JP4538998B2 - 放電灯装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、高圧放電灯を点灯する放電灯装置に関し、特に車両における放電灯を用いた前照灯装置に好適である。
【0002】
【従来の技術】
放電灯装置としては、図10に示す車両用放電灯装置がある。この種の放電灯装置100は、図10に示すように、フィルタ回路110、DC/DC変換回路120、インバータ回路130、始動回路140、および制御回路150を含んで構成されている。この放電灯装置100は、点灯スイッチ20がオン状態のとき、直流電源としてのバッテリ10からの直流電圧をDC/DC変換回路120により昇圧し、インバータ回路130にてその昇圧電圧を交流電圧に変換してランプ30を点灯させるように構成されている。
【0003】
なお、このランプ30は、車両用前照灯であるメタルハライドランプ等の放電灯であって、始動時には、始動回路140によって絶縁破壊を生じさせる高電圧がランプ30の電極間に印加され、絶縁破壊後は、不安定なグロー放電からアーク放電状態に転移することで安定点灯状態に移行する。
【0004】
フィルタ回路110は、コイル111とコンデンサ112から構成され、雑音防止用として設けれている。
【0005】
DC/DC変換回路120は、バッテリ10側に配された一次巻線121aとランプ30側に配された二次巻線121bとを有するフライバックトランス121と、一次巻線121aに接続された半導体スイッチング素子としてのMOSトランジスタ(電解効果型トランジスタ)122と、二次巻線121bに接続された整流用ダイオード123および平滑用コンデンサ124とから構成され、バッテリ電圧を昇圧した昇圧電圧を出力する。すなわち、このDC/DC変換回路120において、MOSトランジスタ122がオンすると、一次巻線121aに一次電流が流れて一次巻線121aにエネルギーが蓄えられ、MOSトランジスタ122がオフすると、一次巻線121aのエネルギーが二次巻線121bに供給される。そして、このような動作を繰返すことにより、ダイオード123と平滑用コンデンサ124の接続点から高電圧を出力する。なお、フライバックトランス121は、図10に示すように一次巻線121aと二次巻線121bとが電気的に導通するように構成されている。
【0006】
インバータ回路130は、Hブリッジ状に配置された半導体スイッチング素子をなすMOSトランジスタ131〜134を有し、ランプ30を交流にて点灯駆動するために設けられている。
【0007】
始動回路140は、一次巻線141aと二次巻線141bを有するトランス141と、コンデンサ142と、一方向性半導体素子をなすサイリスタ143から構成され、ランプ30を点灯始動させる。すなわち、点灯スイッチ20がオンすると、コンデサ142が充電され、この後、サイリスタ143がオンすると、コンデンサ142が放電し、トランス141を通じて、ランプ30に高電圧(例えば25kV)を印加する。その結果、ランプ30が電極間で絶縁破壊し火花点火を生じる。
【0008】
制御回路150は、図10に図示しない検出回路から出力されるランプ電圧とランプ電流に相当する信号(ランプ電力相当信号)に基づいて、点灯初期時にランプ電力を最大電力(例えば65W)に、安定点灯時にランプ電力を定常電力(例えば35W)にするように、MOSトランジスタ122をPWM制御する。その結果、点灯初期、過渡状態、安定点灯におけるランプ電圧、ランプ電流、ランプ電力は、図11に示すようになる。
【0009】
上記の構成において、その作動の概略を以下、説明する。
【0010】
点灯スイッチ20がオンし、制御回路150がMOSトランジスタ122をPWM制御すると、フライバックトランス121の作動によって、バッテリ電圧を昇圧した電圧がDC/DC変換回路120から出力される。このDC/DC変換回路から出力された昇圧電圧は、インバータ回路130を介して始動回路140のコンデンサ142に供給され、コンデンサ142が充電される。この後、サイリスタ143がオンすると、コンデンサ142が放電し、トランス141を通じて、ランプ30に高電圧が印加される。その結果、ランプ30が点灯開始する。
【0011】
(点灯開始後)
この点灯開始後、トランジスタ131〜134が対角線の関係で交互にオンオフ(すなわち、トランジスタ131,134の組とトランジスタ132、133の組が交互にオンオフ)し、ランプ30に印加される電圧の極性が交互に反転する。また、制御回路150は、ランプ電圧とランプ電流に相当する信号に基づいて、点灯開始時にはランプ電力が最大電力に、安定点灯時にはランプ電力が定常電力になるように、MOSトランジスタ122をPWM制御する。このような制御によって、ランプ30は、点灯初期の状態から過渡状態を経て安定点灯状態に移行していく。
【0012】
(点灯準備期間)
始動回路140により昇圧された高電圧がランプ30に印加され、その結果、絶縁破壊が生じグロー放電が可能となる。このグロー放電の状態では、DC/DC変換回路120によって昇圧された電圧が点灯開始後のランプ電力で印加する電圧より高圧化(300〜500V)することで、アーク放電への転移が容易になる(転移確率が向上し、早期に安定点灯可能なアーク放電状態となる)。
【0013】
すなわち、点灯スイッチ20をオンしてから、ランプ30に高電圧が印加されて電極間で絶縁破壊が生じるまでの点灯準備期間は、図11に示すように、ランプ30に高電圧(例えば400V)が印加されるように、DC/DC変換回路120によって昇圧されている。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
従来構成では、図12のフライバックトランス121の一次巻線側の電圧V1と電流i1の波形を示すように、上記したPWM制御によれば、デューティサイクルT2は一定で、オン期間(MOSトランジスタ122をオンする期間)T1が可変となって、MOSトランジスタ122のスイッチングに伴って電流波形と電圧波形がある値のところで交差し、スイッチング損失が生じてしまう。すなわち、従来の放電灯装置では、MOSトランジスタ122をハードスイッチングする構成となっている。
【0015】
このスイッチング損失を低減するためには、共振を利用してMOSトランジスタ122をソフトスイッチングすることが考えられる(特開平9−812312号公報)。特開平9−812312号公報には、スイッチング電源装置のDC/DC変換回路において、フライバックトランスの一次巻線に接続されたMOSトランジスタに並列にコンデンサを設け、そのコンデンサと一次巻線とにより共振を発生させて、ソフトスイッチングを行なうものが開示されている。
【0016】
この技術を図10に示すDC/DC変換回路120に適用すると、図13に示すように、MOSトランジスタ122に並列にコンデンサ125を設け、フライバックトランス121の一次巻線121aと、MOSトランジスタ122に並列に接続されたコンデンサ125とにより共振を発生させて、ソウトスイッチングを行なう構成とすることができる。
【0017】
このように構成された放電灯装置において、MOSトランジスタ122をPWM制御すると、MOSトランジスタ122の両端電圧V(S)および電流i(S)は、図15に示すように変化する。電圧V(S)が共振によって低下し0V以下になると、MOSトランジスタ122の寄生ダイオード122aに電流が流れる。このときMOSトランジスタ122をターンオンすれば、ゼロ電圧スイッチングが実現でき、ターンオン損失を低減することができる。なお、MOSトランジスタ122のターンオフ時の損失は、コンデンサスナバを利用したソフトスイッチングによって低減することができる。ここで、このコンデンサスナバを利用したソフトスイッチングについて簡単に説明する。図14(a)において、スイッチがオンし通電している状態から、オフする場合を考える。オフした瞬間、それまで流れていた電流によりコンデンサが充電される。これにより、コンデンサが接続されていない場合(ハードスイッチング)と比較して、スイッチ両端の印加電圧のdV/dtが低減され、図14(b)に示すように、電流波形と電圧波形の重なりが低減され、スイッチング損失も低減されることになる。このようなスイッチングをスナバスイッチング(この場合はCスナバスイッチング)という。
【0018】
しかしながら、上記のように構成した場合、ターンオン損失、ターンオフ損失を低減することができるが、図15に示すように、寄生ダイオードの導通期間が長く、これによって損失が生じてしまう。このダイオードの導通期間は、例えば、フライバックトランス121の一次巻線121aのインダクタンスLを変えることにより変化させることができるが、放電灯装置として適正に作動させる場合には、自ずと一次巻線121aのインダクタンスLの取り得る値の範囲が決まり、その範囲内で上述のダイオード導通期間による損失を所望値以下に低減することはできなかった。
【0019】
本発明はこのような事情を考慮してなされたものであり、したがってその目的は、DC/DC変換回路のスイッチング素子を新規な構成でソフトスイッチングできる放電灯装置を提供することにある。
【0020】
また、別の目的は、DC/DC変換回路のスイッチング損失を低減させるとともに、点灯準備期間中におけるDC/DC変換回路の高電圧化が容易な放電灯装置を提供することにある。
【0021】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項1によると、直流電源からの直流電圧を昇圧するDC/DC変換回路を備え、DC/DC変換回路によって昇圧された電圧に基づいて放電灯を点灯させるようにした放電灯装置において、DC/DC変換回路は、直流電源側に配された一次巻線と放電灯側に配された二次巻線とを有するフライバックトランスと、一次巻線に接続された半導体スイッチング素子と、半導体スイッチング素子に並列に接続されたコンデンサとを有して、フライバックトランスの漏れリアクトルとコンデンサとにより共振を発生させるように構成されており、半導体スイッチング素子を制御回路によりPFM制御して、放電灯の点灯準備期間中は半導体スイッチング素子を非ゼロ電圧スイッチングさせ、放電灯の点灯開始後は半導体スイッチング素子をゼロ電圧スイッチングさせるようにする。
【0022】
すなわち、DC/DC変換回路のフライバックトランスの一次巻線に接続された半導体スイッチング素子に並列にコンデンサを設け、フライバックトランスの漏れリアクトルとコンデンサとにより共振を発生させるように構成し、半導体スイッチング素子を制御回路によりPFM制御して、一次巻線側の共振電圧のターンオン時にはゼロ電圧スイッチングさせ、ターンオフ時にはコンデンサによりCスナバスイッチングさせる。これにより、制御回路によりPFM制御される半導体スイッチング素子を、ゼロ電圧スイッチングおよびCスナバスイッチングによるソフトスイッチングさせることができ、従ってスイッチング損失を低減できる。
