JP4568239B2 - 光電変換素子アレイ及び固体撮像装置 - Google Patents
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Description
Sb=Sa+{β×(Ya−YRK)}・・・・・・・・・・・式(1)
で表され、光電変換素子PD22a乃至PD22nの面積Sbの方が光電変換素子PD2a乃至PD2nの面積Saよりも大きい。YRKは連結部RKの縦方向寸法である。
Sd=Sc+(m−1)×{β×(Ya−YRK)}・・・・・・・・式(2)
で表され、光電変換素子PDmma乃至PDmmnの面積Sdの方が光電変換素子PDma乃至PDmnの面積Scよりも大きい。
2、4 センサ部(R/G/B)
3 CMOSリニアセンサ
11、21 高解像度部
12、22 中解像度部
13、23 低解像度部
Amp1〜3、Ampa アンプ
AmpR1〜3 アンプ列部
CSR1〜3 CCDシフトレジスタ
FG フィンガー部
L 光電変換素子列の長さ
PD1a〜n、PD2a〜2n、PD4a〜n、PDma〜n、PD11a〜n、PD22a〜n、PDmma〜n、PDH1a〜n、PDM1a〜n、PDL1a〜n 光電変換素子
RK 連結部
SG1〜3 シフトゲート
SR1〜3 シフトレジスタ
SWa スイッチ
SWR1〜3 スイッチ列部
Xa、Xb、Xc 横方向寸法
α ピッチ
β スペース
Claims (5)
- スペースβで互いに離間され、電荷読み出し方向に対して垂直方向にピッチαで列状に配置形成される矩形状の第1の光電変換素子と、
前記第1の光電変換素子と同一幅で、並列して設けられる矩形状のm個(ただし、mは2以上の整数)のフィンガー部と、電荷読み出し方向側に設けられ、幅がスペースβで、前記フィンガー部間を連結する(m−1)個の連結部とを有し、スペースβで互いに離間され、電荷読み出し方向に対して垂直方向にピッチmαで列状に配置形成される第2の光電変換素子と、
を具備することを特徴とする光電変換素子アレイ。 - 前記第1及び第2の光電変換素子の電荷読み出し方向の寸法が同一であることを特徴とする請求項1に記載の光電変換素子アレイ。
- スペースβで互いに離間され、電荷読み出し方向に対して垂直方向にピッチαで列状に配置形成される台形状の第1の光電変換素子と、
前記第1の光電変換素子と同一形状で、並列して設けられる矩形状のm個(ただし、mは2以上の整数)のフィンガー部と、電荷読み出し方向側に設けられ、前記フィンガー部間を等間隔で連結する(m−1)個の連結部とを有し、スペースβで互いに離間され、電荷読み出し方向に対して垂直方向にピッチmαで列状に配置形成される第2の光電変換素子と、
を具備することを特徴とする光電変換素子アレイ。 - 矩形状の第1の光電変換素子がスペースβで互いに離間され、電荷読み出し方向に対して垂直方向にピッチαで列状に配置形成される第1の光電変換素子アレイと、前記第1の光電変換素子の電荷読み出し方向側に隣接配置され、前記第1の光電変換素子から出力される信号電荷を転送する第1のシフトゲートと、前記第1のシフトゲートの信号電荷転送側に隣接配置され、前記第1のシフトゲートから転送される信号電荷を転送する第1のCCDシフトレジスタと、前記第1のCCDシフトレジスタから転送される信号電荷を画素ごとに読み出す第1のアンプとを有する第1のセンサ部と、
前記第1の光電変換素子と同一幅で、並列して設けられる矩形状のm個(ただし、mは2以上の整数)のフィンガー部、及び電荷読み出し方向側に設けられ、幅がスペースβで、前記フィンガー部間を連結する(m−1)個の連結部から構成される第2の光電変換素子が、スペースβで互いに離間され、電荷読み出し方向に対して垂直方向にピッチmαで列状に配置形成される第2の光電変換素子アレイと、前記第2の光電変換素子の電荷読み出し方向側に隣接配置され、前記第2の光電変換素子から出力される信号電荷を転送する第2のシフトゲートと、前記第2のシフトゲートの信号電荷転送側に隣接配置され、前記第2のシフトゲートから転送される信号電荷を転送する第2のCCDシフトレジスタと、前記第2のCCDシフトレジスタから転送される信号電荷を画素ごとに読み出す第2のアンプとを有する第2のセンサ部と、
を具備することを特徴とする固体撮像装置。 - 矩形状の第1の光電変換素子がスペースβで互いに離間され、電荷読み出し方向に対して垂直方向にピッチαで列状に配置形成される第1の光電変換素子アレイと、前記第1の光電変換素子の電荷読み出し方向側に隣接配置され、前記第1の光電変換素子から出力される信号電荷を読み出す第1のアンプが列状に配置形成される第1のアンプ列部と、前記第1のアンプの信号電荷読み出し側に隣接配置され、前記第1のアンプから読み出された画素情報を転送する第1のスイッチが列状に配置形成される第1のスイッチ列部と、前記第1のスイッチの前記画素情報転送側に隣接配置され、前記第1のスイッチから転送される前記画素情報を転送及び出力する第1のシフトレジスタとを有する第1のセンサ部と、
前記第1の光電変換素子と同一幅で、並列して設けられる矩形状のm個(ただし、mは2以上の整数)のフィンガー部、及び電荷読み出し方向側に設けられ、幅がスペースβで、前記フィンガー部間を連結する(m−1)個の連結部から構成される第2の光電変換素子が、スペースβで互いに離間され、電荷読み出し方向に対して垂直方向にピッチmαで列状に配置形成される第2の光電変換素子アレイと、前記第2の光電変換素子の電荷読み出し方向側に隣接配置され、前記第2の光電変換素子から出力される信号電荷を読み出す第2のアンプが列状に配置形成される第2のアンプ列部と、前記第2のアンプの信号電荷読み出し側に隣接配置され、前記第2のアンプから読み出された画素情報を転送する第2のスイッチが列状に配置形成される第2のスイッチ列部と、前記第2のスイッチの前記画素情報転送側に隣接配置され、前記第2のスイッチから転送される前記画素情報を転送及び出力する第2のシフトレジスタとを有する第2のセンサ部と、
を具備することを特徴とする固体撮像装置。
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JP2006058132A JP4568239B2 (ja) | 2006-03-03 | 2006-03-03 | 光電変換素子アレイ及び固体撮像装置 |
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2006
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