JP4602959B2 - 表示装置とその製造方法 - Google Patents
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Description
第3に、前記ゲート線が、前記ゲート線の端部に形成されているゲートパッドをさらに含み、前記データ線が、前記データ線の端部に形成されているデータパッドを含み、前記データパッドは前記下部膜と前記上部膜とを含む。
第5に、前記ゲートパッド接触部材の上に形成されており、前記データ線の前記上部膜と同一な層からなる金属層を含む。
第6に、前記データ線の下部膜はITO又はIZOのいずれかから成る。
第8に、前記第1保護層の上には第2保護層がさらに形成されている。
第9に、前記第1保護層がフッ素系高分子物質を含み、前記第2保護層がITOとIZOとのいずれかから成る。
第11に、前記ゲート絶縁膜が、下部に第1ゲート絶縁膜を含み、上部に第2ゲート絶縁膜を含み、前記第1ゲート絶縁膜が酸化ケイ素と窒化ケイ素との少なくともいずれかを含み、前記第2ゲート絶縁膜が、シリコン系高分子、アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)、テトラブチルオルトチタネート(Ti(Obu)4)、及びブタノールの少なくともいずれかを含む。
第13に、前記有機半導体層が、テトラセン若しくはペンタセンの置換基を含む誘導体;チオフェン環の2、5位置で連結された4〜8個のオリゴチオフェン;ペリレンテトラカルボキシリックジアンハイドライド若しくはそのイミド誘導体;ナフタレンテトラカルボキシリックジアンハイドライド若しくはそのイミド誘導体;金属化フタロシアニン若しくはそのハロゲン化誘導体;チエニレン及びビニレンのコオリマー若しくはコポリマー;チオフェン;ペリレン若しくはコロネンとそれらの置換基とを含む誘導体;または、以上に列記された各物質に含まれる芳香環若しくはヘテロ芳香環に連結された炭素数1〜30個の炭化水素鎖を一つ以上含む誘導体;のいずれかを含む。
第16に、前記ゲート線は前記ゲート線の端部に備えられたゲートパッドをさらに含み、前記データ線は前記データ線の端部に備えられたデータパッドをさらに含み、前記データパッドは前記データ線の前記上部層と同一な層からなる。
第17に、前記下部層をパターニングして前記ゲートパッドの上にゲートパッド接触部材を形成する段階をさらに含む。
第19に、前記下部層がITO及びIZOのいずれかから成る。
第21に、前記上部層と上記下部層とをパターニングする段階は位置によって異なる厚さを持つ感光膜を形成する段階を含む。
第23に、前記有機半導体層を形成する前に、前記チャネル領域を隔壁で囲み、前記隔壁から前記ソース電極及び前記ドレイン電極の各々を少なくとも一部ずつ露出させる段階、を前記製造方法がさらに有し、前記有機半導体層を前記隔壁の内側に形成する。
第24に、前記有機半導体層がインクジェットによって形成される。
第26に、ITO及びIZOのいずれかから成る第2保護層、を前記第1保護層の上に形成する段階、をさらに有する。
さらに、本発明による表示装置の製造方法は上記の通り、ゲート絶縁膜の上に透明電極物質層とデータ配線物質層とを順番に積層し、(好ましくは同じ感光膜を利用して)透明電極物質層とデータ配線物質層とを続けてパターニングする。それにより、表示装置の製造に必要なマスクの総数が低減し、表示装置の製造工程が簡単化される。
本発明の実施形態による表示装置は好ましくは液晶表示装置であり、図1、2に示されているような薄膜トランジスタ基板100を含む。その薄膜トランジスタ基板100は、絶縁基板110、ゲート配線120、121、123、ゲート絶縁膜130、透明電極層141、142、143、144、145、データ配線151、152、153、及び、有機半導体層160を含む。
第一の工程では、図3Aに示されているような絶縁基板110を準備する。絶縁基板110は好ましくは、ガラス、石英、セラミックス、またはプラスチックなどの絶縁性材質から作られている。上記の表示装置がフレキシブル液晶表示装置である場合には好ましくは、絶縁基板110としてプラスチック基板が使用される。絶縁基板110の上には、化学気相蒸着(CVD)またはスパッタリングなどの方法によってデータ配線物質を蒸着する。その後、フォトエッチングによりデータ配線物質の蒸着膜をパターニングし、ゲート線120、ゲート電極121、及びゲートパッド123を形成する。
