JP4611207B2 - プラズマディスプレイパネル - Google Patents
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Description
3電極面放電型PDPは、前面基板と背面基板とが間隔をあけて互いに平行に配され、前面基板の片面に複数の表示電極対(走査電極と維持電極)がストライプ状に形成され、更にこれらの電極群を覆うように誘電体膜および保護膜が積層され、一方、背面基板の片面に複数のデータ電極がストライプ状に形成され、更にデータ電極を覆うように誘電体膜が積層され、隣接するデータ電極の間の誘電体膜上に隔壁が形成され、更に誘電体膜の表面上及び隔壁の側壁上に蛍光体膜が塗布された構成となっている。そして、表示電極対とデータ電極とが立体交差する箇所に放電セルが形成され、各電極に電圧印加するのに伴って各放電セルで放電発光して画像表示するようになっている。
上記のような特長を有するPDPにおいて、消費電力を低減することや放電ばらつきを抑制することが、今後解決すべき課題として残っており、その課題解決のために、パネル構造、駆動方法、素材といった各方面から工夫がなされている。
ここで、針状結晶体が、前面基板の主表面に対して略垂直に林立し、針状結晶体どうしの間に、保護膜や誘電体膜の材料が積層して埋め尽くされていることが望ましい。また誘電体膜の材料と針状結晶体とで相分離構造物が形成されていることも望ましい。
針状結晶体として、グラファイト結晶体を用いることが好ましい。グラファイト結晶体としては、CNT、グラファイトナノファイバー(GNF)、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)が適している。
ここで、針状結晶体が、前面基板の主表面に対して略垂直に林立し、針状結晶体どうしの間に、保護膜や誘電体膜の材料が積層して埋め尽くされていれば、また誘電体膜の材料と針状結晶体とで相分離構造物が形成されていれば、効率的に電子を放出するので、放電開始電圧低減効果がすぐれたものとなる。
また、保護膜表面に凹凸をつけて表面積を拡大する必要がないので、保護膜を薄くする必要もない。従って、保護膜の形成むらをなくし、2次電子放出性能のばらつき発生も抑えることができる。
針状結晶体として、グラファイト結晶体を用いることが好ましい。
この場合、誘電体膜とグラファイト結晶体との間、あるいは電極とグラファイト結晶体との間に、Fe,CoおよびNiから選ばれた1種または複数種の金属からなる金属層を介在させれば、基板上の誘電体膜上あるいは電極表面上に金属層を形成し、その金属層上にグラファイト結晶体を堆積させる方法で、グラファイト結晶体を基板面に対して林立した状態で針状に成長させることが容易にできる。具体的には、エチレンを原料ガスとするプラズマCVD法を用いることによって、比較的低温で基板にほぼ垂直にグラファイト結晶体を成長させることができる。
グラファイト結晶体としては、CNT、グラファイトナノファイバー(GNF)、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)が適している。
針状結晶体として、テトラポッド形状の粒子を用いれば、誘電体膜状あるいは電極表面上に当該粒子を塗布する方法で、針状結晶体を基板面に対して林立した状態で配することが容易にできる。
前面基板上に配された電極に、表示電極対が含まれる場合、表示電極対の一方または両方の上に、針状結晶体を配設すれば、上記放電開始電圧低減効果がすぐれたものとなる。
前面基板上に配された電極に、表示電極対と、当該表示電極間に形成された電子放出電極とが含まれる場合、電子放出電極上に針状結晶体を配設しても放電開始電圧低減効果が得られる。
本発明において、保護膜は、MgO,CaO,SrOおよびBaOから選択された金属酸化物、あるいはこれら金属酸化物の化合物で形成することが好ましい。
〔実施の形態1〕
図1は、本発明の一実施形態にかかるPDPの構成を示す要部斜視図である。
このPDP100は、前面パネル10と背面パネル20とが貼り合わせられて構成されている。
一方、背面パネル20は、ガラス板からなる背面基板21の片面上に複数のデータ電極22がストライプ状に形成され、更にデータ電極22を覆うように第2誘電体膜23が積層され、この第2誘電体膜23上には、データ電極22どうしの間に隔壁24が形成され、更に誘電体膜23の表面上及び隔壁24の側壁上に蛍光体膜25が塗布されて構成されている。
このPDPは、駆動時において、点灯しようとする放電セルで、走査電極121とデータ電極22とに電圧を印加して書き込み放電を起こして壁電荷を貯め、その後、走査電極121と維持電極122とに交番で維持パルスを印加する。それによって、書き込み放電がなされた放電セルで選択的に維持放電が生じて発光し、画像表示されるようになっている。
誘電体膜13の材料としては、誘電体ガラスやSiO2が用いられる。
保護膜14の材料としては、MgO、CaO、SrO、BaO等の金属酸化物、あるいはこれら金属酸化物から選択された2種類以上の化合物(例えばMgOとCaOとの化合物)が用いられる。
図2,4(a),5は、本実施形態にかかる前面パネル10の構成を示す断面模式図である。
図2,図4(a),図5に示す前面パネル10は、細部において互いに異なる点はあるものの、いずれも、第1誘電体膜13の表面上に、針状結晶体15が林立した状態で配設されており、各針状結晶体15が保護膜14を厚み方向に貫いている。この針状結晶体15は、導電物質または半導体物質で形成されている。
いいかえると、針状結晶体15が第1誘電体膜13上に散在し、その間隙に保護膜14の材料で充填されており、針状結晶体15と保護膜14とが相分離構造を形成している。
なお、図2,4(a),5に示す例では、第1誘電体膜13の表面全体にわたって針状結晶体15が配設されているが、放電セルの中央部に相当する箇所だけに針状結晶体15を配設してもよい。
図2,図3に示すように、針状結晶体15と第1誘電体膜13との間には、触媒層16が介在しているが、この触媒層16は、製造時において針状グラファイト粒子を成長させるために設けた核となる物質であって、Ni、Fe、Co等の金属が用いられる。
(前面パネル10の製造方法)
まず、上記図2,4の前面パネル10を製造する方法について説明する。
第1誘電体膜13上に、スパッタ法または電子ビーム蒸着法により触媒層16の材料(Ni、Fe、Coなどの金属)を形成する。
パターニングする方法としては、触媒層16を形成しようとする領域だけを開口したマスクを使ってもパターニングする方法でもよいし、触媒層16の材料をベタで層状に形成した後、触媒層16を形成しようとする領域以外をパターンエッチングして除去する方法でもよい。
例えば、原料ガスとしてエチレンを用いたプラズマCVDで、基板温度約400℃でグラファイト粒子を成長させたところ、触媒層16上に太さφが200nmのCNTが束状になって成長し、束の太さは約1〜5μmであった。
従って、図2のように触媒層16がベタで形成されている場合でも、上述したように実際には島状に形成されているため、その触媒層16上においてCNTを適度に散在させることができる。
例えば、図4(b)のように触媒層16を点在させ、各触媒層16のサイズをφ3μmにした場合、各触媒層16上にφ200nmのCNTが30〜60本の束状になって成長した。
この工程で、保護膜14の材料は、第1誘電体膜13上で、針状結晶体15どうしの間隙に浸透した形態で堆積される。
次に、上記図5の前面パネル10を製造する方法について説明する。
前面基板11上に走査電極121と維持電極122を形成した後、第1誘電体膜13を形成し、その上に触媒層16をベタで形成し、その上にMgOを堆積させて保護膜下層141をベタで形成する。
次に、真空プロセスで、触媒層16の上にグラファイト粒子を針状に成長させる。このときグラファイト粒子は、保護膜下層141の表面上にはほとんど成長せず、ブラインドホールの底面にある触媒層16上だけに選択的に成長し、グラファイト粒子の針状結晶が前面基板11に対して垂直に成長する。
(本実施形態にかかる前面パネル10による効果)
上記構成の前面パネル10によれば、保護膜14は、従来からの保護膜と同様に、放電によって発生した高エネルギーのイオンから、第1誘電体膜13、表示電極121、122を保護する働きをなすとともに、放電空間30内に2次電子を効率よく放出して放電電圧を下げ、放電ばらつきを少なくする働きをする。
図3は、上記前面パネル10を備えたPDPにおいて、維持放電時の放電パターン(放電電流のパターン)を示す図である。
特に、針状結晶体15が、CNTやDLCのようなグラファイト粒子の場合は、高い電子放出係数が得られる。
よって、保護膜14の厚みを確保して保護膜14の形成むらをなくすことにより、2次電子放出性能のばらつきも抑えることができ、表示品質の均一化が可能になる。
また、各針状結晶体15は、そのまわりに存在する保護膜14によって機械的に支持されているので、機械的変化および温度変化に対して安定である。
なお、本実施形態では、上記のようにCNTをはじめとする針状結晶が厚み方向に伸びているので、2次電子の放出効率が十分得られるが、仮に、CNTが誘電体膜の表面に対して平行に配向した場合、あるいはCNTが無秩序に配向した場合、放電によって発生した1次電子は薄いCNT層を透過し、2次電子の放出効率が十分得られなかったり、放電開始電圧にばらつきが生じる。また、この場合、CNT膜が一般にポーラスとなり、補強材が無いので、CNT膜が機械的および温度変化に対して不安定である。
第1誘電体膜13の表面全体面積に対して針状結晶体15が形成されている領域が占める面積の割合(針状結晶体15の形成密度)について考察する。
針状結晶体15の形成密度はわずかでも放電開始電圧が低くなるが、形成密度が大きくなるほど放電開始電圧の低下も大きくなるので、本発明の効果を十分に得る上で、針状結晶体15の形成密度を30%以上とすることが好ましい。
また、針状結晶体15の形成密度が60%以上の範囲では、放電開始電圧に大きな差がないので、針状結晶体15の形成密度は60%以下とすることがより好ましい。
PDPの全体構成は、実施の形態1と同様である。
図6は、実施の形態2における前面パネル10の主要部の斜視図である。
この前面パネル10は、ガラス板からなる前面基板11の片面上に複数の表示電極対12がストライプ状に形成され、更にこれらの電極群を覆うように第1誘電体膜13および保護膜14が積層されて構成されている。そして、第1誘電体膜13の表面上に、テトラポッド形の針状結晶粒子40が配設されており、各針状結晶粒子40が保護膜14を貫いており、各針状結晶粒子40は、導電物質または半導体物質で形成されている。
また、第1誘電体膜13の表面上から見たときには、針状結晶粒子40は、第1誘電体膜13の表面上に分散するように配設されている。
針状結晶粒子40の具体例としては、テトラポッド形状のZnO粒子を用いることができる。
なお、針状結晶粒子40の刺の頂点は、保護膜14の表面から突出していてもよいし、保護膜14の表面から突出していなくてもよい。
すなわち、針状結晶粒子40の刺が、前面基板11の表面に対してほぼ垂直に林立しているので、保護膜14の2次電子放出係数が向上する。また、各針状結晶粒子40は、そのまわりに存在する保護膜14によって機械的に支持されているので、機械的変化および温度変化に対して安定である。
前面基板11上に走査電極121と維持電極122を形成した後、第1誘電体膜13を形成する。
テトラポッド形状の針状結晶粒子40をアルコール溶媒に分散させた塗料を準備し、これを第30%以上とすることが好ましく、90%以下とし、更に60%以下とすることが好ましい。
〔実施の形態3〕
PDPの全体構成は、実施の形態1と同様である。
図7(a),図8(a)は、前面パネル10の断面模式図であり、図7(b),(c)はこの前面パネル10の平面模式図である。また、図8(b)は、図8(a)の部分拡大図である。
図7(a),図8(a)に示すように、表示電極121,122の表面上には、針状結晶体15が林立した状態で配設されており、各針状結晶体15が第1誘電体膜13を貫いている。この針状結晶体15は、導電物質または半導体物質で形成されている。図7に示す前面パネル10では、保護膜14の表面から針状結晶体15の先端部が放電空間に露出しているのに対して、図8では、針状結晶体15の先端部が保護膜14の中にあって、放電空間に露出していない点が異なっているが、他は同様である。
いいかえると、針状結晶体15が表示電極121,122上に散在し、その間隙に誘電体膜13の材料及び保護膜14の材料で充填されており、針状結晶体15と、誘電体膜13、保護膜14とが、相分離構造を形成している。
また、図7(b),(c)に示す例では、表示電極121,122の表面全体にわたって針状結晶体15が配設されているが、放電セルの中央部に相当する箇所だけに針状結晶体15を配設してもよい。
図7,図8に示すように、針状結晶体15と表示電極121,122との間には、触媒層16が介在している。触媒層16は、実施の形態1で説明したとおり、製造時において針状グラファイト粒子を成長させるために設けた核となる物質であって、Ni、Fe、Co等の金属が用いられる。
上記構成の前面パネル10によれば、保護膜14は、従来からの保護膜と同様に、放電によって発生したイオンから、誘電体膜13、表示電極121、122を保護する働きをなすとともに、放電空間30内に2次電子を効率よく放出して放電電圧を下げる働きをする。
ここで、図7(a)のように針状結晶体15の先端が保護膜14表面から放電空間30に露出している場合は、針状結晶体15から直接的に放電空間30に電子が供給されるが、図8(b)に示すように針状結晶体15の先端が放電空間30に露出せず保護膜14内に埋もれている場合も、一般にMgOからなる保護膜14においては、当該保護膜14を構成するMgO結晶体14aは柱状であってそのMgO結晶体14aどうしの間に間隙14bが形成されているので、針状結晶体15の先端からこの間隙14bを通って放電空間30に電子が供給される。また、MgO結晶体の伝導帯に電子が注入されて上記の効果が生じる場合もある。
一方、誘電体膜13において、針状結晶体15が貫いている箇所以外の領域では、電極121,122と保護膜14との絶縁性が確保されるので、当該領域上では保護膜14表面の壁電荷保持性能が確保される。
図9は、維持放電時の放電パターン(放電電流のパターン)図であって、上記図3と同様に、維持放電時には、走査電極121上の針状結晶体15と、維持電極122上の針状結晶体15との間で、放電パターン35が円弧状に形成される。従って、放電によって発生した1次電子またはイオンは、保護膜14表面に垂直に近い角度で入射されるので、保護膜14の表面から2次電子が効率よく放出される。よって、高い2次電子放出係数が得られる。
特に、針状結晶体15が、CNTやDLCのようなグラファイト粒子の場合は、高い電界放出係数が得られる。
よって、保護膜14の厚みを確保して保護膜14の形成むらをなくすことにより、2次電子放出性能のばらつきも抑えることができ、表示品質の均一化が可能になる。
また、各針状結晶体15は、そのまわりに存在する誘電体膜13および保護膜14によって機械的に支持されているので、機械的変化および温度変化に対して安定である。
(表示電極121,122の表面上における針状結晶体15の形成密度)
表示電極121,122の表面全体面積に対する、針状結晶体15が形成されている面積の割合(針状結晶体15の形成密度)について考察する。
一方、針状結晶体15の形成密度をあまり大きくすると、保護膜14表面における壁電荷保持性能が低くなるので、針状結晶体15の形成密度は90%以下とすることが好ましい。
(本実施形態にかかる前面パネル10の製造方法)
前面基板11上に走査電極121と維持電極122を形成した後、走査電極121及び維持電極122上に、スパッタ法または電子ビーム蒸着法により触媒層16の材料(Ni、Fe、Coなどの金属)を上記図7(b)あるいは図7(c)のようにパターニングして、触媒層16を形成する。
ここで、基板の温度、析出速度、下地の状態などの析出条件を適当に設定すれば、電極121,122の表面上における触媒層16を形成する分布密度を調整することによって、針状結晶体15の形成密度も調製することができる。
誘電体膜13は、例えばSiO2をスパッタ法あるいはEB蒸着法で堆積させることによって形成することができる。あるいは、低融点ガラス材料を堆積させることによって形成してもよい。
この工程で、誘電体膜13の材料および保護膜14の材料は、表示電極121,122上で、針状結晶体15どうしの間隙に浸透した形態で堆積される。
従って、林立する針状結晶体15と、誘電体膜13の材料および保護膜14の材料とで、相分離構造が形成される。
PDPにおいて一般に放電ガス中のXe濃度が高いほど発光効率は上昇するが、放電開始電圧が高くなる。これに対して、表示電極上に針状結晶体と、誘電体膜および保護膜との相分離構造体を形成すると、Xe濃度が高くても、その放電開始電圧を低く抑えることができる。
例えば、電極上に針状結晶体を配設していない従来構造のPDPにおいて、5%Xe+95%Neを放電ガスとして用いた場合、放電開始電圧の測定値は180Vであったが、10%Xe+90%Neを放電ガスとして用いた場合、放電開始電圧の測定値は220Vであった。
(変形例)
上記のPDP100では、表示電極121,122の両方について、電極表面上に針状結晶体15を配設することしたが、表示電極121,122の内、一方の電極上だけに針状結晶体15を配設してもよく、これによってパネルの構造がより簡単になる。
このように、表示電極の片方に対してだけ針状結晶体15を配設して相分離構造を形成すれば、表示電極の両方に針状結晶体15を配設する場合と比べて、維持放電時における放電パターンには偏りが見られるものの、放電開始電圧に関しては、ほぼ同様の結果が得られた。
PDPの全体構成は、実施の形態1と同様である。
図11は、実施の形態4における前面パネル10の主要部の斜視図である。
この前面パネル10は、ガラス板からなる前面基板11の片面上に複数の表示電極対12がストライプ状に形成され、更にこれらの電極群を覆うように第1誘電体膜13および保護膜14が積層されて構成されている。そして、表示電極121,122の表面上に、テトラポッド形の針状結晶粒子40が配設されており、各針状結晶粒子40が誘電体膜13を貫いており、各針状結晶粒子40は、導電物質または半導体物質で形成されている。
また、表示電極121,122の表面上から見たときには、針状結晶粒子40は、表示電極121,122の表面上に分散するように配設されている。
針状結晶粒子40の具体例としては、実施の形態2で述べたテトラポッド形状のZnO粒子を用いることができる。
本実施形態の前面パネル10を用いることで、上記実施の形態3と同様の効果を奏する。
すなわち、表示電極121,122間に電圧が印加されるときに、針状結晶粒子40を介して放電空間30に電子が供給されるので、放電開始電圧が低下し、一方、誘電体膜13において、針状結晶粒子40が貫いている箇所以外の領域で、保護膜14表面の壁電荷保持性能が確保される。また、針状結晶粒子40の刺が、前面基板11の表面に対してほぼ垂直に林立しているので、2次電子放出係数が向上する。また、各針状結晶粒子40は、そのまわりに存在する誘電体膜13および保護膜14によって機械的に支持されているので、機械的変化および温度変化に対して安定である。
前面基板11上に走査電極121と維持電極122を形成する。
テトラポッド形状の針状結晶粒子40をアルコール溶媒に分散させた塗料を準備し、これを走査電極121と維持電極122上に塗布し、乾燥させて溶媒を除去する。この工程により針状結晶粒子40が走査電極121と維持電極122上に分散配置され、ファンデアワールス力または静電力により走査電極121と維持電極122上に付着する。
針状結晶粒子40を塗布したパネル面上に、走査電極121と維持電極122を覆うように第1誘電体膜13および保護膜14を順次形成する。
ここで、上記塗料中における針状結晶粒子40の含有量などを調整することによって、針状結晶粒子40が第1誘電体膜13上に分布する密度を調製することができる。
表示電極121,122の表面上における針状結晶粒子40の配置密度については、上記実施の形態3で説明したのと同様、30%以上、90%以下とすることが好ましく、60%以下とすることが更に好ましい。
〔実施の形態5〕
PDPの全体構成は、実施の形態1と同様である。
この前面パネル10は、上記実施の形態3と同様、前面基板11の片面上に複数の表示電極対(走査電極121と維持電極122)がストライプ状に形成され、更にこれらの電極群を覆うように第1誘電体膜13および保護膜14が積層されて構成されている。
すなわち、図12(a),(b)に示すように、電子放出電極123の表面上には、導電物質または半導体物質で形成された針状結晶体15が林立した状態で配設されており、各針状結晶体15が誘電体膜13を貫いて、針状結晶体15と、誘電体膜13および保護膜14とが、相分離構造を形成している。
なお、図12(b)に示す例では、電子放出電極123の表面上において、放電セルの中央部(図中点線で囲んだ領域A)に相当するだけに針状結晶体15が配設されているが、電子放出電極123の表面全体に配設してもよい。
PDP駆動時のおいて、維持期間には、表示電極121,122に交番で維持パルスを印加するが、電子放出電極123はグランド電位に保持するか、浮遊電位に保持する。
更に、透明電極121a,122aに突起部121c,122cが形成されていると、走査電極121および維持電極122にパルス電圧が印加されるときに電子放出電極123上での電界が大きくなる。
上記実施の形態3で説明したのと同様、本実施形態の前面パネル10を備えたPDPにおいても、Xeの濃度を高く設定することによって、放電開始電圧を低く抑えながら、高い発光効率が得られる。その結果、PDPの消費電力の大幅な低減が可能となる。
上記実施形態1〜5では、PDPの前面パネルにおいて、電極上に針状結晶粒子とその間隙を埋め込む金属酸化物からなる相分離構造物を備えているが、同様の構造を有する相分離構造体はFEDの電子放出源としても利用できる。
つまり、FEDの電子放出源においても、基板に対して針状結晶粒子を林立させて、その間隙に電子放出係数の大きな金属酸化物を埋め込めば、針状結晶粒子が機械的に補強される。従って、ゆらぎが抑えられるとともに高効率の電子放出源が得られる。
11 前面基板
12 表示電極対
13 誘電体膜
14 保護膜
15 針状結晶体
16 触媒層
20 背面パネル
21 背面基板
22 データ電極
23 誘電体膜
24 隔壁
25 蛍光体膜
30 放電空間
40 針状結晶粒子
100 PDP
121 走査電極
121 表示電極
122 維持電極
123 電子放出電極
141 保護膜下層
142 保護膜上層
Claims (15)
- 片側主面上に電極が配され当該電極を覆って誘電体膜及び保護膜が順に形成された前面基板と、背面基板とが、間隔をあけて対向配置されてなり、
前記電極に電圧を印加して両基板間で放電させることにより発光表示するプラズマディスプレイパネルにおいて、
グラファイトからなる針状結晶体が、
前記前面基板の主面に対して略垂直に林立した状態で、
前記保護膜をその厚み方向に貫くように配設され、
当該針状結晶体どうしの間に、前記保護膜の材料が積層して埋め尽くされ、
前記誘電体層と前記グラファイト結晶体との間に、
Fe,CoおよびNiから選ばれた1種または複数種の金属からなる金属層が介在されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 片側主面上に電極が配され当該電極を覆って誘電体膜及び保護膜が順に形成された前面基板と、背面基板とが、間隔をあけて対向配置されてなり、
前記電極に電圧を印加して両基板間で放電させることにより発光表示するプラズマディスプレイパネルにおいて、
導電物質または半導体物質からなるテトラポッド形状の針状結晶体が、
前記前面基板の主面に対して略垂直に林立した状態で、
前記保護膜をその厚み方向に貫くように配設され、
当該針状結晶体どうしの間に、前記保護膜の材料が積層して埋め尽くされていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 前記粒子がZnOからなることを特徴とする請求項2記載のプラズマディスプレイパネル。
- 片側主面上に電極が配され当該電極を覆って誘電体膜及び保護膜が順に形成された前面基板と、背面基板とが、間隔をあけて対向配置されてなり、
前記電極に電圧を印加して両基板間で放電させることにより発光表示するプラズマディスプレイパネルにおいて、
導電物質または半導体物質からなる針状結晶体が、
前記前面基板の主面に対して略垂直に林立した状態で、
前記誘電体膜をその厚み方向に貫くように配設され、
当該針状結晶体どうしの間に、前記誘電体膜の材料および前記保護膜の材料が積層して埋め尽くされていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 前記誘電体膜の材料と前記針状結晶体とによって相分離構造物が形成されていることを特徴とする請求項4記載のプラズマディスプレイパネル。
- 前記針状結晶体は、グラファイト結晶体であることを特徴とする請求項4記載のプラズマディスプレイパネル。
- 前記電極と前記グラファイト結晶体との間に、
Fe,CoおよびNiから選ばれた1種または複数種の金属からなる金属層が介在されていることを特徴とする請求項6記載のプラズマディスプレイパネル。 - 前記グラファイト結晶体が、
カーボンナノチューブ、グラファイトナノファイバーおよびダイヤモンドライクカーボンから選ばれた一種であることを特徴とする請求項6記載のプラズマディスプレイパネル。 - 前記針状結晶体は、
テトラポッド形状の粒子であることを特徴とする請求項4記載のプラズマディスプレイパネル。 - 前記粒子がZnOからなることを特徴とする請求項9記載のプラズマディスプレイパネル。
- 前記針状結晶体は、
その先端部が前記保護膜の表面から露出していることを特徴とする請求項4記載のプラズマディスプレイパネル。 - 前記針状結晶体は、
その先端部が前記保護膜に埋もれていることを特徴とする請求項4記載のプラズマディスプレイパネル。 - 前記電極には、表示電極対が含まれ、
当該表示電極対の一方または両方の上に、前記針状結晶体が配設されていることを特徴とする請求項4記載のプラズマディスプレイパネル。 - 前記電極には、表示電極対と、当該表示電極間に形成された電子放出電極とが含まれ、
当該電子放出電極上に前記針状結晶体が配設されていることを特徴とする請求項4記載のプラズマディスプレイパネル。 - 前記両基板間で放電させる維持放電時には、
前記表示電極に維持電圧を印加するとともに、前記電子放出電極をグランド電位または浮遊電位に保持することを特徴とする請求項14記載のプラズマディスプレイパネル。
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