JP4582131B2 - 液晶装置及び電子機器 - Google Patents
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そして、画素電極は、サブ画素領域内に、例えば平面形状が多角形又は略円形をなす複数のサブ画素電極を有する。サブ画素電極の各々は、電気的に接続されており、かつ、データ線の延在する方向に配列されている。つまり、サブ画素電極の各々は、データ線の延在する方向に配列された状態で電気的に接続される。1つのサブ画素領域内に複数個のサブ画素電極を形成する理由は、個々のサブ画素電極がある程度小さいほうが、液晶分子の配向状態を制御し易いからである。即ち、1つの画素を1つの大きなサブ画素電極により構成した場合と比較して、液晶分子の配向を正確に制御し易いからである。
また、コンタクトホールは、画素領域内、例えば、R(赤)、G(緑)、B(青)のいずれかに対応して設けられたサブ画素電極の領域内(以下、「サブ画素領域内」とも呼ぶ)において、画素電極と重ならない位置、具体的にはサブ画素領域の角部に形成されている。
これにより、コンタクトホールと、有効表示領域となるサブ画素電極との距離をできる限り離すことができる。このため、サブ画素電極の位置に対応し、表示部分となる有効表示領域の液晶は、コンタクトホールの部分にて生じる液晶の配向乱れの影響を受け難くなり、その有効表示領域の液晶の配向乱れの発生を防止することができる。よって、表示むら、残像・焼き付き、及び駆動制御に対する応答速度の低下などが生じるのを防止でき、高品位な表示画像を得ることができる。また、コンタクトホールを画素電極と重ならない位置に形成しているので、開口率の低下を防止することができる。
好適な例では、画素電極と配線は同一層に形成されている。配線は、画素電極と同一材料(例えば、ITOなど)にて形成され、その配線は、サブ画素領域内において、最も下側に位置するサブ画素電極の外周辺からコンタクトホールの位置まで延び出てなり、その配線とスイッチング素子とはそのコンタクトホールの位置にて接続されている。
特に、この液晶装置では、コンタクトホールは、サブ画素領域の角部において、データ線のとなりの他のデータ線と該コンタクトホールとが重ならないように形成され、他のデータ線は、サブ画素領域のとなりの他のサブ画素領域側に迂回するように形成されてなる。これにより、他のデータ線とコンタクトホールとの接触を防止することができる。
そして、画素電極は、サブ画素領域内に、例えば平面形状が多角形又は略円形をなす複数のサブ画素電極を有する。サブ画素電極の各々は、電気的に接続されており、かつ、データ線の延在する方向に配列されている。つまり、サブ画素電極の各々は、データ線の延在する方向に配列された状態で電気的に接続される。1つのサブ画素領域内に複数個のサブ画素電極を形成する理由は、個々のサブ画素電極がある程度小さいほうが、液晶分子の配向状態を制御し易いからである。即ち、1つの画素を1つの大きなサブ画素電極により構成した場合と比較して、液晶分子の配向を正確に制御し易いからである。
また、コンタクトホールは、サブ画素領域内において、画素電極から最も離れた位置、具体的にはデータ線の延在する方向において、1つのサブ画素電極と、当該1つのサブ画素電極のとなりの他のサブ画素電極との間に形成されている。これにより、コンタクトホールと、有効表示領域となるサブ画素電極との距離をできる限り離すことができる。このため、サブ画素電極の位置に対応し、表示部分となる有効表示領域の液晶は、コンタクトホールの部分にて生じる液晶の配向乱れの影響を受け難くなり、その有効表示領域の液晶の配向乱れの発生を防止することができる。よって、表示むら、残像・焼き付き、及び駆動制御に対する応答速度の低下などが生じるのを防止でき、高品位な表示画像を得ることができる。また、コンタクトホールを画素電極と重ならない位置に形成しているので、開口率の低下を防止することができる。
特に、この液晶装置では、データ線のとなりの他のデータ線と該コンタクトホールとが重ならないように形成され、他のデータ線は、サブ画素領域のとなりの他のサブ画素領域側に迂回するように形成されてなる。これにより、他のデータ線とコンタクトホールとの接触を防止することができる。
