JP4568710B2 - ガスシャワー - Google Patents

Description

本発明は、ガスシャワーと、リソグラフィ装置と、ガスシャワーの使用方法とに関する。

リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、普通は基板のターゲット部分に、付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用され得る。その場合、マスク又はレチクルとも称されるパターニングデバイスを用いて、ＩＣの個々の層上に形成されるべき回路パターンを作ることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、１つのダイ、又は数個のダイ）に転写され得る。パターンの転写は、通常、基板上に設けられた放射線感応性材料（レジスト）の層への結像を介する。一般に、単一の基板が、順次にパターニングされる隣り合う複数のターゲット部分のネットワークを含む。公知のリソグラフィ装置は、１つのパターン全体をターゲット部分に一度に露出させることにより各ターゲット部分を照射するいわゆるステッパと、放射ビームを通してパターンを所与の方向（“スキャン”方向）にスキャンしながら基板をこの方向に平行に又は逆平行に同期スキャンすることによって各ターゲット部分を照射するいわゆるスキャナとを含む。パターンを基板上に転写することによってパターンをパターニングデバイスから基板へ転写することも可能である。

ガスシャワーの使用も当該技術から知られている。例えば、特許文献１は、図１８において、リソグラフィ装置の一部を示している。装置は、干渉計システムと、夫々の干渉計ビームが伝播するスペースとを含む。干渉計システムのより大きな精度を得るために、このスペースに一定の、好ましくは層状の空気流が通される。供給される空気の純度及び温度の両方が制御され得る。空気は、例えば、純度クラス１の空気であって、その温度は、例えば、０．１℃以内で安定している。

特許文献２は、異なる空気シャワーを開示している。この空気シャワーは、ウェーハステージとレンズとの間に配置され、上側フレームと、上側フレームの底に取り付けられた多孔部材底(porous member bottom)とを有する円形ヘッドを含む。空気シャワーヘッドの厚さは、ヘッドの中心孔から半径方向外方に増大する。ヘッドは、リソグラフィ装置のウェーハステージにウェーハステージの汚染を防止するようにシャワーを浴びせるために使用されている。

欧州特許ＥＰ０４９８４９９号 米国特許第６，５２２，３８５Ｂ２

例えば少なくとも１つの光路を調整し、或いは一定領域を浄化するために、改良されたガスシャワーを提供することが望ましい。

本発明の１つの実施形態では、光学装置において少なくとも１つの光路を調整するガスシャワーが提供され、ガスシャワーは光路にガスを供給するシャワー出口側を有するガス散布チャンバを含み、ガス散布チャンバはガスを光路に散布するように構成されており、ガス散布チャンバは実質的に尖った先細の先端を含む。

本発明の１つの実施形態では、１つの装置内の少なくとも１つの領域を調整するあるいは浄化するガスシャワーが提供され、ガスシャワーはガス散布チャンバを少なくとも含み、これは、使用中に該領域にガスを供給する複数の実質的に傾いたガス通路を含むシャワー出口側を有する。

本発明の１つの実施形態では、光学装置において少なくとも１つの光学干渉計経路を調整するガスシャワーが提供され、ガスシャワーは光路にガスを供給するシャワー出口側を有するガス散布チャンバを含んでおり、ガス散布チャンバはシャワー出口側と対向して延在する第２の側を含み、第２の側は、実質的にガス出口側と平行に延在する第１部分と、ガス出口側と共に１つの鋭角をなす第２部分とを含む。

更に、本発明の１つの実施形態では、光学装置において少なくとも１つの光路を調整するガスシャワーが提供され、ガスシャワーはガスを光路に供給するシャワー出口側を有するガス散布チャンバを含んでおり、シャワー出口側は複数のガス通路を含み、ガス通路は相互に不均一に配置されている。

他の実施形態では、本発明の実施形態に従う少なくとも１つのガスシャワーを含むリソグラフィ装置が提供される。

また、本発明の１つの実施形態は、１つの領域を調整し或いは浄化するガスシャワーの使用方法を提供し、この方法ではガスはガスシャワーを介して該領域に供給される。

本発明によれば、例えば少なくとも１つの光路を調整し、或いは一定領域を浄化するために、改良されたガスシャワーが提供される。

添付されている略図を参照して本発明の実施形態を単なる例として説明する。図面では対応する参照記号は対応する部分を指す。

図１は、本発明の一実施形態に従うリソグラフィ装置を概略的に示している。装置は、
放射ビームＢ（例えば、紫外線或いは別のタイプの放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持する様に作られ、パターニングデバイスを一定のパラメータに従って正確に位置決めするように構成された第１位置決め装置ＰＭに結合された支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
基板（例えばレジストで被覆されたウェーハ）Ｗを保持するように作られて、基板を一定のパラメータに従って正確に位置決めするように構成された第２位置決め装置ＰＷに結合された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、
パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投射するように構成されている投影システム（例えば、屈折投影レンズ系）ＰＳと、
を含む。

照明システムは、放射を誘導させ、成形し、或いは制御するために屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型或いは他の種類の光学コンポーネントなどの種々の光学コンポーネント、或いはそれらの任意の組み合わせを含むことができる。

支持構造は、パターニングデバイスを支持する、すなわち、その重量を支える。これは、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計、及び、例えばパターニングデバイスが真空環境内で保持されているのかなどの他の条件に依存する仕方で、パターニングデバイスを保持する。支持構造は、パターニングデバイスを保持するために機械式、真空式、静電式或いは他のクランプ方式を使用することができる。支持構造は、例えば、必要に応じて固定され或いは運動可能なフレーム或いはテーブルであって良い。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムに関して所望の位置にあることを保証することができる。本書において用いられている“レチクル”或いは“マスク”という用語は、より一般的な用語“パターニングデバイス”と同義であると考えてよい。

本書で使用される“パターニングデバイス”という用語は、基板のターゲット部分に１つのパターンを生じさせるようなパターンをその横断面に有する放射ビームを与えるために使用され得る任意の装置を指すと広く解されるべきである。例えば、もし放射ビームに与えられるパターンが位相特性或いはいわゆるアシスト特性（assist features）を含むならば、パターンが基板のターゲット部分における所望のパターンに正確に対応しないことがあり得ることにも留意するべきである。一般に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などの、ターゲット部分に作られるデバイス内の特定の機能層に対応する。