【0023】
一方、放電灯の点灯準備期間中には、共振電圧をゼロ電圧スイッチングするスイッチング周期に比べ、スイッチング周期が短縮可能な非ゼロ電圧スイッチングを行なう。これにより、点灯開始後におけるDC/DC変換回路によって昇圧された電圧に基づいて放電灯を点灯させるその電圧に比較して高電圧化が可能である。しかも、点灯開始前は放電灯の電極間が絶縁状態となっているので、DC/DC変換回路の出力電力は必要とされないため、一次巻線側の共振電圧を非ゼロ電圧スイッチングさせても入力電力の損失を小さく抑えることができる。
【0024】
本発明の請求項2によると、直流電源からの直流電圧を昇圧するDC/DC変換回路を備え、DC/DC変換回路によって昇圧された電圧に基づいて放電灯を点灯させるようにした放電灯装置において、DC/DC変換回路は、直流電源側に配された一次巻線と放電灯側に配された二次巻線とを有するフライバックトランスと、一次巻線に接続された半導体スイッチング素子と、一次巻線に並列に接続されたコンデンサとを設け、フライバックトランスの漏れリアクトルとコンデンサとにより共振を発生させるように構成されており、半導体スイッチング素子を制御回路によりPFM制御して、放電灯の点灯準備期間中は半導体スイッチング素子を非ゼロ電圧スイッチングさせ、放電灯の点灯開始後は半導体スイッチング素子をゼロ電圧スイッチングさせるようにする。
【0025】
すなわち、DC/DC変換回路のフライバックトランスの一次巻線に接続された半導体スイッチング素子と、一次巻線に並列にコンデンサを設け、フライバックトランスの漏れリアクトルとコンデンサとにより共振を発生させるように構成し、半導体スイッチング素子を制御回路によりPFM制御して、一次巻線側の共振電圧のターンオン時にはゼロ電圧スイッチングさせ、ターンオフ時にはコンデンサによりCスナバスイッチングさせる。これにより、制御回路によりPFM制御される半導体スイッチング素子を、ゼロ電圧スイッチングおよびCスナバスイッチングによるソフトスイッチングさせることができ、従ってスイッチング損失を低減できる。
【0026】
一方、放電灯の点灯準備期間中には、共振電圧をゼロ電圧スイッチングするスイッチング周期に比べ、スイッチング周期が短縮可能な非ゼロ電圧スイッチングを行なうので、点灯開始後におけるDC/DC変換回路によって昇圧された電圧に基づいて放電灯を点灯させるその電圧に比較して高電圧化が可能であるとともに、一次巻線側の共振電圧を非ゼロ電圧スイッチングさせても入力電力の損失を小さく抑えることができる。
【0027】
本発明の請求項3によると、放電灯点灯準備期間中の非ゼロ電圧スイッチングとは、一次巻線側の電圧がピーク値を越えた後にスイッチングすることである。
【0028】
すなわち、フライバックトランスの一次巻線側の共振電圧のピーク値を越えた後にスイッチングするので、一次巻線側の電圧がピーク値としての高い電圧を確保できるとともに、このスイッチングにより一次巻線側の電流は大きく飛び上がって大きな遮断電流が実現できる。そのため、フライバックトランスの一次巻線側の電圧の波高値つまりピーク値自体を大きくできるので、二次巻線側の出力電圧が容易に高電圧化できる。
【0029】
本発明の請求項4によると、請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の放電灯装置において、フライバックトランスの漏れリアクトルのインダクタンスとコンデンサの容量は、ゼロ電圧スイッチングを可能とするとともにPFM制御におけるスイッチング周波数を設定された一定値にする条件を満たし、その条件を満たす中で漏れリアクトルのインダクタンスが最も小さくなるように、それぞれ設定することが望ましい。
【0030】
上記スイッチング周波数は、請求項5に記載のように、点灯開始後における一次巻線側の電圧をゼロ電圧スイッチングするオフ期間に比べ、点灯準備期間中における一次巻線側の電圧がピーク値を越え零に達するまでの区間内をスイッチング終端とするオフ期間に短縮されることで高くなる。
【0031】
一般に共振電圧のスイッチング周波数を下げることにより共振電圧の波高値を大きくすることが可能である。
【0032】
これに対して本発明の放電灯装置は、一次巻線側の電圧がピーク値を越え零に達するまでの区間内をスイッチング終端とするオフ期間に短縮されることでスイッチング周波数を高めることができるので、点灯準備期間中において、その周波数を下げることなく、二次巻線側の出力電圧を容易に高電圧化できる。
【0033】
本発明の請求項6によると、制御回路は、前記放電灯の電力に相当する信号に基づいて前記放電灯の電力が瞬時低下する状態を検出したとき、前記半導体スイッチング素子のオフ期間を長くして、前記電力の瞬時低下時においてもゼロ電圧スイッチングができるように構成されている。
【0034】
すなわち、放電灯の電力の瞬時低下時においてもゼロ電圧スイッチングを行なうことができる。
【0035】
本発明の請求項7によると、直流電源からの直流電圧を昇圧するDC/DC変換回路を備え、DC/DC変換回路によって昇圧された電圧に基づいて放電灯を点灯させるようにした放電灯装置において、DC/DC変換回路は、直流電源側に配された一次巻線と放電灯側に配された二次巻線とを有するフライバックトランスと、一次巻線に接続された半導体スイッチング素子と、二次巻線に接続された整流ダイオードと、一端が二次巻線とダイオードとの接続点に接続され他端が直流電源の負極側に接続されたコンデンサとを有して、フライバックトランスの漏れリアクトルとコンデンサとにより共振を発生させるように構成されており、半導体スイッチング素子を制御回路によりPFM制御して、放電灯の点灯準備期間中は半導体スイッチング素子を非ゼロ電流スイッチングさせ、放電灯の点灯開始後は半導体スイッチング素子をゼロ電流スイッチングさせるようにする。
【0036】
すなわち、DC/DC変換回路のフライバックトランスの一次巻線に接続された半導体スイッチング素子と、二次巻線に接続された整流ダイオードと、一端が二次巻線とダイオードとの接続点に接続され他端が直流電源の負極側に接続されたコンデンサとを設け、フライバックトランスの漏れリアクトルとコンデンサとにより共振を発生させるように構成し、半導体スイッチング素子を制御回路によりPFM制御して、一次巻線側に流れる共振電流のターンオフ時にはゼロ電流スイッチングさせ、ターンオン時にはフライバックトランスの漏れリアクトルによりLスナバスイッチングさせる。これにより、制御回路によりPFM制御される半導体スイッチング素子を、ゼロ電流スイッチングおよびLスナバスイッチングによるソフトスイッチングさせることができ、従ってスイッチング損失を低減できる。
【0037】
一方、放電灯の点灯準備期間中には、共振電流をゼロ電流スイッチングするスイッチング周期に比べ、スイッチング周期が短縮可能な非ゼロ電流スイッチングを行なうので、点灯開始後におけるDC/DC変換回路によって昇圧された電圧に基づいて放電灯を点灯させるその電圧に比較して高電圧化が可能であるとともに、一次巻線側の共振電圧を非ゼロ電圧スイッチングさせても入力電力の損失を小さく抑えることができる。
【0038】
本発明の請求項8によると、放電灯点灯準備期間中の非ゼロ電流スイッチングとは、一次巻線側の電流がピーク値を越えた後にスイッチングすることである。
【0039】
すなわち、フライバックトランスの一次巻線側の共振電流のピーク値を越えた後にスイッチングするので、一次巻線側の電流がピーク値としての高い電圧を確保できるとともに、このスイッチングにより一次巻線側の電圧を大きく飛び上げさせることができる。
【0040】
【発明の実施の形態】
本発明の放電灯装置を、車両用放電灯装置に適用し、具体化した実施形態を図面に従って説明する。
【0041】
(第1の実施形態)
図1は、本実施形態の放電灯装置の概略を表す構成図である。なお、図1において、従来構成としての比較例である図10に示したものと同一符号を付した部分は、同一もしくは均等なものを示している。
【0042】
本実施形態は、比較例の図10に示す構成と比較して、以下、構成の相違点、およびその構成による動作について説明する。
【0043】
本実施形態において、図10に示す構成と相違するところは、DC/DC変換回路120において、半導体スイッチング素子(例えば、MOSトランジスタ)122に並列にコンデンサ126を設け、フライバックトランス121の漏れリアクトル(図中には明示されない)とコンデンサ126とにより共振させるように構成し、かつMOSトランジスタ122を制御回路160によってPFM(Pulse Frequency Modulationの略語)制御するようにしたことである。
【0044】
すなわち、DC/DC変換回路120のフライバックトランス121の一次巻線121aに接続されたMOSトランジスタ122に並列にコンデンサ126を設け、フライバックトランス121の漏れリアクトルとコンデンサ126とにより共振を発生させるように構成し、MOSトランジスタ122を制御回路160によりPFM制御して、一次巻線121a側の共振電圧V1(図2参照)のターンオン時にはゼロ電圧スイッチングさせ、ターンオフ時にはコンデンサ126によりスナバスイッチング(この場合は、Cスナバスイッチング)させる。
【0045】
なお、制御回路160には、図10に示す従来のものと同様、ランプ電圧とランプ電流に相当する信号が入力され、制御回路160は、ランプ電力を所望の値にするように、MOSトランジスタ122をPFM制御する。この本実施形態の制御回路160の具体的な構成については後述する。
【0046】
まず、本実施形態の特徴であるフライバックトランス121の漏れリアクトルとコンデンサ126とにより共振を発生させるように構成し、MOSトランジスタ122を制御回路160によりPFM制御して、上記ターンオン時、ターンオフ時に、それぞれ、ゼロ電圧スイッチング、スナッバスイッチングによってソフトスイッチングさせることについて、以下図2に従って説明する。図2は、MOSトランジスタ122をPFM制御したときのフライバックトランス121の一次巻線121a側の電圧V1と電流i1の波形を表わす模式図である。
【0047】
PFM制御においてはMOSトランジスタ122をスイッチングするためのスイッチング周波数fswが変化するが、スイッチング周期(1/fsw)においてMOSトランジスタ122をオフする期間は一定(固定)となっている。フライバックトランス121の一次巻線121a側の電圧V1が共振によって低下し0V以下になると、MOSトランジスタ122の寄生ダイオードに電流が流れる。このときMOSトランジスタ122をターンオンさせ、ゼロ電圧スイッチングを行なう。このゼロ電圧スイッチングによってターンオン損失を低減することができる。なお、MOSトランジスタ122のターンオフ時の損失は、図13に示すものと同様、コンデンサ126を利用したスナッバスイッチング(この場合は、Cスナッバスイッチング)を実現できる。
【0048】
したがって、MOSトランジスタ122をPFM制御して、MOSトランジスタ122のターンオン時、ターンオフ時、それぞれゼロ電圧スイッチング、Cスナッバスイッチングによるソフトスイッチングさせることができ、従ってスイッチング損失を低減できる。
【0049】
ここで、上述したゼロ電圧スイッチングを実現するためには、フライバックトランス121の漏れリアクトルのインダクタンスLrとコンデンサ126の容量Crをどのような値にするかが問題となる。この点について発明者等が行なった検討について、以下図3に従って説明する。図3は、フライバックトランス121の漏れリアクトルのインダクタンスLrとコンデサ126の容量Crについてシュミレーションを行なった結果を示すグラフである。
【0050】
フライバックトランス121の漏れリアクトルのインダクタンスLrとコンデンサ126の容量Crが、図3に示す領域(A)における関係にあれば、ソフトスイッチングを行なうことができる。この領域(A)は、コンデンサ126の容量Crの下限値と、ダイオード導通期間tzvs(図2参照)の下限値で規定される。
【0051】
ここで、コンデンサ126の容量Crの下限値は、MOSトランジスタ122の寄生容量との関係で設定される。また、ダイオード導通期間tzvsは、MOSトランジスタ122の寄生ダイオードに電流が流れる期間であるが、その期間中にMOSトランジスタ122をターンオンさせるためには、ダイオード導通期間tzvsを確保する必要がある。しかし、ダイオード導通期間tzvsが長すぎるとそれによる損失が大きくなってしまう。そこで、放電灯装置の回路パラメータのバラツキ等を考慮し、ダイオード導通期間tzvs中にMOSトランジスタ122を確実にターンオンできる最小の時間を、ダイオード導通期間tzvsの下限値として設定している。
【0052】
また、放電灯装置として適正に動作させるためにスイッチング周波数(一定値)fswが設定されており、そのスイッチング周波数fswを得るためには、漏れリアクトルのインダクタンスLrとコンデンサ126の容量Crが、図3に示す曲線(B)の関係を満たす必要がある。
【0053】
また、漏れリアクトルのインダクタンスLrが小さいほど、DC/DC変換回路120の損失が小さくなる。
【0054】
したがって、以上の検討から、漏れリアクトルのインダクタンスLrとコンデンサ126の容量Crを、図3に示す(C)点に設定すれば、ソフトスイッチングが実現でき、かつDC/DC変換回路損失を最小とすることができる。
【0055】
なお、上記(C)点つまり最適にそれぞれ漏れリアクトルのインダクタンスLrとコンデンサ126の容量Crを設定するとは、ゼロ電圧スイッチングを可能とするとともにPFM制御におけるスイッチング周波数fswを設定された一定値にする条件を満たし、その条件を満たす中で漏れリアクトルのインダクタンスLrが最も小さくなるように、それぞれ設定することである。
【0056】
次に、そのような漏れリアクトルのインダクタンスLrとコンデンサ126の容量Crを用いて、PFM制御を行なう場合のスイッチング周波数fswとランプ電力Poutの関係について行なった検討について、以下図4、図5に従って説明する。図4は、PFM制御を行なう場合のスイッチング周波数fswとランプ電力Poutの関係を示すグラフである。図5は、点灯開始後におけるランプ最適電力特性、およびスイッチング最適周波数特性を示す模式図であって、図5(a)は、ランプ最適電力を示す模式図、図5(b)はランプ電力に応じたスイッチング最適周波数を示す模式図である。
【0057】
図4に示すように、スイッチング周波数fswが小さく設定するときにはランプ電力Poutを大きくすることができ、スイッチング周波数fswが大きく設定するときにはランプ電力Poutを小さくすることができる。
【0058】
したがって、図5(a)に示すようなランプ最適電力曲線を得るためには、図5(b)に示すようにスイッチング周波数fswを変化させればよい。
【0059】
次に、制御回路160の構成を、以下図6に従って説明する。図6は、本実施形態に係わる制御回路160の構成を示すブロック図である。
【0060】
この制御回路160は、図6に示すように、ランプ電圧とランプ電流に相当する信号からランプ電力を検知する電力検知回路161と、この電力検知回路161から出力されるランプ電力に応じた電圧を周波数に変換するV/F変換回路162と、V/F変換回路162から出力される信号に基づいて、MOSトランジスタ122のゲートに印加するゲートパルスを生成するゲートパルス生成回路163と、ゲートパルス生成回路163と、ゲートパルスをMOSトランジスタ122のゲートに印加するドライバ回路164とを備えている。
【0061】
このような構成により、図5(a)に示すように、点灯初期時にランプ電力を最大電力とし、過渡状態時にランプ電力を過渡特性に応じた電力にし、安定点灯時にランプ電力を定常電力にすることができる。
【0062】
ここで、ランプ電力は、ランプ電流が図11(b)に示すように交互に極性反転することによって、周期的に低出力状態(ランプ電力が瞬時低下する状態)となる(図7参照)。このようにランプ電力が低出力状態になると、フライバックトランス121の一次巻線121a側の電圧V1が0V以下になるタイミングが遅くなる。この場合、それを考慮せずにPFM制御を行なうと、ダイオード導通期間tzvs中にMOSトランジスタ122をターンオンさせることができなくなる。
【0063】
そこで、本実施形態では、制御回路160において、ランプ電圧とランプ電流に相当する信号からランプ電力の変動を検知する電力変動検知回路165と、この電力変動検知回路165によってランプ電力の変動が検知されたときにMOSトランジスタ122のオフ期間を長くする信号を出力するオフ期間可変回路166とを備え、ゲートパルス生成回路163は、V/F変換回路162から出力される信号とオフ期間可変回路166から出力される信号に基づいて、MOSトランジスタ122のオフ期間を長くするゲートパルスを生成する。このように構成することによって、ランプ電力が低出力状態になったときでも、ダイオード導通期間tzvs中にMOSトランジスタ122をターンオンさせることができる。
【0064】
(変形例)
変形例としては、点灯準備期間中つまり点灯スイッチ20をオンしてから点灯開始するまでの期間において、MOSトランジスタ122を非ゼロ電圧スイッチングさせ、点灯開始後において、MOSトランジスタ122をゼロ電圧スイッチングさせるように、上述の実施形態に係わる制御回路160(詳しくは、図6)に、図8に示すように、点灯準備期間時オフ期間短縮回路160aを追加する構成とする。なお、オフ期間短縮回路160aの構成は後述する。
【0065】
点灯準備期間においては、ランプ30の電極間で絶縁破壊が生じて点灯開始した後、不安定なグロー放電状態から安定点灯可能なアーク放電状態へ早期に転移させるように、図11(a)に示すランプ電圧と同様、DC/DC変換回路120によって昇圧される電圧は点灯開始後の電圧に比し高電圧化され、その高圧化された電圧をランプ30に印加する必要がある。
【0066】
これに対して、変形例では、制御回路160は、PFM制御して、点灯開始後におけるMOSトランジスタ122をオフするオフ期間Toff1(図9(a)参照)に比べて、短縮されたオフ期間Toff2(図9(b)参照)することで非ゼロ電圧スイッチングさせるので、フライバックトランス121に残された残存磁気エネルギーが大きくなり、図9(b)に示すように、一次巻線121a側の電流i1は大きく飛び上げられて大きな遮断電流が実現できる(図9(b)。
【0067】
ここで、MOSトランジスタ122をゼロ電圧スイッチングするオフ期間Toff1を、点灯準備期間中、短縮する制御回路160のオフ期間短縮回路160aの構成を、以下図8に従って説明する。
【0068】
オフ期間短縮回路160aは、点灯スイッチ20(図1参照)のオン状態に切換わる信号が入力され、点灯スイッチ20がオンすると所定の期間、点灯準備中であることを表わす信号を出力するタイマー回路167と、ランプ電流に相当する信号が入力され、そのランプ電流によってランプ30が点灯したか否かを検出する点灯検出回路168と、タイマー回路167もしくは点灯検出回路168から出力される信号に基づいて点灯準備期間中か否かを判別する点灯準備期間判定回路169を備え、ゲートパルス生成回路163は、点灯準備期間判定回路169から出力される準備期間を表わす信号に基づいて、MOSトランジスタ122のオフ期間を短縮するゲートパルスを生成する。
【0069】
なお、短縮されるオフ期間は、図9(b)に示すように、一次巻線121a側の電圧V1がピーク値を越え0Vに達するまでの区間内をスイッチング終端とするオフ期間Toff2に制御回路160によって設定されることが望ましい。
【0070】
このような構成にすることによって、一次巻線121a側の電圧V1の波高値をピーク値で高めることができるとともに、このスイッチングにより一次巻線121a側の電流i1は大きな遮断電流となるので、その電圧V1の波高値つまりピーク電流値自体を大きくすることができる(図9(b)参照)
したがって、一次巻線121a側の電圧V1がピーク値を越えた後でスイッチングすることで二次側121b側から出力される電圧つまりDC/DC変換回路120の出力電圧を高電圧化が容易にできる。
【0071】
なお、点灯開始前はランプ30の電極間が絶縁状態となっているので、DC/DC変換回路120の出力電力は必要とされないため、一次巻線121a側の共振電圧V1を非ゼロ電圧スイッチングさせても入力電力の損失を小さく抑えることができる。
【0072】
(第2の実施形態)
第2の実施形態としては、第1の実施形態で説明したフライバックトランス121の漏れリアクトルとコンデンサ126とにより共振を発生させるようにした構成において、MOSトランジスタ122に並列に接続されるコンデンサ126の配置に換えて、図16に示すように、一次巻線121に並列に接続されるコンデンサ126の配置とする構成とする。
【0073】
本実施形態におけるソフトスイッチング方式は、ゼロ電圧スイッチングであり、動作波形は第1の実施形態と全く同じである。
【0074】
また、制御回路160を第1の実施形態の変形例のような構成にすれば、制御回路160によりPFM制御して、点灯準備期間中はMOSトランジスタ122を非ゼロ電圧スイッチングさせ、点灯開始後はMOSトランジスタ122をゼロ電圧スイッチングさせるように構成できる。
【0075】
これにより、変形例と同様に、一次巻線121a側の電圧V1がピーク値を越えた後でスイッチングすることで二次側141b側から出力される電圧つまりDC/DC変換回路120の出力電圧を高電圧化が容易にできるとともに、点灯開始前はランプ30の電極間が絶縁状態となっているので、一次巻線121a側の共振電圧V1を非ゼロ電圧スイッチングさせても入力電力の損失を小さく抑えることができる。
【0076】
(第3の実施形態)
第3の実施形態としては、図17に示すように、コンデンサ126を、その一端がフライバックトランス121の二次巻線121bとダイオード123(リカバリー損失を低減させるためにもうけたもの)との接続点に接続され、他端がバッテリ10の負極側に接続されたものであり、その他の構成は第1の実施形態と同じである。
【0077】
本実施形態におけるソフトスイッチング方式は、二次巻線121b側に接続したコンデンサ126と漏れリアクトルとにより共振を利用したゼロ電流スイッチングである。すなわち、一次巻線121a側の電圧V1、電流i1の波形を示す図18のように、ゼロ電流スイッチングは、MOSトランジスタに流れる共振電流を利用することにより、MOSトランジスタ122のゼロ電流状態でスイッチングを行なうものである。
【0078】
図18に示すダイオード導通期間tzcsの期間は、MOSトランジスタ122に電流が流れない期間であって、この期間にターンオフを完了することにより、ゼロ電流スイッチングが実現できる。また、ターンオン時は、ソフトスイッチングの一方式である漏れリアクトルを利用したスナバスイッチング(この場合は、Lスナバスイッチング)によりスイッチング損失が低減できる。なお、これは、図19の模式的説明図に示すように、スイッチに直列に配置されている共振のための漏れリアクトルが、ターンオン時に電流を限定し、di/dtが低減されるためである。
【0079】
なお、本発明の実施形態では、オープンループでMOSトランジスタ122をPFM制御するものを示したが、MOSトランジスタ122の寄生ダイオードに電流が流れている状態を電流検出手段(例えば、寄生ダイオードに流れる電流を検出する電流センサや、スイッチ手段としてのMOSトランジスタ122の両端の電圧を検出する電圧センサ等)で検出し、それによってゼロ電圧スイッチングもしくはゼロ電流スイッチングを行なうようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態の放電灯装置の概略を表す構成図である。
【図2】半導体スイッチング素子をPFM制御したときのフライバックトランスの一次巻線側の電圧V1と電流i1の波形を表わす模式図である。
【図3】フライバックトランスの漏れリアクトルのインダクタンスLrとコンデサの容量Crについてシュミレーションを行なった結果を示すグラフである。
【図4】PFM制御を行なう場合のスイッチング周波数fswとランプ電力Poutの関係を示すグラフである。
【図5】点灯開始後におけるランプ最適電力特性、およびスイッチング最適周波数特性を示す模式図であって、図5(a)は、ランプ最適電力を示す模式図、図5(b)はランプ電力に応じたスイッチング最適周波数を示す模式図である。
【図6】第1の実施形態に係わる制御回路の構成を示すブロック図である。
【図7】ランプ電力が周期的に低出力になる状態を表わす模式図である
【図8】第1の実施形態に係わる変形例の制御回路の構成を示すブロック図である。
【図9】変形例の半導体スイッチング素子をPFM制御したときのフライバックトランスの一次巻線側の電圧V1と電流i1の波形を表わす模式図であって、図9(a)は、点灯開始後における電圧V1と電流i1の波形を表わす模式図、図9(b)は、点灯準備期間中の電圧V1と電流i1の波形を表わす模式図である。
【図10】従来の車両用放電灯装置の概略を表わす構成図である。
【図11】図10の構成において、点灯準備期間、点灯初期、過渡状態、安定点灯の各状態におけるランプ電圧、ランプ電流、電力を示す模式図であって、図11(a)はランプ電圧、図11(b)はランプ電流、図11(c)はランプ電力を示す模式図である。
【図12】図10の構成において、フライバックトランスの一次巻線側の電圧V1と電流i1の波形を表わす模式図である。
【図13】図10に示すDC/DC変換回路において、フライバックトランスの一次巻線と、半導体スイッチング素子に並列に接続されたコンデンサとにより共振を発生させるようにした場合を表わす部分的構成図である。
【図14】スナッバスイッチング、特にコンデンサを利用したCスナッバスイッチングを説明する模式図である。
【図15】図13に示す構成にした場合の問題点を説明する模式図である。
【図16】第2の実施形態の放電灯装置の概略を表す構成図である。
【図17】第3の実施形態の放電灯装置の概略を表す構成図である。
【図18】第3の実施形態に係わる半導体スイッチング素子をPFM制御したときのフライバックトランスの一次巻線側の電圧V1と電流i1の波形を表わす模式図である。
