JP7355568B2 - Wafer processing method - Google Patents
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Description
本発明は、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法に関する。 The present invention relates to a wafer processing method for dividing a wafer whose surface has a plurality of devices divided by dividing lines into individual device chips.
ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、研削装置によって裏面が研削されて所望の厚みに形成された後、ダイシング装置によって個々のデバイスチップに分割され、分割された各デバイスチップは携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。 A wafer, on which multiple devices such as ICs and LSIs are divided by division lines and formed on the front surface, is ground by a grinding machine to form a desired thickness, and then divided into individual device chips by a dicing machine. The divided device chips are used in electrical equipment such as mobile phones and personal computers.
ウエーハの裏面には、ウエーハがダイシング装置に搬送される前に紫外線硬化型の粘着層を有するダイシングテープが貼着され、ダイシングテープの周縁は、ウエーハを収容する開口部を有するフレームに貼着される。これによってウエーハは、ダイシングテープを介してフレームに支持される（たとえば特許文献１参照）。 A dicing tape having an ultraviolet curable adhesive layer is attached to the back side of the wafer before the wafer is transferred to a dicing device, and the periphery of the dicing tape is attached to a frame having an opening for accommodating the wafer. Ru. Thereby, the wafer is supported by the frame via the dicing tape (see, for example, Patent Document 1).
そして、フレームに支持されたウエーハは、ダイシング装置のチャックテーブルに保持され、回転する切削ブレードによって個々のデバイスチップに分割される。 Then, the wafer supported by the frame is held on a chuck table of a dicing device, and is divided into individual device chips by a rotating cutting blade.
その後、ダイシングテープに紫外線が照射され、粘着層の硬化によって粘着力が低下したダイシングテープからデバイスチップがピックアップされる。 Thereafter, the dicing tape is irradiated with ultraviolet rays, and device chips are picked up from the dicing tape whose adhesive strength has decreased due to hardening of the adhesive layer.
しかし、デバイスチップの大きさが１ｍｍ角以下（たとえば０．０３ｍｍ角、厚み０．０２ｍｍ）と小さいと、ウエーハをダイシングする際にデバイスチップがダイシングテープの粘着層上で動いてしまい、デバイスチップの外周に欠けが生じて品質が低下するという問題がある。 However, if the size of the device chip is small, such as 1 mm square or less (for example, 0.03 mm square, 0.02 mm thick), the device chip will move on the adhesive layer of the dicing tape when dicing the wafer. There is a problem in that the quality deteriorates due to chipping on the outer periphery.
また、ダイシングテープに紫外線を僅かに照射して粘着層を硬化させるとダイシングテープの粘着層上でのデバイスチップの動きを抑制できるものの、粘着力の低下によってダイシングテープの粘着層からデバイスチップが剥離して飛散するという問題がある。 In addition, if the dicing tape is slightly irradiated with ultraviolet light to harden the adhesive layer, the movement of the device chip on the adhesive layer of the dicing tape can be suppressed, but the device chip may peel off from the adhesive layer of the dicing tape due to the decrease in adhesive strength. There is a problem in that it scatters.
上記事実に鑑みてなされた本発明の課題は、ウエーハをダイシングする際にデバイスチップが飛散するのを防止することができ、かつデバイスチップの品質の低下を防止することができるウエーハの加工方法を提供することである。 An object of the present invention, which was made in view of the above facts, is to provide a wafer processing method that can prevent device chips from scattering when wafers are diced, and can also prevent the quality of device chips from deteriorating. It is to provide.
本発明は上記課題を解決するために以下のウエーハの加工方法を提供する。すなわち、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法であって、ウエーハの表面に保護部材を配設し研削装置のチャックテーブルでウエーハを保持してウエーハの裏面を研削する研削工程と、該研削工程の直後、研削され濡れ性が向上したウエーハの裏面に、粘着層が形成されていない熱圧着シートを配設して加熱すると共に押圧して該熱圧着シートをウエーハの裏面に圧着する熱圧着工程と、ウエーハの表面に切削ブレードを位置づけて分割予定ラインを切削して個々のデバイスチップに分割する分割工程と、から少なくとも構成され、該熱圧着シートは、ポリオレフィン系シートのうち、ポリエチレンシート、ポリプロピレンシートまたはポリスチレンシートのいずれかであるウエーハの加工方法を本発明は提供する。
また、本発明は上記課題を解決するために以下のウエーハの加工方法を提供する。すなわち、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法であって、ウエーハの表面に保護部材を配設し研削装置のチャックテーブルでウエーハを保持してウエーハの裏面を研削する研削工程と、該研削工程の直後、研削され濡れ性が向上したウエーハの裏面に、粘着層が形成されていない熱圧着シートを配設して加熱すると共に押圧して該熱圧着シートをウエーハの裏面に圧着する熱圧着工程と、ウエーハの表面に切削ブレードを位置づけて分割予定ラインを切削して個々のデバイスチップに分割する分割工程と、から少なくとも構成され、該熱圧着シートは、ポリエステル系シートのうち、ポリエチレンテレフタレートシートまたはポリエチレンナフタレートシートのいずれかであるウエーハの加工方法を本発明は提供する。
In order to solve the above problems, the present invention provides the following wafer processing method. In other words, it is a wafer processing method in which a wafer, on which a plurality of devices are divided by division lines and formed on the surface, is divided into individual device chips, in which a protective member is placed on the surface of the wafer, and a chuck table of a grinding machine is used to process the wafer. A grinding process in which the back side of the wafer is ground while holding the wafer, and immediately after the grinding process, a thermocompression bonding sheet on which no adhesive layer is formed is placed on the back side of the wafer, which has been ground and has improved wettability, and heated. A thermocompression bonding process in which the thermocompression bonding sheet is pressed together to the back surface of the wafer, and a division process in which a cutting blade is positioned on the front surface of the wafer and a dividing line is cut to divide the wafer into individual device chips. The present invention provides a method for processing a wafer in which the thermocompression-bonded sheet is a polyethylene sheet, a polypropylene sheet, or a polystyrene sheet among polyolefin sheets .
Furthermore, the present invention provides the following wafer processing method to solve the above problems. In other words, it is a wafer processing method in which a wafer, on which a plurality of devices are divided by division lines and formed on the surface, is divided into individual device chips, in which a protective member is placed on the surface of the wafer, and a chuck table of a grinding machine is used to process the wafer. A grinding process in which the back side of the wafer is ground while holding the wafer, and immediately after the grinding process, a thermocompression bonding sheet on which no adhesive layer is formed is placed on the back side of the wafer, which has been ground and has improved wettability, and heated. A thermocompression bonding process in which the thermocompression bonding sheet is pressed together to the back surface of the wafer, and a division process in which a cutting blade is positioned on the front surface of the wafer and a dividing line is cut to divide the wafer into individual device chips. The present invention provides a method for processing a wafer in which the thermocompression-bonded sheet is either a polyethylene terephthalate sheet or a polyethylene naphthalate sheet among polyester sheets.
好ましくは、該分割工程の前に該保護部材をウエーハの表面から剥離する。該熱圧着工程における該熱圧着シートの加熱温度は、該熱圧着シートが該ポリエチレンシートの場合には１２０℃～１４０℃であり、該熱圧着シートが該ポリプロピレンシートの場合には１６０℃～１８０℃であり、該熱圧着シートが該ポリスチレンシートの場合には２２０℃～２４０℃であるのが好ましい。該熱圧着工程における該熱圧着シートの加熱温度は、該熱圧着シートが該ポリエチレンテレフタレートシートの場合には２５０℃～２７０℃であり、該熱圧着シートが該ポリエチレンナフタレートシートの場合には１６０℃～１８０℃であるのが好都合である。 Preferably, the protective member is peeled off from the surface of the wafer before the dividing step . The heating temperature of the thermocompression bonding sheet in the thermocompression bonding step is 120°C to 140°C when the thermocompression bonding sheet is the polyethylene sheet, and 160°C to 180°C when the thermocompression bonding sheet is the polypropylene sheet. ℃, and when the thermocompression-bonded sheet is the polystyrene sheet, it is preferably 220°C to 240°C . The heating temperature of the thermocompression bonding sheet in the thermocompression bonding step is 250°C to 270°C when the thermocompression bonding sheet is the polyethylene terephthalate sheet, and 160°C when the thermocompression bonding sheet is the polyethylene naphthalate sheet. Conveniently, the temperature is between 180°C and 180°C.
