JP4596541B2 - 固体電解コンデンサ用陽極体および固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサ用陽極体および固体電解コンデンサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP4596541B2 JP4596541B2 JP2005273823A JP2005273823A JP4596541B2 JP 4596541 B2 JP4596541 B2 JP 4596541B2 JP 2005273823 A JP2005273823 A JP 2005273823A JP 2005273823 A JP2005273823 A JP 2005273823A JP 4596541 B2 JP4596541 B2 JP 4596541B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid electrolytic
- electrolytic capacitor
- powder
- anode body
- valve
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 37
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims description 34
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 26
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 13
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 claims description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 31
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 2
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 2
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);dinitrate Chemical compound [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Powder Metallurgy (AREA)
Description
本発明は、タンタル、ニオブなどの弁作用金属を用いた固体電解コンデンサ用陽極体およびこれを用いた固体電解コンデンサに関する。
従来から弁作用金属として、タンタル、ニオブを用いた固体電解コンデンサは、小型で静電容量が大きく、周波数特性に優れ、ＣＰＵの電源回路などに広く使用されている。また、携帯型電子機器の発展に伴い、特にチップ型固体電解コンデンサの小型化および大容量化が進行している。この小型化および大容量化を実現するために、固体電解コンデンサ用陽極体を構成する弁作用金属粉末の粒径を小さくすることにより、陽極体を大きくすること無くコンデンサ容量の大容量化を図ってきた。
例えば、弁作用金属粉末であるタンタル粉末は、一般に出発原料であるフッ化タンタル酸カリウムをナトリウムで還元する還元工程、還元によって生じた副生成塩や不純物を除去する酸洗・水洗工程、ガス生成不純物の除去と熱凝集を行う熱処理工程、脱酸を行う脱酸工程を経て、得ることができる。
また、近年においては、出発原料を五酸化タンタルとして、五酸化タンタルを気体状マグネシウムで還元する還元工程、酸洗・水洗工程、熱処理工程、脱酸工程を経て、得ることができるタンタル粉末が知られている。
しかし、コンデンサ容量の大容量化を実現するために、弁作用金属の粉末粒径を小さくすると、固体電解コンデンサ用陽極体の強度が低下し、例えばチップ型固体電解コンデンサを基板実装する際のリフローの熱による熱的ストレスや、リフローの熱により外装樹脂の膨張収縮によって生じる機械的ストレスや、陽極体内部の吸湿水が急激に気化することに起こる体積膨張によるストレス等により、電気的特性の劣化を引き起こす。このような問題の改善策として高ＣＶ粉末に凝集粉を添加した改善案が、例えば特許文献１に開示されている。
しかしながら、この特許文献１に記載の技術では、凝集粉、あるいは原粉よりＣＶが低い粉末を添加するため、固体電解コンデンサのコンデンサ容量が減少する。原粉が高ＣＶであればその傾向が顕著に現れるため、固体電解コンデンサの小型化および大容量化には不向きである。
本発明は、固体電解コンデンサのコンデンサ容量を減少することなく、リフロー時に加わる熱的および機械的ストレスに対する強度に優れる固体電解コンデンサ用陽極体および固体電解コンデンサを提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明の固体電解コンデンサ用陽極体は、弁作用金属粉末を加圧成形し、陽極リード線を植立して成形体を形成し、高温・真空中で焼結した固体電解コンデンサ用陽極体において、前記弁作用金属粉末は、弁作用金属のフッ化物を還元して得られる粉末からなる第１の弁作用金属粉末と、前記第１の弁作用金属粉末と同じ粉末ＣＶを有する弁作用金属の酸化物を還元して得られる粉末からなる第２の弁作用金属粉末を前記第１の弁作用金属粉末重量に対して２０ｗｔ％（重量％）以上４０ｗｔ％（重量％）以下添加、混合したことを特徴とする。
また、本発明の固体電解コンデンサは、前記固体電解コンデンサ用陽極体に、誘電体層、固体電解質層および陰極層を形成し、端子を接続して外装を施したことを特徴とする。
本発明によれば、固体電解コンデンサ用陽極体の強度を低下させることなくコンデンサ容量の大容量化ができる。さらに固体電解コンデンサの基板実装時における熱的ストレスおよび機械的ストレスによる電気的特性の劣化を抑制することができる。
次に、本発明の実施の形態について、タンタルを弁作用金属として用いた場合を、図面を参照して説明する。
図１は、本発明の最良の実施の形態に係る固体電解コンデンサ用陽極体を形成するための製造方法を説明するためのフローチャートである。先ず、フッ化タンタル酸カリウムの金属ナトリウムによる還元で製造されたフッ化物還元タンタル粉末を用意する（Ｓ１１）。また、これとは別に、五酸化タンタルの気体状マグネシウムによる還元で製造された酸化物還元タンタル粉末を用意する（Ｓ１２）。そして、前記酸化物還元タンタル粉末を秤量し、前記フッ化物還元タンタル粉末と混合した混合タンタル粉末を製作した（Ｓ１３）。その後、前記混合タンタル粉末に適当量のバインダを加え調合し乾燥させる（Ｓ１４）。十分に乾燥させた後に成形機にてタンタルワイヤと共に成形を行なう（Ｓ１５）。そして各成形体を真空焼結した（Ｓ１６）。
