JP4578755B2

JP4578755B2 - 集積回路の製造方法

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Publication number: JP4578755B2
Application number: JP2001581333A
Authority: JP
Inventors: 内篤藤; 井俊晴平; 柳嗣雄小; 田政幸松; 松通郎小
Original assignee: Catalysts and Chemicals Industries Co Ltd
Current assignee: JGC Catalysts and Chemicals Ltd
Priority date: 2000-05-02
Filing date: 2001-04-23
Publication date: 2010-11-10
Anticipated expiration: 2021-04-23
Also published as: TW544788B; EP1280193A4; WO2001084610A1; EP1280193B1; US20030157272A1; EP1280193A1; KR20020086958A; KR100805128B1; US7163892B2

Description

【０００１】
【技術分野】
本発明は、配線溝の形成された基板に、導電性微粒子形成成分および／または導電性微粒子を含む集積回路形成用塗布液を塗布して基板に電気回路を形成する方法において、超音波を照射しながら、配線溝に集積回路形成用塗布液を塗布することを特徴とする集積回路の製造方法および該方法により形成された集積回路付基板に関する。
【０００２】
【背景技術】
コンピューター、各種電子機器には各種集積回路が用いられており、これらの小型化、高性能化に伴い回路の高密度化、高性能化が求められている。
【０００３】
これらのうちでも、具体的に半導体集積回路について例示すると、従来、半導体集積回路の集積度を高めるため、たとえば図５に示すような多層配線回路が使用されていた。図５は、半導体集積回路の概略断面図を示す。このような集積回路の製造工程について説明すると、シリコンなどの基板３１上に、第１絶縁膜３２としての熱酸化膜が形成された後、第１絶縁膜表面にアルミニウム膜などからなる第１配線層３３が形成される。ついでこの上にＣＶＤ法あるいはプラズマＣＶＤ法等によって、シリカ膜、窒化ケイ素膜などの層間絶縁膜３４が被着され、この層間絶縁膜３４上に、この層間絶縁膜３４を平坦化するためのシリカ絶縁膜（平坦化膜）３５が形成され、このシリカ絶縁膜３５上に必要に応じてさらに第２絶縁膜３６が被着された後、第２配線層（図示せず）が形成され、必要に応じてさらに第２配線層の表面に、層間絶縁膜、平坦化膜、絶縁膜が形成されている。
【０００４】
しかしながら、アルミニウム膜からなる配線は、多層配線を形成する際のスパッタリング時に配線層を構成するアルミニウムが酸化されて抵抗値が増大して導電不良を起こすことがあった。また、配線幅を小さくすることができないためにより高密度の集積回路を形成するには限界があった。さらに、近年、クロック線やデータバス線のような長距離配線では、チップサイズ増大に伴い配線抵抗が増大することに起因して、電気信号の伝播遅延時間（ＲＣ遅延時間＝抵抗ｘ容量）が増大することが新たな問題となっている。このため配線層として、より低抵抗の材料を使用する必要が生じている。
【０００５】
そこで、従来のＡlやＡl合金にかえてＣu配線を行うことが提案されており、たとえば、基板上の絶縁膜にあらかじめ配線溝を形成した後、電解メッキ法、ＣＶＤ法等によりＣuを堆積させて配線を形成する方法が提案されている。しかしながら、この方法では配線を高密度化させるために、微細な配線溝および接続孔内に、充分にＣｕを堆積させることができず、また形成された堆積膜の平坦性において必ずしも満足のいくものを得ることが困難であった。さらに、堆積膜が緻密な膜とならずホールが生成することがあった。
【０００６】
このため、Ｃu超微粒子含有溶液を、配線溝を有する基板上にスピンコート法により塗布して回路を形成する方法（ＳＯＭ法）が提案されている（ULVAC TECHNICAL JOURNAL No.51,1999, P.15)。しかしながら、この方法では、１回の塗布で形成できる堆積膜の厚さが小さいため配線溝をすべて埋めた配線を形成するためには繰り返し塗布する必要があった。また、スピンコート法では、Ｃu超微粒子含有溶液を基板全面にわたって均一に塗布しようとすると基板の外に塗布されるＣu超微粒子溶液があるので、Ｃu超微粒子溶液の利用率が低いといった問題もあった。
【０００７】
さらにＣu微粒子のような金属微粒子の堆積では、金属微粒子の自重によるため金属微粒子が細密充填しないことがあり、粒界抵抗を小さくできないために配線抵抗の充分低い回路が得られないことがあった。
【０００８】
【発明の開示】
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、前記従来技術における問題点を解決すべくなされたもので、微細な配線溝および接続孔に効率よく緻密に導電性微粒子を堆積することが可能であるとともに、配線抵抗が小さく高密度の回路が形成可能であり、しかも高集積化が可能であるため経済性にも優れた集積回路の製造方法および該方法により形成された集積回路付基板を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る集積回路の製造方法では、配線溝が形成された基板に、導電性微粒子形成成分および／または導電性微粒子を含んでなる集積回路形成用塗布液を塗布して集積回路を形成する方法において、超音波を照射しながら、配線溝に集積回路形成用塗布液を塗布することを特徴としている。
【００１１】