本発明のウエーハの加工方法は、ウエーハの表面に保護部材を配設し研削装置のチャックテーブルでウエーハを保持してウエーハの裏面を研削する研削工程と、該研削工程の直後、研削され濡れ性が向上したウエーハの裏面に、粘着層が形成されていない熱圧着シートを配設して加熱すると共に押圧して該熱圧着シートをウエーハの裏面に圧着する熱圧着工程と、ウエーハの表面に切削ブレードを位置づけて分割予定ラインを切削して個々のデバイスチップに分割する分割工程と、から少なくとも構成され、該熱圧着シートは、ポリオレフィン系シートのうち、ポリエチレンシート、ポリプロピレンシートまたはポリスチレンシートのいずれかであることから、ウエーハをダイシングする際に、熱圧着シートからデバイスチップが飛散するのを防止することができ、かつデバイスチップの外周に欠けが生じないように熱圧着シート上でのデバイスチップの動きを抑制することができ、デバイスチップの品質の低下を防止することができる。
また、本発明のウエーハの加工方法は、ウエーハの表面に保護部材を配設し研削装置のチャックテーブルでウエーハを保持してウエーハの裏面を研削する研削工程と、該研削工程の直後、研削され濡れ性が向上したウエーハの裏面に、粘着層が形成されていない熱圧着シートを配設して加熱すると共に押圧して該熱圧着シートをウエーハの裏面に圧着する熱圧着工程と、ウエーハの表面に切削ブレードを位置づけて分割予定ラインを切削して個々のデバイスチップに分割する分割工程と、から少なくとも構成され、該熱圧着シートは、ポリエステル系シートのうち、ポリエチレンテレフタレートシートまたはポリエチレンナフタレートシートのいずれかであることから、ウエーハをダイシングする際に、熱圧着シートからデバイスチップが飛散するのを防止することができ、かつデバイスチップの外周に欠けが生じないように熱圧着シート上でのデバイスチップの動きを抑制することができ、デバイスチップの品質の低下を防止することができる。
The wafer processing method of the present invention includes a grinding step in which a protective member is provided on the surface of the wafer, the wafer is held on a chuck table of a grinding device, and the back surface of the wafer is ground. A thermocompression bonding process in which a thermocompression bonding sheet on which no adhesive layer is formed is placed on the backside of the wafer and heated and pressed to bond the thermocompression bonding sheet to the backside of the wafer, and a cutting process is performed on the wafer surface. It consists of at least a dividing step of positioning a blade and cutting a planned dividing line to divide into individual device chips , and the thermocompression bonded sheet is made of polyethylene sheet, polypropylene sheet, or polystyrene sheet among polyolefin sheets. Therefore , when dicing a wafer, it is possible to prevent device chips from scattering from the thermocompression bonding sheet, and to prevent chipping on the outer periphery of the device chips. movement can be suppressed, and deterioration in the quality of device chips can be prevented.
Further, the wafer processing method of the present invention includes a grinding step in which a protective member is provided on the surface of the wafer, the wafer is held on a chuck table of a grinding device, and the back surface of the wafer is ground; A thermocompression bonding process in which a thermocompression bonding sheet on which no adhesive layer is formed is placed on the back surface of the wafer with improved wettability, and the thermocompression bonding sheet is bonded to the back surface of the wafer by heating and pressing, and the surface of the wafer. The thermocompression-bonded sheet is made of a polyethylene terephthalate sheet or a polyethylene naphthalate sheet among polyester sheets. When dicing a wafer, it is possible to prevent device chips from scattering from the thermocompression sheet, and to prevent chipping on the outer periphery of the device chips. Movement of the chip can be suppressed, and deterioration in the quality of the device chip can be prevented.
