JP4579138B2 - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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Description

本発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for performing predetermined processing on a substrate.

半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。   In order to perform various processes on various substrates such as a semiconductor substrate, a liquid crystal display substrate, a plasma display substrate, an optical disk substrate, a magnetic disk substrate, a magneto-optical disk substrate, and a photomask substrate, It is used.

基板処理装置では、基板の表面に付着したパーティクルまたは有機物等の汚染物を除去するために、薬液が用いられる。その後、基板上の薬液を洗い流すために純水を用いたリンス処理が行われる。   In the substrate processing apparatus, a chemical solution is used to remove contaminants such as particles or organic substances adhering to the surface of the substrate. Thereafter, a rinsing process using pure water is performed to wash away the chemical solution on the substrate.

しかしながら、アルカリ性の薬液を用いて汚染物の除去処理を行った後に、純水を用いてリンス処理を行った場合には、アルカリ性の薬液が純水によって薄められて弱アルカリ性領域（およそｐｈ９〜ｐｈ１０）の混合液が生成される。そして、この弱アルカリ性の液体が基板上に比較的長い時間存在すると、基板上に形成されているアルミニウムなどの金属膜が損傷をうける現象が起こる。このような現象はペーハーショックと呼ばれる。   However, when the rinse treatment is performed using pure water after the contaminant removal process is performed using the alkaline chemical solution, the alkaline chemical solution is diluted with pure water and is weakly alkaline (approximately ph9 to ph10). ) Is produced. When this weakly alkaline liquid is present on the substrate for a relatively long time, a phenomenon occurs in which a metal film such as aluminum formed on the substrate is damaged. Such a phenomenon is called a pH shock.

そこで、特許文献１には、リンス液として炭酸水を用いることが提案されている。   Therefore, Patent Document 1 proposes to use carbonated water as the rinse liquid.

この場合、アルカリ性の除去液を用いて基板の表面に生成された反応生成物が除去された後に、炭酸水からなるリンス液が供給される。それにより、酸性である炭酸水により、除去液中のアルカリ成分が短時間で中性又は酸性領域に移行し、弱アルカリ性領域でのペーハーショックによる基板上の金属膜の損傷が防止される。また、リンス液として純水を用いる場合に比べて静電気の発生が防止され、基板の帯電を防止できる。
特開２００２−３５９２２４号公報 In this case, after the reaction product generated on the surface of the substrate is removed using an alkaline removal liquid, a rinse liquid made of carbonated water is supplied. Thereby, the alkaline component in the removal liquid is transferred to the neutral or acidic region in a short time by the acidic carbonated water, and the metal film on the substrate is prevented from being damaged by the pH shock in the weakly alkaline region. In addition, the generation of static electricity can be prevented as compared with the case where pure water is used as the rinse liquid, and the substrate can be prevented from being charged.
JP 2002-359224 A

ここで、上記のようにリンス液として炭酸水を用いる場合、ペーハーショックの防止をより確実に行なうためには、炭酸水の濃度が高い方が好ましい。なぜなら、その方がより短時間で弱アルカリ性領域を通過させることができるからである。しかしながら、濃度の高い炭酸水を基板に供給しつづけると、今度は、濃度の高い炭酸水の酸により、基板上の金属膜が酸化されてしまうことがある。その結果、基板に処理不良が生じる場合がある。   Here, when carbonated water is used as the rinsing liquid as described above, it is preferable that the concentration of carbonated water is high in order to more reliably prevent pH shock. This is because it can pass through the weakly alkaline region in a shorter time. However, if the carbonated water having a high concentration is continuously supplied to the substrate, the metal film on the substrate may be oxidized by the acid of the carbonated water having a high concentration. As a result, processing defects may occur on the substrate.

本発明の目的は、基板の処理不良を防止しつつ、機能水を用いた基板の処理を行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。   An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of processing a substrate using functional water while preventing a substrate processing failure.

（１）第１の発明に係る基板処理装置は、機能水を生成する機能水生成手段と、機能水の濃度設定値を含む基板を処理するための動作手順および動作条件を規定する処理レシピを記憶する記憶手段と、記憶手段に記憶された処理レシピに含まれる濃度設定値に基づいて、機能水生成手段により生成される機能水の濃度を調整する濃度調整手段と、基板に所定の処理を行い、濃度調整手段により濃度が調整された機能水を基板に供給する機能水供給手段を有する処理部とを備え、濃度調整手段は、機能水供給手段による機能水の供給終了時の濃度が機能水供給手段による機能水の供給開始時の濃度に比べて低くなるように、機能水の濃度を調整するものである。 (1) A substrate processing apparatus according to the first invention, the process recipe defining the functional water generating means for generating a functional water, the operating procedure and operating conditions for processing a substrate comprising a concentration setting of Function Water Storage means for storing the concentration, concentration adjusting means for adjusting the concentration of the functional water generated by the functional water generation means based on the concentration setting value included in the processing recipe stored in the storage means, and predetermined processing on the substrate And a processing unit having functional water supply means for supplying functional water whose concentration is adjusted by the concentration adjustment means to the substrate, and the concentration adjustment means has a concentration at the end of supply of the functional water by the functional water supply means. The concentration of the functional water is adjusted so as to be lower than the concentration at the start of supply of the functional water by the functional water supply means .

第１の発明に係る基板処理装置においては、機能水の濃度設定値を含む基板を処理するための動作手順および動作条件が規定された処理レシピが記憶手段に記憶される。記憶手段に記憶された処理レシピに含まれる濃度設定値に基づいて機能水生成手段により生成される機能水の濃度が濃度調整手段により調整される。機能水生成手段により生成された機能水が、処理部において機能水供給手段により基板に供給される。 In the substrate processing apparatus according to the first aspect of the present invention, a processing recipe in which an operating procedure and operating conditions for processing a substrate including a functional water concentration set value are defined is stored in the storage means. The concentration of the functional water generated by the functional water generating unit is adjusted by the concentration adjusting unit based on the concentration setting value included in the processing recipe stored in the storage unit. The functional water generated by the functional water generating means is supplied to the substrate by the functional water supply means in the processing unit.

この場合、処理部に対応する処理レシピに機能水の濃度が設定されるので、処理部の動作手順または動作条件を変更する際に機能水の濃度を容易に変更することができる。   In this case, since the functional water concentration is set in the processing recipe corresponding to the processing unit, it is possible to easily change the functional water concentration when changing the operation procedure or the operation condition of the processing unit.

また、基板に供給される機能水の濃度を処理レシピに基づいて最適な濃度に調整することができるので、基板の処理不良を防止しつつ、機能水を用いた基板の処理を行うことができる。   Moreover, since the density | concentration of the functional water supplied to a board | substrate can be adjusted to an optimal density | concentration based on a process recipe, the board | substrate process using a functional water can be performed, preventing the process defect of a board | substrate. .

（２）処理部は、基板に薬液を供給する薬液供給手段をさらに含み、薬液供給手段による薬液の供給後、機能水供給手段が機能水生成手段により生成された機能水を基板に供給してもよい。   (2) The processing unit further includes a chemical solution supply unit that supplies the chemical solution to the substrate. After the chemical solution is supplied by the chemical solution supply unit, the functional water supply unit supplies the functional water generated by the functional water generation unit to the substrate. Also good.

この場合、薬液供給手段から基板に供給される薬液の特性に応じて、機能水の濃度を処理レシピに設定することができる。それにより、機能水供給手段から供給される機能水の濃度を薬液の特性に応じて調整することができる。その結果、薬液または機能水による基板の損傷を防止しつつ、機能水を用いた基板処理を行うことができる。   In this case, the concentration of the functional water can be set in the processing recipe according to the characteristics of the chemical liquid supplied from the chemical liquid supply means to the substrate. Thereby, the density | concentration of the functional water supplied from a functional water supply means can be adjusted according to the characteristic of a chemical | medical solution. As a result, the substrate treatment using the functional water can be performed while preventing the substrate from being damaged by the chemical solution or the functional water.

（３）機能水生成手段は、純水を供給する純水供給系と、気体を供給する気体供給系と、純水供給系から供給される純水と気体供給系から供給される気体とを混合させることにより機能水を生成する混合手段とを有し、濃度調整手段は、純水供給系から混合手段への純水の供給量および気体供給系から混合手段への気体の供給量のうちの少なくともいずれか一方を制御することにより、前記機能水の濃度を調整してもよい。   (3) The functional water generating means includes a pure water supply system for supplying pure water, a gas supply system for supplying gas, pure water supplied from the pure water supply system, and gas supplied from the gas supply system. Mixing means for generating functional water by mixing, and the concentration adjusting means includes a supply amount of pure water from the pure water supply system to the mixing means and a supply amount of gas from the gas supply system to the mixing means. The concentration of the functional water may be adjusted by controlling at least one of the above.

この場合、機能水生成手段において、純水供給系から供給される純水と気体供給系から供給される気体とが混合手段により混合され、機能水が生成される。   In this case, in the functional water generation means, the pure water supplied from the pure water supply system and the gas supplied from the gas supply system are mixed by the mixing means to generate functional water.

機能水の濃度は、純水供給系から混合手段への純水の供給量および気体供給系から混合手段への気体の供給量のうちの少なくともいずれか一方が濃度調整手段により制御されることにより調整される。すなわち、純水の供給量のみ、気体の供給量のみ、あるいは純水の供給量および気体の供給量の両方を制御することで、機能水の濃度を調整する。これにより、簡単な構成で機能水の濃度を調整することができる。   The concentration of the functional water is such that at least one of the supply amount of pure water from the pure water supply system to the mixing means and the supply amount of gas from the gas supply system to the mixing means is controlled by the concentration adjusting means. Adjusted. That is, the concentration of functional water is adjusted by controlling only the supply amount of pure water, only the supply amount of gas, or both the supply amount of pure water and the supply amount of gas. Thereby, the density | concentration of functional water can be adjusted with a simple structure.

（４）混合手段は、中空糸膜モジュールからなってもよい。この場合、簡単な構成で安定した濃度の機能水を生成することができる。   (4) The mixing means may comprise a hollow fiber membrane module. In this case, functional water having a stable concentration can be generated with a simple configuration.

（５）機能水は、二酸化炭素を含む炭酸水であってもよい。この場合、炭酸水は、酸化作用および導電性を有する。それにより、炭酸水の濃度を適切に調整することができるので、炭酸水中の酸による基板の酸化を適切に調整することができる。その結果、機能水による基板の損傷を防止することができる。   (5) The functional water may be carbonated water containing carbon dioxide. In this case, carbonated water has an oxidizing action and conductivity. Thereby, since the density | concentration of carbonated water can be adjusted appropriately, the oxidation of the board | substrate by the acid in carbonated water can be adjusted appropriately. As a result, it is possible to prevent the substrate from being damaged by the functional water.

（６）処理部は、基板にアルカリ性の液体を供給するアルカリ供給手段をさらに含み、アルカリ供給手段によるアルカリ性の液体の供給後、機能水供給手段が機能水生成手段により生成された機能水を基板に供給してもよい。 (6) processing unit, the substrate further comprises an alkali supply means for supplying an alkaline liquid, the substrate after the supply of the alkaline of the liquid by alkali supply means, the functional water supply means functional water generated by the functional water generating unit it may be subjected supply to.

