JP4595431B2 - ドライエッチング方法及びドライエッチング装置 - Google Patents
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Description
エッチング中のウェハの温度は、加工寸法やエッチング深さ等のエッチング特性に大きく影響するため、ウェハ温度は重要なパラメータの一つである。従って、より精密なプロセスを実現するために、一般にはウェハの冷却を行ない、ウェハの温度分布を均一化することが要求されている。このため、カソードステージには様々な工夫がなされている。
改善、または意図的に温度分布を持たすことが可能となっている。この方式は、ヒータの独立制御によってウェハ温度をコントロールするものであるが、熱伝導用ガスは第一の従来技術と同様に1系統であるため、熱伝導ガスの圧力を領域毎にコントロールすることはできない。
また、メンブレンの破壊を避けるために熱伝導用ガスの圧力を下げるか、流量をゼロにすると、メンブレンは破れないが、EBマスクや、X線マスク、IPLマスク全体の冷却が不十分になり、レジストとの選択性が低下するなどのエッチング特性が大きく低下していしまう。
ッチング方法及びドライエッチング装置を提供することを課題とするものである。また、本発明は、EBマスクや、X線マスク、IPLマスク、イオン注入装置用マスクに限らず、必要に応じてディスプレイ基板などの様々なドライエッチングにも適応できる。
1)仕切りによって、周辺領域および中心領域に分割したステージ、
2)該周辺領域は25℃、および、該中心領域は15℃にステージ温度を設定し、維持する機構、
3)該周辺領域は6Torr、および、該中心領域は2Torrに熱伝導用ガス流量および圧力を設定し、維持する機構、
を少なくとも具備することを特徴とするドライエッチング装置である。
図5及び図6は、本発明のドライエッチング装置のカソードステージユニット23の説明図である。図5はカソードステージユニットの上方からの平面図であり、図6は図5のXY線に沿った断面図である。
い。また、ブロック数を多くした方が、試料の温度、裏面の熱伝導用ガス圧力及び流量の細かい制御が可能となるが、ブロックの数だけ流量コントローラ、圧力計、チラー温度コントローラ、配管等が必要となる。
以下、図面を用いて参考例として実施例1を説明する。一般的なICP型ドライエッチング装置と参考例としてのカソードステージユニットを作製した。図7、図8、及び図9を用いて装置について説明する。図7は、装置全体の概要図であり、図8はカソードステージユニットの上方からの平面図であり、図9は図8のXY線に沿った断面図である。
エッチング前後の酸化膜の膜厚を光学式膜厚計により測定することで、エッチングレートの面内分布を求めた。
その他のエッチング条件は、プラズマソース:500W、バイアスパワー:100W、エッチングガス:CF4 =20sccm、圧力:15mTorrに固定し、カソードステージユニットの条件のみをパラメータとして、酸化膜のエッチングレートの面内分布を測定した。
このように、各領域毎の熱伝導用Heの圧力制御は、各領域毎の温度制御と同様の効果が得られる。
次に、EBレジスト56をコート(図14(b))し、描画、現像によりレジストパターン57を形成した(図14(c))。その後、本発明のドライエッチング装置を用い、3種類のカソードステージの条件でドライエッチングすることによりメンブレン領域にメインパターン形成を実施した(図14(d))。
2、29・・・プラズマ発生用の高周波発振器
3・・・プラズマ
4・・・カソードステージ
5、12、18、38・・・ウェハ
6、30・・・RFバイアス制御用の高周波発振器
7・・・ブロッキングコンデンサ
8、37、39・・・整合器
9、34・・・コイル
10、32・・・反応ガス供給口
11、33・・・反応ガス排気口
13、19・・・ステージ
14、28a〜28i、45・・・熱伝導用ガスの導入口
15、27a〜27e、46・・・加熱及び冷却用チラー配管
16・・・ヒータ
17、25、41,55・・・仕切り
20,54・・・熱伝導用ガスの導入口
21・・・メンブレン領域
22・・・バルク領域
23、35・・・カソードステージユニット
24、40、51・・・静電チャック
26a〜26i・・・ブロック(領域)
36・・・ブロッキングコンデンサ
47・・・エッチング前のシリコンウェハ
48・・・熱酸化膜
49・・・シリコン
50・・・エッチング後のシリコンウェハ
56・・・EBレジスト
57・・・レジストパターン
A・・・外周領域
B・・・通常領域
C、E・・・中心領域
D・・・周辺領域
Claims (3)
- 8インチφのSOI基板とステージの間に該SOI基板の冷却もしくは加熱を促進するための熱伝導用ガスを導入しながらドライエッチングを行う方法において、該ステージを正方形状の中心領域と、該中心領域の周囲に位置する周辺領域とに分割し、該中心領域はステージ温度15℃、熱伝導用ガス圧力2Torrに設定し、該周辺領域はステージ温度25℃、熱伝導用ガス圧力6Torrに設定して、ドライエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法。
- 8インチφのSOI基板とステージの間に該SOI基板の冷却もしくは加熱を促進するための熱伝導用ガスを導入しながらドライエッチングを行うドライエッチング装置において、
1)仕切りによって、正方形状の中心領域および該中心領域の周囲に位置する周辺領域に分割したステージ、
2)該中心領域は15℃、および、該周辺領域は25℃にステージ温度を設定し、維持する機構、
3)該中心領域は2Torr、および、該周辺領域は6Torrに熱伝導用ガス流量および圧力を設定し、維持する機構、
を少なくとも具備することを特徴とするドライエッチング装置。 - 前記熱伝導用ガスが、HeもしくはArであることを特徴とする請求項2に記載のドライエッチング装置。
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Citations (3)
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---|---|---|---|---|
JPH1041378A (ja) * | 1996-04-25 | 1998-02-13 | Applied Materials Inc | 温度フィードバックと接触面積が小さくされた圧力ゾーンを有する基板支持体 |
JP2002009064A (ja) * | 2000-06-21 | 2002-01-11 | Hitachi Ltd | 試料の処理装置及び試料の処理方法 |
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---|---|---|---|---|
JPH1041378A (ja) * | 1996-04-25 | 1998-02-13 | Applied Materials Inc | 温度フィードバックと接触面積が小さくされた圧力ゾーンを有する基板支持体 |
JP2002009064A (ja) * | 2000-06-21 | 2002-01-11 | Hitachi Ltd | 試料の処理装置及び試料の処理方法 |
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