以下、本発明のウエーハの加工方法の好適実施形態について図面を参照しつつ説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the wafer processing method of the present invention will be described with reference to the drawings.
図１には、本発明のウエーハの加工方法によって加工が施される円板状のウエーハ２が示されている。図示の実施形態のウエーハ２はシリコン（Ｓｉ）から形成されている。ウエーハ２の表面２ａは格子状の分割予定ライン４によって複数の矩形領域に区画されており、複数の矩形領域のそれぞれにはＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス６が形成されている。なお、ウエーハ２の裏面２ｂはシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）によって覆われている。 FIG. 1 shows a disk-shaped wafer 2 that is processed by the wafer processing method of the present invention. The wafer 2 in the illustrated embodiment is made of silicon (Si). The surface 2a of the wafer 2 is divided into a plurality of rectangular regions by grid-like dividing lines 4, and devices 6 such as ICs and LSIs are formed in each of the plurality of rectangular regions. Note that the back surface 2b of the wafer 2 is covered with a silicon oxide film (SiO 2 ).
図示の実施形態のウエーハの加工方法では、まず、ウエーハ２の表面２ａに保護部材８を配設し、研削装置のチャックテーブルでウエーハ２を保持してウエーハ２の裏面２ｂを研削する研削工程を実施する。デバイス６を保護するための保護部材８は、図１に示すとおり、ウエーハ２の直径と同一の直径を有する円形の粘着テープでよい。 In the wafer processing method of the illustrated embodiment, first, a protection member 8 is disposed on the front surface 2a of the wafer 2, and a grinding step is performed in which the wafer 2 is held on a chuck table of a grinding device and the back surface 2b of the wafer 2 is ground. implement. The protective member 8 for protecting the device 6 may be a circular adhesive tape having the same diameter as the wafer 2, as shown in FIG.
研削工程におけるウエーハ２の裏面２ｂの研削は、たとえば図２に一部を示す研削装置１０を用いて実施することができる。研削装置１０は、ウエーハ２を吸引保持するチャックテーブル１２と、チャックテーブル１２に吸引保持されたウエーハ２を研削する研削手段１４とを備える。 Grinding of the back surface 2b of the wafer 2 in the grinding process can be performed using, for example, a grinding apparatus 10, a part of which is shown in FIG. The grinding apparatus 10 includes a chuck table 12 that holds the wafer 2 under suction, and a grinding means 14 that grinds the wafer 2 that is held under suction on the chuck table 12.
上面においてウエーハ２を吸引保持するチャックテーブル１２は、上下方向に延びる軸線を中心として回転自在に構成されている。研削手段１４は、上下方向を軸心として回転自在に構成されたスピンドル１６と、スピンドル１６の下端に固定された円板状のホイールマウント１８とを含む。ホイールマウント１８の下面にはボルト２０によって環状の研削ホイール２２が固定されている。研削ホイール２２の下面の外周縁部には、周方向に間隔をおいて環状に配置された複数の研削砥石２４が固定されている。 The chuck table 12, which holds the wafer 2 by suction on its upper surface, is configured to be rotatable about an axis extending in the vertical direction. The grinding means 14 includes a spindle 16 configured to be rotatable about the vertical direction as an axis, and a disc-shaped wheel mount 18 fixed to the lower end of the spindle 16. An annular grinding wheel 22 is fixed to the lower surface of the wheel mount 18 by bolts 20. A plurality of grinding wheels 24 are fixed to the outer peripheral edge of the lower surface of the grinding wheel 22, which are arranged in an annular manner at intervals in the circumferential direction.
研削工程では、デバイス６を保護するための保護部材８をウエーハ２の表面２ａに配設した後、図２に示すとおり、ウエーハ２の裏面２ｂを上に向けて、チャックテーブル１２の上面でウエーハ２を吸引保持する。次いで、上方からみて反時計回りに所定の回転速度（たとえば３００ｒｐｍ）でチャックテーブル１２を回転させる。また、上方からみて反時計回りに所定の回転速度（たとえば６０００ｒｐｍ）でスピンドル１６を回転させる。 In the grinding process, after disposing a protection member 8 for protecting the devices 6 on the front surface 2a of the wafer 2, as shown in FIG. Suction and hold 2. Next, the chuck table 12 is rotated counterclockwise when viewed from above at a predetermined rotational speed (for example, 300 rpm). Further, the spindle 16 is rotated counterclockwise when viewed from above at a predetermined rotational speed (for example, 6000 rpm).
