JP4581126B2 - Ｘ線回折分析方法およびｘ線回折分析装置 - Google Patents

Description

本発明は、多結晶体、歪みや欠陥を有する部材等の不均一な結晶構造をもつ試料の局所構造情報を備えるＸ線回折図形を取得するためのＸ線回折分析方法およびＸ線回折分析装置に関する。

Ｘ線回折法は、Ｘ線を結晶性の試料に照射したときに生じる回折Ｘ線を検出することにより、その試料の結晶構造に対応するＸ線回折図形を得る技術である。Ｘ線回折図形は、目的や使用する装置に応じてさまざまな形式で取得されることが知られている。例えば、通常の粉末Ｘ線回折計では回折角度と回折Ｘ線強度が組となったデータの形で取得され、横軸に回折角をとり縦軸に回折Ｘ線強度をとったグラフで表現される。デバイ・シェラーカメラ等では、回折Ｘ線の強度が濃淡として現れた写真としてＸ線回折図形が取得される。

一般的に粉末（多結晶体）を対象として用いる粉末Ｘ線回折法は、均一で且つランダムな配向をもつ試料の結晶構造を知ることを目的としている。したがって、複数の回折スポット（回折Ｘ線強度が強いところ、回折Ｘ線強度プロファイルではピークとしてあらわれる）を収集してその強度や相互の幾何学的な位置関係を把握することが重要である。そのために、典型的には、試料を照らす入射Ｘ線としてＸ線管からの特性Ｘ線を用い、２軸ゴニオメータのいわゆるθ／２θ走査によって試料からの回折Ｘ線の強度の回折角依存性強度プロファイルを測定する。

一方、Ｘ線回折測定を目的に作られた試料ではない、いわゆる実試料は、例えば、異なる結晶構造が共存する、方位の異なる集合組織が含まれている、欠陥がある、負荷をあたえられたことによる結晶構造の歪みがある等の不均一な場合が多く、試料の各部位の局所的な結晶構造を知ることも重要となる。しかし、上述の一般的な粉末Ｘ線回折法で得られる情報は試料のうちの入射Ｘ線で照らされた領域の平均情報であるため、部位による結晶構造の差異についての情報を得ることはできない。

そこで、試料に照射するＸ線のビームサイズを小さくして試料の各部位の情報を得る技術が提案された（非特許文献１）。確かに、微小なビームサイズの入射Ｘ線を用い、試料ステージのＸＹ走査でＸ線照射領域を変え、各照射領域で従来の粉末Ｘ線回折法と同様に２軸ゴニオメータのθ／２θ走査による測定を行えば、試料の各部位の情報を得ることは可能である。しかし、一試料の測定に膨大な時間がかかってしまうという問題がある。例えば、試料上の１点分のＸ線回折図形を得るのに要する時間が一般的な粉末Ｘ線回折法による測定時間と同様の２０〜３０分程度であるとすれば、仮にもし試料上での測定点数が１００×１００の１００００点であれば測定に約５０００時間、すなわち約２００日もかかることになる。

測定時間を短縮するために、最近では、一次元または二次元の位置敏感型検出器を用いて検出器の各素子で異なる回折角度の回折Ｘ線の情報を検出することにより、２軸ゴニオメータのθ／２θ走査を省略する技術が一般的となっている。しかし、試料の各部位の情報を得るために部位ごとに１点ずつ測定しなければならないことにはかわりがないため、試料の広い領域中の各部位の情報を得ようとすると測定点が多数となり依然として測定に長時間を要してしまう。

他方、試料を入射Ｘ線の光軸に対して垂直な軸のまわりで回転可能に支持し、位置敏感
型検出器を入射Ｘ線に対する散乱角（２θ角）を固定して設置し、試料と位置敏感型検出器との間にコリメータを配置することによって試料表面の被測定領域中の各部位と位置敏感型検出器の各検出素子とを一対一で対応付け、被測定領域全体を平行性のよい単色Ｘ線で照らして各部位からの回折Ｘ線をそれぞれ別の検出素子で検出することにより、試料上の測定点の走査を省略して試料のθ走査だけによって回折図形を得る技術も提案されている（特許文献１）。この技術では、一般的な粉末回折法で要する測定時間と同程度の時間で試料の各部位の結晶構造の情報を得ることができる。しかし、試料のθ走査の際に試料上の各部位と検出器上の各素子との対応付けがかわらないようにするために試料位置の厳密な調整が必要である。また、試料を回転させるために、試料とコリメータとの間に試料外形のサイズに相応の距離を必ずとる必要があるため、外形の大きな試料を測定しようとすると、装置もそれに応じて大きくする必要があり、また回折Ｘ線の検出効率も悪くなってしまう。測定中に試料を回転させても入射Ｘ線が被測定領域を照らし続けるようにするには、入射Ｘ線のビームサイズが大きくなければならないという問題もある。
Y. Chikaura, Y. Yoneda and G. Hildebrandt, "Polycrystal scattering topography", Journal of Applied Crystallography, vol.15, pp.48-54, 1982 ドイツ特許第４４３０６１５号公報（DE4430615C2）

