JP4611323B2 - 可変キャパシタ - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 620
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 146
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000012887 quadratic function Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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- H01G5/16—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture using variation of distance between electrodes
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G5/00—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture
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- H01G5/16—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture using variation of distance between electrodes
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Description
度が高いほど、静電容量変化率ΔFは大きくなる傾向にある。また、例えば、均等に配置
された誘電体アイランド14aからなる誘電体パターン14を有する上述の可変キャパシタX1において、駆動電圧を次第に増大させることによって、図5(b)を参照して上述した状態から図5(d)を参照して上述した状態(第2状態)へと変化させると、当該駆動電圧増大に伴って静電容量が二次関数的に増大する場合があるが、誘電体パターン14において可動電極13に接触するタイミングが遅い外側部ほど粗密の程度を例えば図8(c)に示すように小さくすると、当該駆動電圧増大に伴う静電容量増大は比較的緩やかとなり、一次関数的な増大に近似するようになる。駆動電圧の増大に伴う静電容量の増大が一次関数的である方が、二次関数的であるよりも、静電容量を可変制御しやすい。
前記第1対向面に対向する第2対向面を有し、且つ、前記キャパシタ電極の側に突き出るように湾曲している部位を有する、可動キャパシタ電極膜と、
前記第1対向面上または前記第2対向面上に設けられた誘電体パターンと、を備える可変キャパシタ。
(付記2)第1対向面を有するキャパシタ電極と、
前記第1対向面に対向する第2対向面を有する可動キャパシタ電極膜と、
前記キャパシタ電極に対して前記可動キャパシタ電極膜を部分的に固定するためのアンカー部と、
前記第1対向面上または前記第2対向面上に設けられた誘電体パターンと、を備える可変キャパシタ。
(付記3)前記誘電体パターン上に導体層を備える、付記1または2に記載の可変キャパシタ。
(付記4)前記誘電体パターンが設けられていない前記第1対向面または前記第2対向面の上に誘電体パターンを備える、付記1または2に記載の可変キャパシタ。
(付記5)前記誘電体パターンの形状および/または粗密の調整によって、C−V特性が調整されている、付記1から4のいずれか一つに記載の可変キャパシタ。
(付記6)前記誘電体パターンは、密な部分から粗な部分へと変化する部位を有する、付記5に記載の可変キャパシタ。
(付記7)前記誘電体パターンは、複数の誘電体アイランドからなる、付記1から6のいずれか一つに記載の可変キャパシタ。
(付記8)第1対向面を有するキャパシタ電極と、
前記第1対向面に対向する第2対向面を有し、且つ、前記キャパシタ電極の側に突き出るように湾曲している部位を有する、可動キャパシタ電極膜と、
前記第1対向面上または前記第2対向面上に設けられた誘電体膜と、
前記誘電体膜が設けられていない前記第1対向面または前記第2対向面の上に設けられた導体パターンと、を備える可変キャパシタ。
(付記9)第1対向面を有するキャパシタ電極と、
前記第1対向面に対向する第2対向面を有する可動キャパシタ電極膜と、
前記第1対向面上または前記第2対向面上に設けられた誘電体膜と、
前記キャパシタ電極に対して前記可動キャパシタ電極膜を部分的に固定するためのアンカー部と、
前記誘電体膜が設けられていない前記第1対向面または前記第2対向面の上に設けられた導体パターンと、を備える可変キャパシタ。
(付記10)第1対向面を有するキャパシタ電極と、
前記第1対向面に対向する第2対向面を有し、且つ、前記キャパシタ電極の側に突き出るように湾曲している部位を有する、可動キャパシタ電極膜と、
前記第1対向面上または前記第2対向面上に設けられた誘電体膜と、
前記誘電体膜上に設けられた導体パターンと、を備える可変キャパシタ。
(付記11)第1対向面を有するキャパシタ電極と、
前記第1対向面に対向する第2対向面を有する可動キャパシタ電極膜と、
前記キャパシタ電極に対して前記可動キャパシタ電極膜を部分的に固定するためのアンカー部と、
前記第1対向面上または前記第2対向面上に設けられた誘電体膜と、
前記誘電体膜上に設けられた導体パターンと、を備える可変キャパシタ。
(付記12)第1対向面を有するキャパシタ電極と、
前記第1対向面に対向する第2対向面を有し、且つ、前記キャパシタ電極の側に突き出るように湾曲している部位を有する、可動キャパシタ電極膜と、
前記第1対向面上または前記第2対向面上に設けられた誘電体膜と、
前記可動キャパシタ電極膜の側に露出しつつ前記誘電体膜に埋め込み形成された導体パターンと、を備える可変キャパシタ。
(付記13)第1対向面を有するキャパシタ電極と、
前記第1対向面に対向する第2対向面を有する可動キャパシタ電極膜と、
前記キャパシタ電極に対して前記可動キャパシタ電極膜を部分的に固定するためのアンカー部と、
前記第1対向面上または前記第2対向面上に設けられた誘電体膜と、
前記可動キャパシタ電極膜の側に露出しつつ前記誘電体膜に埋め込み形成された導体パターンと、を備える可変キャパシタ。
(付記14)前記導体パターンは、複数の開口部を有する導体膜である、付記12または13に記載の可変キャパシタ。
(付記15)前記誘電体膜における前記可動キャパシタ電極膜の側の面と、前記導体パターンにおける前記可動キャパシタ電極膜の側の面とは、面一である、付記12から14のいずれか一つに記載の可変キャパシタ。
(付記16)前記導体パターンにおける前記可動キャパシタ電極膜の側の面は、前記誘電体膜における前記可動キャパシタ電極膜の側の面よりも、前記キャパシタ電極の側に退避している、付記12から14のいずれか一つに記載の可変キャパシタ。
(付記17)前記誘電体膜における前記可動キャパシタ電極膜の側の面は、前記導体パターンにおける前記可動キャパシタ電極膜の側の面よりも、前記キャパシタ電極の側に退避している、付記12から14のいずれか一つに記載の可変キャパシタ。
(付記18)前記キャパシタ電極および前記可動キャパシタ電極膜の間を部分的に連結するアンカー部を備える、付記1,8,10,12のいずれか一つに記載の可変キャパシタ。
(付記19)前記キャパシタ電極は固定電極である、付記1から18のいずれか一つに記載の可変キャパシタ。
(付記20)前記固定電極の前記第1対向面は、前記可動キャパシタ電極膜の側に突き出るように湾曲している領域を有する、付記19に記載の可変キャパシタ。
(付記21)前記キャパシタ電極は可動キャパシタ電極膜である、付記1から18のいずれか一つに記載の可変キャパシタ。
(付記22)前記キャパシタ電極は、前記可動キャパシタ電極膜の側に突き出るように湾曲している部位を有する可動キャパシタ電極膜である、付記1から18のいずれか一つに記載の可変キャパシタ。
(付記23)第1対向面を有する可動キャパシタ電極膜と、
前記第1対向面に対向し且つ前記可動キャパシタ電極膜の側に突き出るように湾曲している領域を有する第2対向面、を有する固定キャパシタ電極と、
前記第1対向面上または前記第2対向面上に設けられた誘電体パターンと、を備える可変キャパシタ。
(付記24)第1対向面を有する可動キャパシタ電極膜と、
前記第1対向面に対向し且つ前記可動キャパシタ電極膜の側に突き出るように湾曲している領域を有する第2対向面、を有する固定キャパシタ電極と、
前記第1対向面上または前記第2対向面上に設けられた誘電体膜と、
前記誘電体膜が設けられていない前記第1対向面または前記第2対向面の上に設けられた導体パターンと、を備える可変キャパシタ。
(付記25)第1対向面を有する可動キャパシタ電極膜と、
前記第1対向面に対向し且つ前記可動キャパシタ電極膜の側に突き出るように湾曲している領域を有する第2対向面、を有する固定キャパシタ電極と、
前記第1対向面上または前記第2対向面上に設けられた誘電体膜と、
前記誘電体膜上に設けられた導体パターンと、を備える可変キャパシタ。
(付記26)第1対向面を有する可動キャパシタ電極膜と、
前記第1対向面に対向し且つ前記可動キャパシタ電極膜の側に突き出るように湾曲している領域を有する第2対向面、を有する固定キャパシタ電極と、
前記第1対向面上または前記第2対向面上に設けられた誘電体膜と、
前記可動キャパシタ電極膜の側に露出しつつ前記誘電体膜に埋め込み形成された導体パターンと、を備える可変キャパシタ。
11,31 基板
12 固定電極
13,32 可動電極
14 誘電体パターン
17 導体層
21,24 誘電体膜
22,23,25,26,27 導体パターン
28 丘陵部
34 アンカー部
Claims (6)
- 第1対向面を有するキャパシタ電極と、
前記第1対向面に対向する第2対向面を有し、且つ、前記キャパシタ電極の側に又は前記キャパシタ電極とは反対の側に突き出るように湾曲している部位を有する、可動キャパシタ電極膜と、
前記第1対向面上または前記第2対向面上に、当該第1または第2対向面の一部を露出させるように部分的に設けられた誘電体パターンと、
前記誘電体パターン上に設けられた導体層と、を備える可変キャパシタ。 - 第1対向面を有するキャパシタ電極と、
前記第1対向面に対向する第2対向面を有し、且つ、前記キャパシタ電極の側に又は前記キャパシタ電極とは反対の側に突き出るように湾曲している部位を有する、可動キャパシタ電極膜と、
前記第1対向面上または前記第2対向面上に設けられた誘電体膜と、
前記誘電体膜上に設けられた導体パターンと、を備える可変キャパシタ。 - 第1対向面を有するキャパシタ電極と、
前記第1対向面に対向する第2対向面を有し、且つ、前記キャパシタ電極の側に又は前記キャパシタ電極とは反対の側に突き出るように湾曲している部位を有する、可動キャパシタ電極膜と、
前記第1対向面上または前記第2対向面上に設けられた誘電体膜と、
前記可動キャパシタ電極膜の側に露出しつつ前記誘電体膜に埋め込み形成された導体パターンと、を備える可変キャパシタ。 - 前記キャパシタ電極は固定電極または可動キャパシタ電極膜である、請求項1から3のいずれか一つに記載の可変キャパシタ。
- 第1対向面を有する可動キャパシタ電極膜と、
前記第1対向面に対向し且つ前記可動キャパシタ電極膜の側に突き出るように湾曲している領域を有する第2対向面、を有する固定キャパシタ電極と、
前記第1対向面上または前記第2対向面上に設けられた誘電体膜と、
前記誘電体膜上に設けられた導体パターンと、を備える可変キャパシタ。 - 第1対向面を有する可動キャパシタ電極膜と、
前記第1対向面に対向し且つ前記可動キャパシタ電極膜の側に突き出るように湾曲している領域を有する第2対向面、を有する固定キャパシタ電極と、
前記第1対向面上または前記第2対向面上に設けられた誘電体膜と、
前記可動キャパシタ電極膜の側に露出しつつ前記誘電体膜に埋め込み形成された導体パターンと、を備える可変キャパシタ。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007015826A JP4611323B2 (ja) | 2007-01-26 | 2007-01-26 | 可変キャパシタ |
EP08100715.5A EP1950777B8 (en) | 2007-01-26 | 2008-01-21 | Variable capacitor |
US12/010,367 US7986507B2 (en) | 2007-01-26 | 2008-01-24 | Variable capacitor |
