JP4593526B2 - 半導体装置のスクリーニング方法および半導体装置 - Google Patents
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100a 半導体装置(異常サンプル)
100b 半導体装置(サブスレッショルド特性が劣化した異常サンプル)
1 N+領域
2 P+領域
3 P−領域
4 N−領域
5 P領域
6 トレンチ
7 ゲート酸化膜
8 ゲート電極
9 層間絶縁膜
10 第1金属層(エミッタ電極)
11 コレクタ電極
12 第2金属層(エミッタ電極)
i 陽イオン
Claims (15)
- 半導体基板の主面側に、絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極と、そのゲート電極上及び前記半導体基板上に層間絶縁膜が形成されると共に、少なくとも一方の電流端子電極が前記層間絶縁膜上に形成され、
前記主面側の電流端子電極が、下層の第1金属層とメッキによって形成される上層の第2金属層とからなり、
前記ゲート電極の近傍において、前記ゲート電極上に形成されている層間絶縁膜に形成された接続孔を介して、前記第1金属層が前記ゲート電極に隣接する所定領域に接続され、前記接続孔の上方における前記第2金属層の最下点の高さが、前記層間絶縁膜の高さより高く設定されてなる半導体装置のスクリーニング方法であって、
前記主面側の電流端子電極に対して前記ゲート電極に負の所定電位を所定時間印加した後、前記ゲート電極に正の所定電位を印加して前記電流端子電極に流れる電流を検出し、前記検出電流値から前記第2金属層の最下点の高さの良否を判定することを特徴とする半導体装置のスクリーニング方法。 - 前記負の所定電位が、−5[V]以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置のスクリーニング方法。
- 前記負の所定電位が、−30[V]以上であることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置のスクリーニング方法。
- 前記負の所定電位が、−20[V]以上であることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置のスクリーニング方法。
- 前記負の所定電位の印加を、室温以上、200[℃]以下の高温下で行うことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の半導体装置のスクリーニング方法。
- 前記負の所定電位の印加を、100[℃]以上、150[℃]以下の高温下で行うことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置のスクリーニング方法。
- 前記所定時間が、10[min]以下であることを特徴とする請求項5または6に記載の半導体装置のスクリーニング方法。
- 前記良否の判定において、前記正の所定電位の印加を2点の電位値で行い、各検出電流値から前記半導体装置の良否を判定することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の半導体装置のスクリーニング方法。
- 前記良否の判定において、前記正の所定電位の印加を1点の電位値で行い、検出電流値と基準電流値を比較して前記半導体装置の良否を判定することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の半導体装置のスクリーニング方法。
- 半導体基板の主面側に、絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極と、そのゲート電極上及び前記半導体基板上に層間絶縁膜が形成されると共に、少なくとも一方の電流端子電極が前記層間絶縁膜上に形成され、
前記主面側の電流端子電極が、下層の第1金属層とメッキによって形成される上層の第2金属層とからなり、
前記ゲート電極の近傍において、前記ゲート電極上に形成されている層間絶縁膜に形成された接続孔を介して、前記第1金属層が前記ゲート電極に隣接する所定領域に接続されてなる半導体装置であって、
前記接続孔の上方における前記第2金属層の最下点の高さが、前記層間絶縁膜の高さより高く設定されてなり、
前記ゲート電極が、−10[V]以下の耐圧を有してなることを特徴とする半導体装置。 - 前記ゲート電極が、−20[V]以下の耐圧を有してなることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置。
- 前記第1金属層が、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなることを特徴とする請求項10または11に記載の半導体装置。
- 前記第2金属層が、ニッケルまたはニッケル合金からなることを特徴とする請求項10乃至12のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記絶縁ゲート型トランジスタが、IGBTであり、
前記主面側の電流端子電極が、前記IGBTのエミッタ電極であることを特徴とする請求項10乃至13のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記ゲート電極が、トレンチ構造のゲート電極であることを特徴とする請求項10乃至14のいずれか一項に記載の半導体装置。
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