このように本発明では、超音波を照射しながら配線溝に集積回路形成用塗布液を塗布しているので、（１）導電性微粒子形成成分を含んでなる集積回路形成用塗布液を用いると、超音波の照射によって導電性微粒子が生成し、塗布液が高温となり分散媒が蒸発して濃縮しながら塗布でき、しかも超音波の振動エネルギーが導電性粒子に伝達されるため、該導電性粒子が配線項の壁と衝突し、その衝撃により粒子が緻密に配列し、このため配線溝の幅が狭い場合であっても配線溝に選択的に導電性粒子を積層可能となる。また、（２）導電性微粒子を含んでなる集積回路形成用塗布液を用いると、塗布液が高温となり分散媒が蒸発して濃縮しながら塗布でき、しかも超音波の振動エネルギーが導電性粒子に伝達されるため、該導電性粒子が配線項の壁と衝突し、その衝撃により粒子が緻密に配列し、このため配線溝の幅が狭い場合であっても配線溝に選択的に導電性粒子を積層可能となる。さらに、導電性微粒子形成成分および／または導電性微粒子を含んでなる集積回路形成用塗布液を用いると、前記（１）と（２）が同時に起きるとともに、
回路内に積層した粒子同士が面接触した回路が形成される。その結果少ない回数の塗布で配線溝との密着性に優れ高度に集積した回路を得ることが可能となる。
【００１２】
前記集積回路形成用塗布液を塗布した後に、さらに塗布面を平坦化することが好ましい。
前記導電性微粒子としては、Ａu、Ａg、Ｐd、Ｐt、Ｒh、Ｒu、Ｃu、Ｆe、Ｎi、Ｃo、Ｓn、Ｔi、Ｉn、Ａl、Ｔa、ＳbおよびＷからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属を含んでなる金属微粒子が好ましい。
【００１３】
前記導電性微粒子の平均粒子径が、配線溝の幅の７０％以下であり、かつ１〜２００ｎｍの範囲にあることが好ましい。
前記配線溝の深さ（Ｄ）が０.０５〜１０μｍの範囲にあり、配線溝の幅（Ｗ_C）が０.０５〜１００μｍの範囲にあり、配線溝の深さ（Ｄ）と配線溝の幅（Ｗ_C）との比（Ｄ／Ｗ_C）が０．１〜２０の範囲にあることが好ましい。
【００１４】
本発明に係る集積回路付基板は、基板に形成された集積回路が、上記の方法により形成された集積回路であることを特徴としている。
【００１５】
【発明の効果】
本発明の集積回路の製造方法によれば、配線溝の幅が狭い場合においても導電性微粒子を緻密に配線溝に堆積させることができるので低抵抗値で高密度の回路を形成することができる。このため、チップサイズが大きい場合においても電気信号の伝播遅延時間が増大することもない。
【００１６】
また、配線溝の上端面と導電性微粒子層の上端面がほぼ一致するように回路を形成することができるので、配線溝の上端面を越えて高く導電層が形成されることが少なく、このため平坦化処理は極めて容易であり、処理後の端面は平坦性に優れている。したがって、本発明に係る方法は集積回路付基板製造における経済性にも優れている。
【００１７】
また得られる集積回路付基板は、縦方向とともに横方向にも高度に集積した回路が形成されているので、伝播遅延時間が短縮されており、信頼性にも優れている。
【００１８】
【発明を実施するための最良の形態】
以下、本発明について具体的に説明する。
本発明に係る集積回路の製造方法は、配線溝の形成された基板に、導電性微粒子形成成分および／または導電性微粒子を含んでなる集積回路形成用塗布液を塗布して基板に集積回路を形成する方法において、超音波を照射しながら配線溝に集積回路形成用塗布液を塗布することを特徴としている。
【００１９】
このような本発明に係る集積回路では、たとえば、図１に示される配線溝付基板が使用される。図１は、本発明に係る集積回路の製造方法で使用される配線溝付基板の概略断面図を表すものであり、図中添字１は基板、２は絶縁膜、３は配線溝を示す。
【００２０】
[基板１]
本発明に用いる基板１としては、シリコン、ガラス等からなる基板を用いることができる。
【００２１】
[絶縁膜２]
この基板の上に、絶縁膜２が形成されている。
絶縁膜としては、絶縁性材料からなるものであれば特に制限されるものではなく、たとえば、シリカ、アルミナ、チタニア、窒化ケイ素、炭化ケイ素、有機樹脂ポリマー、およびプラズマＴＥＯＳ（なお、プラズマＴＥＯＳとは、テトラエチルオルソシリケート(TEOS)をプラズマ蒸着したもの）などからなるものが形成される。
【００２２】
なお、絶縁膜２は、１種からなってもいてもよく、また２種以上からなるものであってもよい。さらに、上下に別の絶縁膜が形成された多層のものであってもよい。
【００２３】
このような絶縁膜２は従来公知の方法で形成され、たとえばスピンコート法、ＣＶＤ法、スパッタリング法等、プラズマＣＶＤ法等によって形成することができる。
【００２４】
また、たとえば本願出願人の出願による特開平２−２３７０３０号公報に開示されたシリカからなる絶縁膜（ＳＯＧ膜）はコンタクト抵抗が高く、低誘電率でさらに平坦性に優れているので好ましい。
【００２５】
このとき、絶縁膜はこのような絶縁膜は膜厚が０.１〜６μｍの範囲にあることが望ましい。
絶縁膜２の膜厚が０.１μｍ未満の場合は膜厚が薄すぎて絶縁性を確保できないことがあり、絶縁膜２の膜厚が６μｍを越えると、絶縁膜２にクラックが生じることがある。
【００２６】
なお、本発明において使用される配線溝付基板には、図１のように、単層の絶縁膜である必要はなく、前記したように２種以上の絶縁膜が積層して設けられていてもよい。絶縁膜が２種以上からなる場合は最終的な絶縁膜の膜厚が０.１〜６μｍの範囲にあることが好ましい。
【００２７】
[配線溝３]
本発明で使用される配線溝付基板では、絶縁膜に配線溝が形成されている。
配線溝の深さ（Ｄ_C）は０.０５〜１０μｍの範囲にあることが好ましく、さらに好ましくは０.１〜５μｍの範囲であることが望ましい。
また、配線溝の幅（Ｗ_C）は０.０５〜１００μｍの範囲にあることが好ましく、さらに好ましくは０.１〜２０μｍの範囲であることが望ましい。
【００２８】
配線溝の幅（Ｗ_C）が０.０５μｍ未満の場合は、幅が小さすぎて配線溝に選択的に導電性微粒子を供給することができない場合がある。
配線溝の幅（Ｗ_C）が１００μｍを越えると、配線溝の幅が広すぎて高密度の回路を形成することができない場合がある。
【００２９】
配線溝の幅が上記範囲にあると、導電性微粒子形成成分に超音波が照射して生成した導電性微粒子またはあらかじめ含まれている導電性微粒子が、照射された超音波のエネルギーを吸収して、配線溝の底面や側壁と衝突しながら、あるいは逐次堆積した導電性微粒子と衝突しながら導電性微粒子が緻密に堆積される。このため導電性微粒子の接合面が増加し、回路抵抗の小さい回路を形成することができる。また、配線溝の底面や側壁（場合によっては配線溝に形成された後述するバリアメタル）との密着性に優れた回路を形成することができる。
【００３０】
また、配線溝の深さ（Ｄ_C）が０.０５μｍ未満の場合は、回路の導電性を確保するために回路の幅を広くする必要があり、このため高密度の回路を形成することができない場合がある。
【００３１】
また配線溝の深さ（Ｄ_C）が１０μｍを越えると、配線層の厚さが厚すぎて高さ方向に高度に集積した集積回路を得ることができない場合がある。
前記配線溝の幅（Ｗ_C）と配線溝の深さ（Ｄ）の比（Ｗ_C／Ｄ）は０．１〜２０の範囲にあることが好ましい。配線溝の深さ（Ｄ_C）と配線溝の幅（Ｗ_C）が前記範囲にあって、アスペクト比ＷＣ／Ｄが０．１未満の場合は回路の導電性を確保できないことがあり、このため回路の幅を広げると高密度の回路を形成することができない場合がある。また、アスペクト比ＷＣ／Ｄが２０を越えると回路の導電性を確保できないことがあり、このため回路の高さを高くすると縦方向に高度に集積した回路を形成することができない場合がある。
【００３２】
このような配線溝は、基板上に０.１〜１０μｍのラインアンドスペースのフォトレジスト膜（ＰＲ膜）を形成し、ついでスパッタリングにより形成することができる。
【００３３】
[バリアメタル層の形成]
なお、本発明の集積回路の製造方法においては、集積回路形成用塗布液を塗布する前に、前記配線溝の内面にバリアメタル層を形成してもよい。このようなバリアメタル層の形成は、従来公知の方法を採用することができ、たとえば、ＴiＮ、Ｔa、ＴaＮ等のスパッタリングによって行うことができる。このときのバリアメタル層の厚さは通常５０〜２００ｎｍの範囲にある。
【００３４】
バリアメタル層を形成することによって、回路形成用の導電性微粒子成分、後述する有機系安定剤、イオン等の不純物の絶縁膜への拡散や浸食を防止することができるとともに、これらの絶縁膜への拡散や浸食に伴う絶縁膜の絶縁性の低下を抑制することができる。
【００３５】
[回路の形成]
本発明では、前記配線溝が形成された基板上に集積回路形成用塗布液を塗布しながら超音波を照射し、ついで必要に応じて乾燥しさらに加熱処理することによって回路の形成を行う。
【００３６】
集積回路形成用塗布液
本発明に用いる集積回路形成用塗布液には、導電性微粒子形成成分および／または導電性微粒子と、溶媒とからなる。なお塗布液には、導電性微粒子形成成分が単独で含まれていても、導電性微粒子が単独で含まれていても、さらには、導電性微粒子形成成分および導電性微粒子の双方が含まれていてもよい。また、溶媒は水であっても、有機溶媒であっても、またはこれらの混合溶媒であってもよい。
【００３７】
[導電性微粒子形成成分]
導電性微粒子形成成分としては、後述する単一成分の金属微粒子あるいは２種以上の金属成分を含む複合金属微粒子などの導電性微粒子を形成する成分であって、該金属のイオンが挙げられる。具体的にはＡu、Ａg、Ｐd、Ｐt、Ｒh、Ｒu、Ｃu、Ｆe、Ｎi、Ｃo、Ｓn、Ｔi、Ｉn、Ａl、Ｔa、ＳbおよびＷなどの金属のイオンが挙げられる。なかでもＡu、Ａg、Ｐd、Ｐt、Ｒh、Ｃuなどの金属のイオンが好ましい。
【００３８】
このような金属イオンを含む化合物としては、ＮaＡuＣl₄、ＡgＣlＯ₄、ＡgＮＯ₃、ＰdＣl₂・２ＮaＣl、Ｐd(ＮＯ₃)₂、Ｋ₂ＰtＣl₄、Ｈ₂ＰtＣl₆、ＣuＣl₂などが例示される。
これらの導電性微粒子形成成分は超音波照射によって容易に後述する導電性微粒子と同程度の粒径の金属コロイド微粒子を生成する。
【００３９】
[導電性微粒子]
導電性微粒子としては、導電性を有するものであれば特に制限なく使用することが可能であり、金属微粒子、金属酸化物微粒子、導電性カーボン、導電性高分子微粒子など挙げられる。
【００４０】
本発明では、導電性微粒子として、金属微粒子が好ましく使用される。
金属微粒子としては、従来公知の金属微粒子を用いることができ、単一成分の金属微粒子であってもよく、２種以上の金属成分を含む複合金属微粒子であってもよい。また前記複合金属微粒子を構成する２種以上の金属は、固溶状態にある合金であっても、固溶状態にない共晶体であってもよく、合金と共晶体が共存していてもよい。このような複合金属微粒子は、金属の酸化やイオン化が抑制されるため、複合金属微粒子の粒子成長等が抑制され、複合金属微粒子の耐腐食性が高く、導電性の低下（抵抗値の上昇）が小さいなど信頼性に優れている。
【００４１】
このような金属微粒子としてはＡu、Ａg、Ｐd、Ｐt、Ｒh、Ｒu、Ｃu、Ｆe、Ｎi、Ｃo、Ｓn、Ｔi、Ｉn、Ａl、Ｔa、ＳbおよびＷからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属を含んでなる金属微粒子が好ましい。
【００４２】
金属微粒子としては、Ａu、Ａg、Ｐd、Ｐt、Ｒh、Ｒu、Ｃu、Ｆe、Ｎi、Ｃo、Ｓn、Ｔi、Ｉn、Ａl、Ｔa、ＳbおよびＷからなる群から選ばれる金属の微粒子が挙げられる。
【００４３】
また、複合金属微粒子としては、Ａu、Ａg、Ｐd、Ｐt、Ｒh、Ｒu、Ｃu、Ｆe、Ｎi、Ｃo、Ｓn、Ｔi、Ｉn、Ａl、Ｔa、ＳbおよびＷからなる群から選ばれる少なくとも２種以上の金属からなる複合金属微粒子が挙げられる。好ましい２種以上の金属の組合せとしては、Ａu-Ｃu、Ａg-Ｐt、Ａg-Ｐd、Ａu-Ｐd、Ａu-Ｒh、Ｐt-Ｐd、Ｐt-Ｒh、Ｆe-Ｎi、Ｎi-Ｐd、Ｆe-Ｃo、Ｃu-Ｃo、Ｒu-Ａg、Ａu-Ｃu-Ａg、Ａg-Ｃu-Ｐt、Ａg-Ｃu-Ｐd、Ａg-Ａu-Ｐd、Ａu-Ｒh-Ｐd、Ａg-Ｐt-Ｐd、Ａg-Ｐt-Ｒh、Ｆe-Ｎi-Ｐd、Ｆe-Ｃo-Ｐd、Ｃu-Ｃo-Ｐdなどが挙げられる。
【００４４】
また、Ａu、Ａg、Ｐd、Ｐt、Ｒh、Ｃu、Ｃo、Ｓn、ＩnおよびＴaなどの金属からなる金属微粒子を用いる場合は、その一部が酸化状態にあってもよく、また金属微粒子は、その金属の酸化物を含んでいてもよい。さらに、ＰやＢ原子が結合した化合物を含有していてもよい。
【００４５】
このような金属微粒子は、公知の方法（特開平１０−１８８６８１号公報参照）によって得ることができる。たとえば、アルコール・水混合溶媒中で、１種の金属塩を還元する方法、あるいは２種以上の金属塩を同時にあるいは別々に還元する方法によって、金属微粒子を調製することができる。このとき、必要に応じて還元剤を添加してもよい。還元剤としては、硫酸第１鉄、クエン酸３ナトリウム、酒石酸、水素化ホウ素ナトリウム、次亜リン酸ナトリウムなどが挙げられる。また、圧力容器中で約１００℃以上の温度で加熱処理してもよい。
【００４６】
また、単成分金属微粒子または合金微粒子の分散液に、金属微粒子または合金微粒子よりも標準水素電極電位が高い金属の微粒子またはイオンを存在させて、金属微粒子または／および合金微粒子上に標準水素電極電位が高い金属を析出させる方法によっても金属微粒子を調製することができる。このとき、得られた複合金属微粒子上に、さらに標準水素電極電位が高い金属を析出させてもよい。
【００４７】
また、このような標準水素電極電位の最も高い金属は、複合金属微粒子表面層に多く存在していることが好ましい。このように、標準水素電極電位の最も高い金属が複合金属微粒子の表面層に多く存在すると、複合金属微粒子の酸化およびイオン化が抑えられ、イオンマイグレーション等による粒子成長の抑制が可能となる。さらに、このような複合金属微粒子は、耐腐食性が高いので、導電性の低下を抑制することができる。
【００４８】
さらにまた、日本金属学会秋季大会シンポジウム講演概要集（１９９７）７０頁等に記載された超音波照射直接還元法によって、金属微粒子を調製することができる。具体的には、貴金属イオン（Ａg⁺、Ａu³⁺、Ｐd²⁺、Ｐt²⁺、Ｐt⁴⁺等）を含み、必要に応じて界面活性剤等の有機化合物を添加した溶液に、不活性ガス雰囲気下で超音波を、たとえば２００ｋＨz、６Ｗ／ｃｍ²の条件で照射することによって金属微粒子を調製することができる。
【００４９】
このような金属微粒子の平均粒子径は、１〜２００ｎｍ、好ましくは２〜７０ｎｍの範囲にあることが望ましい。
金属微粒子の平均粒径が２００ｎｍを越えると、金属微粒子が大きすぎて配線溝に入ることができなかったり、入ったとしても緻密に堆積することができず低抵抗値の回路を形成することが困難である。
【００５０】
また、金属微粒子の平均粒径が１ｎｍ未満の場合には、堆積した粒子間の表面抵抗が急激に大きくなるため、本発明の目的を達成しうる程度の低抵抗値の回路を形成することができないことがある。
【００５１】
また、本発明では、前記金属微粒子の代わりに導電性金属酸化物微粒子を使用してもよく、また金属微粒子とともに導電性金属酸化物微粒子を使用してもよい。導電性金属酸化物としては、酸化錫、Ｓb、ＦまたはＰがドーピングざれた酸化錫、酸化インジウム、ＳnまたはＦがドーピングされた酸化インジウム、酸化アンチモン、低次酸化チタンが挙げられる。
【００５２】
このような導電性金属酸化物微粒子の平均粒径は、配線溝の幅の７０％以下であり、かつ１〜２００ｎｍ、好ましくは２〜７０ｎｍの範囲にあることが望ましい。
【００５３】
本発明に用いる集積回路形成用塗布液には、上記金属微粒子、金属酸化物微粒子以外の導電性微粒子が含まれていてもよい。
さらに、導電性カーボン等の無機系導電性微粒子、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリ-P-フェニレンなどの導電性高分子からなる導電性微粒子を用いることもできる。
これらの導電性微粒子の平均粒径は１〜２００ｎｍ、好ましくは２〜７０ｎｍの範囲にあることが望ましい。
【００５４】
［有機溶媒］
集積回路形成用塗布液に用いられる有機溶媒としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ジアセトンアルコール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、エチレングリコール、ヘキシレングリコールなどのアルコール類；酢酸メチルエステル、酢酸エチルエステルなどのエステル類；ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルなどのエーテル類；アセトン、メチルエチルケトン、アセチルアセトン、アセト酢酸エステルなどのケトン類などが挙げられる。これらは単独で使用してもよく、また２種以上混合して使用してもよい。
【００５５】
集積回路形成用塗布液中の導電性微粒子形成成分および／または導電性微粒子の濃度は、塗布液の流動性が確保できれば特に制限はないが、固形分あるいは金属（導電性微粒子形成成分の場合は生成する金属または複合金属微粒子換算、導電性微粒子形成成分および導電性微粒子が含まれている場合は合計、以後同じ）に換算して０.０５〜３０重量％、好ましくは０.１〜１０重量％、特に好ましくは０.２〜５重量％の量で含まれていることが望ましい。
【００５６】
集積回路形成用塗布液中に含まれる導電性微粒子形成成分および／または導電性微粒子の量が固形分あるいは金属に換算して０.０５重量％未満の場合は、濃度が低すぎて、繰り返し塗布する必要があったり、溶媒の蒸発に時間を要するので回路形成に長時間を要することとなる。
【００５７】
また、導電性微粒子形成成分および／または導電性微粒子の量が固形分あるいは金属に換算して３０重量％を越えると、生成する粒子が凝集粒子がしていたり、塗布液中で導電性微粒子が凝集することがあり、このため導電性微粒子が緻密に堆積できず低抵抗値の回路が得られない場合があり、得られたとしても長期の使用期間中に導電性が低下することがある。
【００５８】
［マトリックス形成成分］
本発明に用いる集積回路形成用塗布液には、集積回路形成後の導電性微粒子のバインダーとして、あるいは配線溝壁（バリアメタル壁を含む）とのバインダーとして作用するマトリックス形成成分が含まれていてもよい。
【００５９】
このようなマトリックス形成成分としては、従来公知のものを用いることができるが、本発明ではシリカ、シリカ系複合酸化物、ジルコニア、酸化アンチモンから選ばれる少なくとも１種の酸化物の前駆体からなるものが好ましく、特に、アルコキシシランなどの有機ケイ素化合物の加水分解重縮合物またはアルカリ金属ケイ酸塩水溶液を脱アルカリして得られるケイ酸が好ましく用いられる。この他、塗料用樹脂などを用いることもできる。
【００６０】
このようなマトリックス形成成分は、酸化物（無機化合物の場合）として、あるいは樹脂として、前記導電性微粒子形成成分および／または導電性微粒子の量が固形分あるいは金属に換算し、金属１重量部当たり、０.０１〜０.５重量部、好ましくは０.０３〜０.２重量部の量で含まれていればよい。
【００６１】
［有機系安定剤］
また、本発明では、導電性微粒子形成成分として金属微粒子を生成しうるものあるいは導電性微粒子として金属微粒子を用いる場合は、金属微粒子の生成を促進するために、または金属微粒子の分散性を向上させるために、あるいは分散液の安定性を高めるために集積回路形成用塗布液中に有機系安定剤あるいは界面活性剤が含まれていてもよい。このような有機系安定剤、界面活性剤として具体的には、ゼラチン、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタール酸、アジピン酸、セバシン酸、マレイン酸、フマル酸、フタル酸、クエン酸などの多価カルボン酸およびその塩、スルホン酸塩、有機スルホン酸塩、リン酸塩、有機リン酸塩、複素環化合物、ポリカルボン酸、またはこれらの混合物などが挙げられる。
【００６２】
このような有機系安定剤、界面活性剤は、これらの種類、金属微粒子の粒子径等によっても異なるが、導電性微粒子形成成分および／または導電性微粒子（金属微粒子）を固形分あるいは金属に換算して、この金属１重量部に対し、０.００５〜５重量部、好ましくは０.０１〜２重量部の量で含まれていればよい。有機系安定剤、界面活性剤の量が０.００５重量部未満の場合は充分な分散性、安定性が得られず、５重量部を超えて高い場合は導電性が阻害されることがある。
【００６３】
さらに本発明で用いられる集積回路形成用塗布液は、導電性微粒子、特に金属微粒子を、水および／または有機溶媒に分散させて用いる場合は、塗布液中に存在するアルカリ金属イオン、アンモニウムイオンおよび多価金属イオン、ならびに鉱酸などの無機陰イオン、酢酸、蟻酸などの有機陰イオンで、粒子から遊離したイオン濃度の合計量が、分散液中の固形分１００ｇ当たり１０ミリモル以下の量であることが望ましい。特に鉱酸などの無機陰イオンは、金属微粒子の安定性、分散性を阻害するので、分散液中に含まれる量は低いほど好ましい。イオン濃度が低くなると、集積回路形成用塗布液中に含まれている金属微粒子の分散状態が良好となり、凝集粒子をほとんど含んでいない分散液が得られる。この塗布液中での金属微粒子の単分散状態は、回路の形成過程でも維持される。このため、イオン濃度の低い集積回路形成用塗布液から集積回路を形成すると、凝集粒子が存在しないために緻密で抵抗値の低い回路が形成される。
【００６４】
また上記のようなイオン濃度の低い分散液から形成された回路では金属微粒子などの導電性微粒子を良好に分散させ配列させることができるので、回路中で導電性微粒子が凝集している場合に比較して欠陥のない信頼性の高い集積回路を提供することが可能である。
【００６５】
上記のようなイオン濃度の低い塗布液を得るための脱イオン処理の方法は、最終的に塗布液中に含まれているイオン濃度が上記のような範囲になるような方法であれば特に制限されないが、好ましい脱イオン処理の方法としては、塗布液の原料として用いられる導電性微粒子の分散液、または前記分散液から調製された集積回路形成用塗布液を陽イオン交換樹脂および／または陰イオン交換樹脂と接触させる方法、あるいはこれらの液を、限外濾過膜を用いて洗浄処理する方法などが挙げられる。
【００６６】
［塗布液の塗布方法］
本発明では、集積回路形成用塗布液の塗布方法は、前記配線溝に集積回路形成用塗布液を塗布できれば特に制限はないが、容器に装着したノズル等から塗布する際の塗布液に均一に超音波を照射することができ、かつ配線溝に選択的に塗布できることが好ましい。
【００６７】
本発明では、集積回路形成用塗布液を塗布しながら超音波を照射するが、超音波の照射は前記ノズル等から滴下・流出する際の塗布液および／または配線溝に堆積した塗布液に行う。
【００６８】
超音波の照射条件は、集積回路形成用塗布液中の金属微粒子形成成分の金属に換算した濃度、あるいは集積回路形成用塗布液中の導電性微粒子の濃度、平均粒子径あるいは溶媒の沸点や塗布液の塗布速度等によって異なり、導電性微粒子を配線溝に選択に塗布できれば特に制限はないが、２０〜４００kＨz、５〜４００Ｗの範囲で選択することができる。
【００６９】
集積回路形成用塗布液中に導電性微粒子形成成分を含む場合は、超音波の照射によって塗布液が加熱されるとともに導電性微粒子が生成し、溶媒の蒸発に伴って塗布液が濃縮・乾燥しながら配線溝に入り、導電性微粒子が堆積して導電性微粒子層が配線溝に形成されて、回路が形成される。
【００７０】
また、集積回路形成用塗布液中に導電性微粒子を含む場合は、超音波の照射によって塗布液が加熱され、溶媒の蒸発に伴って塗布液が濃縮・乾燥しながら配線溝に入り、導電性微粒子が堆積して導電性微粒子層が配線溝に形成されて、回路が形成される。
【００７１】
また、生成した金属微粒子を含む導電性微粒子は超音波によるエネルギーを吸収し、配線溝内に入った導電性微粒子は配線溝の底面、側壁あるいは導電性微粒子同士の衝突により、配線構内の下部から順次導電性微粒子が緻密に堆積して回路が形成される。
【００７２】
配線溝内を充分に満たして回路が形成された後、必要に応じてさらに超音波を照射（第２の超音波の照射）することもできる。
あるいは、第２の超音波の照射前に前記集積回路形成用塗布液をスピナー法により塗布した後、第２の超音波の照射を行うこともできる。このような第２の超音波の照射により、回路形成後の基板の上面が平坦化でき、回路形成後に必要に応じて行う平坦化処理（たとえば、化学機械研磨（ＣＭＰ）処理）が容易となる。
【００７３】
本発明の集積回路の形成方法によれば、配線溝内に選択的に導電性微粒子が緻密に堆積して、配線溝内が導電性微粒子で満たされ、配線溝の上端面と導電性微粒子層の上端面がほぼ一致するように回路を形成することができるので、従来のメッキ法、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法や前述したＳＯＭ法のように配線溝の上端面を越えて高く導電層（犠牲層）が形成されることが少ないので平坦化処理は極めて容易であり、処理後の端面は平坦性に優れている。このため集積回路形成の経済性にも優れている。
【００７４】
前記集積回路形成用塗布液を、超音波を照射しながら塗布した後、必要に応じて酸化および／または還元雰囲気あるいは不活性ガス雰囲気下、約２００〜４００℃の温度で加熱処理（キュアリング）を行う。この加熱処理によって回路中に不純物が存在する場合はこれを除去できるとともに、導電性微粒子同士の接合がより促進され、配線溝との密着性に優れた低抵抗値の回路が得られる。この配線溝にバリアメタルが設けられていると、特に密着性に優れた回路が得られる。
【００７５】
ついで、形成された導電性微粒子層に平坦化処理を行うことが望ましい。
平坦化処理は、図２に示されるようにして行われる。図２は平坦化処理の概略を示す模式図であり、添字１１は基板、１２は絶縁膜、１３は形成された導電性微粒子層、１４はバリアメタル層を示す。
【００７６】
図２(1)に示されように、形成直後の導電性微粒子層は、配線溝の上部および絶縁膜表面に形成されている。この導電性微粒子層が、図２(2)に示すように絶縁膜の上端面と研磨後の導電性微粒子層の上端面が、水平、かつ平坦に一致するように平坦化処理が行われる。このような平坦化処理は、たとえば、化学機械研磨（ＣＭＰ）処理などによって行われる。このような除去される導電性微粒子層を犠牲層ということもある。
【００７７】
こうして集積回路を形成した後、回路表面に絶縁膜（第２絶縁膜）を形成してもよい。第２絶縁膜の形成方法は、前記絶縁膜の形成方法と同様である。
この第２絶縁膜を形成した後、必要に応じてこの第２絶縁膜の所定の位置に、形成した回路と電気的に接続するためのスルーホール（接続溝）を設ける。接続溝は、たとえばドライエッチング等に形成され、通常１.５μｍ程度の径である。
【００７８】
この後、前述した絶縁膜を形成し、配線溝を形成し、さらに配線溝および接続溝に回路形成用塗布液を塗布した後、第２絶縁膜を形成する一連の工程を繰り返すことによって多層の集積回路付基板を作製することができる。
【００７９】
[集積回路付基板]
次に、本発明の集積回路の製造方法によって得られる集積回路付基板について以下に示す集積回路付基板について図面を参照しながら説明する。図３は本発明に係る集積回路付基板の一実施例を示す概略断面図である。図３中、添字２１は基板、２２は第１絶縁膜、２３は配線層、２４は第２絶縁膜を示す。
【００８０】
本発明の集積回路付基板は、基板２１上に第１絶縁膜２２が積層され、この絶縁膜内に上記した方法によって配線層２３が形成され、さらに絶縁膜２２および回路上に第２絶縁膜２４が形成されている。（これらを第１配線層という）
さらに第２絶縁膜２４の上に第１配線層と同一の構成の第２配線層（図示せず）が形成されている。第１配線層と第２配線層はスルーホール（接続溝、図示せず）を通じて接続されている。同様にして第３配線層・・・・・・第ｎ配線層が形成されている。
【００８１】
また、本発明の多層の集積回路付基板では、上下各配線層はスルーホール（接続溝、図示せず）を通じて接続されている。
上記の接続は、絶縁膜にたとえばＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法によるドライエッチングにより所望の径（通常約１.５μｍ）のスルーホール（接続溝）を設け、スパッタリングにより接続することができる。また上層の回路を形成する際に、前記した回路の形成と同様に集積回路形成用塗布液を塗布しながら超音波を照射して配線溝と接続溝に導電性微粒子を緻密に堆積させることにより接続することもできる。
【００８２】
本発明のように、超音波を照射しながら配線溝に集積回路形成用塗布液を塗布すると、塗布液が導電性微粒子形成成分を含む場合は、超音波照射によって金属微粒子が生成し、塗布液が高温となり分散媒が蒸発して濃縮しながら塗布液が塗布され、しかも超音波の振動エネルギーが導電性粒子に伝達されるため、該導電性粒子が配線項の壁と衝突し、その衝撃により粒子が緻密に配列し、このため配線溝の幅が狭い場合であっても配線溝に選択的かつ緻密に導電性粒子を積層可能となる。
【００８３】
また、塗布液が導電性微粒子を含む場合は、超音波照射によって塗布液が高温となり分散媒が蒸発して濃縮しながら塗布液が塗布され、しかも超音波の振動エネルギーが導電性微粒子に伝達されるため、該導電性微粒子が配線溝の壁と衝突し、その衝撃により粒子が緻密に配列し、このため配線溝の幅が狭い場合であっても配線溝に選択的かつ緻密に導電性粒子を積層可能となる。
その結果少ない回数の塗布で配線溝との密着性に優れ高度に集積した回路を得ることが可能となる。
【００８４】
実施例
以下、実施例により説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
【００８５】
調製例
導電性微粒子分散液の調製
本実施例および比較例で用いた金属微粒子および導電性微粒子の分散液の組成を表１に示す。
【００８６】
金属微粒子(Q-1、Q-2、Q-3)の分散液は、以下の方法で調製した。
純水１００ｇに、あらかじめクエン酸３ナトリウムを金属微粒子１重量部当たり０.０１重量部となるように加え、これに金属換算で濃度が１０重量％となり、金属種が表１の重量比となるように硝酸銀、硝酸パラジウム、塩化銅水溶液を加え、さらに硝酸銀、硝酸パラジウム、塩化銅の合計モル数と等モル数の硫酸第一鉄の水溶液を添加し、窒素雰囲気下で１時間攪拌して金属微粒子の分散液を得た。得られた分散液は遠心分離器により水洗して不純物を除去した後、水に分散させ、ついで表１に示した溶媒（１−エトキシ−２プロパノール）を混合した後ロータリーエバポレーターにて水分を除去するとともに濃縮して表１に示す固形分濃度の金属微粒子分散液（S-1、S-2、S-3）を調製した。
【００８７】
【表１】

ｂ）集積回路形成用塗布液の調製
ｂ-1）金属微粒子を含む集積回路形成用塗布液の調製
上記で調製した各金属微粒子分散液（S-1、S-2、S-3）に、エタノールと１-エトキシ-２-プロパノールの重量比がエタノール／１-エトキシ-２-プロパノール＝３／１の混合溶媒を加えて希釈し各々濃度が０.５重量％の集積回路形成用塗布液（SC-1、SC-2、SC-3）を調製した。SC-1は微粒子分散液S-1に対応し、SC-2は微粒子分散液S-2に対応し、SC-3は微粒子分散液S-3に対応する。
【００８８】
ｂ-2）金属微粒子形成成分を含む集積回路形成用塗布液の調製
純水１００ｇに、あらかじめクエン酸３ナトリウムを、金属微粒子形成成分を金属に換算して１重量部当たり０.０１重量部となるように加え、これに金属換算で濃度が０．５重量％となり、金属種が表２の重量比となるように硝酸銀、硝酸パラジウム、塩化銅を溶解し、さらに各溶液に界面活性剤としてドデシル硫酸ナトリウムを、金属微粒子形成成分を金属に換算して１重量部当たり１重量部となるように加え、窒素雰囲気下で３０分間撹拌して金属微粒子形成成分を含む集積回路形成用塗布液（SB-1、SB-2、SB-3）を調製した。
【００８９】
【表２】

ｂ-3）金属微粒子形成成分と金属微粒子を含む集積回路形成用塗布液の調製
上記集積回路形成用塗布液（SB-1）と集積回路形成用塗布液（SC-1）を重量比１：１で混合して金属微粒子形成成分と金属微粒子を含む集積回路形成用塗布液（SD-1）を調製した。
【００９０】
実施例１
[集積回路付基板の作成]
絶縁膜として、窒化ケイ素からなる絶縁膜Ａ（厚さ０.２μｍ）の表面に、シリカからなる絶縁膜Ｂ（厚さ０.４μｍ）が積層され、さらに、絶縁膜Ｂの表面に窒化ケイ素からなる絶縁膜Ｃ（厚さ０.２μｍ）が順次形成されたシリコンウェーハー（８インチウェーハー）基板上にポジ型フォトレジストを塗布し、０.３μｍのラインアンドスペースの露光処理を行った。
【００９１】
ついでテトラメチルアンモニウムハイドライド（ＴＭＡＨ）の現像液で露光部分を除去した。次ぎに、ＣＦ₄とＣＨＦ₃の混合ガスを用いて、下層の絶縁膜にパターンを形成し、ついでＯ₂プラズマによりレジストを除去し、幅（Ｗ_C）が０.３μｍで、深さ（Ｄ_C）が０.６μｍ、アスペクト比Ｄ／Ｗ_Cが２の配線溝を形成した。
【００９２】
ついで、配線溝を形成した基板に、先に調製した集積回路形成用分散液（SC-1）をノズル径が５ｍｍのノズル付き容器に充填し、ついで上記で形成した配線溝に沿って塗布しながらこれに超音波発生装置（海上電気（株）製：AUTOCHDER-300、形式-5271）で２７kＨz、３００Ｗの超音波を照射して配線溝に金属微粒子（Q-1）を堆積させた回路を形成した。ついで配線溝上端面を越えて僅かに堆積した金属微粒子層をＣＭＰ処理して平坦化し、窒素雰囲気下４００℃で３０分間キュアリングし、次ぎにＣＶＤ法により厚さ２００ｎｍのＳiＯ₂膜（絶縁膜）を形成して集積回路付基板（Ａ）を得た。
【００９３】
導電性微粒子の堆積量、平坦性およびＣＭＰ処理速度の比較による研磨の難易度を表２に示した。また、得られた集積回路付基板（Ａ）について、回路の導通性および堆積粒子の緻密性を調べた。
【００９４】
結果を表３に示す。
なお、表３における評価は以下のようにして行った。
（ａ）塗布後の平坦性
回路断面１０点の走査型電子顕微鏡写真（ＳＥＭ）により観察し、以下の基準で評価した。
平坦である： ◎
ほぼ平坦である： ○
明らかに凹凸がある： ×
【００９５】
（ｂ）研磨の難易度
塗布乾燥後の基板上の犠牲層（図２参照）を研磨装置（ナノファクタ（（株）製：ウェハーポリッシングシステムＮＦ-３００）を用い、荷重が２００ｇ／ｃｍ²、ウェハーと研磨パッドの相対速度が４５０ｃｍ／ｍｉｎの条件で研磨し、以下の研磨所要時間を基準にして評価した。
研磨時間１分以内： ◎
研磨時間２分以内： ○
研磨時間２分以上： ×
【００９６】
（ｃ）導通性
実施例と同様にして絶縁膜を形成した後、シリコンウェーハー基板上にポジ型フォトレジストを塗布し、図４のような１本の０.３μｍのラインとテスター用端子（ＴaおよびＴb）のためレジスト部分の露光処理を行い、次いで、露光部分の除去し、ＣＦ₄とＣＨＦ₃の混合ガスを用いて、下層の絶縁膜にパターンを形成し、さらにＯ₂プラズマによりレジストを除去し、幅（Ｗ_C）が０.３μｍで、深さ（Ｄ_C）が０.６μｍ、アスペクト比Ｄ／Ｗ_Cが２の配線溝を形成した。両テスター用端子にテスターを接続して抵抗（Ｔa−Ｔb間）値を測定した。
【００９７】
また、抵抗値測定のブランクとして、図４のＲ_c-1とＲ_c-2間の抵抗値を測定し、以下の基準により導通性を評価した。
ＴaとＴbとの間の抵抗値が、Ｒ_c-1−Ｒ_c-2間の抵抗値の10/1未満 : ◎
ＴaとＴbとの間の抵抗値が、Ｒ_c-1−Ｒ_c-2間の抵抗値の100/3未満 : ○
ＴaとＴbとの間の抵抗値が、Ｒ_c-1−Ｒ_c-2間の抵抗値の100/3以上 : △
【００９８】
（ｄ）回路密度
集積回路形成用塗布液塗布後の平坦性を評価する際に、ＳＥＭで観察した。
ホールが無く緻密な堆積：◎
ホールが僅かにあるが緻密な堆積：○
ホールが僅かにあり疎な堆積：△
空洞が認められる：×
【００９９】
実施例２
配線溝の幅（Ｗ_C）が０.４μｍ、深さ（Ｄ_C）が１.６μｍ、比Ｄ／Ｗ_Cが４の配線溝を形成し、集積回路形成用塗布液（SC-2）を用いた以外は実施例１と同様にして集積回路付基板（Ｂ）を得た。
得られた集積回路付基板（Ｂ）について、実施例１と同様にして、平坦性、研磨の難易度、回路の導通性および堆積粒子の緻密性を調べた。
結果を表３に示す。
【０１００】
実施例３
集積回路形成用分散液（SC-3）を用いた以外は実施例１と同様にして集積回路付基板（Ｃ）を得た。
得られた集積回路付基板（Ｃ）について、実施例１と同様にして、平坦性、研磨の難易度、回路の導通性および堆積粒子の緻密性を調べた。
結果を表３に示す。
【０１０１】
比較例１
実施例１において、超音波を照射することなくスピナー法で集積回路形成用分散液（SC-1）を塗布し、ついで９０℃で５分間乾燥した。この塗布および乾燥を２０回繰り返して配線溝に金属微粒子（Q-1）を堆積させて回路を形成した以外は実施例１と同様にして導体集積回路付基板（Ｄ）を得た。なお、２０回塗布後の絶縁膜上には金属微粒子が厚く堆積し、絶縁膜上部が凸で、配線溝上部が凹での凹凸を有していた。
【０１０２】
得られた集積回路付基板（Ｄ）について、平坦性、研磨の難易度、回路の導通性および堆積粒子の緻密性を調べた。
結果を表３に示す。
【０１０３】
比較例２
配線溝の幅（Ｗ_C）が０.２μｍ、深さ（Ｄ_C）が０.８μｍ、比Ｄ／Ｗ_Cが４の配線溝を形成し、超音波を照射することなくスピナー法で集積回路形成用分散液（SC-1）を塗布し、ついで９０℃で５分間乾燥し、この塗布および乾燥を２０回繰り返して配線溝に金属微粒子（Q-1）を堆積させて回路を形成した以外は実施例１と同様にして導体集積回路付基板（Ｅ）を得た。なお、２０回塗布後の絶縁膜および絶縁膜上には導電性微粒子が堆積していたが実施例１と同様にほぼ平坦であった。
【０１０４】
得られた集積回路付基板（Ｅ）について、平坦性、研磨の難易度、回路の導通性および堆積粒子の緻密性を調べた。
結果を表３に示す。
【０１０５】
実施例４
集積回路形成用分散液（SB-1）を用いた以外は実施例１と同様にして集積回路付基板（Ｆ）を得た。
得られた集積回路付基板（Ｆ）について、実施例１と同様にして、平坦性、研磨の難易度、回路の導通性および堆積粒子の緻密性を調べた。
結果を表３に示す。
【０１０６】
実施例５
集積回路形成用分散液（SB-2）を用いた以外は実施例１と同様にして集積回路付基板（Ｇ）を得た。
得られた集積回路付基板（Ｇ）について、実施例１と同様にして、平坦性、研磨の難易度、回路の導通性および堆積粒子の緻密性を調べた。
結果を表３に示す。
【０１０７】
実施例６
集積回路形成用分散液（SB-3）を用いた以外は実施例１と同様にして集積回路付基板（Ｈ）を得た。
得られた集積回路付基板（Ｈ）について、実施例１と同様にして、平坦性、研磨の難易度、回路の導通性および堆積粒子の緻密性を調べた。
結果を表３に示す。
【０１０８】
実施例７
集積回路形成用分散液（SD-1）を用いた以外は実施例１と同様にして集積回路付基板（Ｉ）を得た。
得られた集積回路付基板（Ｉ）について、実施例１と同様にして、平坦性、研磨の難易度、回路の導通性および堆積粒子の緻密性を調べた。
結果を表３に示す。
【０１０９】
【表３】

表３から明らかなように、超音波を照射しながら形成された集積回路（実施例１〜７）は、微細な配線溝および接続孔に効率よく緻密に導電性微粒子を堆積することが可能であるので、導通性が高く（配線抵抗が小さい）、高密度の回路が形成可能であり、また、平坦化を容易に行うことができる。これに対し、超音波を使用せず、スピナー法で繰り返して塗布して形成された集積回路（比較例１および２）では、平坦化するための研磨が難しく、また回路の導通性が充分ではなく、さらには高密度の回路が形成できない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明で使用される配線溝付基板の概略断面図を示す。
【図２】平坦化処理の概略を表す模式図を示す。
【図３】本発明に係る集積回路付基板の一実施例の概略断面図を示す。
【図４】導通性を評価するためのパターンを示す。
【図５】半導体集積回路の概略断面図を示す。
【符号の説明】
１・・・基板２・・・絶縁膜３・・・配線溝
１１・・・基板１２・・・絶縁膜１３・・・導電性微粒子層
１４・・・バリアメタル層２１・・・基板２２・・・第１絶縁膜
２３・・・配線層２４・・・第２絶縁膜３１・・・基板
３２・・・第１絶縁膜３３・・・第１配線層３４・・・層間絶縁膜
３５・・・シリカ絶縁膜（平坦化膜）３６・・・第２絶縁膜

Claims

配線溝が形成された基板に、導電性微粒子形成成分を含んでなる集積回路形成用塗布液を塗布して集積回路を形成する方法において、超音波を照射しながら、配線溝に集積回路形成用塗布液を塗布し、
該超音波の照射によって前記導電性微粒子形成成分から導電性微粒子を形成することを特徴とする集積回路の製造方法。
前記導電性微粒子形成成分が、Ａu、Ａg、Ｐd、Ｐt、Ｒh、Ｒu、Ｃu、Ｆe、Ｎi、Ｃo、Ｓn、Ｔi、Ｉn、Ａl、Ｔa、ＳbおよびＷからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属を含む化合物であることを特徴とする請求項１に記載の集積回路の製造方法。
前記集積回路形成用塗布液中に、さらに導電性微粒子を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の集積回路の製造方法。
前記導電性微粒子が、Ａu、Ａg、Ｐd、Ｐt、Ｒh、Ｒu、Ｃu、Ｆe、Ｎi、Ｃo、Ｓn、Ｔi、Ｉn、Ａl、Ｔa、ＳbおよびＷからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属からなることを特徴とする請求項３に記載の集積回路の製造方法。
前記集積回路形成用塗布液を塗布した後に、さらに塗布面を平坦化することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の集積回路の製造方法。
前記配線溝の深さ（Ｄ）が０.０５〜１０μｍの範囲にあり、配線溝の幅（Ｗ_C）が０.０５〜１００μｍの範囲にあり、配線溝の深さ（Ｄ）と配線溝の幅（Ｗ_C）との比（Ｄ／Ｗ_C）が０．１〜２０の範囲にあることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の集積回路の製造方法。