この場合、予めアルカリ性の液体（たとえばアンモニア過酸化水素水を含む洗浄液、または有機アルカリを含むポリマー除去液等）が基板に供給された後に、まず、ペーハーショックを抑えるために濃度の高い炭酸水が基板上に供給される。その後、金属膜の酸化を抑えるために基板上に供給される炭酸水の濃度が低くなるように調整される。これにより、ペーハーショックによる金属膜の腐食の抑制と、炭酸水中の酸による金属膜の酸化の抑制との両方を同時に実現させることができる。その結果、アルカリ性の液体および機能水による基板上の金属膜の損傷を確実に防止することができる。   In this case, after an alkaline liquid (for example, a cleaning solution containing ammonia hydrogen peroxide solution or a polymer removing solution containing organic alkali) is supplied to the substrate in advance, a high concentration carbonated water is first added to suppress pH shock. Supplied on the substrate. Thereafter, in order to suppress oxidation of the metal film, the concentration of carbonated water supplied on the substrate is adjusted to be low. Thereby, both suppression of corrosion of the metal film due to pH shock and suppression of oxidation of the metal film due to the acid in the carbonated water can be realized at the same time. As a result, it is possible to reliably prevent the metal film on the substrate from being damaged by the alkaline liquid and the functional water.

（７）機能水はオゾンを含むオゾン水であってもよい。この場合、オゾン水は強力な酸化力を有する。それにより、基板に付着する有機汚染物を除去することができる。   (7) The functional water may be ozone water containing ozone. In this case, ozone water has a strong oxidizing power. Thereby, organic contaminants attached to the substrate can be removed.

また、基板に供給されるオゾン水の濃度を適切に調整することができるので、オゾン水中の酸素ラジカルによる基板の酸化を防止しつつ、基板に付着する有機汚染物を除去することができる。
また、濃度の高いオゾン水により基板に付着する有機汚染物を除去した後、濃度の低いオゾン水により酸素ラジカルによる金属膜の酸化を抑制することができる。したがって、良好な有機物の除去と金属膜の酸化の抑制との両方を同時に実現することができる。 In addition, since the concentration of ozone water supplied to the substrate can be adjusted appropriately, organic contaminants attached to the substrate can be removed while preventing the substrate from being oxidized by oxygen radicals in the ozone water.
In addition, after removing organic contaminants attached to the substrate with high-concentration ozone water, it is possible to suppress oxidation of the metal film by oxygen radicals with low-concentration ozone water. Therefore, both good organic substance removal and suppression of oxidation of the metal film can be realized simultaneously.

（８）機能水は水素を含む水素水であってもよい。この場合、除去された汚染物の基板への再付着の防止、基板上の自然酸化膜の除去、基板の酸化防止、および基板へのウォーターマーク（水滴痕）の形成防止の効果を得ることができる。 ( 8 ) The functional water may be hydrogen water containing hydrogen. In this case, it is possible to obtain the effects of preventing the reattachment of the removed contaminants to the substrate, removing the natural oxide film on the substrate, preventing the oxidation of the substrate, and preventing the formation of a watermark (water droplet trace) on the substrate. it can.

（９）第２の発明に係る基板処理方法は、機能水の濃度設定値を含む基板の処理手順および処理条件を規定する処理レシピを記憶する記憶工程と、記憶工程で記憶された処理レシピに含まれる濃度設定値に基づいて濃度が調整された機能水を生成する機能水生成工程と、機能水生成工程で生成された機能水を基板に供給する機能水供給工程とを備え、機能水供給工程における機能水の供給終了時の濃度が機能水の供給開始時の濃度に比べて低くなるように機能水の濃度を調整するものである。 ( 9 ) A substrate processing method according to a second aspect of the present invention relates to a storage step for storing a processing recipe for defining a processing procedure and processing conditions for a substrate including a concentration setting value of functional water, and a processing recipe stored in the storage step. comprises a functional water generating step of generating a functional water concentration has been adjusted based on the density setting value included, and a functional water producing step functional water supplying step of supplying the generated functional water to the substrate, the functional water supply The concentration of the functional water is adjusted so that the concentration at the end of the supply of the functional water in the process is lower than the concentration at the start of the supply of the functional water .

第２の発明に係る基板処理方法においては、機能水の濃度設定値を含む基板の処理手順および処理条件が規定された処理レシピが記憶される。記憶された処理レシピに含まれる濃度設定値に基づいて濃度が調整された機能水が生成され、この機能水が基板に供給されて、基板が処理される。 In the substrate processing method according to the second aspect of the present invention, a processing recipe in which the processing procedure and processing conditions of the substrate including the functional water concentration set value is defined is stored. Functional water whose concentration is adjusted based on the concentration setting value included in the stored processing recipe is generated, and this functional water is supplied to the substrate to process the substrate.

この場合、処理部に対応する処理レシピに機能水の濃度が設定されるので、処理部の動作手順または動作条件を変更する際に機能水の濃度を容易に変更することができる。   In this case, since the functional water concentration is set in the processing recipe corresponding to the processing unit, it is possible to easily change the functional water concentration when changing the operation procedure or the operation condition of the processing unit.

また、基板に供給される機能水の濃度を処理レシピに基づいて最適な濃度に調整することができるので、基板の処理不良を防止しつつ、機能水を用いた基板の処理を行うことができる。   Moreover, since the density | concentration of the functional water supplied to a board | substrate can be adjusted to an optimal density | concentration based on a process recipe, the board | substrate process using a functional water can be performed, preventing the process defect of a board | substrate. .

本発明によれば、処理部に対応する処理レシピに機能水の濃度が設定されるので、処理部の動作手順または動作条件を変更する際に機能水の濃度を容易に変更することができる。   According to the present invention, since the functional water concentration is set in the processing recipe corresponding to the processing unit, it is possible to easily change the functional water concentration when changing the operation procedure or operating condition of the processing unit.

また、基板に供給される機能水の濃度を処理レシピに基づいて最適な濃度に調整することができるので、基板の処理不良を防止しつつ、機能水を用いた基板の処理を行うことができる。   Moreover, since the density | concentration of the functional water supplied to a board | substrate can be adjusted to an optimal density | concentration based on a process recipe, the board | substrate process using a functional water can be performed, preventing the process defect of a board | substrate. .

以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について、図面を参照しながら説明する。   Hereinafter, a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等をいう。   In the following description, a substrate refers to a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a PDP (plasma display panel), a glass substrate for a photomask, a substrate for an optical disk, and the like.

機能水とは、酸化作用、還元作用等の所定の機能を有する水をいい、例えば、炭酸水、オゾン水、水素水（還元水）、電解イオン水、または磁気水等を含む。   Functional water refers to water having a predetermined function such as oxidation and reduction, and includes, for example, carbonated water, ozone water, hydrogen water (reduced water), electrolytic ion water, magnetic water, and the like.

（１） 基板処理装置の構成
図１は参考例としての基板処理装置の平面図である。図１に示すように、基板処理装置１００は、処理領域Ａ，Ｂを有し、処理領域Ａ，Ｂ間に搬送領域Ｃを有する。 (1) Configuration of Substrate Processing Apparatus FIG. 1 is a plan view of a substrate processing apparatus as a reference example . As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 100 has processing areas A and B, and a transfer area C between the processing areas A and B.

処理領域Ａには、制御部４、流体ボックス部２ａ，２ｂ、洗浄処理部５ａ，５ｂが配置されている。   In the processing area A, a control unit 4, fluid box units 2a and 2b, and cleaning processing units 5a and 5b are arranged.

図１の流体ボックス部２ａ，２ｂは、それぞれ洗浄処理部５ａ，５ｂへの薬液およびリンス液の供給および洗浄処理部５ａ，５ｂからの廃棄（排液）等に関する配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ等の流体関連機器を収納する。なお、これに付随するポンプ、温度調節器、処理液貯留タンク等の流体関連機器は、基板処理装置１００に隣接する位置に設けられた薬液キャビネット（図示せず）の内部に収納されている。   1 are pipes, joints, valves, and flow meters for supplying chemical liquids and rinse liquids to the cleaning processing units 5a and 5b and for disposal (drainage) from the cleaning processing units 5a and 5b, respectively. Storing fluid related equipment such as regulators. The associated fluid-related devices such as a pump, a temperature controller, and a processing liquid storage tank are accommodated in a chemical liquid cabinet (not shown) provided at a position adjacent to the substrate processing apparatus 100.

洗浄処理部５ａ，５ｂでは、薬液による洗浄処理（以下、薬液処理と呼ぶ）およびリンス液による洗浄処理（以下、リンス処理と呼ぶ）が行われる。   In the cleaning processing units 5a and 5b, a cleaning process using a chemical solution (hereinafter referred to as a chemical process) and a cleaning process using a rinse liquid (hereinafter referred to as a rinse process) are performed.

処理領域Ｂには、流体ボックス部２ｃ，２ｄおよび洗浄処理部５ｃ，５ｄが配置されている。流体ボックス部２ｃ，２ｄおよび洗浄処理部５ｃ，５ｄの各々は、上記流体ボックス部２ａ，２ｂおよび洗浄処理部５ａ，５ｂと同様の構成を有する。また、洗浄処理部５ｃ，５ｄは、洗浄処理部５ａ，５ｂと同様に基板Ｗの薬液処理およびリンス処理を行う。本例において、洗浄処理部５ａ〜５ｄでは、アルカリ性の薬液を用い、リンス液としては、機能水の炭酸水を用いる。 In the processing region B, fluid box portions 2c and 2d and cleaning processing portions 5c and 5d are arranged. Each of the fluid box portions 2c and 2d and the cleaning processing portions 5c and 5d has the same configuration as the fluid box portions 2a and 2b and the cleaning processing portions 5a and 5b. In addition, the cleaning processing units 5c and 5d perform a chemical solution process and a rinsing process on the substrate W in the same manner as the cleaning processing units 5a and 5b. In this example , in the cleaning processing units 5a to 5d, an alkaline chemical solution is used, and carbonated water of functional water is used as the rinse solution.

以下、洗浄処理部５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄを処理ユニットと総称する。搬送領域Ｃには、基板搬送ロボットＣＲが設けられている。   Hereinafter, the cleaning processing units 5a, 5b, 5c, and 5d are collectively referred to as processing units. In the transfer area C, a substrate transfer robot CR is provided.

処理領域Ａ，Ｂの一端部側には、基板Ｗの搬入および搬出を行うインデクサＩＤが配置されており、インデクサロボットＩＲはインデクサＩＤの内部に設けられている。インデクサＩＤには、基板Ｗを収納するキャリア１が載置される。   An indexer ID for carrying in and out the substrate W is arranged on one end side of the processing areas A and B, and the indexer robot IR is provided inside the indexer ID. The carrier 1 that stores the substrate W is placed on the indexer ID.