第七の工程では、図3Gに示したように、感光膜200の全体の厚みを、図3Fに示されている領域A(図3F参照)での厚みだけ一様に減らす。それにより、データ配線151、152、153を形成すべき領域には感光膜200を残し、それ以外の領域Aからは感光膜200を除去する。
第八の工程では、図3Hに示したように、残存する感光膜200をマスクとして利用してその下地に対してエッチングを行う。それにより、データ配線物質層150がパターニングされ、データ線151、データパッド152、及び金属層153から成るデータ配線が形成される。さらに、画素電極143が外部に露出する。ここで、データ線151は好ましくは、有機半導体層160から離れた位置に形成される。それにより、有機半導体層160の仕事関数の大きさに関わらず、有機薄膜トランジスタの特性が劣化しない。
尚、図3F、3G、3Hとは異なり、第六の工程ではゲートパッド123の上でも感光膜200を薄くし、第七の工程ではゲートパッド123の上からも感光膜200を完全に除去し、第八の工程では金属層153を除去するようにしても良い。
120 ゲート線
121 ゲート電極
123 ゲートパッド
130 ゲート絶縁膜
141 ソース電極
142 ドレイン電極
143 画素電極
144 透明データ配線
145 ゲートパッド接触部材
151 データ線
152 データパッド
153 金属層
160 有機半導体層
170 第1保護膜
180 第2保護膜
Claims (26)
- 絶縁基板;
前記絶縁基板の上に形成され、ゲート電極を含むゲート線;
前記ゲート電極を覆っているゲート絶縁膜;
前記ゲート絶縁膜の上に形成され、下部膜と上部膜とを含むデータ線;
前記ゲート絶縁膜の上に形成されており、前記ゲート電極の上方で所定の距離を隔てて配置され、チャネル領域を区切っているソース電極とドレイン電極;
前記チャネル領域に形成されている有機半導体層;
前記ゲート絶縁膜の上に形成されている画素電極;
を有し、
前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記画素電極は、前記データ線の下部膜と同一層で形成される表示装置。 - 前記ソース電極は前記データ線の下部膜から伸びて出る、請求項1に記載の表示装置。
- 前記ゲート線が、前記ゲート線の端部に形成されているゲートパッドをさらに含み、
前記データ線が、前記データ線の端部に形成されているデータパッドを含み、
前記データパッドは前記下部膜と前記上部膜とを含む、
請求項1に記載の表示装置。 - 前記ゲートパッドを覆っており、前記データ線の下部膜と同一な層からなるゲートパッド接触部材をさらに含む、請求項3に記載の表示装置。
- 前記ゲートパッド接触部材の上に形成されており、前記データ線の前記上部膜と同一な層からなる金属層を含む、請求項4に記載の表示装置。
- 前記データ線の下部膜はITO又はIZOのいずれかから成る、請求項1に記載の表示装置。
- 前記チャネル領域では前記有機半導体層の上に第1保護層がさらに形成されている、請求項1に記載の表示装置。
- 前記第1保護層の上には第2保護層がさらに形成されている、請求項7に記載の表示装置。
- 前記第1保護層がフッ素系高分子物質を含み、
前記第2保護層がITOとIZOとのいずれかから成る、
請求項8に記載の表示装置。 - 前記第1保護層が、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)、FEP(テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体)、PFA(テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体)、ETFE(エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体)、PVDF(ポリフッ化ビニリデン)、及び、パーフルオロアルケニルビニルエーテルの環化重合体である透明な高分子、のいずれかから成る、請求項8に記載の表示装置。
- 前記ゲート絶縁膜が、下部に第1ゲート絶縁膜を含み、上部に第2ゲート絶縁膜を含み、
前記第1ゲート絶縁膜が酸化ケイ素と窒化ケイ素との少なくともいずれかを含み、
前記第2ゲート絶縁膜が、シリコン系高分子、アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)、テトラブチルオルトチタネート(Ti(Obu)4)、及びブタノールの少なくともいずれかを含む、
請求項1に記載の表示装置。 - 前記チャネル領域を囲み、かつ前記ソース電極と前記ドレイン電極との各々を少なくとも一部ずつ露出させている隔壁、を前記表示装置がさらに有し、
前記有機半導体層が前記隔壁の内側に形成されている、
請求項1に記載の表示装置。 - 前記有機半導体層が、
テトラセン若しくはペンタセンの置換基を含む誘導体;
チオフェン環の2、5位置で連結された4〜8個のオリゴチオフェン;
ペリレンテトラカルボキシリックジアンハイドライド若しくはそのイミド誘導体;
ナフタレンテトラカルボキシリックジアンハイドライド若しくはそのイミド誘導体;
金属化フタロシアニン若しくはそのハロゲン化誘導体;
チエニレン及びビニレンのコオリマー若しくはコポリマー;
チオフェン;
ペリレン若しくはコロネンとそれらの置換基とを含む誘導体;または、
以上に列記された各物質に含まれる芳香環若しくはヘテロ芳香環に連結された炭素数1〜30個の炭化水素鎖を一つ以上含む誘導体;
のいずれかを含む、請求項1に記載の表示装置。 - 絶縁基板を準備する段階;
前記絶縁基板の上に、ゲート電極を含むゲート線を形成する段階;
前記絶縁基板の上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート電極を覆う段階;
前記ゲート絶縁膜の上に下部層と前記下部層の上に配置される上部層とを順番に積層する段階;
前記上部層と前記下部層とをパターニングすることにより、データ線、前記ゲート電極の上方で所定の距離を隔てて配置されてチャネル領域を区切るソース電極とドレイン電極、及び、画素電極を同時に形成する段階;並びに、
前記チャネル領域に有機半導体層を形成する段階;
を有し、
前記データ線は前記下部層と前記上部層とを含み、前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記画素電極は前記下部層を含む表示装置の製造方法。 - 前記有機半導体層が蒸着及びコーティングのいずれかによって形成される、請求項14に記載の表示装置の製造方法。
- 前記ゲート線は前記ゲート線の端部に備えられたゲートパッドをさらに含み、
前記データ線は前記データ線の端部に備えられたデータパッドをさらに含み、
前記データパッドは前記データ線の前記上部層と同一な層からなる、請求項14に記載の表示装置の製造方法。 - 前記下部層をパターニングして前記ゲートパッドの上にゲートパッド接触部材を形成する段階をさらに含む、請求項16に記載の表示装置の製造方法。
- 前記上部層をパターニングして前記ゲートパッド接触部材の上に金属層を形成する段階をさらに含む、請求項17に記載の表示装置の製造方法。
- 前記下部層がITO及びIZOのいずれかから成る、請求項14に記載の表示装置の製造方法。
- 前記ゲートパッド接触部材を形成する前に、ゲートパッド接触孔を前記ゲート絶縁膜の上に形成し、前記ゲートパッド接触孔から前記ゲートパッドを露出させる、請求項17に記載の表示装置の製造方法。
- 前記上部層と上記下部層とをパターニングする段階は位置によって異なる厚さを持つ感光膜を形成する段階を含む、請求項14に記載の表示装置の製造方法。
- 前記ゲート絶縁膜を形成する段階は、
窒化ケイ素(SiNx)と酸化ケイ素(SiOx)の少なくともいずれか一つを含む第1ゲート絶縁膜を形成する段階と、
シリコン系高分子、アゾビスイソブチロニトリル(AIBN、azobis isobutiro nitrile )、テトラブチルオルトチタネート(Ti(Obu) 4 、tetra butyl ortho titanate )及びブタノール(butanol)の少なくともいずれか一つを含む第2ゲート絶縁膜を形成する段階とを含む、請求項14に記載の表示装置の製造方法。 - 前記有機半導体層を形成する前に、前記チャネル領域を隔壁で囲み、前記隔壁から前記ソース電極及び前記ドレイン電極の各々を少なくとも一部ずつ露出させる段階、を前記製造方法がさらに有し、
前記有機半導体層を前記隔壁の内側に形成する、
請求項14に記載の表示装置の製造方法。 - 前記有機半導体層がインクジェットによって形成される、請求項14に記載の表示装置の製造方法。
- フッ素系高分子を含む第1保護層、を前記有機半導体層の上に形成する段階、をさらに有する、請求項14に記載の表示装置の製造方法。
- ITO及びIZOのいずれかから成る第2保護層、を前記第1保護層の上に形成する段階、をさらに有する、請求項25に記載の表示装置の製造方法。
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