JP4595018B2 - 半導体装置の製造方法およびボンディング装置 - Google Patents

半導体装置の製造方法およびボンディング装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4595018B2
JP4595018B2 JP2009039448A JP2009039448A JP4595018B2 JP 4595018 B2 JP4595018 B2 JP 4595018B2 JP 2009039448 A JP2009039448 A JP 2009039448A JP 2009039448 A JP2009039448 A JP 2009039448A JP 4595018 B2 JP4595018 B2 JP 4595018B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
capillary
bonding
initial ball
pressure contact
pad surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2009039448A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010199142A (ja
JP2010199142A5 (ja
Inventor
裕介 丸矢
伸幸 青柳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinkawa Ltd
Original Assignee
Shinkawa Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinkawa Ltd filed Critical Shinkawa Ltd
Priority to JP2009039448A priority Critical patent/JP4595018B2/ja
Priority to CN201080008761.1A priority patent/CN102326241B/zh
Priority to PCT/JP2010/050910 priority patent/WO2010095490A1/ja
Priority to SG2011060969A priority patent/SG173828A1/en
Publication of JP2010199142A publication Critical patent/JP2010199142A/ja
Publication of JP2010199142A5 publication Critical patent/JP2010199142A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4595018B2 publication Critical patent/JP4595018B2/ja
Priority to US13/214,682 priority patent/US8292160B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/002—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
    • B23K20/004—Wire welding
    • B23K20/005—Capillary welding
    • B23K20/007—Ball bonding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/10—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating making use of vibrations, e.g. ultrasonic welding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/78268—Discharge electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/788—Means for moving parts
    • H01L2224/78801—Lower part of the bonding apparatus, e.g. XY table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/788—Means for moving parts
    • H01L2224/78821—Upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/78822—Rotational mechanism
    • H01L2224/78823—Pivoting mechanism
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/789—Means for monitoring the connection process
    • H01L2224/78901—Means for monitoring the connection process using a computer, e.g. fully- or semi-automatic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8503—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
    • H01L2224/85035—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball"
    • H01L2224/85045—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball" using a corona discharge, e.g. electronic flame off [EFO]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512—Aligning
    • H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518—Translational movements
    • H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