本発明は、不均一な結晶構造を有する試料の局所構造情報を備えるＸ線回折図形、特に二次元の回折Ｘ線強度分布画像を短時間で容易に取得することを可能とするＸ線回折分析方法を提供することを課題とする。また、そのようなＸ線回折分析方法を実施するための簡単な構成のＸ線回折分析装置を提供することも課題とする。

前記第一の課題は、本発明により、単色の入射Ｘ線が試料表面の二次元位置敏感型検出器によって見込まれる被測定領域全体を照らすように試料を固定配置すること、試料と二次元位置敏感型検出器との間の距離を調節するための機構を用いて、試料表面に対して前記二次元位置敏感型検出器の検出器面が正対した位置で試料表面と前記検出器面との間の距離が２〜５ｍｍとなるようにすること、試料で回折されて二次元位置敏感型検出器で検出される回折Ｘ線の入射Ｘ線に対する散乱角（回折角、入射Ｘ線の光軸と回折Ｘ線の光軸の間の角）が所望の角度になるように二次元位置敏感型検出器を固定配置すること、単色の入射Ｘ線を試料に照射したときに被測定領域内の異なる部位から出射する回折Ｘ線をそれぞれ二次元位置敏感型検出器の別々の検出素子で区別して検出し、各検出素子が検出した回折Ｘ線強度を各画素値とする二次元の回折Ｘ線画像を形成すること、単色の入射Ｘ線の光軸、試料、および二次元位置敏感型検出器を固定した状態で単色の入射Ｘ線の波長を所望の波長範囲内で変化させながら測定を行い、複数の波長値に対してそれぞれ二次元の回折Ｘ線画像を形成してそれらを波長値情報とともに一つのセットとして記録することを特徴とするＸ線回折分析方法によって解決される。

前記第二の課題は、単色の入射Ｘ線を波長可変且つ光軸固定に発生させるＸ線発生部が固定配置されていること、二次元に配列された複数の検出素子を備える二次元位置敏感型検出器を複数の散乱角度位置でそれぞれ測定中固定保持できること、前記入射Ｘ線が試料表面の前記二次元位置敏感型検出器により見込まれる被測定領域全体を照らすように、試料を測定中固定保持できること、前記試料と前記二次元位置敏感型検出器との間に前記被測定領域内の各部位から出射する回折Ｘ線の角度発散を制限する角度発散制限手段が設けられており、前記二次元位置敏感型検出器の各検出素子が前記被測定領域内の異なる部位から出射する回折Ｘ線をそれぞれ別々に検出すること、前記検出素子がそれぞれ検出した回折Ｘ線の強度を各画素値とする二次元の回折Ｘ線画像を形成すること、前記入射Ｘ線の光軸、前記試料、および前記二次元位置敏感型検出器を固定した状態で前記入射Ｘ線の波長範囲内の複数の波長値についてそれぞれ前記二次元の回折Ｘ線画像を形成し、それらの回折Ｘ線画像を波長値情報とともに一つの画像セットとして記録すること、試料と二次元位置敏感型検出器との間の距離を調節するための機構が設けられており、試料表面に対して前記二次元位置敏感型検出器の検出器面が正対した位置で試料表面と前記検出器面との間の距離が２〜５ｍｍとなるようにすることを特徴とするＸ線回折分析装置によって解決される。

本発明に係るＸ線回折分析方法およびＸ線回折分析装置では、試料の被測定領域内の各部位から出射する回折Ｘ線を部位ごとに別々の検出素子で同時に測定するので、小さいビームサイズのＸ線を用いた技術では欠くことのできない被測定領域内の各部位の一点ずつの走査をしなくても、その走査を行ったのと同じ情報を取得することができる。したがって、そのような技術を用いる場合と比較して劇的に短い時間で一試料の測定を実施することができる。また、各検出素子で検出された回折Ｘ線強度がそのまま回折Ｘ線画像の各画素の画素値として記録されるので、局所的に異なる結晶構造が共存する、方位の異なる集合組織が含まれている、欠陥や歪がある等の不均一な試料についても、試料の格子面間隔に対応するデータである構造情報を、全体を平均した構造情報としてではなく部位ごとの個別の構造情報として二次元画像中の分布の形で簡単且つ迅速に取得することができる。さらに、回折Ｘ線強度のプロファイルの回折角度依存性ではなく波長依存性を利用することを基本とするので、測定中は試料も二次元位置敏感型検出器も動かす必要がない。そのため、通常のＸ線回折測定において用いられるような高精度の移動機構を一切必要としない簡単な構成のＸ線回折分析装置を実現できる。また、コンパクトな構造にしても測定中に試料周辺部と検出器周辺部とがぶつかる危険がない。さらに、測定の最中に試料の被測定領域内の各部位と二次元位置敏感型検出器の各検出素子との対応関係が変わってしまうという問題も生じることがない。入射Ｘ線と試料の被測定領域との関係も固定されているので、入射Ｘ線のビームサイズを大きめに見積もっておかなければ測定中に被測定領域全体を照らせなくなるという問題も生じない。本発明に係るＸ線回折分析装置では複数の散乱角度位置を測定に利用できるので、入射Ｘ線の使用可能な波長範囲が狭く限られている場合にも測定に用いる散乱角度を変えることによってさまざまな格子面についての構造情報を取得することが可能である。

本発明に係るＸ線回折分析方法において、単色の入射Ｘ線の波長を、所望の格子面についての回折スポットの回折Ｘ線強度の波長依存プロファイルの波長に対する広がりとほぼ同じ波長範囲で変化させ、少なくとも回折Ｘ線強度が最大となる波長、前記波長範囲の最長波長および最短波長の三つの波長値について二次元の回折Ｘ線画像を形成してそれらを波長値情報とともに一つのセットとして記録することにより、それらの画像の比較から観察対象とした格子面を有する結晶構造の分布を簡単に取得することができる。

本発明に係るＸ線回折分析方法において、被測定領域の各部位から出射する回折Ｘ線の角度発散を角度発散制限手段で制限することによって被測定領域の異なる部位から出射する回折Ｘ線をそれぞれ二次元位置敏感型検出器の別々の検出素子で区別して検出するようにすれば、より高い位置分解能で試料の結晶構造分布画像を作成することができる。

本発明に係るＸ線回折分析方法において、単色の入射Ｘ線の入射角度が試料表面に対して０〜３度となるように試料位置を固定することにより、細長い線状の断面をもつ入射Ｘ線ビームを使用しても試料表面の広い領域を均一に照らすことが可能となる。

本発明に係るＸ線回折分析方法において、複数の散乱角度位置でそれぞれ同一の格子面間隔に対応する強度ピークを示す波長値を中心とする所望の波長範囲内の複数の波長値に対する二次元の回折Ｘ線画像のセットを形成し、それらの複数の画像セットを用いて試料の応力分布を表す二次元画像を作成すれば、試料の広い領域での応力分布を短時間で簡単に知ることができる。その際、応力測定にはできるだけ大きな散乱角度に回折スポットをもつ格子面を用いることが有利であるので、入射Ｘ線の入射角度が試料表面に対して０〜３度となるような薄膜配置の場合には、検出される回折Ｘ線の試料表面に対する出射角度が６０度、９０度、１２０度となる散乱角度位置を含む三つ以上の散乱角度位置でそれぞれ格子面間隔に対応する強度ピークを示す波長値を含む所望の波長範囲内の複数の波長値
に対する二次元の回折Ｘ線画像のセットを形成すると、試料・検出器面間距離を問題が生ずるほど大きくすることなしに回折Ｘ線画像セットの取得を行い、精度のよい応力分布画像を形成することができる。

本発明に係るＸ線回折分析装置において、試料表面が水平に位置するように試料が固定配置されると、液体に浮いた析出物のような不安定な試料の測定の際に有利である。

本発明に係るＸ線回折分析装置において、試料表面に対する入射Ｘ線の入射角が０〜３度の範囲内の角度になるように試料が固定配置されると、細長い線状の断面をもつ入射Ｘ線ビームを使用しても試料表面の広い領域を均一に照らすことが可能となり有利である。その際、検出される回折Ｘ線の試料表面に対する出射角度が６０〜１２０度の角度範囲内になるような複数の散乱角度位置でそれぞれ二次元位置敏感型検出器を測定中固定保持できることが望ましい。

本発明に係るＸ線回折分析装置において、二次元位置敏感型検出器が任意の散乱角度位置でそれぞれ測定中固定保持され得ると、目的の格子面と使用可能な波長範囲に応じて自由に検出器位置を選択することができるので有利である。

本発明に係るＸ線回折分析装置において、試料と二次元位置敏感型検出器との間の距離を調節する機構が設けられていると、それぞれの散乱角度位置で最適な試料・検出器間距離を選択することができるので有利である。

本発明に係るＸ線回折分析装置において、試料の位置および傾きを微調整するための位置・傾角調整機構を有すると、試料のサイズや形状に応じて最適な状態で試料表面を入射Ｘ線で照らすことが可能となる。