フッ化物還元タンタル粉末よりも２〜４倍大きな平均粒径を持つ酸化物還元タンタル粉末を添加することにより粉末粒子間の接触面積を大きくし、陽極体成形時における粉末同士の接合力を高めることができ、これにより陽極体の成形体強度を高めることができる。
まず、第１の弁作用金属粉末として、平均粒径が０．８５μｍである１００，０００μＦＶ／ｇのフッ化物還元タンタル粉末を使用した。また、これとは別に、第２の弁作用金属粉末として、平均粒径が２．００μｍである１００，０００μＦＶ／ｇの酸化物還元タンタル粉末を用意した。そして、酸化物還元タンタル粉末を表１に示した添加量になるよう秤量し、前記フッ化物還元タンタル粉末と混合した。その後、混合した粉末に適当量のバインダを加え調合し乾燥させ、十分に乾燥させたあと成形機にて陽極リード線となるタンタルワイヤと共に成形し、１２５０℃にて３０分間真空焼結を行い、陽極体を得た。
前記陽極体を０．６ｗｔ％のリン酸水溶液中に浸漬し、８．２Ｖで２４０分間陽極酸化することにより、酸化皮膜を形成した。
次いで、硝酸マンガンに浸漬した後、熱分解して、二酸化マンガン層を形成し、カーボンおよび銀ペーストによる陰極層を形成して、従来公知の方法に従い、端子を接続し、外装を施して、定格４Ｖ−１００μＦの固体電解コンデンサを完成させた。
図２は、実施例における固体電解コンデンサ用陽極体の模式断面図である。図２に示すとおり、酸化物還元タンタル粉末４の平均粒径がフッ化物還元タンタル粉末３に比べ大きいことから、粉末結合に要する接触面積が大きくなることで、陽極体１の強度が高くなったと考えられる。
本発明の効果を確認するため、酸化物還元タンタル粉末の添加量を変えた固体電解コンデンサを作成し、その時のｔａｎδ不良率を比較した。また製作した固体電解コンデンサを２６０℃１０秒保持のリフローの５回繰り返し試験を供して、試験後の漏れ電流の変化量を評価した。評価結果を表１に示す。尚、評価試料は酸化物還元タンタル粉末の添加量を５，１０，２０，３０，４０，５０ｗｔ％の６水準とし、各水準の試料数を１００個とした。表１に示すリフロー５回繰り返し試験後の漏れ電流の変化量および静電容量初期値は、各１００個の試料の平均値である。
表１を参照して、酸化物還元タンタル粉末の添加量が０ｗｔ％から５０ｗｔ％まで漸次増大にするに従って、リフロー５回繰り返し試験後の漏れ電流の変化量は小さくなっていく。しかし、添加量が０ｗｔ％つまり従来の固体電解コンデンサと１０ｗｔ％の固体電解コンデンサの場合は、リフロー５回繰り返し試験後の漏れ電流の変化量がほぼ同等で、他の添加量の固体電解コンデンサに比べ大きいことから、リフローによる熱的および機械的ストレスによる漏れ電流の劣化を効果的に抑制するには、酸化物還元タンタル粉末の添加量を２０ｗｔ％以上にしなければならず、且つ、その添加量が大きいほど効果が大であるといえる。しかし、酸化物還元タンタル粉末の添加量が５０ｗｔ％の場合は、無添加（従来の固体電解コンデンサ）のときに比べ、ｔａｎδの不良率が増大する結果となった。これは、酸化物還元タンタル粉末の１次粒子間が密な結合状態であることから、１次粒子の空孔径が小となるため、電解質である二酸化マンガンの形成が不十分であるため、ｔａｎδが増加したと考えられる。
また、１２０Ｈｚでの静電容量初期値については、添加量５０ｗｔ％においては二酸化マンガンの形成不良に起因する静電容量初期値の減少が発生するため、酸化物還元タンタル粉末の添加量は４０ｗｔ％以下であることが望ましい。
以上のことから、酸化物還元タンタル粉末の添加量は、２０〜４０ｗｔ％の範囲であることが望ましい。
以上、本発明を実施するための最良の形態および実施例を説明したが、本発明は、以上の形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更があっても、本発明に含まれる。すなわち、当業者であれば、なし得るであろう各種変形、修正を含むことはもちろんである。
１ 陽極体
２ 陽極リード線
３ フッ化物還元タンタル粉末
４ 酸化物還元タンタル粉末
２ 陽極リード線
３ フッ化物還元タンタル粉末
４ 酸化物還元タンタル粉末
Claims (2)
- 弁作用金属粉末を加圧成形し、陽極リード線を植立して成形体を形成し、高温・真空中で焼結した固体電解コンデンサ用陽極体において、前記弁作用金属粉末は、弁作用金属のフッ化物を還元して得られる粉末からなる第１の弁作用金属粉末に、前記第１の弁作用金属粉末と同一金属からなり、前記第１の弁作用金属粉末と同じ粉末ＣＶを有する弁作用金属の酸化物を還元して得られる粉末からなる第２の弁作用金属粉末を前記第１の弁作用金属粉末重量に対して２０ｗｔ％以上４０ｗｔ％以下添加、混合したことを特徴とする固体電解コンデンサ用陽極体。
- 請求項１に記載の前記固体電解コンデンサ用陽極体に、誘電体層、固体電解質層および陰極層を形成し、端子を接続して外装を施したことを特徴とする固体電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005273823A JP4596541B2 (ja) | 2005-09-21 | 2005-09-21 | 固体電解コンデンサ用陽極体および固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005273823A JP4596541B2 (ja) | 2005-09-21 | 2005-09-21 | 固体電解コンデンサ用陽極体および固体電解コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007088144A JP2007088144A (ja) | 2007-04-05 |
| JP4596541B2 true JP4596541B2 (ja) | 2010-12-08 |
Family
ID=37974844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005273823A Expired - Fee Related JP4596541B2 (ja) | 2005-09-21 | 2005-09-21 | 固体電解コンデンサ用陽極体および固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4596541B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5222677B2 (ja) * | 2008-09-22 | 2013-06-26 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ |
| JP2022115591A (ja) * | 2021-01-28 | 2022-08-09 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 電解コンデンサおよびその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003297691A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Nippon Chemicon Corp | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
-
2005
- 2005-09-21 JP JP2005273823A patent/JP4596541B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003297691A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Nippon Chemicon Corp | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2007088144A (ja) | 2007-04-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101076312B1 (ko) | 고체 전해 콘덴서 | |
| JP2008235949A (ja) | 電解コンデンサ | |
| JP2009218521A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| WO2010050558A1 (ja) | コンデンサ素子の製造方法 | |
| JP2007150252A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP2005294817A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその用途 | |
| JP4596541B2 (ja) | 固体電解コンデンサ用陽極体および固体電解コンデンサ | |
| JP2011524629A (ja) | 漏えい電流の少ない電解キャパシタを製造するための方法 | |
| US9607770B2 (en) | Method for producing capacitor | |
| JP5350564B1 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP4748726B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP4986272B2 (ja) | ニオブ粉、その焼結体及びコンデンサ | |
| JP2008010719A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JP2005101562A (ja) | チップ状固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP2008182056A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP4404730B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP4408047B2 (ja) | チップ状固体電解コンデンサ | |
| US10032563B2 (en) | Capacitor element | |
| KR101052215B1 (ko) | 칩상 고체 전해 콘덴서 | |
| JP2885101B2 (ja) | 電解コンデンサの製造方法 | |
| JP4451235B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP4699082B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP4930958B2 (ja) | コンデンサの製造方法 | |
| JP2009231646A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP2008288310A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20070118 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080402 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100628 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100707 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100827 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100915 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100917 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4596541 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131001 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131001 Year of fee payment: 3 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |