JP4610447B2 - 半導体装置とその製造方法及び検査方法 - Google Patents
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Description
この加速度センサは、半導体製造技術を応用してシリコンウエハから一体形成したもので、図2(a)の表面パターン及び同図(b)の裏面パターンに示すように、中央部に形成された錘部1と、この錘部1の周囲を所定の間隔を開けて囲う四角形の枠部2を有し、この錘部1と枠部2の間を可撓性のある4本の梁部3で接続した構造となっている。梁部3の表面には、図示しないが、ピエゾ素子等の応力を検出するセンサと配線等の回路が形成されている。なお、枠部2の一辺の長さは2mm程度、高さは500μm程度である。また、梁部3の厚さは10μm程度となっている。
まず、通常のLSIと同様に、シリコンウエハの表面に複数のセンサや配線及び外部接続用の電極等が形成される。次に、梁部3を残し、錘部1と枠部2の間の間隙となる箇所のシリコンがエッチングによって除去される。このエッチングは、シリコンウエハの表面から行われ、その深さは梁部3の厚さにほぼ等しくなるように調整される。
即ち、錘部1と枠部2を接続する梁部3を残し、この梁部3以外の箇所のシリコンを除去して錘部1と枠部2を分離するために、表面側からと裏面側からのエッチングを行う必要がある。従って、エッチングの終了後、表側と裏側のパターンの位置ずれが許容範囲内に収まっているか否かを検査する必要がある。加速度センサの場合、位置ずれが大きいと、センサとしての特性が劣化してしまう等の不具合が生じるからである。
ステップS8において、シリコンウエハ裏面用のエッチング用のマスクパターンを用いて、シリコンウエハ裏面のレジスト剤に対するフォトリソグラフィ処理を行い、エッチングマスクを形成する。なお、このマスクパターンの位置合わせは、両面アライナを使用して、ステップS1でシリコンウエハの表面に形成した位置決め用のマークに基づいて行う。このエッチングマスクによって、シリコンウエハの裏面の外周部と、加速度センサの枠部2及び錘部1Aの表面が覆われる。なお、梁部3の裏側に対応する箇所には、エッチングマスクは形成されない。
(1) 加速度センサを例にして説明したが、シリコン等の半導体ウエハを表面と裏面からエッチングして貫通孔を有する形状に加工して形成する半導体装置に適用することができる。
(2) スリット1aの寸法は一例であり、必要とする寸法精度と検査に用いる顕微鏡等の装置の精度に応じて適切に設定することができる。例えば、合否判定基準のずれの量が5μmであれば、スリット1aの1段の寸法を5μmとしておけば良い。これにより、ずれが1段以内であれば合格、1段以上であれば不合格とすることができる。
(3) 半導体ウエハはシリコンウエハに限定されない。例えば、SOI(Silicon On Insulator)基板のように、シリコン等の支持基板の上に酸化シリコン等の絶縁膜を形成し、更にその絶縁膜の上にシリコン等の表面活性層を設けた積層基板にも適用できる。
(4) シリコンウエハの表面と裏面からエッチング加工を行う場合について説明したが、加工済みの2つの基板を張り合わせた複合基板の位置ずれ確認にも適用することができる。
(5) 錘部1Aの表面には、検査用のスリット1aを4か所、対称的に配置しているが、これは加速度センサの可動部のバランスを考慮したものであって、例えば枠部2にスリットを設けるのであればバランスを考慮する必要はない。
この検査用パターンは、図1中のスリット1aに代えて設けるもので、階段状スリット1bと階段状突起1cで構成されている。即ち、階段状スリット1bは、図1中のスリット1aと同様に、加速度センサの錘部1の表面を所定の深さ(梁部3と同じ厚さ)にエッチングして形成したものである。一方、階段状突起1cは、錘部1の外縁から貫通孔側に梁部3と同じ厚さの突起を庇のように張り出し、これを階段状に形成したものである。
1a スリット
1b 階段状スリット
1c 階段状突起
2 枠部
3 梁部
Claims (10)
- 表面及び裏面を有する半導体基板において、
前記表面に所定の深さの第1の溝部を形成することによって該表面を画成する表面パターンと、
前記裏面に所定の深さの第2の溝部を形成することによって該裏面を画成する裏面パターンと、
前記表面パターンの前記第1の溝部と前記裏面パターンの前記第2の溝部との各々の少なくとも一部が連結することによって形成された貫通孔と、
前記貫通孔が形成されることにより前記裏面パターンと一致する前記表面パターンの一部に、該裏面パターンの位置ずれを検査するために形成された検査溝部と、
を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記貫通孔が形成されることにより前記裏面パターンと一致する前記表面パターンの一部に、該裏面パターンの位置ずれを検査するために形成された検査突起部を有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 表面に所定の深さの第1の溝を形成することによって該表面を画成する表面パターンと、該表面の反対側に形成される裏面に所定の深さの第2の溝を形成することによって該裏面を画成する裏面パターンと、該表面パターンの該第1の溝と該裏面パターンの該第2の溝との各々の少なくとも一部が連結することによって形成された貫通孔とを有する半導体装置であって、
前記貫通孔が形成されることにより前記裏面パターンと一致する前記表面パターンの一部に、該裏面パターンの位置ずれを検査するために形成された検査突起部を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記貫通孔が形成されることにより前記裏面パターンと一致する前記表面パターンの一部に、該裏面パターンの位置ずれを検査するために形成された検査溝部を有することを特徴とする請求項3記載の半導体装置。
- 前記検査溝部は、前記表面パターンの内側に向かって一定幅の階段状に形成されることを特徴とする請求項1または4記載の半導体装置。
- 前記検査突起部は、前記表面パターンから外側に向かって一定幅の階段状に形成されることを特徴とする請求項2または3記載の半導体装置。
- 半導体基板の表面に所定の深さの第1の溝部で画成された表面パターン、該半導体基板の裏面に所定の深さの第2の溝部で画成された裏面パターン、及び該第1及び第2の溝部の各々の少なくとも一部を連結して形成された貫通孔を有する半導体装置の製造方法であって、
半導体ウエハ表面を、前記貫通孔の縁を基準にして一定幅で階段状に形成された位置ずれ検査用の検査パターンを前記表面パターンに付加したエッチング用のマスクパターンを用いて、所定の寸法だけエッチングする工程と、
前記半導体ウエハ裏面を、前記裏面パターンのエッチング用のマスクパターンを用いて前記所定の寸法を残してエッチングする工程とを、
行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記検査パターンは、前記表面パターンをその縁から内側に前記一定幅で階段状に削除した階段状スリット、または前記表面パターンの縁から前記貫通孔に庇状に張り出した前記一定幅の階段状突起であることを特徴とする請求項7記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板の表面に所定の深さの第1の溝部で画成された表面パターン、該半導体基板の裏面に所定の深さの第2の溝部で画成された裏面パターン、及び該第1及び第2の溝部の各々の少なくとも一部を連結して形成された貫通孔を有する半導体装置の検査方法であって、
半導体ウエハ表面を、前記貫通孔の縁を基準にして一定幅で階段状に形成された位置ずれ検査用の検査パターンを前記表面パターンに付加したエッチング用のマスクパターンを用いて、所定の寸法だけエッチングし、
前記半導体ウエハ裏面を、前記裏面パターンのエッチング用のマスクパターンを用いて前記所定の寸法を残してエッチングし、
前記半導体ウエハ表面から前記検査パターンを観察して該検査パターンの階段と前記裏面パターンの位置関係から該裏面パターンと前記表面パターンの位置ずれの程度を検査することを特徴とする半導体装置の検査方法。 - 前記検査パターンは、前記表面パターンをその縁から内側に前記一定幅で階段状に削除した階段状スリット、または前記表面パターンの縁から前記貫通孔に庇状に張り出した前記一定幅の階段状突起であることを特徴とする請求項9記載の半導体装置の検査方法。
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Families Citing this family (6)
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---|---|---|---|---|
JP4610447B2 (ja) * | 2005-08-31 | 2011-01-12 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置とその製造方法及び検査方法 |
EP2096407B1 (en) * | 2006-12-27 | 2016-11-16 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Angular velocity and/or acceleration sensor and method for manufacturing the same |
JP4343965B2 (ja) * | 2007-02-15 | 2009-10-14 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 慣性センサ |
US8530985B2 (en) * | 2010-03-18 | 2013-09-10 | Chia-Ming Cheng | Chip package and method for forming the same |
CN102437146B (zh) * | 2011-08-17 | 2013-06-26 | 上海华力微电子有限公司 | 一种通孔关键尺寸检测版图的优化方法 |
DE102019210663B4 (de) * | 2019-07-18 | 2022-12-22 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Inertialsensors und Inertialsensor |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001201513A (ja) * | 2000-01-21 | 2001-07-27 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体加速度センサ及びその製造方法 |