以下に、本発明の実施の形態を詳細に説明する。

本発明に係る多結晶体、歪みや欠陥を有する部材等の不均一な結晶構造を有する試料の局所構造情報を備えるＸ線回折図形を取得するためのＸ線回折分析方法では、まず、単色の入射Ｘ線が試料表面の所望の被測定領域全体を照射するように被測定領域の位置および入射Ｘ線に対する試料表面の傾きを決定し、試料を固定配置する。試料位置を固定した後、試料で回折されて検出器で検出される回折Ｘ線の入射Ｘ線に対する散乱角が所望の角度になる検出器角度位置に二次元位置敏感型検出器を配置し、固定する。ここでは試料位置を決定した後に、検出器位置を決定することを想定しているが、これを逆にしてもかまわない。試料と検出器を固定した後、試料に単色の入射Ｘ線を照射し、回折Ｘ線強度の測定を行う。被測定領域を二次元位置敏感型検出器を構成する各検出素子に対応して複数の部位に分割して考えると、被測定領域内の異なる部位から出射する回折Ｘ線はそれぞれ別々の検出素子で区別して検出される。回折Ｘ線強度を検出後、各検出素子が検出した回折Ｘ線強度をそれぞれの画素値とする二次元の回折Ｘ線画像を形成し、記録する。さらに、単色の入射Ｘ線の光軸、試料、および二次元位置敏感型検出器は固定したままで、入射Ｘ線の波長を所望の波長範囲内で変化させて、同様に回折Ｘ線強度の検出、二次元の回折Ｘ線画像の形成、記録を行うことを繰り返す。このようにして、単色の入射Ｘ線の波長を所望の範囲で順次変化させながら特定の波長の入射Ｘ線に対して回折Ｘ線強度測定を行い、それぞれ二次元の回折Ｘ線画像を形成して記録することにより、異なる波長値に対する二次元の回折Ｘ線画像を波長値情報とともに一つのセットとして記録することができる。入射Ｘ線の波長を変えて測定を繰り返す際に、試料および二次元位置敏感型検出器および試料表面の入射Ｘ線によって照らされる領域は固定されていて動くことがないので、すべての回折Ｘ線画像についてある特定の画素はある特定の試料部位に対応している。したがって
、これらの回折Ｘ線画像のセットからそれぞれの部位による結晶構造の違いの情報を例えば画像の明暗のコントラストとして得ることができる。

本発明に係るＸ線回折分析方法では、多くの場合１つまたはいくつかの特定の格子面に対応する回折スポットに着目し、その回折スポットに対応する波長の入射Ｘ線に対して試料内のある部位は明るく別の部位は暗いといったコントラストをもつ回折Ｘ線強度像を取得する。試料上の位置と画像の各画素とが１対１に対応しているので、画像の明暗から試料のどの部位に注目した格子面をもつ結晶構造が存在するのかを容易に知ることができる。

上述の被測定領域とは、試料表面を二次元の面としてみたときに、二次元位置敏感型検出器が見込む領域、すなわち二次元位置敏感型検出器によって検出され得る回折Ｘ線が出射する地点が形成する領域のことをさしている。すなわち、入射Ｘ線が試料内部に侵入して試料内部で回折Ｘ線が発生し、その回折Ｘ線が試料表面から出射するときに、試料表面を二次元の面としてみたときの被測定領域内のいずれかの部位から出射する回折Ｘ線だけが検出器で検出される。また、その出射部位（出射位置）が回折Ｘ線の発生位置と判断される。その際、試料内での実際の発生位置と出射位置との試料面上でのずれは検出器の分解能に対して無視できる程度の誤差にすぎないので無視することができる。被測定領域は、検出手段として用いる二次元位置敏感型検出器の検出器面（すべての検出素子の検出面によって形成される二次元の面）とほぼ同じ大きさであり、例えば二次元位置敏感型検出器の検出器面が１０ｍｍ角であれば被測定領域もまたほぼ１０ｍｍ角となる。したがって、この場合には入射Ｘ線は１０ｍｍ角よりも広い領域を一度に均一に照らすように試料に対する入射角度を決められる必要がある。有利には、入射角度が試料表面に対して０〜３度程度の低角となるように試料位置を固定するとよい。このように試料表面に対して低角の入射角度で入射Ｘ線を照射する配置は、基板上に準備された薄膜を基板の影響をうけずに低バックグラウンドで測定する技術として知られており、薄膜配置と呼ばれる。本発明に係るＸ線回折分析方法に薄膜配置を適用する場合には、バックグラウンドを下げることにもまして、細長い線状の断面をもつ入射Ｘ線ビームでも試料表面の広い領域を均一に照らすことができるという点で効用が大きい。ただし、低角であるといっても、必ず３度より小さい角度でなければならないというものではない。０度〜３度の角度範囲にあることを基本として考えてはいるが、被測定領域の大きさと入射Ｘ線ビーム断面の大きさの関係、バックグラウンドの影響、検出器を試料に近接させて配置する場合には検出器位置と入射Ｘ線光路との関係等を考慮して、被測定領域全体を照らすという最低限の条件を満たすように決定すればよい。

試料表面と検出器面との間の距離（試料・検出器間距離）は近ければ近いほど回折Ｘ線を効率よく検出し、短時間で測定を実施することができるが、近接した配置でないと測定ができないというものではない。したがって、この距離は二次元位置敏感型検出器およびそれに付属した角度発散制限手段等の検出部が入射Ｘ線をさえぎらない範囲で最も試料表面に近接した位置を基準とするが、装置の他の部材との位置関係、他の散乱角度位置での測定とのデータ比較上の問題等を考慮してそれより離れた位置を選んでもよい。使用する装置の構造、試料の形状やサイズにもよるが、試料表面に対して検出器面がほぼ正対した位置で２〜５ｍｍ程度、この位置から被測定領域と同一面内に入射Ｘ線の光軸に対して垂直に延在する中心軸線のまわりで二次元位置敏感型検出器位置を約±３０度動かした位置で１２〜１５ｍｍ程度が試料表面と二次元位置敏感型検出器の検出器面との間の距離の目安である。ただし、それより離れたら測定が行えないというものではない。また、蛍光Ｘ線と回折Ｘ線とで強度の距離依存性が異なることを利用して、蛍光Ｘ線が強いバックグラウンドとなって好ましくない影響を与えるときにはあえて距離を遠ざけてもよい。

一つの検出素子が異なる部位から出射した回折Ｘ線を一緒に検出することがないように
するためには、各検出素子について回折Ｘ線の光軸に平行な成分だけを選択的にとりだす手段、例えば回折Ｘ線の角度発散を抑制する角度発散制限手段、を用いるとよい。

入射Ｘ線としてどのような波長範囲の単色Ｘ線を用いることができるかは、第一に、Ｘ線発生部がどのような波長範囲で単色Ｘ線を発生させ得るかによって決まる。大気による吸収、光学系や窓材によるロス等を考えると、一般的な放射光ビームラインや実験室系のＸ線発生装置で利用できるのは、波長が０．３１ｎｍ程度より短い（Ｘ線エネルギーが４ｋｅＶ程度より高い）単色Ｘ線である。ただし、これより波長の長い単色Ｘ線を発生させる手段があればそのような長波長の単色Ｘ線を利用することも考えられる。第二に、検出部の構成要素も重要な決定要因である。合成石英製キャピラリを集合させたキャピラリプレートを角度発散制限手段として用いる場合には短波長側の限界は０．０９５ｎｍ（Ｘ線エネルギーが１３ｋｅＶ）程度を目安と考えるとよい。これよりも短波長のＸ線を使用すると回折Ｘ線がキャピラリプレートの壁部を透過してしまい、キャピラリプレートが角度発散制限手段としての用を果たさなくなってしまう。合成石英に金コーティングを施す等の処置を行えばこれよりも短波長の入射Ｘ線を使用することも可能となる。このように、角度発散制限手段の材質をも考慮して入射Ｘ線の波長を決定する必要がある。また、入射Ｘ線の波長（すなわち回折Ｘ線の波長）が短くなると検出素子の検出感度が低下することも考慮にいれなければならない。以上のことから、通常の装置構成で入射Ｘ線として利用できる単色Ｘ線の波長範囲はエネルギーにして４〜１３ｋｅＶの範囲であると考えておくとよい。さらに、その範囲内でも、試料の構成成分によって、吸収端波長より長い波長の単色Ｘ線を入射Ｘ線として用いて蛍光Ｘ線の発生を抑制する（すなわち、検出されるＸ線強度に占めるバックグラウンドの割合を低下させる）ことが望ましい。例えば、鉄鋼試料では、鉄の吸収端０．１７４３ｎｍ（７１１１ｅＶ）よりも短い波長の入射Ｘ線を照射すると鉄から発生する蛍光Ｘ線が強いバックグラウンドとなる。したがって、このような試料では事実上測定には０．１７４３ｎｍよりも長波長の入射Ｘ線を用いることとなる。

実際に測定する際に用いる入射Ｘ線の波長範囲は、観察しようとする試料の結晶構造と測定に用いる散乱角度（すなわち二次元位置敏感型検出器の配置角度）によって決まる。すなわち、所望の格子面についての回折スポットの回折Ｘ線強度プロファイルの波長に対する広がりよりも大きな波長範囲（回折Ｘ線強度がバックグラウンドレベルである波長から回折スポットに対応する回折Ｘ線強度ピークをはさんで再び回折Ｘ線強度がバックグラウンドレベルにおちつく波長まで）を一つの測定における単色の入射Ｘ線の波長掃引範囲（波長を変化させる範囲）とする。その範囲内で、少なくとも、回折Ｘ線強度が最大となる波長、前記波長範囲の最長波長および最短波長の三つの波長値について二次元の回折Ｘ線画像を形成してセットとして記録する。実際には、この三点を含むように所望の間隔で波長をステップ掃引しながらそれぞれの波長値に対して回折Ｘ線画像を取得する。それらの少なくとも三つの画像を比較することにより、どの部位が目的とした格子面（結晶構造）を有するかを明らかにすることができる。

ある散乱角度位置で一つないし複数の回折スポットについての回折Ｘ線画像のセットを取得した後、別の回折角度位置に検出器位置を移動させて再び上記の手順で回折Ｘ線画像のセットを取得してもよい。複数の散乱角度位置で回折Ｘ線画像セットを取得すれば、入射Ｘ線の使用可能な波長範囲が限られていてある散乱角度位置での測定では取得できない格子面についての情報を含んだ回折Ｘ線画像セットをも取得することが可能となる。検出器位置を例えば散乱角９０度の位置に選ぶことしかできない場合には、目的とする格子面の間隔に対応する波長が使用可能な波長範囲内にないために測定を断念しなければならない場合もあり得る。しかし、複数の検出器位置を選択可能であれば、回折角度を変えることにより、入射Ｘ線の波長範囲が狭く限定されている場合にも、目的の格子面での回折を生じさせ検出することが可能となる。

複数の散乱角度についてそれぞれ所望の回折スポットに関する回折Ｘ線画像セットを収集することにより、それらの画像セットから応力分布の二次元画像を形成することも可能である。本発明に係るＸ線回折分析方法では入射Ｘ線の光軸も試料も固定であるので、入射角は固定したままで検出器の位置を複数変えて複数の回折角度について測定を行うことになる。それによってそれぞれ取得された回折Ｘ線画像セットから回折スポットを与える波長ピークの変化量の試料上での分布に対応した二次元画像を形成する。波長ピークの変化量の分布を試料面の法線と測定された格子面の法線との間の角度（通常ψ角と呼ぶ）への依存性として整理することにより、応力の分布を得ることができる。測定に用いる散乱角度は、試料表面に対する入射Ｘ線の入射角が０〜３度の薄膜配置の場合には、検出される回折Ｘ線の試料表面に対する出射角度が６０〜１２０度程度の範囲内の角度となるように少なくとも三つ（例えば出射角度が６０度、９０度、１２０度の三つ）を選ぶことを目安とするとよい。もちろんより多くの角度を用いて測定を行ってもよい。装置の構成しだいでこれよりも幅広く角度を変えることも可能であるが、多くの場合には試料と検出器の干渉をさけるために検出される回折Ｘ線の試料表面に対する出射角度が９０度からはなれると試料・検出器間距離を遠ざける必要がでてくるため、空間分解能も効率も悪くなってしまうことを考慮に入れる必要がある。それだけでなく、種々の補正が必要となる場合もある。一方、装置の構成上の理由や、使用可能な入射Ｘ線の波長と試料との関係等の理由で６０〜１２０度の出射角度範囲よりも狭い範囲しか利用できない場合には、その中でできるだけ広い散乱角度範囲から少なくとも三つの散乱角度を選ぶようにする。

図１は、本発明に係るＸ線回折分析装置の概念図である。本発明に係るＸ線回折分析装置はＸ線発生部１、試料部２、検出部３を有している。Ｘ線発生部１は、単色のＸ線を発生させることが可能であり、且つその波長を連続的に変えることができる。また、出射するＸ線の光軸は波長に依存せずに常に一致する。

試料部２は、試料４と試料４を測定中固定保持する試料支持部５とを備えている。試料４は、Ｘ線発生部１で発生させられた単色の入射Ｘ線６が試料４の表面の所望の被測定領域Ａ全体を照らすように、試料支持部５によって固定保持される。

検出部３は、二次元に配列された複数の検出素子からなる二次元位置敏感型検出器７と、試料４で発生して試料表面の被測定領域Ａ内の各部位から出射する回折Ｘ線１０の角度発散を制限することによって被測定領域Ａ内の異なる部位から出射する回折Ｘ線１０を二次元位置敏感型検出器７の別々の検出素子で区別して検出できるようにするコリメータ（例えば合成石英製キャピラリを集合させたキャピラリプレート、リソグラフィ技術により軽金属に同様の加工を施したもの）等の角度発散制限手段８と、二次元位置敏感型検出器７および角度発散制限手段８を測定中固定保持する検出器支持部９とを有する。図１には示されていないが、検出部３は、各検出素子で検出した回折Ｘ線強度を各画素値とする二次元の回折Ｘ線画像を形成して記録するための画像形成記録部も有している。単色の入射Ｘ線６の光軸と、試料４の位置と、二次元位置敏感型検出器７および角度発散制限手段８の位置とを固定した状態で入射Ｘ線６の波長を所望の範囲で変えながら測定を行うことによって、この画像形成記録部が各波長値に対してそれぞれ二次元の回折Ｘ線画像を形成し、それらを入射Ｘ線６の波長値の情報とともに一つの画像セットとして記録する。

Ｘ線発生部１は、多くの場合、連続Ｘ線源とモノクロメータ等の単色化手段とから構成される。連続Ｘ線源としては、放射光を用いることが好適である。しかしながら、強力な回転対陰極Ｘ線源など、他のＸ線源を用いてＸ線発生部１を構成することも可能である。図１に示す装置では、Ｘ線発生部１は、試料表面に平行な方向に長く試料表面と交差する方向に短い線状断面を有する単色の入射Ｘ線６を発生させる。試料表面に対して０〜３度程度の低角で入射Ｘ線６が入射する薄膜配置を採用することにより、このような線状の断面をもつ入射Ｘ線６でも試料表面の広い領域を均一に照らすことができる。

検出器支持部９は、入射Ｘ線６の光軸および回折Ｘ線１０の光軸を含む面内の複数の散乱角度位置で二次元位置敏感型検出器７を固定保持することができる。図１には代表として二つの散乱角度に対応する検出部の配置Ｄ１、Ｄ２が示されている。ここで、検出器支持部９は複数の予め定められた散乱角度位置にだけ検出器を固定配置できるような機構を有していればよい。薄膜配置を採用する場合には、検出される回折Ｘ線１０の試料表面に対する出射角度が少なくとも６０度、９０度、１２０度の三つとなるような散乱角度位置で二次元位置敏感型検出器７を測定中固定保持できることが望ましい。しかし、さまざまな試料の測定を行うためには、所望の散乱角度範囲内、薄膜配置の場合には好ましくは検出される回折Ｘ線１０の出射角度が６０〜１２０度となるような散乱角度範囲内のすべての散乱角度位置に検出器を固定配置できるような機構をもつとよい。薄膜配置の場合の６０〜１２０度という出射角度範囲は厳密にこの範囲でなければならないというものではないが、試料４と検出器との間の距離を大きく離さなくても、入射Ｘ線６を遮ったり部材間の接触を生じたりすることなく測定が行える角度範囲である。ただし、測定中に検出器位置を変更することはないので、検出器位置を変えるための機構は手動のものでよい。

それぞれの散乱角度位置で入射Ｘ線６をさえぎらない範囲で可能な限り検出器を試料４に近接させた最適な検出器配置を実現するために、試料４の表面と二次元位置敏感型検出器７の検出器面との間の距離（試料・検出器間距離）を変更できるような機構を検出器支持部９が備えていると有利である。これもまた手動の機構でよい。

試料支持部５は、入射Ｘ線６が試料４の被測定領域Ａ全体を適切に照らすように試料表面の位置および角度を微調整するための位置・傾角調整機構を有していると有利である。ただし、この位置・傾角調整機構はあくまでも入射Ｘ線６と被測定領域Ａとの位置関係を最適化するための機構である。本発明では測定中は試料４を一切動かさないので、通常のＸ線回折測定で入射角θを変えながら測定を行うために用いられる機構とはまったく異なるものである。したがって、手動の調整機構で十分である。

図１に示す装置では、試料表面が水平に位置するように試料４を固定配置することを想定している。このような配置にすることによって、液体中の析出物のような不安定な試料をも取り扱うことが可能となる。

二次元位置敏感型検出器７としては、多素子の半導体検出器、Ｘ線検出能力を有するＣＣＤカメラ、ＣＭＯＳイメージセンサー等を用いることができる。Ｘ線を直接検出することができるＣＣＤカメラあるいはＣＭＯＳイメージセンサーでは、発生する電荷量から検出したＸ線のエネルギーを決定することにより、回折Ｘ線と蛍光Ｘ線を区別することも可能となる。他方、Ｘ線を直接検出するのではなく、Ｘ線によって発光するシンチレータを有し、そのシンチレータの発光を検知するような検出器であっても本発明を実施するうえではなんら問題はない。

画像形成記録部は、一般的にはコンピュータをその一部として有するが、コンピュータの機能をマイクロチップとして二次元位置敏感型検出器７に内蔵させて構成することも可能である。

本発明に係るＸ線回折分析装置の概念図である。

符号の説明

１ Ｘ線発生部
２ 試料部
３ 検出部
４ 試料
５ 試料支持部
６ 単色の入射Ｘ線
７ 二次元位置敏感型検出器
８ 角度発散制限手段
９ 検出器支持部
１０ 回折Ｘ線
Ａ 被測定領域
Ｄ１、Ｄ２ 検出器保持角度位置

Claims (12)

1. 不均一な結晶構造を有する試料の局所構造情報を備えるＸ線回折図形を取得するためのＸ線回折分析方法において、
   単色の入射Ｘ線が試料表面の二次元位置敏感型検出器によって見込まれる被測定領域全体を照らすように試料を固定配置すること、
   試料と二次元位置敏感型検出器との間の距離を調節するための機構を用いて、試料表面に対して前記二次元位置敏感型検出器の検出器面が正対した位置で試料表面と前記検出器面との間の距離が２〜５ｍｍとなるようにすること、
   試料で回折されて二次元位置敏感型検出器で検出される回折Ｘ線の入射Ｘ線に対する散乱角が所望の角度になるように二次元位置敏感型検出器を固定配置すること、
   単色の入射Ｘ線を試料に照射したときに被測定領域内の異なる部位から出射する回折Ｘ線を二次元位置敏感型検出器の別々の検出素子でそれぞれ区別して検出し、各検出素子が検出した回折Ｘ線強度を各画素値とする二次元の回折Ｘ線画像を形成すること、
   単色の入射Ｘ線の光軸、試料、および二次元位置敏感型検出器を固定した状態で単色の入射Ｘ線の波長を所望の波長範囲内で変化させながら測定を行い、複数の波長値に対してそれぞれ二次元の回折Ｘ線画像を形成してそれらを波長値情報とともに一つのセットとして記録することを特徴とするＸ線回折分析方法。
2. 単色の入射Ｘ線の波長を、所望の格子面についての回折スポットの回折Ｘ線強度の波長依存プロファイルの波長に対する広がりと同じ波長範囲内で変化させること、少なくとも回折Ｘ線強度が最大となる波長、前記波長範囲の最長波長および最短波長の三つの波長値について二次元の回折Ｘ線画像を形成してそれらを波長値情報とともに一つのセットとして記録することを特徴とする、請求項１に記載のＸ線回折分析方法。
3. 被測定領域の各部位から出射する回折Ｘ線の角度発散を角度発散制限手段で制限することにより、被測定領域の異なる部位から出射する回折Ｘ線をそれぞれ二次元位置敏感型検出器の別々の検出素子で区別して検出することを特徴とする、請求項１または請求項２に記載のＸ線回折分析方法。
4. 単色の入射Ｘ線の入射角度が試料表面に対して０〜３度となるように試料位置を固定することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載のＸ線回折分析方法。
5. 複数の散乱角度位置でそれぞれ同一の格子面間隔に対応する強度ピークを示す波長値を中心とする所望の波長範囲内の複数の波長値に対する二次元の回折Ｘ線画像のセットを形成し、それらの複数の画像セットを用いて試料の応力分布を表す二次元画像を作成することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載のＸ線回折分析方法。
6. 単色の入射Ｘ線の入射角度が試料表面に対して０〜３度となるように試料位置を固定すること、検出される回折Ｘ線の試料表面に対する出射角度が６０度、９０度、１２０度となる散乱角度位置を含む三つ以上の散乱角度位置でそれぞれ所望の波長範囲内の複数の波長値に対する二次元の回折Ｘ線画像のセットを形成し、それらの複数の画像セットを用いて試料の応力分布を表す二次元画像を作成することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載のＸ線回折分析方法。
7. 不均一な結晶構造を有する試料の局所構造情報を備えるＸ線回折図形を取得するためのＸ線回折分析装置において、
   単色の入射Ｘ線を波長可変且つ光軸固定に発生させるＸ線発生部が固定配置されていること、
   二次元に配列された複数の検出素子を備える二次元位置敏感型検出器を複数の散乱角度位置でそれぞれ測定中固定保持できること、
   前記入射Ｘ線が試料表面の前記二次元位置敏感型検出器により見込まれる被測定領域全体を照らすように、試料を測定中固定保持できること、
   前記試料と前記二次元位置敏感型検出器との間に前記被測定領域内の各部位から出射する回折Ｘ線の角度発散を制限する角度発散制限手段が設けられており、前記二次元位置敏感型検出器の各検出素子が前記被測定領域内の異なる部位から出射する回折Ｘ線をそれぞれ別々に検出すること、
   前記検出素子がそれぞれ検出した回折Ｘ線の強度を各画素値とする二次元の回折Ｘ線画像を形成すること、
   前記入射Ｘ線の光軸、前記試料、および前記二次元位置敏感型検出器を固定した状態で前記入射Ｘ線の波長範囲内の複数の波長値についてそれぞれ前記二次元の回折Ｘ線画像を形成し、それらの回折Ｘ線画像を波長値情報とともに一つの画像セットとして記録すること、
   試料と二次元位置敏感型検出器との間の距離を調節するための機構が設けられており、試料表面に対して前記二次元位置敏感型検出器の検出器面が正対した位置で試料表面と前記検出器面との間の距離が２〜５ｍｍとなるようにすることを特徴とするＸ線回折分析装置。
8. 試料表面が水平に位置するように前記試料が固定配置されることを特徴とする、請求項７に記載のＸ線回折分析装置。
9. 試料表面に対する前記入射Ｘ線の入射角が０〜３度の範囲内の角度になるように前記試料が固定配置されることを特徴とする、請求項７または請求項８に記載のＸ線回折分析装置。
10. 前記二次元位置敏感型検出器が任意の散乱角度位置でそれぞれ測定中固定保持され得ることを特徴とする、請求項７〜９のいずれか一項に記載のＸ線回折分析装置。
11. 前記試料の位置および傾きを微調整するための位置・傾角調整機構が設けられていることを特徴とする、請求項７〜１０のいずれか一項に記載のＸ線回折分析装置。
12. 二次元位置敏感型検出器で検出される回折Ｘ線の試料面に対する出射角度が６０〜１２０度の範囲内になるような複数の散乱角度位置でそれぞれ前記二次元位置敏感型検出器が測定中固定保持され得ることを特徴とする、請求項９に記載のＸ線回折分析装置。
    

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