【図19】第3の実施形態に係わるスナッバスイッチング、特にリアクトルを利用したLスナッバスイッチングを説明する模式図である。
【符号の説明】
10 バッテリ(直流電源)
20 点灯スイッチ
30 ランプ(放電灯)
100 放電灯装置
110 フィルタ回路
120 DC/DC変換回路
121 フライバックトランス
121a、121b 一次巻線、二次巻線
122 MOSトランジスタ(半導体スイッチング素子)
126 コンデンサ
130 インバータ回路
140 始動回路
160 制御回路
Lr フライバックトランス121の漏れリアクトルのインダクタンス
Cr コンデンサ126の容量
V1 一次巻線121a側の電圧
i1 一次巻線121a側の電流
fsw スイッチング周波数
Toff1、Toff2 ゼロ電圧スイッチングするオフ期間、非ゼロ電圧スイッチングするオフ期間
Claims (8)
- 直流電源からの直流電圧を昇圧するDC/DC変換回路を備え、該DC/DC変換回路によって昇圧された電圧に基づいて放電灯を点灯させるようにした放電灯装置において、
前記DC/DC変換回路は、前記直流電源側に配された一次巻線と前記放電灯側に配された二次巻線とを有するフライバックトランスと、前記一次巻線に接続された半導体スイッチング素子と、該半導体スイッチング素子に並列に接続されたコンデンサとを有して、前記フライバックトランスの漏れリアクトルと前記コンデンサとにより共振を発生させるように構成されており、
前記半導体スイッチング素子を制御回路によりPFM制御して、前記放電灯の点灯準備期間中は前記半導体スイッチング素子を非ゼロ電圧スイッチングさせ、前記放電灯の点灯開始後は前記半導体スイッチング素子をゼロ電圧スイッチングさせるようにしたことを特徴とする放電灯装置。 - 直流電源からの直流電圧を昇圧するDC/DC変換回路を備え、該DC/DC変換回路によって昇圧された電圧に基づいて放電灯を点灯させるようにした放電灯装置において、
前記DC/DC変換回路は、前記直流電源側に配された一次巻線と前記放電灯側に配された二次巻線とを有するフライバックトランスと、前記一次巻線に接続された半導体スイッチング素子と、前記一次巻線に並列に接続されたコンデンサとを有して、前記フライバックトランスの漏れリアクトルと前記コンデンサとにより共振を発生させるように構成されており、
前記半導体スイッチング素子を制御回路によりPFM制御して、前記放電灯の点灯準備期間中は前記半導体スイッチング素子を非ゼロ電圧スイッチングさせ、前記放電灯の点灯開始後は前記半導体スイッチング素子をゼロ電圧スイッチングさせるようにしたことを特徴とする放電灯装置。 - 前記放電灯点灯準備期間中の非ゼロ電圧スイッチングとは、前記一次巻線側の電圧がピーク値を越えた後にスイッチングすることであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の放電灯装置。
- 前記フライバックトランスの漏れリアクトルのインダクタンスと前記コンデンサの容量は、前記ゼロ電圧スイッチングを可能とするとともに前記PFM制御におけるスイッチング周波数を設定された一定値にする条件を満たし、その条件を満たす中で前記漏れリアクトルのインダクタンスが最も小さくなるように、それぞれ設定されていることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の放電灯装置。
- 前記スイッチング周波数は、前記点灯開始後における前記一次巻線側の電圧を前記ゼロ電圧スイッチングするオフ期間に比べ、前記点灯準備期間中、前記一次巻線側の電圧がピーク値を越え零に達するまでの区間内をスイッチング終端とするオフ期間に短縮されることで大きくなることを特徴とする請求項4に記載の放電灯装置。
- 前記制御回路は、前記放電灯の電力に相当する信号に基づいて前記放電灯の電力が瞬時低下する状態を検出したとき、前記半導体スイッチング素子のオフ期間を長くして、前記電力の瞬時低下時においてもゼロ電圧スイッチングができるように構成されていることを特徴とする請求項4に記載の放電灯装置。
- 直流電源からの直流電圧を昇圧するDC/DC変換回路を備え、該DC/DC変換回路によって昇圧された電圧に基づいて放電灯を点灯させるようにした放電灯装置において、
前記DC/DC変換回路は、前記直流電源側に配された一次巻線と前記放電灯側に配された二次巻線とを有するフライバックトランスと、前記一次巻線に接続された半導体スイッチング素子と、前記二次巻線に接続された整流ダイオードと、一端が前記二次巻線と前記ダイオードとの接続点に接続され他端が前記直流電源の負極側に接続されたコンデンサとを有して、前記フライバックトランスの漏れリアクトルと前記コンデンサとにより共振を発生させるように構成されており、
前記半導体スイッチング素子を制御回路によりPFM制御して、前記放電灯の点灯準備期間中は前記半導体スイッチング素子を非ゼロ電流スイッチングさせ、前記放電灯の点灯開始後は前記半導体スイッチング素子をゼロ電流スイッチングさせるようにしたことを特徴とする放電灯装置。 - 前記放電灯点灯準備期間中の非ゼロ電流スイッチングとは、前記一次巻線側の電流がピーク値を越えた後にスイッチングすることであることを特徴とする請求項7に記載の放電灯装置。
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