JP4519409B2 - Adhesive sheet and method of using the same - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、粘着シートに関し、さらに詳しくは半導体ウエハ等の裏面加工時に、表面に貼着され、表面を保護するための表面保護シートとして好ましく使用される粘着シートに関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、ICカードの普及が進み、さらなる薄型化が望まれている。このため、従来は厚さが350μm程度であった半導体チップを、厚さ50〜100μmあるいはそれ以下まで薄くする必要が生じている。また、生産性を向上するためウエハの大口径化が検討されてきた。
【0003】
回路パターン形成後にウエハ裏面を研削することは従来より行われており、その際、回路面に表面保護シートを貼付して、回路面の保護およびウエハの固定を行い、裏面研削を行っている。その後、各種の工程を経て、半導体装置が製造されることになる。
裏面研削後に研削面にダイボンディング用シートを熱圧着する場合がある。ダイボンディング用シートは、ウエハとともに切断され、チップ裏面にチップと同形状のダイボンディング用接着剤層を形成する。ダイボンディング用シートとしては、粘着剤タイプのものも知られているが、近年、半導体装置には高い耐熱性が求められているのに対し、高温において軟化、流動化する粘着剤タイプのダイボンディング用シートは十分な耐熱性を達成することはできない。
【0004】
このため、ポリイミド系、エポキシ系などの高い耐熱性を有するダイボンディング用シートの使用が検討されている。このような耐熱性ダイボンディング用シートは、常温ではタックを有しないので、ウエハに接着する際には、熱圧着を行う。
このような高温処理を伴う場合に用いられる表面保護シートは、基材として、例えばポリエチレンナフタレートフィルムのような耐熱性を有し、高温下での熱収縮率の小さいフィルムを用いることが検討されている(たとえば特許文献1)。しかし、実際にポリエチレンナフタレートフィルムを基材とした表面保護シートを用いた場合、ウエハを極薄に研削し、ダイボンディング用シートを熱圧着した後に、表面保護シートの収縮によって発生するウエハの反りは、十分に解消されていなかった。このため、その後の搬送工程が困難になり、ウエハが破損してしまう場合があった。
【0005】
また、ウエハを極薄に研削するとウエハ自身に自己支持性がなくなり、自重でさえ破損する可能性がでてくる。そのため、ウエハに貼着する表面保護シートに支持機能を与え、ウエハと表面保護シートの積層構造で自己支持性が得られ、ウエハの破損を抑えるようにする方法が採られている。しかしながら、従来提供されている自己支持性を有する表面保護シートでは、ダイボンディング用シートを熱圧着した後のウエハは極めて大きな反りを起こしていた。
【0006】
【特許文献1】
特開2002−246345号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記のような従来技術に鑑みてなされたものであって、裏面研削時および研削終了後には、ウエハを充分に支持することができ、かつダイボンディング用シートの熱圧着時においては収縮せずに、ウエハの変形を最小限に抑えることができる表面保護シートとして好適に用いられる粘着シートを提供することを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る粘着シートは、基材と、その上に形成された粘着剤層とからなり、
基材として、該基材を23℃から180℃に加熱し、180℃で1分間保持した後23℃に冷却した際に測定される収縮応力が5.0×105N/m2以下の基材を用いたことを特徴としている。
【0009】
本発明の粘着シートを構成する基材は、さらに下記の特性を充足することが好ましい。
前記基材の厚さと収縮応力との積が、120N/m以下であること。
前記基材の剛軟度(JIS L1086準拠)が50〜150mmであること。
本発明の粘着シートは、表面保護シートとして好ましく用いられ、具体的には、上記粘着シートを被着体の表面に表面保護シートとして貼付し、該被着体表面の保護を行ないつつ、その裏面加工を行い、加工された裏面に熱圧着性シートを貼付する工程を含むプロセスに好ましく用いられる。
【0010】
特に、本発明の粘着シートは、半導体ウエハの裏面研削時の回路面保護シートとして好ましく用いられ、具体的には、上記粘着シートを、表面に回路が形成された半導体ウエハの表面に表面保護シートとして貼付し、該半導体ウエハ回路面の保護を行ないつつ、その裏面研削を行い、研削された裏面にダイボンディング用シートを熱圧着する工程を含むプロセスに好ましく用いられる。
【0011】
このような本発明によれば、裏面研削時および研削終了後には、ウエハを充分に支持することができ、かつダイボンディング用シートの熱圧着時においては収縮せずに、ウエハの変形を最小限に抑えることができる表面保護シートとして好適に用いられる粘着シートおよびその使用方法が提供される。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明についてさらに具体的に説明する。
本発明に係る粘着シートは、基材および粘着剤層からなる。
本発明においては、特に基材として、耐熱性に優れ、また加熱時の収縮応力の小さな基材を用いたことを特徴としている。
【0013】
したがって、基材としては、加熱時の収縮応力が5.0×105N/m2以下、好ましくは4.0×105N/m2以下、さらに好ましくは3.0×105N/m2以下、特に好ましくは2.5×105N/m2以下の基材が用いられる。
基材の収縮応力は、TMA(Thermal Mechanical Analysis)装置を用いて定長応力測定により評価される。また、同じ測定装置を用いて一定応力測定を行なうことにより収縮率が評価できる。
【0014】
本発明の粘着シートを構成する基材は、基材の厚さと収縮応力との積が、好ましくは120N/m以下、さらに好ましくは100N/m以下、特に好ましくは80N/m以下であることが望ましい。
また、前記基材の剛軟度(JIS L1086に記載の45°カンチレバー法に準拠)は、好ましくは50〜150mmであることが望ましい。本発明の粘着シートは、基材の剛軟度が上記範囲であれば、貼付適性に優れ、また裏面研削時および研削終了後には、極薄化したウエハであっても充分に支持することができる。
【0015】
基材を構成する合成樹脂は、上記物性を充足する限り特に限定はされず、硬化性樹脂を製膜、硬化したものであってもよく、熱可塑性樹脂を製膜したものであっても良い。
硬化性樹脂としては、エネルギー線硬化型樹脂、熱硬化型樹脂等が用いられ、好ましくはエネルギー線硬化型樹脂が用いられる。
【0016】
エネルギー線硬化型樹脂としては、たとえば、光重合性のウレタンアクリレート系オリゴマーを主剤とした樹脂組成物あるいは、ポリエン・チオール系樹脂等が好ましく用いられる。
ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物たとえば2,4−トリレンジイソシアナート、2,6−トリレンジイソシアナート、1,3−キシリレンジイソシアナート、1,4−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン4,4−ジイソシアナートなどを反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレートたとえば2−ヒドロキシエチルアクリレートまたは2−ヒドロキシエチルメタクリレート、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、2−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなどを反応させて得られる。このようなウレタンアクリレート系オリゴマーは、分子内に光重合性の二重結合を有し、光照射により重合硬化し、皮膜を形成する。
【0017】
本発明で好ましく用いられるウレタンアクリレート系オリゴマーの分子量は、1000〜50000、さらに好ましくは2000〜30000の範囲にある。上記のウレタンアクリレート系オリゴマーは一種単独で、または二種以上を組み合わせて用いることができる。
このようなウレタンアクリレート系オリゴマーは種々市販されており、本発明では、目的とする物性に応じて適宜に選択され、必要に応じ、他のモノマーあるいはオリゴマー類と組み合わせて用いられる。
【0018】
一般に、ウレタンアクリレート系オリゴマーのみでは、所望の物性が得られず、また製膜が困難な場合が多いため、通常は、光重合性のモノマーで稀釈して製膜した後、これを硬化して基材を得る。光重合性モノマーは、分子内に光重合性の二重結合を有し、特に本発明では、比較的嵩高い基を有するアクリルエステル系化合物が好ましく用いられる。
【0019】
このようなウレタンアクリレート系オリゴマーを稀釈するために用いられる光重合性のモノマーの具体例を以下に列挙する。
イソボルニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニルオキシ(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、アダマンタン(メタ)アクリレートなどの脂環式化合物、
フェニルヒドロキシプロピルアクリレート、ベンジルアクリレート、フェノールエチレンオキシド変性アクリレートなどの芳香族化合物、もしくは
テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレート、モルホリンアクリレート、N−ビニルピロリドンまたはN−ビニルカプロラクタムなどの複素環式化合物。
【0020】
また必要に応じて多官能(メタ)アクリレートを用いてもよい。
上記光重合性モノマーは、ウレタンアクリレート系オリゴマー100重量部に対して、好ましくは5〜900重量部、さらに好ましくは10〜500重量部、特に好ましくは30〜200重量部の割合で用いられる。