本発明は、ボンディング対象にボンディングを行う半導体装置の製造方法およびボンディング装置に関する。
一般に、ワイヤボンディングでは、キャピラリから繰り出されるボンディングワイヤの先端にイニシャルボールを形成し、このイニシャルボールを半導体装置のパッド面に加圧接触させた状態で超音波振動を印加することで、イニシャルボールをパッド面に固着させる第１ボンディングを行っている。その後、キャピラリからボンディングワイヤを繰り出してワイヤループを形成し、このボンディングワイヤとキャピラリとを基板のリード面に加圧接触させることで、ボンディングワイヤをリード面に固着させるとともにボンディングワイヤを切断する第２ボンディングを行っている。
ところが、ボンディングステージに載置される基板がぐらつくなど基板が不安定な状態にあると、第１ボンディングの際は、イニシャルボールがパッド面に確実に固着されない場合があり、第２ボンディングの際は、ボンディングワイヤが切断できない場合があるという問題があった。
そこで、特許文献１に記載された技術では、ボンディングを行う際にキャピラリが取り付けられるＸＹテーブルをＸＹ方向に移動させるスクラブ動作を行わせることで、イニシャルボールをパッド面に擦り付けてイニシャルボールをパッド面に確実に固着させている。
特許第２５３０２２４号公報
しかしながら、特許文献１に記載された技術では、第１ボンディングを行う際、イニシャルボールがパッド面に固着されるものの、スクラブ動作を行う際にイニシャルボールが潰れて押し広げられるため、このイニシャルボールの潰れ代が大きくなってしまう。このため、特許文献１に記載された技術では、小さいパッド面に対して高精度にボンディングすることが困難であるとともに、隣接するパッド面間の距離であるパッドピッチを小さくすることができないという問題があった。
なお、第２ボンディングの際のボンディングワイヤの切断性については、特許文献１に記載された技術でも解決されていない。
そこで、本発明は、半導体装置のパッド面にイニシャルボールをボンディングする場合に、イニシャルボールの潰れ代を小さくしてボンディング精度を向上させることができる半導体装置の製造方法及びボンディング装置を提供することを目的とする。また、本発明は、基板のリード面にボンディングワイヤをボンディングする場合に、リード面に固着されたボンディングワイヤの切断性を向上させることができる半導体装置の製造方法及びボンディング装置を提供することを目的とする。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、パッド面が設けられたボンディング対象が載置されるボンディングステージと、先端にイニシャルボールが形成されたボンディングワイヤが挿通されるキャピラリと、ボンディングステージに載置されたボンディング対象のパッド面にイニシャルボールを加圧接触させる加圧接触手段と、パッド面にイニシャルボールが加圧接触されている際に、イニシャルボールの加圧方向と直交する方向においてキャピラリを渦巻状に回転させるスクラブ手段と、を有する制御部と、を含むボンディング装置を用意する工程と、ボンディング装置の制御部の指令に基づく加圧接触手段により、ボンディングステージに載置されたボンディング対象のパッド面に、キャピラリに挿通されたボンディングワイヤの先端に形成されたイニシャルボールを加圧接触させる加圧接触工程と、ボンディング装置の制御部の指令に基づくスクラブ手段により、パッド面にイニシャルボールが加圧接触されている際に、イニシャルボールの加圧方向と直交する方向においてキャピラリを渦巻状に回転させるスクラブ工程と、を有することを特徴とする。
本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、ボンディング対象のパッド面にイニシャルボールが加圧接触されると、キャピラリを回転させることで、パッド面とイニシャルボールとが加圧接触された状態で擦り合わされるため、パッド面にイニシャルボールが固着される。このとき、キャピラリを渦巻状に回転させることで、イニシャルボールに加えられる力を回転中心方向に収束させることができるため、パッド面とイニシャルボールとが擦り合わされる時間及び距離を十分に確保しながら、パッド面とイニシャルボールとが最大径で擦り合わされる時間及び距離を低減させることができる。これにより、イニシャルボールの潰れ代を減らすことができるため、ボンディングの高精度化を図ることができるとともに、パッド面間の距離であるパッドピッチを小さくすることができる。
この場合、上記スクラブ工程は、イニシャルボールがパッド面に接触した位置を基準位置として、この基準位置から径を拡大しながらキャピラリを渦巻状に回転させた後、径を縮小しながらキャピラリを渦巻状に回転させて基準位置に戻すことが好ましい。このボンディング方法によれば、イニシャルボールがパッド面に接触した位置を基準位置として、径を拡大しながらキャピラリを渦巻状に回転させた後、径を縮小しながらキャピラリを渦巻状に回転させて基準位置に戻すことで、イニシャルボールをパッド面に加圧接触させる位置とイニシャルボールがパッド面に固着する位置とのズレを低減させることができる。これにより、ボンディングの更なる高精度化を図ることができ、パッド面間の距離であるパッドピッチをより小さくすることができる。
そして、上記スクラブ工程は、パッド面が延在している場合、パッド面の延在方向に沿って扁平した渦巻状にキャピラリを回転させることが好ましい。このボンディング方法によれば、パッド面の延在方向に沿って扁平した渦巻状にキャピラリを回転させるため、パッド面に固着されるイニシャルボールの形状をパッド面の形状に適合させることができる。このため、任意の方向に延びるパッド面に対しても、ボンディングの高精度化を図ることができる。
本発明に係るボンディング装置は、パッド面が設けられたボンディング対象が載置されるボンディングステージと、先端にイニシャルボールが形成されたボンディングワイヤが挿通されるキャピラリと、ボンディングステージに載置されたボンディング対象のパッド面にイニシャルボールを加圧接触させる加圧接触手段と、パッド面にイニシャルボールが加圧接触されている際に、イニシャルボールの加圧方向と直交する方向においてキャピラリを渦巻状に回転させるスクラブ手段と、を有することを特徴とする。
本発明に係るボンディング装置によれば、ボンディング対象のパッド面にイニシャルボールが加圧接触されると、キャピラリを回転させることで、パッド面とイニシャルボールとが加圧接触された状態で擦り合わされるため、パッド面にイニシャルボールが固着される。このとき、キャピラリを渦巻状に回転させることで、イニシャルボールに加えられる力を回転中心方向に収束させることができるため、パッド面とイニシャルボールとが擦り合わされる時間及び距離を十分に確保しながら、パッド面とイニシャルボールとが最大径で擦り合わされる時間及び距離を低減させることができる。これにより、キャピラリを移動させることにより発生するイニシャルボールの潰れ代を減らすことができるため、ボンディングの高精度化を図ることができるとともに、パッド面間の距離であるパッドピッチを小さくすることができる。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、リード面が設けられたボンディング対象が載置されるボンディングステージと、ボンディングワイヤが挿通されるキャピラリと、ボンディングステージに載置されたボンディング対象のリード面に、キャピラリ及びこのキャピラリに挿通されたボンディングワイヤを加圧接触させる加圧接触手段と、リード面にキャピラリが加圧接触されている際に、キャピラリの加圧方向と直交する方向においてキャピラリを渦巻状に回転させるスクラブ手段と、を有する制御部と、を含むボンディング装置を用意する工程と、ボンディング装置の制御部の指令に基づく加圧接触手段により、ボンディングステージに載置されたボンディング対象のリード面に、ボンディングワイヤが挿通されたキャピラリ及びこのキャピラリに挿通されたボンディングワイヤを加圧接触させる加圧接触工程と、ボンディング装置の制御部の指令に基づくスクラブ手段により、リード面にキャピラリが加圧接触されている際に、キャピラリの加圧方向と直交する方向においてキャピラリを渦巻状に回転させるスクラブ工程と、を有することを特徴とする。
本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、ボンディング対象のリード面にキャピラリ及びこのキャピラリに挿通されたボンディングワイヤが加圧接触されると、ボンディングワイヤがリード面に固着されるとともに、このボンディングワイヤがキャピラリとリード面との間に挟まれて切断される。そして、キャピラリを渦巻状に回転させることで、キャピラリがリード面に加圧接触された状態で渦巻状に擦り合わされるため、ボンディングワイヤの切断ミスを低減して、ボンディングワイヤの切断性を向上させることができる。
この場合、上記スクラブ工程は、キャピラリがリード面に接触した位置を基準位置として、この基準位置から径を拡大しながらキャピラリを渦巻状に回転させた後、径を縮小しながらキャピラリを渦巻状に回転させて基準位置に戻すことが好ましい。このボンディング方法によれば、キャピラリ及びボンディングワイヤがリード面に接触した位置を基準位置として、径を拡大しながらキャピラリを渦巻状に回転させた後、径を縮小しながらキャピラリを渦巻状に回転させて基準位置に戻すことで、キャピラリがリード面に加圧接触する位置と、キャピラリが加圧接触することによりリード面に発生するキャピラリの圧痕の位置とのズレを低減させることができる。これにより、ボンディングの更なる高精度化を図ることができ、リード面間の距離であるリードピッチをより小さくすることができる。
そして、上記スクラブ工程は、リード面が延在している場合、リード面の延在方向に沿って扁平した渦巻状にキャピラリを回転させることが好ましい。このボンディング方法によれば、リード面の延在方向に沿って扁平した渦巻状にキャピラリを回転させるため、リード面に形成されるキャピラリの圧痕の形状をリード面の形状に適合させることができる。このため、任意の方向に延びるリード面に対しても、ボンディングの高精度化を図ることができる。
本発明に係るボンディング装置は、リード面が設けられたボンディング対象が載置されるボンディングステージと、ボンディングワイヤが挿通されるキャピラリと、ボンディングステージに載置されたボンディング対象のリード面に、キャピラリ及びこのキャピラリに挿通されたボンディングワイヤを加圧接触させる加圧接触手段と、リード面にキャピラリが加圧接触されている際に、キャピラリの加圧方向と直交する方向においてキャピラリを渦巻状に回転させるスクラブ手段と、を有する制御部と、を含むことを特徴とする。
本発明に係るボンディング装置によれば、ボンディング対象のリード面にキャピラリ及びこのキャピラリに挿通されたボンディングワイヤが加圧接触されると、ボンディングワイヤがリード面に固着されるとともに、このボンディングワイヤがキャピラリとリード面との間に挟まれて切断される。そして、ボンディング対象が載置されたキャピラリを渦巻状に回転させることで、キャピラリがリード面に加圧接触された状態で渦巻状に擦り合わされるため、ボンディングワイヤの切断ミスを低減して、ボンディングワイヤの切断性を向上させることができる。
本発明によれば、半導体装置のパッド面にイニシャルボールをボンディングする場合に、イニシャルボールの潰れ代を小さくしてボンディング精度を向上させることができる。また、本発明によれば、基板のリード面にボンディングワイヤをボンディングする場合に、リード面に固着されたボンディングワイヤの切断性を向上させることができる。
第１の実施形態に係るワイヤボンディング装置の一例を示した図である。 ワイヤボンディング装置を用いたボンディング方法を示すフローチャートである。 図２に示した第１ボンディング工程を示すフローチャートである。 図２に示した第２ボンディング工程を示すフローチャートである。 （ａ）は、スクラブ動作を行うキャピラリの移動軌跡を示した図であり、（ｂ）は、Ｘ軸リニアモータ及びＹ軸リニアモータを駆動させるための指令位置を示した図である。 Ｘ軸の暫定指令位置とＹ軸の暫定指令位置とを示す図である。 Ｘ軸暫定指令位置及びＹ軸暫定指令位置の動作割合を示す図である。 イニシャルボールの潰れ代を説明するための図である。 第２の実施形態に係るバンプボンディング装置の一例を示した図である。 バンプボンディング装置を用いたボンディング方法を示すフローチャートである。 図１０に示したボンディング工程を示すフローチャートである。 （ａ）は、比較例における半導体装置及びパッド面の拡大写真を示しており、（ｂ）は、実施例における半導体装置及びパッド面の拡大写真を示している。 パッド面に固着されたイニシャルボールの直径を示す図表である。 （ａ）は、比較例におけるリード面の拡大写真を示しており、（ｂ）は、実施例におけるリード面の拡大写真を示している。 リード面に固着されたボンディングワイヤの引張強度を示す図表である。 （ａ）は、斜め方向に扁平した渦巻状にキャピラリを回転させるときの移動軌跡を示した図であり、（ｂ）は、（ａ）の場合におけるＸ軸リニアモータ及びＹ軸リニアモータを駆動させるための指令位置を示した図である。 （ａ）は、左右方向に扁平した渦巻状にキャピラリを回転させるときの移動軌跡を示した図であり、（ｂ）は、（ａ）の場合におけるＸ軸リニアモータ及びＹ軸リニアモータを駆動させるための指令位置を示した図である。
以下、図面を参照して、本発明に係るボンディング方法及びボンディング装置の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、全図中、同一又は相当部分には同一符号を付すこととする。
［第１実施形態］
図１は、第１の実施形態に係るワイヤボンディング装置の一例を示した図である。図１に示すように、第１の実施形態に係るワイヤボンディング装置１０は、キャピラリ１２に挿通されたボンディングワイヤ１１を用いてワイヤボンディングすることにより、半導体装置１に設けられたパッド面２と、この半導体装置１がボンディングされた基板３に設けられたリード面４とを、電気的に連結するものである。このため、ワイヤボンディング装置１０は、ボンディングワイヤ１１が挿通されるキャピラリ１２と、キャピラリ１２を保持するボンディングヘッド１５と、ボンディングヘッド１５を回転（揺動）させるアーム駆動モータ１６と、ボンディング対象の基板３が載置されるボンディングステージ１７と、ボンディングヘッド１５を水平方向であるＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させるＸＹ移動機構１８と、ワイヤボンディング装置１０を統括的に制御する制御部２０と、を備えている。
ボンディングヘッド１５は、ボンディングヘッド１５からボンディングステージ１７に向けて延びており、一端にキャピラリ１２を保持して他端に超音波振動を発生する振動子１３ａが設けられた超音波ホーン１３と、超音波ホーン１３を保持するボンディングアーム１４とにより構成されている。このため、アーム駆動モータ１６を回転駆動することで、超音波ホーン１３がキャピラリ１２を上下方向であるＺ軸方向に移動させて、ボンディングステージ１７に載置された基板３と半導体装置１とにボンディングワイヤ１１をボンディングすることができる。そして、超音波ホーン１３の振動子１３ａから超音波振動を発生させることで、ボンディングアーム１４に保持されているキャピラリ１２を振動させることができる。
アーム駆動モータ１６は、回転（揺動）駆動することでキャピラリ１２を上下方向であるＺ軸方向に移動させるものである。そして、アーム駆動モータ１６は、回転駆動の出力トルクを調整することで、キャピラリ１２に印加する荷重を調整することができる。
ＸＹ移動機構１８は、ボンディングヘッド１５をＸ軸方向に移動させるとともに、ボンディングヘッド１５をＹ軸方向に移動させるものである。このため、ＸＹ移動機構１８には、ボンディングヘッド１５をＸ軸方向に移動させるＸ軸リニアモータ１８ａと、ボンディングヘッド１５をＹ軸方向に移動させるＹ軸リニアモータ１８ｂとが設けられている。なお、ＸＹ移動機構１８は、例えば、リニアモータ機構などにより構成されており、Ｘ軸リニアモータ１８ａ及びＹ軸リニアモータ１８ｂが回転することで、ボンディングヘッド１５がＸ軸方向及びＹ軸方向に移動することが可能となる。そして、Ｘ軸リニアモータ１８ａ及びＹ軸リニアモータ１８ｂを回転させるとことで、ボンディングヘッド１５がＸ軸方向及びＹ軸方向に移動することにより、キャピラリ１２をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させることができる。
制御部２０は、超音波ホーン１３（振動子１３ａ）、アーム駆動モータ１６、Ｘ軸リニアモータ１８ａ及びＹ軸リニアモータ１８ｂと電気的に接続されており、超音波ホーン１３、アーム駆動モータ１６、Ｘ軸リニアモータ１８ａ及びＹ軸リニアモータ１８ｂを制御してワイヤボンディングを行わせるものである。このため、制御部２０には、アーム駆動モータ１６との間で信号の送受を行うアーム駆動モータＩ／Ｆ２１と、超音波ホーン１３との間で信号の送受を行う超音波ホーンＩ／Ｆ２２と、Ｘ軸リニアモータ１８ａとの間で信号の送受を行うＸ軸リニアモータＩ／Ｆ２３と、Ｙ軸リニアモータ１８ｂとの間で信号の送受を行うＹ軸リニアモータＩ／Ｆ２４と、キーボードなどの入力装置であって作業者からの各種制御情報の入力を受け付ける入力部２５と、モニタなどの表示装置であって制御部２０の各種制御情報を表示する出力部２６と、各種プログラムが格納されるメモリ２７と、ボンディング制御を行うＣＰＵ２８と、が設けられている。
次に、図２〜図４を参照して、ワイヤボンディング装置１０の処理動作について説明する。図２は、ワイヤボンディング装置を用いたボンディング方法を示すフローチャートである。図３は、図２に示した第１ボンディング工程を示すフローチャートである。図４は、図２に示した第２ボンディング工程を示すフローチャートである。
図２に示すように、ワイヤボンディング装置１０は、まず、第１ボンディング工程を行う（ステップＳ１）。
図３に示すように、ステップＳ１の第１ボンディング工程では、まず、加圧接触工程を行う（ステップＳ１１）。加圧接触工程では、アーム駆動モータ１６を回転駆動させることによりキャピラリ１２を下降させる。このとき、キャピラリ１２に挿通されているボンディングワイヤ１１のテールには、球状のイニシャルボール１１ａが形成されているため、キャピラリ１２を下降させることにより、イニシャルボール１１ａがパッド面２に当接する。そして、イニシャルボール１１ａがパッド面２に当接すると、アーム駆動モータ１６の出力トルクを調整することで、キャピラリ１２を介してイニシャルボール１１ａに所定の荷重を印加して、イニシャルボール１１ａをパッド面２に加圧接触させる。
次に、スクラブ工程を行う（ステップＳ１２）。スクラブ工程では、イニシャルボール１１ａがパッド面２に加圧接触されると、ボンディングヘッド１５を移動させてキャピラリ１２を渦巻状に回転させるスクラブ動作を行う。なお、スクラブ動作は、イニシャルボール１１ａがパッド面２に加圧接触されている間に行われれば、後述する超音波振動印加工程における超音波振動の発生期間に関わらず如何なる期間に行ってもよい。
ここで、図５を参照して、ステップＳ１２のスクラブ動作について説明する。図５（ａ）は、スクラブ動作を行うキャピラリの移動軌跡を示した図であり、図５（ｂ）は、Ｘ軸リニアモータ及びＹ軸リニアモータを駆動させるための指令位置を示した図である。
図５（ａ）に示すように、スクラブ動作は、Ｘ軸リニアモータ及びＹ軸リニアモータを駆動させることで、ボンディングヘッド１５に保持されたキャピラリ１２を渦巻状に回転させて、イニシャルボール１１ａをパッド面２に対して渦巻状に回転させるものである。
具体的に説明すると、スクラブ動作は、イニシャルボール１１ａがパッド面２に接触したときの位置を基準位置（０，０）とする。そして、この基準位置から回転半径を拡大させながらキャピラリ１２を渦巻状に回転させていき、この回転半径が最大になると、回転半径を縮小させながらキャピラリ１２を渦巻状に回転させていき、キャピラリ１２を基準位置に戻す。なお、パッド面２が３５μｍ四方の正方形で、イニシャルボール１１ａが直径２０μｍの球状である場合、渦巻状に回転させる最大径（直径）は、約２０μｍ程度となる。
そして、このスクラブ動作は、図５（ｂ）に示すＸ軸指令位置ｘおよびＹ軸指令位置ｙに基づいて、制御部２０がＸ軸リニアモータ１８ａ及びＹ軸リニアモータ１８ｂに対して駆動制御することにより行われる。
ここで、図６及び図７を参照して、図５（ｂ）に示すＸ軸指令位置ｘ及びＹ軸指令位置ｙを算出する方法について説明する。図６は、Ｘ軸の暫定指令位置とＹ軸の暫定指令位置とを示す図である。図７は、Ｘ軸暫定指令位置及びＹ軸暫定指令位置の動作割合を示す図である。
まず、図６に示すように、円動作の基本動作となる正弦波を用いて、Ｘ軸の指令位置となるＸ軸暫定指令位置ｘ１とＹ軸の指令位置となるＹ軸暫定指令位置ｙ１とを作成する。Ｘ軸暫定指令位置ｘ１は、３周期のサインカーブを当てはめ、Ｙ軸暫定指令位置ｙ１は、Ｘ軸暫定指令位置ｘ１と９０°位相のずれた３周期のコサインカーブを当てはめる。
次に、図７に示すように、Ｘ軸暫定指令位置ｘ１及びＹ軸暫定指令位置ｙ１の動作割合を作成する。すなわち、図７に示す動作割合は、キャピラリ１２が移動する速度比率を示している。この動作割合は、始めの１周期を０から１まで直線的に上昇し、次の１周期を１のまま維持し、最後の１周期を１から０まで直線的に下降する。これにより、キャピラリ１２の移動速度は、１周期目は、速度比率０の状態からリニアに加速して速度比率１に至り、２周期目は速度比率１で一定速度となり、３周期目は、速度比率１の状態からリニアに減速して速度比率０に至り、停止状態となる。
そして、図６に示すＸ軸暫定指令位置ｘ１及びＹ軸暫定指令位置ｙ１に、図７に示す動作割合を合成することで、図５（ｂ）に示すＸ軸指令位置ｘ及びＹ軸指令位置ｙを算出する。
このようにして、キャピラリ１２を移動させてスクラブ動作を行わせると、イニシャルボール１１ａとパッド面２とが擦り合わされることにより、パッド面２の表層に形成されている酸化膜（不図示）が破れて、イニシャルボール１１ａがパッド面２に固着される。このとき、図８に示すように、イニシャルボール１１ａは、パッド面２に擦り合わされて潰れて、スクラブ動作の半径方向において外方に向けて押し広げられる潰れ代１１ｂが発生する。ところが、スクラブ動作としてキャピラリ１２を渦巻状に回転させることで、キャピラリ１２を最大径で回転させているときにイニシャルボール１１ａとパッド面２とが擦り合わされる時間及び距離が短くなるとともに、イニシャルボール１１ａに加えられる力を回転中心方向に収束させることができるため、潰れ代１１ｂが広がらずにその発生が抑制される。
次に、超音波振動印加工程を行う（ステップＳ１３）。超音波振動印加工程では、イニシャルボール１１ａがパッド面２に加圧接触されると、超音波ホーン１３の振動子１３ａから超音波振動を発生させる。すると、振動子１３ａで発生された超音波振動は、超音波ホーン１３及びキャピラリ１２を介してイニシャルボール１１ａに伝達される。すると、イニシャルボール１１ａが超音波振動することにより、イニシャルボール１１ａとパッド面２とが微細に擦れ合い、イニシャルボール１１ａがリード面４に強固に固着される。
このようにして第１ボンディング工程が終了すると、図２に示すように、ワイヤループ形成工程を行う（ステップＳ２）。ワイヤループ形成工程では、パッド面２にイニシャルボール１１ａが固着されたボンディングワイヤ１１をキャピラリ１２から繰り出しながらワイヤループを形成し、ボンディングワイヤ１１をリード面４に当接させる。
次に、第２ボンディング工程を行う（ステップＳ３）。
図４に示すように、ステップＳ３の第２ボンディング工程では、まず、加圧接触工程を行う（ステップＳ３１）。加圧接触工程では、アーム駆動モータ１６を回転駆動させることによりキャピラリ１２を下降させて、ボンディングワイヤ１１とキャピラリ１２とをリード面４に当接させる。すなわち、アーム駆動モータ１６の出力トルクを調整することで、キャピラリ１２に所定の荷重を印加して、ボンディングワイヤ１１がキャピラリ１２で押し潰される程度に、キャピラリ１２をリード面４に加圧接触させる。これにより、ボンディングワイヤ１１がリード面４に固着される。
次に、スクラブ工程を行う（ステップＳ３２）。スクラブ工程では、第１ボンディング工程（ステップＳ１）におけるスクラブ工程（ステップＳ１２）と同様に、キャピラリ１２を渦巻状に回転させるスクラブ動作を行う。すると、このスクラブ動作により、ボンディングワイヤ１１がキャピラリ１２とリード面４との間に押し潰される。
次に、超音波振動印加工程を行う（ステップＳ３３）。超音波振動印加工程では、第１ボンディング工程（ステップＳ１）における超音波振動印加工程（ステップＳ１３）と同様に、超音波ホーン１３の振動子１３ａから超音波振動を発生させて、イニシャルボール１１ａに超音波振動を印加する。すると、イニシャルボール１１ａがリード面４に固着される。
このようにして第２ボンディング工程が終了すると、図２に示すように、ワイヤカット工程を行う（ステップＳ４）。ワイヤカット工程では、まず、アーム駆動モータ１６を回転駆動させることによりキャピラリ１２を上昇させて、所定長さだけボンディングワイヤ１１をキャピラリ１２から繰り出す。その後、このボンディングワイヤ１１をクランプした状態（不図示）で再度キャピラリ１２を上昇させることで、ボンディングワイヤ１１のテールをカットする。これにより、パッド面２とリード面４とは、ワイヤループが形成されたボンディングワイヤ１１により電気的に連結される。
そして、最後に、イニシャルボール形成工程を行う（ステップ５）。イニシャルボール形成工程では、ワイヤカット工程（ステップＳ４）においてカットされたボンディングワイヤ１１のテール（先端部）に電気トーチによる放電などを行い、ボンディングワイヤ１１のテールに球状のイニシャルボール１１ａを形成する。
［第２実施形態］
図９は、第２の実施形態に係るバンプボンディング装置の一例を示した図である。図９に示すように、第２の実施形態に係るバンプボンディング装置３０は、キャピラリ１２に挿通されたボンディングワイヤ１１をボンディングすることにより、基板６に固着された１又は複数の半導体装置７の各々に形成されたパッド面８にバンプを形成するものである。バンプボンディング装置３０は、第１の実施形態に係るワイヤボンディング装置１０と比較して、ボンディング対象及びボンディング方法が異なるものの、基本的な構成は同じである。このため、バンプボンディング装置３０は、ワイヤボンディング装置１０と同様に、ボンディングワイヤ１１が挿通されるキャピラリ１２と、キャピラリを保持するボンディングヘッド１５と、ボンディングヘッド１５を回転（揺動）させるアーム駆動モータ１６と、ボンディング対象の基板６が載置されるボンディングステージ１７と、ボンディングステージ１７を水平方向であるＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させるＸＹ移動機構１８と、バンプボンディング装置３０を統括的に制御する制御部４０と、を備えている。そして、ボンディングヘッド１５は、一端にキャピラリ１２を保持して他端に超音波振動を発生する振動子１３ａが設けられた超音波ホーン１３と、超音波ホーン１３を保持するボンディングアーム１４とにより構成されている。
制御部４０は、超音波ホーン１３（振動子１３ａ）、アーム駆動モータ１６、Ｘ軸リニアモータ１８ａ及びＹ軸リニアモータ１８ｂと電気的に接続されており、超音波ホーン１３、アーム駆動モータ１６、Ｘ軸リニアモータ１８ａ及びＹ軸リニアモータ１８ｂを制御して、半導体装置７のパッド面８にバンプを形成させるものである。このため、制御部４０には、アーム駆動モータ１６との間で信号の送受を行うアーム駆動モータＩ／Ｆ２１と、超音波ホーン１３との間で信号の送受を行う超音波ホーンＩ／Ｆ２２と、Ｘ軸リニアモータ１８ａとの間で信号の送受を行うＸ軸リニアモータＩ／Ｆ２３と、Ｙ軸リニアモータ１８ｂとの間で信号の送受を行うＹ軸リニアモータＩ／Ｆ２４と、キーボードなどの入力装置であって作業者からの各種制御情報の入力を受け付ける入力部２５と、モニタなどの表示装置であって制御部２０の各種制御情報を表示する出力部２６と、各種プログラムが格納されるメモリ２７と、ボンディング制御を行うＣＰＵ２８と、が設けられている。
次に、図１０及び図１１を参照して、バンプボンディング装置３０の処理動作について説明する。図１０は、バンプボンディング装置を用いたボンディング方法を示すフローチャートである。図１１は、図１０に示したボンディング工程を示すフローチャートである。
図１０に示すように、バンプボンディング装置３０は、まず、ボンディング工程を行う（ステップＳ６）。
図１１に示すように、ステップＳ６のボンディング工程では、まず、加圧接触工程を行う（ステップＳ６１）。加圧接触工程では、第１の実施形態における加圧接触工程（ステップＳ１１）と同様に、キャピラリ１２を下降させるとともにイニシャルボール１１ａに所定の荷重を印加して、イニシャルボール１１ａをパッド面８に加圧接触させる。
次に、スクラブ工程を行う（ステップＳ６２）。スクラブ工程では、イニシャルボール１１ａがパッド面８に加圧接触されると、第１の実施形態のスクラブ工程（ステップＳ１２）と同様に、ボンディングヘッド１５を移動させてキャピラリ１２を渦巻状に回転させるスクラブ動作を行う。すると、このスクラブ動作により、イニシャルボール１１ａとパッド面８とが擦り合わされて、パッド面８の表層に形成されている酸化膜（不図示）が破れ、イニシャルボール１１ａがパッド面８に固着される。このとき、スクラブ動作としてキャピラリ１２を渦巻状に回転させているため、キャピラリ１２を最大径で回転させているときにイニシャルボール１１ａとパッド面８とが擦り合わされる時間及び距離が短くなるとともに、イニシャルボール１１ａに加えられる力を回転中心方向に収束させることができるため、潰れ代１１ｂが広がらずにその発生が抑制される。
次に、超音波振動印加工程を行う（ステップＳ６３）。超音波振動印加工程では、第１の実施形態における超音波振動印加工程（ステップＳ１３）と同様に、超音波ホーン１３の振動子１３ａから超音波振動を発生させて、イニシャルボール１１ａに超音波振動を印加する。
このようにしてボンディング工程が終了すると、図１０に示すように、バンプ形成工程を行う（ステップＳ７）。バンプ形成工程では、まず、アーム駆動モータ１６を回転駆動させることによりキャピラリ１２を上昇させて、所定長さだけボンディングワイヤ１１をキャピラリ１２から繰り出す。その後、このボンディングワイヤ１１をクランプした状態（不図示）で再度キャピラリ１２を上昇させることで、ボンディングワイヤ１１のテールをカットする。これにより、パッド面８には、パッド面８に固着されたイニシャルボール１１ａによりバンプが形成される。
そして、最後に、イニシャルボール形成工程を行う（ステップＳ８）。イニシャルボール形成工程では、第１の実施形態におけるイニシャルボール形成工程（ステップＳ５）と同様に、ワイヤカット工程（ステップＳ４）においてカットされたボンディングワイヤ１１のテール（先端部）に電気トーチによる放電などを行い、ボンディングワイヤ１１のテールに球状のイニシャルボール１１ａを形成する。
次に、本発明の実施例について説明する。
本発明の実施例として、第１の実施形態に係るワイヤボンディング装置１０を用いて、ワイヤボンディングを行った。
実施例の比較例として、スクラブ工程を行わずに第１ボンディング工程及び第２ボンディング工程を行うワイヤボンディング装置を用いて、ワイヤボンディングを行った。
そして、第１ボンディング工程によりイニシャルボール１１ａがボンディングされた半導体装置１のパッド面２を観察することで、パッド面２に固着されたイニシャルボール１１ａの寸法について検証し（第１ボンディング工程の検証）、第２ボンディング工程によりボンディングワイヤ１１がボンディングされた基板３のリード面４を観察することで、リード面４に固着されたボンディングワイヤ１１の引張強度について検証した（第２ボンディング工程の検証）。
［第１ボンディング工程の検証］
まず、第１ボンディング工程によりパッド面２に固着されたイニシャルボール１１ａの寸法について検証する。
第１ボンディング工程の実験条件を、
［実施例］
・超音波振動印加時間：１０ｍｓ
・キャピラリに印加する荷重：１３０ｇｆ
・荷重を印加する時間：１３ｍｓ
・スクラブ動作：渦巻スクラブ、最大径は１０μｍ、３周回転、周波数は２５０Ｈｚ
［比較例］
・超音波振動印加時間：１０ｍｓ
・キャピラリに印加する荷重：１７０ｇｆ
・荷重を印加する時間：１３ｍｓ
・スクラブ動作：なし
とした。
図１２（ａ）は、比較例における半導体装置及びパッド面の拡大写真を示しており、図１２（ｂ）は、実施例における半導体装置及びパッド面の拡大写真を示している。図１２（ａ）及び図１２（ｂ）において、中央の写真は、半導体装置１全体を拡大した写真であり、半導体装置１の周辺の写真は、半導体装置１に設けられた１２個のパッド面２を拡大した写真である。そして、各パッド面２を拡大した写真において、枠内の正方形がパッド面２であり、パッド面２内の中央部の円がイニシャルボール１１ａであり、このイニシャルボール１１ａの外側のリング（円環）が潰れ代１１ｂである。図１２（ａ）と図１２（ｂ）とを対比すると明らかなように、比較例は、潰れ代１１ｂが大きく発生してイニシャルボール１１ａがパッド面２からはみ出しているのに対し、実施例は、潰れ代１１ｂの発生が抑制されてイニシャルボール１１ａパッド面２に収まっていることが分かる。
イニシャルボール１１ａの寸法の検証は、半導体装置１に１２箇所設けられたパッド面２にボンディングされているイニシャルボール１１ａの直径（直交するＸ軸方向とＹ軸方向におけるイニシャルボールの直径）を測定した。なお、測定回数は、半導体装置１に設けられたパッド面２の個数である１２回とした。
上記条件の下で実施例と比較例とを検証した結果、イニシャルボール１１ａの直径は図１３となった。なお、図１３において、“Ｘ”は、Ｘ軸方向のイニシャルボール１１ａの直径を示しており、“Ｙ”は、Ｘ軸に直交するＹ軸方向のイニシャルボール１１ａの直径を示している。また、“Ｍａｘ”は、各直径の最大値を示しており、“Ｍｉｎ”は、各直径の最大値を示しており、“Ａｖｅ”は、各直径の平均値を示しており、“σ”は、標準偏差（ばらつき）を示している。
図１３を参照すると分かるように、実施例は、比較例に対してパッド面２にボンディングされたイニシャルボール１１ａの直径が小さくなっている。すなわち、実施例では、比較例よりもボンディングによるイニシャルボール１１ａの潰れ代１１ｂが小さくなった。この結果から、実施例では、キャピラリ１２を渦巻状に回転させるスクラブ動作を行うことで、パッド面２にイニシャルボール１１ａをボンディングする際に、イニシャルボール１１ａの潰れ代１１ｂの発生を小さく抑えることができることが分かった。
［第２ボンディング工程の検証］
次に、第２ボンディング工程によりリード面４に固着されたボンディングワイヤ１１の引張強度について検証する。
第２ボンディング工程の実験条件を、
［実施例］
・超音波振動印加時間：４ｍｓ
・キャピラリに印加する荷重：５０ｇｆ
・荷重を印加する時間：７ｍｓ
・スクラブ動作：渦巻スクラブ、最大径は５μｍ、３周回転、周波数は３５０Ｈｚ
［比較例］
・超音波振動印加時間：４ｍｓ
・キャピラリに印加する荷重：５０ｇｆ
・荷重を印加する時間：７ｍｓ
・スクラブ動作：直線スクラブ、最大直線長さは６μｍ、直線３回往復移動
とした。
図１４（ａ）は、比較例におけるリード面の拡大写真を示しており、図１４（ｂ）は、実施例におけるリード面の拡大写真を示している。図１４（ａ）及び図１４（ｂ）において、各写真は、半導体装置１の周囲に設けられたリード面４を拡大した写真である。そして、各写真において、上下、左右、斜めに延びる太い短冊状のものがリード面４であり、リード面４の中央の円弧がキャピラリ１２の圧痕であり、この圧痕からリード面４に沿って延びるものがボンディングワイヤ１１である。図１４（ａ）と図１４（ｂ）とを対比すると明らかなように、比較例は、キャピラリ１２がリード面４に加圧接触されることにより発生する圧痕が不明瞭であるのに対し、実施例は、この圧痕が明瞭に発生しているため、ボンディングワイヤ１１がより切断されやすくなっていることが分かる。
ボンディングワイヤ１１の引張強度の検証は、半導体装置１に１２箇所設けられた各リード面４に固着されているボンディングワイヤ１１の引張強度を測定した。なお、測定回数は、半導体装置１に設けられたリード面４の個数である１２回とした。
上記条件の下で実施例と比較例とを検証した結果、ボンディングワイヤ１１の引張強度は図１５となった。なお、図１５において、“圧着幅”は、リード面４に圧着されているボンディングワイヤ１１の幅を示しており、“引張強度”は、リード面４に圧着されているボンディングワイヤ１１の引張強度を示している。また、“Ｍａｘ”は、各直径の最大値を示しており、“Ｍｉｎ”は、各直径の最大値を示しており、“Ａｖｅ”は、各直径の平均値を示しており、“σ”は、標準偏差（ばらつき）を示している。
図１５を参照すると分かるように、実施例と比較例とでは、引張強度がほぼ同じ値となっている。この結果から、実施例において、キャピラリ１２を渦巻状に回転させるスクラブ動作を行うことで、リード面４に固着されたボンディングワイヤ１１の引張強度を殆ど低下させることなく、このボンディングワイヤ１１の切断性を向上できることが分かった。
このように、上記実施形態に係るワイヤボンディング装置１０及びバンプボンディング装置３０によれば、半導体装置１，７のパッド面２，８にイニシャルボール１１ａが加圧接触されると、キャピラリ１２を回転させることで、パッド面２，８とイニシャルボール１１ａとが加圧接触された状態で擦り合わされるため、パッド面２，８にイニシャルボール１１ａが固着される。このとき、キャピラリ１２を渦巻状に回転させることで、イニシャルボール１１ａに加えられる力を回転中心方向に収束させることができるため、パッド面２，８とイニシャルボール１１ａとが擦り合わされる時間及び距離を十分に確保しながら、パッド面２，８とイニシャルボール１１ａとが最大径で擦り合わされる時間及び距離を低減させることができる。これにより、キャピラリ１２を移動させることにより発生するイニシャルボール１１ａの潰れ代１１ｂを減らすことができるため、ボンディングの高精度化を図ることができるとともに、パッド面２，８間の距離であるパッドピッチを小さくすることができる。
そして、イニシャルボール１１ａがパッド面２，８に接触した位置を基準位置として、径を拡大しながらキャピラリ１２を渦巻状に回転させた後、径を縮小しながらキャピラリ１２を渦巻状に回転させて基準位置に戻すことで、イニシャルボール１１ａをパッド面２，８に加圧接触させる位置とイニシャルボール１１ａがパッド面２，８に固着する位置とのズレを低減させることができる。これにより、ボンディングの更なる高精度化を図ることができ、パッド面２，８間の距離であるパッドピッチをより小さくすることができる。
また、第１の実施形態に係るワイヤボンディング装置１０によれば、基板６のリード面４にキャピラリ１２及びこのキャピラリ１２に挿通されたボンディングワイヤ１１が加圧接触されると、ボンディングワイヤ１１がリード面４に固着されるとともに、このボンディングワイヤ１１がキャピラリ１２とリード面４との間に挟まれて切断される。そして、キャピラリ１２を渦巻状に回転させることで、キャピラリ１２がリード面４に加圧接触された状態で渦巻状に擦り合わされるため、ボンディングワイヤ１１の切断ミスを低減して、ボンディングワイヤ１１の切断性を向上させることができる。
そして、キャピラリ１２及びボンディングワイヤ１１がリード面４に接触した位置を基準位置として、径を拡大しながらキャピラリ１２を渦巻状に回転させた後、径を縮小しながらキャピラリ１２を渦巻状に回転させて基準位置に戻すことで、キャピラリ１２がリード面４に加圧接触する位置と、キャピラリ１２が加圧接触することによりリード面４に発生するキャピラリ１２の圧痕の位置とのズレを低減させることができる。これにより、ボンディングの更なる高精度化を図ることができ、リード面４間の距離であるリードピッチをより小さくすることができる。
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態において、スクラブ動作は、単純な渦巻状にキャピラリ１２を回転させるものとして説明したが、パッド面２，８及びリード面４が所定幅の短冊状（線状）に形成されて所定方向に延在している場合は、図１６及び図１７に示すように、パッド面２，８及びリード面４の延在方向に沿って扁平した渦巻状にキャピラリ１２を回転させてもよい。すなわち、パッド面２、８及びリード面４の延在方向に向けて伸長し、この延在方向に直交する方向に短縮した楕円渦巻状にキャピラリ１２を回転させるものとしてもよい。図１６（ａ）は、斜め方向に扁平した渦巻状にキャピラリを回転させるときの移動軌跡を示した図であり、図１６（ｂ）は、（ａ）の場合におけるＸ軸リニアモータ及びＹ軸リニアモータを駆動させるための指令位置を示した図である。図１７（ａ）は、左右方向に扁平した渦巻状にキャピラリを回転させるときの移動軌跡を示した図である。図１７（ｂ）は、（ａ）の場合におけるＸ軸リニアモータ及びＹ軸リニアモータを駆動させるための指令位置を示した図である。
そして、パッド面２，８にイニシャルボール１１ａをボンディングする場合は、パッド面２，８の延在方向に沿って扁平した渦巻状にキャピラリ１２を回転させるため、パッド面２，８に固着されるイニシャルボール１１ａの形状をパッド面の形状に適合させることができる。このため、任意の方向に延びるパッド面２，８に対しても、ボンディングの高精度化を図ることができる。一方、リード面４にボンディングワイヤ１１をボンディングする場合は、リード面４の延在方向に沿って扁平した渦巻状にキャピラリ１２を回転させるため、リード面４に形成されるキャピラリ１２の圧痕の形状をリード面４の形状に適合させることができる。このため、任意の方向に延びるリード面４に対しても、ボンディングの高精度化を図ることができる。
また、上記実施形態では、スクラブ動作として、渦巻状にキャピラリ１２を３回転させるものとして説明したが、如何なる回数で回転させてもよく、径を拡大させながら回転させるときの回転数、最大径での回転数、径を縮小させながら回転させるときの回転数は、何れも特に制限されない。但し、最大径での回転数は、イニシャルボール１１ａの潰れ代１１ｂが拡大するのを防止するために、１回転のみとするのが好ましい。
１…半導体装置、２…パッド面、３…基板、４…リード面、６…基板、７…半導体装置、８…パッド面、１０…ワイヤボンディング装置、１１…ボンディングワイヤ、１１ａ…イニシャルボール、１１ｂ…潰れ代、１２…キャピラリ、１３…超音波ホーン、１４…ボンディングアーム、１５…ボンディングヘッド、１６…アーム駆動モータ、１７…ボンディングステージ、１８…移動機構、１８ａ…Ｘ軸リニアモータ、１８ｂ…Ｙ軸リニアモータ、２０…制御部、２１…アーム駆動モータＩ／Ｆ、２２…超音波ホーンＩ／Ｆ、２３…Ｘ軸リニアモータＩ／Ｆ、２４…Ｙ軸リニアモータＩ／Ｆ、２５…入力部、２６…出力部、２７…メモリ、２８…ＣＰＵ、３０…バンプボンディング装置、４０…制御部、Ｏ…基準位置。

Claims (8)

  1. パッド面が設けられたボンディング対象が載置されるボンディングステージと、
    先端にイニシャルボールが形成されたボンディングワイヤが挿通されるキャピラリと、
    ボンディングステージに載置されたボンディング対象のパッド面にイニシャルボールを加圧接触させる加圧接触手段と、パッド面にイニシャルボールが加圧接触されている際に、イニシャルボールの加圧方向と直交する方向においてキャピラリを渦巻状に回転させるスクラブ手段と、を有する制御部と、
    を含むボンディング装置を用意する工程と、
    ボンディング装置の制御部の指令に基づく加圧接触手段により、ボンディングステージに載置されたボンディング対象のパッド面に、キャピラリに挿通されたボンディングワイヤの先端に形成されたイニシャルボールを加圧接触させる加圧接触工程と、
    ボンディング装置の制御部の指令に基づくスクラブ手段により、パッド面にイニシャルボールが加圧接触されている際に、イニシャルボールの加圧方向と直交する方向においてキャピラリを渦巻状に回転させるスクラブ工程と、
    を含む半導体装置の製造方法。
  2. スクラブ工程は、イニシャルボールがパッド面に接触した位置を基準位置として、この基準位置から径を拡大しながらキャピラリを渦巻状に回転させた後、径を縮小しながらキャピラリを渦巻状に回転させて基準位置に戻す、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  3. スクラブ工程は、パッド面が延在している場合、パッド面の延在方向に沿って扁平した渦巻状にキャピラリを回転させる、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  4. パッド面が設けられたボンディング対象が載置されるボンディングステージと、
    先端にイニシャルボールが形成されたボンディングワイヤが挿通されるキャピラリと、
    ボンディングステージに載置されたボンディング対象のパッド面にイニシャルボールを加圧接触させる加圧接触手段と、パッド面にイニシャルボールが加圧接触されている際に、イニシャルボールの加圧方向と直交する方向においてキャピラリを渦巻状に回転させるスクラブ手段と、を有する制御部と、
    を含むボンディング装置。
  5. リード面が設けられたボンディング対象が載置されるボンディングステージと、
    ボンディングワイヤが挿通されるキャピラリと、
    ボンディングステージに載置されたボンディング対象のリード面に、キャピラリ及びこのキャピラリに挿通されたボンディングワイヤを加圧接触させる加圧接触手段と、リード面にキャピラリが加圧接触されている際に、キャピラリの加圧方向と直交する方向においてキャピラリを渦巻状に回転させるスクラブ手段と、を有する制御部と、
    を含むボンディング装置を用意する工程と、
    ボンディング装置の制御部の指令に基づく加圧接触手段により、ボンディングステージに載置されたボンディング対象のリード面に、ボンディングワイヤが挿通されたキャピラリ及びこのキャピラリに挿通されたボンディングワイヤを加圧接触させる加圧接触工程と、
    ボンディング装置の制御部の指令に基づくスクラブ手段により、リード面にキャピラリが加圧接触されている際に、キャピラリの加圧方向と直交する方向においてキャピラリを渦巻状に回転させるスクラブ工程と、
    を含む半導体装置の製造方法。
  6. スクラブ工程は、キャピラリがリード面に接触した位置を基準位置として、この基準位置から径を拡大しながらキャピラリを渦巻状に回転させた後、径を縮小しながらキャピラリを渦巻状に回転させて基準位置に戻す、請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
  7. スクラブ工程は、リード面が延在している場合、リード面の延在方向に沿って扁平した渦巻状にキャピラリを回転させる、請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
  8. リード面が設けられたボンディング対象が載置されるボンディングステージと、
    ボンディングワイヤが挿通されるキャピラリと、
    ボンディングステージに載置されたボンディング対象のリード面に、キャピラリ及びこのキャピラリに挿通されたボンディングワイヤを加圧接触させる加圧接触手段と、リード面にキャピラリが加圧接触されている際に、キャピラリの加圧方向と直交する方向においてキャピラリを渦巻状に回転させるスクラブ手段と、を有する制御部と、
    を含むボンディング装置。
JP2009039448A 2009-02-23 2009-02-23 半導体装置の製造方法およびボンディング装置 Active JP4595018B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009039448A JP4595018B2 (ja) 2009-02-23 2009-02-23 半導体装置の製造方法およびボンディング装置
CN201080008761.1A CN102326241B (zh) 2009-02-23 2010-01-25 半导体装置的制造方法以及焊接装置
PCT/JP2010/050910 WO2010095490A1 (ja) 2009-02-23 2010-01-25 半導体装置の製造方法およびボンディング装置
SG2011060969A SG173828A1 (en) 2009-02-23 2010-01-25 Method for manufacturing semiconductor device, and bonding apparatus
US13/214,682 US8292160B2 (en) 2009-02-23 2011-08-22 Method of manufacturing semiconductor device, and bonding apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009039448A JP4595018B2 (ja) 2009-02-23 2009-02-23 半導体装置の製造方法およびボンディング装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2010199142A JP2010199142A (ja) 2010-09-09
JP2010199142A5 JP2010199142A5 (ja) 2010-10-21
JP4595018B2 true JP4595018B2 (ja) 2010-12-08

Family

ID=42633776

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009039448A Active JP4595018B2 (ja) 2009-02-23 2009-02-23 半導体装置の製造方法およびボンディング装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8292160B2 (ja)
JP (1) JP4595018B2 (ja)
CN (1) CN102326241B (ja)
SG (1) SG173828A1 (ja)
WO (1) WO2010095490A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11404393B2 (en) 2018-08-23 2022-08-02 Kaijo Corporation Wire bonding method and wire bonding device

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011080534A1 (de) * 2011-08-05 2013-02-07 Hesse & Knipps Gmbh Verfahren zum Ultraschallbonden
TWI541920B (zh) * 2013-07-23 2016-07-11 矽品精密工業股份有限公司 打線結構之製法
MY171264A (en) 2014-03-28 2019-10-07 Nxp Usa Inc Wire bonding method employing two scrub settings
USD771168S1 (en) 2014-10-31 2016-11-08 Coorstek, Inc. Wire bonding ceramic capillary
USD797826S1 (en) 2015-02-03 2017-09-19 Coorstek, Inc. Ceramic bonding tool with textured tip
USD797171S1 (en) 2015-02-03 2017-09-12 Coorstek, Inc. Ceramic bonding tool with textured tip
USD797172S1 (en) 2015-02-03 2017-09-12 Coorstek, Inc. Ceramic bonding tool with textured tip
USD753739S1 (en) 2015-04-17 2016-04-12 Coorstek, Inc. Wire bonding wedge tool
USD868123S1 (en) 2016-12-20 2019-11-26 Coorstek, Inc. Wire bonding wedge tool
JP6688725B2 (ja) * 2016-12-26 2020-04-28 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
WO2019232718A1 (en) * 2018-06-06 2019-12-12 Texas Instruments Incorporated Ball bond attachment for semiconductor die
US11205937B2 (en) 2018-07-18 2021-12-21 Asm Technology Singapore Pte Ltd Driving system having reduced vibration transmission
US11901329B2 (en) * 2019-06-17 2024-02-13 Kaijo Corporation Wire bonding method and wire bonding apparatus

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0377338A (ja) * 1989-08-21 1991-04-02 Fujitsu Ltd ワイヤボンディング装置
JPH04372146A (ja) * 1991-06-21 1992-12-25 Toshiba Corp ワイヤボンディング装置
JPH06295941A (ja) * 1993-04-08 1994-10-21 Nec Kansai Ltd ワイヤボンディング装置

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4437604A (en) * 1982-03-15 1984-03-20 Kulicke & Soffa Industries, Inc. Method of making fine wire interconnections
JP2530224B2 (ja) 1989-05-15 1996-09-04 株式会社新川 ワイヤボンデイング方法
US5121329A (en) * 1989-10-30 1992-06-09 Stratasys, Inc. Apparatus and method for creating three-dimensional objects
US5459672A (en) * 1990-07-30 1995-10-17 Hughes Aircraft Company Electrical interconnect integrity measuring method
JP2748770B2 (ja) * 1992-05-13 1998-05-13 日本電気株式会社 ワイヤボンディング方法
JP3086158B2 (ja) * 1995-07-26 2000-09-11 株式会社日立製作所 超音波ボンディング方法
DE69832274T2 (de) * 1997-05-28 2006-08-03 Synaptics (Uk) Ltd., Harston Verfahren und drahtbond-vorrichtung zur herstellung eines wandlers
US6090183A (en) * 1998-09-25 2000-07-18 Awaji; Toshio Method and apparatus for processing exhaust gas produced during manufacturing of semi-conductor devices
ATE371265T1 (de) * 2000-04-20 2007-09-15 Elwyn Paul Michael Wakefield Verfahren zur herstellung elektrischer/mechanischer verbindungen
JP3323185B2 (ja) * 2000-06-19 2002-09-09 田中電子工業株式会社 半導体素子接続用金線
US7077916B2 (en) * 2002-03-11 2006-07-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Substrate cleaning method and cleaning apparatus
JP4018057B2 (ja) * 2003-03-31 2007-12-05 株式会社新川 ボンディング装置
JP2005218579A (ja) * 2004-02-04 2005-08-18 Funai Electric Co Ltd 自走式掃除機
US7259354B2 (en) * 2004-08-04 2007-08-21 Electro Scientific Industries, Inc. Methods for processing holes by moving precisely timed laser pulses in circular and spiral trajectories
WO2006036669A1 (en) * 2004-09-22 2006-04-06 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Motion control device for wire bonder bondhead
US7731078B2 (en) * 2004-11-13 2010-06-08 Stats Chippac Ltd. Semiconductor system with fine pitch lead fingers
WO2006080155A1 (ja) * 2005-01-27 2006-08-03 Trinity Industrial Corporation 塗装機洗浄用ホッパ
US7326640B2 (en) * 2005-07-13 2008-02-05 National Chung Cheng University Method of realizing thermosonic wire bonding between metal wires and copper pads by depositing a thin film to surface of semiconductor chip with copper pads
US7597231B2 (en) * 2006-04-10 2009-10-06 Small Precision Tools Inc. Wire bonding capillary tool having multiple outer steps
KR101484940B1 (ko) * 2009-05-14 2015-01-22 삼성전자 주식회사 로봇청소기 및 그 제어방법
US8181890B2 (en) * 2009-08-13 2012-05-22 Nanoworx, LLC Articulating and rotary cleaning nozzle spray system and method
US7918378B1 (en) * 2010-08-06 2011-04-05 National Semiconductor Corporation Wire bonding deflector for a wire bonder

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0377338A (ja) * 1989-08-21 1991-04-02 Fujitsu Ltd ワイヤボンディング装置
JPH04372146A (ja) * 1991-06-21 1992-12-25 Toshiba Corp ワイヤボンディング装置
JPH06295941A (ja) * 1993-04-08 1994-10-21 Nec Kansai Ltd ワイヤボンディング装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11404393B2 (en) 2018-08-23 2022-08-02 Kaijo Corporation Wire bonding method and wire bonding device

Also Published As

Publication number Publication date
CN102326241B (zh) 2014-04-02
SG173828A1 (en) 2011-09-29
JP2010199142A (ja) 2010-09-09
US8292160B2 (en) 2012-10-23
CN102326241A (zh) 2012-01-18
US20110315743A1 (en) 2011-12-29
WO2010095490A1 (ja) 2010-08-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4595018B2 (ja) 半導体装置の製造方法およびボンディング装置
JP5227227B2 (ja) 超音波接合方法及びその装置
JP4798726B2 (ja) 布線装置、超音波接合装置、超音波溶着装置
JP4531084B2 (ja) ボンディング装置及びボンディング方法
JP6209800B2 (ja) 半導体装置の製造方法及びワイヤボンディング装置
JP6663649B2 (ja) 半導体チップの実装方法および半導体装置
JP6727747B1 (ja) ワイヤボンディング方法及びワイヤボンディング装置
JP3942738B2 (ja) バンプ接合装置及び方法、並びに半導体部品製造装置
JP6986561B2 (ja) ワイヤボンディング方法及びワイヤボンディング装置
JP3274731B2 (ja) ワイヤボンディング装置
JP4234688B2 (ja) ボンディング方法およびボンディング装置
JP4842109B2 (ja) フリーエアボールの形成方法及びワイヤボンディング装置
JP2725117B2 (ja) ワイヤボンディング装置及びその方法
JP2725116B2 (ja) ワイヤボンディング装置及びその方法
JP2527531B2 (ja) ワイヤボンディング装置
JP2017168735A (ja) ワイヤボンディング方法
JP2005116603A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2657709B2 (ja) ワイヤボンディング装置並びにその方法
JP2007110149A (ja) バンプ接合装置及び方法、並びに半導体部品製造装置
JP3493326B2 (ja) バンプ形成方法及び装置
JP2017216314A (ja) ボンディング装置、ボンディング方法及びプログラム
JPH1056034A (ja) ボンディング装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100804

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100804

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20100804

TRDD Decision of grant or rejection written
A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20100831

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100907

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100917

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130924

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4595018

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250