JP2004256595A - Adhesive sheet and method for using the same - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、粘着シートに関し、さらに詳しくは半導体ウエハ等の裏面加工時に、表面に貼着され、表面を保護するための表面保護シートとして好ましく使用される粘着シートに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＩＣカードの普及が進み、さらなる薄型化が望まれている。このため、従来は厚さが３５０μｍ程度であった半導体チップを、厚さ５０〜１００μｍあるいはそれ以下まで薄くする必要が生じている。また、生産性を向上するためウエハの大口径化が検討されてきた。
【０００３】
回路パターン形成後にウエハ裏面を研削することは従来より行われており、その際、回路面に表面保護シートを貼付して、回路面の保護およびウエハの固定を行い、裏面研削を行っている。その後、各種の工程を経て、半導体装置が製造されることになる。
裏面研削後に研削面にダイボンディング用シートを熱圧着する場合がある。ダイボンディング用シートは、ウエハとともに切断され、チップ裏面にチップと同形状のダイボンディング用接着剤層を形成する。ダイボンディング用シートとしては、粘着剤タイプのものも知られているが、近年、半導体装置には高い耐熱性が求められているのに対し、高温において軟化、流動化する粘着剤タイプのダイボンディング用シートは十分な耐熱性を達成することはできない。
【０００４】
このため、ポリイミド系、エポキシ系などの高い耐熱性を有するダイボンディング用シートの使用が検討されている。このような耐熱性ダイボンディング用シートは、常温ではタックを有しないので、ウエハに接着する際には、熱圧着を行う。
このような高温処理を伴う場合に用いられる表面保護シートは、基材として、例えばポリエチレンナフタレートフィルムのような耐熱性を有し、高温下での熱収縮率の小さいフィルムを用いることが検討されている（たとえば特許文献１）。しかし、実際にポリエチレンナフタレートフィルムを基材とした表面保護シートを用いた場合、ウエハを極薄に研削し、ダイボンディング用シートを熱圧着した後に、表面保護シートの収縮によって発生するウエハの反りは、十分に解消されていなかった。このため、その後の搬送工程が困難になり、ウエハが破損してしまう場合があった。
【０００５】
また、ウエハを極薄に研削するとウエハ自身に自己支持性がなくなり、自重でさえ破損する可能性がでてくる。そのため、ウエハに貼着する表面保護シートに支持機能を与え、ウエハと表面保護シートの積層構造で自己支持性が得られ、ウエハの破損を抑えるようにする方法が採られている。しかしながら、従来提供されている自己支持性を有する表面保護シートでは、ダイボンディング用シートを熱圧着した後のウエハは極めて大きな反りを起こしていた。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００２−２４６３４５号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記のような従来技術に鑑みてなされたものであって、裏面研削時および研削終了後には、ウエハを充分に支持することができ、かつダイボンディング用シートの熱圧着時においては収縮せずに、ウエハの変形を最小限に抑えることができる表面保護シートとして好適に用いられる粘着シートを提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る粘着シートは、基材と、その上に形成された粘着剤層とからなり、
基材として、該基材を２３℃から１８０℃に加熱し、１８０℃で１分間保持した後２３℃に冷却した際に測定される収縮応力が５．０×１０５Ｎ／ｍ２以下の基材を用いたことを特徴としている。
【０００９】
本発明の粘着シートを構成する基材は、さらに下記の特性を充足することが好ましい。
前記基材の厚さと収縮応力との積が、１２０Ｎ／ｍ以下であること。
前記基材の剛軟度（ＪＩＳ Ｌ１０８６準拠）が５０〜１５０ｍｍであること。
本発明の粘着シートは、表面保護シートとして好ましく用いられ、具体的には、上記粘着シートを被着体の表面に表面保護シートとして貼付し、該被着体表面の保護を行ないつつ、その裏面加工を行い、加工された裏面に熱圧着性シートを貼付する工程を含むプロセスに好ましく用いられる。
【００１０】
特に、本発明の粘着シートは、半導体ウエハの裏面研削時の回路面保護シートとして好ましく用いられ、具体的には、上記粘着シートを、表面に回路が形成された半導体ウエハの表面に表面保護シートとして貼付し、該半導体ウエハ回路面の保護を行ないつつ、その裏面研削を行い、研削された裏面にダイボンディング用シートを熱圧着する工程を含むプロセスに好ましく用いられる。
【００１１】
このような本発明によれば、裏面研削時および研削終了後には、ウエハを充分に支持することができ、かつダイボンディング用シートの熱圧着時においては収縮せずに、ウエハの変形を最小限に抑えることができる表面保護シートとして好適に用いられる粘着シートおよびその使用方法が提供される。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明についてさらに具体的に説明する。
本発明に係る粘着シートは、基材および粘着剤層からなる。
本発明においては、特に基材として、耐熱性に優れ、また加熱時の収縮応力の小さな基材を用いたことを特徴としている。
【００１３】
したがって、基材としては、加熱時の収縮応力が５．０×１０５Ｎ／ｍ２以下、好ましくは４．０×１０５Ｎ／ｍ２以下、さらに好ましくは３．０×１０５Ｎ／ｍ２以下、特に好ましくは２．５×１０５Ｎ／ｍ２以下の基材が用いられる。
基材の収縮応力は、ＴＭＡ（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ）装置を用いて定長応力測定により評価される。また、同じ測定装置を用いて一定応力測定を行なうことにより収縮率が評価できる。
【００１４】
本発明の粘着シートを構成する基材は、基材の厚さと収縮応力との積が、好ましくは１２０Ｎ／ｍ以下、さらに好ましくは１００Ｎ／ｍ以下、特に好ましくは８０Ｎ／ｍ以下であることが望ましい。
また、前記基材の剛軟度（ＪＩＳ Ｌ１０８６に記載の４５°カンチレバー法に準拠）は、好ましくは５０〜１５０ｍｍであることが望ましい。本発明の粘着シートは、基材の剛軟度が上記範囲であれば、貼付適性に優れ、また裏面研削時および研削終了後には、極薄化したウエハであっても充分に支持することができる。
【００１５】
基材を構成する合成樹脂は、上記物性を充足する限り特に限定はされず、硬化性樹脂を製膜、硬化したものであってもよく、熱可塑性樹脂を製膜したものであっても良い。
硬化性樹脂としては、エネルギー線硬化型樹脂、熱硬化型樹脂等が用いられ、好ましくはエネルギー線硬化型樹脂が用いられる。
【００１６】