パターニングデバイスは、透過型或いは反射型であり得る。パターニングデバイスの例は、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルを含む。マスクは、リソグラフィにおいて良く知られていて、バイナリ、Alternating位相シフト（alternating phase-shift）、及び減衰型位相シフト（attenuated phase-shift）、及び種々のハイブリッドマスクタイプなどのマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例は複数の小型ミラーのマトリックス装置を使用し、その各々を、入ってくる放射ビームを別々の方向に反射するように個別に傾けることができる。傾けられたミラーは、ミラーマトリックスから反射された放射ビームに１つのパターンを与える。

本書で使用される“投影システム”という用語は、使用される露光放射に適する、或いは液浸液の使用或いは真空の使用などの他の要素に適する屈折型、反射型、反射屈折型、磁性型、電磁型及び静電型の光学系、或いはこれらの任意の組み合わせを含む任意の種類の投影システムを含むと広く解されるべきである。本書で使用された“投影レンズ”という用語は、より一般的な用語“投影システム”と同義であると解されて良い。

ここで描かれているように、装置は透過型である（例えば、透過型マスクを使用する）。或いは、装置は反射型であっても良い（例えば、上で言及された種類のプログラマブルミラーアレイを使用するか、或いは反射型マスクを使用する）。

リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）又はそれより多数の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有する種類の装置であって良い。この様な“マルチステージ”機械では、付加的な複数のテーブルを並列に使用することができ、或いは１つ以上のテーブルで準備ステップを行い、同時に１つ以上の他のテーブルを露光のために使用することもできる。

リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間のスペースを埋めるように基板の少なくとも一部分を割合に高い屈折率を有するたとえば水などの液体で覆うことのできる種類の装置であっても良い。リソグラフィ装置の、例えばマスクと投影システムとの間のスペースなどの、他のスペースに液浸液を加えることもできる。投影システムの開口数を大きくするための液浸手法は当該技術分野で良く知られている。本書で使用される“液浸”という用語は、基板などの構造が液中に沈められなければならないことを意味するものではなくて、露光中に投影システムと基板との間に液体が置かれることを意味するに過ぎない。

図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマーレーザであるとき、別々のものであって良い。その様な場合、放射源はリソグラフィ装置の一部をなすものとは考えられず、放射ビームは、例えば適切な指向ミラー及び／又はビームエクスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤの助けによって、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ送られる。他の場合には、例えば放射源が水銀灯であるとき、放射源はリソグラフィ装置の不可欠の部分であり得る。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要な場合にはビームデリバリシステムＢＤと共に、放射系と称されても良い。

イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳孔平面における強さ分布の少なくとも外側半径方向範囲及び／又は内側半径方向範囲（一般に、夫々σ-outer及びσ-innerと称される）を調節することができる。更に、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの、他の種々のコンポーネントを含むことができる。イルミネータは、放射ビームがその横断面において所望の均一性及び強さ分布を有するように放射ビームを調整するために使用され得る。

放射ビームＢはパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）に入射し、これは支持構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）に保持されていて、パターニングデバイスによってパターン化される。マスクＭＡを通過した後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、これはビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃに収束させる。第２位置決め装置ＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉計測装置、リニアエンコーダ或いは容量センサ）の助けで、基板テーブルＷＴを、例えばいろいろなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路の中に位置決めするように、正確に動かすことができる。同様に、例えばマスクライブラリーからの機械的検索の後に、或いは走査中に、第１位置決め装置ＰＭ及び他の位置センサ（これは図１に明示的に描かれてはいない）を用いてマスクＭＡを放射ビームＢの経路に関して正確に位置決めすることができる。一般に、マスクテーブルＭＴの運動は、第１位置決め装置ＰＭの部分をなすロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けで実現され得る。同様に、基板テーブルＷＴの運動は、第２位置決め装置ＰＷの部分をなすロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いることにより実現され得る。（スキャナとは対照的に）ステッパの場合にはマスクテーブルＭＴはショートストロークアクチュエータだけに結合され得るか、または固定され得る。マスクアライメントマークＭ１，Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１，Ｐ２を用いることによりマスクＭＡ及び基板Ｗを整列させることができる。図示されている基板アライメントマークは専用のターゲット部分を占めているが、これらのマークは複数のターゲット部分の間のスペースに置かれてもよい（これらはけがき線(scribe lane)アライメントマークとして知られている）。同様に、マスクＭＡ上に２つ以上のダイが設けられる場合、マスクアライメントマークをそれらのダイの間に置くことができる。

図示されている装置は、下記のモードのうちの少なくとも１つのモードで使用され得る。

１．ステップモードでは、マスクテーブルマスクテーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴは本質的に不動に保たれ、その間、放射ビームに与えられたパターン全体がターゲット部分Ｃ上に一度に投射される（すなわち、単一静的露光）。その後、別のターゲット部分Ｃを露出できるように基板テーブルはＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光域の最大サイズが単一静的露光で画像化されるターゲット部分Ｃのサイズを限定する。

２．スキャンモードでは、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃ上に投射されている間にマスクテーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴが同期して走査される（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの相対的速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）倍率及び画像反転特性により決定され得る。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズが単一動的露光におけるターゲット部分の幅（非スキャン方向の）を限定し、スキャン運動の長さがターゲット部分の高さ（スキャン方向の）を決定する。

３．他の１つのモードでは、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃ上に投射されている間にマスクテーブルＭＴは本質的に静止してプログラマブルパターニングデバイスを保持し、基板テーブルＷＴは移動或いは走査される。このモードでは、一般的にパルス放射源が使用され、プログラマブルパターニングデバイスは基板テーブルＷＴの各移動の後に、又は走査中に連続する放射パルスの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、上で言及された種類のプログラマブルミラーアレイのようなプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に応用され得る。

上記使用モードについての組み合わせ及び／又は変更或いは完全に異なる使用モードを使用することもできる。

１つの実施形態では、該装置は、少なくとも１つの干渉計システムＩＦと、実質的に層状のガスを干渉計システムＩＦの光路の少なくとも一部に供給するように構成されている少なくとも１つのガスシャワー１，１０１とを含むことができる。これは図１，２及び５に示されている。

本発明の１つの実施形態では、ガスシャワー１，１０１を用いてリソグラフィ装置内の少なくとも１つの光路を調整することができる。調整は、例えば光路における熱的変動を防止する、特に安定した屈折率を有する環境を提供する光学的調整を含むことができる。干渉計ビームの光路は図１，２，５において参照符号ＯＰのそばに描かれている。この様な干渉計ビームは、リソグラフィ装置のいろいろな部品の間を通ることができる。夫々の干渉計ビームは、例えば、使用中に投影システムＰＳの投影レンズＰＬに関して基板サポートＷＴを例えば直交するＸ方向、Ｙ方向及び／又はＺ方向に正確に位置決めするために使用され得る（図１も参照）。図２及び５に示されている実施形態では、ガスシャワー１，１０１によって調整されるべき光路ＯＰは、一方の側の干渉計システムＩＦの一部と他方の側の基板サポートＷＳとの間に伸びている。使用中にこれらの光路を調整する夫々のガスシャワー１，１０１は、一方の側の干渉計システムＩＦの一部と他方の側の基板サポートＷＳ及び投影レンズＰＬとの間に伸びている。ガスシャワー１，１０１は、基板サポートＷＳ又は投影レンズＰＬの、干渉計システムＩＦの部分とは反対の方に向いている側には伸びていない。従って、本実施形態では、ガスシャワー１，１０１は実質的に投影レンズＰＬの１つの横側に伸びている。

図２の実施形態のガスシャワー１はガス散布チャンバ２を含んでおり、これは適切なガスダクトであることができ、或いは適切なガスダクトを含むことができる。ガス散布チャンバ２の長さＫ（本図ではＸ方向に測られる）は、調整されるべき夫々の光路ＯＰの長さと実質的に同じであるか又は長さより僅かに短い長さであり得る。例えば、長さＫは、約２０〜５０ｃｍの範囲内にあることができ、或いは別の長さであっても良い。ガス散布チャンバ２の幅Ｍ（本図ではＹ方向に測られる）は、長さより大幅に小さくてもよい。幅は、例えば、約５〜１５ｃｍの範囲内にあることができ、或いは別の幅であっても良い。ガス散布チャンバ２の高さＬ（本図においてはＺ方向に測られる）は、幅より大幅に小さくてもよい。高さＬは、例えば約５ｃｍより小さくて良く、或いは別の高さであっても良い。例えば、ガス散布チャンバ２は割合に長くて良く、或いは細長くて良く、横断方向に、特に調整されるべき光路ＯＰに垂直であり得る高さ方向に、割合に小さな寸法を持ち得る（図１及び２を参照）。

本実施形態においては底側３であるガス散布チャンバ２の第１の側３は光路ＯＰにガスを供給するガスシャワー出口側として構成されている。ガスシャワー１は、ガスをガス散布チャンバ２に供給するガス入口５も含む。このガス入口５は、いろいろな仕方で構成され得、そして例えば１つ以上のガス供給管路を含むことができる。ガス入口５は、ガスシャワー１のいろいろな側に、例えば散布チャンバ２の底側３に対向して広がる第２の側４に、或いは別の側に、結合又は配置され得る。使用時には、例えば１種類以上の不活性ガス、窒素、ガス混合気或いは別種のガスなど、いろいろな種類のガスをガス散布チャンバ２に供給することができる。１つの実施形態では、ガスは空気であり、例えば純度クラス１のウルトラクリーンエアーである。ガスの温度は割合に安定であり得、例えば、約０．１℃内で安定し、特に約０．００１℃内で安定し得る。どの様にすればその様な熱的に安定したガスを供給できるかは従来技術から知られている。

ガス散布チャンバ２は、後に説明されるように、実質的に一様な流れプロファイルを有するガスを光路ＯＰに散布するように構成される。その実質的に一様な流れプロファイルは、実質的に一様なガス速度を有する流れプロファイルであり得る。例えば、ガスの流れは、流れの速度及び方向に関して一様であり得る。図示されているように、図２の本実施形態では、ガスシャワー１の底側３は、調整されるべき光路ＯＰの上に広がっている。ガスシャワー１の底側３は、光路ＯＰに実質的に平行に広がることができる。

更に、図３に描かれているように、ガスシャワーの底側は実質的に長方形であり得る。ガスシャワー１は、例えば調整されるべき１つ又は複数の光路ＯＰに依存して別の形状の底側３を有するように構成されても良い。ガスシャワー１の本実施形態は、投影システムＰＳのレンズＰＬの周りに円をなして広がっているのではなくて、レンズＰＬの仮想中心軸に関して横に広がっているに過ぎない。

図２〜４の実施形態では、ガス散布チャンバ２は、側面図又は縦断面図で見たときに実質的に尖った先細の先端７を含む。この先端７は、鋭いテーパー角αを持つことができて、ガス散布チャンバ２の一端を形成する。一例として、割合に尖っているが長い先端は、投影システムＰＳの部分ＰＬと基板サポートＷＴとの間に、たとえ使用できるスペースが割合に小さい場合にも、延在することができる。尖った先端７は、ガス散布チャンバの楔形の部分２ｗを提供するか、或いは囲むことができる。

本実施形態では、先細の先端７のテーパーの量は変化しない。尖った先端７は、ガス散布チャンバの楔形内側部分２ｗを提供するか、或いは囲む。

本実施形態では、ガス散布チャンバ２の反対側の端部８は、側面図又は縦断面図で見たときに、丸みを帯びた形状を有する。反対側端部８は別の形状を持っても良くて、例えば尖った先細の先端を含んでも良い。

例えば、ガス散布チャンバ２の第２の側４は、ガス出口側３と実質的に平行に広がる第１部分４ａと、ガス出口側３と鋭角αをなして尖った先細の先端７を提供する第２部分４ｂとを含む。一例として、鋭角αは約２０°より小さくて良い。更に、一例として、鋭角αは約１０°より小さくて良い。一実施形態では、鋭角αは約８°或いはそれより小さい。更に、鋭角αは散布チャンバ２の夫々の側３，４ｂの内面によって囲まれ得、それらの内面は互いに向かい合う（図４も参照）。

本発明の一実施形態では、ガス出口側３は、実質的に平らな側であり得、或いは実質的に平らな外面及び／又は実質的に平らな内面を有することができる。或いは、ガス出口側に、所望の場合、一定のリリーフ(relief)を設けることができる。

本発明の一実施形態では、ガス散布チャンバの第２の側４の各部分４ａ，４ｂは実質的に平らな側であり得る。或いは、所望の場合、ガス出口側４は一定のリリーフ又は異なる形状を備えることができる。好ましくは、ガス散布チャンバ２の第２の側４の第２部分４ｂは実質的に平らな或いは平坦な内面を有し、それは、ガスシャワー１のガス出口側と鋭角αをなす仮想平面に沿って広がる。或いは、ガス散布チャンバ２の第２部分４ｂは、一定のリリーフ、段付き形状、或いは別の形状を有することができる。

本実施形態では、先細先端７のテーパーの量は変化しない。或いは、先細の先端は、いろいろな量のテーパーを有するいろいろな断面を備えることができ、その場合、隣り合う先細セクションの上側は互いに１８０°より小さい角度をなす（図５に示されている実施形態の場合のように。下記を参照）。

或る実施形態では、ガス散布チャンバの出口側３の少なくとも一部は、使用中に実質的に一様な層状のガス流を生じさせるようにモノフィラメントファブリック(monofilament fabric)を備えることができる。例えば、出口側は、その様なモノフィラメントファブリックで覆われ、且つ／又はその様なモノフィラメントファブリックを一体的に備えることができる。調整されるべき光路ＯＰの方に実質的に垂直にガスを向けることができるように、その様なファブリックはガス流を出口側３に関して実質的に垂直な方向（図においてＺ）に分散させることができる（図４を参照）。或いは、ガス出口側３は、例えば図４〜５の実施形態（下記を参照）に類似する例えば傾斜したガス通路などのガス分散チャンネルを有するシートを含むことができる。その様なモノフィラメントファブリック及び／又はガス通路を有するシートは図２及び４において破線で描かれている。

例えば、ガス出口側３は、複数のレーザ穿孔通路を有する薄い金属又は合金のシートを含むことができる。また、その様な通路は、例えばエッチング及び／又は放電加工を用いることにより製造され得る。所望の場合には、ガス出口側３に関して一定の角度でガスを分散させるように、その様なシートのチャンネルは傾斜したチャンネルであって良い。一実施形態では、ガス出口側３は複数の通路を有する薄い金属又は合金のシートを含むことができ、それらの通路の各々は金属シートの外面に関して斜めに延びる。また、それらの通路のうちの複数の通路は互いに実質的に平行に延びることができる。例えば、通路の大半は互いに実質的に平行に延びることができる。例えば、通路のうちの複数の通路は、実質的に尖った先細先端から横方向に広がる領域の方に、例えば基板サポートＷＴの方へ或いは基板サポートＷＴの任意の移動方向Ｘに向けられ得る。このことについて、以下で図５〜６の実施形態に関して説明する。

更に、ガス出口側３の一部は例えばモノフィラメントファブリックを備えることができ、ガス出口側３の一部はガス通路を有するシートを備えることができる。例えば、ガス出口側３の、ガス散布チャンバの尖った先端７に沿って広がる部分は、ガスを光路に散布する通路を有するシートを備えるだけであり得る。また、金属シート、プラスチックシート又は異なるシートであり得るそのようなシートとモノフィラメントファブリック又は布(cloth)とは、ガス出口側３の少なくとも一部において（例えば、層を成すように）互いに付けられ得る。また、ガス出口側は、ガス散布チャンバ２からその環境にガスを供給するように別様に構成されても良い。

更に、先端セクション７に対向する散布チャンバ端部８は、ガスを環境へ、いろいろな方向に、例えば干渉計システムＩＦの一部の方に、散布するように構成され得る。この目的のために、例えば、対向端部８は、モノフィラメントファブリック、ガス出口通路を含むシート、又は別のガス散布構造を備えることもできる。

図２〜４に示されているガスシャワー実施形態１は、図４において矢ｇ_ｉｎにより示されているように、ガスが先端セクションにおいてガス散布チャンバの上側に向けられるように、先端セクション７を通して出口側３に実質的に平行にガスを供給するように構成されている。例えば、これは、充分に大きな供給チャンネル５で達成され得る。例えば、ガス供給チャンネル或いはガス入口５は、ガス出口側（例えば出口ファブリック３）での圧力降下より大幅に低い、例えばガス出口側３での圧力降下の１０％より小さい下記の動圧：（１／２）ｘＲＨｏｘＶ＾２を生じさせるように構成され得る。通例、供給速度Ｖは約５ｍ／ｓ（約１５Ｐａの動圧）であり、ガス出口側３での圧力降下は約１８０Ｐａである。また、供給速度及び／又は圧力降下は異なる値を持っても良い。

使用中、尖った先端７において、ガス散布チャンバ２の上側４は、入ってきたガスｇ_ｉｎを先端７の出口側３の方に一様にそらしてガスを分散チャンバから分散させることができる。先端７におけるガス速度が５ｍ／ｓより遥かに大きくて動圧がガス出口側３での圧力降下の１０％より遥かに大きい場合でも、この構成がガスの光路ＯＰの方への割合に均一な分散を与えることが見出されており、出てゆくガスｇ_{ｏｕｔ，２}の速度は、先端７の出口表面上で見たときに実質的に同じである。これは、基板サポートＷＴの近くに延びることのできる先端の外側端部に非常に近い位置についても当てはまることである。例えば、一実施形態では、ガスシャワーは、ガスシャワーの位置と、ウェーハステージ又は基板サポートＷＴが使用中に動いているか否かとに依存して、使用中にウェーハステージ又は基板サポートＷＴの端が高速で移動し得る箇所において非常に均一な流れを提供するように構成され得る。

特に、図４は本実施形態の先端７のセクションを示しており、ここで矢ｇ_ｉｎはこの先端セクションに流入するガスを示し、矢ｇ_{ｏｕｔ，１}は先端セクションから下流側先端セクションの方へ流出するガスを指し、矢ｇ_{ｏｕｔ，２}は先端７の出口側３を介して夫々の先端セクションから流出するガスを示す。例えば、先端セクションのどの横断面においても（すなわち、図１〜４でＹＺ平面において）、その横断面に流入するガスｇ_ｉｎと、下流側の先端セクションの方に流れるガスｇ_{ｏｕｔ，１}との速度は実質的に同じである。その結果として、先端７の内部では動圧変動は殆ど無くて、先端７の内部で均質な圧力が得られる。この均質な圧力はガスｇ_{ｏｕｔ，２}の一様な流れ（図２，４において下降流）が出口側３を介して先端から流出するという結果をもたらすことができる。この均質な流れを、例えば適切な材料（前記のモノフィラメントファブリックのような）で層状にすることができ、また少し大きなスケールで渦流を完全に無くして、光路ＯＰの非常に良好な調整を与えることができる。渦流を誘発して無調整空気を重要な光学領域に混入させる可能性のある小さな流れ変動を本実施形態によって充分に回避することができる。

図２〜４に示されているガスシャワー実施形態１は、リソグラフィ装置が投影システムＰＳのハイパーＮＡ（開口数）投影レンズＰＬを含む場合に、有利に使用され得る。例えば、ガスシャワー１を用いて干渉計ビームの経路を約０．００１℃の安定度に調整することができる。ガスシャワー１は、投影レンズＰＬと干渉計“ブロック”ＩＦとの間に、例えばウェーハ支持レベルより上に、配置され得る。ガスシャワー１は、図４に示されているように下方に或いは他の方向に向いた出口速度を有することができる。ガスシャワー１により調整されるべき経路ＯＰは、例えば、３００ｍｍウェーハ・リソグラフィスキャナでは約３５０ｍｍを超え、最大で約４５０ｍｍである長さ、或いは別の長さ、などのいろいろな長さを持つことができる。

リソグラフィ装置がいわゆる高ＮＡ投影レンズＰＬを含む場合には、図２〜４の実施形態に従うガスシャワー１は、Ｘ方向において基板サポートＷＴの方に向けられている干渉計ビームの光路ＯＰの実質的全体になお及ぶことができる。

例えば、使用中に、ガスシャワー１は、例えば約１．０ｍ／ｓの所要速度又は別の速度の一様な層状下降流（図においてＺ方向の）を生じさせることができる。図２に示されているように、特にガスシャワー１に尖った先端７を与えることによってレンズの底と基板サポート（又はチャック）の上側表面との間の非常に小さな（Ｚ方向に）先細の空間の中にガスシャワー１を延ばし込むことができる。ガスシャワー１を高さに関して正確に取り付けることによって、その先細の空間を効率的に使用することができる。空気シャワー端部７の先細形状は、非常に効率的であることが分かった。使用中、空気シャワー先端７に送り込まれるガスの水平供給速度は、例えば横断Ｙ方向に沿って測ったとき、先端７全体にわたって実質的に均等であり得、従って、非常に大きな速度であり得て、チャンバ１０２内での動的圧力変動により一様な下降流を乱すことはない。この様に、非常に高いＮＡを有するレンズを有するリソグラフィシステムにおいて実質的に干渉計ビームの干渉計光路ＯＰ全体を調整することができる。

図５及び６は、ガスシャワー１０１の別の実施形態を示す。このガスシャワー１０１は、図２〜４に関して上で記述されたガスシャワー実施形態１０と実質的に同じ構成及び／又は寸法を持つことができる。図５及び６の実施形態のガスシャワー１０１は、例えばリソグラフィ装置などの装置の少なくとも１つの領域を適切な層状ガスで調整するか又は浄化するように構成され得る。ガスシャワー１０１は、シャワー出口側１０３と、対向する第２の側１０４とを有するガス散布チャンバ１０２を含む。例えば、ガスシャワー１０１は、ガスをガス散布チャンバ１０２に供給するガス入口１０５を備えることができる。

本実施形態でも、ガス散布チャンバ１０２の長さ（本図においてＸ方向に測った）は、調整されるべき夫々の光路又は浄化されるべき領域の長さと実質的に同じか又はそれより僅かに大きい長さであり得る。例えば、長さは約２０〜５０ｃｍの範囲内にあるか又は異なる長さであり得る。ガス散布チャンバ１０２の幅（本図においてＹ方向に測った）は、長さより大幅に小さい幅であり得る。幅は、例えば、約５〜１５ｃｍの範囲内にあるか又は異なる幅であり得る。ガス散布チャンバ１０２の高さ（本図においてＺ方向に測った）は、幅より大幅に小さい高さであり得る。高さは、例えば、約５ｃｍより小さいか、又は異なる高さであり得る。例えば、ガス散布チャンバ１０２は、割合に長いか、或いは細長いチャンバであることができ、横断方向に、特に調整されるべき光路ＯＰに又は浄化されるべき領域に対して垂直であり得る高さ方向に、割合に小さな寸法を持つことができる。

また、ガスシャワー１０１は先細の先端１０７を含むことができ、これはガス散布チャンバ１０２の楔形セクションを囲むことができる。本実施形態では、ガス散布チャンバは、少なくとも第１の先細セクション１０７ａと、第１先細セクションから伸びる第２先細セクション１０７ｂとを含み、これらの先細セクションは、互いに整列して延びる夫々のガス出口側を有する。これらの先細セクションは、夫々の出口側と対向して広がる夫々の上側を有する。これらの先細セクションの上側は、共同して、１８０°より小さい角度をなす。例えば、一番外側の先細セクション１０７ｂは、図２〜４に示されている実施形態の場合のように割合に鋭いトップアングルを有することができる。

図５及び６に示されている実施形態１０１は、いろいろな形状及び寸法を有することができる。特に、ガス出口側１０３は実質的に長方形であり得る（図３のように）。更に、図５において、ガスシャワー１０１の実施形態は、投影システムＰＳのレンズＰＬの周りに円をなして延びるのではなくて、レンズＰＬの中心軸に関して横に延びるに過ぎない。図５において、ガスシャワー１０１は、調整されるべき光ビーム経路ＯＰの上に位置する。

本実施形態では、ガスシャワー１０１の出口側１０３は、散布チャンバ１０２からガスシャワー１０１の領域或いは環境にガスを供給する複数の傾斜したガス通路１０９を含むことができる。別の実施形態では、シャワー出口側１０３は複数の傾斜した通路１０９を有する薄いシート１０３により提供される。その各々の通路は、シート１０３を実質的に斜めに貫通して延びることができる（図６を参照）。

本発明の一実施形態では、シート１０３の厚さｔ（本図においてＺ方向に測った）は約１ｍｍより小さい厚さであり得る。例えば、厚さｔは約０．５ｍｍ又はこれより小さい厚さであり得る。また、シートは金属シート又は合金シート、例えばステンレススチールであり得る。その場合、レーザ穿孔を用いることにより割合に小さなガス通路１０９を高精度で作ることができる。ガス通路１０９をいろいろな技術を用いて作ることができる。また、シート１０３をプラスチックから、１つ以上の異なる材料から作ることができる。レーザ穿孔の他に、通路をエッチングしたり、放電加工により通路を作ったり、且つ／又はマスク上での金属のデポジションの様ないろいろなプロセスを用いたりして、いろいろな製造方法を応用して通路１０９を設けることができる。

シート１０３は、“超小型ふるい”(micro sieve)と称されても良い。シート１０３は、１つ以上の材料の１つ以上の層を含むことができる。シート１０３は、ガス散布チャンバ１０２の壁又は壁部分であるか或いは該壁又は壁部分を提供することができる。本発明の一実施形態では、シート１０３は実質的に平らなシートであり得る。或いは、所望ならば、ガス出口側に一定のリリーフを設けることができる。また、ガスシャワー１０１の一端部１０８を提供するためにシート１０３の一部を所望の仕方でガス散布チャンバの対向側１０２の方へ折り曲げるか又は整形することができる（図５を参照）。

シート１０３のガス通路１０９はいろいろな方向に延びることができる。例えば、通路１０９はシャワー出口側と角度βをなすことができ、その角度は約０°〜６０°の範囲内にある。一例として、角度は約２０°〜５０°、或いは約２０°〜４０°の範囲内にあり得る。本図５，６では、ガス通路１０９は仮想（垂直）ＹＺ平面と角度βをなし、これらの平面は光路ＯＰに関して垂直に広がる。

更に、一実施形態では、複数のガス通路１０９が互いに実質的に平行に延びる。この様にして、ガス通路によってガスを実質的に同じ方向に向けることができる。更に、本実施形態では、各ガス通路１０９はシート１０３を貫通して実質的に真っ直ぐな方向に延びる。或いは、ガス通路は曲げられても良く、或いは他の方向に延びても良い。

ガス通路１０９は、いろいろな直径或いは寸法を有することができる。各々の通路の直径又は幅Ｄは、例えば、約０．２ｍｍより小さくても良い。例えば、直径又は幅は、約０．１ｍｍより小さくても良い。各通路の直径又は幅が約０．０８ｍｍであるときに良好な結果が得られる。

図７及び８は、シートの２つの実施形態１０３，１０５のセクションを底面図として示す。例えば、図７に示されているように、ガス通路１０９はスリット１０９であり得る。また、図８は、ガス通路１０９’が実質的に円形の横断面を有する貫通孔又は孔である実施形態を示す。ガス通路１０９は、所望ならば、他のいろいろな形状及び／又は寸法を持つことができる。例えば、１つのシート１０３はいろいろな形状及び／又は寸法のガス通路を含むことができる。

好ましくは、シャワー出口側１０３は割合に大量のガス通路を備える。例えば、通路の出口端部は、シャワー出口側１０３の約１０％ないし２５％を覆うことができる。更に、一実施形態では、通路の出口端部はシャワー出口側１０３の少なくとも２５％或いはそれ以上を覆うことができる。

また、ガス通路１０９は、使用中にこれらの通路から流れるガスが１０未満のレイノルズ数Ｒｅを持つように、寸法設計され得る。更に、使用中、各通路１０９の上流端部と下流端部との間の圧力差は約１００〜５００Ｐａの範囲内であり得る。例えば、使用中、ガス散布チャンバ１０２の内部の圧力は、出口側１０３の下流側の圧力より約１００ないし４００Ｐａ高い圧力であり得る。ガス散布チャンバ１０２の外側の圧力は、実質的に大気圧であるか、又はより高い若しくはより低い圧力であって良い。また、別の実施形態では、使用中、ガス通路１０９から流れるガスの速度は少なくとも約４ｍ／ｓであり得る。

また、本実施形態では、例えば、ガス散布チャンバの上側が、入ってきたガスを出口側１０３の方へ逸らせてガスを少なくとも一部の通路１０９を介して散布チャンバから散布し得るように、ガスを出口側１０３に実質的に平行にガス散布チャンバの上側１０４の一部の方へ供給するようにガスシャワー１０１を構成することができる。

図５〜６に示されている実施形態１０１の使用中、ガスがガスシャワー１０１のガス散布チャンバ１０２に供給される。ガスはガス出口側１０３のガス通路１０９を介して、調整されるべき領域の方に向けられる。ガス通路１０９は傾斜しているので、例えばガスシャワー１０１の真下に位置するのではなくて横にずれた位置にある領域に層状の一様なガス流を有利に向けることができる。一例として、図５は、ガスシャワー１０１の先端部がどの様に層状ガスを基板サポートＷＴの方に向けて基板サポートＷＴ付近の光路を調整できるかを示す。

一実施形態では、リソグラフィ装置は動かせる基板サポートを含むことができる。例えば、図５では、基板サポートＷＴはＸ方向と、その逆の方向とに動くことができる。その場合、別の実施形態では、ガスシャワー１０１は、好ましくは、層状ガスを少なくとも或る程度は基板サポートＷＴの移動方向Ｘと同じ方向に向けるように構成される。図５に示されているように、傾斜したガス通路１０９は、Ｘ方向に平行な成分と出口側１０３に垂直な成分とを有する流れ方向Ｆを有するガス流を提供することができる。この様にして、基板サポートＷＴが例えば干渉計ブロックＩＦから離れてゆくとき、ガスシャワー１０１は基板サポートの背後での後流の発生を防止或いは減少させることができる。

更に、驚くべきことに、流れ方向Ｆがシャワー１の出口側１０３に関してガス通路１０９の傾斜より僅かに或いは大幅に大きな傾斜を持ち得ることが見出された。例えば、これは、オープンフラクション（＝開放面積／総面積）が１００％より遥かに小さいとき、例えば２５％より小さいとき、起こり得ることである。その様な場合、ガスシャワー１は、ウェーハサポートＷＴ付近の領域などの、横方向に離れた領域にも良好に層状ガス流を向けることができる（図５を参照）。

また、図５及び６に示されている第２ガスシャワー実施形態は、高ＮＡレンズＰＬと組み合わされて有利に使用され得る。例えば、ガスシャワー１は、例えば清浄な空気又は別種のガスにより、外側基板ダイを露出させるために、基板ステージの一番端の範囲を覆うために使用され得る。

図５及び６の実施形態１０１は、例えばレンズ中心に向かう角度などの１つの角度で及び／又は他の所要の角度で出てゆく流れを有する非常に薄い高速ガスシャワーセクションを作るように構成され得る。好ましくは、所望角度のレーザドリル穴を有する、例えばステンレススチール、ステンレス３１６Ｌスチール又は別のスチールなどの金属の非常に薄いシートが使用される。穴の寸法は、ガス流が高度に層状であり得るように、レイノルズ数が１０未満となるように、選択され得る。穿孔されたシート１０３の開放面積が約１０ないし２５％であるとき、ガスの速度、従って運動量が大きくなり得るので、ガスは割合に長い距離にわたって初めの出口角を維持することができる。例えば、流出ガス（図５のｇ_ｏｕｔ、図４のｇ_{ｏｕｔ，２}）の平均速度は約１ｍ／ｓであり得、穴を通る約４ｍ／ｓの流出速度が得られる。一例として、２０μｍの穴直径は７のレイノルズ数を与えることができる。スチールシート１０３は、レーザ溶接され得るので、割合に無汚染に且つ耐ＤＵＶに作られ得る。また、本実施形態は、割合に大きな圧力降下を与えることができ、それは割合に狭い供給ダクト或いはガス散布チャンバ１０２を可能にする。

製造されたシート１０３を含むガスシャワー１０１の、例えば標準的モノフィラメントファブリックと比べての、別の利点は、当該領域での圧力降下を変化させる能力である。例えばシート１０３に沿って見たときに例えばガス通路１０９の穴の直径又はオープンフラクションを徐々に変化させることにより、開放面積の不均一な分布をシート１０３に与えることができる。これは、例えばエアーシャワーチャンバ１０２内の圧力が不均一である場合（例えば内部速度が高いこと或いは渦に起因する不均一）、一様な出口速度を生じさせるか或いは出口速度分布（図５のｇ_ｏｕｔ）を最適化する別の１つの方法であり得る。

一例として、ガス通路１０９”の不均一な分布（或いは不均質な分布）を有するガス散布シート１０３”を含むガスシャワーの実施形態が図９に描かれている。ガス通路は、相互に不均一に分布している。例えば、図９の実施形態では、シート１０３”に沿って見たとき、ガス通路１０９”のピッチ（或いは通路１０９”間の距離）が変化する。例えば夫々のガスシャワーの上流側ガス散布チャンバにおけるガス流の一様性／均質性に依存して、図９の実施形態は制御された不均一な流れ分布を提供することができ、或いは制御された一様なガス流を提供することができる。

ガス穴１０９”の不均一分布又はシート１０３”の開放面積の不均一分布は、幾つかの利点を提供することができる。これは、例えば、ガスシャワーのガス散布チャンバ内の圧力分布に依存する。例えば、使用中、ガスシャワーのガス散布チャンバ内の圧力分布は一様でないことがあり得、その場合には、シート１０３”の開放面積の不均一性は、実質的に均質なガス流出がガスシャワーによって依然として提供され得るような不均一性である。例えば、各ガス通路１０９”の直径或いは幅は約０．０２ｍｍであり得、通路の髄(pith)又は直径は、例えば不均一な流れ分布を得るために＋／−２５％変えられ得る。また、他の寸法及び／又はピッチ変化を使用することができる。一方、例えば、使用中、ガスシャワーのガス散布チャンバ内の圧力分布は実質的に一様であり得、シート１０３”の開放面積の不均一性は、制御されたガスの不均一な或いは不均質な流出を与えるためであり得る。

本発明の実施形態は、例えば、非常に限られた建築空間内に例えば傾斜した層流を生じさせる高速ガスシャワーセクションを与えることができる。ガスシャワー構造は非常に清潔でＤＵＶ耐性であり得る。ガスシャワー１，１０１は、例えば、光学系において光路を調整するために応用され得る。更に、ガスシャワー１，１０１は、例えばレンズ、ミラー又は他の装置部品などの１つ以上の光学素子を清めるために使用され得る。

本書においてはＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に言及しているが、本書に記載されているリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用の案内パターン及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造の様な他の用途を持ち得ることが理解されるべきである。その様な代替用途に関しては、本書における“ウェーハ”又は“ダイ”という用語の使用はより一般的な用語“基板”又は“ターゲット部分”と夫々同義であると見なされ得ることを当業者は理解するであろう。本書で言及されている基板は、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に付けて、露光されたレジストを現像する器具）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールにおいて露光の前又は後で、処理され得る。適切な場合には、本書の開示をその様な基板処理器具又は他の基板処理器具に応用することができる。更に、例えば多層ICを作るために基板を２回以上処理することができるので、本書で使用される基板という用語は、複数の処理された層を既に含む基板をも指し得る。