インデクサＩＤのインデクサロボットＩＲは、矢印Ｕの方向に移動し、キャリア１から基板Ｗを取り出して基板搬送ロボットＣＲに渡し、逆に、一連の処理が施された基板Ｗを基板搬送ロボットＣＲから受け取ってキャリア１に戻す。   The indexer robot IR with the indexer ID moves in the direction of the arrow U, takes out the substrate W from the carrier 1 and passes it to the substrate transport robot CR, and conversely receives the substrate W subjected to a series of processing from the substrate transport robot CR. Return to carrier 1.

基板搬送ロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲから渡された基板Ｗを指定された処理ユニットに搬送し、または、処理ユニットから受け取った基板Ｗを他の処理ユニットまたはインデクサロボットＩＲに搬送する。   The substrate transfer robot CR transfers the substrate W delivered from the indexer robot IR to the designated processing unit, or transfers the substrate W received from the processing unit to another processing unit or the indexer robot IR.

本例においては、洗浄処理部５ａ〜５ｄのいずれかにおいて基板Ｗに薬液処理およびリンス処理が行われた後に、基板搬送ロボットＣＲにより基板Ｗが洗浄処理部５ａ〜５ｄから搬出され、インデクサロボットＩＲを介してキャリア１に搬入される。 In this example , after the chemical solution processing and the rinsing processing are performed on the substrate W in any of the cleaning processing units 5a to 5d, the substrate W is unloaded from the cleaning processing units 5a to 5d by the substrate transport robot CR, and the indexer robot IR Is carried into the carrier 1 via.

制御部４は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）を含むコンピュータ等からなり、処理領域Ａ，Ｂの各処理ユニットの動作、搬送領域Ｃの基板搬送ロボットＣＲの動作およびインデクサＩＤのインデクサロボットＩＲの動作を制御する。制御部４の側壁に、基板処理装置１００の動作手順および動作条件を規定する処理レシピを作業者が設定するための操作パネル７１０が設けられている。詳細は後述する。   The control unit 4 includes a computer including a CPU (Central Processing Unit) and the like. The operation of each processing unit in the processing areas A and B, the operation of the substrate transfer robot CR in the transfer area C, and the operation of the indexer robot IR of the indexer ID. To control. On the side wall of the control unit 4, an operation panel 710 is provided for an operator to set a processing recipe that defines the operation procedure and operation conditions of the substrate processing apparatus 100. Details will be described later.

また、基板処理装置１００においては、インデクサＩＤに隣接するように機能水生成部４１０が設けられている。処理領域Ａ，Ｂの一端部側に隣接するように薬液供給源３１０が設けられている。   Moreover, in the substrate processing apparatus 100, the functional water generating part 410 is provided so as to be adjacent to the indexer ID. A chemical supply source 310 is provided so as to be adjacent to one end side of the processing areas A and B.

（２） 洗浄処理部の構成
図２は、基板処理装置１００の洗浄処理部５ａ〜５ｄの構成を説明するための図である。 (2) Configuration FIG. 2 of the cleaning unit is a diagram for explaining the configuration of the cleaning unit 5a~5d of board processing apparatus 100.

図２に示すように、洗浄処理部５ａ〜５ｄは、基板Ｗを水平に保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック２１を備える。   As shown in FIG. 2, the cleaning processing units 5 a to 5 d include a spin chuck 21 for holding the substrate W horizontally and rotating the substrate W around a vertical rotation axis passing through the center of the substrate W.

スピンチャック２１は、チャック回転駆動機構３６によって回転される回転軸２５の上端に固定されている。また、スピンチャック２１には吸気路（図示せず）が形成されており、スピンチャック２１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの下面をスピンチャック２１に真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。   The spin chuck 21 is fixed to the upper end of the rotation shaft 25 rotated by the chuck rotation drive mechanism 36. The spin chuck 21 is formed with an intake path (not shown). By exhausting the intake path with the substrate W placed on the spin chuck 21, the lower surface of the substrate W is placed on the lower surface of the spin chuck 21. The substrate W can be held in a horizontal posture.

スピンチャック２１の外方には、モータ６０が設けられている。モータ６０には、回動軸６１が接続されている。また、回動軸６１には、アーム６２が水平方向に延びるように連結され、アーム６２の先端に薬液処理用ノズル５０が設けられている。   A motor 60 is provided outside the spin chuck 21. A rotation shaft 61 is connected to the motor 60. An arm 62 is connected to the rotation shaft 61 so as to extend in the horizontal direction, and a chemical solution processing nozzle 50 is provided at the tip of the arm 62.

モータ６０により回動軸６１が回転するとともにアーム６２が回動し、薬液処理用ノズル５０がスピンチャック２１により保持された基板Ｗの上方と外方との間を移動する。   The rotation shaft 61 is rotated by the motor 60 and the arm 62 is rotated, so that the chemical processing nozzle 50 moves between the upper side and the outer side of the substrate W held by the spin chuck 21.

モータ６０、回動軸６１およびアーム６２の内部を通るように薬液処理用供給管６３が設けられている。薬液処理用供給管６３は、薬液供給源３１０に接続されている。薬液処理用供給管６３には、開閉バルブ６５が介挿されている。   A chemical treatment supply pipe 63 is provided so as to pass through the motor 60, the rotation shaft 61 and the arm 62. The chemical treatment supply pipe 63 is connected to a chemical supply source 310. An open / close valve 65 is inserted in the chemical liquid supply pipe 63.

洗浄処理部５ａ〜５ｄの薬液処理用ノズル５０には、薬液供給源３１０から薬液処理用供給管６３を通して薬液が供給される。それにより、基板Ｗの表面へ薬液を供給することができる。   A chemical solution is supplied from the chemical solution supply source 310 through the chemical solution supply pipe 63 to the chemical solution processing nozzles 50 of the cleaning processing units 5a to 5d. Thereby, the chemical solution can be supplied to the surface of the substrate W.

スピンチャック２１の外方には、モータ７１が設けられている。モータ７１には、回動軸７２が接続されている。また、回動軸７２には、アーム７３が水平方向に延びるように連結され、アーム７３の先端にリンス処理用ノズル７０が設けられている。   A motor 71 is provided outside the spin chuck 21. A rotation shaft 72 is connected to the motor 71. In addition, an arm 73 is connected to the rotation shaft 72 so as to extend in the horizontal direction, and a rinse processing nozzle 70 is provided at the tip of the arm 73.

モータ７１により回動軸７２が回転するとともにアーム７３が回動し、リンス処理用ノズル７０がスピンチャック２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。   The rotation shaft 72 is rotated by the motor 71 and the arm 73 is rotated, so that the rinsing nozzle 70 moves above the substrate W held by the spin chuck 21.

モータ７１、回動軸７２およびアーム７３の内部を通るようにリンス処理用供給管７４が設けられている。リンス処理用供給管７４は、機能水生成部４１０に接続されている。リンス処理用供給管７４には開閉バルブ７５が介挿されている。   A rinse treatment supply pipe 74 is provided so as to pass through the motor 71, the rotation shaft 72, and the arm 73. The rinse treatment supply pipe 74 is connected to the functional water generator 410. An opening / closing valve 75 is inserted in the rinsing treatment supply pipe 74.

洗浄処理部５ａ〜５ｄのリンス処理用ノズル７０には、機能水生成部４１０からリンス処理用供給管７４を通してリンス液が供給される。それにより、基板Ｗの表面へリンス液を供給することができる。   The rinse liquid is supplied from the functional water generator 410 through the rinse treatment supply pipe 74 to the rinse treatment nozzles 70 of the cleaning treatment units 5a to 5d. Thereby, the rinse liquid can be supplied to the surface of the substrate W.

薬液処理用ノズル５０は、基板Ｗ上に薬液を供給する際には、基板の中心部上方の処理位置に移動し、基板Ｗの表面へリンス液を供給する際には、スピンチャック２１の外方の待機位置に退避される。   When supplying the chemical solution onto the substrate W, the chemical processing nozzle 50 moves to a processing position above the center of the substrate, and when supplying the rinse liquid to the surface of the substrate W, the chemical processing nozzle 50 is attached to the outside of the spin chuck 21. Is evacuated to the standby position.

また、リンス処理用ノズル７０は、基板Ｗ上に薬液を供給する際には、スピンチャック２１の外方の待機位置に退避され、基板Ｗ上にリンス液を供給する際には、基板Ｗの中心部上方の処理位置に移動する。   Further, the rinsing nozzle 70 is retracted to a standby position outside the spin chuck 21 when supplying the chemical liquid onto the substrate W, and when supplying the rinsing liquid onto the substrate W, the rinsing processing nozzle 70 is retracted. Move to the processing position above the center.

スピンチャック２１に保持された基板Ｗは、処理カップ２３内に収容される。処理カップ２３の内側には、筒状の仕切壁３３が設けられている。また、スピンチャック２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗの処理に用いられた処理液を排液するための排液空間３１が形成されている。さらに、排液空間３１を取り囲むように、処理カップ２３と仕切壁３３の間に基板Ｗの処理に用いられた処理液を回収するための循環液空間３２が形成されている。   The substrate W held on the spin chuck 21 is accommodated in the processing cup 23. A cylindrical partition wall 33 is provided inside the processing cup 23. Further, a drainage space 31 for draining the processing liquid used for processing the substrate W is formed so as to surround the periphery of the spin chuck 21. Furthermore, a circulating liquid space 32 for collecting the processing liquid used for processing the substrate W is formed between the processing cup 23 and the partition wall 33 so as to surround the drainage space 31.

排液空間３１には、廃棄装置（図示せず）へ処理液を導くための廃棄管３４が接続されている。循環液空間３２には、薬液供給源３１０へ処理液を導くための回収管３５が接続されている。   A waste pipe 34 is connected to the drainage space 31 to guide the processing liquid to a disposal device (not shown). A recovery pipe 35 for guiding the processing liquid to the chemical liquid supply source 310 is connected to the circulating liquid space 32.

処理カップ２３の上方には、基板Ｗからの処理液が外方へ飛散することを防止するためのガード２４が設けられている。このガード２４は、回転軸２５に対して回転対称な形状からなっている。ガード２４の上端部の内面には、断面く字状の排液案内溝４１が環状に形成されている。   A guard 24 for preventing the processing liquid from the substrate W from splashing outward is provided above the processing cup 23. The guard 24 has a rotationally symmetric shape with respect to the rotation shaft 25. On the inner surface of the upper end of the guard 24, a drainage guide groove 41 having a square cross section is formed in an annular shape.

また、ガード２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部４２が形成されている。回収液案内部４２の上端付近には、処理カップ２３の仕切壁３３を受け入れるための仕切壁収納溝４３が形成されている。   Further, a recovery liquid guide portion 42 having an inclined surface that is inclined outward and downward is formed on the inner surface of the lower end portion of the guard 24. A partition wall storage groove 43 for receiving the partition wall 33 of the processing cup 23 is formed in the vicinity of the upper end of the recovered liquid guide portion 42.