エネルギー線硬化型樹脂としては、たとえば、光重合性のウレタンアクリレート系オリゴマーを主剤とした樹脂組成物あるいは、ポリエン・チオール系樹脂等が好ましく用いられる。
ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物たとえば２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアナートなどを反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレートたとえば２−ヒドロキシエチルアクリレートまたは２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなどを反応させて得られる。このようなウレタンアクリレート系オリゴマーは、分子内に光重合性の二重結合を有し、光照射により重合硬化し、皮膜を形成する。
【００１７】
本発明で好ましく用いられるウレタンアクリレート系オリゴマーの分子量は、１０００〜５００００、さらに好ましくは２０００〜３００００の範囲にある。上記のウレタンアクリレート系オリゴマーは一種単独で、または二種以上を組み合わせて用いることができる。
このようなウレタンアクリレート系オリゴマーは種々市販されており、本発明では、目的とする物性に応じて適宜に選択され、必要に応じ、他のモノマーあるいはオリゴマー類と組み合わせて用いられる。
【００１８】
一般に、ウレタンアクリレート系オリゴマーのみでは、所望の物性が得られず、また製膜が困難な場合が多いため、通常は、光重合性のモノマーで稀釈して製膜した後、これを硬化して基材を得る。光重合性モノマーは、分子内に光重合性の二重結合を有し、特に本発明では、比較的嵩高い基を有するアクリルエステル系化合物が好ましく用いられる。
【００１９】
このようなウレタンアクリレート系オリゴマーを稀釈するために用いられる光重合性のモノマーの具体例を以下に列挙する。
イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシ（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、アダマンタン（メタ）アクリレートなどの脂環式化合物、
フェニルヒドロキシプロピルアクリレート、ベンジルアクリレート、フェノールエチレンオキシド変性アクリレートなどの芳香族化合物、もしくは
テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、モルホリンアクリレート、Ｎ−ビニルピロリドンまたはＮ−ビニルカプロラクタムなどの複素環式化合物。
【００２０】
また必要に応じて多官能（メタ）アクリレートを用いてもよい。
上記光重合性モノマーは、ウレタンアクリレート系オリゴマー１００重量部に対して、好ましくは５〜９００重量部、さらに好ましくは１０〜５００重量部、特に好ましくは３０〜２００重量部の割合で用いられる。
基材を、エネルギー線硬化型樹脂から形成する場合には、該樹脂に光重合開始剤を混入することにより、光照射による重合硬化時間ならびに光照射量を少なくすることができる。
【００２１】
このような光重合開始剤としては、ベンゾイン化合物、アセトフェノン化合物、アシルフォスフィンオキサイド化合物、チタノセン化合物、チオキサントン化合物、パーオキサイド化合物等の光開始剤、アミンやキノン等の光増感剤などが挙げられ、具体的には、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノンなどが例示できる。その使用量は、樹脂の合計１００重量部に対して、好ましくは０．０５〜１５重量部、さらに好ましくは０．１〜１０重量部、特に好ましくは０．５〜５重量部である。
【００２２】
上記のような硬化性樹脂は、オリゴマーまたはモノマーを前述の物性値となるよう種々の組合せの配合より選択することができる。
また、上述の樹脂中に 必要に応じ種々の添加物を添加してもよい。このような添加物としては、炭酸カルシウム、シリカ、雲母などの無機フィラー、鉄、鉛等の金属フィラーが挙げられる。さらに、上記成分の他にも、基材には顔料や染料等の着色剤等の添加物が含有されていてもよい。
【００２３】
本発明の粘着シートの基材の厚さは、好ましくは５０〜１０００μｍ、さらに好ましくは８０〜５００μｍ、特に好ましくは１００〜４００μｍであることが望ましい。
製膜方法としては、液状の樹脂（硬化前の樹脂、樹脂の溶液等）を、たとえば工程シート上に薄膜状にキャストした後に、これを所定の手段によりフィルム化することで基材を製造できる。このような製法によれば、製膜時に樹脂にかかる応力が少なく、フィッシュアイの形成が少ない。また、膜厚の均一性も高く、厚み精度は、通常２％以内になる。
【００２４】
別の製膜方法として、Ｔダイやインフレーション法による押出成形やカレンダー法により基材を製造することもできる。
さらに上記基材の上面、すなわち粘着剤層が設けられる側の面には粘着剤との密着性を向上するために、コロナ処理を施したりプライマー等の他の層を設けてもよい。
【００２５】
上記のような方法で得られた基材は、一般的な傾向として、ガラス転移温度（Ｔｇ）を制御することによりその収縮応力と剛軟度を制御することが可能となる。すなわち、基材を構成する樹脂が同系列の樹脂である場合には、ガラス転移温度（Ｔｇ）が高い組成では収縮応力が大きくなり、剛性が強くなる（剛軟度の値が大きくなる）。逆に、ガラス転移温度（Ｔｇ）を低い組成とすると収縮応力が小さくなり、剛性は弱くなる（剛軟度の値は小さくなる）。
【００２６】
したがって、基材を構成する樹脂成分や添加剤を適宜選択し、ガラス転移温度（Ｔｇ）を制御し、本発明で用いる基材を得ることができる。
前述したエネルギー線硬化性樹脂よりなる基材の場合は、ガラス転移温度（Ｔｇ）は、好ましくは３０〜２５０℃、さらに好ましくは４０〜２００℃、特に好ましくは５０〜１５０℃であり、このような値になるようにウレタンアクリレートオリゴマーや光重合性モノマーが適宜選択される。
【００２７】
粘着剤層は、従来より公知の種々の感圧性粘着剤により形成され得る。このような粘着剤としては、何ら限定されるものではないが、たとえばゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル等の粘着剤が用いられる。また、エネルギー線硬化型や加熱発泡型、水膨潤型の粘着剤も用いることができる。
エネルギー線硬化（エネルギー線硬化、紫外線硬化、電子線硬化）型粘着剤としては、特に紫外線硬化型粘着剤を用いることが好ましい。また、水膨潤型粘着剤としては、たとえば特公平５−７７２８４号公報、特公平６−１０１４５５号公報等に記載のものが好ましく用いられる。
【００２８】
エネルギー線硬化型粘着剤は、一般的には、アクリル系粘着剤と、エネルギー線重合性化合物とを主成分としてなる。
エネルギー線硬化型粘着剤に用いられるエネルギー線重合性化合物としては、たとえば特開昭６０−１９６９５６号公報および特開昭６０−２２３１３９号公報に開示されているような光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上有する低分子量化合物が広く用いられ、具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートあるいは１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレートなどが用いられる。
【００２９】
さらにエネルギー線重合性化合物として、上記のようなアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリレート系オリゴマーを用いることもできる。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物たとえば２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアナートなどを反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレートたとえば２−ヒドロキシエチルアクリレートまたは２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなどを反応させて得られる。
【００３０】
エネルギー線硬化型粘着剤中のアクリル系粘着剤とエネルギー線重合性化合物との配合比は、アクリル系粘着剤１００重量部に対してエネルギー線重合性化合物は５０〜２００重量部、好ましくは５０〜１５０重量部、特に好ましくは７０〜１２０重量部の範囲の量で用いられることが望ましい。この場合には、得られる粘着シートは初期の接着力が大きく、しかもエネルギー線照射後には粘着力は大きく低下する。したがって、裏面研削終了後におけるウエハとエネルギー線硬化型粘着剤層との界面での剥離が容易になる。
【００３１】
また、エネルギー線硬化型粘着剤は、側鎖にエネルギー線重合性基を有するエネルギー線硬化型共重合体から形成されていてもよい。このようなエネルギー線硬化型共重合体は、粘着性とエネルギー線硬化性とを兼ね備える性質を有する。側鎖にエネルギー線重合性基を有するエネルギー線硬化型共重合体は、たとえば、特開平５−３２９４６号公報、特開平８−２７２３９号公報等にその詳細が記載されている。
【００３２】
エネルギー線硬化型粘着剤に光重合開始剤を混入することにより、光照射による重合硬化時間ならびに光照射量を少なくすることができる。
このような光重合開始剤としては、ベンゾイン化合物、アセトフェノン化合物、アシルフォスフィンオキサイド化合物、チタノセン化合物、チオキサントン化合物、パーオキサイド化合物等の光開始剤、アミンやキノン等の光増感剤などが挙げられ、具体的には、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノンなどが例示できる。
【００３３】
光重合開始剤の使用量は、粘着剤の合計１００重量部に対して、好ましくは０．０５〜１５重量部、さらに好ましくは０．１〜１０重量部、特に好ましくは０．５〜５重量部である。
上記のようなアクリル系エネルギー線硬化型粘着剤は、エネルギー線照射前にはウエハに対して充分な接着力を有し、エネルギー線照射後には接着力が著しく減少する。すなわち、エネルギー線照射前には、粘着シートとウエハとを充分な接着力で密着させ表面保護を可能にし、エネルギー線照射後には、研削されたウエハから容易に剥離することができる。
【００３４】
このような本発明の粘着シートにおける粘着剤層の厚みは、好ましくは５〜１００μｍ、さらに好ましくは１０〜７０μｍ、特に好ましくは１５〜５０μｍである。
本発明に係る粘着シートは、主として上記基材および粘着剤層とからなるが、必要に応じ、本発明の目的を損なわない範囲で、他の構成層を含んでいてもよい。たとえば、基材と粘着剤層との間に中間層を設けてもよく、また基材を多層構造としてもよい。
【００３５】
本発明の粘着シートは、基材上に、上記粘着剤をロールコーター、ナイフコーター、グラビアコーター、ダイコーター、リバースコーターなど一般に公知の方法にしたがって適宜の厚さで塗工して乾燥させて粘着剤層を形成し、次いで必要に応じ粘着剤層上に離型シートを貼り合わせることによって得られる。
本発明の粘着シートは、各種物品の表面保護、精密加工時の一時的な固定用に用いられる。
【００３６】
表面保護シートとして用いる場合には、特に、上記粘着シートを被着体の表面に表面保護シートとして貼付し、該被着体表面の保護を行ないつつ、その裏面加工を行い、加工された裏面に熱圧着性シートを貼付する工程を含むプロセスに好ましく用いられる。
ここで、被着体としては、表面に回路が形成された半導体ウエハが特に好適であり、またその裏面加工としては、半導体ウエハの裏面研削が特に好適である。この場合、裏面加工された被着体の裏面に貼付される熱圧着性シートとしては、ダイボンディング用シートが好ましく用いられる。
【００３７】
すなわち、本発明の粘着シートは、半導体ウエハの裏面研削時の回路面保護シートとして好ましく用いられ、具体的には、上記粘着シートを、表面に回路が形成された半導体ウエハの表面に表面保護シートとして貼付し、該半導体ウエハ回路面の保護を行ないつつ、その裏面研削を行い、研削された裏面にダイボンディング用シートを熱圧着する工程を含むプロセスに好ましく用いられる。
【００３８】
裏面研削後の半導体ウエハの厚みは、特に限定はされないが、好ましくは１〜３００μｍ、特に好ましくは１０〜１００μｍ程度である。
ダイボンディング用シートは、組み込まれる半導体デバイスの信頼性を向上させるために、使用する温度領域で物性や寸法の変化が小さくなるように設計される。熱可塑性ポリイミド樹脂のようなダイボンディング用シートは、高温で接着可能となる性質にして、半導体デバイスの使用温度領域での物性等の変化を小さくしている。
【００３９】
このような耐熱性ダイボンディング用シートは、常温ではタックを有しないので、ウエハに接着する際には、熱圧着を行う。熱圧着温度は、ダイボンディング用シートの種類により様々であるが、一般的には、１００〜２００℃程度になる。従来の表面保護シートを用いたのでは、熱圧着時の加熱により収縮するとともに収縮時の応力が発生し、研削され強度が低下したウエハに変形（反り）が発生する虞があったが、上述した本発明の粘着シートを用いた場合は、ダイボンディング用シートの熱圧着時の収縮応力が小さく、ウエハの反りを最小限に抑えることができる。
【００４０】
収縮率が大きくても加熱時の収縮応力が小さい基材は、加熱時には収縮応力が小さいため、テーブル等に固定されたウエハに抑制されて寸法変化が起きず、冷却されるとそのままの寸法で固定される。このため、ウエハと粘着シートとの間に寸法差が出ず、ウエハが反らなくなると考えられる。
逆に、収縮率の小さな基材を使用した粘着シートであっても、基材の加熱時の収縮応力が大きい場合は、ウエハの抑制を超えて変形を起こし、そのまま冷却されて固定されてしまうため、ウエハが反ると考えられる。
【００４１】
このような製造工程を経たウエハは、表面保護シートを剥離され、続くダイシング工程において、ダイボンディング用シートとともに切断され、チップ裏面にチップと同形状のダイボンディング用接着剤層を形成する。次いで、半導体チップを、ダイボンディング用接着剤層を介して所定の基台上にマウントすることで、半導体装置が得られる。
【００４２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、裏面研削時および研削終了後には、ウエハを充分に支持することができ、かつダイボンディング用シートの熱圧着時においては収縮せずに、ウエハの変形を最小限に抑えることができる表面保護シートとして好適に用いられる粘着シートおよびその使用方法が提供される。
【００４３】
【実施例】
以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
なお、以下の実施例および比較例において、各物性の評価は次のようにして行った。
「収縮率および収縮応力」
ＴＭＡ装置（マック・サイエンス社製ＴＭＡ４０００Ｓ）を用いて一定応力測定することにより収縮率を測定し、定長応力測定により収縮応力を測定することで評価した。
【００４４】
具体的には、幅４．５ｍｍ長さ１５ｍｍのサンプルをセットし、一定応力（０．１ｇ＝０．９８ｍＮ）あるいは一定長（１５ｍｍ）を維持しながら常温（２３℃）より２０℃／分にて１８０℃まで昇温し１分間同温度にて保持した後、空冷にて常温まで冷却する。一定応力を加えた状態での空冷後のサンプルの縮み量を測定し、元の長さ（１５ｍｍ）に対する縮み量の割合を収縮率とした。また、１５ｍｍ長を維持したまま空冷させたとき測定される応力を収縮応力とした。
「剛軟度」
ＪＩＳ Ｌ１０８６に記載の４５°カンチレバー法に準拠して測定した。
「ガラス転移温度（Ｔｇ）」
動的粘弾性の ｔａｎδの極大値が観察される温度をガラス転移温度（Ｔｇ）とした。ｔａｎδは、動的粘弾性測定装置により１１Ｈｚの引張応力で測定される。具体的には、基材を所定のサイズにサンプリングして、オリエンテック社製Ｒｈｅｏｖｉｂｒｏｎ ＤＤＶ−ＩＩ−ＥＰを用いて周波数１１Ｈｚで−４０℃〜１５０℃の範囲で ｔａｎδを測定し、ｔａｎδの極大値が観察される温度をガラス転移温度（Ｔｇ）とした。
「ウエハ反りの測定」
実施例および比較例で作成した粘着シートをシリコンウエハ（直径２００ｍｍ、厚み７５０μｍ）に貼り付け、その後ディスコ社製ＤＦＤ−８４０を用いてシリコンウエハの厚みが１００μｍになるように研削した。研削後のテープ付きウエハをホットプレート上で１８０℃１分間加熱し冷却後のウエハ反りを測定した。測定はＪＩＳ Ｂ７５１３に準拠した平面度１級の精密検査用の定盤上にテープ面を上にして載せ、定盤をゼロ地点として定盤からの高さを反り量とした。
【００４５】
【実施例１】
重量平均分子量７０００のウレタンアクリレート系オリゴマー（荒川化学社製、単独重合体のＴｇ＝＋２０℃）５０重量部と、イソボルニルアクリレート（単独重合体のＴｇ＝９４℃）５０重量部と、光重合開始剤として１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（イルガキュア１８４、チバ・スペシャリティー・ケミカルズ社製）２．０重量部と、フタロシアニン系顔料０．２重量部とを配合してエネルギー線硬化型樹脂組成物を得た。
【００４６】
得られた樹脂組成物を、ファウンテンダイ方式により、キャスト用工程シートであるポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（東レ社製：厚み３８μｍ）の上に厚みが２１０μｍとなるように塗工して樹脂組成物層を形成した。塗工直後に、高圧水銀ランプを用いて樹脂組成物層を半硬化させた後、樹脂組成物層の上にさらに同じＰＥＴフィルムをラミネートし、その後、高圧水銀ランプにて樹脂組成物層を架橋・硬化させて、厚さ２１０μｍ、ガラス転移温度５３℃の基材を得た。この基材の熱収縮率、熱収縮応力、剛軟度およびガラス転移温度を上記の方法で測定した。結果を表１に示す。
【００４７】
この基材の片面に、さらにアクリル系粘着剤（２‐エチルヘキシルアクリレート、ヒドロキシエチルアクリレートの共重合体でヒドロキシエチルアクリレートの水酸基の８０％にＩＥＭ（イソシアナートエチルメタクリレート）を付加したもの）１００重量部と硬化剤（トルイレンジイソシアナートとトリメチロールプロパンとの付加物）１重量部と光重合開始剤（イルガキュア１８４、チバ・スペシャリティー・ケミカルズ社製）３．７５重量部とを混合した粘着剤組成物を塗布乾燥し、厚さ２０μｍの粘着剤層を形成し、粘着シートを得た。
【００４８】
得られた粘着シートを上記方法にてシリコンウエハに貼り付け、研削後ウエハ反りを測定した。結果を表１に示す。
【００４９】
【比較例１】
基材として、厚さ１８８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用いた以外は実施例１と同様の評価を行った。結果を表１に示す。
【００５０】
【比較例２】
基材として、厚さ５０μｍのポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルムを用いた以外は実施例１と同様の評価を行った。結果を表１に示す。
【００５１】
【表１】
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a pressure-sensitive adhesive sheet, and more particularly, to a pressure-sensitive adhesive sheet which is adhered to a front surface when a back surface of a semiconductor wafer or the like is processed and is preferably used as a surface protection sheet for protecting the front surface.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art In recent years, the spread of IC cards has progressed, and further reduction in thickness is desired. For this reason, it has become necessary to reduce the thickness of the semiconductor chip, which was conventionally about 350 μm, to 50 to 100 μm or less. In addition, increasing the diameter of a wafer has been studied to improve productivity.
[0003]
Grinding the back surface of a wafer after forming a circuit pattern has conventionally been performed. At this time, a surface protection sheet is attached to the circuit surface to protect the circuit surface and fix the wafer, and the back surface is ground. After that, the semiconductor device is manufactured through various processes.
In some cases, a die bonding sheet is thermocompression-bonded to the ground surface after the back surface grinding. The die bonding sheet is cut together with the wafer, and a die bonding adhesive layer having the same shape as the chip is formed on the back surface of the chip. An adhesive type sheet is also known as a die bonding sheet. In recent years, semiconductor devices have been required to have high heat resistance. Sheet cannot achieve sufficient heat resistance.
[0004]
For this reason, use of a die-bonding sheet having high heat resistance, such as a polyimide-based or epoxy-based sheet, has been studied. Such a heat-resistant die-bonding sheet does not have a tack at room temperature, and therefore, when bonding to a wafer, thermocompression bonding is performed.
The surface protection sheet used in cases involving such high-temperature treatment has a heat resistance such as, for example, a polyethylene naphthalate film as a substrate, and the use of a film having a small heat shrinkage rate at a high temperature has been studied. (For example, Patent Document 1). However, when a surface protection sheet based on a polyethylene naphthalate film is actually used, the wafer is extremely thinly ground, and a sheet for die bonding is thermocompressed. Was not fully resolved. For this reason, the subsequent transfer step becomes difficult, and the wafer may be damaged.
[0005]
In addition, when the wafer is ground to an extremely thin thickness, the wafer itself loses its self-supporting property, and even its own weight may be damaged. For this reason, a method has been adopted in which a support function is given to the surface protection sheet to be attached to the wafer, self-supporting properties are obtained by the laminated structure of the wafer and the surface protection sheet, and damage to the wafer is suppressed. However, with the conventionally provided surface protective sheet having self-supporting properties, the wafer after the die bonding sheet has been thermocompression-bonded has been extremely warped.
[0006]
[Patent Document 1]
JP-A-2002-246345
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
The present invention has been made in view of the prior art as described above, and at the time of back surface grinding and after the completion of grinding, it is possible to sufficiently support a wafer, and at the time of thermocompression bonding of a die bonding sheet. An object of the present invention is to provide a pressure-sensitive adhesive sheet suitably used as a surface protection sheet capable of minimizing deformation of a wafer without shrinking.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
The pressure-sensitive adhesive sheet according to the present invention comprises a base material and a pressure-sensitive adhesive layer formed thereon,
As a substrate, the substrate was heated from 23 ° C. to 180 ° C., held at 180 ° C. for 1 minute, and then cooled to 23 ° C. to have a shrinkage stress of 5.0 × 10 5 N / m 2 It is characterized by using the following base materials.
[0009]
The base material constituting the pressure-sensitive adhesive sheet of the present invention preferably further satisfies the following characteristics.
The product of the thickness of the substrate and the shrinkage stress is 120 N / m or less.
The rigidity (based on JIS L1086) of the base material is 50 to 150 mm.
The pressure-sensitive adhesive sheet of the present invention is preferably used as a surface protection sheet. Specifically, the pressure-sensitive adhesive sheet is adhered to a surface of an adherend as a surface protection sheet, and the back surface thereof is protected while protecting the surface of the adherend. It is preferably used in a process including a step of performing processing and attaching a thermocompression-bondable sheet to the processed back surface.
[0010]
In particular, the pressure-sensitive adhesive sheet of the present invention is preferably used as a circuit surface protection sheet at the time of grinding the back surface of a semiconductor wafer. Specifically, the pressure-sensitive adhesive sheet is applied to the surface of a semiconductor wafer having a circuit formed on the surface. It is preferably used in a process including a step of performing backside grinding while protecting the circuit surface of the semiconductor wafer and performing thermocompression bonding of a die bonding sheet to the ground backside.
[0011]
According to the present invention, the wafer can be sufficiently supported at the time of grinding the back surface and after the grinding, and does not shrink at the time of thermocompression bonding of the die bonding sheet. The present invention provides a pressure-sensitive adhesive sheet suitably used as a surface protective sheet which can be suppressed to a minimum, and a method of using the same.
[0012]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described more specifically.
The pressure-sensitive adhesive sheet according to the present invention includes a substrate and a pressure-sensitive adhesive layer.
The present invention is characterized in that a substrate having excellent heat resistance and a small shrinkage stress upon heating is used as a substrate.
[0013]
Therefore, as a substrate, the shrinkage stress upon heating is 5.0 × 10 5 N / m 2 Or less, preferably 4.0 × 10 5 N / m 2 Hereinafter, more preferably 3.0 × 10 5 N / m 2 Below, particularly preferably 2.5 × 10 5 N / m 2 The following substrates are used.
The shrinkage stress of the substrate is evaluated by constant length stress measurement using a TMA (Thermal Mechanical Analysis) apparatus. The shrinkage can be evaluated by performing a constant stress measurement using the same measuring device.
[0014]
The product of the thickness of the substrate and the shrinkage stress of the substrate constituting the pressure-sensitive adhesive sheet of the present invention is preferably 120 N / m or less, more preferably 100 N / m or less, and particularly preferably 80 N / m or less. desirable.
The rigidity (based on the 45 ° cantilever method described in JIS L1086) of the substrate is preferably 50 to 150 mm. The pressure-sensitive adhesive sheet of the present invention is excellent in sticking suitability when the rigidity of the base material is in the above range, and can sufficiently support an extremely thin wafer even when grinding the back surface and after finishing the grinding. it can.
[0015]
The synthetic resin constituting the base material is not particularly limited as long as it satisfies the physical properties described above, and may be a cured resin formed into a film, a cured resin, or a thermoplastic resin formed into a film. .
As the curable resin, an energy ray-curable resin, a thermosetting resin, or the like is used, and preferably, an energy ray-curable resin is used.
[0016]
As the energy ray-curable resin, for example, a resin composition containing a photopolymerizable urethane acrylate oligomer as a main component or a polyene / thiol resin is preferably used.
The urethane acrylate oligomer includes a polyol compound such as a polyester type or a polyether type, and a polyvalent isocyanate compound such as 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, and 1,3-xylylene diisocyanate. Acrylate or methacrylate having a hydroxyl group, such as 2-hydroxyethyl acrylate or 2-hydroxy, is added to a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting a 1,4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane 4,4-diisocyanate, or the like. Ethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, polyethylene glycol acrylate, polyethylene glycol methacrylate Obtained by. Such a urethane acrylate oligomer has a photopolymerizable double bond in the molecule, and is polymerized and cured by irradiation with light to form a film.
[0017]
The molecular weight of the urethane acrylate oligomer preferably used in the present invention is in the range of 1,000 to 50,000, more preferably 2,000 to 30,000. The above urethane acrylate oligomers can be used alone or in combination of two or more.
Various such urethane acrylate oligomers are commercially available, and in the present invention, are appropriately selected depending on the desired physical properties, and are used in combination with other monomers or oligomers as necessary.
[0018]
In general, the urethane acrylate-based oligomer alone does not provide desired physical properties, and in many cases, film formation is difficult.Therefore, usually, after diluting with a photopolymerizable monomer to form a film, the film is cured. Obtain a substrate. The photopolymerizable monomer has a photopolymerizable double bond in the molecule, and in particular, in the present invention, an acrylic ester compound having a relatively bulky group is preferably used.
[0019]
Specific examples of the photopolymerizable monomer used for diluting such a urethane acrylate oligomer are listed below.
Alicyclic compounds such as isobornyl (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, dicyclopentenyloxy (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, and adamantane (meth) acrylate;
Aromatic compounds such as phenylhydroxypropyl acrylate, benzyl acrylate, phenol ethylene oxide modified acrylate, or
Heterocyclic compounds such as tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, morpholine acrylate, N-vinylpyrrolidone or N-vinylcaprolactam.
[0020]
Moreover, you may use a polyfunctional (meth) acrylate as needed.
The photopolymerizable monomer is used in an amount of preferably 5 to 900 parts by weight, more preferably 10 to 500 parts by weight, particularly preferably 30 to 200 parts by weight, based on 100 parts by weight of the urethane acrylate oligomer.
When the substrate is formed from an energy ray-curable resin, by mixing a photopolymerization initiator into the resin, the polymerization curing time by light irradiation and the amount of light irradiation can be reduced.
[0021]
Examples of such a photopolymerization initiator include photoinitiators such as benzoin compounds, acetophenone compounds, acylphosphine oxide compounds, titanocene compounds, thioxanthone compounds, peroxide compounds, and photosensitizers such as amines and quinones. Specifically, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyl diphenyl sulfide, tetramethyl thiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, dibenzyl, diacetyl, β- Chloranthraquinone can be exemplified. The amount used is preferably from 0.05 to 15 parts by weight, more preferably from 0.1 to 10 parts by weight, particularly preferably from 0.5 to 5 parts by weight, based on 100 parts by weight of the resin in total.
[0022]
The curable resin as described above can be selected from various combinations of oligomers or monomers so as to have the above-mentioned physical properties.
Further, various additives may be added to the above-mentioned resin as needed. Examples of such additives include inorganic fillers such as calcium carbonate, silica and mica, and metal fillers such as iron and lead. Further, in addition to the above components, the base material may contain additives such as coloring agents such as pigments and dyes.
[0023]
The thickness of the substrate of the pressure-sensitive adhesive sheet of the present invention is preferably 50 to 1000 μm, more preferably 80 to 500 μm, and particularly preferably 100 to 400 μm.
As a film forming method, a base material can be manufactured by casting a liquid resin (a resin before curing, a resin solution, or the like) into a thin film on a process sheet, for example, and forming the film by a predetermined means. . According to such a manufacturing method, the stress applied to the resin during film formation is small, and the formation of fish eyes is small. Further, the thickness uniformity is high, and the thickness accuracy is usually within 2%.
[0024]
As another film forming method, a base material can also be manufactured by extrusion molding by a T-die or an inflation method or by a calendar method.
Further, a corona treatment or another layer such as a primer may be provided on the upper surface of the base material, that is, on the surface on the side where the pressure-sensitive adhesive layer is provided, in order to improve the adhesion to the pressure-sensitive adhesive.
[0025]
As a general tendency, the base material obtained by the above method can control the shrinkage stress and the softness by controlling the glass transition temperature (Tg). That is, when the resin constituting the base material is a resin of the same series, the shrinkage stress increases and the rigidity increases (the value of the degree of softness increases) in a composition having a high glass transition temperature (Tg). Conversely, when the composition has a low glass transition temperature (Tg), the shrinkage stress becomes small and the rigidity becomes weak (the value of the softness becomes small).
[0026]
Therefore, the resin component and additives constituting the base material are appropriately selected, the glass transition temperature (Tg) is controlled, and the base material used in the present invention can be obtained.
In the case of a substrate made of the above-mentioned energy ray-curable resin, the glass transition temperature (Tg) is preferably 30 to 250 ° C, more preferably 40 to 200 ° C, and particularly preferably 50 to 150 ° C. The urethane acrylate oligomer and the photopolymerizable monomer are appropriately selected so as to obtain a suitable value.
[0027]
The pressure-sensitive adhesive layer can be formed of various conventionally known pressure-sensitive pressure-sensitive adhesives. Such an adhesive is not limited at all, and for example, an adhesive such as a rubber-based, acrylic-based, silicone-based, or polyvinyl ether is used. In addition, an energy-ray-curable, heat-foamable, or water-swellable pressure-sensitive adhesive can also be used.
As the energy ray-curable (energy beam-curable, ultraviolet ray-curable, electron beam-curable) type pressure-sensitive adhesive, it is particularly preferable to use an ultraviolet ray-curable pressure-sensitive adhesive. As the water-swellable pressure-sensitive adhesive, for example, those described in JP-B-5-77284 and JP-B-6-101455 are preferably used.
[0028]
The energy ray-curable pressure-sensitive adhesive generally comprises an acrylic pressure-sensitive adhesive and an energy ray-polymerizable compound as main components.
As the energy ray polymerizable compound used in the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, for example, a three-dimensional network can be formed by light irradiation as disclosed in JP-A-60-196965 and JP-A-60-223139. Low molecular weight compounds having at least two or more photopolymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule are widely used, specifically, trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethanetetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol Tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate or 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol Diacrylates, such as the commercially available oligoester acrylates are used.
[0029]
Further, as the energy ray polymerizable compound, a urethane acrylate oligomer can be used in addition to the acrylate compound as described above. The urethane acrylate oligomer includes a polyol compound such as a polyester type or a polyether type, and a polyvalent isocyanate compound such as 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, and 1,3-xylylene diisocyanate. Acrylate or methacrylate having a hydroxyl group, such as 2-hydroxyethyl acrylate or 2-hydroxy, is reacted with a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting 1,4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane 4,4-diisocyanate, or the like. Ethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, polyethylene glycol acrylate, polyethylene glycol methacrylate Obtained by.
[0030]
The mixing ratio of the acrylic pressure-sensitive adhesive and the energy ray-polymerizable compound in the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive is such that the energy ray-polymerizable compound is 50 to 200 parts by weight, preferably 50 to 200 parts by weight, per 100 parts by weight of the acrylic pressure-sensitive adhesive. It is desirable to use 150 parts by weight, particularly preferably in an amount in the range of 70 to 120 parts by weight. In this case, the resulting pressure-sensitive adhesive sheet has a large initial adhesive force, and the adhesive force is significantly reduced after irradiation with energy rays. Therefore, peeling at the interface between the wafer and the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive layer after the backside grinding is completed is facilitated.
[0031]
Further, the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive may be formed from an energy ray-curable copolymer having an energy ray-polymerizable group in a side chain. Such an energy ray-curable copolymer has the property of having both adhesiveness and energy ray-curability. The details of the energy ray-curable copolymer having an energy ray polymerizable group in the side chain are described in, for example, JP-A-5-32946 and JP-A-8-27239.
[0032]
By mixing the photopolymerization initiator into the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, the polymerization curing time by light irradiation and the amount of light irradiation can be reduced.
Examples of such a photopolymerization initiator include photoinitiators such as benzoin compounds, acetophenone compounds, acylphosphine oxide compounds, titanocene compounds, thioxanthone compounds, peroxide compounds, and photosensitizers such as amines and quinones. Specifically, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyl diphenyl sulfide, tetramethyl thiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, dibenzyl, diacetyl, β- Chloranthraquinone can be exemplified.
[0033]
The amount of the photopolymerization initiator used is preferably 0.05 to 15 parts by weight, more preferably 0.1 to 10 parts by weight, and particularly preferably 0.5 to 5 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total of the pressure-sensitive adhesive. Department.
The acrylic energy ray-curable pressure-sensitive adhesive as described above has a sufficient adhesive strength to the wafer before the energy ray irradiation, and the adhesive strength is significantly reduced after the energy ray irradiation. That is, before the energy beam irradiation, the pressure-sensitive adhesive sheet and the wafer are brought into close contact with a sufficient adhesive force to enable surface protection, and after the energy beam irradiation, the wafer can be easily separated from the ground wafer.
[0034]
The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer in such a pressure-sensitive adhesive sheet of the present invention is preferably 5 to 100 μm, more preferably 10 to 70 μm, and particularly preferably 15 to 50 μm.
The pressure-sensitive adhesive sheet according to the present invention is mainly composed of the above-described base material and pressure-sensitive adhesive layer, but may contain other constituent layers as needed, as long as the object of the present invention is not impaired. For example, an intermediate layer may be provided between the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer, or the substrate may have a multilayer structure.
[0035]
The pressure-sensitive adhesive sheet of the present invention is applied on a substrate by applying the pressure-sensitive adhesive at an appropriate thickness according to a generally known method such as a roll coater, a knife coater, a gravure coater, a die coater, and a reverse coater, and drying and applying the adhesive. It is obtained by forming an agent layer and then, if necessary, laminating a release sheet on the pressure-sensitive adhesive layer.
The pressure-sensitive adhesive sheet of the present invention is used for surface protection of various articles and for temporary fixing during precision processing.
[0036]
When used as a surface protection sheet, particularly, the pressure-sensitive adhesive sheet is adhered to the surface of the adherend as a surface protection sheet, and while the surface of the adherend is protected, the back surface is processed, and the processed back surface is applied. It is preferably used in a process including a step of attaching a thermocompression bonding sheet.
Here, as the adherend, a semiconductor wafer having a circuit formed on the front surface is particularly suitable, and as the back surface processing, back surface grinding of the semiconductor wafer is particularly suitable. In this case, a die bonding sheet is preferably used as the thermocompression bonding sheet attached to the back surface of the adherend whose back surface has been processed.
[0037]
That is, the pressure-sensitive adhesive sheet of the present invention is preferably used as a circuit surface protection sheet at the time of grinding the back surface of a semiconductor wafer. Specifically, the pressure-sensitive adhesive sheet is applied to the surface of a semiconductor wafer having a circuit formed on the surface. It is preferably used in a process including a step of performing backside grinding while protecting the circuit surface of the semiconductor wafer and performing thermocompression bonding of a die bonding sheet to the ground backside.
[0038]
The thickness of the semiconductor wafer after the back surface grinding is not particularly limited, but is preferably about 1 to 300 μm, particularly preferably about 10 to 100 μm.
The die bonding sheet is designed so that changes in physical properties and dimensions are small in a used temperature range in order to improve the reliability of a semiconductor device to be incorporated. A sheet for die bonding such as a thermoplastic polyimide resin has a property of being able to be bonded at a high temperature to reduce a change in physical properties and the like in a use temperature range of a semiconductor device.
[0039]
Such a heat-resistant die-bonding sheet does not have a tack at room temperature, and therefore, when bonding to a wafer, thermocompression bonding is performed. The thermocompression bonding temperature varies depending on the type of die bonding sheet, but is generally about 100 to 200 ° C. In the case of using the conventional surface protection sheet, there is a possibility that the wafer shrinks due to heating during thermocompression bonding and generates a stress at the time of shrinkage, thereby deforming (warping) the ground and reduced strength wafer. When the pressure-sensitive adhesive sheet of the present invention is used, the shrinkage stress at the time of thermocompression bonding of the die bonding sheet is small, and the warpage of the wafer can be minimized.
[0040]
Substrates that have a small shrinkage stress during heating even when the shrinkage is large have a small shrinkage stress during heating, so they are restrained by the wafer fixed to a table or the like and do not undergo dimensional changes. Fixed. Therefore, it is considered that there is no dimensional difference between the wafer and the adhesive sheet, and the wafer does not warp.
Conversely, even in the case of an adhesive sheet using a base material having a small shrinkage rate, if the shrinkage stress at the time of heating the base material is large, it deforms beyond the suppression of the wafer, and is cooled and fixed as it is. Therefore, it is considered that the wafer is warped.
[0041]
The wafer that has undergone such a manufacturing process is stripped of the surface protection sheet, and is cut together with the die bonding sheet in the subsequent dicing process to form a die bonding adhesive layer having the same shape as the chip on the back surface of the chip. Next, the semiconductor device is obtained by mounting the semiconductor chip on a predetermined base via an adhesive layer for die bonding.
[0042]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the wafer can be sufficiently supported at the time of grinding the back surface and after the grinding, and does not shrink at the time of thermocompression bonding of the die bonding sheet. The present invention provides a pressure-sensitive adhesive sheet suitably used as a surface protection sheet capable of minimizing a pressure-sensitive adhesive sheet and a method for using the same.
[0043]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be described with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
In the following Examples and Comparative Examples, each physical property was evaluated as follows.
"Shrinkage and shrinkage stress"
The shrinkage was measured by measuring the constant stress using a TMA device (TMA4000S manufactured by Mac Science), and the shrinkage stress was measured by measuring the constant-length stress.
[0044]
Specifically, a sample having a width of 4.5 mm and a length of 15 mm is set, and a constant stress (0.1 g = 0.98 mN) or a constant length (15 mm) is maintained and the temperature is increased from room temperature (23 ° C.) to 20 ° C./min. Then, the temperature is raised to 180 ° C. and maintained at the same temperature for 1 minute, and then cooled to room temperature by air cooling. The shrinkage of the sample after air cooling with a constant stress applied was measured, and the ratio of the shrinkage to the original length (15 mm) was defined as the shrinkage. The stress measured when air cooling was performed while maintaining the length of 15 mm was defined as shrinkage stress.
"Softness"
It was measured according to the 45 ° cantilever method described in JIS L1086.
"Glass transition temperature (Tg)"
The temperature at which the maximum value of the dynamic viscoelasticity tan δ was observed was defined as the glass transition temperature (Tg). tan δ is measured by a dynamic viscoelasticity measuring device at a tensile stress of 11 Hz. Specifically, the base material is sampled to a predetermined size, and tan δ is measured at a frequency of 11 Hz in a range of −40 ° C. to 150 ° C. using Rheovibron DDV-II-EP manufactured by Orientec, and the maximum value of tan δ is measured. Is the glass transition temperature (Tg).
"Measurement of wafer warpage"
The pressure-sensitive adhesive sheets prepared in Examples and Comparative Examples were attached to a silicon wafer (200 mm in diameter and 750 μm in thickness), and then ground using Disco DFD-840 so that the thickness of the silicon wafer became 100 μm. The ground wafer with the tape was heated at 180 ° C. for 1 minute on a hot plate, and the wafer warpage after cooling was measured. The measurement was carried out with the tape surface facing up on a surface plate for precision inspection of class 1 flatness conforming to JIS B7513, with the surface plate as a zero point and the height from the surface plate as the amount of warpage.
[0045]
Embodiment 1
50 parts by weight of a urethane acrylate oligomer having a weight average molecular weight of 7000 (Arakawa Chemical Co., Ltd., homopolymer Tg = + 20 ° C.), 50 parts by weight of isobornyl acrylate (homopolymer Tg = 94 ° C.), and photopolymerization As an initiator, 2.0 parts by weight of 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone (Irgacure 184, manufactured by Ciba Specialty Chemicals) and 0.2 part by weight of a phthalocyanine pigment are blended to form an energy ray-curable resin composition. Obtained.
[0046]
The obtained resin composition is applied by a fountain die method on a polyethylene terephthalate (PET) film (38 μm thick, manufactured by Toray Industries, Ltd.) as a casting process sheet so that the thickness becomes 210 μm. A layer was formed. Immediately after coating, after semi-curing the resin composition layer using a high-pressure mercury lamp, the same PET film is further laminated on the resin composition layer, and then the resin composition layer is cross-linked with a high-pressure mercury lamp. -It was cured to obtain a substrate having a thickness of 210 m and a glass transition temperature of 53 ° C. The heat shrinkage, heat shrinkage stress, bending resistance and glass transition temperature of this substrate were measured by the above-mentioned methods. Table 1 shows the results.
[0047]
100 parts by weight of an acrylic pressure-sensitive adhesive (copolymer of 2-ethylhexyl acrylate and hydroxyethyl acrylate with 80% of hydroxyl groups of hydroxyethyl acrylate and IEM (isocyanatoethyl methacrylate) added to one side of this substrate) And a curing agent (addition product of toluylene diisocyanate and trimethylolpropane) and 3 parts by weight of a photopolymerization initiator (IRGACURE 184, manufactured by Ciba Specialty Chemicals) The product was applied and dried to form a 20 μm-thick pressure-sensitive adhesive layer to obtain a pressure-sensitive adhesive sheet.
[0048]
The obtained pressure-sensitive adhesive sheet was attached to a silicon wafer by the above method, and the wafer warpage was measured after grinding. Table 1 shows the results.
[0049]
[Comparative Example 1]
The same evaluation as in Example 1 was performed except that a polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of 188 μm was used as the substrate. Table 1 shows the results.
[0050]
[Comparative Example 2]
The same evaluation as in Example 1 was performed except that a polyethylene naphthalate (PEN) film having a thickness of 50 μm was used as the substrate. Table 1 shows the results.
[0051]
[Table 1]
Claims (5)
基材として、該基材を２３℃から１８０℃に加熱し、１８０℃で１分間保持した後２３℃に冷却した際に測定される収縮応力が５．０×１０５Ｎ／ｍ２以下の基材を用いたことを特徴とする粘着シート。A pressure-sensitive adhesive sheet comprising a substrate and a pressure-sensitive adhesive layer formed thereon,
As a substrate, the substrate is heated from 23 ° C. to 180 ° C., held at 180 ° C. for 1 minute, and then cooled to 23 ° C. and has a shrinkage stress of 5.0 × 10 5 N / m 2 or less. An adhesive sheet using a substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004256595A true JP2004256595A (en) | 2004-09-16 |
| JP4519409B2 JP4519409B2 (en) | 2010-08-04 |
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ID=33112839
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4519409B2 (en) |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051024 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090619 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090623 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090824 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100330 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100511 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100519 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130528 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4519409 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140528 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |