１に対して復号化処理を施すことによりコード信号Ｓ２を生成し、当該コード信号Ｓ２がテレビジョン装置１００への主電源投入命令であった場合には、制御回路部６１から供給されるリレーコイル駆動用直流電圧Ｖ３を増幅トランジスタ７８に供給する。
【００８９】
因みにマイコン７７は、コード信号Ｓ２がテレビジョン装置１００における主電源投入命令でない場合には、当該コード信号に応じた命令信号Ｓ２を本体９０のセット回路部９２に与える。
【００９０】
増幅トランジスタ７８は、リレーコイル駆動用直流電圧Ｖ３を所定レベルまで引き上げ、当該引き上げたリレーコイル駆動用直流電圧Ｖ３をリレーコイル７９に供給する。
【００９１】
これによりリレーコイル７９は、所定レベル引き上げられたリレーコイル駆動用直流電圧Ｖ３に基づいて発生する磁力によって当該リレーコイル７９に離間された可動鉄片７９Ａを内部鉄片（図示せず）に吸着させ、当該吸着動作と連動する主電源スイッチ８５をオン動作させることにより、商用電源８０からの商用電圧を本体９０の主電源部９１に供給する。
【００９２】
主電源部９１は、商用電源８０からの商用電圧を直流電圧に変換し、これを所定レベル引き上げてセット回路部９２に供給する。セット回路部９２は、アンテナより受信した映像信号に基づく映像をＣＲＴに受像すると共に、マイコン７７から供給される命令信号Ｓ２に応じて各種処理を行う。
【００９３】
このようにテレビジョン装置１００は、コード信号Ｓ２がテレビジョン装置１００における主電源の投入命令であった場合には、待機動作状態から主電源投入状態に移行し、テレビジョン装置１００が有する各種機能を実現するようになされている。
【００９４】
次に、図２との対応部分に同一符号を付して示す図１５において、待機動作状態であるテレビジョン装置１００の内部に有する待機電源部７０（励磁回路部５１及び制御回路部６１）の動作状況を詳細に説明する。
【００９５】
待機電源部７０において、励磁回路部５１は、商用電源８０（図１４）にＡＣプラグ８１が挿入されると、当該商用電源８０及びＡＣプラグ８１を順次介して供給される商用電圧を整流ダイオードＤ１及びＤ２によって半波整流して接続点１５側からスイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３に充電すると共に、整流ダイオードＤ１及びＤ５によって半波整流して接続点２１側からコンデンサＣ６に充電する。
【００９６】
ここで、接続点２１側からコンデンサＣ６への充電によって生じる充電電圧は、トランジスタ２０のベース電圧として加わる。
【００９７】
また接続点１５側からスイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３への充電によって生じる充電電圧は、抵抗Ｒ２及び抵抗Ｒ１１を順次介してＦＥＴ５及び６のゲートに加わり、これによりＦＥＴ５及び６はオン動作する。
【００９８】
従って励磁回路部５１は、ＡＣプラグ８１を介して供給される交流電流を電源トランスＴｒの１次巻線３に供給し、これにより電源トランスＴｒを初期励磁動作させる。
【００９９】
このように励磁回路部５１においては、直流電圧発生回路としてのコンデンサＣ１、Ｃ２、Ｃ６及びＣ７と、スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３と、抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２と、整流ダイオードＤ１、Ｄ２及びＤ５と、電圧制限用ダイオードＤ３及びＤ１０と、トランジスタ２０によって直流電圧をＦＥＴ５及び６のゲートに供給して当該ＦＥＴ５及び６をオン動作する。
【０１００】
電源トランスＴｒは、励磁回路部５１によって初期励磁動作されると、１次巻線３に供給された交流電流を２次巻線４を介して制御回路部６１に供給する。
【０１０１】
制御回路部６１は、電源トランスＴｒの２次巻線４から供給された商用電圧を整流ダイオードＤ４によって整流し、当該整流された直流電圧を二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４、リレーコイル駆動用直流電圧Ｖ３（図１４）を蓄積するためのコンデンサ（以下、これをリレー駆動用コンデンサと呼ぶ）Ｃ８及び待機用電圧Ｖ１を蓄積するためのコンデンサ（以下、これを待機用電圧蓄積コンデンサと呼ぶ）Ｃ９に充電する。
【０１０２】
このとき内電圧調整用ＩＣ１７は、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４への充電によって生じた充電電圧が所定値に達した際に動作し、これにより常時一定の電圧を出力端１７ｂから与えるようになされている。
【０１０３】
これにより内電圧調整用ＩＣ１７は、所定値の直流電流を内電圧調整用ＩＣ１７の出力端１７ｂを介して待機用電圧Ｖ１を蓄積するためのコンデンサ（以下、これを待機用電圧蓄積コンデンサと呼ぶ）Ｃ１０に充電する。
【０１０４】
ここで、負荷電流回避部５９においては、内電圧調整用ＩＣ１７の入力端１７ａに負荷電流が流れると、抵抗Ｒ１１１の両端に電圧が発生し、トランジスタ１１９のベース−エミッタ間に加わるようになされている。
【０１０５】
従って負荷電流回避部５９においては、抵抗Ｒ１１１の両端に発生した電圧が所定値に達すると、トランジスタ１１９のベースに電流が流れはじめ、その増幅度分の電流がトランジスタ１１９のエミッタ−コレクタ間に流れ、内電圧調整用ＩＣ１７を回避した電流となる。
【０１０６】
すなわち、負荷電流回避部５９は、内電圧調整用ＩＣ１７に流れる電流以上の出力を制御回路部６１の出力として得るようになされている。
【０１０７】
因みに二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４、リレー駆動用コンデンサＣ８、待機用電圧蓄積コンデンサＣ９及びＣ１０は、それぞれ対応する接続端５５、５６、５７及び５８からのみ充電する有極性コンデンサ（ケミカルコンデンサ）である。
【０１０８】
この状態において、トランジスタ１０のベース電圧は、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４への充電によって生じる充電電圧を分圧抵抗Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７によって分圧したものが加えられており、トランジスタ１０のエミッタ電圧は、電源トランスＴｒの初期励磁動作によって動作した内電圧調整用ＩＣ１７によって一定になされている。
【０１０９】
従ってトランジスタ１０は、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４に充電がされている始めのうちはエミッタ電圧よりもベース電圧の方が下回るのでオン動作する。
【０１１０】
この場合トランジスタ１１は、トランジスタ１０のコレクタ電流によりベース−エミッタ間に電圧が生じているのでオン動作する。このときトランジスタ１０のベース電圧は、分圧抵抗Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７によって分圧されていたものが分圧抵抗Ｒ４及びＲ５のみによって分圧されるので急激に下降し、これに伴ってトランジスタ１０のオン動作が加速する。
【０１１１】
従ってトランジスタ１０は、コレクタより多くの電流をトランジスタ１１に供給し、これに伴ってトランジスタ１１も同様に、コレクタ−エミッタ間に多くの電流を出力端８を介してグランドに供給する。
【０１１２】
このように制御回路部６１では、トランジスタ１０のオン動作及びトランジスタ１１のオン動作に従った正帰還（以下、これを励磁動作開始用正帰還と呼ぶ）によって、互いのオン動作を持続するようになされている。
【０１１３】
このときトランジスタ１２は、トランジスタ１１のオン動作によってベース−エミッタ間が短絡してオフ動作する。従ってフォトカプラＰＨには、内電圧調整用ＩＣ１７の出力端１７ｂから電流が供給されないので駆動しない。
【０１１４】
ここで、トランジスタ１０は、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４に充電がされ続けたことによって生じる充電電圧の上昇に応じてベース電圧が上昇しており、当該充電電圧が第１の閾値を上回ると、当該ベース電圧がエミッタ電圧を上回り始めてオフ動作し始め、エミッタ−コレクタ間に流していた電流を徐々に流さなくなる。
【０１１５】
これによりトランジスタ１１は、ベース−エミッタ間に生じていた電圧が徐々に加えられなくなり、やがてオフ動作する。従ってトランジスタ１０のベース電圧は、分圧抵抗Ｒ４及びＲ５によって分圧されていたものが分圧抵抗Ｒ６及びＲ７を加えた分圧抵抗Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７によって分圧されるので急激に上昇し、これに伴ってトランジスタ１０及び１１のオフ動作が加速する。
【０１１６】
これによりトランジスタ１０は、エミッタ−コレクタ間に流していた電流を完全に遮断する。このときトランジスタ１２は、トランジスタ１１のオフ動作によって二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４から供給される電流がベースに与えられることによりオン動作し、これにより内電圧調整用ＩＣ１７の出力端１７ｂから供給される電流を抵抗Ｒ１３及び、電源トランスＴｒの１次側と２次側とを絶縁するフォトカプラＰＨのダイオードＤ７を順次介して出力端８のグランドに供給する。
【０１１７】
ここで、制御回路部６１では、抵抗値の小さい抵抗Ｒ１３を選定しており、これによりフォトカプラＰＨのダイオード１３に多くの電流を流し得るようになされている。
【０１１８】
これにより制御回路部６１は、フォトカプラＰＨのトランジスタ１３の動作状態と、トランジスタ２０との動作状態との相関関係が常時保ち得る（いわゆる、ばらつきを回避する）ようになされている。
【０１１９】
従ってフォトカプラＰＨ内ダイオードＤ７は充分に駆動され、当該フォトカプラＰＨ内のトランジスタ１３がオン動作すると、励磁回路部５１では、トランジスタ２０のコレクタ電圧を確実に低下させ、これに伴ってＦＥＴ５及び６のゲート電圧も低下させることにより、当該ＦＥＴ５及び６を確実にオフ動作する。
【０１２０】
従って励磁回路部５１は、ＡＣプラグ８１からの交流電流を電源トランスＴｒの１次巻線３に供給せず、これにより電源トランスＴｒを初期励磁動作を確実に停止させる。
【０１２１】
このとき制御回路部６１においては、リレー駆動用コンデンサＣ８、待機用電圧蓄積コンデンサＣ９及びＣ１０への充電によって生じた充電電圧をそれぞれ対応する出力端２２及び７を介して待機用電圧Ｖ１（図１４）として復号部７６に供給する。
【０１２２】
このように制御回路部６１では、内電圧調整用ＩＣ１７が動作した後、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４による充電電圧が第１の閾値を上回った場合には、トランジスタ１０のオフ動作及びトランジスタ１１のオフ動作に従った正帰還（以下、これを励磁動作停止用正帰還と呼ぶ）によってトランジスタ１２をオン動作することにより、励磁回路部５１のフォトカプラＰＨを駆動して電源トランスＴｒの励磁動作（初期励磁動作）を停止させる。
【０１２３】
ここで、制御回路部６１は、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４に充電された電荷が徐々に放電することにより二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の充電電圧が第２の閾値を下回ると、励磁動作開始用正帰還によってトランジスタ１２及びフォトカプラＰＨをオフ動作する。
【０１２４】
この場合励磁回路部５１では、フォトカプラＰＨ内のトランジスタ１３がオフ動作しているため、トランジスタ２０のコレクタ電圧が上昇し、これに伴ってＦＥＴ５及び６のゲート電圧も上昇することにより、当該ＦＥＴ５及び６がオン動作する。
【０１２５】
従って励磁回路部５１は、ＡＣプラグ８１からの交流電流を電源トランスＴｒの１次巻線３に供給し、これにより電源トランスＴｒを通常励磁動作させる。
【０１２６】
このとき制御回路部６１では、電源トランスＴｒの２次巻線４から供給された商用電圧を整流ダイオードＤ４によって整流し、当該整流された直流電流を二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４、リレー駆動用コンデンサＣ８、待機用電圧蓄積コンデンサＣ９及びＣ１０にそれぞれ充電する。
【０１２７】
かくして、制御回路部６１は、トランジスタ１０及びトランジスタ１１の励磁動作開始用正帰還又は励磁動作停止用正帰還に連動してオンーオフ動作するトランジスタ１２によって励磁回路部５１のフォトカプラＰＨを二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の充電電圧値に応じて間欠的に駆動制御することにより、リレー駆動用コンデンサＣ８、待機用電圧蓄積コンデンサＣ９及びＣ１０に充電することで生じる所定レベルの充電電圧を常時確保し、これを待機用電圧Ｖ１（図１４）及びリレーコイル駆動用直流電圧Ｖ３（図１４）として復号部７６に常時供給し得るようになされている。
【０１２８】
かかる制御回路部６１は、上述の第一の実施の形態に比して、リレー駆動用コンデンサＣ８、待機用電圧蓄積コンデンサＣ９及びＣ１０を設けたことにより復号部７６に多くの電圧を供給し得るようになされている。
【０１２９】
従って制御回路部６１は、消費電力の増加を最小限に抑え、かつ復号部７６によって消費される大きな電流を確保し得るようになされている。
【０１３０】
以上の構成において、制御回路部６１においては、内電圧調整用ＩＣ１７の内部負荷電流の上昇を回避するための負荷電流回避部５９を設けると共に、抵抗Ｒ１３を抵抗値の小さいものに選定した。
【０１３１】
従って制御回路部６１では、内電圧調整用ＩＣ１７の内部を流れる電流を低く抑えながら抵抗Ｒ１１１の電圧降下を利用して負荷電流回避部５９に負荷電流の一部を流すことにより、全体として大電流を流す。
【０１３２】
このように制御回路部６１は、負荷電流回避部５９を追加することにより、内電圧調整用ＩＣ１７の負担を増加させることなく全体として大電流を流すことを可能とし、これにより負荷電流回避部５９による電圧調整を確実に行わせることができる。
【０１３３】
従って制御回路部６１は、トランジスタ１０及び１１による励磁動作開始正帰還又は励磁動作停止正帰還を安定して行うことができ、これにより制御回路部６１によるフォトカプラＰＨの駆動又は駆動停止制御を安定して行うことができる。
【０１３４】
また制御回路部６１では、抵抗Ｒ１３を抵抗値の小さいものに選定していることによりフォトカプラＰＨの駆動させる際に供給する電流を多くしているため、当該フォトカプラＰＨが駆動している場合にはフォトカプラＰＨ内のトランジスタ１３単体の部品のばらつきに依存することなく、確実に励磁回路部５１のトランジスタ１３をオン動作させることができる。
【０１３５】
これにより励磁回路部５１では、確実にＦＥＴ５及び６をオン−オフ動作して電源トランスＴｒを励磁動作状態又は非励磁動作状態にさせることができる。
【０１３６】
以上の構成によれば、制御回路部６１においては、内電圧調整用ＩＣ１７内部における負荷電流の上昇を回避するための負荷電流回避部５９を設けると共に、抵抗Ｒ１３を抵抗値の小さいものに選定するようにしたことにより、確実にフォトカプラＰＨを間欠的に駆動制御して二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４、リレー駆動用コンデンサＣ８、待機用電圧蓄積コンデンサＣ９及びＣ１０に充電することで生じる所定レベルの充電電圧を常時確保することができ、動作信頼性を向上させることができる。
【０１３７】
（３）第三の実施の形態
図２との対応部分に同一符号を付して示す図１６において、待機動作状態であるテレビジョン装置１００の内部に有する待機電源部７０（励磁回路部５２及び制御回路部６２）の動作状況を詳細に説明する。
【０１３８】
励磁回路部５２は、商用電源８０（図１４）にＡＣプラグ８１が挿入されると、当該商用電源８０及びＡＣプラグ８１を順次介して供給される商用電圧を整流ダイオードＤ１及びＤ２によって半波整流して接続点１５側からスイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ１２に充電する。
【０１３９】
このとき励磁回路部５２は、コンデンサＣ１１及び抵抗Ｒ１９とで構成される微分回路によってスイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ１２への充電によって生じる充電電圧の変化分を逆流防止ダイオードＤ９及び抵抗Ｒ２５を順次介してＦＥＴ５及び６のゲートに供給して当該ＦＥＴ５及び６をオン動作する。
【０１４０】
これにより励磁回路部５２は、ＡＣプラグ８１を介して供給される交流電流を電源トランスＴｒの１次巻線３に供給して電源トランスＴｒを初期励磁動作させる。
【０１４１】
因みに、励磁回路部５２では、電源トランスＴｒが初期励磁動作して二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４容量分の電荷を蓄積する前にスイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ１２への充電によって生じる充電電圧の変化がなくなることがないように、微分回路（コンデンサＣ１１及び抵抗Ｒ１９）の時定数が選定されている。
【０１４２】
また逆流防止ダイオードＤ９は、通常励磁動作時、フォトカプラＰＨ内トランジスタ１３のオン動作によるエミッタ電圧の上昇によって微分回路（コンデンサＣ１１及び抵抗Ｒ１９）が負荷とならないように分離するためのものである。
【０１４３】
さらに励磁回路部５２では、コンデンサＣ１３及び抵抗Ｒ２５の時定数によってＦＥＴ５及び６を急激にオフ動作させた場合に生じるスパイク電圧を回避するようになされている。
【０１４４】
さらに励磁回路部５２では、電圧制限用ダイオードＤ１０によってＦＥＴ５及び６のゲート−ドレイン間の電圧が上昇し過ぎないようになされており、また抵抗Ｒ２によってスイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ１２の充電を制限すると共に、ＡＣプラグ８１に商用電圧が無くなった場合にはスイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ１２に充電された電荷を速やかに放電するようになされている。
【０１４５】
電源トランスＴｒは、励磁回路部５２によって初期励磁動作されると、１次巻線３に供給された商用電圧を２次巻線４を介して制御回路部６２に供給する。
【０１４６】
制御回路部６２は、電源トランスＴｒの２次巻線４から供給された商用電圧を整流ダイオードＤ４によって整流し、当該整流された直流電圧を二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４、リレー駆動用コンデンサＣ８及び待機用電圧蓄積コンデンサＣ９に充電する。
【０１４７】
このとき内電圧調整用ＩＣ１７は、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４への充電によって生じる充電電圧が所定値に達した際に動作し、これにより常時一定の電圧を出力端１７ｂから与えるようになされている。
【０１４８】
これにより内電圧調整用ＩＣ１７は、所定値の直流電圧を内電圧調整用ＩＣ１７の出力端１７ｂを介して待機用電圧蓄積コンデンサＣ１０にも充電する。
【０１４９】
この状態において、トランジスタ１０のベース電圧は、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４への充電によって生じる充電電圧を分圧抵抗Ｒ１５、Ｒ１６及びＲ１７によって分圧したものが加えられており、トランジスタ１０のエミッタ電圧は、電源トランスＴｒの初期励磁動作によって動作した内電圧調整用ＩＣ１７によって一定になされている。
【０１５０】
従ってトランジスタ１０は、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４に充電がされている始めのうちはエミッタ電圧よりもベース電圧の方が下回るのでオン動作する。
【０１５１】
この場合トランジスタ１１は、トランジスタ１０のコレクタ電流によりベース−エミッタ間に電圧が生じてオン動作する。このときトランジスタ１０のベース電圧は、分圧抵抗Ｒ１５、Ｒ１６及びＲ１７によって分圧されていたものが分圧抵抗Ｒ１５及びＲ１６のみによって分圧されるので急激に下降し、これに伴ってトランジスタ１０のオン動作が加速する。
【０１５２】
従ってトランジスタ１０は、コレクタより多くの電流をトランジスタ１１に供給し、これに伴ってトランジスタ１１も同様に、コレクタ−エミッタ間に多くの電流を出力端８を介してグランドに供給する。
【０１５３】
このように制御回路部６２では、トランジスタ１０のオン動作及びトランジスタ１１のオン動作に従った励磁動作開始用正帰還によって、互いのオン動作を持続する。
【０１５４】
このときトランジスタ１２は、ベースがトランジスタ１０のコレクタ側に接続されているため、トランジスタ１１と同様に、ベース−エミッタ間に電圧が生じるのでオン動作を持続する。
【０１５５】
従ってフォトカプラＰＨは、内電圧調整用ＩＣ１７の出力端１７ｂから抵抗Ｒ１３を介して電流が供給されて駆動される。
【０１５６】
ここで、トランジスタ１０は、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４に充電がされ続けたことによって生じる二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の充電電圧の上昇に応じてベース電圧が上昇しており、当該充電電圧が第１の閾値を上回るとオフ動作し始め、エミッタ−コレクタ間に流していた電流を徐々に流さなくなる。
【０１５７】
これによりトランジスタ１１は、ベース−エミッタ間に生じていた電圧が徐々に加えられなくなり、やがてオフ動作する。これによりトランジスタ１０のベース電圧は、分圧抵抗Ｒ１５及びＲ１６によって分圧されていたものが分圧抵抗Ｒ１７を加えた分圧抵抗Ｒ１５、Ｒ１６及びＲ１７によって分圧されるので急激に上昇し、これに伴ってトランジスタ１０のオフ動作が加速する。
【０１５８】
これによりトランジスタ１０は、ベース−エミッタ間に生じていた電圧が完全に供給されなくなるのでオフ動作し、これに伴ってトランジスタ１２も同様に、ベース−エミッタ間に生じていた電圧が完全に供給されなくなるのでオフ動作する。
【０１５９】
これによりフォトカプラＰＨは駆動停止し、当該フォトカプラＰＨ内のトランジスタ１３がオフ動作する。
【０１６０】
この場合励磁回路部５２は、フォトカプラＰＨ内のトランジスタ１３がオフ動作しているため、スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ１２への充電電圧をＦＥＴ５及び６のゲートに供給せず、これにより当該ＦＥＴ５及び６をオフ動作させる。
【０１６１】
従って励磁回路部５２は、プラグ８１からの商用電圧を電源トランスＴｒの１次巻線３に供給せず、これにより電源トランスＴｒの初期励磁動作を停止させる。
【０１６２】
このとき励磁回路部５２においては、ＦＥＴ５及び６に残された電荷と、コンデンサＣ１３に残された電荷とを抵抗Ｒ２５及びＲ２６によって放電するようになされている。
【０１６３】
この場合制御回路部６２においては、リレー駆動用コンデンサＣ８、待機用電圧蓄積コンデンサＣ９及びＣ１０への充電によって生じる充電電圧が出力端７及び２２を介して待機用電圧Ｖ１（図１４）として復号部７６に供給される。
【０１６４】
このように制御回路部６２では、内電圧調整用ＩＣ１７が動作した後、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４電圧が第１の閾値を上回った場合には、励磁動作停止用正帰還によってトランジスタ１２をオフ動作することにより、励磁回路部５２のフォトカプラＰＨを駆動停止させて電源トランスＴｒの励磁動作（初期励磁動作）を停止させる。
【０１６５】
ここで、制御回路部６２において、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４に充電された電荷が放電されることにより二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４電圧が第２の閾値を下回るまでの放電時間においては、充分長い時間（例えば 3200 秒程度）となるように、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４、分圧抵抗Ｒ１５、Ｒ１６及びＲ１７の時定数が選定されている。
【０１６６】
このとき制御回路部６２においては、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４、リレー駆動用コンデンサＣ８、待機用電圧蓄積コンデンサＣ９及びＣ１０のリーク電流無視すれば、当該二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４に充電した電荷を内電圧調整用ＩＣ１７、分圧抵抗Ｒ１４、Ｒ１５及びＲ１７のみに流すため、負荷電流が無い際には当該内電圧調整用ＩＣ１７、分圧抵抗Ｒ１４、Ｒ１５及びＲ１７のみに流す電流が当該制御回路部６２の全電流となる。
【０１６７】
また、制御回路部６２は、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４に充電された電荷が徐々に放電することにより二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の充電電圧が第２の閾値を下回ると、励磁動作復帰用正帰還によってトランジスタ１２をオン動作することにより、励磁回路部５２のフォトカプラＰＨを駆動する。
【０１６８】
この場合励磁回路部５２では、フォトカプラＰＨ内のトランジスタ１３がオン動作するため、スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ１２の充電電圧をＦＥＴ５及び６のゲートに供給し、これにより当該ＦＥＴ５及び６をオン動作させる。
【０１６９】
従って励磁回路部５２は、ＡＣプラグ８１からの商用電圧を電源トランスＴｒの１次巻線３に供給し、これにより電源トランスＴｒを通常励磁動作させる。
【０１７０】
このとき制御回路部６２では、電源トランスＴｒの２次巻線４から供給された商用電圧を整流ダイオードＤ４によって整流し、当該整流された直流電圧を二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４、リレー駆動用コンデンサＣ８、待機用電圧蓄積コンデンサＣ９及びＣ１０にそれぞれ充電する。
【０１７１】
かくして、制御回路部６２は、電圧検出部４８のトランジスタ１０及びトランジスタ１１の励磁動作開始用正帰還又は励磁動作停止用正帰還に連動してオンーオフ動作するトランジスタ１２によって励磁回路部５２のフォトカプラＰＨを二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の充電電圧値に応じて間欠的に駆動制御することにより、リレー駆動用コンデンサＣ８、待機用電圧蓄積コンデンサＣ９及びＣ１０に充電することで生じる所定レベルの充電電圧を常時確保し、これを待機用電圧Ｖ１として復号部７６に常時供給し得るようになされている。
【０１７２】
次に、かかる励磁回路部５２及び制御回路部６２でなる待機電源部７０（図１６）の消費電力と、上述の第２の実施の形態による励磁回路部５１及び制御回路部６１でなる待機電源部７０（図１５）の消費電力とにおける計算上の比較結果から当該各待機電源部７０の消費電力の差を検証する。
【０１７３】
まず、制御回路部６１及び６２の出力端７及び２２からの出力を０と仮定すると共に、励磁回路部５２及び制御回路部６２と、励磁回路部５１及び制御回路部６１との各素子において、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の容量を 4700 [ μF]、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の容量に内電圧調整用ＩＣ１７の第１の閾値電圧値（上限電圧値）を 7.63 [V] 、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の容量に内電圧調整用ＩＣ１７の第２の閾値電圧値（下限電圧値）を 6.10 [V] 、内電圧調整用ＩＣ１７の内部消費電流を 1.2[ μA]、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の充電効率を 50 [%] 、コンデンサＣ１及びＣ２の容量を 470 [pF] 、抵抗Ｒ１値を 100 [k Ω] 、放電用抵抗Ｒ２値を 4.7 [M Ω] 、電圧制限用ダイオードＤ３値を 15 [V] と仮定する。
【０１７４】
次いで、励磁回路部５２及び制御回路部６２において、電源トランスＴｒの励磁動作停止時にフォトカプラＰＨに流れる電流を 0 [μA]、電源トランスＴｒの励磁動作停止時に電圧検出部４８に流れる電流を 1[ μA]、電源トランスＴｒの励磁動作時にフォトカプラＰＨに流れる電流を 123 [μA]、電源トランスＴｒの励磁動作時に電圧検出部４８に流れる電流を 6[ μA]、電源トランスＴｒの励磁動作時間を 0.05 [s] と仮定すると共に、励磁回路部５１及び制御回路部６１において、電源トランスＴｒの励磁動作停止時にフォトカプラＰＨに流れる電流を 123 [μA]、電源トランスＴｒの励磁動作停止時に電圧検出部４８に流れる電流を 6[ μA]、電源トランスＴｒの励磁動作時にフォトカプラＰＨに流れる電流を 0 [μA]、電源トランスＴｒの励磁動作停止時に電圧検出部４８に流れる電流を 14[μA]、電源トランスＴｒの励磁動作時間を 0.05 [s] と仮定する。
【０１７５】
上述のように仮定した場合における電源トランスＴｒの励磁動作停止時間（Ｔ：時間）を計算すると、ＣＶ＝ＩＴ（Ｃ：コンデンサ容量、Ｖ：電圧差、Ｉ：電流、Ｔ：時間）により、図１５の待機電源部７０（励磁回路部５１及び制御回路部６１）では 55.3 [s] 、図１６の待機電源部７０（励磁回路部５２及び制御回路部６２）では 3268 [s] となる。
【０１７６】
この場合、励磁回路部５２がＦＥＴ５及び６をオン動作させる消費電力においては、抵抗Ｒ１の消費電力（およそ 0.004 [mW] ）と、コンデンサＣ１及びＣ２の消費電力（およそ 0.006 [mW] ）と、電圧制限用ダイオードＤ３及び充放電用抵抗Ｒ２の消費電力（およそ 0.045 [mW] ）との合計であり、およそ 0.055 [mW] である。
【０１７７】
また、制御回路部６２による二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４への充電消費電力（充放電１周期の二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の充電消費電力）においては、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の容量に内電圧調整用ＩＣ１７の第１の閾値電圧値（上限電圧値）である 7.63 [V] の電圧が生じている際の二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４エネルギー（すなわち、ＣＶ２／２＝ 136.8 [mJ] ）と、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の容量に内電圧調整用ＩＣ１７の第２の閾値電圧値（下限電圧値）である 6.10 [V] の電圧が生じている際の二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４エネルギー（すなわち、ＣＶ２／２＝ 87.4 [mJ]）との差が 49.4 [mJ]であり、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の充電効率が 50 [%] であるから 98.8 [mJ]（すなわち、49.4 [mJ] ×2 ）となり、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の電圧値が 7.63 [V] から 6.10 [V] になるまでの時間（電源トランスＴｒの励磁動作停止時間）が 3268[秒] であることにより、0.030 [mW]（すなわち、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の充電エネルギー／電源トランスＴｒの励磁動作停止時間＝ 98.8 [mJ]／ 3268[秒] ）となる。
【０１７８】
これにより待機電源部７０における励磁回路部５２及び制御回路部６２の消費電力（すなわち商用電源８０からの消費電力）は、 0.085 [mW] （すなわち、 0.055 [mW] ＋0.030 [mW]）である。
【０１７９】
これに対して、励磁回路部５１がＦＥＴ５及び６をオン動作させる消費電力においては、励磁回路部５２と同様であるので 0.055 [mW] である。また、制御回路部６１による二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４への充電消費電力においては、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の充電に必要なエネルギーが制御回路部６２と同様に 98.8 [mJ]となり、電源トランスＴｒの励磁動作停止時間が 55.3 [s] であることにより、1.79 [mW] （すなわち、コンデンサＣ１２の充電エネルギー／電源トランスＴｒの励磁動作停止時間＝ 98.8 [mJ]／ 52[秒] ）となる。
【０１８０】
これにより待機電源部７０における励磁回路部５１及び制御回路部６１の消費電力（すなわち商用電源８０からの消費電力）は、 1.845 [mW] （すなわち、 0.055 [mW] ＋1.79 [mW] ）である。
【０１８１】
上述の計算上の比較結果によれば、励磁回路部５２及び制御回路部６２の消費電力においては、励磁回路部５１及び制御回路部６１の消費電力に比して、およそ１／２０になる。このように制御回路部６２は、上述の第２の実施の形態における制御回路部６１に比して、電源トランスＴｒの励磁動作停止時間を大幅に長く（ 55.3 [s] から 3268[s]へ）し、当該励磁動作停止時間における制御回路部６２（内電圧調整用ＩＣ１７）からフォトカプラＰＨへの負荷電流を無くした（ 123 [μA]から 0 [μA]へ）ことにより、一段と消費電力を低減することができる。
【０１８２】
また、励磁回路部５２及び制御回路部６２の消費電力は、当該待機電源部７０が１年間動作した場合でもわずか 0.74 [Wh]程度である。従って、励磁回路部５２及び制御回路部６２で構成された待機電源部７０を有するテレビジョン装置１００を使用するユーザは、当該テレビジョン装置１００を使用するために消費する電気料金を低減することができる。
【０１８３】
因みに、上述の計算値は図１５及び図１６の各待機電源部７０の制御回路部６１（図１５）及び６２（図１６）の出力端７及び２２からの出力を０と仮定したものであるため、実際にはそのとき動作する回路の消費電力が加算されることになる。しなしながら上述の励磁回路部５２及び制御回路部６２と、励磁回路部５１及び制御回路部６１とにおいて加算される量は等しく、差としては上述の計算通りとなる。
【０１８４】
次に、励磁回路部５２及び制御回路部６２と、上述の第２の実施の形態による励磁回路部５１及び制御回路部６１と、電源トランスＴｒが常時励磁動作状態である回路との各回路特性の実測例を図１７に示す。
【０１８５】
図１７は、制御回路部６２及び制御回路部６１の出力端７から出力される電流に各値の負荷電流を加えた際の商用電源８０側からみた各待機電源部７０（図１５及び図１６）における消費電力と、電源トランスＴｒが常時励磁動作状態である回路に各値の負荷電流を加えた際の商用電源８０側からみた消費電力とを調べ、その比較結果を縦軸に商用電源８０側からみた消費電力[mW]、横軸に負荷電流[μA]としてグラフ化したものである。
【０１８６】
図１７からも明らかなように、励磁回路部５２及び制御回路部６２と、上述の第２の実施の形態による励磁回路部５１及び制御回路部６１とは、低負荷電流であるほど低消費電力となる。
【０１８７】
従って励磁回路部５２及び制御回路部６２と、上述の第２の実施の形態による励磁回路部５１及び制御回路部６１とは、低負荷電流であるほど消費電力を一段と低減するものと判断できる。
【０１８８】
また、励磁回路部５２及び制御回路部６２と、上述の第２の実施の形態による励磁回路部５１及び制御回路部６１と、電源トランスＴｒが常時励磁動作状態である回路との電源効率の実測による計算を図１８に示す。
【０１８９】
図１８は、制御回路部６２及び制御回路部６１の出力端７から出力される電流に各値の負荷電流を加えた際の各待機電源部７０（図１５及び図１６）における電源効率と、電源トランスＴｒが常時励磁動作状態である回路に各値の負荷電流を加えた際の電源効率とを調べ、その比較結果を縦軸に電源効率[%]、横軸に負荷電流[μA]としてグラフ化したものである。
【０１９０】
図１８からも明らかなように、励磁回路部５２及び制御回路部６２と、上述の第２の実施の形態による励磁回路部５１及び制御回路部６１とは、低負荷電流の際にも電源効率の低下が少ない。
【０１９１】
従って励磁回路部５２及び制御回路部６２と、上述の第２の実施の形態による励磁回路部５１及び制御回路部６１とは、低負荷電流であるほど電源トランスＴｒが常時動作状態である回路に比して電源効率の差が一段と向上するものと判断できる。
【０１９２】
因みに、励磁回路部５２及び制御回路部６２は、従来の間欠動作させて電源効率を向上させる各種電源装置に比して、低負荷電流であるほど電源効率の高さが顕著になる。
【０１９３】
かくして、励磁回路部５２及び制御回路部６２と、上述の第２の実施の形態による励磁回路部５１及び制御回路部６１とは、テレビジョン装置１００にて効率良く省エネルギー化を計ることができる。
【０１９４】
以上の構成において、制御回路部６２は、トランジスタ１０のコレクタの接続端にトランジスタ１２のベースを接続し、励磁動作停止用正帰還に連動して当該トランジスタ１２をオフ動作してフォトカプラＰＨを駆動停止させた場合、励磁回路部５２は、ＦＥＴ５及び６をオフ動作して電源トランスＴｒの励磁動作を停止するようにした。
【０１９５】
従って制御回路部６２では、電源トランスＴｒの励磁動作を停止している際にはトランジスタ１２がオフ動作のため、フォトカプラＰＨへの負荷電流を遮断する。
【０１９６】
この場合制御回路部６２は、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４に充電した電流を放電する経路としては定電圧回路としての内電圧調整用ＩＣ１７、Ｒ１５、Ｒ１６及びＲ１７のみである。
【０１９７】
さらに制御回路部６２は、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４と分圧抵抗Ｒ１４、Ｒ１５及びＲ１７とにおける放電時定数を大きく選定しているため、電源トランスＴｒの励磁動作を停止している際には少ない負荷電流で動作することができる。
【０１９８】
これに対して、制御回路部６２は、電源トランスＴｒが励磁動作している場合にはフォトカプラＰＨに負荷電流を流しているが、商用電源８０から直接供給される商用電圧に基づいて整流した直流電圧を二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４に充電するので短時間で行うことができ、これにより直ちに励磁動作を停止することができる。
【０１９９】
このように制御回路部６２は、電源トランスＴｒの励磁動作を停止している際の時間を長く設定し、このとき二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４からの放電電流を特定の経路（内電圧調整用ＩＣ１７、Ｒ１５、Ｒ１６及びＲ１７の経路）のみにしたことにより、一段と効率良く省エネルギー化を計ることができる。
【０２００】
このような制御回路部６２は、計算上の検証及び実測上の各グラフ（図１７及び図１８）からも明らかなように、上述の第２の実施の形態に比して、一段と効率良く省エネルギー化を計ることができる。
【０２０１】
以上の構成によれば、制御回路部６２は、励磁回路部５２による電源トランスＴｒの励磁動作を停止させている時間を長くすると共に、当該励磁動作を停止させている場合にはフォトカプラＰＨに供給する電流を遮断するようにしたことにより、待機電源部７０全体、あるいはテレビジョン装置１００全体として一段と効率良く省エネルギー化を計ることができる。
【０２０２】
なお上述の第三の実施の形態においては、直流電圧発生回路としてのコンデンサＣ１、コンデンサＣ２、抵抗Ｒ１、抵抗Ｒ２、整流ダイオードＤ１、整流ダイオードＤ２、電圧制限用ダイオードＤ３、スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ１２、コンデンサＣ１１、抵抗Ｒ１９、逆流防止ダイオードＤ９のうち、当該コンデンサＣ１１及び抵抗Ｒ１９（微分回路）と、コンデンサＣ１１に対して直列に接続された逆流防止ダイオードＤ９とによって商用電源８０の供給開始時に直流電圧をＦＥＴ５及び６に供給する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、図１６との対応部分に同一符号を付して示す図１９において、抵抗Ｒ１９に代えてダイオードＤ１１を用いるようにしても良い。
【０２０３】
この場合、励磁回路部５２では、商用電源８０オフ時に残っている電荷を放電する放電時定数が小さくなるので、当該電荷を速やかに放電することができる。
【０２０４】
また上述の第三の実施の形態においては、直流電圧発生回路としてのコンデンサＣ１、コンデンサＣ２、抵抗Ｒ１、抵抗Ｒ２、整流ダイオードＤ１、整流ダイオードＤ２、電圧制限用ダイオードＤ３、スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ１２、コンデンサＣ１１、抵抗Ｒ１９、逆流防止ダイオードＤ９のうち、当該コンデンサＣ１１及び抵抗Ｒ１９（微分回路）と、コンデンサＣ１１に対して直列に接続された逆流防止ダイオードＤ９とによって商用電源８０の供給開始時に直流電圧をＦＥＴ５及び６に供給する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、図１６との対応部分に同一符号を付して示す図２０において、コンデンサＣ１１、抵抗Ｒ１９及び逆流防止ダイオードＤ９に代えて、押下されているときのみＦＥＴ５及び６をオン動作するモメンタリースイッチ４７を用いるようにしても良い。
【０２０５】
この場合、励磁回路部５２の回路素子を少なくすることができ、当該励磁回路部５２を簡易化することができる。
【０２０６】
さらに上述の第三の実施の形態においては、励磁回路部５２が商用電源８０からの供給開始時のみＦＥＴ５及び６をオン動作して電源トランスＴｒを初期励磁動作させる場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば停電等で制御回路部６２が動作停止した際にもＦＥＴ５及び６をオン動作して電源トランスＴｒを初期励磁動作させるようにしても良い。
【０２０７】
この場合、図１６との対応部分に同一符号を付して示す図２１ように、待機電源部７０においては、制御回路部６３によるフォトカプラＰＨへの駆動又は駆動停止の制御とは別に、当該フォトカプラＰＨへの駆動又は駆動停止の制御をパルス発振部４９でも行う。
【０２０８】
励磁回路部５３では、パルス発振部４９によるフォトカプラＰＨへの駆動又は駆動停止の制御に応じてＦＥＴ５及び６をオン動作することなく、例えば停電等で制御回路部６２が動作停止することによりパルス発振部４９によるフォトカプラＰＨへの駆動又は駆動停止の制御がなくなった際にＦＥＴ５及び６をオン動作して電源トランスＴｒを初期励磁動作させる。
【０２０９】
このパルス発振部４９は、図２２に示すように、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ３０の充放電を利用した回路であり、トランジスタ１０３のオン動作及びＦＥＴ１０４のオフ動作に従った正帰還によってトランジスタ１０５がオン動作したとき、入力端１０１を介して内電圧調整用ＩＣ１７から供給された電流を抵抗Ｒ３５を介して電圧変化検出用コンデンサＣ３０に充電すると共に、出力端１０２を介してトランジスタ１２のベース（図２１）に供給する。
【０２１０】
すなわち電圧変化検出用コンデンサＣ３０の充電電圧が上昇すると、ＦＥＴ１０４のゲート電圧も上昇し、当該ＦＥＴ１０４がオン動作し始める。ＦＥＴ１０４がオン動作し始めると、トランジスタ１０３との正帰還動作によりＦＥＴ１０４、トランジスタ１０３及び１０５は一瞬にしてオン−オフ動作が反転し、電圧変化検出用コンデンサＣ３０の充電が止まり、このとき電圧変化検出用コンデンサＣ３０に蓄積された電荷は抵抗Ｒ３６によって放電される。
【０２１１】
この場合パルス発振部４９の出力端１０２からの波形は電圧変化検出用コンデンサＣ３０と、抵抗Ｒ３５との時定数で出力Ｈｉの時間、電圧変化検出用コンデンサＣ３０と、抵抗Ｒ３６との時定数で出力Ｌｏの時間が決定するようになされている。
【０２１２】
このパルス発振部４９においては、1.4 〔μA 〕程度の低電力で動作するようになされており、放電時定数を大きく、充電時定数を小さく選定されているため、１秒に１回１[msec]程度のパルスとして入力端１０１を介して内電圧調整用ＩＣ１７から供給された電流をトランジスタ１２のベースに供給し得るようになされている。
【０２１３】
実際上、励磁回路部５３は、ＡＣプラグ８１が商用電源８０に挿入されると、当該商用電源８０及びＡＣプラグ８１を順次介して供給される商用電圧を整流ダイオードＤ１及びＤ２によって半波整流して接続点１５側からスイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ１２に充電し、その充電電圧を抵抗Ｒ４０を介して従スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ２３に与え、これによりＦＥＴ１１０のゲート電圧を上昇させる。
【０２１４】
ここで励磁回路部５３は、従スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ２３が所定の閾値を上回ると、ＦＥＴ１１０がオン動作し、これによりＦＥＴ５及び６のゲートに電圧が加わってオン動作し、これに伴って電源トランスＴｒを初期励磁動作させる。
【０２１５】
一方、励磁回路部５３は、フォトカプラＰＨが駆動されてトランジスタ１３がオン動作している場合には、電圧蓄積用コンデンサＣ１２への充電によって生じる充電電圧がＦＥＴ１１１のゲートに加わるため、当該ＦＥＴ１１１をオン動作させて従スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ２３に充電された電荷を放電する。
【０２１６】
このとき励磁回路部５３は、従スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ２３が所定の閾値を下回ると、これに伴ってＦＥＴ１１０のゲート電圧も下がるため当該ＦＥＴ１１０をオフ動作する。これにより励磁回路部５３では、ＦＥＴ１１０のソースによってＦＥＴ５及び６のゲートに電圧を供給しなくなるが、フォトカプラＰＨ内のトランジスタ１３がオン動作しているので、トランジスタ１３のエミッタよりダイオードＤ４０及び抵抗Ｒ４１を順次通してＦＥＴ５及び６のゲートに電圧が供給され、ＦＥＴ５及び６はオン動作を持続する。
【０２１７】
これに対して、制御回路部６３では、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の電圧が所定の電圧を越えると、電圧検出部４８がトランジスタ１２をオフ動作させるのでフォトカプラＰＨ内のダイオードＤ７へ電流が流れなくなってフォトカプラＰＨ内のトランジスタ１３がオフ動作となる。その結果、励磁回路部５３では、ＦＥＴ５及び６のゲート電圧も無くなってオフ動作し、電源トランスＴｒの初期励磁動作を停止させる。
【０２１８】
ここで、制御回路部６３が通常励磁動作状態となっている際には、パルス発振部４９は、定期的にフォトカプラＰＨの駆動又は駆動停止を制御するため、これに応じてトランジスタ１３もオン−オフ動作を定期的に繰り返す。
【０２１９】
従って励磁回路部５３では、トランジスタ１３もオン−オフ動作に伴ってＦＥＴ１１１のオン−オフ動作を繰り返すので、従スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ２３の端子電圧を常時低く保つようになされている。
【０２２０】
これに加えて励磁回路部５３では、トランジスタ１３のオン−オフ動作によって生じるパルス状電圧を抵抗Ｒ４１、コンデンサＣ２４及びＦＥＴ５及び６のゲート容量によって積分するので、ＦＥＴ５及び６のオン−オフ動作への影響を回避するようになされている。
【０２２１】
因みに励磁回路部５３は、逆流防止ダイオードＤ４０によって従スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ２３に充電されて生じた充電電圧がＦＥＴ１１０を通してＦＥＴ１１１のゲート電圧として加わることを回避するようになされている。
【０２２２】
このようにすれば、励磁回路部５３では、パルス発振部４９によるフォトカプラＰＨへの駆動又は駆動停止の制御がなくなった場合には従スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ２３の電圧が低く保たれず、これによりＦＥＴ１１０が強制的にオン動作するので、ＦＥＴ５及び６のゲートに電圧が加わってオン動作し、これに伴って電源トランスＴｒを再び初期励磁動作させる。
【０２２３】
従って励磁回路部５３では、制御回路部６３が動作しなくなった場合でも自動的に復帰させることができ、かくして、待機電源部７０の動作信頼性を向上させることができる。
【０２２４】
（４）他の実施の形態
上述の実施の形態においては、電気機器としてのテレビジョン装置１００内に電源装置としての待機電源部７０を設ける場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えばＣＡＴＶ(Cable TeleVision)及び又はインターネットを接続するための受信装置（セットトップボックス）やビデオテープレコーダ等のリモートコントローラを用いた遠隔操作又はサブスイッチによる入力動作を有する電気機器、あるいは電話機やパーソナルコンピュータ等のサブスイッチ以外の待機機能を有する電気機器、さらにはＡＣアダプタにより駆動電力を得る電気機器など、要は電気的なスイッチ回路を有する他の種々の電気機器に本発明による電源装置を幅広く適用することができる。
【０２２５】
また上述の実施の形態においては、商用電圧を交流電源として適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば太陽電池等の自家発電による交流電圧等、他の種々の交流電圧を交流電源として適用するようにしても良い。
【０２２６】
【発明の効果】
本発明によれば、トランスの２次側では電圧を監視しその電圧状態に応じて１次側と絶縁されるフォトカプラを間欠駆動する回路を設け、該トランスの１次側ではフォトカプラの間欠駆動に応動して交流電源ラインのスイッチング素子を開閉する回路を設けることで、効率よく省エネルギー化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】テレビジョン装置の全体構成を示すブロック図である。
【図２】第１の実施の形態による待機電源部の全体構成を示す回路図である。
【図３】各素子の電圧値又は電流値の関係を示すタイミングチャートである。
【図４】他の実施の形態による励磁回路部の構成を示す回路図である。
【図５】他の実施の形態による励磁回路部の構成を示す回路図である。
【図６】他の実施の形態による励磁回路部の構成を示す回路図である。
【図７】他の実施の形態による励磁回路部の構成を示す回路図である。
【図８】他の実施の形態による励磁回路部の構成を示す回路図である。
【図９】他の実施の形態による励磁回路部の構成を示す回路図である。
【図１０】他の実施の形態による待機電源部の構成を示す回路図である。
【図１１】ＯＳＣの構成を示す回路図である。
【図１２】ＯＳＣから出力されるパルス波を示す略線図である。
【図１３】他の実施の形態による制御回路部の構成を示す回路図である。
【図１４】テレビジョン装置の全体構成を示すブロック図である。
【図１５】第２の実施の形態による待機電源部の全体構成を示す回路図である。
【図１６】第３の実施の形態による待機電源部の全体構成を示す回路図である。
【図１７】回路特性を示す特性曲線図である。
【図１８】電源効率を示す特性曲線図である。
【図１９】他の実施の形態による励磁回路部の構成を示す回路図である。
【図２０】他の実施の形態による励磁回路部の構成を示す回路図である。
【図２１】他の実施の形態による待機電源部の構成を示す回路図である。
【図２２】パルス発振部の構成を示す回路図である。
【符号の説明】
５、６、２２、２４、１１０、１１１……電界効果トランジスタ、１７……内電圧調整用ＩＣ、Ｄ２３ａ、Ｄ２３ｂ、Ｄ２３ｃ、Ｄ２３ｄ、Ｄ２６ａ、Ｄ２６ｂ、Ｄ２６ｃ、Ｄ２６ｄ、Ｄ３２ａ、Ｄ３２ｂ、Ｄ３２ｃ、Ｄ３２ｄ……ブリッジダイオード、Ｄ１、Ｄ２、Ｄ５……整流ダイオード、Ｄ３、Ｄ１０……電圧制限用ダイオード、Ｄ9 ……逆流防止ダイオード、２５……サイリスタ、２８……トライアック、３１、３３、３４……ＩＧＢＴ、３５……オシレータ、４０……Ｃ−ＭＯＳ Ｌogic inverter 、４５……二次側電圧蓄積用コントロール回路、４８……電圧検出部、４９……パルス発振部、５０、５１、５２、５３、５４……励磁回路部、６０、６１、６２、６３、６４……制御回路部、７０……待機電源部、７５……受光部、７６……復号部、８０……商用電源、８１……ＡＣプラグ、１００……テレビジョン装置、ＰＨ……フォトカプラ、Ｔｒ……電源トランス、Ｃ１、Ｃ２……コンデンサ、Ｃ３、Ｃ１２……スイッチング電圧蓄積用コンデンサ、Ｃ４……二次側電圧蓄積用コンデンサ、Ｃ８……リレー駆動用コンデンサ、Ｃ９、Ｃ１０……待機用電圧蓄積コンデンサ、Ｃ４６……２次電池。
【発明の属する技術分野】
本発明は電源装置に関し、例えばテレビジョン装置が待機動作状態のとき、消費電力を低減するようになされた電源装置に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、テレビジョン装置おいては、ＡＣ（Alternating Current ）プラグが商用電源に挿入された後にメインスイッチがオン動作されると、当該ＡＣプラグから商用電圧がテレビジョン装置本来の機能を動作させる本体に供給される。テレビジョン装置内の本体は、ＡＣプラグから供給される商用電圧に基づいて動作し、例えばＣＲＴ(Cathode Ray Tube display)に映像を受像する等、種々の処理を実行するようになされている。
【０００３】
またテレビジョン装置においては、サブスイッチであるリモートコントローラからの遠隔操作によってもテレビジョン装置内の本体に商用電圧を供給させるようになされている。この場合テレビジョン装置は、リモートコントローラから赤外線に重畳された制御信号を受光するまで待機動作状態とすることができる。
【０００４】
テレビジョン装置は、待機動作状態において、ＡＣプラグが商用電源に挿入されることにより供給される商用電圧を待機電源部及び主電源スイッチに供給する。待機電源部はＡＣプラグから供給された商用電圧の電圧レベルを引き下げると共に直流電圧に変換し、これを受光部に供給する。
【０００５】
また、主電源スイッチは受光部から制御信号が供給されるまでオフ動作状態となっており、テレビジョン装置の本体にＡＣプラグから供給された商用電圧を供給しない。
【０００６】
これに対して、受光部はリモートコントローラから赤外線に重畳された制御信号を受光すると、当該受光した赤外線を光電変換することにより、赤外線に重畳された制御信号を抽出し、これを主電源スイッチに出力する。
【０００７】
これにより主電源スイッチはオン動作し、商用電圧が本体に供給される。従ってテレビジョン装置は待機動作状態から主電源投入状態に移行する。
【０００８】
このようにテレビジョン装置が待機動作状態のときは、待機電源部のみが電力を消費するようになされており、これによりテレビジョン装置全体としては、省エネルギーを計るようになされている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところでかかる構成の待機電源部は、内部に設けられた電源トランスの１次側に対して間欠的に電流を流すことにより、当該電源トランスを間欠的に励磁させ、電源トランスの２次側を介して商用電圧の電圧レベルを引き下げると共に直流電圧に変換し、これを受光部に供給する。
【００１０】
この場合待機電源部の消費電力は、常時電源トランスを励磁させる場合に比べると、間欠的に励磁させているので少なくなり、当該待機電源部は、消費電力を低減し、これによりテレビジョン装置全体としては、さらに省エネルギーを計ることができる。
【００１１】
しかしながら従来の待機電源部においては、電源トランスを間欠的に励磁させるための回路の主要部分が１次側に設けられており、当該１次側回路内の電流値が多くなるので、１次側回路内の電流を蓄えるコンデンサ容量を大きくする必要がある。すなわち待機電源部は、省エネルギーを計るには未だ不十分であった。
【００１２】
またこの場合の待機電源部は、電源トランスの１次側の回路に供給する電流を蓄えるコンデンサ容量が大きいことにより、当該コンデンサに電流を蓄える時間が長時間費やされてしまうという問題があった。
【００１３】
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、一段と効率良く省エネルギーを計ることができる電源装置を提案しようとするものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を解決するため本発明は、電源装置であって、交流電源ラインに接続されるトランスと、トランスの一次側と二次側とを絶縁するフォトカプラと、トランスの一次巻線と交流電源ラインとの間に設けられる電界効果トランジスタと、トランスの二次側に設けられ、トランスの二次巻線を介して蓄積される電圧レベルが閾値を越える場合にはフォトカプラを駆動させ、閾値を下回る場合にはフォトカプラを停止させる２次側回路と、トランスの一次側に設けられ、フォトカプラが駆動状態の場合には電界効果トランジスタを開状態とし、該フォトカプラが停止状態の場合には交流電源ライン間に接続されるコンデンサを通る電流から得られる電圧を電界効果トランジスタに与えて閉状態とする一次側回路とを有する。
また本発明は、電源装置であって、交流電源ラインに接続されるトランスと、トランスの一次側と二次側とを絶縁するフォトカプラと、トランスの一次巻線と交流電源ラインとの間に設けられるスイッチング素子と、トランスの二次側に設けられ、トランスの二次巻線を介して蓄積される電圧レベルが閾値を越える場合にはフォトカプラを停止させ、閾値を下回る場合にはフォトカプラを駆動させる２次側回路と、トランスの一次側に設けられ、フォトカプラが停止状態の場合にはスイッチング素子を開状態とし、該フォトカプラが駆動状態の場合にはスイッチング素子を閉状態とする一次側回路とを有する。
【００１５】
（１）第一の実施の形態
図１において、１００はテレビジョン装置を示し、ユーザがテレビジョン装置１００のＡＣ（Alternating Current ）プラグ（図示せず）を商用電源８０に挿入すると、商用電源８０から供給される商用電圧は、主電源スイッチ８５及び電源装置としての待機電源部７０に供給される。
【００１６】
テレビジョン装置１００は、ＡＣプラグが商用電源８０に挿入されてから受光部７５がリモートコントローラ（図示せず）より本体９０の起動を表す制御信号を受光するまでの間、主電源スイッチ８５を介して商用電源８０から供給される商用電圧を本体９０に出力しない待機動作状態となる。
【００１７】
またテレビジョン装置１００は、受光部７５が本体９０の起動を表す制御信号を受光すると、待機動作状態から主電源投入状態に移行し、主電源スイッチ８５に供給される商用電圧を本体９０に出力する。これにより本体９０は、主電源スイッチ８５に供給される商用電圧に基づいて起動し、例えば図示しないＣＲＴ（Cathode Ray Tube Display）に映像を受像する等、種々の処理を行うようになされている。
【００１８】
テレビジョン装置１００の待機動作状態において、待機電源部７０は商用電源８０から供給される商用電圧の電圧レベルを引き下げると共にこれを直流電圧に変換し、常時受光部７５に出力する。受光部７５は、待機電源部７０から供給される直流電圧を待機電源として常時動作するようになされており、これによりリモートコントローラから供給される制御信号を常時待ち受ける。
【００１９】
図２は、待機電源部７０の回路構成を示し、待機電源部７０は電源トランスＴｒの１次側に励磁回路部５０を有すると共に、２次側に制御回路部６０を有する。
【００２０】
励磁回路部５０は、待機動作状態において、ＡＣプラグ（図示せず）が商用電源８０（図１）に挿入された際にＡＣ入力端１及び２を介して供給される商用電圧に基づいて電源トランスＴｒを初期励磁動作させることにより、制御回路部６０を動作させる。
【００２１】
制御回路部６０は、励磁回路部５０によって電源トランスＴｒが初期励磁動作なされたことにより一旦動作すると、必要に応じて電源トランスＴｒの励磁動作停止及び通常励磁動作を間欠的に制御することによりテレビジョン装置１００の待機動作状態を維持するようになされている。
【００２２】
ここで初期励磁動作とは、テレビジョン装置１００の待機動作状態を維持する制御回路部６０を動作させるため、励磁回路部５０によって電源トランスＴｒを励磁状態にさせる動作であり、通常励磁動作とは、初期励磁動作が終了した以降、制御回路部６０によって電源トランスＴｒを励磁状態にさせる動作である。
【００２３】
テレビジョン装置のＡＣプラグが商用電源８０に挿入されてから電源トランスＴｒが初期励磁動作する過程において、商用電源８０から商用電圧入力端１にマイナス電圧が供給されると共に、商用電圧入力端２にプラス電圧が与えられる（図３（Ａ）ｔ1 〜ｔ2 ）と、このとき励磁回路部５０には、商用電圧入力端２、コンデンサＣ２、スイッチング用の電界効果トランジスタ（以下、これをＦＥＴ（：Field Effect Transistor ）と呼ぶ) ６、電源トランスＴｒの一次巻線３及び商用電圧入力端１を順次介して電流が流れる。これによりコンデンサＣ２には、接続点１４側がプラスとなるように電荷が充電される。
【００２４】
また商用電源８０から商用電圧入力端１及び２それぞれに供給される電圧がゼロになるまでの間（図３（Ａ）ｔ2 〜ｔ3 ）、励磁回路部５０には、商用電圧入力端２、商用電源８０、商用電圧入力端１、コンデンサＣ１、抵抗Ｒ１、整流ダイオードＤ２、ＦＥＴ５及び６をオン動作させるための電圧を蓄積するコンデンサ（以下、これをスイッチング電圧蓄積用コンデンサと呼ぶ）Ｃ３を順次介してコンデンサＣ２に充電された電荷が放電される。
【００２５】
これによりコンデンサＣ１には、接続点１６側がプラスとなるように電荷が充電されると共に、スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３には、接続点１５側がプラスとなるように電荷が充電される。これによりスイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３の電圧は上昇する。
【００２６】
さらに商用電圧入力端１及び２の電圧がゼロの状態から商用電圧入力端１にプラス電圧が供給されると共に、商用電圧入力端２にマイナス電圧が供給される（図３（Ａ）ｔ3 〜ｔ4 ）と、このとき励磁回路部５０には、商用電圧入力端１、コンデンサＣ１、抵抗Ｒ１、整流ダイオードＤ２、スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３、コンデンサＣ２及び商用電圧入力端２を順次介してコンデンサＣ２に充電された電荷が放電される。
【００２７】
ここでコンデンサＣ２に充電された電荷が全て放電されると、励磁回路部５０には、商用電圧入力端１、コンデンサＣ１、抵抗Ｒ１、整流ダイオードＤ２、スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３、ＦＥＴ５及び商用電圧入力端２を順次介して電流が流れる。これによりコンデンサＣ１には、接続点１６側がプラスとなるように電荷が充電されると共に、スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３には、接続点１５側がプラスとなるように電荷が充電される。
【００２８】
さらにまた商用電源８０商用電圧入力端１及び２それぞれに供給される電圧がゼロになるまでの間（図３（Ａ）ｔ4 〜ｔ5 ）、励磁回路部５０には、商用電圧入力端１、商用電源８０、商用電圧入力端２、コンデンサＣ２、整流ダイオードＤ１、抵抗Ｒ１及びコンデンサＣ１を順次介してコンデンサＣ１に充電された電荷が放電される。これによりコンデンサＣ２には、接続点１４側がプラスとなるように電荷が充電される。
【００２９】
このようにして商用電源８０から商用電圧が供給される（図３（Ａ）ｔ1 〜ｔ5 ）と、励磁回路部５０は、スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３に半波整流された電流の充電（電荷の蓄積）を行う。従って所定の期間商用電源８０（図１）から商用電圧が供給（図３（Ａ）ｔ5 〜ｔn ）されると、励磁回路部５０は、スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３への充電を繰り返すことになる。
【００３０】
因みに抵抗Ｒ１においては、商用電源８０から供給される商用電圧に高電圧スパイクノイズが含まれていた場合、当該高電圧スパイクノイズがコンデンサＣ１を介して励磁回路部５０内の各素子を破壊しないように設けられた制限抵抗であり、励磁回路部５０が電源トランスＴｒを励磁させる過程にて影響しないようになされている。またスイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３への充電においては、電圧制限用ダイオードＤ３により所定のレベルで制限されるようになされている。
【００３１】
ここでスイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３に充電が繰り返されることにより所定の電圧値が得られると（図３（Ｂ）Ｔ１′）、スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３に充電された半波電流は、抵抗Ｒ２を介してＦＥＴ５のゲート及びＦＥＴ６のゲートそれぞれに供給され、これによりＦＥＴ５及び６は、オン動作する（図３（Ｃ）Ｔ１′）。
【００３２】
このときコンデンサＣ２は、短絡されることとなり、従ってスイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３に充電される電荷は、多くなる（図３（Ｂ）Ｔ１′以降）。その結果スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３の充電電圧は、抵抗Ｒ２を介してＦＥＴ５及び６のゲートそれぞれに供給され続け、これによりＦＥＴ５及び６は、オン動作を維持する。この場合電源トランスＴｒの１次側には、商用電源８０からの商用電圧が直接加わることとなり（図３（Ｇ）Ｔ１′）、これにより電源トランスＴｒは、初期励磁動作する。
【００３３】
因みにコンデンサＣ１の容量とコンデンサＣ２の容量とが同量の場合、コンデンサＣ２が短絡されることによりスイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３に蓄積される電荷は、コンデンサＣ２が短絡される以前に蓄積される電荷よりおよそ２倍になる。
【００３４】
また電源トランスＴｒの１次側に直接商用電圧が加わることにより当該電源トランスＴｒが初期励磁動作すると、電源トランスＴｒの１次巻線３に供給されている商用電圧は、電源トランスＴｒの２次巻線４を介して整流ダイオードＤ４において直流電圧とされ、制御回路部６０に供給される。これにより制御回路部６０の電源となるコンデンサ（以下、これを二次側電圧蓄積用コンデンサと呼ぶ）Ｃ４には、直流電圧が充電される（図３（Ｄ）Ｔ１′）と共に、受光部７５（図１）には出力端７を介して直流電圧が出力され初める。
【００３５】
ここで制御回路部６０内部に設けられる内電圧調整用ＩＣ(Integrated Circuit)１７は、電源トランスＴｒ、整流ダイオードＤ４及び二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４を順次介して供給される直流電圧が所定の電圧値となることにより一旦動作状態になると、当該内電圧調整用ＩＣ１７に入力される電圧を監視するようになされており、制御回路部６０は内電圧調整用ＩＣ１７による監視結果に応じてスイッチング用のＦＥＴ５及び６をオフ動作させるようになされている。これにより電源トランスＴｒは、励磁動作を停止する。
【００３６】
すなわち電源トランスＴｒが初期励磁動作から励磁動作を停止するまでの過程において、電源トランスＴｒが初期励磁動作となると、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４端子電圧が所定の電圧レベルになるまでは内電圧調整用ＩＣ１７の入力電圧及び出力電圧は、それぞれ二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４に蓄積されていく電荷に応じて上昇する。
【００３７】
このときＰＮＰ型トランジスタ１０のベースに与えられる電圧は、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の端子電圧を分圧抵抗Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７により分圧したものであり、またＰＮＰ型トランジスタ１０のエミッタに与えられる電圧は、内電圧調整用ＩＣ１７の出力電圧である。従ってトランジスタ１０のベース電圧はエミッタ電圧より低くなり、その結果トランジスタ１０はオン動作し（図３（Ｅ）Ｔ１′）、これにより内電圧調整用ＩＣ１７の出力電圧は、トランジスタ１０及び抵抗Ｒ８を介してトランジスタ１１のベースに供給される。
【００３８】
これによりトランジスタ１１のベース電圧は上昇することとなり、その結果トランジスタ１１はオン動作する（図３（Ｅ）Ｔ１′）。この場合、トランジスタ１０のベース電圧は、分圧抵抗Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７の分圧抵抗から分圧抵抗Ｒ４及びＲ５のみの分圧抵抗となり、これによりトランジスタ１０のベース電圧はさらに下降する。
【００３９】
従ってトランジスタ１０のエミッタからコレクタを介して流れる電流は、多くなり、これに伴ってトランジスタ１１のコレクタからエミッタを介して流れる電流も多くなるので、トランジスタ１０及び１１のオン動作は持続する。
【００４０】
因みにトランジスタ１１のベースは、外部より常時オン動作させるための端子９に抵抗Ｒ９を介して接続されている。また抵抗Ｒ８及びＲ１０は、トランジスタ１０のコレクタ電流が所定量流れた際にトランジスタ１１をオン動作させるための抵抗である。さらに分圧抵抗Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７においては、トランジスタ１０及び１１がオン動作する前にトランジスタ１２がオン動作しないようになされている。
【００４１】
ここで、内電圧調整用ＩＣ１７は、所定の電圧値が与えられることにより一旦正常動作状態の際には制御回路部６０内の電圧値を一定に保つので、所定の電圧レベル以上の電圧が入力されると、トランジスタ１０のエミッタ電圧は一定であるのに対し、ベース電圧は上昇するようになされている。
【００４２】
従って内電圧調整用ＩＣ１７に入力される電圧（すなわち二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４が充電されることにより得られる電圧）が所定の電圧レベルを越えると（図３（Ｄ）Ｔ２：Upper limit ）、トランジスタ１０はベース電圧が上昇してオン動作を維持できなくなる。
【００４３】
これによりトランジスタ１０はオフ動作し（図３（Ｅ）Ｔ２）、従ってトランジスタ１１のベース電圧は下がることになり、その結果、トランジスタ１１はオフ動作する（図３（Ｅ）Ｔ２）。
【００４４】
これによりトランジスタ１１のコレクタ電圧が上昇し、これに伴ってトランジスタ１０のベース電圧はさらに上昇してオフ動作に正帰還がかかって直ちにトランジスタ１０及び１１それぞれがオフ動作する。これによりトランジスタ１２のベース電圧は上がることになり、その結果、トランジスタ１２はオン動作する（図３（Ｆ）Ｔ２）。
【００４５】
従って内電圧調整用ＩＣ１７から出力される電流は、抵抗Ｒ３、電源トランスＴｒの１次側及び２次側を絶縁するフォトカプラＰＨ内のダイオードＤ７及びトランジスタ１２を順次介して出力端８のグランドに供給される。このときフォトカプラＰＨ内のトランジスタ１３はオン動作する。
【００４６】
これにより励磁回路部５０内において、スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３及び抵抗Ｒ２を介してＦＥＴ５及び６に供給されていた電流は、フォトカプラＰＨ内のトランジスタ１３のコレクタからエミッタを介して流れる。従ってＦＥＴ５及び６それぞれのゲート−ソース間は、短絡されることにより、ＦＥＴ５及び６は、オフ動作する（図３（Ｃ）Ｔ２）。
【００４７】
従って電源トランスＴｒの１次側に供給されていた商用電圧は、供給されないこととなり（図３（Ｇ）Ｔ２）、これにより初期励磁動作していた電源トランスＴｒは、励磁動作を停止する。
【００４８】
このようにして制御回路部６０は、内部の内電圧調整用ＩＣ１７に入力される電圧が所定の電圧レベルを越えると、スイッチング用のＦＥＴ５及び６をオフ動作させ、これにより電源トランスＴｒは、励磁動作を停止する。
【００４９】
また電源トランスＴｒの初期励磁動作が制御回路部６０によって停止されると、制御回路部６０内の二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４に蓄積された電荷は、制御回路部６０内及び出力端７を介して受光部７５（図１）に負荷電流として放電される（図３（Ｄ）Ｔ２〜Ｔ３）。
【００５０】
ここで二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の電荷が放電されることにより内電圧調整用ＩＣ１７に入力される電圧が所定の電圧レベル以下になると（図３（Ｄ）Ｔ３：Lower limit ）、トランジスタ１０のベース電圧はエミッタ電圧より低くなる。
【００５１】
この場合トランジスタ１０はベース電圧が下がることによりオン動作し、これにより制御回路部６０は、電源トランスＴｒが初期励磁動作から励磁動作停止する過程において上述したように内電圧調整用ＩＣ１７に入力される電圧が所定の電圧レベルを越えるまで、スイッチング用のＦＥＴ５及び６をオン動作させる。これにより電源トランスＴｒは通常励磁動作し、整流ダイオードＤ４を通過した直流電流は、再び二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４に充電される（図３（Ｄ）Ｔ３〜Ｔ４）。
【００５２】
さらに内電圧調整用ＩＣ１７に入力される電圧値が所定の電圧レベルを越えると（図３（Ｄ）Ｔ４）、制御回路部６０は、スイッチング用のＦＥＴ５及び６をオフ動作させる。これにより電源トランスＴｒは励磁動作を停止する。
【００５３】
このようにして制御回路部６０は、内電圧調整用ＩＣ１７により、当該内電圧調整用ＩＣ１７に入力される電圧が所定の電圧レベルを越えると電源トランスＴｒをオフ動作させ、所定の電圧レベルよりも下降すると電源トランスＴｒをオン動作させるようになされており、これにより電源トランスＴｒは、制御回路部６０により間欠的に通常励磁動作及び励磁動作停止を制御される。
【００５４】
従って制御回路部６０の内電圧調整用ＩＣ１７の出力端７は、常に一定の電圧が保たれており、これにより受光部７５には出力端７を介して一定の電圧が加えられる。従って制御回路部６０は、テレビジョン装置１００の待機動作状態を維持する。
【００５５】
このように励磁回路部５０は、ＡＣ入力端１及び２を介して商用電圧が供給されると、スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３に半波整流された電流の充電を繰り返してＦＥＴ５及び６をオン動作させることにより、電源トランスＴｒを初期励磁動作させることができる。
【００５６】
また励磁回路部５０は、スイッチング用のＦＥＴ５及び６をオン動作させ、当該電源トランスＴｒの１次巻線３に対してＡＣ入力端１及び２を介して供給される商用電圧を直接加える。これにより電源トランスＴｒの２次側である制御回路部６０の二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４は、短時間に充電される。すなわち励磁回路部５０は、短時間に二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４を充電することができる。
【００５７】
従って例えば停電等、商用電源（図示せず）から商用電圧が所定期間供給されない場合において、励磁回路部５０は、停電状態が復帰したことによる商用電源８０からの供給開始時には直ちにスイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３に対して充電を繰り返してＦＥＴ５及び６をオン動作させ、これにより電源トランスＴｒを再び初期励磁動作させることができる。これにより励磁回路部５０は、短時間に制御回路部６０を正常動作状態にさせることができる。
【００５８】
さらに制御回路部６０は、内部電圧を一定に保たれるようになされており、所定の電圧レベル以上になった場合にはフォトカプラＰＨを介してＦＥＴ５及び６をオフ動作させると共に、所定の電圧レベル以下になった場合にはフォトカプラＰＨを介してＦＥＴ５及び６をオン動作させることができ、かくして間欠的に電源トランスＴｒの励磁を制御することができる。
【００５９】
ここで待機電源部７０の構成において、例えばコンデンサＣ4 の容量を 4700[ μF]、内電圧調整用ＩＣ１７の内部ロス電流値を 2[ μA]、フォトカプラＰＨのトランジスタ１３内の電流値を 30 [ μA]、トランジスタ１０及び１１に流れる電流値を 10 [ μA]、内電圧調整用ＩＣ１７における入力電圧の上限電圧値を 8[V] 、内電圧調整用ＩＣ１７における入力電圧の下限電圧値を 6[V] 、コンデンサＣ4 の充電効率を 50[%]、コンデンサＣ4 の充電時間を 50[ms] 、ＦＥＴ５及び６がオフ動作の際にフォトカプラＰＨ内のトランジスタ１３に流れる電流値を 0.5[ μA]、スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３の端子電圧値を 10[V]、抵抗Ｒ１値を 100[kΩ] 、電源トランスＴｒの励磁損を 0.1[W] 、ＦＥＴ５及び６のオン動作時又はオフ動作時のロスを 0、各コンデンサＣ１〜Ｃ４のリーク電流値を 0、各ダイオードＤ１〜Ｄ３のロスを 0と具体的に仮定した場合、励磁回路部５０がＦＥＴ５及び６をオン動作させる消費電力は、ダイオードＤ２を通過する電力（すなわち 10[V]× 0.5[ μA]＝5[μW]）と、抵抗Ｒ１のロス分の電力（すなわちＲＩ２＝ 100[kΩ] ×（ 1.1[ μA]）２＝ 0.121[ μW]：交流電流全てがダイオードＤ１を通過したと仮定する）との 5.121[ μW]である。
【００６０】
また二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の充電電力において、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の容量に内電圧調整用ＩＣ１７における入力電圧の上限電圧値である 8[V] の電圧があるときのエネルギー（すなわちＣＶ２／２＝ 0.1504[J]）と、コンデンサＣ4 の容量に内電圧調整用ＩＣ１７における入力電圧の下限電圧値である 6[V] の電圧があるときのエネルギー（すなわちＣＶ２／２＝ 0.0846[J]）との差は、 0.0658[J]であるから、コンデンサＣ4 の充電に必要なエネルギーは、コンデンサＣ4 の充電効率を 50[%]であることにより 0.1316[J]（すなわち 0.0658[J]× 2）となる。従ってコンデンサＣ4 の電圧が 8[V] から 6[V] になるまでの時間は、ＣＶ＝ＩＴ（Ｃ：コンデンサ容量、Ｖ：電圧差、Ｉ：電流、Ｔ：時間）により、223.8[sec]（すなわちＴ＝ＣＶ／Ｉ＝ 4700[μF]× 2[V] ／（ 2[ μA]＋ 30[μA]＋ 10[μA]））となる。これにより充放電１周期の二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の平均充電電力は、 0.588[mW]（すなわち 0.1316[J]／（ 223.8[sec] ＋ 0.05[sec]））となる。
【００６１】
さらに電源トランスＴｒの平均励磁電力は、励磁電力×動作時間／１周期時間により、 0.0223[mW] （すなわち 0.1[W] × 50[ms] ／（ 223.8[sec] ＋ 0.05[sec]））となる。
【００６２】
すなわち上述のように仮定した場合の待機電源部７０における計算上の消費電力は、0.61542[mW] （すなわち 0.00512[mW]＋ 0.588[mW]＋ 0.0223[mW] ）である。実際上の待機電源部７０の消費電力においては、例えば電源トランスＴｒの突入電流等、計算上仮定しなかった項目があるために増えるものと思われるが、少なくとも 1[mW]以下には納まる。
【００６３】
また、負荷電力を 1[mW]及び電源効率を 30[%]と仮定すると、負荷をつないだことによる増加分は 3.33[mW] であり、待機電源部７０内部消費分の 1[mW]を加えると、 4.33[mW] となるため、年間消費電力量は 37.93[Wh]（すなわち 0.00433[W] × 24[時間] × 365[ 日] ）となる。ここで 1[kWh] あたり 23[円] と仮定すれば、年間消費電力料金は 0.872[ 円/ 年] （すなわち 37.93[Wh]× 23[円] ）となる。
【００６４】
従って、例えば電池にて２〜３年動作する電機機器に代えて、待機電源部７０にて当該電機機器が動作するようにした場合、年間消費電力料金においては、電池にて２〜３年動作する電機機器よりも待機電源部７０にて動作する当該電機機器のほうが計算上低減し得る。これにより電機機器を使用するユーザは、当該電機機器を使用するために消費する料金を低減することができる。
【００６５】
このように待機電源部７０は、電源トランスＴｒを初期励磁動作、通常励磁動作及び励磁動作停止させるためのスイッチング素子をＦＥＴ５及び６としたことにより、励磁回路部５０が電源トランスＴｒを初期励磁動作させるための電力と、制御回路部６０が電源トランスＴｒを通常励磁動作及び励磁動作停止させるための電力とを一段と低減させることができる。
【００６６】
以上の構成において、電源トランスＴｒの一次側に設けられた励磁回路部５０は、商用電圧が供給されると、直流電圧発生回路としてのコンデンサＣ１及びＣ２、抵抗Ｒ１、抵抗Ｒ２、整流ダイオードＤ１及びＤ２、電圧制限ダイオードＤ３、スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３によって当該スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３に半波整流された電流の充電を繰り返してＦＥＴ５及び６をオン動作することにより、電源トランスＴｒを初期励磁動作させる。
【００６７】
この場合励磁回路部５０は、電源トランスＴｒの１次巻線３に対して商用電圧を直接加えるようになされており、これにより励磁回路部５０は、電源トランスＴｒの２次側に設けられる少ない電力で動作するようになされた制御回路部６０を短時間に正常動作状態にさせる。
【００６８】
また正常動作状態となった制御回路部６０は、当該制御回路内の電圧値を常時監視することにより一定に保つようになされている。すなわち制御回路部６０は、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４が所定の電圧レベル以上になったときにはフォトカプラＰＨを動作させることにより、ＦＥＴ５及び６をオフ動作させると共に、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４が所定の電圧レベル以下になったときには励磁回路部５０のフォトカプラＰＨの動作を停止させることにより、ＦＥＴ５及び６をオン動作させる。
【００６９】
従って制御回路部６０は、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の電圧値に応じてフォトカプラＰＨを介してＦＥＴ５及び６をオン−オフ動作させることができ、これにより励磁回路部５０は、当該ＦＥＴ５及び６のオン−オフ動作によって電源トランスＴｒを励磁させる、又は停止させる。すなわち制御回路部６０は、少ない電力で動作して電源トランスＴｒを間欠的に制御することができる。
【００７０】
さらに待機電源部７０は、電源トランスＴｒを初期励磁動作、通常励磁動作及び励磁動作停止させるためのスイッチング素子をＦＥＴ５及び６としたことにより、励磁回路部５０が電源トランスＴｒを初期励磁動作させるための電力と、制御回路が電源トランスＴｒを通常励磁動作及び励磁動作停止させるための電力を一段と低減させることができる。
【００７１】
以上の構成によれば、電源トランスＴｒの１次側に励磁回路部５０を設けると共に、２次側に制御回路部６０を設け、当該制御回路部６０が励磁回路部５０を間欠的に制御するようにしたことにより、スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３及び二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の容量が少なくても動作するので待機電源部７０の消費電力を一段と抑え得ることができ、かくして、一段と効率良く省エネルギーを計ることができる。
【００７２】
なお上述の第一の実施の形態においては、ＦＥＴ５及び６のオン動作をスイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３の充電をコンデンサＣ１及びＣ２によるリアクタンスにて行う場合について述べたが、本発明はこれに限らず、図２との対応部分に同一符号を付して示す図４において、ＦＥＴ５及び６のオン動作を抵抗Ｒ２１にて行うようにしても良い。この場合、電源トランスＴｒの１次側のロスは、待機電源部７０全体のロスと比べた場合においても少ないことにより、電源トランスＴｒを励磁状態にさせるためのスイッチング素子（ＦＥＴ５及び６）のオン動作を抵抗Ｒ２１にて行うようにしても上述した実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００７３】
また上述の第一の実施の形態においては、電源トランスＴｒの励磁状態にさせるためのスイッチング素子としてＦＥＴ５及び６を用いる場合について述べたが、本発明はこれに限らず、図２との対応部分に同一符号を付して示す図５において、ＦＥＴ２２を１つとし、ブリッジダイオードＤ２３ａ、Ｄ２３ｂ、Ｄ２３ｃ及びＤ２３ｄを併用するスイッチング素子を用いるようにしても良い。この場合ＦＥＴ２２が１つのため、ＦＥＴ５及び６を２つ設けるよりもその特性のばらつきによる直流電流が電源トランスＴｒの一次巻線３に流れることがなくなる。
【００７４】
また上述の第一の実施の形態においては、電源トランスＴｒの励磁状態にさせるためのスイッチング素子としてＦＥＴ５及び６を用いる場合について述べたが、本発明はこれに限らず、図２との対応部分に同一符号を付して示す図６において、ＦＥＴ２４と、当該ＦＥＴ２４に直列に接続された抵抗と、サイリスタ２５とを組み合わせ、当該組み合わせにブリッジダイオードＤ２６ａ、Ｄ２６ｂ、Ｄ２６ｃ及びＤ２６ｄを併用するスイッチング素子を用いるようにしても良い。この場合サイリスタの特性により大電流化に対応し易い。
【００７５】
また上述の第一の実施の形態においては、電源トランスＴｒの励磁状態にさせるためのスイッチング素子としてＦＥＴ５及び６を用いる場合について述べたが、本発明はこれに限らず、図２との対応部分に同一符号を付して示す図７において、ＦＥＴ５及び６と、当該ＦＥＴ５及び６に直列に接続された制限抵抗と、トライアック２８とを組み合わせたスイッチング素子を用いるようにしても良い。
この場合トライアックの特性により大電流化に対応し易い。
【００７６】
また上述の第一の実施の形態においては、電源トランスＴｒの励磁状態にさせるためのスイッチング素子としてＦＥＴ５及び６を用いる場合について述べたが、本発明はこれに限らず、図２との対応部分に同一符号を付して示す図８において、ＩＧＢＴ(Insulated Gate Bipolar Transistor) ３１を使用すると共に、ブリッジダイオードＤ３２ａ、Ｄ３２ｂ、Ｄ３２ｃ及びＤ３２ｄを併用するスイッチング素子を用いるようにしても良い。この場合、上述した実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００７７】
また上述の第一の実施の形態においては、電源トランスＴｒの励磁状態にさせるためのスイッチング素子としてＦＥＴ５及び６を用いる場合について述べたが、本発明はこれに限らず、図２との対応部分に同一符号を付して示す図９において、ＩＧＢＴ(Insulated Gate Bipolar Transistor) ３３及び３４を直列に接続したスイッチング素子を用いるようにしても良い。この場合、上述した実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００７８】
また上述の第一の実施の形態においては、制御回路部６０内にてトランジスタ１２をオン動作させることによりフオトカプラＰＨをオン動作させる場合について述べたが、本発明はこれに限らず、図２との対応部分に同一符号を付して示す図１０において、制御回路６４内にオシレータ（ＯＳＣ）３５を設け、当該オシレータ３５が出力するパルス波形に基づいてフォトカプラＰＨをオン−オフ動作させ、フォトカプラＰＨがオフ動作しているとき、励磁回路５４内の直流電圧回路に加えたコンデンサＣ３６に充電する電流にてＦＥＴ５及び６のオフ動作を維持するようにしても良い。この場合、制御回路６４はフォトカプラＰＨに流す平均電流を一段と少なくすることができる。
【００７９】
因みに図１１はオシレータ３５の回路構成例を示し、ダイオードＤ４１、Ｄ４３及びＤ４４と、抵抗Ｒ３８、Ｒ３９及びＲ４２と、コンデンサＣ４３と、Ｃ−ＭＯＳ Ｌogic inverter ４０とから構成される。この場合、オシレータ３５においては、抵抗Ｒ３８を抵抗Ｒ３９よりも小さい値にすることにより、図１２に示すような波形をトランジスタ１２のベース電圧として出力する。
【００８０】
また、この場合のオシレータ３５においては、Ｃ−ＭＯＳ Ｌogic inverter４０を使用することにより、一段と少ない電流でトランジスタ１２を動作させることができる。すなわち、オシレータ３５は、トリガー端子３８（図１１）を介して供給される信号の論理レベルがＨｉになると、トランジスタ１２のベースに与えられるパルスの論理レベルをＬｏとするようになされており、その結果フォトカプラＰＨ（図１１）は、オフ動作する。
【００８１】
一方、オシレータ３５は、トリガー端子３８（図１１）を介して供給される信号の論理レベルがＬｏになると、トランジスタ１２のベースには、図１２に示すような出力が加えられ、その結果フォトカプラＰＨ（図１１）は、高速にオン−オフ動作するようになされ、コンデンサＣ３６（図１０）は、ＦＥＴ５及び６のゲート電圧をＬｏに保持する。
【００８２】
また上述の第一の実施の形態においては、電源トランスＴｒが励磁停止状態のとき、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４に充電された電荷に基づいて制御回路部６０が動作する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４に換えて、充放電し得る２次電池を設けるようにしても良い。この場合、２次電池の種類によっては図２との対応部分に同一符号を付して示す図１３において、二次側電圧蓄積用コントロール回路４５を設けるようにする。すなわち二次側電圧蓄積用コントロール回路４５は、制御回路部６０内の電圧が所定の電圧レベルを越えると、２次電池Ｃ４６の充電を停止し、これに対して所定の電圧レベルよりも下降すると、２次電池Ｃ４６を充電する。このようにすれば、上述の実施の形態より一段と効率よく省エネルギーを計ることができる。
【００８３】
（２）第二の実施の形態
図１及び図２との対応部分に同一符号を付して示す図１４において、テレビジョン装置１００は、商用電源８０にＡＣプラグ８１が挿入されると、当該商用電源８０及びＡＣプラグ８１を順次介して待機電源部７０のみに商用電圧を供給する（待機動作状態）。
【００８４】
この待機動作状態において、テレビジョン装置１００の待機電源部７０は、電源トランスＴｒの一次側の励磁回路部５１によってＡＣプラグ８１から供給された商用電圧を当該電源トランスＴｒの１次捲線３に供給して初期励磁動作させことにより、当該商用電圧を１次捲線３及び２次捲線４を順次介して二次側の制御回路部６１に供給する。
【００８５】
制御回路部６１は、励磁回路部５１から供給された商用電圧を所定レベル引き下げて直流電圧に変換し、当該直流電圧によって一旦動作すると、必要に応じて励磁回路部５１における電源トランスＴｒの励磁動作を間欠的に制御することにより、復号部７６を駆動させるための待機用電圧Ｖ１を常時復号部７６に供給する。
【００８６】
復号部７６は、待機電源部７０から供給される待機用電圧Ｖ１によって動作し、受光部７５によってリモートコントローラ（図示せず）から供給される赤外線信号を待ち受けるようになされている。
【００８７】
ここで、復号部７６においては、受光部７５によってリモートコントローラ（図示せず）からの赤外線信号を受光すると、当該赤外線信号を光電変換することにより制御信号Ｓ１に復元し、これをマイコン７７に送出する。
【００８８】
マイコン７７は、制御信号Ｓ１に対して復号化処理を施すことによりコード信号Ｓ２を生成し、当該コード信号Ｓ２がテレビジョン装置１００への主電源投入命令であった場合には、制御回路部６１から供給されるリレーコイル駆動用直流電圧Ｖ３を増幅トランジスタ７８に供給する。
【００８９】
因みにマイコン７７は、コード信号Ｓ２がテレビジョン装置１００における主電源投入命令でない場合には、当該コード信号に応じた命令信号Ｓ２を本体９０のセット回路部９２に与える。
【００９０】
増幅トランジスタ７８は、リレーコイル駆動用直流電圧Ｖ３を所定レベルまで引き上げ、当該引き上げたリレーコイル駆動用直流電圧Ｖ３をリレーコイル７９に供給する。
【００９１】
これによりリレーコイル７９は、所定レベル引き上げられたリレーコイル駆動用直流電圧Ｖ３に基づいて発生する磁力によって当該リレーコイル７９に離間された可動鉄片７９Ａを内部鉄片（図示せず）に吸着させ、当該吸着動作と連動する主電源スイッチ８５をオン動作させることにより、商用電源８０からの商用電圧を本体９０の主電源部９１に供給する。
【００９２】
主電源部９１は、商用電源８０からの商用電圧を直流電圧に変換し、これを所定レベル引き上げてセット回路部９２に供給する。セット回路部９２は、アンテナより受信した映像信号に基づく映像をＣＲＴに受像すると共に、マイコン７７から供給される命令信号Ｓ２に応じて各種処理を行う。
【００９３】
このようにテレビジョン装置１００は、コード信号Ｓ２がテレビジョン装置１００における主電源の投入命令であった場合には、待機動作状態から主電源投入状態に移行し、テレビジョン装置１００が有する各種機能を実現するようになされている。
【００９４】
次に、図２との対応部分に同一符号を付して示す図１５において、待機動作状態であるテレビジョン装置１００の内部に有する待機電源部７０（励磁回路部５１及び制御回路部６１）の動作状況を詳細に説明する。
【００９５】
待機電源部７０において、励磁回路部５１は、商用電源８０（図１４）にＡＣプラグ８１が挿入されると、当該商用電源８０及びＡＣプラグ８１を順次介して供給される商用電圧を整流ダイオードＤ１及びＤ２によって半波整流して接続点１５側からスイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３に充電すると共に、整流ダイオードＤ１及びＤ５によって半波整流して接続点２１側からコンデンサＣ６に充電する。
【００９６】
ここで、接続点２１側からコンデンサＣ６への充電によって生じる充電電圧は、トランジスタ２０のベース電圧として加わる。
【００９７】
また接続点１５側からスイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３への充電によって生じる充電電圧は、抵抗Ｒ２及び抵抗Ｒ１１を順次介してＦＥＴ５及び６のゲートに加わり、これによりＦＥＴ５及び６はオン動作する。
【００９８】
従って励磁回路部５１は、ＡＣプラグ８１を介して供給される交流電流を電源トランスＴｒの１次巻線３に供給し、これにより電源トランスＴｒを初期励磁動作させる。
【００９９】
このように励磁回路部５１においては、直流電圧発生回路としてのコンデンサＣ１、Ｃ２、Ｃ６及びＣ７と、スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ３と、抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２と、整流ダイオードＤ１、Ｄ２及びＤ５と、電圧制限用ダイオードＤ３及びＤ１０と、トランジスタ２０によって直流電圧をＦＥＴ５及び６のゲートに供給して当該ＦＥＴ５及び６をオン動作する。
【０１００】
電源トランスＴｒは、励磁回路部５１によって初期励磁動作されると、１次巻線３に供給された交流電流を２次巻線４を介して制御回路部６１に供給する。
【０１０１】
制御回路部６１は、電源トランスＴｒの２次巻線４から供給された商用電圧を整流ダイオードＤ４によって整流し、当該整流された直流電圧を二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４、リレーコイル駆動用直流電圧Ｖ３（図１４）を蓄積するためのコンデンサ（以下、これをリレー駆動用コンデンサと呼ぶ）Ｃ８及び待機用電圧Ｖ１を蓄積するためのコンデンサ（以下、これを待機用電圧蓄積コンデンサと呼ぶ）Ｃ９に充電する。
【０１０２】
このとき内電圧調整用ＩＣ１７は、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４への充電によって生じた充電電圧が所定値に達した際に動作し、これにより常時一定の電圧を出力端１７ｂから与えるようになされている。
【０１０３】
これにより内電圧調整用ＩＣ１７は、所定値の直流電流を内電圧調整用ＩＣ１７の出力端１７ｂを介して待機用電圧Ｖ１を蓄積するためのコンデンサ（以下、これを待機用電圧蓄積コンデンサと呼ぶ）Ｃ１０に充電する。
【０１０４】
ここで、負荷電流回避部５９においては、内電圧調整用ＩＣ１７の入力端１７ａに負荷電流が流れると、抵抗Ｒ１１１の両端に電圧が発生し、トランジスタ１１９のベース−エミッタ間に加わるようになされている。
【０１０５】
従って負荷電流回避部５９においては、抵抗Ｒ１１１の両端に発生した電圧が所定値に達すると、トランジスタ１１９のベースに電流が流れはじめ、その増幅度分の電流がトランジスタ１１９のエミッタ−コレクタ間に流れ、内電圧調整用ＩＣ１７を回避した電流となる。
【０１０６】
すなわち、負荷電流回避部５９は、内電圧調整用ＩＣ１７に流れる電流以上の出力を制御回路部６１の出力として得るようになされている。
【０１０７】
因みに二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４、リレー駆動用コンデンサＣ８、待機用電圧蓄積コンデンサＣ９及びＣ１０は、それぞれ対応する接続端５５、５６、５７及び５８からのみ充電する有極性コンデンサ（ケミカルコンデンサ）である。
【０１０８】
この状態において、トランジスタ１０のベース電圧は、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４への充電によって生じる充電電圧を分圧抵抗Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７によって分圧したものが加えられており、トランジスタ１０のエミッタ電圧は、電源トランスＴｒの初期励磁動作によって動作した内電圧調整用ＩＣ１７によって一定になされている。
【０１０９】
従ってトランジスタ１０は、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４に充電がされている始めのうちはエミッタ電圧よりもベース電圧の方が下回るのでオン動作する。
【０１１０】
この場合トランジスタ１１は、トランジスタ１０のコレクタ電流によりベース−エミッタ間に電圧が生じているのでオン動作する。このときトランジスタ１０のベース電圧は、分圧抵抗Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７によって分圧されていたものが分圧抵抗Ｒ４及びＲ５のみによって分圧されるので急激に下降し、これに伴ってトランジスタ１０のオン動作が加速する。
【０１１１】
従ってトランジスタ１０は、コレクタより多くの電流をトランジスタ１１に供給し、これに伴ってトランジスタ１１も同様に、コレクタ−エミッタ間に多くの電流を出力端８を介してグランドに供給する。
【０１１２】
このように制御回路部６１では、トランジスタ１０のオン動作及びトランジスタ１１のオン動作に従った正帰還（以下、これを励磁動作開始用正帰還と呼ぶ）によって、互いのオン動作を持続するようになされている。
【０１１３】
このときトランジスタ１２は、トランジスタ１１のオン動作によってベース−エミッタ間が短絡してオフ動作する。従ってフォトカプラＰＨには、内電圧調整用ＩＣ１７の出力端１７ｂから電流が供給されないので駆動しない。
【０１１４】
ここで、トランジスタ１０は、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４に充電がされ続けたことによって生じる充電電圧の上昇に応じてベース電圧が上昇しており、当該充電電圧が第１の閾値を上回ると、当該ベース電圧がエミッタ電圧を上回り始めてオフ動作し始め、エミッタ−コレクタ間に流していた電流を徐々に流さなくなる。
【０１１５】
これによりトランジスタ１１は、ベース−エミッタ間に生じていた電圧が徐々に加えられなくなり、やがてオフ動作する。従ってトランジスタ１０のベース電圧は、分圧抵抗Ｒ４及びＲ５によって分圧されていたものが分圧抵抗Ｒ６及びＲ７を加えた分圧抵抗Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７によって分圧されるので急激に上昇し、これに伴ってトランジスタ１０及び１１のオフ動作が加速する。
【０１１６】
これによりトランジスタ１０は、エミッタ−コレクタ間に流していた電流を完全に遮断する。このときトランジスタ１２は、トランジスタ１１のオフ動作によって二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４から供給される電流がベースに与えられることによりオン動作し、これにより内電圧調整用ＩＣ１７の出力端１７ｂから供給される電流を抵抗Ｒ１３及び、電源トランスＴｒの１次側と２次側とを絶縁するフォトカプラＰＨのダイオードＤ７を順次介して出力端８のグランドに供給する。
【０１１７】
ここで、制御回路部６１では、抵抗値の小さい抵抗Ｒ１３を選定しており、これによりフォトカプラＰＨのダイオード１３に多くの電流を流し得るようになされている。
【０１１８】
これにより制御回路部６１は、フォトカプラＰＨのトランジスタ１３の動作状態と、トランジスタ２０との動作状態との相関関係が常時保ち得る（いわゆる、ばらつきを回避する）ようになされている。
【０１１９】
従ってフォトカプラＰＨ内ダイオードＤ７は充分に駆動され、当該フォトカプラＰＨ内のトランジスタ１３がオン動作すると、励磁回路部５１では、トランジスタ２０のコレクタ電圧を確実に低下させ、これに伴ってＦＥＴ５及び６のゲート電圧も低下させることにより、当該ＦＥＴ５及び６を確実にオフ動作する。
【０１２０】
従って励磁回路部５１は、ＡＣプラグ８１からの交流電流を電源トランスＴｒの１次巻線３に供給せず、これにより電源トランスＴｒを初期励磁動作を確実に停止させる。
【０１２１】
このとき制御回路部６１においては、リレー駆動用コンデンサＣ８、待機用電圧蓄積コンデンサＣ９及びＣ１０への充電によって生じた充電電圧をそれぞれ対応する出力端２２及び７を介して待機用電圧Ｖ１（図１４）として復号部７６に供給する。
【０１２２】
このように制御回路部６１では、内電圧調整用ＩＣ１７が動作した後、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４による充電電圧が第１の閾値を上回った場合には、トランジスタ１０のオフ動作及びトランジスタ１１のオフ動作に従った正帰還（以下、これを励磁動作停止用正帰還と呼ぶ）によってトランジスタ１２をオン動作することにより、励磁回路部５１のフォトカプラＰＨを駆動して電源トランスＴｒの励磁動作（初期励磁動作）を停止させる。
【０１２３】
ここで、制御回路部６１は、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４に充電された電荷が徐々に放電することにより二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の充電電圧が第２の閾値を下回ると、励磁動作開始用正帰還によってトランジスタ１２及びフォトカプラＰＨをオフ動作する。
【０１２４】
この場合励磁回路部５１では、フォトカプラＰＨ内のトランジスタ１３がオフ動作しているため、トランジスタ２０のコレクタ電圧が上昇し、これに伴ってＦＥＴ５及び６のゲート電圧も上昇することにより、当該ＦＥＴ５及び６がオン動作する。
【０１２５】
従って励磁回路部５１は、ＡＣプラグ８１からの交流電流を電源トランスＴｒの１次巻線３に供給し、これにより電源トランスＴｒを通常励磁動作させる。
【０１２６】
このとき制御回路部６１では、電源トランスＴｒの２次巻線４から供給された商用電圧を整流ダイオードＤ４によって整流し、当該整流された直流電流を二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４、リレー駆動用コンデンサＣ８、待機用電圧蓄積コンデンサＣ９及びＣ１０にそれぞれ充電する。
【０１２７】
かくして、制御回路部６１は、トランジスタ１０及びトランジスタ１１の励磁動作開始用正帰還又は励磁動作停止用正帰還に連動してオンーオフ動作するトランジスタ１２によって励磁回路部５１のフォトカプラＰＨを二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の充電電圧値に応じて間欠的に駆動制御することにより、リレー駆動用コンデンサＣ８、待機用電圧蓄積コンデンサＣ９及びＣ１０に充電することで生じる所定レベルの充電電圧を常時確保し、これを待機用電圧Ｖ１（図１４）及びリレーコイル駆動用直流電圧Ｖ３（図１４）として復号部７６に常時供給し得るようになされている。
【０１２８】
かかる制御回路部６１は、上述の第一の実施の形態に比して、リレー駆動用コンデンサＣ８、待機用電圧蓄積コンデンサＣ９及びＣ１０を設けたことにより復号部７６に多くの電圧を供給し得るようになされている。
【０１２９】
従って制御回路部６１は、消費電力の増加を最小限に抑え、かつ復号部７６によって消費される大きな電流を確保し得るようになされている。
【０１３０】
以上の構成において、制御回路部６１においては、内電圧調整用ＩＣ１７の内部負荷電流の上昇を回避するための負荷電流回避部５９を設けると共に、抵抗Ｒ１３を抵抗値の小さいものに選定した。
【０１３１】
従って制御回路部６１では、内電圧調整用ＩＣ１７の内部を流れる電流を低く抑えながら抵抗Ｒ１１１の電圧降下を利用して負荷電流回避部５９に負荷電流の一部を流すことにより、全体として大電流を流す。
【０１３２】
このように制御回路部６１は、負荷電流回避部５９を追加することにより、内電圧調整用ＩＣ１７の負担を増加させることなく全体として大電流を流すことを可能とし、これにより負荷電流回避部５９による電圧調整を確実に行わせることができる。
【０１３３】
従って制御回路部６１は、トランジスタ１０及び１１による励磁動作開始正帰還又は励磁動作停止正帰還を安定して行うことができ、これにより制御回路部６１によるフォトカプラＰＨの駆動又は駆動停止制御を安定して行うことができる。
【０１３４】
また制御回路部６１では、抵抗Ｒ１３を抵抗値の小さいものに選定していることによりフォトカプラＰＨの駆動させる際に供給する電流を多くしているため、当該フォトカプラＰＨが駆動している場合にはフォトカプラＰＨ内のトランジスタ１３単体の部品のばらつきに依存することなく、確実に励磁回路部５１のトランジスタ１３をオン動作させることができる。
【０１３５】
これにより励磁回路部５１では、確実にＦＥＴ５及び６をオン−オフ動作して電源トランスＴｒを励磁動作状態又は非励磁動作状態にさせることができる。
【０１３６】
以上の構成によれば、制御回路部６１においては、内電圧調整用ＩＣ１７内部における負荷電流の上昇を回避するための負荷電流回避部５９を設けると共に、抵抗Ｒ１３を抵抗値の小さいものに選定するようにしたことにより、確実にフォトカプラＰＨを間欠的に駆動制御して二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４、リレー駆動用コンデンサＣ８、待機用電圧蓄積コンデンサＣ９及びＣ１０に充電することで生じる所定レベルの充電電圧を常時確保することができ、動作信頼性を向上させることができる。
【０１３７】
（３）第三の実施の形態
図２との対応部分に同一符号を付して示す図１６において、待機動作状態であるテレビジョン装置１００の内部に有する待機電源部７０（励磁回路部５２及び制御回路部６２）の動作状況を詳細に説明する。
【０１３８】
励磁回路部５２は、商用電源８０（図１４）にＡＣプラグ８１が挿入されると、当該商用電源８０及びＡＣプラグ８１を順次介して供給される商用電圧を整流ダイオードＤ１及びＤ２によって半波整流して接続点１５側からスイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ１２に充電する。
【０１３９】
このとき励磁回路部５２は、コンデンサＣ１１及び抵抗Ｒ１９とで構成される微分回路によってスイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ１２への充電によって生じる充電電圧の変化分を逆流防止ダイオードＤ９及び抵抗Ｒ２５を順次介してＦＥＴ５及び６のゲートに供給して当該ＦＥＴ５及び６をオン動作する。
【０１４０】
これにより励磁回路部５２は、ＡＣプラグ８１を介して供給される交流電流を電源トランスＴｒの１次巻線３に供給して電源トランスＴｒを初期励磁動作させる。
【０１４１】
因みに、励磁回路部５２では、電源トランスＴｒが初期励磁動作して二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４容量分の電荷を蓄積する前にスイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ１２への充電によって生じる充電電圧の変化がなくなることがないように、微分回路（コンデンサＣ１１及び抵抗Ｒ１９）の時定数が選定されている。
【０１４２】
また逆流防止ダイオードＤ９は、通常励磁動作時、フォトカプラＰＨ内トランジスタ１３のオン動作によるエミッタ電圧の上昇によって微分回路（コンデンサＣ１１及び抵抗Ｒ１９）が負荷とならないように分離するためのものである。
【０１４３】
さらに励磁回路部５２では、コンデンサＣ１３及び抵抗Ｒ２５の時定数によってＦＥＴ５及び６を急激にオフ動作させた場合に生じるスパイク電圧を回避するようになされている。
【０１４４】
さらに励磁回路部５２では、電圧制限用ダイオードＤ１０によってＦＥＴ５及び６のゲート−ドレイン間の電圧が上昇し過ぎないようになされており、また抵抗Ｒ２によってスイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ１２の充電を制限すると共に、ＡＣプラグ８１に商用電圧が無くなった場合にはスイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ１２に充電された電荷を速やかに放電するようになされている。
【０１４５】
電源トランスＴｒは、励磁回路部５２によって初期励磁動作されると、１次巻線３に供給された商用電圧を２次巻線４を介して制御回路部６２に供給する。
【０１４６】
制御回路部６２は、電源トランスＴｒの２次巻線４から供給された商用電圧を整流ダイオードＤ４によって整流し、当該整流された直流電圧を二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４、リレー駆動用コンデンサＣ８及び待機用電圧蓄積コンデンサＣ９に充電する。
【０１４７】
このとき内電圧調整用ＩＣ１７は、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４への充電によって生じる充電電圧が所定値に達した際に動作し、これにより常時一定の電圧を出力端１７ｂから与えるようになされている。
【０１４８】
これにより内電圧調整用ＩＣ１７は、所定値の直流電圧を内電圧調整用ＩＣ１７の出力端１７ｂを介して待機用電圧蓄積コンデンサＣ１０にも充電する。
【０１４９】
この状態において、トランジスタ１０のベース電圧は、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４への充電によって生じる充電電圧を分圧抵抗Ｒ１５、Ｒ１６及びＲ１７によって分圧したものが加えられており、トランジスタ１０のエミッタ電圧は、電源トランスＴｒの初期励磁動作によって動作した内電圧調整用ＩＣ１７によって一定になされている。
【０１５０】
従ってトランジスタ１０は、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４に充電がされている始めのうちはエミッタ電圧よりもベース電圧の方が下回るのでオン動作する。
【０１５１】
この場合トランジスタ１１は、トランジスタ１０のコレクタ電流によりベース−エミッタ間に電圧が生じてオン動作する。このときトランジスタ１０のベース電圧は、分圧抵抗Ｒ１５、Ｒ１６及びＲ１７によって分圧されていたものが分圧抵抗Ｒ１５及びＲ１６のみによって分圧されるので急激に下降し、これに伴ってトランジスタ１０のオン動作が加速する。
【０１５２】
従ってトランジスタ１０は、コレクタより多くの電流をトランジスタ１１に供給し、これに伴ってトランジスタ１１も同様に、コレクタ−エミッタ間に多くの電流を出力端８を介してグランドに供給する。
【０１５３】
このように制御回路部６２では、トランジスタ１０のオン動作及びトランジスタ１１のオン動作に従った励磁動作開始用正帰還によって、互いのオン動作を持続する。
【０１５４】
このときトランジスタ１２は、ベースがトランジスタ１０のコレクタ側に接続されているため、トランジスタ１１と同様に、ベース−エミッタ間に電圧が生じるのでオン動作を持続する。
【０１５５】
従ってフォトカプラＰＨは、内電圧調整用ＩＣ１７の出力端１７ｂから抵抗Ｒ１３を介して電流が供給されて駆動される。
【０１５６】
ここで、トランジスタ１０は、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４に充電がされ続けたことによって生じる二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の充電電圧の上昇に応じてベース電圧が上昇しており、当該充電電圧が第１の閾値を上回るとオフ動作し始め、エミッタ−コレクタ間に流していた電流を徐々に流さなくなる。
【０１５７】
これによりトランジスタ１１は、ベース−エミッタ間に生じていた電圧が徐々に加えられなくなり、やがてオフ動作する。これによりトランジスタ１０のベース電圧は、分圧抵抗Ｒ１５及びＲ１６によって分圧されていたものが分圧抵抗Ｒ１７を加えた分圧抵抗Ｒ１５、Ｒ１６及びＲ１７によって分圧されるので急激に上昇し、これに伴ってトランジスタ１０のオフ動作が加速する。
【０１５８】
これによりトランジスタ１０は、ベース−エミッタ間に生じていた電圧が完全に供給されなくなるのでオフ動作し、これに伴ってトランジスタ１２も同様に、ベース−エミッタ間に生じていた電圧が完全に供給されなくなるのでオフ動作する。
【０１５９】
これによりフォトカプラＰＨは駆動停止し、当該フォトカプラＰＨ内のトランジスタ１３がオフ動作する。
【０１６０】
この場合励磁回路部５２は、フォトカプラＰＨ内のトランジスタ１３がオフ動作しているため、スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ１２への充電電圧をＦＥＴ５及び６のゲートに供給せず、これにより当該ＦＥＴ５及び６をオフ動作させる。
【０１６１】
従って励磁回路部５２は、プラグ８１からの商用電圧を電源トランスＴｒの１次巻線３に供給せず、これにより電源トランスＴｒの初期励磁動作を停止させる。
【０１６２】
このとき励磁回路部５２においては、ＦＥＴ５及び６に残された電荷と、コンデンサＣ１３に残された電荷とを抵抗Ｒ２５及びＲ２６によって放電するようになされている。
【０１６３】
この場合制御回路部６２においては、リレー駆動用コンデンサＣ８、待機用電圧蓄積コンデンサＣ９及びＣ１０への充電によって生じる充電電圧が出力端７及び２２を介して待機用電圧Ｖ１（図１４）として復号部７６に供給される。
【０１６４】
このように制御回路部６２では、内電圧調整用ＩＣ１７が動作した後、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４電圧が第１の閾値を上回った場合には、励磁動作停止用正帰還によってトランジスタ１２をオフ動作することにより、励磁回路部５２のフォトカプラＰＨを駆動停止させて電源トランスＴｒの励磁動作（初期励磁動作）を停止させる。
【０１６５】
ここで、制御回路部６２において、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４に充電された電荷が放電されることにより二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４電圧が第２の閾値を下回るまでの放電時間においては、充分長い時間（例えば 3200 秒程度）となるように、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４、分圧抵抗Ｒ１５、Ｒ１６及びＲ１７の時定数が選定されている。
【０１６６】
このとき制御回路部６２においては、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４、リレー駆動用コンデンサＣ８、待機用電圧蓄積コンデンサＣ９及びＣ１０のリーク電流無視すれば、当該二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４に充電した電荷を内電圧調整用ＩＣ１７、分圧抵抗Ｒ１４、Ｒ１５及びＲ１７のみに流すため、負荷電流が無い際には当該内電圧調整用ＩＣ１７、分圧抵抗Ｒ１４、Ｒ１５及びＲ１７のみに流す電流が当該制御回路部６２の全電流となる。
【０１６７】
また、制御回路部６２は、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４に充電された電荷が徐々に放電することにより二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の充電電圧が第２の閾値を下回ると、励磁動作復帰用正帰還によってトランジスタ１２をオン動作することにより、励磁回路部５２のフォトカプラＰＨを駆動する。
【０１６８】
この場合励磁回路部５２では、フォトカプラＰＨ内のトランジスタ１３がオン動作するため、スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ１２の充電電圧をＦＥＴ５及び６のゲートに供給し、これにより当該ＦＥＴ５及び６をオン動作させる。
【０１６９】
従って励磁回路部５２は、ＡＣプラグ８１からの商用電圧を電源トランスＴｒの１次巻線３に供給し、これにより電源トランスＴｒを通常励磁動作させる。
【０１７０】
このとき制御回路部６２では、電源トランスＴｒの２次巻線４から供給された商用電圧を整流ダイオードＤ４によって整流し、当該整流された直流電圧を二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４、リレー駆動用コンデンサＣ８、待機用電圧蓄積コンデンサＣ９及びＣ１０にそれぞれ充電する。
【０１７１】
かくして、制御回路部６２は、電圧検出部４８のトランジスタ１０及びトランジスタ１１の励磁動作開始用正帰還又は励磁動作停止用正帰還に連動してオンーオフ動作するトランジスタ１２によって励磁回路部５２のフォトカプラＰＨを二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の充電電圧値に応じて間欠的に駆動制御することにより、リレー駆動用コンデンサＣ８、待機用電圧蓄積コンデンサＣ９及びＣ１０に充電することで生じる所定レベルの充電電圧を常時確保し、これを待機用電圧Ｖ１として復号部７６に常時供給し得るようになされている。
【０１７２】
次に、かかる励磁回路部５２及び制御回路部６２でなる待機電源部７０（図１６）の消費電力と、上述の第２の実施の形態による励磁回路部５１及び制御回路部６１でなる待機電源部７０（図１５）の消費電力とにおける計算上の比較結果から当該各待機電源部７０の消費電力の差を検証する。
【０１７３】
まず、制御回路部６１及び６２の出力端７及び２２からの出力を０と仮定すると共に、励磁回路部５２及び制御回路部６２と、励磁回路部５１及び制御回路部６１との各素子において、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の容量を 4700 [ μF]、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の容量に内電圧調整用ＩＣ１７の第１の閾値電圧値（上限電圧値）を 7.63 [V] 、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の容量に内電圧調整用ＩＣ１７の第２の閾値電圧値（下限電圧値）を 6.10 [V] 、内電圧調整用ＩＣ１７の内部消費電流を 1.2[ μA]、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の充電効率を 50 [%] 、コンデンサＣ１及びＣ２の容量を 470 [pF] 、抵抗Ｒ１値を 100 [k Ω] 、放電用抵抗Ｒ２値を 4.7 [M Ω] 、電圧制限用ダイオードＤ３値を 15 [V] と仮定する。
【０１７４】
次いで、励磁回路部５２及び制御回路部６２において、電源トランスＴｒの励磁動作停止時にフォトカプラＰＨに流れる電流を 0 [μA]、電源トランスＴｒの励磁動作停止時に電圧検出部４８に流れる電流を 1[ μA]、電源トランスＴｒの励磁動作時にフォトカプラＰＨに流れる電流を 123 [μA]、電源トランスＴｒの励磁動作時に電圧検出部４８に流れる電流を 6[ μA]、電源トランスＴｒの励磁動作時間を 0.05 [s] と仮定すると共に、励磁回路部５１及び制御回路部６１において、電源トランスＴｒの励磁動作停止時にフォトカプラＰＨに流れる電流を 123 [μA]、電源トランスＴｒの励磁動作停止時に電圧検出部４８に流れる電流を 6[ μA]、電源トランスＴｒの励磁動作時にフォトカプラＰＨに流れる電流を 0 [μA]、電源トランスＴｒの励磁動作停止時に電圧検出部４８に流れる電流を 14[μA]、電源トランスＴｒの励磁動作時間を 0.05 [s] と仮定する。
【０１７５】
上述のように仮定した場合における電源トランスＴｒの励磁動作停止時間（Ｔ：時間）を計算すると、ＣＶ＝ＩＴ（Ｃ：コンデンサ容量、Ｖ：電圧差、Ｉ：電流、Ｔ：時間）により、図１５の待機電源部７０（励磁回路部５１及び制御回路部６１）では 55.3 [s] 、図１６の待機電源部７０（励磁回路部５２及び制御回路部６２）では 3268 [s] となる。
【０１７６】
この場合、励磁回路部５２がＦＥＴ５及び６をオン動作させる消費電力においては、抵抗Ｒ１の消費電力（およそ 0.004 [mW] ）と、コンデンサＣ１及びＣ２の消費電力（およそ 0.006 [mW] ）と、電圧制限用ダイオードＤ３及び充放電用抵抗Ｒ２の消費電力（およそ 0.045 [mW] ）との合計であり、およそ 0.055 [mW] である。
【０１７７】
また、制御回路部６２による二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４への充電消費電力（充放電１周期の二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の充電消費電力）においては、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の容量に内電圧調整用ＩＣ１７の第１の閾値電圧値（上限電圧値）である 7.63 [V] の電圧が生じている際の二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４エネルギー（すなわち、ＣＶ２／２＝ 136.8 [mJ] ）と、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の容量に内電圧調整用ＩＣ１７の第２の閾値電圧値（下限電圧値）である 6.10 [V] の電圧が生じている際の二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４エネルギー（すなわち、ＣＶ２／２＝ 87.4 [mJ]）との差が 49.4 [mJ]であり、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の充電効率が 50 [%] であるから 98.8 [mJ]（すなわち、49.4 [mJ] ×2 ）となり、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の電圧値が 7.63 [V] から 6.10 [V] になるまでの時間（電源トランスＴｒの励磁動作停止時間）が 3268[秒] であることにより、0.030 [mW]（すなわち、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の充電エネルギー／電源トランスＴｒの励磁動作停止時間＝ 98.8 [mJ]／ 3268[秒] ）となる。
【０１７８】
これにより待機電源部７０における励磁回路部５２及び制御回路部６２の消費電力（すなわち商用電源８０からの消費電力）は、 0.085 [mW] （すなわち、 0.055 [mW] ＋0.030 [mW]）である。
【０１７９】
これに対して、励磁回路部５１がＦＥＴ５及び６をオン動作させる消費電力においては、励磁回路部５２と同様であるので 0.055 [mW] である。また、制御回路部６１による二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４への充電消費電力においては、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の充電に必要なエネルギーが制御回路部６２と同様に 98.8 [mJ]となり、電源トランスＴｒの励磁動作停止時間が 55.3 [s] であることにより、1.79 [mW] （すなわち、コンデンサＣ１２の充電エネルギー／電源トランスＴｒの励磁動作停止時間＝ 98.8 [mJ]／ 52[秒] ）となる。
【０１８０】
これにより待機電源部７０における励磁回路部５１及び制御回路部６１の消費電力（すなわち商用電源８０からの消費電力）は、 1.845 [mW] （すなわち、 0.055 [mW] ＋1.79 [mW] ）である。
【０１８１】
上述の計算上の比較結果によれば、励磁回路部５２及び制御回路部６２の消費電力においては、励磁回路部５１及び制御回路部６１の消費電力に比して、およそ１／２０になる。このように制御回路部６２は、上述の第２の実施の形態における制御回路部６１に比して、電源トランスＴｒの励磁動作停止時間を大幅に長く（ 55.3 [s] から 3268[s]へ）し、当該励磁動作停止時間における制御回路部６２（内電圧調整用ＩＣ１７）からフォトカプラＰＨへの負荷電流を無くした（ 123 [μA]から 0 [μA]へ）ことにより、一段と消費電力を低減することができる。
【０１８２】
また、励磁回路部５２及び制御回路部６２の消費電力は、当該待機電源部７０が１年間動作した場合でもわずか 0.74 [Wh]程度である。従って、励磁回路部５２及び制御回路部６２で構成された待機電源部７０を有するテレビジョン装置１００を使用するユーザは、当該テレビジョン装置１００を使用するために消費する電気料金を低減することができる。
【０１８３】
因みに、上述の計算値は図１５及び図１６の各待機電源部７０の制御回路部６１（図１５）及び６２（図１６）の出力端７及び２２からの出力を０と仮定したものであるため、実際にはそのとき動作する回路の消費電力が加算されることになる。しなしながら上述の励磁回路部５２及び制御回路部６２と、励磁回路部５１及び制御回路部６１とにおいて加算される量は等しく、差としては上述の計算通りとなる。
【０１８４】
次に、励磁回路部５２及び制御回路部６２と、上述の第２の実施の形態による励磁回路部５１及び制御回路部６１と、電源トランスＴｒが常時励磁動作状態である回路との各回路特性の実測例を図１７に示す。
【０１８５】
図１７は、制御回路部６２及び制御回路部６１の出力端７から出力される電流に各値の負荷電流を加えた際の商用電源８０側からみた各待機電源部７０（図１５及び図１６）における消費電力と、電源トランスＴｒが常時励磁動作状態である回路に各値の負荷電流を加えた際の商用電源８０側からみた消費電力とを調べ、その比較結果を縦軸に商用電源８０側からみた消費電力[mW]、横軸に負荷電流[μA]としてグラフ化したものである。
【０１８６】
図１７からも明らかなように、励磁回路部５２及び制御回路部６２と、上述の第２の実施の形態による励磁回路部５１及び制御回路部６１とは、低負荷電流であるほど低消費電力となる。
【０１８７】
従って励磁回路部５２及び制御回路部６２と、上述の第２の実施の形態による励磁回路部５１及び制御回路部６１とは、低負荷電流であるほど消費電力を一段と低減するものと判断できる。
【０１８８】
また、励磁回路部５２及び制御回路部６２と、上述の第２の実施の形態による励磁回路部５１及び制御回路部６１と、電源トランスＴｒが常時励磁動作状態である回路との電源効率の実測による計算を図１８に示す。
【０１８９】
図１８は、制御回路部６２及び制御回路部６１の出力端７から出力される電流に各値の負荷電流を加えた際の各待機電源部７０（図１５及び図１６）における電源効率と、電源トランスＴｒが常時励磁動作状態である回路に各値の負荷電流を加えた際の電源効率とを調べ、その比較結果を縦軸に電源効率[%]、横軸に負荷電流[μA]としてグラフ化したものである。
【０１９０】
図１８からも明らかなように、励磁回路部５２及び制御回路部６２と、上述の第２の実施の形態による励磁回路部５１及び制御回路部６１とは、低負荷電流の際にも電源効率の低下が少ない。
【０１９１】
従って励磁回路部５２及び制御回路部６２と、上述の第２の実施の形態による励磁回路部５１及び制御回路部６１とは、低負荷電流であるほど電源トランスＴｒが常時動作状態である回路に比して電源効率の差が一段と向上するものと判断できる。
【０１９２】
因みに、励磁回路部５２及び制御回路部６２は、従来の間欠動作させて電源効率を向上させる各種電源装置に比して、低負荷電流であるほど電源効率の高さが顕著になる。
【０１９３】
かくして、励磁回路部５２及び制御回路部６２と、上述の第２の実施の形態による励磁回路部５１及び制御回路部６１とは、テレビジョン装置１００にて効率良く省エネルギー化を計ることができる。
【０１９４】
以上の構成において、制御回路部６２は、トランジスタ１０のコレクタの接続端にトランジスタ１２のベースを接続し、励磁動作停止用正帰還に連動して当該トランジスタ１２をオフ動作してフォトカプラＰＨを駆動停止させた場合、励磁回路部５２は、ＦＥＴ５及び６をオフ動作して電源トランスＴｒの励磁動作を停止するようにした。
【０１９５】
従って制御回路部６２では、電源トランスＴｒの励磁動作を停止している際にはトランジスタ１２がオフ動作のため、フォトカプラＰＨへの負荷電流を遮断する。
【０１９６】
この場合制御回路部６２は、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４に充電した電流を放電する経路としては定電圧回路としての内電圧調整用ＩＣ１７、Ｒ１５、Ｒ１６及びＲ１７のみである。
【０１９７】
さらに制御回路部６２は、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４と分圧抵抗Ｒ１４、Ｒ１５及びＲ１７とにおける放電時定数を大きく選定しているため、電源トランスＴｒの励磁動作を停止している際には少ない負荷電流で動作することができる。
【０１９８】
これに対して、制御回路部６２は、電源トランスＴｒが励磁動作している場合にはフォトカプラＰＨに負荷電流を流しているが、商用電源８０から直接供給される商用電圧に基づいて整流した直流電圧を二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４に充電するので短時間で行うことができ、これにより直ちに励磁動作を停止することができる。
【０１９９】
このように制御回路部６２は、電源トランスＴｒの励磁動作を停止している際の時間を長く設定し、このとき二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４からの放電電流を特定の経路（内電圧調整用ＩＣ１７、Ｒ１５、Ｒ１６及びＲ１７の経路）のみにしたことにより、一段と効率良く省エネルギー化を計ることができる。
【０２００】
このような制御回路部６２は、計算上の検証及び実測上の各グラフ（図１７及び図１８）からも明らかなように、上述の第２の実施の形態に比して、一段と効率良く省エネルギー化を計ることができる。
【０２０１】
以上の構成によれば、制御回路部６２は、励磁回路部５２による電源トランスＴｒの励磁動作を停止させている時間を長くすると共に、当該励磁動作を停止させている場合にはフォトカプラＰＨに供給する電流を遮断するようにしたことにより、待機電源部７０全体、あるいはテレビジョン装置１００全体として一段と効率良く省エネルギー化を計ることができる。
【０２０２】
なお上述の第三の実施の形態においては、直流電圧発生回路としてのコンデンサＣ１、コンデンサＣ２、抵抗Ｒ１、抵抗Ｒ２、整流ダイオードＤ１、整流ダイオードＤ２、電圧制限用ダイオードＤ３、スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ１２、コンデンサＣ１１、抵抗Ｒ１９、逆流防止ダイオードＤ９のうち、当該コンデンサＣ１１及び抵抗Ｒ１９（微分回路）と、コンデンサＣ１１に対して直列に接続された逆流防止ダイオードＤ９とによって商用電源８０の供給開始時に直流電圧をＦＥＴ５及び６に供給する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、図１６との対応部分に同一符号を付して示す図１９において、抵抗Ｒ１９に代えてダイオードＤ１１を用いるようにしても良い。
【０２０３】
この場合、励磁回路部５２では、商用電源８０オフ時に残っている電荷を放電する放電時定数が小さくなるので、当該電荷を速やかに放電することができる。
【０２０４】
また上述の第三の実施の形態においては、直流電圧発生回路としてのコンデンサＣ１、コンデンサＣ２、抵抗Ｒ１、抵抗Ｒ２、整流ダイオードＤ１、整流ダイオードＤ２、電圧制限用ダイオードＤ３、スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ１２、コンデンサＣ１１、抵抗Ｒ１９、逆流防止ダイオードＤ９のうち、当該コンデンサＣ１１及び抵抗Ｒ１９（微分回路）と、コンデンサＣ１１に対して直列に接続された逆流防止ダイオードＤ９とによって商用電源８０の供給開始時に直流電圧をＦＥＴ５及び６に供給する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、図１６との対応部分に同一符号を付して示す図２０において、コンデンサＣ１１、抵抗Ｒ１９及び逆流防止ダイオードＤ９に代えて、押下されているときのみＦＥＴ５及び６をオン動作するモメンタリースイッチ４７を用いるようにしても良い。
【０２０５】
この場合、励磁回路部５２の回路素子を少なくすることができ、当該励磁回路部５２を簡易化することができる。
【０２０６】
さらに上述の第三の実施の形態においては、励磁回路部５２が商用電源８０からの供給開始時のみＦＥＴ５及び６をオン動作して電源トランスＴｒを初期励磁動作させる場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば停電等で制御回路部６２が動作停止した際にもＦＥＴ５及び６をオン動作して電源トランスＴｒを初期励磁動作させるようにしても良い。
【０２０７】
この場合、図１６との対応部分に同一符号を付して示す図２１ように、待機電源部７０においては、制御回路部６３によるフォトカプラＰＨへの駆動又は駆動停止の制御とは別に、当該フォトカプラＰＨへの駆動又は駆動停止の制御をパルス発振部４９でも行う。
【０２０８】
励磁回路部５３では、パルス発振部４９によるフォトカプラＰＨへの駆動又は駆動停止の制御に応じてＦＥＴ５及び６をオン動作することなく、例えば停電等で制御回路部６２が動作停止することによりパルス発振部４９によるフォトカプラＰＨへの駆動又は駆動停止の制御がなくなった際にＦＥＴ５及び６をオン動作して電源トランスＴｒを初期励磁動作させる。
【０２０９】
このパルス発振部４９は、図２２に示すように、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ３０の充放電を利用した回路であり、トランジスタ１０３のオン動作及びＦＥＴ１０４のオフ動作に従った正帰還によってトランジスタ１０５がオン動作したとき、入力端１０１を介して内電圧調整用ＩＣ１７から供給された電流を抵抗Ｒ３５を介して電圧変化検出用コンデンサＣ３０に充電すると共に、出力端１０２を介してトランジスタ１２のベース（図２１）に供給する。
【０２１０】
すなわち電圧変化検出用コンデンサＣ３０の充電電圧が上昇すると、ＦＥＴ１０４のゲート電圧も上昇し、当該ＦＥＴ１０４がオン動作し始める。ＦＥＴ１０４がオン動作し始めると、トランジスタ１０３との正帰還動作によりＦＥＴ１０４、トランジスタ１０３及び１０５は一瞬にしてオン−オフ動作が反転し、電圧変化検出用コンデンサＣ３０の充電が止まり、このとき電圧変化検出用コンデンサＣ３０に蓄積された電荷は抵抗Ｒ３６によって放電される。
【０２１１】
この場合パルス発振部４９の出力端１０２からの波形は電圧変化検出用コンデンサＣ３０と、抵抗Ｒ３５との時定数で出力Ｈｉの時間、電圧変化検出用コンデンサＣ３０と、抵抗Ｒ３６との時定数で出力Ｌｏの時間が決定するようになされている。
【０２１２】
このパルス発振部４９においては、1.4 〔μA 〕程度の低電力で動作するようになされており、放電時定数を大きく、充電時定数を小さく選定されているため、１秒に１回１[msec]程度のパルスとして入力端１０１を介して内電圧調整用ＩＣ１７から供給された電流をトランジスタ１２のベースに供給し得るようになされている。
【０２１３】
実際上、励磁回路部５３は、ＡＣプラグ８１が商用電源８０に挿入されると、当該商用電源８０及びＡＣプラグ８１を順次介して供給される商用電圧を整流ダイオードＤ１及びＤ２によって半波整流して接続点１５側からスイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ１２に充電し、その充電電圧を抵抗Ｒ４０を介して従スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ２３に与え、これによりＦＥＴ１１０のゲート電圧を上昇させる。
【０２１４】
ここで励磁回路部５３は、従スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ２３が所定の閾値を上回ると、ＦＥＴ１１０がオン動作し、これによりＦＥＴ５及び６のゲートに電圧が加わってオン動作し、これに伴って電源トランスＴｒを初期励磁動作させる。
【０２１５】
一方、励磁回路部５３は、フォトカプラＰＨが駆動されてトランジスタ１３がオン動作している場合には、電圧蓄積用コンデンサＣ１２への充電によって生じる充電電圧がＦＥＴ１１１のゲートに加わるため、当該ＦＥＴ１１１をオン動作させて従スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ２３に充電された電荷を放電する。
【０２１６】
このとき励磁回路部５３は、従スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ２３が所定の閾値を下回ると、これに伴ってＦＥＴ１１０のゲート電圧も下がるため当該ＦＥＴ１１０をオフ動作する。これにより励磁回路部５３では、ＦＥＴ１１０のソースによってＦＥＴ５及び６のゲートに電圧を供給しなくなるが、フォトカプラＰＨ内のトランジスタ１３がオン動作しているので、トランジスタ１３のエミッタよりダイオードＤ４０及び抵抗Ｒ４１を順次通してＦＥＴ５及び６のゲートに電圧が供給され、ＦＥＴ５及び６はオン動作を持続する。
【０２１７】
これに対して、制御回路部６３では、二次側電圧蓄積用コンデンサＣ４の電圧が所定の電圧を越えると、電圧検出部４８がトランジスタ１２をオフ動作させるのでフォトカプラＰＨ内のダイオードＤ７へ電流が流れなくなってフォトカプラＰＨ内のトランジスタ１３がオフ動作となる。その結果、励磁回路部５３では、ＦＥＴ５及び６のゲート電圧も無くなってオフ動作し、電源トランスＴｒの初期励磁動作を停止させる。
【０２１８】
ここで、制御回路部６３が通常励磁動作状態となっている際には、パルス発振部４９は、定期的にフォトカプラＰＨの駆動又は駆動停止を制御するため、これに応じてトランジスタ１３もオン−オフ動作を定期的に繰り返す。
【０２１９】
従って励磁回路部５３では、トランジスタ１３もオン−オフ動作に伴ってＦＥＴ１１１のオン−オフ動作を繰り返すので、従スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ２３の端子電圧を常時低く保つようになされている。
【０２２０】
これに加えて励磁回路部５３では、トランジスタ１３のオン−オフ動作によって生じるパルス状電圧を抵抗Ｒ４１、コンデンサＣ２４及びＦＥＴ５及び６のゲート容量によって積分するので、ＦＥＴ５及び６のオン−オフ動作への影響を回避するようになされている。
【０２２１】
因みに励磁回路部５３は、逆流防止ダイオードＤ４０によって従スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ２３に充電されて生じた充電電圧がＦＥＴ１１０を通してＦＥＴ１１１のゲート電圧として加わることを回避するようになされている。
【０２２２】
このようにすれば、励磁回路部５３では、パルス発振部４９によるフォトカプラＰＨへの駆動又は駆動停止の制御がなくなった場合には従スイッチング電圧蓄積用コンデンサＣ２３の電圧が低く保たれず、これによりＦＥＴ１１０が強制的にオン動作するので、ＦＥＴ５及び６のゲートに電圧が加わってオン動作し、これに伴って電源トランスＴｒを再び初期励磁動作させる。
【０２２３】
従って励磁回路部５３では、制御回路部６３が動作しなくなった場合でも自動的に復帰させることができ、かくして、待機電源部７０の動作信頼性を向上させることができる。
【０２２４】
（４）他の実施の形態
上述の実施の形態においては、電気機器としてのテレビジョン装置１００内に電源装置としての待機電源部７０を設ける場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えばＣＡＴＶ(Cable TeleVision)及び又はインターネットを接続するための受信装置（セットトップボックス）やビデオテープレコーダ等のリモートコントローラを用いた遠隔操作又はサブスイッチによる入力動作を有する電気機器、あるいは電話機やパーソナルコンピュータ等のサブスイッチ以外の待機機能を有する電気機器、さらにはＡＣアダプタにより駆動電力を得る電気機器など、要は電気的なスイッチ回路を有する他の種々の電気機器に本発明による電源装置を幅広く適用することができる。
【０２２５】
また上述の実施の形態においては、商用電圧を交流電源として適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば太陽電池等の自家発電による交流電圧等、他の種々の交流電圧を交流電源として適用するようにしても良い。
【０２２６】
【発明の効果】
本発明によれば、トランスの２次側では電圧を監視しその電圧状態に応じて１次側と絶縁されるフォトカプラを間欠駆動する回路を設け、該トランスの１次側ではフォトカプラの間欠駆動に応動して交流電源ラインのスイッチング素子を開閉する回路を設けることで、効率よく省エネルギー化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】テレビジョン装置の全体構成を示すブロック図である。
【図２】第１の実施の形態による待機電源部の全体構成を示す回路図である。
【図３】各素子の電圧値又は電流値の関係を示すタイミングチャートである。
【図４】他の実施の形態による励磁回路部の構成を示す回路図である。
【図５】他の実施の形態による励磁回路部の構成を示す回路図である。
【図６】他の実施の形態による励磁回路部の構成を示す回路図である。
【図７】他の実施の形態による励磁回路部の構成を示す回路図である。
【図８】他の実施の形態による励磁回路部の構成を示す回路図である。
【図９】他の実施の形態による励磁回路部の構成を示す回路図である。
【図１０】他の実施の形態による待機電源部の構成を示す回路図である。
【図１１】ＯＳＣの構成を示す回路図である。
【図１２】ＯＳＣから出力されるパルス波を示す略線図である。
【図１３】他の実施の形態による制御回路部の構成を示す回路図である。
【図１４】テレビジョン装置の全体構成を示すブロック図である。
【図１５】第２の実施の形態による待機電源部の全体構成を示す回路図である。
【図１６】第３の実施の形態による待機電源部の全体構成を示す回路図である。
【図１７】回路特性を示す特性曲線図である。
【図１８】電源効率を示す特性曲線図である。
【図１９】他の実施の形態による励磁回路部の構成を示す回路図である。
【図２０】他の実施の形態による励磁回路部の構成を示す回路図である。
【図２１】他の実施の形態による待機電源部の構成を示す回路図である。
【図２２】パルス発振部の構成を示す回路図である。
【符号の説明】
５、６、２２、２４、１１０、１１１……電界効果トランジスタ、１７……内電圧調整用ＩＣ、Ｄ２３ａ、Ｄ２３ｂ、Ｄ２３ｃ、Ｄ２３ｄ、Ｄ２６ａ、Ｄ２６ｂ、Ｄ２６ｃ、Ｄ２６ｄ、Ｄ３２ａ、Ｄ３２ｂ、Ｄ３２ｃ、Ｄ３２ｄ……ブリッジダイオード、Ｄ１、Ｄ２、Ｄ５……整流ダイオード、Ｄ３、Ｄ１０……電圧制限用ダイオード、Ｄ9 ……逆流防止ダイオード、２５……サイリスタ、２８……トライアック、３１、３３、３４……ＩＧＢＴ、３５……オシレータ、４０……Ｃ−ＭＯＳ Ｌogic inverter 、４５……二次側電圧蓄積用コントロール回路、４８……電圧検出部、４９……パルス発振部、５０、５１、５２、５３、５４……励磁回路部、６０、６１、６２、６３、６４……制御回路部、７０……待機電源部、７５……受光部、７６……復号部、８０……商用電源、８１……ＡＣプラグ、１００……テレビジョン装置、ＰＨ……フォトカプラ、Ｔｒ……電源トランス、Ｃ１、Ｃ２……コンデンサ、Ｃ３、Ｃ１２……スイッチング電圧蓄積用コンデンサ、Ｃ４……二次側電圧蓄積用コンデンサ、Ｃ８……リレー駆動用コンデンサ、Ｃ９、Ｃ１０……待機用電圧蓄積コンデンサ、Ｃ４６……２次電池。
Claims (4)
- 交流電源ラインに接続されるトランスと、
上記トランスの一次側と二次側とを絶縁するフォトカプラと、
上記トランスの一次巻線と上記交流電源ラインとの間に設けられる電界効果トランジスタと、
上記トランスの二次側に設けられ、上記トランスの二次巻線を介して蓄積される電圧レベルが第１の閾値を越える場合には上記フォトカプラを駆動させ、第２の閾値を下回る場合には上記フォトカプラを停止させる２次側回路と、
上記トランスの一次側に設けられ、上記フォトカプラが駆動状態の場合には上記電界効果トランジスタを開状態とし、該フォトカプラが停止状態の場合には交流電源ライン間に接続されるコンデンサを通る電流から得られる電圧を上記電界効果トランジスタに与えて閉状態とする一次側回路と
を有する電源装置。 - 交流電源ラインに接続されるトランスと、
上記トランスの一次側と二次側とを絶縁するフォトカプラと、
上記トランスの一次巻線と上記交流電源ラインとの間に設けられるスイッチング素子と、
上記トランスの二次側に設けられ、上記トランスの二次巻線を介して蓄積される電圧レベルが第１の閾値を越える場合には上記フォトカプラを停止させ、第２の閾値を下回る場合には上記フォトカプラを駆動させる２次側回路と、
上記トランスの一次側に設けられ、上記フォトカプラが停止状態の場合には上記スイッチング素子を開状態とし、該フォトカプラが駆動状態の場合には上記スイッチング素子を閉状態とする一次側回路と
を有する電源装置。 - 上記一次側回路は微分回路を有し、該微分回路には、上記トランスの二次巻線を介して蓄積される電圧レベルが第１の閾値を越える前に、上記電流の充電により生じる電圧変化が上記スイッチング素子に非供給となることを防止するための時定数が設定される
請求項２に記載の電源装置。 - 上記スイッチング素子は、電界効果トランジスタであり、
上記一次回路は、
上記フォトカプラが停止状態の場合には交流電源ライン間に接続されるコンデンサを通る電流から得られる電圧を上記電界効果トランジスタに与えて閉状態とする
請求項２に記載の電源装置。
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