DE10008988A1 (de) * | 2000-02-25 | 2001-08-30 | Delphi Tech Inc | Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung |
JP2001242191A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体加速度センサ |
JP2004061193A (ja) * | 2002-07-26 | 2004-02-26 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体加速度センサ |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MY109605A (en) * | 1990-06-29 | 1997-03-31 | Canon Kk | Method for producing semiconductor device having alignment mark. |
JP3178123B2 (ja) * | 1992-02-25 | 2001-06-18 | 富士電機株式会社 | 櫛歯式アクチュエータの製造方法 |
JP2776142B2 (ja) * | 1992-05-15 | 1998-07-16 | 株式会社日立製作所 | 加速度センサ |
JP2769661B2 (ja) * | 1992-09-29 | 1998-06-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH08254544A (ja) * | 1995-03-15 | 1996-10-01 | Omron Corp | 半導体加速度センサ |
CN1205545A (zh) * | 1997-07-11 | 1999-01-20 | 冲电气工业株式会社 | 测量图形设置和测量电路图形尺寸精度和重叠精度的方法 |
DE19757197A1 (de) * | 1997-12-22 | 1999-06-24 | Bosch Gmbh Robert | Herstellungsverfahren für mikromechanische Vorrichtung |
US6251745B1 (en) * | 1999-08-18 | 2001-06-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Two-dimensional scaling method for determining the overlay error and overlay process window for integrated circuits |
JP3677426B2 (ja) * | 2000-02-21 | 2005-08-03 | Necエレクトロニクス株式会社 | 位置合わせ精度計測マーク |
JP3926552B2 (ja) * | 2000-10-25 | 2007-06-06 | 日本信号株式会社 | アクチュエ−タ |
ATE355530T1 (de) * | 2001-07-26 | 2006-03-15 | Fraunhofer Ges Forschung | Mikromechanisches bauelement |
JP2006030159A (ja) * | 2004-06-15 | 2006-02-02 | Canon Inc | ピエゾ抵抗型半導体装置及びその製造方法 |
JP4610447B2 (ja) * | 2005-08-31 | 2011-01-12 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置とその製造方法及び検査方法 |
JP4897318B2 (ja) * | 2006-03-16 | 2012-03-14 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | ピエゾ抵抗素子及びその製造方法 |
JP4999356B2 (ja) * | 2006-05-10 | 2012-08-15 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 加速度センサ及びその製造方法 |
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-
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001201513A (ja) * | 2000-01-21 | 2001-07-27 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体加速度センサ及びその製造方法 |
DE10008988A1 (de) * | 2000-02-25 | 2001-08-30 | Delphi Tech Inc | Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung |
JP2001242191A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体加速度センサ |
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