このガード２４には、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構（図示せず）が設けられている。ガード昇降駆動機構は、ガード２４を、回収液案内部４２がスピンチャック２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する回収位置と、排液案内溝４１がスピンチャック２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する排液位置との間で上下動させる。ガード２４が回収位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が回収液案内部４２により循環液空間３２に導かれ、回収管３５を通して薬液供給源３１０に戻される。   The guard 24 is provided with a guard raising / lowering drive mechanism (not shown) constituted by a ball screw mechanism or the like. The guard raising / lowering drive mechanism includes a guard 24, a recovery position where the recovery liquid guide 42 is opposed to the outer peripheral end surface of the substrate W held by the spin chuck 21, and the substrate W where the drainage guide groove 41 is held by the spin chuck 21. The liquid is moved up and down with respect to the drainage position facing the outer peripheral end face. When the guard 24 is in the recovery position, the processing liquid splashed outward from the substrate W is guided to the circulating liquid space 32 by the recovery liquid guide 42 and returned to the chemical supply source 310 through the recovery pipe 35.

本例では、薬液処理に用いられる薬液が回収管３５を通して薬液供給源３１０に戻され、再利用される。したがって、リンス液よりも高価な薬液を再利用することにより、基板Ｗの製造コストが低減される。一方、ガード２４が排液位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が排液案内溝４１により排液空間３１に導かれ、廃棄管３４を通して排液される。以上の構成により、処理液の排液および回収が行われる。 In this example , the chemical used for the chemical treatment is returned to the chemical supply source 310 through the recovery pipe 35 and reused. Therefore, the manufacturing cost of the substrate W can be reduced by reusing a chemical liquid that is more expensive than the rinsing liquid. On the other hand, when the guard 24 is at the drainage position, the processing liquid splashed outward from the substrate W is guided to the drainage space 31 by the drainage guide groove 41 and drained through the waste pipe 34. With the above configuration, the processing liquid is drained and collected.

（３）洗浄処理部の動作
次に、図２を参照して洗浄処理部５ａ〜５ｄの動作について説明する。なお、以下に説明する洗浄処理部５ａ〜５ｄの各構成要素の動作は、図１に示した制御部４により制御される。 (3) Operation of Cleaning Processing Unit Next, the operation of the cleaning processing units 5a to 5d will be described with reference to FIG. In addition, operation | movement of each component of the cleaning process parts 5a-5d demonstrated below is controlled by the control part 4 shown in FIG.

まず、基板Ｗの搬入時には、ガード２４が下降するとともに、基板搬送ロボットＣＲが基板Ｗをスピンチャック２１上に載置する。スピンチャック２１上に載置された基板Ｗは、スピンチャック２１により吸着保持される。   First, when the substrate W is carried in, the guard 24 is lowered and the substrate transport robot CR places the substrate W on the spin chuck 21. The substrate W placed on the spin chuck 21 is attracted and held by the spin chuck 21.

次に、ガード２４が上述した回収位置まで上昇するとともに、薬液処理用ノズル５０が待機位置から基板Ｗの中心部上方の処理位置に移動する。その後、回転軸２５が回転し、この回転にともないスピンチャック２１に保持されている基板Ｗが回転する。その後、薬液処理用ノズル５０から基板Ｗの上面に薬液が吐出される。これにより、基板Ｗの薬液処理が行われる。基板Ｗの薬液処理終了後、薬液処理用ノズル５０が待機位置に移動する。   Next, the guard 24 moves up to the recovery position described above, and the chemical solution processing nozzle 50 moves from the standby position to a processing position above the center of the substrate W. Thereafter, the rotating shaft 25 rotates, and the substrate W held on the spin chuck 21 rotates with this rotation. Thereafter, the chemical liquid is discharged from the chemical liquid processing nozzle 50 onto the upper surface of the substrate W. Thereby, the chemical | medical solution process of the board | substrate W is performed. After the chemical liquid processing of the substrate W is completed, the chemical liquid processing nozzle 50 moves to the standby position.

次いで、ガード２４が上述した廃液位置まで上昇するとともに、リンス処理用ノズル７０が基板Ｗの中心部上方に移動する。次いで、リンス処理用ノズル７０からリンス液が吐出される。これにより、基板Ｗ上の薬液が洗い流される。   Next, the guard 24 is raised to the above-described waste liquid position, and the rinse processing nozzle 70 is moved above the center of the substrate W. Next, a rinse liquid is discharged from the rinse processing nozzle 70. Thereby, the chemical solution on the substrate W is washed away.

次に、リンス液の供給が停止され、回転軸２５の回転数が上昇する。それにより、基板Ｗ上のリンス液に大きな遠心力が作用し、基板Ｗ上からリンス液が取り除かれる。   Next, the supply of the rinsing liquid is stopped, and the rotational speed of the rotary shaft 25 is increased. Thereby, a large centrifugal force acts on the rinse liquid on the substrate W, and the rinse liquid is removed from the substrate W.

次に、リンス処理用ノズル７０が所定の位置に退避するとともに回転軸２５の回転が停止する。その後、ガード２４が下降するとともに図１の基板搬送ロボットＣＲが基板Ｗを洗浄処理部５ａ〜５ｄから搬出する。これにより、洗浄処理部５ａ〜５ｄにおける処理動作が終了する。   Next, the rinse processing nozzle 70 is retracted to a predetermined position, and the rotation of the rotary shaft 25 is stopped. Thereafter, the guard 24 is lowered and the substrate transport robot CR in FIG. 1 carries the substrate W out of the cleaning processing units 5a to 5d. Thereby, the processing operation in the cleaning processing units 5a to 5d is completed.

なお、基板Ｗの薬液処理およびリンス処理中におけるガード２４の位置は、処理液の回収または廃液の必要性に応じて適宜変更してもよい。   Note that the position of the guard 24 during the chemical treatment and the rinsing treatment of the substrate W may be changed as appropriate according to the necessity of collecting the treatment liquid or waste liquid.

（４）機能水生成部の詳細
一般に、アルカリ性の薬液を用いて基板Ｗの薬液処理が行われた後に、純水を用いて基板Ｗのリンス処理が行われた場合には、アルカリ性の薬液が純水により薄められ、弱アルカリ性領域（およそｐｈ９〜ｐｈ１０）の混合液が生成される。これにより、基板Ｗ上のアルミニウムなどの金属膜が損傷をうけるペーハーショックが起こる。 (4) Details of Functional Water Generation Unit Generally, when the substrate W is rinsed with pure water after the substrate W is chemically treated with an alkaline chemical, the alkaline chemical is It is diluted with pure water to produce a mixed solution in a weakly alkaline region (approximately ph9 to ph10). As a result, a pH shock occurs in which a metal film such as aluminum on the substrate W is damaged.

また、純水により基板Ｗのリンス処理を行った場合には、基板Ｗが帯電することにより、基板Ｗ上の金属膜が損傷を受ける場合がある。   In addition, when the rinsing process of the substrate W is performed with pure water, the metal film on the substrate W may be damaged when the substrate W is charged.

そこで、本例では、リンス液として炭酸水（ＣＯ2 水）が用いられる。炭酸水は機能水の１つであり、酸化作用および導電性を有する。リンス液として炭酸水を用いることにより、ペーハーショックおよび基板Ｗの帯電を防止することができる。炭酸水は機能水生成部４１０において生成される。 Therefore, in this example , carbonated water (CO 2 water) is used as the rinse liquid. Carbonated water is one of functional waters and has an oxidizing action and conductivity. By using carbonated water as the rinsing liquid, it is possible to prevent pH shock and charging of the substrate W. Carbonated water is generated in the functional water generator 410.

図３は、機能水生成部４１０の構成例を説明するための図である。   FIG. 3 is a diagram for explaining a configuration example of the functional water generation unit 410.

図３に示すように、機能水生成部４１０は、気液混合モジュール２００を備える。気液混合モジュール２００としては、例えば、ガス透過性を有する複数の中空糸膜が束ねられた構造の中空糸膜モジュールが用いられる。気液混合モジュール２００の液体入口２００ａは配管２０１を介してリンス処理用供給管７４に接続されている。配管２０１には、抵抗制御バルブ２０３が介挿されている。またさらに、気液混合モジュール２００の底部には、気液混合モジュール２００の交換時などに気液混合モジュール２００内の液体を排出するためのドレン配管２００ｃが接続されており、また、このドレン配管２００ｃの途中部にはドレンバルブ２００ｄが介挿されている。   As shown in FIG. 3, the functional water generation unit 410 includes a gas-liquid mixing module 200. As the gas-liquid mixing module 200, for example, a hollow fiber membrane module having a structure in which a plurality of hollow fiber membranes having gas permeability is bundled is used. A liquid inlet 200 a of the gas-liquid mixing module 200 is connected to a rinsing treatment supply pipe 74 via a pipe 201. A resistance control valve 203 is inserted in the pipe 201. Furthermore, a drain pipe 200c for discharging the liquid in the gas-liquid mixing module 200 when the gas-liquid mixing module 200 is exchanged is connected to the bottom of the gas-liquid mixing module 200. A drain valve 200d is inserted in the middle of 200c.

また、気液混合モジュール２００の気体入口２００ｂには二酸化炭素供給管２０４が接続されている。二酸化炭素供給管２０４には、気体調整バルブ２０５が介挿されている。二酸化炭素供給管２０４には二酸化炭素（ＣＯ2 ）が供給される。気液混合モジュール２００の流体出口２００ｃは配管２０２を介してリンス処理用供給管７４に接続されている。 A carbon dioxide supply pipe 204 is connected to the gas inlet 200 b of the gas-liquid mixing module 200. A gas adjustment valve 205 is inserted in the carbon dioxide supply pipe 204. Carbon dioxide (CO 2 ) is supplied to the carbon dioxide supply pipe 204. A fluid outlet 200 c of the gas-liquid mixing module 200 is connected to a rinsing treatment supply pipe 74 via a pipe 202.

機能水生成部４１０では、リンス処理用供給管７４に純水が供給され、供給された純水の一部が気液混合モジュール２００に導かれる。気液混合モジュール２００において二酸化炭素供給管２０４から供給される二酸化炭素（ＣＯ2 ）が純水中に溶解する。これにより、炭酸水が生成される。生成された炭酸水はリンス処理用供給管７４を流れる純水中に混合される。 In the functional water generation unit 410, pure water is supplied to the rinsing treatment supply pipe 74, and a part of the supplied pure water is guided to the gas-liquid mixing module 200. Carbon dioxide (CO 2 ) supplied from the carbon dioxide supply pipe 204 in the gas-liquid mixing module 200 is dissolved in pure water. Thereby, carbonated water is generated. The generated carbonated water is mixed with pure water flowing through the rinsing treatment supply pipe 74.

抵抗制御バルブ２０３の開度が調整されることにより、リンス処理用供給管７４から配管２０１を通して気液混合モジュール２００に導かれる純水の流量が調整される。気体調整バルブ２０５の開度が調整されることにより、気液混合モジュール２００に供給される二酸化炭素の流量が調整される。   By adjusting the opening degree of the resistance control valve 203, the flow rate of pure water led to the gas-liquid mixing module 200 from the rinse treatment supply pipe 74 through the pipe 201 is adjusted. The flow rate of carbon dioxide supplied to the gas-liquid mixing module 200 is adjusted by adjusting the opening of the gas adjustment valve 205.

したがって、抵抗制御バルブ２０３の開度および気体調整バルブ２０５の開度を調整することにより、機能水生成部４１０で生成される炭酸水の濃度を調整することができる。   Therefore, by adjusting the opening degree of the resistance control valve 203 and the opening degree of the gas adjustment valve 205, the concentration of carbonated water generated by the functional water generation unit 410 can be adjusted.