上では光リソグラフィと関連して本発明の実施形態を用いることに特に言及したが、本発明が例えばインプリントリソグラフィなどの他の用途にも使用され得ること、また文脈が許す場合には光リソグラフィに限定されないことが理解されるであろう。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスのトポグラフィーが、基板上に作られるパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィーは基板に供給されたレジストの層に押し込まれ、そこでレジストは電磁放射、熱、圧力又はこれらの組み合わせを用いることによって硬化される。パターニングデバイスはレジストが硬化された後にレジストから外されて、そこに１つのパターンを残す。

本書で使用される用語“放射”及び“ビーム”は、紫外（ＵＶ）線（例えば３６５，３５５，２４８，１９３，１５７又は１２６ｎｍの波長或いはこれらに近い波長を有する）及び極紫外（ＥＵＶ）線（例えば５〜２０ｎｍの範囲内の波長を有する）を含むあらゆる種類の電磁放射線、並びにイオンビーム或いは電子ビームのような粒子線を包含する。

“レンズ”という用語は、文脈が許す場合、屈折型、反射型、磁性型、電磁型及び静電型の光学コンポーネントを含む種々の光学コンポーネントのうちの任意の１つ又はそれらの組み合わせを指すことができる。

上で本発明の特定の実施形態を説明したが、上記以外の仕方で本発明を実施し得ることが理解されるであろう。例えば、本発明は、上で開示された方法を記述した機械可読の命令の１つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はその様なコンピュータプログラムが格納されているデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリー、磁気ディスク又は光ディスク）の形をとることができる。

上記は、限定ではなくて例証を目的とするものである。従って、請求項の範囲から逸脱せずに上記発明を改変し得ることは当業者にとっては明らかであろう。

本発明の実施形態に従うリソグラフィ装置を示す。 図１に示されているリソグラフィ装置のガスシャワーの縦方向断面を示す。 図２に示されているガスシャワーの下面図である。 図２の詳細Ｑである。 本発明の実施形態に従うガスシャワーを有する装置の一部を示す。 図５に示されている実施形態のガスシャワーの細部の横断面を示す。 図５に示されているガスシャワーの下面図である。 図５に示されているガスシャワーの１つの代わりの実施形態の下面図である。 図５に示されているガスシャワーの別の代わりの実施形態の下面図である。

Claims (13)

1. 光学装置において少なくとも１つの干渉計ビームの光路を調整するガスシャワーであって、
   前記ガスシャワーは、前記光路にガスを供給するガス出口側を有するガス散布チャンバを含み、
   前記ガス散布チャンバは、前記ガスを前記光路に散布するように構成されており、
   前記ガス散布チャンバは、実質的に尖った先細の先端を含み、
   前記ガス散布チャンバは、前記ガス出口側と対向して広がる第２の側を含み、
   前記第２の側は、前記ガス出口側と実質的に平行に広がる第１部分と、前記ガス出口側と鋭角をなして前記尖った先細の先端を提供する第２部分と、を含み、
   前記第２の側および前記ガス出口側は共に実質的に長方形であり、
   前記尖った先細の先端は、前記光学装置の投影システムの中心軸に向かって、かつ、前記投影システムと前記干渉計ビームにより測定される基板サポートとの間に前記先端が位置するように、先細りに尖っており、
   前記ガス出口側は複数の通路を有するシートを含み、
   前記複数の前記通路は前記投影システムの中心軸に向かってガス流を生じさせるように 前記干渉計ビームの前記光路に対して斜めにかつ実質的に平行に延びる、
   ガスシャワー。
2. 前記ガスシャワーは、前記ガス出口側と実質的に平行に前記ガス散布チャンバの前記第２の側の方へガスを供給するように構成され、
   前記ガス散布チャンバの前記第２の側は、入ってきたガスを前記ガス出口側の方へ逸らせて前記ガスを前記ガス散布チャンバから分散させるようになっている、
   請求項１に記載のガスシャワー。
3. 前記先端のテーパー角は約２０°より小さい、請求項１に記載のガスシャワー。
4. 前記先端のテーパー角は約１０°より小さい、請求項１に記載のガスシャワー。
5. 前記ガスシャワーは、使用中にリソグラフィ装置の少なくとも１つの前記干渉計ビームの前記光路に光学的調整を加えるように構成されている、
   請求項１に記載のガスシャワー。
6. 前記シートは、モノフィラメントファブリックを備えている、
   請求項１に記載のガスシャワー。
7. 前記シートは、複数のレーザ穿孔された通路、エッチングされた通路、及び／又は放電加工により若しくはマスク上デポジション金属により製造された通路を有する薄い金属又は合金のシートを含む、
   請求項１に記載のガスシャワー。
8. 前記複数の前記通路の直径には変化がある、請求項１に記載のガスシャワー。
9. 前記複数の前記通路は、前記シートに沿って見たとき、不均一に分布している、請求項１に記載のガスシャワー。
10. 前記シートは金属又は合金のシートである、請求項１に記載のガスシャワー。
11. 前記複数の前記通路は前記シートに一様に分布している、請求項１に記載のガスシャワー。
12. 前記複数の前記通路が、前記尖った先細の先端から横に広がる領域に向けられている、請求項１に記載のガスシャワー。
13. 前記ガス散布チャンバは、少なくとも第１の先細セクションと前記第１の先細セクションから延びる第２の先細セクションとを含み、
    前記第１及び第２の先細セクションは、互いに並んで広がる夫々のガス出口側を有し、
    前記第１及び第２の先細セクションは、前記の夫々の出口側に対向して広がる夫々の第２の側を有し、隣り合う前記先細セクションの前記第２の側は、互いに１８０°より小さい角度をなす、
    請求項１に記載のガスシャワー。

Images