基材を、エネルギー線硬化型樹脂から形成する場合には、該樹脂に光重合開始剤を混入することにより、光照射による重合硬化時間ならびに光照射量を少なくすることができる。
【0021】
このような光重合開始剤としては、ベンゾイン化合物、アセトフェノン化合物、アシルフォスフィンオキサイド化合物、チタノセン化合物、チオキサントン化合物、パーオキサイド化合物等の光開始剤、アミンやキノン等の光増感剤などが挙げられ、具体的には、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノンなどが例示できる。その使用量は、樹脂の合計100重量部に対して、好ましくは0.05〜15重量部、さらに好ましくは0.1〜10重量部、特に好ましくは0.5〜5重量部である。
【0022】
上記のような硬化性樹脂は、オリゴマーまたはモノマーを前述の物性値となるよう種々の組合せの配合より選択することができる。
また、上述の樹脂中に 必要に応じ種々の添加物を添加してもよい。このような添加物としては、炭酸カルシウム、シリカ、雲母などの無機フィラー、鉄、鉛等の金属フィラーが挙げられる。さらに、上記成分の他にも、基材には顔料や染料等の着色剤等の添加物が含有されていてもよい。
【0023】
本発明の粘着シートの基材の厚さは、好ましくは50〜1000μm、さらに好ましくは80〜500μm、特に好ましくは100〜400μmであることが望ましい。
製膜方法としては、液状の樹脂(硬化前の樹脂、樹脂の溶液等)を、たとえば工程シート上に薄膜状にキャストした後に、これを所定の手段によりフィルム化することで基材を製造できる。このような製法によれば、製膜時に樹脂にかかる応力が少なく、フィッシュアイの形成が少ない。また、膜厚の均一性も高く、厚み精度は、通常2%以内になる。
【0024】
別の製膜方法として、Tダイやインフレーション法による押出成形やカレンダー法により基材を製造することもできる。
さらに上記基材の上面、すなわち粘着剤層が設けられる側の面には粘着剤との密着性を向上するために、コロナ処理を施したりプライマー等の他の層を設けてもよい。
【0025】
上記のような方法で得られた基材は、一般的な傾向として、ガラス転移温度(Tg)を制御することによりその収縮応力と剛軟度を制御することが可能となる。すなわち、基材を構成する樹脂が同系列の樹脂である場合には、ガラス転移温度(Tg)が高い組成では収縮応力が大きくなり、剛性が強くなる(剛軟度の値が大きくなる)。逆に、ガラス転移温度(Tg)を低い組成とすると収縮応力が小さくなり、剛性は弱くなる(剛軟度の値は小さくなる)。
【0026】
したがって、基材を構成する樹脂成分や添加剤を適宜選択し、ガラス転移温度(Tg)を制御し、本発明で用いる基材を得ることができる。
前述したエネルギー線硬化性樹脂よりなる基材の場合は、ガラス転移温度(Tg)は、好ましくは30〜250℃、さらに好ましくは40〜200℃、特に好ましくは50〜150℃であり、このような値になるようにウレタンアクリレートオリゴマーや光重合性モノマーが適宜選択される。
【0027】
粘着剤層は、従来より公知の種々の感圧性粘着剤により形成され得る。このような粘着剤としては、何ら限定されるものではないが、たとえばゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル等の粘着剤が用いられる。また、エネルギー線硬化型や加熱発泡型、水膨潤型の粘着剤も用いることができる。
エネルギー線硬化(エネルギー線硬化、紫外線硬化、電子線硬化)型粘着剤としては、特に紫外線硬化型粘着剤を用いることが好ましい。また、水膨潤型粘着剤としては、たとえば特公平5−77284号公報、特公平6−101455号公報等に記載のものが好ましく用いられる。
【0028】
エネルギー線硬化型粘着剤は、一般的には、アクリル系粘着剤と、エネルギー線重合性化合物とを主成分としてなる。
エネルギー線硬化型粘着剤に用いられるエネルギー線重合性化合物としては、たとえば特開昭60−196956号公報および特開昭60−223139号公報に開示されているような光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも2個以上有する低分子量化合物が広く用いられ、具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートあるいは1,4−ブチレングリコールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレートなどが用いられる。
【0029】
さらにエネルギー線重合性化合物として、上記のようなアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリレート系オリゴマーを用いることもできる。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物たとえば2,4−トリレンジイソシアナート、2,6−トリレンジイソシアナート、1,3−キシリレンジイソシアナート、1,4−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン4,4−ジイソシアナートなどを反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレートたとえば2−ヒドロキシエチルアクリレートまたは2−ヒドロキシエチルメタクリレート、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、2−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなどを反応させて得られる。
【0030】
エネルギー線硬化型粘着剤中のアクリル系粘着剤とエネルギー線重合性化合物との配合比は、アクリル系粘着剤100重量部に対してエネルギー線重合性化合物は50〜200重量部、好ましくは50〜150重量部、特に好ましくは70〜120重量部の範囲の量で用いられることが望ましい。この場合には、得られる粘着シートは初期の接着力が大きく、しかもエネルギー線照射後には粘着力は大きく低下する。したがって、裏面研削終了後におけるウエハとエネルギー線硬化型粘着剤層との界面での剥離が容易になる。
【0031】
また、エネルギー線硬化型粘着剤は、側鎖にエネルギー線重合性基を有するエネルギー線硬化型共重合体から形成されていてもよい。このようなエネルギー線硬化型共重合体は、粘着性とエネルギー線硬化性とを兼ね備える性質を有する。側鎖にエネルギー線重合性基を有するエネルギー線硬化型共重合体は、たとえば、特開平5−32946号公報、特開平8−27239号公報等にその詳細が記載されている。
【0032】
エネルギー線硬化型粘着剤に光重合開始剤を混入することにより、光照射による重合硬化時間ならびに光照射量を少なくすることができる。
このような光重合開始剤としては、ベンゾイン化合物、アセトフェノン化合物、アシルフォスフィンオキサイド化合物、チタノセン化合物、チオキサントン化合物、パーオキサイド化合物等の光開始剤、アミンやキノン等の光増感剤などが挙げられ、具体的には、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノンなどが例示できる。
【0033】
光重合開始剤の使用量は、粘着剤の合計100重量部に対して、好ましくは0.05〜15重量部、さらに好ましくは0.1〜10重量部、特に好ましくは0.5〜5重量部である。
上記のようなアクリル系エネルギー線硬化型粘着剤は、エネルギー線照射前にはウエハに対して充分な接着力を有し、エネルギー線照射後には接着力が著しく減少する。すなわち、エネルギー線照射前には、粘着シートとウエハとを充分な接着力で密着させ表面保護を可能にし、エネルギー線照射後には、研削されたウエハから容易に剥離することができる。
【0034】
このような本発明の粘着シートにおける粘着剤層の厚みは、好ましくは5〜100μm、さらに好ましくは10〜70μm、特に好ましくは15〜50μmである。
本発明に係る粘着シートは、主として上記基材および粘着剤層とからなるが、必要に応じ、本発明の目的を損なわない範囲で、他の構成層を含んでいてもよい。たとえば、基材と粘着剤層との間に中間層を設けてもよく、また基材を多層構造としてもよい。
【0035】
本発明の粘着シートは、基材上に、上記粘着剤をロールコーター、ナイフコーター、グラビアコーター、ダイコーター、リバースコーターなど一般に公知の方法にしたがって適宜の厚さで塗工して乾燥させて粘着剤層を形成し、次いで必要に応じ粘着剤層上に離型シートを貼り合わせることによって得られる。
本発明の粘着シートは、各種物品の表面保護、精密加工時の一時的な固定用に用いられる。
【0036】
表面保護シートとして用いる場合には、特に、上記粘着シートを被着体の表面に表面保護シートとして貼付し、該被着体表面の保護を行ないつつ、その裏面加工を行い、加工された裏面に熱圧着性シートを貼付する工程を含むプロセスに好ましく用いられる。
ここで、被着体としては、表面に回路が形成された半導体ウエハが特に好適であり、またその裏面加工としては、半導体ウエハの裏面研削が特に好適である。この場合、裏面加工された被着体の裏面に貼付される熱圧着性シートとしては、ダイボンディング用シートが好ましく用いられる。
【0037】
すなわち、本発明の粘着シートは、半導体ウエハの裏面研削時の回路面保護シートとして好ましく用いられ、具体的には、上記粘着シートを、表面に回路が形成された半導体ウエハの表面に表面保護シートとして貼付し、該半導体ウエハ回路面の保護を行ないつつ、その裏面研削を行い、研削された裏面にダイボンディング用シートを熱圧着する工程を含むプロセスに好ましく用いられる。
【0038】
裏面研削後の半導体ウエハの厚みは、特に限定はされないが、好ましくは1〜300μm、特に好ましくは10〜100μm程度である。
ダイボンディング用シートは、組み込まれる半導体デバイスの信頼性を向上させるために、使用する温度領域で物性や寸法の変化が小さくなるように設計される。熱可塑性ポリイミド樹脂のようなダイボンディング用シートは、高温で接着可能となる性質にして、半導体デバイスの使用温度領域での物性等の変化を小さくしている。
【0039】
このような耐熱性ダイボンディング用シートは、常温ではタックを有しないので、ウエハに接着する際には、熱圧着を行う。熱圧着温度は、ダイボンディング用シートの種類により様々であるが、一般的には、100〜200℃程度になる。従来の表面保護シートを用いたのでは、熱圧着時の加熱により収縮するとともに収縮時の応力が発生し、研削され強度が低下したウエハに変形(反り)が発生する虞があったが、上述した本発明の粘着シートを用いた場合は、ダイボンディング用シートの熱圧着時の収縮応力が小さく、ウエハの反りを最小限に抑えることができる。
【0040】
収縮率が大きくても加熱時の収縮応力が小さい基材は、加熱時には収縮応力が小さいため、テーブル等に固定されたウエハに抑制されて寸法変化が起きず、冷却されるとそのままの寸法で固定される。このため、ウエハと粘着シートとの間に寸法差が出ず、ウエハが反らなくなると考えられる。
逆に、収縮率の小さな基材を使用した粘着シートであっても、基材の加熱時の収縮応力が大きい場合は、ウエハの抑制を超えて変形を起こし、そのまま冷却されて固定されてしまうため、ウエハが反ると考えられる。
【0041】
このような製造工程を経たウエハは、表面保護シートを剥離され、続くダイシング工程において、ダイボンディング用シートとともに切断され、チップ裏面にチップと同形状のダイボンディング用接着剤層を形成する。次いで、半導体チップを、ダイボンディング用接着剤層を介して所定の基台上にマウントすることで、半導体装置が得られる。
【0042】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、裏面研削時および研削終了後には、ウエハを充分に支持することができ、かつダイボンディング用シートの熱圧着時においては収縮せずに、ウエハの変形を最小限に抑えることができる表面保護シートとして好適に用いられる粘着シートおよびその使用方法が提供される。
【0043】
【実施例】
以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
なお、以下の実施例および比較例において、各物性の評価は次のようにして行った。
「収縮率および収縮応力」
TMA装置(マック・サイエンス社製TMA4000S)を用いて一定応力測定することにより収縮率を測定し、定長応力測定により収縮応力を測定することで評価した。
【0044】
具体的には、幅4.5mm長さ15mmのサンプルをセットし、一定応力(0.1g=0.98mN)あるいは一定長(15mm)を維持しながら常温(23℃)より20℃/分にて180℃まで昇温し1分間同温度にて保持した後、空冷にて常温まで冷却する。一定応力を加えた状態での空冷後のサンプルの縮み量を測定し、元の長さ(15mm)に対する縮み量の割合を収縮率とした。また、15mm長を維持したまま空冷させたとき測定される応力を収縮応力とした。
「剛軟度」
JIS L1086に記載の45°カンチレバー法に準拠して測定した。
「ガラス転移温度(Tg)」
動的粘弾性の tanδの極大値が観察される温度をガラス転移温度(Tg)とした。tanδは、動的粘弾性測定装置により11Hzの引張応力で測定される。具体的には、基材を所定のサイズにサンプリングして、オリエンテック社製Rheovibron DDV-II-EPを用いて周波数11Hzで−40℃〜150℃の範囲で tanδを測定し、tanδの極大値が観察される温度をガラス転移温度(Tg)とした。
「ウエハ反りの測定」
実施例および比較例で作成した粘着シートをシリコンウエハ(直径200mm、厚み750μm)に貼り付け、その後ディスコ社製DFD-840を用いてシリコンウエハの厚みが100μmになるように研削した。研削後のテープ付きウエハをホットプレート上で180℃1分間加熱し冷却後のウエハ反りを測定した。測定はJIS B7513に準拠した平面度1級の精密検査用の定盤上にテープ面を上にして載せ、定盤をゼロ地点として定盤からの高さを反り量とした。
【0045】
【実施例1】
重量平均分子量7000のウレタンアクリレート系オリゴマー(荒川化学社製、単独重合体のTg=+20℃)50重量部と、イソボルニルアクリレート(単独重合体のTg=94℃)50重量部と、光重合開始剤として1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン(イルガキュア184、チバ・スペシャリティー・ケミカルズ社製)2.0重量部と、フタロシアニン系顔料0.2重量部とを配合してエネルギー線硬化型樹脂組成物を得た。
【0046】
得られた樹脂組成物を、ファウンテンダイ方式により、キャスト用工程シートであるポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(東レ社製:厚み38μm)の上に厚みが210μmとなるように塗工して樹脂組成物層を形成した。塗工直後に、高圧水銀ランプを用いて樹脂組成物層を半硬化させた後、樹脂組成物層の上にさらに同じPETフィルムをラミネートし、その後、高圧水銀ランプにて樹脂組成物層を架橋・硬化させて、厚さ210μm、ガラス転移温度53℃の基材を得た。この基材の熱収縮率、熱収縮応力、剛軟度およびガラス転移温度を上記の方法で測定した。結果を表1に示す。
【0047】
この基材の片面に、さらにアクリル系粘着剤(2‐エチルヘキシルアクリレート、ヒドロキシエチルアクリレートの共重合体でヒドロキシエチルアクリレートの水酸基の80%にIEM(イソシアナートエチルメタクリレート)を付加したもの)100重量部と硬化剤(トルイレンジイソシアナートとトリメチロールプロパンとの付加物)1重量部と光重合開始剤(イルガキュア184、チバ・スペシャリティー・ケミカルズ社製)3.75重量部とを混合した粘着剤組成物を塗布乾燥し、厚さ20μmの粘着剤層を形成し、粘着シートを得た。
【0048】
得られた粘着シートを上記方法にてシリコンウエハに貼り付け、研削後ウエハ反りを測定した。結果を表1に示す。
【0049】
【比較例1】
基材として、厚さ188μmのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムを用いた以外は実施例1と同様の評価を行った。結果を表1に示す。
【0050】
【比較例2】
基材として、厚さ50μmのポリエチレンナフタレート(PEN)フィルムを用いた以外は実施例1と同様の評価を行った。結果を表1に示す。
【0051】
【表1】

Figure 0004519409
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a pressure-sensitive adhesive sheet, and more particularly to a pressure-sensitive adhesive sheet that is adhered to the front surface and is preferably used as a surface protective sheet for protecting the surface when processing a back surface of a semiconductor wafer or the like.
[0002]
[Prior art]
In recent years, IC cards have been widely used, and further reduction in thickness has been desired. For this reason, it is necessary to reduce the thickness of a semiconductor chip, which has conventionally been about 350 μm, to a thickness of 50 to 100 μm or less. In addition, increasing the diameter of the wafer has been studied in order to improve productivity.
[0003]
Grinding the back surface of a wafer after forming a circuit pattern has been conventionally performed. At that time, a surface protection sheet is attached to the circuit surface to protect the circuit surface and fix the wafer, and then perform back surface grinding. Thereafter, the semiconductor device is manufactured through various processes.
A die bonding sheet may be thermocompression bonded to the ground surface after back grinding. The die bonding sheet is cut together with the wafer to form a die bonding adhesive layer having the same shape as the chip on the back surface of the chip. As a sheet for die bonding, an adhesive type is also known, but in recent years, high heat resistance is required for semiconductor devices, whereas an adhesive type die bonding that softens and fluidizes at high temperatures. Sheet cannot achieve sufficient heat resistance.
[0004]
For this reason, use of the sheet | seat for die bonding which has high heat resistance, such as a polyimide type and an epoxy type, is examined. Such a heat-resistant die bonding sheet does not have a tack at room temperature, and therefore, when bonded to the wafer, thermocompression bonding is performed.
The surface protection sheet used when such a high temperature treatment is involved is considered to use a film having a heat resistance such as a polyethylene naphthalate film and having a low thermal shrinkage at a high temperature as a base material. (For example, Patent Document 1). However, when a surface protection sheet based on a polyethylene naphthalate film is actually used, the wafer warpage caused by the shrinkage of the surface protection sheet after grinding the wafer to a very thin thickness and thermocompression bonding the die bonding sheet. Was not fully resolved. For this reason, the subsequent transfer process becomes difficult, and the wafer may be damaged.
[0005]
In addition, if the wafer is ground to an extremely thin thickness, the wafer itself loses its self-supporting property and may be damaged even by its own weight. Therefore, a method has been adopted in which a support function is given to the surface protection sheet to be adhered to the wafer, self-supporting property is obtained by a laminated structure of the wafer and the surface protection sheet, and damage to the wafer is suppressed. However, in the conventionally provided surface protection sheet having self-supporting property, the wafer after the thermobonding of the die bonding sheet has caused a very large warp.
[0006]
[Patent Document 1]
JP 2002-246345 A
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
The present invention has been made in view of the prior art as described above, and can sufficiently support the wafer at the time of back surface grinding and after grinding, and at the time of thermocompression bonding of the die bonding sheet. It is an object of the present invention to provide an adhesive sheet that can be suitably used as a surface protective sheet that can minimize deformation of a wafer without shrinking.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
The pressure-sensitive adhesive sheet according to the present invention comprises a substrate and a pressure-sensitive adhesive layer formed thereon,
As the substrate, the substrate was heated from 23 ° C. to 180 ° C., held at 180 ° C. for 1 minute and then cooled to 23 ° C., and the shrinkage stress measured was 5.0 × 10 5. Five N / m 2 The following base materials are used.
[0009]
It is preferable that the base material constituting the pressure-sensitive adhesive sheet of the present invention further satisfies the following characteristics.
The product of the thickness of the base material and the shrinkage stress is 120 N / m or less.
The bending resistance (based on JIS L1086) of the base material is 50 to 150 mm.
The pressure-sensitive adhesive sheet of the present invention is preferably used as a surface protective sheet. Specifically, the pressure-sensitive adhesive sheet is applied to the surface of an adherend as a surface protective sheet to protect the surface of the adherend while the back surface thereof is protected. It is preferably used in a process including a step of processing and attaching a thermocompression-bonding sheet to the processed back surface.
[0010]
In particular, the pressure-sensitive adhesive sheet of the present invention is preferably used as a circuit surface protection sheet when grinding a back surface of a semiconductor wafer. Specifically, the pressure-sensitive adhesive sheet is used as a surface protection sheet on the surface of a semiconductor wafer on which a circuit is formed. It is preferably used in a process including a step of grinding the back surface of the semiconductor wafer while protecting the circuit surface of the semiconductor wafer, and thermocompression bonding a die bonding sheet to the ground back surface.
[0011]
According to the present invention as described above, the wafer can be sufficiently supported at the time of back surface grinding and after the grinding, and the deformation of the wafer is minimized without contracting at the time of thermocompression bonding of the die bonding sheet. A pressure-sensitive adhesive sheet that can be suitably used as a surface protective sheet and a method for using the same are provided.
[0012]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described more specifically.
The pressure-sensitive adhesive sheet according to the present invention comprises a base material and a pressure-sensitive adhesive layer.
The present invention is characterized in that a substrate having excellent heat resistance and a small shrinkage stress during heating is used as the substrate.
[0013]
Therefore, as a base material, the shrinkage stress during heating is 5.0 × 10 Five N / m 2 Below, preferably 4.0 × 10 Five N / m 2 Or less, more preferably 3.0 × 10 Five N / m 2 Below, particularly preferably 2.5 × 10 Five N / m 2 The following base materials are used.
The shrinkage stress of the substrate is evaluated by constant length stress measurement using a TMA (Thermal Mechanical Analysis) apparatus. Further, the shrinkage rate can be evaluated by performing a constant stress measurement using the same measuring apparatus.
[0014]
In the base material constituting the pressure-sensitive adhesive sheet of the present invention, the product of the thickness of the base material and the shrinkage stress is preferably 120 N / m or less, more preferably 100 N / m or less, and particularly preferably 80 N / m or less. desirable.
Further, the bending resistance (based on the 45 ° cantilever method described in JIS L1086) of the substrate is preferably 50 to 150 mm. The pressure-sensitive adhesive sheet of the present invention is excellent in sticking suitability if the bending resistance of the substrate is in the above range, and can sufficiently support even an extremely thin wafer during back surface grinding and after grinding. it can.
[0015]
The synthetic resin constituting the substrate is not particularly limited as long as the above physical properties are satisfied, and may be a film obtained by curing and forming a curable resin, or may be a film obtained by forming a thermoplastic resin. .
As the curable resin, an energy beam curable resin, a thermosetting resin, or the like is used, and an energy beam curable resin is preferably used.
[0016]
As the energy ray curable resin, for example, a resin composition mainly composed of a photopolymerizable urethane acrylate oligomer or a polyene / thiol resin is preferably used.
The urethane acrylate oligomer includes a polyol compound such as a polyester type or a polyether type and a polyvalent isocyanate compound such as 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, and 1,3-xylylene diisocyanate. 1, 4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane 4,4-diisocyanate, and the like, a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting with an acrylate or methacrylate having a hydroxyl group such as 2-hydroxyethyl acrylate or 2-hydroxy Ethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, polyethylene glycol acrylate, polyethylene glycol methacrylate, etc. Obtained by. Such a urethane acrylate oligomer has a photopolymerizable double bond in the molecule and is polymerized and cured by light irradiation to form a film.
[0017]
The molecular weight of the urethane acrylate oligomer preferably used in the present invention is in the range of 1000 to 50000, more preferably 2000 to 30000. The above urethane acrylate oligomers can be used alone or in combination of two or more.
Various urethane acrylate oligomers are commercially available. In the present invention, such urethane acrylate oligomers are appropriately selected according to the intended physical properties, and used in combination with other monomers or oligomers as necessary.
[0018]
In general, with urethane acrylate oligomers alone, desired physical properties cannot be obtained, and film formation is often difficult. Usually, after diluting with a photopolymerizable monomer to form a film, this is cured. A substrate is obtained. The photopolymerizable monomer has a photopolymerizable double bond in the molecule, and in the present invention, an acrylic ester compound having a relatively bulky group is preferably used.
[0019]
Specific examples of photopolymerizable monomers used for diluting such urethane acrylate oligomers are listed below.
Cycloaliphatic compounds such as isobornyl (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, dicyclopentenyloxy (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, adamantane (meth) acrylate,
Aromatic compounds such as phenylhydroxypropyl acrylate, benzyl acrylate, phenol ethylene oxide modified acrylate, or
Heterocyclic compounds such as tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, morpholine acrylate, N-vinylpyrrolidone or N-vinylcaprolactam.
[0020]
Moreover, you may use polyfunctional (meth) acrylate as needed.
The photopolymerizable monomer is used in an amount of preferably 5 to 900 parts by weight, more preferably 10 to 500 parts by weight, and particularly preferably 30 to 200 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the urethane acrylate oligomer.
When the substrate is formed from an energy ray curable resin, the polymerization curing time and the amount of light irradiation by light irradiation can be reduced by mixing a photopolymerization initiator in the resin.
[0021]
Examples of such photopolymerization initiators include photoinitiators such as benzoin compounds, acetophenone compounds, acylphosphine oxide compounds, titanocene compounds, thioxanthone compounds, and peroxide compounds, and photosensitizers such as amines and quinones. Specifically, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyl diphenyl sulfide, tetramethyl thiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, dibenzyl, diacetyl, β- Examples include crawl anthraquinone. The amount used is preferably 0.05 to 15 parts by weight, more preferably 0.1 to 10 parts by weight, and particularly preferably 0.5 to 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the total resin.
[0022]
The curable resin as described above can be selected from various combinations of oligomers or monomers so as to have the above-described physical property values.
Further, various additives may be added to the above-described resin as necessary. Examples of such additives include inorganic fillers such as calcium carbonate, silica and mica, and metal fillers such as iron and lead. Furthermore, in addition to the above components, the substrate may contain additives such as colorants such as pigments and dyes.
[0023]
The thickness of the base material of the pressure-sensitive adhesive sheet of the present invention is preferably 50 to 1000 μm, more preferably 80 to 500 μm, and particularly preferably 100 to 400 μm.
As a film forming method, a liquid resin (resin before curing, resin solution, etc.) is cast into a thin film on a process sheet, for example, and then a substrate can be produced by forming the film by a predetermined means. . According to such a manufacturing method, the stress applied to the resin during film formation is small, and the formation of fish eyes is small. Moreover, the uniformity of the film thickness is also high, and the thickness accuracy is usually within 2%.
[0024]
As another film forming method, the substrate can also be manufactured by extrusion molding by a T-die or an inflation method or a calendar method.
Further, the upper surface of the substrate, that is, the surface on which the pressure-sensitive adhesive layer is provided may be subjected to corona treatment or other layers such as a primer in order to improve the adhesion to the pressure-sensitive adhesive.
[0025]
As a general tendency, the base material obtained by the above method can control the shrinkage stress and the bending resistance by controlling the glass transition temperature (Tg). That is, when the resin constituting the substrate is a resin of the same series, a composition having a high glass transition temperature (Tg) increases the shrinkage stress and increases the rigidity (the value of the bending resistance increases). On the other hand, when the composition has a low glass transition temperature (Tg), the shrinkage stress becomes small and the rigidity becomes weak (the value of the bending resistance becomes small).
[0026]
Therefore, the resin component and additive which comprise a base material can be selected suitably, a glass transition temperature (Tg) can be controlled, and the base material used by this invention can be obtained.
In the case of the substrate made of the energy ray curable resin described above, the glass transition temperature (Tg) is preferably 30 to 250 ° C, more preferably 40 to 200 ° C, and particularly preferably 50 to 150 ° C. A urethane acrylate oligomer and a photopolymerizable monomer are appropriately selected so as to have a proper value.
[0027]
The pressure-sensitive adhesive layer can be formed of various conventionally known pressure-sensitive pressure-sensitive adhesives. Such an adhesive is not limited at all, but an adhesive such as rubber-based, acrylic-based, silicone-based, or polyvinyl ether is used. In addition, an energy ray curable adhesive, a heat-foaming adhesive, or a water swelling adhesive can be used.
As the energy ray curable (energy ray curable, ultraviolet ray curable, electron beam curable) pressure-sensitive adhesive, it is particularly preferable to use an ultraviolet ray curable pressure-sensitive adhesive. Moreover, as a water swelling type adhesive, what is described, for example in Japanese Patent Publication No. 5-77284, Japanese Patent Publication No. 6-101455, etc. is used preferably.
[0028]
The energy beam curable pressure-sensitive adhesive generally comprises an acrylic pressure-sensitive adhesive and an energy beam polymerizable compound as main components.
Examples of the energy ray-polymerizable compound used in the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive can be three-dimensionally reticulated by light irradiation as disclosed in, for example, JP-A-60-196956 and JP-A-60-223139. Low molecular weight compounds having at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule are widely used. Specifically, trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol Tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate or 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol Diacrylates, such as the commercially available oligoester acrylates are used.
[0029]
In addition to the acrylate compounds as described above, urethane acrylate oligomers can also be used as the energy beam polymerizable compound. The urethane acrylate oligomer includes a polyol compound such as a polyester type or a polyether type and a polyvalent isocyanate compound such as 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, and 1,3-xylylene diisocyanate. 1, 4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane 4,4-diisocyanate, and the like, a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting with an acrylate or methacrylate having a hydroxyl group such as 2-hydroxyethyl acrylate or 2-hydroxy Ethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, polyethylene glycol acrylate, polyethylene glycol methacrylate, etc. Obtained by.
[0030]
The blending ratio of the acrylic pressure-sensitive adhesive and the energy beam polymerizable compound in the energy ray curable pressure sensitive adhesive is 50 to 200 parts by weight, preferably 50 to 50 parts by weight of the energy ray polymerizable compound with respect to 100 parts by weight of the acrylic pressure sensitive adhesive. It is desirable to use in an amount in the range of 150 parts by weight, particularly preferably 70 to 120 parts by weight. In this case, the obtained pressure-sensitive adhesive sheet has a large initial adhesive strength, and the pressure-sensitive adhesive strength greatly decreases after irradiation with energy rays. Therefore, peeling at the interface between the wafer and the energy ray curable pressure-sensitive adhesive layer after the back surface grinding is facilitated.
[0031]
The energy beam curable pressure-sensitive adhesive may be formed of an energy beam curable copolymer having an energy beam polymerizable group in the side chain. Such an energy beam curable copolymer has the property of having both adhesiveness and energy beam curable properties. Details of the energy beam curable copolymer having an energy beam polymerizable group in the side chain are described in, for example, JP-A Nos. 5-32946 and 8-27239.
[0032]
By mixing a photopolymerization initiator in the energy ray curable pressure-sensitive adhesive, it is possible to reduce the polymerization curing time and light irradiation amount by light irradiation.
Examples of such photopolymerization initiators include photoinitiators such as benzoin compounds, acetophenone compounds, acylphosphine oxide compounds, titanocene compounds, thioxanthone compounds, and peroxide compounds, and photosensitizers such as amines and quinones. Specifically, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyl diphenyl sulfide, tetramethyl thiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, dibenzyl, diacetyl, β- Examples include crawl anthraquinone.
[0033]
The amount of the photopolymerization initiator used is preferably 0.05 to 15 parts by weight, more preferably 0.1 to 10 parts by weight, particularly preferably 0.5 to 5 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total pressure-sensitive adhesive. Part.
The acrylic energy ray-curable pressure-sensitive adhesive as described above has a sufficient adhesive force to the wafer before the energy ray irradiation, and the adhesive force significantly decreases after the energy ray irradiation. That is, the adhesive sheet and the wafer are brought into close contact with each other with a sufficient adhesive force before the irradiation with the energy beam, and the surface can be protected. After the irradiation with the energy beam, it can be easily peeled off from the ground wafer.
[0034]
The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer in the pressure-sensitive adhesive sheet of the present invention is preferably 5 to 100 μm, more preferably 10 to 70 μm, and particularly preferably 15 to 50 μm.
The pressure-sensitive adhesive sheet according to the present invention mainly comprises the base material and the pressure-sensitive adhesive layer, but may contain other constituent layers as long as the object of the present invention is not impaired. For example, an intermediate layer may be provided between the base material and the pressure-sensitive adhesive layer, and the base material may have a multilayer structure.
[0035]
The pressure-sensitive adhesive sheet of the present invention is coated on the substrate with the above-mentioned pressure-sensitive adhesive by applying an appropriate thickness according to a generally known method such as a roll coater, knife coater, gravure coater, die coater, reverse coater, etc. It is obtained by forming an agent layer and then sticking a release sheet on the adhesive layer as necessary.
The pressure-sensitive adhesive sheet of the present invention is used for surface protection of various articles and for temporary fixing during precision processing.
[0036]
When used as a surface protection sheet, in particular, the pressure-sensitive adhesive sheet is affixed to the surface of the adherend as a surface protection sheet, and while the surface of the adherend is protected, the back surface is processed, and the processed back surface is applied. It is preferably used in a process including a step of attaching a thermocompression bonding sheet.
Here, as the adherend, a semiconductor wafer having a circuit formed on the surface is particularly suitable, and as the back surface processing, back surface grinding of the semiconductor wafer is particularly suitable. In this case, a die bonding sheet is preferably used as the thermocompression-bonding sheet to be attached to the back surface of the adherend subjected to the back surface processing.
[0037]
That is, the pressure-sensitive adhesive sheet of the present invention is preferably used as a circuit surface protection sheet during back grinding of a semiconductor wafer. Specifically, the pressure-sensitive adhesive sheet is used as a surface protection sheet on the surface of a semiconductor wafer on which a circuit is formed. It is preferably used in a process including a step of performing back surface grinding while protecting the circuit surface of the semiconductor wafer and thermally bonding a die bonding sheet to the ground back surface.
[0038]
The thickness of the semiconductor wafer after back grinding is not particularly limited, but is preferably 1 to 300 μm, particularly preferably about 10 to 100 μm.
In order to improve the reliability of the semiconductor device to be incorporated, the die bonding sheet is designed so that changes in physical properties and dimensions are small in the temperature range to be used. A sheet for die bonding such as a thermoplastic polyimide resin has such a property that it can be bonded at a high temperature, and changes in physical properties and the like in the operating temperature range of the semiconductor device are reduced.
[0039]
Such a heat-resistant die bonding sheet does not have a tack at room temperature, and therefore, when bonded to the wafer, thermocompression bonding is performed. The thermocompression bonding temperature varies depending on the type of the die bonding sheet, but is generally about 100 to 200 ° C. When a conventional surface protection sheet is used, there is a possibility that deformation (warping) may occur in a wafer that is shrunk due to heating during thermocompression bonding and stress at the time of shrinkage and is ground and reduced in strength. When the pressure-sensitive adhesive sheet of the present invention is used, the shrinkage stress during thermocompression bonding of the die bonding sheet is small, and the warpage of the wafer can be minimized.
[0040]
Even if the shrinkage rate is large, the base material that has a small shrinkage stress during heating has a small shrinkage stress during heating.Therefore, there is no dimensional change caused by a wafer fixed to a table or the like. Fixed. For this reason, it is considered that there is no dimensional difference between the wafer and the adhesive sheet, and the wafer does not warp.
On the other hand, even a pressure-sensitive adhesive sheet using a base material having a small shrinkage rate, if the shrinkage stress during heating of the base material is large, it causes deformation beyond the suppression of the wafer, and is cooled and fixed as it is. Therefore, it is considered that the wafer is warped.
[0041]
The wafer that has undergone such a manufacturing process is peeled off from the surface protection sheet and then cut together with the die bonding sheet in a subsequent dicing process to form a die bonding adhesive layer having the same shape as the chip on the back surface of the chip. Next, the semiconductor device is obtained by mounting the semiconductor chip on a predetermined base via a die bonding adhesive layer.
[0042]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the wafer can be sufficiently supported at the time of back surface grinding and after the grinding, and the wafer is deformed without contracting at the time of thermocompression bonding of the die bonding sheet. A pressure-sensitive adhesive sheet that can be suitably used as a surface protective sheet capable of minimizing the above and a method for using the same are provided.
[0043]
【Example】
EXAMPLES The present invention will be described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
In the following examples and comparative examples, each physical property was evaluated as follows.
"Shrinkage rate and shrinkage stress"
The shrinkage rate was measured by measuring a constant stress using a TMA apparatus (TMA4000S manufactured by Mac Science), and the shrinkage stress was measured by measuring a constant length stress.
[0044]
Specifically, a sample with a width of 4.5 mm and a length of 15 mm is set, and 180 ° C. at 20 ° C./min from room temperature (23 ° C.) while maintaining a constant stress (0.1 g = 0.98 mN) or a constant length (15 mm). The temperature is raised to 1 minute and held at the same temperature for 1 minute, and then cooled to room temperature by air cooling. The amount of shrinkage of the sample after air cooling in a state where a constant stress was applied was measured, and the ratio of the amount of shrinkage to the original length (15 mm) was taken as the shrinkage rate. The stress measured when air-cooled while maintaining a length of 15 mm was taken as the shrinkage stress.
"Bending softness"
Measurement was performed according to the 45 ° cantilever method described in JIS L1086.
`` Glass transition temperature (Tg) ''
The temperature at which the maximum value of tan δ of dynamic viscoelasticity was observed was taken as the glass transition temperature (Tg). tan δ is measured by a dynamic viscoelasticity measuring apparatus with a tensile stress of 11 Hz. Specifically, the base material is sampled to a predetermined size, tan δ is measured in the range of −40 ° C. to 150 ° C. at a frequency of 11 Hz using Rheovibron DDV-II-EP manufactured by Orientec, and the maximum value of tan δ Was the glass transition temperature (Tg).
"Measurement of wafer warpage"
The pressure-sensitive adhesive sheets prepared in Examples and Comparative Examples were attached to a silicon wafer (diameter 200 mm, thickness 750 μm), and then ground using a DFD-840 manufactured by Disco Corporation so that the thickness of the silicon wafer was 100 μm. The ground wafer with tape was heated on a hot plate at 180 ° C. for 1 minute, and the warpage of the wafer after cooling was measured. The measurement was carried on a surface plate for precision inspection with a flatness of 1st grade conforming to JIS B7513 with the tape surface facing up, and the height from the surface plate was taken as the amount of warpage with the surface plate as the zero point.
[0045]
[Example 1]
50 parts by weight of urethane acrylate oligomer having a weight average molecular weight of 7000 (Arakawa Chemical Co., Ltd., Tg of homopolymer = + 20 ° C.), 50 parts by weight of isobornyl acrylate (Tg of homopolymer = 94 ° C.), photopolymerization As an initiator, 2.0 parts by weight of 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone (Irgacure 184, manufactured by Ciba Specialty Chemicals) and 0.2 parts by weight of a phthalocyanine pigment are blended to prepare an energy ray curable resin composition. Obtained.
[0046]
The obtained resin composition is coated on a polyethylene terephthalate (PET) film (manufactured by Toray Industries, Inc .: 38 μm thick) by a fountain die method so as to have a thickness of 210 μm. A layer was formed. Immediately after coating, after semi-curing the resin composition layer using a high-pressure mercury lamp, the same PET film is further laminated on the resin composition layer, and then the resin composition layer is crosslinked using a high-pressure mercury lamp. Cured to obtain a substrate having a thickness of 210 μm and a glass transition temperature of 53 ° C. The heat shrinkage rate, heat shrinkage stress, bending resistance and glass transition temperature of this substrate were measured by the above methods. The results are shown in Table 1.
[0047]
100 parts by weight of acrylic adhesive (copolymer of 2-ethylhexyl acrylate and hydroxyethyl acrylate with IEM (isocyanatoethyl methacrylate) added to 80% of hydroxyl groups of hydroxyethyl acrylate) on one side of this substrate Composition comprising 1 part by weight of an aldehyde and a curing agent (adduct of toluylene diisocyanate and trimethylolpropane) and 3.75 parts by weight of a photopolymerization initiator (Irgacure 184, manufactured by Ciba Specialty Chemicals) The product was applied and dried to form a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 20 μm to obtain a pressure-sensitive adhesive sheet.
[0048]
The obtained adhesive sheet was attached to a silicon wafer by the above method, and the wafer warpage was measured after grinding. The results are shown in Table 1.
[0049]
[Comparative Example 1]
The same evaluation as in Example 1 was performed except that a polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of 188 μm was used as the substrate. The results are shown in Table 1.
[0050]
[Comparative Example 2]
The same evaluation as in Example 1 was performed except that a polyethylene naphthalate (PEN) film having a thickness of 50 μm was used as the substrate. The results are shown in Table 1.
[0051]
[Table 1]
Figure 0004519409

Claims (6)

基材と、その上に形成された粘着剤層とからなる粘着シートであって、
基材として、TMA(Thermal Mechanical Analysis)装置を用いて、該基材を23℃から180℃に20℃/分にて加熱し、180℃で1分間保持した後23℃に空冷にて冷却した際に測定される収縮応力が5.0×105N/m2以下であり、ガラス転移温度(Tg)が30〜250℃であり、かつエネルギー線硬化性樹脂よりなる基材を用いたことを特徴とする粘着シート。
A pressure-sensitive adhesive sheet comprising a base material and a pressure-sensitive adhesive layer formed thereon,
Using a TMA (Thermal Mechanical Analysis) apparatus as a substrate, the substrate was heated from 23 ° C. to 180 ° C. at 20 ° C./min, held at 180 ° C. for 1 minute, and then cooled to 23 ° C. by air cooling. A base material made of an energy ray-curable resin having a shrinkage stress of 5.0 × 10 5 N / m 2 or less, a glass transition temperature (Tg) of 30 to 250 ° C. A pressure-sensitive adhesive sheet characterized by
前記基材の厚さと収縮応力との積が、120N/m以下であることを特徴とする請求項1に記載の粘着シート。  2. The pressure-sensitive adhesive sheet according to claim 1, wherein the product of the thickness of the substrate and the shrinkage stress is 120 N / m or less. 前記基材の剛軟度(JIS L1086準拠)が50〜150mmである請求項1または2に記載の粘着シート。  The pressure-sensitive adhesive sheet according to claim 1 or 2, wherein the base material has a bending resistance (based on JIS L1086) of 50 to 150 mm. 前記基材が、前記エネルギー線硬化性樹脂を製膜、硬化したものであって、液状の前記エネルギー線硬化性樹脂を工程シート上にキャストした後、エネルギー線照射によりフィルム化して得られた基材であることを特徴とする請求項1〜3の何れか一項に記載の粘着シート。The base material is obtained by forming and curing the energy ray curable resin, and after the liquid energy ray curable resin is cast on a process sheet, it is formed into a film by irradiation with energy rays. It is a material, The adhesive sheet as described in any one of Claims 1-3 characterized by the above-mentioned. 請求項1〜4の何れか一項に記載の粘着シートを被着体の表面に表面保護シートとして貼付し、該被着体表面の保護を行ないつつ、その裏面加工を行い、加工された裏面に熱圧着性シートを貼付する工程を含むことを特徴とする粘着シートの使用方法。The pressure-sensitive adhesive sheet according to any one of claims 1 to 4 is attached to the surface of the adherend as a surface protection sheet, and the back surface is processed while protecting the surface of the adherend, and the processed back surface A method for using a pressure-sensitive adhesive sheet, comprising a step of attaching a thermocompression-bondable sheet to a sheet. 請求項1〜4の何れか一項に記載の粘着シートを、表面に回路が形成された半導体ウエハの表面に表面保護シートとして貼付し、該半導体ウエハ回路面の保護を行ないつつ、その裏面研削を行い、研削された裏面にダイボンディング用シートを熱圧着する工程を含むことを特徴とする半導体ウエハの加工方法。The pressure-sensitive adhesive sheet according to any one of claims 1 to 4 is affixed as a surface protective sheet on the surface of a semiconductor wafer having a circuit formed on the surface, and the semiconductor wafer circuit surface is protected while the back surface is ground. And a step of thermocompression bonding a die bonding sheet to the ground back surface.
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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4677758B2 (en) 2004-10-14 2011-04-27 日立化成工業株式会社 Die-bonded dicing sheet, method for manufacturing the same, and method for manufacturing a semiconductor device
CN101490732B (en) 2006-07-14 2013-05-01 索尼化学&信息部件株式会社 Resin composition and display apparatus
JP2008239974A (en) * 2007-02-28 2008-10-09 Nippon Paper Chemicals Co Ltd Method for forming ultraviolet curing type adhesive layer transfer sheet and shading pattern
KR101702248B1 (en) * 2007-04-03 2017-02-03 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 Method for manufacturing image display
JP5298605B2 (en) * 2007-04-03 2013-09-25 デクセリアルズ株式会社 Manufacturing method of image display device
CN103399424B (en) * 2007-04-04 2017-04-26 迪睿合电子材料有限公司 Method for manufacturing image display
JP5401824B2 (en) 2007-04-09 2014-01-29 デクセリアルズ株式会社 Image display device
KR101498309B1 (en) * 2007-04-09 2015-03-03 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 image display device
JP2009186957A (en) 2007-04-09 2009-08-20 Sony Chemical & Information Device Corp Resin composition and display device
JP5470735B2 (en) 2007-04-10 2014-04-16 デクセリアルズ株式会社 Manufacturing method of image display device
JP5343391B2 (en) 2007-07-17 2013-11-13 デクセリアルズ株式会社 Resin composition and image display device
EP2180367B1 (en) 2007-07-17 2018-08-29 Dexerials Corporation Image display device
JP5367996B2 (en) * 2008-03-21 2013-12-11 リンテック株式会社 Adhesive sheet base film and adhesive sheet
CN102015937B (en) * 2008-04-21 2014-11-12 Lg化学株式会社 Pressure-sensitive adhesive film and back-grinding method using the same
TWI507501B (en) * 2009-06-15 2015-11-11 Lg Chemical Ltd Sheet for processing wafer
KR101127152B1 (en) 2009-06-15 2012-03-20 주식회사 엘지화학 Substrate used for processing wafer
KR101682720B1 (en) * 2010-07-16 2016-12-06 주식회사 엘지화학 Semiconductor wafer processing method
JP5998730B2 (en) 2011-09-16 2016-09-28 日立化成株式会社 Adhesive film and method for producing adhesive film
JP5997478B2 (en) * 2012-03-30 2016-09-28 リンテック株式会社 Surface protection sheet
CN104271694B (en) * 2012-05-14 2017-03-22 琳得科株式会社 Sheet having adhesive resin layer attached thereto, and method for producing semiconductor device
TWI582208B (en) * 2012-10-19 2017-05-11 Lintec Corp Manufacturing method for adhesive sheet for electronic component processing and semiconductor device
WO2016170593A1 (en) * 2015-04-21 2016-10-27 株式会社寺岡製作所 Adhesive sheet
TWI805704B (en) * 2018-03-09 2023-06-21 日商琳得科股份有限公司 Composite sheet for forming protective film and method for manufacturing semiconductor chip with protective film
JP2018115331A (en) * 2018-03-20 2018-07-26 リンテック株式会社 Pressure-sensitive adhesive tape and production method of semiconductor device
JP7355568B2 (en) * 2019-09-17 2023-10-03 株式会社ディスコ Wafer processing method

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002246345A (en) * 2000-12-12 2002-08-30 Mitsui Chemicals Inc Semiconductor wafer protecting method, and adhesive film for protecting the semiconductor wafer surface used for the protection method
JP2003138228A (en) * 2001-11-02 2003-05-14 Nitto Denko Corp Pressure-sensitive adhesive sheet for protecting semiconductor wafer
JP2003147300A (en) * 2001-11-12 2003-05-21 Lintec Corp Surface protecting sheet in grinding wafer rear and method for producing semiconductor chip
JP2003176464A (en) * 2001-12-12 2003-06-24 Toyo Chem Co Ltd Protecting sheet for semiconductor wafer
JP2003249471A (en) * 2002-02-22 2003-09-05 Nitto Denko Corp Protection sheet for semiconductor wafer processing
JP2004214309A (en) * 2002-12-27 2004-07-29 Mitsui Chemicals Inc Method for manufacturing semiconductor wafer

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002246345A (en) * 2000-12-12 2002-08-30 Mitsui Chemicals Inc Semiconductor wafer protecting method, and adhesive film for protecting the semiconductor wafer surface used for the protection method
JP2003138228A (en) * 2001-11-02 2003-05-14 Nitto Denko Corp Pressure-sensitive adhesive sheet for protecting semiconductor wafer
JP2003147300A (en) * 2001-11-12 2003-05-21 Lintec Corp Surface protecting sheet in grinding wafer rear and method for producing semiconductor chip
JP2003176464A (en) * 2001-12-12 2003-06-24 Toyo Chem Co Ltd Protecting sheet for semiconductor wafer
JP2003249471A (en) * 2002-02-22 2003-09-05 Nitto Denko Corp Protection sheet for semiconductor wafer processing
JP2004214309A (en) * 2002-12-27 2004-07-29 Mitsui Chemicals Inc Method for manufacturing semiconductor wafer

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