そして、画素電極は、サブ画素領域内に、例えば平面形状が多角形又は略円形をなす複数のサブ画素電極を有する。サブ画素電極の各々は、電気的に接続されており、かつ、データ線の延在する方向に配列されている。つまり、サブ画素電極の各々は、データ線の延在する方向に配列された状態で電気的に接続される。1つのサブ画素領域内に複数個のサブ画素電極を形成する理由は、個々のサブ画素電極がある程度小さいほうが、液晶分子の配向状態を制御し易いからである。即ち、1つの画素を1つの大きなサブ画素電極により構成した場合と比較して、液晶分子の配向を正確に制御し易いからである。
また、コンタクトホールは、サブ画素領域内において、画素電極から最も離れた位置、具体的にはデータ線の延在する方向において、1つのサブ画素電極と、当該1つのサブ画素電極のとなりの他のサブ画素電極との間に形成されている。これにより、コンタクトホールと、有効表示領域となるサブ画素電極との距離をできる限り離すことができる。このため、サブ画素電極の位置に対応し、表示部分となる有効表示領域の液晶は、コンタクトホールの部分にて生じる液晶の配向乱れの影響を受け難くなり、その有効表示領域の液晶の配向乱れの発生を防止することができる。よって、表示むら、残像・焼き付き、及び駆動制御に対する応答速度の低下などが生じるのを防止でき、高品位な表示画像を得ることができる。また、コンタクトホールを画素電極と重ならない位置に形成しているので、開口率の低下を防止することができる。
特に、この液晶装置では、データ線のとなりの他のデータ線と該コンタクトホールとが重ならないように形成され、他のデータ線は、サブ画素領域のとなりの他のサブ画素領域側に迂回するように形成されてなる。これにより、他のデータ線とコンタクトホールとの接触を防止することができる。
(液晶表示装置の構成)
はじめに、本発明の実施形態に係る垂直配向方式の液晶表示装置の電気的構成について説明する。図1は、この表示装置の電気的な構成を示すブロック図である。この図に示されるように、液晶表示装置100には、複数m本の走査線(コモン配線)214が行(X)方向に延在に形成される一方、複数3n本のデータ線(セグメント配線)314が列(Y)方向に延在して形成されるとともに、走査線214とデータ線314との各交差に対応して画素110が形成されている。この画素110は、R(赤)、G(緑)、B(青)のいずれかの一色に対応するものであり、X方向に相隣接するRGBの3つの画素110によって1つのドット120が構成されている。
このうち、Yドライバ251は、図1において上から数えて奇数(1、3、5、…、m−1)本目の走査線214の駆動を担当し、Yドライバ253は、上から数えて偶数(2、4、6、…、m)本目の走査線214の駆動を担当している。すなわち、Yドライバ251、253によって、1行目、2行目、3行目、…、m行目の走査線214が1垂直走査期間において順次排他的に1本ずつ選択されるとともに、選択された走査線214には、選択電圧の走査信号が供給される一方、他の非選択の走査線214には、非選択電圧の走査信号が供給される構成となっている。なお、説明の便宜上、走査信号は、一般的にj(iは、1≦j≦mを満たす整数)行目の走査線214に供給されるものを、Yjと表記している。
次に、液晶表示装置100における表示領域の内部構成について説明する。図3に示されるように、まず、観察側の基板300の外面には、位相差板133および偏光板131が貼り付けられる。なお、これらの位相差板133および偏光板131については、簡略化のため図2では省略されている。また、基板300の内面には、クロム等からなるデータ線314がY方向(図3では紙面垂直方向)に延在して形成されている。また、データ線314の表面上及び基板300の内面上には、液晶160より誘電率の低い樹脂材料からなる絶縁膜、即ちオーバーレイヤー309が形成されている。さらに、オーバーレイヤー309の内面上には、ITO(Indium Tin Oxide)等の透明導電材料からなる画素電極348及び黒色遮光膜347が形成されている。黒色遮光膜347は、各画素電極348の周囲に形成されており、各画素電極348は、黒色遮光膜347にて区画されている。
なお、本液晶表示装置100では、黒色遮光膜347を基板300側に形成するようにしているが、これに限らず、黒色遮光膜347は、基板200側であって、各画素電極348の周囲に対応する位置に形成するようにしても構わない。なお、データ線314や画素電極348等の詳細構成については、さらに後述することにする。ここで、画素電極348の表面には、垂直配向膜308が形成されている。なお、垂直配向膜308は、表示領域外では不要であるから、シール材110の形成領域近傍およびその外側では設けられていない。
続いて、図4及び図5を参照して、液晶表示装置100における画素の構成について説明する。図4は、複数の画素電極348のレイアウトを示す部分平面図である。図5は、図4におけるA−A'線に沿った断面図、即ち、コンタクトホール346付近の断面図である。なお、図4は、背面側から観察側を見た場合の構成を示しているので、図4では手前側が、図5では上側が、それぞれ背面側となる。また、図4では、便宜上、TFD320及びデータ線314を夫々実線で表すこととしている。また、図4及び図5では、便宜上、サブ画素領域349間に形成される黒色遮光膜347を省略することとしている。
そこで、本実施形態では、上記したように、基板200側であって、そのコンタクトホール346の対応する位置に黒色遮光膜347を形成するようにしている(図4では便宜上その位置のみを示す)。これにより、コンタクトホール346の位置において、そのコンタクトホール346で生じる液晶の配向乱れの領域を隠すことができる。よって、表示のコントラストを高めることができる。
次に、図7を参照して、第2実施形態について説明する。図7は、第2実施形態に係る画素の構成を示すものであり、複数の画素電極348のレイアウトを示す平面図である。
第2実施形態に係る液晶表示装置は、第1実施形態に係る液晶表示装置100の構成と略同様であり、以下では、第1実施形態に係る液晶表示装置100と同一の構成要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。
次に、図8を参照して、第3実施形態について説明する。図8は、第3実施形態に係る画素の構成を示すものであり、複数の画素電極348uのレイアウトを示す平面図である。第3実施形態に係る液晶表示装置は、第1実施形態に係る液晶表示装置100の構成と略同様であるため、以下では、第1実施形態に係る液晶表示装置100と同一の構成要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。
次に、図9を参照して、第4実施形態について説明する。図9は、第4実施形態に係る画素の構成を示すものであり、複数の画素電極348のレイアウトを示す平面図である。
第4実施形態に係る液晶表示装置は、第1実施形態に係る液晶表示装置100の構成と略同様であるため、以下では、第1実施形態に係る液晶表示装置100と同一の構成要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。
上記の各実施形態では、スイッチング素子として薄膜トランジスタ(TFD)素子を用いた例について説明したが、本発明の適用はこれには限定されない。スイッチング素子の他の例としてアモルファスTFTの断面図を図10に示す。図10において、TFT450は、図示しないゲート線から分岐したゲート電極402の上に、それを覆うようにゲート絶縁膜403が設けられている。ゲート絶縁膜403の上には、ゲート電極402に重なるようにa−Si層405が設けられている。a−Si層405の上には、2つに分断されたn+−a−Si層406a、406bが設けられている。さらに、n+−a−Si層406aの上には図示しないソース線から分岐したソース電極408が設けられ、n+−a−Si層406bの上にはドレイン電極409が設けられている。それらの層を覆うように保護膜411が設けられ、保護膜411の上には、ドレイン電極409に平面的に部分的に重なるように、画素電極410が設けられている。ドレイン電極409と画素電極410とはコンタクトホール416を通じて電気的に接続されている。
次に、本発明による液晶表示装置100を電子機器の表示装置として用いる場合の実施形態について説明する。
Claims (9)
- 一対の基板間に負の誘電率異方性を有する液晶層を挟持してなる液晶装置であって、
前記一対の基板のうち一方の基板は、データ線と、前記データ線に電気的に接続されたスイッチング素子と、前記データ線と前記スイッチング素子の上に形成された絶縁膜と、当該絶縁膜の上に形成された画素電極と、前記スイッチング素子と前記画素電極から延出する配線とを電気的に接続するコンタクトホールとを備え、
前記画素電極は、サブ画素領域内に複数のサブ画素電極を有しており、
前記サブ画素電極の各々は、電気的に接続されており、かつ、前記データ線の延在する方向に配列されてなり、
前記コンタクトホールは、前記サブ画素領域の角部に形成されており、前記データ線のとなりの他のデータ線と該コンタクトホールとが重ならないように形成され、
前記他のデータ線は、前記サブ画素領域のとなりの他のサブ画素領域側に迂回するように形成されてなることを特徴とする液晶装置。 - 前記一対の基板のうちいずれかには、前記コンタクトホールに重なる位置に遮光膜を有することを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。
- 一対の基板間に負の誘電率異方性を有する液晶層を挟持してなる液晶装置であって、
前記一対の基板のうち一方の基板は、データ線と、前記データ線に電気的に接続されたスイッチング素子と、前記データ線と前記スイッチング素子の上に形成された絶縁膜と、前記スイッチング素子と該絶縁膜の上に形成された画素電極とを電気的に接続するコンタクトホールとを備え、
前記一対の基板のうちいずれかには遮光膜を備え、
前記コンタクトホールは、前記遮光膜と重なる位置に形成されてなり、
前記画素電極は、複数のサブ画素電極を有しており、
前記サブ画素電極の各々は、電気的に接続されており、かつ、前記データ線の延在する方向に配列されてなり、
前記コンタクトホールは、前記データ線の延在する方向において、1つのサブ画素電極と、当該1つのサブ画素電極のとなりの他のサブ画素電極との間に形成されており、前記データ線のとなりの他のデータ線と該コンタクトホールとが重ならないように形成され、
前記他のデータ線は、前記サブ画素領域のとなりの他のサブ画素領域側に迂回するように形成されてなることを特徴とする液晶装置。 - 前記コンタクトホールは、画素領域内において画素電極から最も離れた位置に形成されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の液晶装置。
- 前記コンタクトホールは、画素領域の角の位置に形成されていることを特徴とする請求項4に記載の液晶装置。
- 一対の基板間に負の誘電率異方性を有する液晶層を挟持してなる液晶装置であって、
前記一対の基板のうち一方の基板は、データ線と、前記データ線に電気的に接続されたスイッチング素子と、前記データ線と前記スイッチング素子の上に形成された絶縁膜と、当該絶縁膜の上に形成された画素電極と、前記スイッチング素子と前記画素電極から延出する配線とを電気的に接続するコンタクトホールとを備え、
前記画素電極は、複数のサブ画素電極を有しており、
前記サブ画素電極の各々は、電気的に接続されており、かつ、前記データ線の延在する方向に配列されてなり、
前記コンタクトホールは、前記データ線の延在する方向において、1つのサブ画素電極と、当該1つのサブ画素電極のとなりの他のサブ画素電極との間に形成されており、前記データ線のとなりの他のデータ線と該コンタクトホールとが重ならないように形成され、
前記他のデータ線は、前記サブ画素領域のとなりの他のサブ画素領域側に迂回するように形成されてなることを特徴とする液晶装置。 - 前記他方の基板には、前記サブ画素電極の略中央に対応する位置に開口又は突起が形成されていることを特徴とする請求項6に記載の液晶装置。
- 前記データ線は、前記コンタクトホールと重ならない状態で、前記一方の基板上に形成されていることを特徴とする請求項3乃至7のいずれか一項に記載の液晶装置。
- 請求項1乃至8のいずれか一項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
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