本例では、基板Ｗの薬液処理に用いる薬液の種類に応じて、機能水生成部４１０の抵抗制御バルブ２０３および気体調整バルブ２０５の開度が調整される。抵抗制御バルブ２０３および気体調整バルブ２０５の開度の調整は、図１の制御部４により、後述する処理レシピに従って行われる。詳細は後述する。 In this example, depending on the type of chemical liquid used for the chemical processing of the substrate W, the opening degree of resistance control valve 203 and the gas regulating valve 205 of the functional water generating unit 410 is adjusted. Adjustment of the opening degree of the resistance control valve 203 and the gas adjustment valve 205 is performed by the control unit 4 of FIG. Details will be described later.

（５）基板処理装置の制御系
図１の基板処理装置１００の制御系の詳細を説明する。図４は、基板処理装置１００の制御系を説明するためのブロック図である。 (5) Control System of Substrate Processing Apparatus Details of the control system of the substrate processing apparatus 100 in FIG. 1 will be described. FIG. 4 is a block diagram for explaining a control system of the substrate processing apparatus 100.

図４に示すように、機能水生成部４１０には、洗浄処理部５ａ〜５ｄがそれぞれ開閉バルブ７５を介して接続されている。   As shown in FIG. 4, cleaning processing units 5 a to 5 d are connected to the functional water generation unit 410 via open / close valves 75, respectively.

制御部４は、例えばＣＰＵ７０１およびメモリ７０２を含む。なお、制御部４はマイクロコンピュータであってもよい。   The control unit 4 includes, for example, a CPU 701 and a memory 702. The control unit 4 may be a microcomputer.

制御部４のＣＰＵ７０１には、操作パネル７１０が接続されている。作業者が操作パネル７１０を操作することにより、後述する処理レシピがＣＰＵ７０１に設定される。設定された処理レシピは、ＣＰＵ７０１によりメモリ７０２に記憶される。   An operation panel 710 is connected to the CPU 701 of the control unit 4. When the operator operates the operation panel 710, a processing recipe described later is set in the CPU 701. The set processing recipe is stored in the memory 702 by the CPU 701.

制御部４のＣＰＵ７０１は、メモリ７０２に記憶された処理レシピに基づいて、洗浄処理部５ａ〜５ｄにそれぞれ対応する開閉バルブ７５の開閉を制御するとともに機能水生成部４１０の抵抗制御バルブ２０３および気体調整バルブ２０５（図３参照）の開度を制御する。   Based on the processing recipe stored in the memory 702, the CPU 701 of the control unit 4 controls the opening and closing of the open / close valves 75 corresponding to the cleaning processing units 5a to 5d, and the resistance control valve 203 and the gas of the functional water generating unit 410. The opening degree of the adjustment valve 205 (see FIG. 3) is controlled.

機能水生成部４１０で生成されたリンス液（炭酸水）は、リンス処理用供給管７４を通して洗浄処理部５ａ〜５ｄの各々へ導かれる。   The rinse liquid (carbonated water) generated by the functional water generation unit 410 is guided to each of the cleaning processing units 5a to 5d through the rinse treatment supply pipe 74.

また、制御部４のＣＰＵ７０１には、洗浄処理部５ａ〜５ｄ、流体ボックス部２ａ〜２ｄの各構成部が接続され（図示せず）、それらの各構成部の動作をメモリ７０２に記憶された処理レシピに基づいて制御する。   In addition, the CPU 701 of the control unit 4 is connected to the components of the cleaning processing units 5a to 5d and the fluid box units 2a to 2d (not shown), and the operations of these components are stored in the memory 702. Control based on the processing recipe.

（６）処理レシピに基づく制御
図５および図６は、処理レシピを説明するための図である。本例において、処理レシピは少なくとも基板処理装置１００の動作手順および動作条件を含む。 (6) Control Based on Processing Recipe FIG. 5 and FIG. 6 are diagrams for explaining the processing recipe. In this example , the processing recipe includes at least the operation procedure and operation conditions of the substrate processing apparatus 100.

図５には、洗浄処理部５ａ〜５ｄの処理レシピの一部が表形式で示されている。図５（ａ）は、洗浄処理部５ａの処理レシピを示し、図５（ｂ）は洗浄処理部５ｂの処理レシピを示し、図５（ｃ）は洗浄処理部５ｃの処理レシピを示し、図５（ｄ）は洗浄処理部５ｄの処理レシピを示す。   FIG. 5 shows a part of the processing recipe of the cleaning processing units 5a to 5d in a table format. 5A shows a processing recipe of the cleaning processing unit 5a, FIG. 5B shows a processing recipe of the cleaning processing unit 5b, FIG. 5C shows a processing recipe of the cleaning processing unit 5c, and FIG. 5 (d) shows a processing recipe of the cleaning processing unit 5d.

図５の処理レシピには、基板処理装置１００の動作手順および動作条件として、薬液処理、リンス処理および乾燥処理の各処理工程における処理液の種類、時間、および炭酸水の濃度が設定される。   In the processing recipe of FIG. 5, as the operation procedure and operation conditions of the substrate processing apparatus 100, the type of processing liquid, the time, and the concentration of carbonated water in each processing step of chemical processing, rinsing processing, and drying processing are set.

図５（ａ）によれば、洗浄処理部５ａにおいては、１０〜６０ｓｅｃの期間に薬液処理を行い、７０〜１２０ｓｅｃの期間にリンス処理を行い、１２０〜１４０ｓｅｃの期間に乾燥処理を行う。   According to Fig.5 (a), in the washing | cleaning process part 5a, a chemical | medical solution process is performed in the period for 10 to 60 seconds, the rinse process is performed in the period for 70 to 120 seconds, and the drying process is performed in the period for 120 to 140 seconds.

薬液処理に用いられる処理液は薬液ＭＡである。この期間における炭酸水の濃度は０．１０ｐｐｍである。リンス処理に用いられる処理液は炭酸水であり、炭酸水の濃度は１．００ｐｐｍである。乾燥処理の期間におけるの炭酸水の濃度は、０．１０ｐｐｍである。   The treatment liquid used for the chemical treatment is a chemical MA. The concentration of carbonated water during this period is 0.10 ppm. The treatment liquid used for the rinse treatment is carbonated water, and the concentration of carbonated water is 1.00 ppm. The concentration of carbonated water during the drying process is 0.10 ppm.

図５（ｂ）によれば、洗浄処理部５ｂにおいては、３０〜８０ｓｅｃの期間に薬液処理を行い、９０〜１４０ｓｅｃの期間にリンス処理を行い、１４０〜１６０ｓｅｃの期間に乾燥処理を行う。   According to FIG.5 (b), in the washing | cleaning process part 5b, a chemical | medical solution process is performed in the period of 30-80 sec, the rinse process is performed in the period of 90-140 sec, and the drying process is performed in the period of 140-160 sec.

薬液処理に用いられる処理液は薬液ＭＡである。この期間における炭酸水の濃度は０．１０ｐｐｍである。リンス処理に用いられる処理液は炭酸水であり、炭酸水の濃度は１．００ｐｐｍである。乾燥処理の期間における炭酸水の濃度は０．１０ｐｐｍである。   The treatment liquid used for the chemical treatment is a chemical MA. The concentration of carbonated water during this period is 0.10 ppm. The treatment liquid used for the rinse treatment is carbonated water, and the concentration of carbonated water is 1.00 ppm. The concentration of carbonated water during the drying process is 0.10 ppm.

図５（ｃ）によれば、洗浄処理部５ｃにおいては、１００〜１５０ｓｅｃの期間に薬液処理を行い、１６０〜２１０ｓｅｃの期間にリンス処理を行い、２１０〜２３０ｓｅｃの期間に乾燥処理を行う。 According to FIG. 5 (c), the in the cleaning process unit 5c performs chemical treatment during the 100～150Sec performs rinsing during the 160～210Sec, a drying treatment is performed in a period of 210 ~ 230 sec.

薬液処理に用いられる処理液は薬液ＭＢである。この期間における炭酸水の濃度は０．１０ｐｐｍである。リンス処理に用いられる処理液は炭酸水であり、炭酸水の濃度は１０．００ｐｐｍである。乾燥処理の期間における炭酸水の濃度は０．１０ｐｐｍである。   The processing liquid used for the chemical processing is the chemical MB. The concentration of carbonated water during this period is 0.10 ppm. The treatment liquid used for the rinse treatment is carbonated water, and the concentration of carbonated water is 10.00 ppm. The concentration of carbonated water during the drying process is 0.10 ppm.

図５（ｄ）によれば、洗浄処理部５ｄにおいては、１２０〜１７０ｓｅｃの期間に薬液処理を行い、１８０〜２３０ｓｅｃの期間にリンス処理を行い、２３０〜２５０ｓｅｃの期間に乾燥処理を行う。 According to FIG. 5 (d), the in the cleaning process unit 5d performs chemical treatment during the 120～170Sec performs rinsing during the 180～230Sec, a drying treatment is performed in a period of 230 ~ 250 sec.

薬液処理に用いられる処理液は薬液ＭＢである。この期間における炭酸水の濃度は０．１０ｐｐｍである。リンス処理に用いられる処理液は炭酸水であり、炭酸水の濃度は１０．００ｐｐｍである。乾燥処理の期間における炭酸水の濃度は０．１０ｐｐｍである。   The processing liquid used for the chemical processing is the chemical MB. The concentration of carbonated water during this period is 0.10 ppm. The treatment liquid used for the rinse treatment is carbonated water, and the concentration of carbonated water is 10.00 ppm. The concentration of carbonated water during the drying process is 0.10 ppm.

このように、洗浄処理部５ａ，５ｂの薬液処理には薬液ＭＡが用いられ、その後のリンス処理に用いられる炭酸水の濃度は１．００ｐｐｍに設定されている。洗浄処理部５ｃ，５ｄの薬液処理には薬液ＭＢが用いられ、その後のリンス処理に用いられる炭酸水の濃度は１０．００ｐｐｍに設定されている。   Thus, chemical | medical solution MA is used for the chemical | medical solution process of the washing | cleaning process parts 5a and 5b, and the density | concentration of the carbonated water used for the subsequent rinse process is set to 1.00 ppm. The chemical solution MB is used for the chemical treatment of the cleaning treatment units 5c and 5d, and the concentration of carbonated water used for the subsequent rinsing treatment is set to 10.00 ppm.

なお、図５（ａ）〜（ｄ）の処理レシピでは、リンス処理が行われない期間に、炭酸水の濃度が０．１０ｐｐｍに設定されている。これは、図３の機能水生成部４１０において、気液混合モジュール２００から純水が漏出することを防止するために、一定流量の二酸化炭素を気液混合モジュール２００に供給し続ける必要があるからである。この期間には図２および図４の開閉バルブ７５が閉じているため、リンス処理用ノズル７０からは炭酸水は吐出されない。   In the processing recipes of FIGS. 5A to 5D, the carbonated water concentration is set to 0.10 ppm during the period in which the rinsing process is not performed. This is because, in the functional water generation unit 410 in FIG. 3, it is necessary to continue supplying carbon dioxide at a constant flow rate to the gas-liquid mixing module 200 in order to prevent the pure water from leaking from the gas-liquid mixing module 200. It is. During this period, since the on-off valve 75 of FIGS. 2 and 4 is closed, carbonated water is not discharged from the rinsing nozzle 70.