CN2008100089293A CN101231910B (zh) | 2007-01-26 | 2008-01-25 | 可变电容器 |
KR1020080007997A KR101008777B1 (ko) | 2007-01-26 | 2008-01-25 | 가변 캐패시터 |
KR1020100107523A KR101046533B1 (ko) | 2007-01-26 | 2010-11-01 | 가변 캐패시터 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007015826A JP4611323B2 (ja) | 2007-01-26 | 2007-01-26 | 可変キャパシタ |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009151775A Division JP5223793B2 (ja) | 2009-06-26 | 2009-06-26 | 可変キャパシタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008182134A JP2008182134A (ja) | 2008-08-07 |
JP4611323B2 true JP4611323B2 (ja) | 2011-01-12 |
Family
ID=39277321
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007015826A Expired - Fee Related JP4611323B2 (ja) | 2007-01-26 | 2007-01-26 | 可変キャパシタ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7986507B2 (ja) |
EP (1) | EP1950777B8 (ja) |
JP (1) | JP4611323B2 (ja) |
KR (2) | KR101008777B1 (ja) |
CN (1) | CN101231910B (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014161007A2 (en) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | Carver Scientific, Inc. | Energy storage device |
EP2206130B1 (en) | 2007-10-05 | 2018-05-09 | Carver Scientific, Inc. | High permittivity low leakage capacitor and energy storing device and method for forming the same |
US9011627B2 (en) | 2007-10-05 | 2015-04-21 | Carver Scientific, Inc. | Method of manufacturing high permittivity low leakage capacitor and energy storing device |
US8940850B2 (en) | 2012-08-30 | 2015-01-27 | Carver Scientific, Inc. | Energy storage device |
WO2010103474A1 (en) | 2009-03-11 | 2010-09-16 | Nxp B.V. | Mems electrostatic actuator |
FI20096034A (fi) * | 2009-10-08 | 2011-04-09 | Vti Technologies Oy | Menetelmä ja järjestelmä energian keräämiseksi |
WO2011058826A1 (ja) | 2009-11-11 | 2011-05-19 | 株式会社村田製作所 | 可変容量装置 |
JP5545410B2 (ja) * | 2011-03-16 | 2014-07-09 | 富士通株式会社 | 可変容量素子を有する電子機器とその製造方法 |
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- 2008-01-24 US US12/010,367 patent/US7986507B2/en active Active
- 2008-01-25 KR KR1020080007997A patent/KR101008777B1/ko active IP Right Grant
- 2008-01-25 CN CN2008100089293A patent/CN101231910B/zh active Active
-
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---|---|
EP1950777B8 (en) | 2017-08-16 |
KR101046533B1 (ko) | 2011-07-04 |
JP2008182134A (ja) | 2008-08-07 |
CN101231910A (zh) | 2008-07-30 |
KR20100129254A (ko) | 2010-12-08 |
EP1950777A1 (en) | 2008-07-30 |
KR101008777B1 (ko) | 2011-01-14 |
KR20080070586A (ko) | 2008-07-30 |
US7986507B2 (en) | 2011-07-26 |
US20080180876A1 (en) | 2008-07-31 |
CN101231910B (zh) | 2011-03-02 |
EP1950777B1 (en) | 2017-07-12 |
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Legal Events
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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