図６は、図５の処理レシピに従う洗浄処理部５ａ〜５ｄでの処理が時系列に示される。   FIG. 6 shows the processing in the cleaning processing units 5a to 5d according to the processing recipe of FIG. 5 in time series.

図４の制御部４は、図５（ａ）〜（ｄ）の処理レシピに従って、洗浄処理部５ａ〜５ｄ内への基板Ｗの搬入ＭＶＩのタイミング、基板Ｗの薬液処理ＣＳのタイミング、基板Ｗのリンス処理ＲＩのタイミング、基板Ｗの乾燥処理ＤＲのタイミング、および基板Ｗの搬出ＭＶＯのタイミングならびに炭酸水の濃度を制御する。   The control unit 4 in FIG. 4 follows the processing recipes in FIGS. 5A to 5D, the timing of the MVI loading of the substrate W into the cleaning processing units 5a to 5d, the timing of the chemical treatment CS of the substrate W, the substrate W The timing of the rinse process RI, the timing of the drying process DR of the substrate W, the timing of the unloading MVO of the substrate W, and the concentration of carbonated water are controlled.

ここで、薬液ＭＡによる薬液処理ＣＳ後の基板Ｗと、薬液ＭＢによる薬液処理ＣＳ後の基板Ｗとでは、その帯電性が異なる。この場合、薬液ＭＢによる薬液処理ＣＳ後の基板Ｗの帯電性は、薬液ＭＡによる薬液処理ＣＳ後の基板Ｗの帯電性よりも高くなる。そのため、薬液ＭＢによる薬液処理ＣＳ後の基板Ｗに供給される炭酸水の濃度は高く設定する必要がある。   Here, the chargeability is different between the substrate W after the chemical treatment CS with the chemical solution MA and the substrate W after the chemical treatment CS with the chemical solution MB. In this case, the chargeability of the substrate W after the chemical treatment CS with the chemical solution MB is higher than the chargeability of the substrate W after the chemical treatment CS with the chemical solution MA. For this reason, it is necessary to set the concentration of carbonated water supplied to the substrate W after the chemical treatment CS with the chemical solution MB high.

一方、基板Ｗに供給する炭酸水の濃度が高すぎると、炭酸水中の酸により基板Ｗ上の金属膜が酸化するおそれがある。   On the other hand, if the concentration of carbonated water supplied to the substrate W is too high, the metal film on the substrate W may be oxidized by the acid in the carbonated water.

したがって、基板Ｗに供給される炭酸水の濃度は、薬液ＭＡを用いた薬液処理ＣＳ後の基板Ｗおよび薬液ＭＢを用いた薬液処理ＣＳ後の基板Ｗのそれぞれに対して、最適に設定する必要がある。   Therefore, the concentration of carbonated water supplied to the substrate W needs to be optimally set for each of the substrate W after the chemical treatment CS using the chemical solution MA and the substrate W after the chemical treatment CS using the chemical solution MB. There is.

そこで、本例では、洗浄処理部５ａ，５ｂにおいてリンス処理ＲＩが行われる期間の炭酸水の濃度が１．００ｐｐｍに設定され、洗浄処理部５ｃ，５ｄにおいてリンス処理ＲＩが行われる期間の炭酸水の濃度が１０．００ｐｐｍに設定されている。   Therefore, in this example, the concentration of carbonated water during the period in which the rinsing process RI is performed in the cleaning processing units 5a and 5b is set to 1.00 ppm, and the carbonated water in the period in which the rinsing process RI is performed in the cleaning processing units 5c and 5d. Is set to 10.00 ppm.

このように、洗浄処理部５ａ，５ｂにおけるリンス処理ＲＩ時には、炭酸水の濃度を低く設定することにより、炭酸水中の酸による基板Ｗ上の金属膜の酸化を防止しつつ、帯電性が低い基板Ｗの帯電を十分に防止することができる。また、洗浄処理部５ｃ，５ｄにおけるリンス処理ＲＩ時には、基板Ｗ上の金属膜が酸化しない範囲で炭酸水の濃度を高く設定することにより、炭酸水中の酸による基板Ｗ上の金属膜の酸化を防止しつつ、帯電性が高い基板Ｗの帯電を十分に防止することができる。   Thus, during the rinse treatment RI in the cleaning processing units 5a and 5b, by setting the concentration of carbonated water low, the substrate having low chargeability can be prevented while preventing the metal film on the substrate W from being oxidized by the acid in the carbonated water. Charging of W can be sufficiently prevented. Further, at the time of the rinse treatment RI in the cleaning processing units 5c and 5d, the concentration of carbonated water is set high within a range in which the metal film on the substrate W is not oxidized, so that the metal film on the substrate W is oxidized by the acid in the carbonated water. While preventing, charging of the substrate W having high chargeability can be sufficiently prevented.

なお、制御部４が抵抗制御バルブ２０３および気体調整バルブ２０５の開度を変更してから機能水生成部４１０で生成される炭酸水の濃度が処理レシピに設定された濃度に安定するまでには所定の時間を要する。そのため、制御部４はリンス処理ＲＩ開始のタイミングよりも前に抵抗制御バルブ２０３および気体調整バルブ２０５の開度を変更することが好ましい。この場合、上記の時間を考慮して、実際に制御部４が抵抗制御バルブ２０３および気体調整バルブ２０５の開度を変更するタイミングを洗浄処理部５ａ〜５ｄの処理レシピに設定してもよいし、制御部４が処理レシピに設定されたリンス処理ＲＩ開始のタイミングよりも所定の時間前に抵抗制御バルブ２０３および気体調整バルブ２０５の開度を変更してもよい。   In addition, after the control part 4 changes the opening degree of the resistance control valve 203 and the gas adjustment valve 205 until the density | concentration of the carbonated water produced | generated by the functional water production | generation part 410 is stabilized to the density | concentration set to the process recipe. It takes a certain amount of time. Therefore, it is preferable that the control unit 4 changes the opening degrees of the resistance control valve 203 and the gas adjustment valve 205 before the start timing of the rinsing process RI. In this case, in consideration of the above time, the timing at which the control unit 4 actually changes the opening degree of the resistance control valve 203 and the gas adjustment valve 205 may be set in the processing recipe of the cleaning processing units 5a to 5d. The opening degree of the resistance control valve 203 and the gas adjustment valve 205 may be changed by the control unit 4 a predetermined time before the start timing of the rinse process RI set in the process recipe.

（７）参考例の効果
本例の基板処理装置１００では、リンス処理に用いられる炭酸水の濃度が、洗浄処理部５ａ〜５ｄの各々における薬液処理後の基板Ｗの帯電性に応じて最適となるように処理レシピに設定される。このような処理レシピに従って、洗浄処理部５ａ〜５ｄにおいて、基板Ｗの薬液処理、リンス処理および乾燥処理が行われるとともに、処理レシピに従って、基板Ｗのリンス処理に用いられる炭酸水の濃度が調整される。それにより、洗浄処理部５ａ〜５ｄにおいて、最適な濃度の炭酸水が基板Ｗに供給される。その結果、炭酸水中の酸による基板Ｗ上の金属膜の酸化を防止しつつ、基板Ｗの帯電を十分に防止することができる。 (7) Effect of Reference Example In the substrate processing apparatus 100 of the present example , the concentration of carbonated water used for the rinsing process is optimal according to the chargeability of the substrate W after the chemical processing in each of the cleaning processing units 5a to 5d. It is set to a processing recipe so that it becomes. In accordance with such a processing recipe, the chemical processing, rinsing and drying of the substrate W are performed in the cleaning processing units 5a to 5d, and the concentration of carbonated water used for the rinsing of the substrate W is adjusted according to the processing recipe. The Accordingly, carbonated water having an optimal concentration is supplied to the substrate W in the cleaning processing units 5a to 5d. As a result, it is possible to sufficiently prevent the substrate W from being charged while preventing the metal film on the substrate W from being oxidized by the acid in the carbonated water.

（８）本発明の実施の形態
（８−１）
図５および図６に示した例では、個々の洗浄処理部５ａ〜５ｄにおける基板Ｗのリンス処理の期間には、炭酸水の濃度が一定であったが、個々の洗浄処理部５ａ〜５ｄにおけるリンス処理の期間内で炭酸水の濃度を変化させてもよい。以下、図７および図８を参照してその具体例について説明する。 (8) Embodiment of the present invention (8-1)
In the example shown in FIGS. 5 and 6, the concentration of carbonated water was constant during the rinsing process of the substrate W in each of the cleaning units 5 a to 5 d, but in each of the cleaning units 5 a to 5 d. You may change the density | concentration of carbonated water within the period of a rinse process. Hereinafter, specific examples will be described with reference to FIGS.

図７および図８は、処理レシピの他の例を説明するための図である。ここでは、図５の処理レシピとの違いを明確にするために、図５（ａ）に対応する洗浄処理部５ａの処理レシピについて説明する。   7 and 8 are diagrams for explaining another example of the processing recipe. Here, in order to clarify the difference from the processing recipe of FIG. 5, the processing recipe of the cleaning processing unit 5a corresponding to FIG. 5A will be described.

図７には、洗浄処理部５ａの処理レシピの一部が表形式で示されている。また、図８には、図７の処理レシピに基づく処理が時系列で示される。   FIG. 7 shows a part of the processing recipe of the cleaning processing unit 5a in a table format. FIG. 8 shows the processing based on the processing recipe of FIG. 7 in time series.

図７の処理レシピが図５（ａ）の処理レシピと異なるのは、以下の点である。   The processing recipe of FIG. 7 is different from the processing recipe of FIG. 5A in the following points.

図７によれば、リンス処理の期間内において、７０〜９０ｓｅｃの期間の炭酸水の濃度は１．００ｐｐｍであり、９０〜１２０ｓｅｃの期間の炭酸水の濃度は１．００ｐｐｍから０．１０ｐｐｍへ徐々に低下する。   According to FIG. 7, the concentration of carbonated water during the period of 70 to 90 sec is 1.00 ppm and the concentration of carbonated water during the period of 90 to 120 sec is gradually increased from 1.00 ppm to 0.10 ppm. To drop.

この場合、リンス処理ＲＩ開始時に、炭酸水の濃度を１．００ｐｐｍに設定することにより、帯電性が低い基板Ｗの帯電を十分に防止することができる。また、リンス処理ＲＩの終了時に近づくにつれて、炭酸水の濃度を１．００ｐｐｍから０．１０ｐｐｍへ徐々に低下するように設定することにより、炭酸水中の酸による基板Ｗ上の金属膜の酸化をより効果的に防止することができる。   In this case, by setting the carbonated water concentration to 1.00 ppm at the start of the rinsing process RI, it is possible to sufficiently prevent the substrate W having low chargeability from being charged. Further, as the rinsing process RI is approached, the concentration of the carbonated water is set to gradually decrease from 1.00 ppm to 0.10 ppm, thereby further oxidizing the metal film on the substrate W by the acid in the carbonated water. It can be effectively prevented.

図７および図８と同様の処理レシピを洗浄処理部５ｂ〜５ｃにも用いることにより、洗浄処理部５ｂ〜５ｃにおいても、同様の効果を得ることができる。ただし、洗浄処理部５ａ〜５ｄの処理レシピは、洗浄処理部５ａ〜５ｄにおけるリンス処理ＲＩのタイミングが同じ期間に重ならないように設定される。   By using the same processing recipe as in FIGS. 7 and 8 for the cleaning processing units 5b to 5c, the same effect can be obtained in the cleaning processing units 5b to 5c. However, the processing recipes of the cleaning processing units 5a to 5d are set so that the timing of the rinsing process RI in the cleaning processing units 5a to 5d does not overlap in the same period.

このように、個々の洗浄処理部５ａ〜５ｄにおいて、リンス処理ＲＩの期間内における炭酸水の濃度を変化させることにより、炭酸水中の酸による基板Ｗ上の金属膜の酸化をより効果的に防止しつつ、基板Ｗの帯電を十分に防止することができる。   In this way, in each of the cleaning processing units 5a to 5d, by changing the concentration of carbonated water within the period of the rinse treatment RI, the oxidation of the metal film on the substrate W by the acid in the carbonated water is more effectively prevented. However, charging of the substrate W can be sufficiently prevented.

（８−２）
上記実施の形態では、薬液処理後の基板Ｗの帯電性の程度に応じてリンス処理に用いる炭酸水の濃度を設定するが、これに限らず、薬液処理に用いる薬液のアルカリ強度に応じて炭酸水の濃度を設定してもよい。 (8-2)
In the above embodiment, the concentration of carbonated water used for the rinsing process is set according to the degree of chargeability of the substrate W after the chemical process. However, the present invention is not limited to this, and the carbonic acid is selected according to the alkali strength of the chemical used for the chemical process. The concentration of water may be set.

この場合、薬液のアルカリ強度が高い場合には、リンス処理に用いる炭酸水の濃度を高く設定し、薬液のアルカリ強度が低い場合には、リンス処理に用いる炭酸水の濃度を低く設定する。その場合、リンス処理時に基板Ｗに残留する薬液のアルカリ強度に応じて、薬液とリンス液の混合時のｐＨを適切な値に制御して、弱アルカリ性領域を短時間で通過させることができる。   In this case, when the alkali strength of the chemical solution is high, the concentration of carbonated water used for the rinsing process is set high, and when the alkali strength of the chemical solution is low, the concentration of carbonated water used for the rinsing process is set low. In that case, the pH during mixing of the chemical solution and the rinsing liquid can be controlled to an appropriate value according to the alkali strength of the chemical solution remaining on the substrate W during the rinsing process, and the weakly alkaline region can be passed in a short time.

それにより、基板Ｗ上の金属膜の酸化を防止しつつ、ペーハーショックの発生を十分に防止できる。   Thereby, the occurrence of a pH shock can be sufficiently prevented while preventing the metal film on the substrate W from being oxidized.

また、基板Ｗ上の金属膜の種類等の他の条件に応じて、リンス処理に用いる炭酸水の濃度を設定してもよい。   Further, the concentration of carbonated water used for the rinsing process may be set according to other conditions such as the type of the metal film on the substrate W.

（８−３）
上記実施の形態では、リンス液として炭酸水を用いたが、これに限らず、リンス液として他の機能水を用いてもよい。他の機能水としては、例えば純水と水素ガスとを混合した水素水が挙げられる。 (8-3)
In the above embodiment, carbonated water is used as the rinsing liquid. However, the present invention is not limited to this, and other functional water may be used as the rinsing liquid. Examples of other functional water include hydrogen water in which pure water and hydrogen gas are mixed.

リンス液として水素水を用いた場合には、薬液処理により除去された汚染物の基板Ｗへの再付着の防止、基板Ｗ上の自然酸化膜の除去、基板Ｗの酸化防止、および基板Ｗ上へのウォーターマーク（水滴痕）の形成防止等の効果が得られる。水素水は、基板Ｗに形成される配線パターンのＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing；化学物理研磨）後のリンス処理等に用いられる。   When hydrogen water is used as the rinsing liquid, the contaminants removed by the chemical treatment are prevented from reattaching to the substrate W, the natural oxide film on the substrate W is removed, the substrate W is oxidized, and the substrate W is The effect of preventing the formation of watermarks (water droplet marks) on the surface is obtained. The hydrogen water is used for a rinsing process after a CMP (Chemical Mechanical Polishing) of a wiring pattern formed on the substrate W or the like.

リンス液として水素水を用いる場合にも、炭酸水を用いる場合と同様に、基板Ｗに供給される水素水の濃度を処理レシピに設定し、それに基づいて制御部４が機能水生成部４１０を制御する。それにより、基板Ｗの損傷を防止できるとともに、除去された汚染物の基板Ｗへの再付着の防止、基板Ｗ上の自然酸化膜の除去、基板Ｗの酸化防止、および基板Ｗ上へのウォーターマーク（水滴痕）の形成防止等の効果を得ることができる。   Even when hydrogen water is used as the rinsing liquid, the concentration of hydrogen water supplied to the substrate W is set in the processing recipe as in the case of using carbonated water, and the control unit 4 sets the functional water generation unit 410 based on the concentration. Control. Thereby, the damage to the substrate W can be prevented, the removed contaminants can be prevented from reattaching to the substrate W, the natural oxide film on the substrate W can be removed, the substrate W can be prevented from being oxidized, and the water on the substrate W can be prevented. Effects such as prevention of formation of marks (water droplet traces) can be obtained.

また、他の機能水として、電解イオン水または磁気水等を用いてもよい。この場合にも、炭酸水を用いる場合と同様に、基板Ｗに供給される機能水の濃度を処理レシピに設定し、それに基づいて制御部４が機能水生成部４１０を制御する。   Moreover, you may use electrolytic ion water, magnetic water, etc. as other functional water. Also in this case, as in the case of using carbonated water, the concentration of the functional water supplied to the substrate W is set in the processing recipe, and the control unit 4 controls the functional water generation unit 410 based on that.

（８−４）
上記実施の形態では、リンス処理のために基板Ｗに供給される機能水の濃度を処理レシピに設定される濃度に基づいて制御部４が制御するが、薬液処理等の他の処理のために基板Ｗに供給される機能水の濃度を処理レシピに設定してもよい。この場合にも、制御部４は処理レシピに基づいて機能水生成部４１０を制御する。 (8-4)
In the above embodiment, the control unit 4 controls the concentration of the functional water supplied to the substrate W for the rinsing process based on the concentration set in the process recipe. However, for other processes such as a chemical process, The concentration of functional water supplied to the substrate W may be set in the processing recipe. Also in this case, the control unit 4 controls the functional water generation unit 410 based on the processing recipe.

他の処理に用いる機能水としては、例えば、純水とオゾン（Ｏ3 ）とを混合したオゾン水（Ｏ3 水）が挙げられる。オゾン水は、液体中に酸素ラジカルを含むので、強力な酸化力を有し、基板Ｗ上に付着する有機汚染物を除去する場合等に用いられる。 Examples of functional water used for other treatment include ozone water (O 3 water) obtained by mixing pure water and ozone (O 3 ). Since ozone water contains oxygen radicals in the liquid, it has a strong oxidizing power and is used for removing organic contaminants adhering to the substrate W.

オゾン水を用いる場合にも、上記実施の形態と同様に、基板Ｗに供給されるオゾン水の濃度を処理レシピに設定し、それに基づいて制御部４が機能水生成部４１０を制御する。それにより、オゾン水中の酸素ラジカルによる基板Ｗ上の金属膜の酸化を防止しつつ、基板Ｗ上に付着する有機汚染物を十分に除去することができる。   Even when ozone water is used, the concentration of ozone water supplied to the substrate W is set in the processing recipe, and the control unit 4 controls the functional water generation unit 410 based on the concentration, as in the above embodiment. Thereby, organic contaminants adhering to the substrate W can be sufficiently removed while preventing oxidation of the metal film on the substrate W by oxygen radicals in ozone water.

また、基板Ｗにオゾン水を供給する際に、供給終了時に近づくにつれてオゾン水の濃度を低下させることにより、オゾン水中の酸素ラジカルによる基板Ｗ上の金属膜の酸化をより効果的に防止することができる。   In addition, when supplying ozone water to the substrate W, the concentration of the ozone water is decreased as the supply is approached, thereby more effectively preventing oxidation of the metal film on the substrate W by oxygen radicals in the ozone water. Can do.

なお、オゾン水を用いる場合には、図４の機能水生成部４１０の代わりに、例えば図９に示す機能水生成部５１０を用いてもよい。   In addition, when using ozone water, you may use the functional water production | generation part 510 shown, for example in FIG. 9 instead of the functional water production | generation part 410 of FIG.

機能水生成部５１０は、以下の点を除いて図４の機能水生成部４１０と同様の構成を有する。機能水生成部５１０は、オゾン混合槽５５０を備え、オゾン混合槽５５０には、オゾンが供給されるオゾン供給管２０４ａが接続されている。オゾン供給管２０４ａには気体調整バルブ２０５が介挿されている。配管２０１，２０２はオゾン混合槽５５０内に挿入されている。   The functional water generator 510 has the same configuration as the functional water generator 410 of FIG. 4 except for the following points. The functional water generator 510 includes an ozone mixing tank 550, and an ozone supply pipe 204a to which ozone is supplied is connected to the ozone mixing tank 550. A gas adjustment valve 205 is inserted in the ozone supply pipe 204a. The pipes 201 and 202 are inserted into the ozone mixing tank 550.

機能水生成部５１０では、リンス処理用供給管７４に供給された純水の一部がオゾン混合槽５５０に導かれる。オゾン混合槽５５０に導かれた純水中にオゾン（Ｏ3 ）がバブリングにより導入される。これにより、オゾン水が生成される。生成されたオゾン水はリンス処理用供給管７４を流れる純水中に混合される。 In the functional water generator 510, a portion of the pure water supplied to the rinsing treatment supply pipe 74 is guided to the ozone mixing tank 550. Ozone (O 3 ) is introduced into the pure water introduced into the ozone mixing tank 550 by bubbling. Thereby, ozone water is produced | generated. The generated ozone water is mixed with pure water flowing through the rinsing treatment supply pipe 74.

抵抗制御バルブ２０３の開度を調整することにより、リンス処理用供給管７４から配管２０１を通してオゾン混合槽５５０に導かれる純水の流量が調整される。気体調整バルブ２０５の開度を調整することにより、オゾン混合槽５５０に供給されるオゾンの流量が調整される。   By adjusting the opening degree of the resistance control valve 203, the flow rate of pure water led from the rinse treatment supply pipe 74 to the ozone mixing tank 550 through the pipe 201 is adjusted. The flow rate of ozone supplied to the ozone mixing tank 550 is adjusted by adjusting the opening degree of the gas adjustment valve 205.

機能水生成部５１０においては、抵抗制御バルブ２０３および気体調整バルブ２０５の開度を調整することによりオゾン水の濃度を調整することができる。   In the functional water generator 510, the concentration of ozone water can be adjusted by adjusting the opening degree of the resistance control valve 203 and the gas adjustment valve 205.

（８−５）
上記実施の形態においては、アルカリ性の薬液を用いる場合について説明したが、リンス液として、水素水、電解イオン水、磁気水またはオゾン水等の炭酸水以外の機能水を用いる場合には、薬液として、他の薬液を用いてもよい。他の薬液の例を以下に示す。 (8-5)
In the above embodiment, the case where an alkaline chemical solution is used has been described. However, when a functional water other than carbonated water such as hydrogen water, electrolytic ion water, magnetic water, or ozone water is used as a rinse solution, Other chemicals may be used. Examples of other chemicals are shown below.

基板Ｗの表面に形成されたポリマーを除去するためのフッ化アンモニウムを含む溶液、例えばフッ化アンモニウムおよびリン酸を含む混合溶液を薬液として用いることができる。   A solution containing ammonium fluoride for removing the polymer formed on the surface of the substrate W, for example, a mixed solution containing ammonium fluoride and phosphoric acid, can be used as the chemical solution.

また、基板Ｗの現像処理を行うためのＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）等のアルカリ性溶液または酢酸ブチル等の酸性溶液を薬液として用いることができる。   Also, an alkaline solution such as TMAH (tetramethylammonium hydroxide) or an acidic solution such as butyl acetate for developing the substrate W can be used as the chemical solution.

さらに、基板Ｗの表面に形成されたレジストを剥離するための硫酸過水薬液を薬液として用いることができる。   Furthermore, a sulfuric acid / hydrogen peroxide solution for stripping the resist formed on the surface of the substrate W can be used as the chemical solution.

また、基板Ｗの表面をエッチングまたは洗浄するためのＢＨＦ（バッファドフッ酸：フッ化アンモニウムおよびフッ酸を含む混合溶液）、ＤＨＦ（希フッ酸）、フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸、アンモニア、クエン酸、過酸化水素水もしくはＴＭＡＨ等の水溶液、またはそれらの混合溶液を薬液として用いることができる。   Further, BHF (buffered hydrofluoric acid: mixed solution containing ammonium fluoride and hydrofluoric acid), DHF (dilute hydrofluoric acid), hydrofluoric acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, phosphoric acid, acetic acid for etching or cleaning the surface of the substrate W An aqueous solution of oxalic acid, ammonia, citric acid, aqueous hydrogen peroxide or TMAH, or a mixed solution thereof can be used as the chemical solution.

さらに、アンモニア過水または塩酸過水を含む溶液を薬液として用いることもできる。   Furthermore, a solution containing ammonia or hydrogen peroxide can also be used as a chemical solution.

（９）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応
上記実施の形態においては、気液混合モジュール２００、配管２０１，２０２、二酸化炭素供給管２０４、オゾン混合槽５５０およびオゾン供給管２０４ａが機能水生成手段に相当し、リンス処理用ノズル７０およびリンス処理用供給管７４が機能水供給手段に相当し、洗浄処理部５ａ〜５ｄが処理部に相当し、メモリ７０２が記憶手段に相当し、抵抗制御バルブ２０３、気体調整バルブ２０５およびＣＰＵ７０１が濃度制御手段に相当し、薬液処理用ノズル５０、薬液処理用供給管６３が薬液供給手段およびアルカリ供給手段に相当し、配管２０１が純水供給系に相当し、二酸化炭素供給管２０４およびオゾン供給管２０４ａが気体供給系に相当し、気液混合モジュール２００およびオゾン混合槽５５０が混合手段に相当する。 (9) Correspondence between each component of claims and each part of embodiment In the above embodiment, gas-liquid mixing module 200, pipes 201 and 202, carbon dioxide supply pipe 204, ozone mixing tank 550 and ozone supply pipe 204a is equivalent to the functional water generating means, the rinsing nozzle 70 and the rinsing treatment supply pipe 74 are equivalent to the functional water supply means, the cleaning treatment units 5a to 5d are equivalent to the treatment units, and the memory 702 is the storage means. The resistance control valve 203, the gas adjustment valve 205 and the CPU 701 correspond to the concentration control means, the chemical treatment nozzle 50 and the chemical treatment supply pipe 63 correspond to the chemical supply means and the alkali supply means, and the pipe 201 is pure. It corresponds to the water supply system, the carbon dioxide supply pipe 204 and the ozone supply pipe 204a correspond to the gas supply system, and the gas-liquid mixing module 200 and The ozone mixing tank 550 corresponds to a mixing unit.

本発明は、種々の基板の処理等に利用することができる。   The present invention can be used for processing various substrates.

本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。1 is a plan view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の洗浄処理部の構成を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the structure of the cleaning process part of the substrate processing apparatus which concerns on one embodiment of this invention. 機能水生成部の構成例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the structural example of a functional water production | generation part. 基板処理装置の制御系を説明するためのブロック図である。It is a block diagram for demonstrating the control system of a substrate processing apparatus. 処理レシピを説明するための図である。It is a figure for demonstrating a process recipe. 処理レシピを説明するための図である。It is a figure for demonstrating a process recipe. 処理レシピの他の例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the other example of a process recipe. 処理レシピの他の例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the other example of a process recipe. 機能水生成部の他の構成例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the other structural example of a functional water production | generation part.

符号の説明Explanation of symbols

５ａ〜５ｄ 洗浄処理部
５０ 薬液処理用ノズル
６３ 薬液処理用供給管
６５，７５ 開閉バルブ
７０ リンス処理用ノズル
７４ リンス処理用供給管
１００ 基板処理装置
２００ 気液混合モジュール
２０１，２０２ 配管
２０３ 抵抗制御バルブ２０３
２０４ 二酸化炭素供給管
２０４ａ オゾン供給管
２０５ 気体調整バルブ
３１０ 薬液供給源
４１０，５１０ 機能水生成部
５５０ オゾン混合槽
７０２ メモリ
７０１ ＣＰＵ 5a to 5d Cleaning processing unit 50 Chemical liquid processing nozzle 63 Chemical liquid processing supply pipe 65, 75 Open / close valve 70 Rinse processing nozzle 74 Rinse processing supply pipe 100 Substrate processing apparatus 200 Gas-liquid mixing module 201, 202 Piping 203 Resistance control valve 203
204 Carbon dioxide supply pipe 204a Ozone supply pipe 205 Gas adjustment valve 310 Chemical liquid supply source 410, 510 Functional water generator 550 Ozone mixing tank 702 Memory 701 CPU

Claims (9)

機能水を生成する機能水生成手段と、
機能水の濃度設定値を含む基板を処理するための動作手順および動作条件を規定する処理レシピを記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶された処理レシピに含まれる濃度設定値に基づいて、前記機能水生成手段により生成される機能水の濃度を調整する濃度調整手段と、
基板に所定の処理を行い、前記濃度調整手段により濃度が調整された機能水を基板に供給する機能水供給手段を有する処理部とを備え、
前記濃度調整手段は、前記機能水供給手段による機能水の供給終了時の濃度が前記機能水供給手段による機能水の供給開始時の濃度に比べて低くなるように、前記機能水の濃度を調整することを特徴とする基板処理装置。 Functional water generating means for generating functional water ;
Storage means for storing a process recipe defining operation procedures and operating conditions for processing substrates including concentration setting Functions water,
Concentration adjusting means for adjusting the concentration of the functional water generated by the functional water generating means based on the concentration setting value included in the processing recipe stored in the storage means;
A processing unit having a functional water supply unit that performs a predetermined process on the substrate and supplies functional water whose concentration is adjusted by the concentration adjusting unit to the substrate ;
The concentration adjusting means adjusts the concentration of the functional water so that the concentration at the end of the functional water supply by the functional water supply means is lower than the concentration at the start of the functional water supply by the functional water supply means. A substrate processing apparatus. 前記処理部は、
基板に薬液を供給する薬液供給手段をさらに含み、
前記薬液供給手段による薬液の供給後、前記機能水供給手段が前記機能水生成手段により生成された機能水を基板に供給することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。 The processor is
A chemical solution supply means for supplying the chemical solution to the substrate;
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the functional water supply unit supplies the functional water generated by the functional water generation unit to the substrate after the chemical solution is supplied by the chemical solution supply unit. 前記機能水生成手段は、
純水を供給する純水供給系と、
気体を供給する気体供給系と、
前記純水供給系から供給される純水と前記気体供給系から供給される気体とを混合させることにより機能水を生成する混合手段とを有し、
前記濃度調整手段は、前記純水供給系から前記混合手段への純水の供給量および前記気体供給系から前記混合手段への気体の供給量のうちの少なくともいずれか一方を制御することにより、前記機能水の濃度を調整することを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。 The functional water generating means is
A pure water supply system for supplying pure water;
A gas supply system for supplying gas;
Mixing means for generating functional water by mixing pure water supplied from the pure water supply system and gas supplied from the gas supply system;
The concentration adjusting means controls at least one of a supply amount of pure water from the pure water supply system to the mixing means and a supply amount of gas from the gas supply system to the mixing means, The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the concentration of the functional water is adjusted. 前記混合手段は、中空糸膜モジュールからなることを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。 4. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the mixing means is a hollow fiber membrane module. 前記機能水は、二酸化炭素を含む炭酸水であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the functional water is carbonated water containing carbon dioxide. 前記処理部は、
基板にアルカリ性の液体を供給するアルカリ供給手段をさらに含み、
前記アルカリ供給手段によるアルカリ性の液体の供給後、前記機能水供給手段が前記機能水生成手段により生成された機能水を基板に供給することを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。 The processor is
An alkali supply means for supplying an alkaline liquid to the substrate;
After the supply of the alkaline of the liquid by the alkali supply means, the substrate processing apparatus according to claim 5, wherein said functional water supply means and said and Turkey to supply functional water produced by the functional water producing unit to the substrate. 前記機能水はオゾンを含むオゾン水であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the functional water is ozone water containing ozone. 前記機能水は水素を含む水素水であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the functional water is hydrogen water containing hydrogen. 機能水の濃度設定値を含む基板の処理手順および処理条件を規定する処理レシピを記憶する記憶工程と、
前記記憶工程で記憶された処理レシピに含まれる濃度設定値に基づいて濃度が調整された機能水を生成する機能水生成工程と、
前記機能水生成工程で生成された機能水を基板に供給する機能水供給工程とを備え、
前記機能水供給工程における機能水の供給終了時の濃度が機能水の供給開始時の濃度に比べて低くなるように前記機能水の濃度を調整することを特徴とする基板処理方法。 A storage step for storing a processing recipe for defining a processing procedure and processing conditions of a substrate including a concentration setting value of functional water;
A functional water generating step for generating functional water whose concentration is adjusted based on the concentration setting value included in the processing recipe stored in the storing step;
A functional water supply step for supplying functional water generated in the functional water generation step to the substrate ,
The substrate processing method characterized by adjusting the density | concentration of the said functional water so that the density | concentration at the time of completion | finish of functional water supply in the said functional water supply process may become low compared with the density | concentration at the time of the supply start of functional water .
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