次いで、研削装置１０の昇降手段（図示していない。）でスピンドル１６を下降させ、ウエーハ２の裏面２ｂに研削砥石２４を接触させる。そして、所定の研削送り速度（たとえば１．０μｍ／ｓ）でスピンドル１６を下降させる。これによって、ウエーハ２の裏面２ｂを研削しシリコン酸化膜を除去して、ウエーハ２の裏面２ｂの濡れ性を向上させることができる。なお、図２（ｂ）には、研削工程を実施したことによって、ウエーハ２の径方向中心から放射状に複数の弧状研削痕２６がウエーハ２の裏面２ｂに発生した状態が示されている。 Next, the spindle 16 is lowered by the elevating means (not shown) of the grinding device 10, and the grinding wheel 24 is brought into contact with the back surface 2b of the wafer 2. Then, the spindle 16 is lowered at a predetermined grinding feed rate (for example, 1.0 μm/s). As a result, the back surface 2b of the wafer 2 can be ground, the silicon oxide film can be removed, and the wettability of the back surface 2b of the wafer 2 can be improved. Note that FIG. 2B shows a state in which a plurality of arcuate grinding marks 26 are generated on the back surface 2b of the wafer 2 radially from the radial center of the wafer 2 due to the grinding process.
研削工程の直後、研削され濡れ性が向上したウエーハ２の裏面２ｂに熱圧着シートを配設して加熱すると共に押圧して熱圧着シートをウエーハ２の裏面２ｂに圧着する熱圧着工程を実施する。 Immediately after the grinding process, a thermocompression bonding process is performed in which a thermocompression bonding sheet is placed on the back surface 2b of the wafer 2, which has been ground and has improved wettability, and is heated and pressed to bond the thermocompression bonding sheet to the back surface 2b of the wafer 2. .
熱圧着工程は、たとえば図３に示すチャックテーブル２８と、加熱ローラ３０とを用いて実施することができる。チャックテーブル２８は上下方向に延びる軸線を中心として回転自在に構成されている。チャックテーブル２８は、吸引手段（図示していない。）に接続された多孔質の円板状の吸着チャック３２と、吸着チャック３２の外周を囲む円筒部材３４とを備える。図３を参照することによって理解されるとおり、吸着チャック３２の直径はウエーハ２の直径よりも大きい。 The thermocompression bonding process can be performed using, for example, a chuck table 28 and a heating roller 30 shown in FIG. The chuck table 28 is configured to be rotatable about an axis extending in the vertical direction. The chuck table 28 includes a porous disc-shaped suction chuck 32 connected to suction means (not shown), and a cylindrical member 34 surrounding the outer periphery of the suction chuck 32. As understood by referring to FIG. 3, the diameter of the suction chuck 32 is larger than the diameter of the wafer 2.
円筒状の加熱ローラ３０は、回転軸３０ａを中心として回転自在に、かつ、チャックテーブル２８の上面に沿って移動自在に構成されている。加熱ローラ３０には電気ヒータおよび温度センサ（いずれも図示していない。）が内蔵されており、適宜の制御装置によって加熱ローラ３０の外周面の温度が調整される。加熱ローラ３０の外周面にはフッ素樹脂がコーティングされている。 The cylindrical heating roller 30 is configured to be rotatable about a rotating shaft 30a and movable along the upper surface of the chuck table 28. The heating roller 30 has a built-in electric heater and a temperature sensor (both not shown), and the temperature of the outer peripheral surface of the heating roller 30 is adjusted by an appropriate control device. The outer peripheral surface of the heating roller 30 is coated with fluororesin.
熱圧着工程では、まず、図３（ａ）に示すとおり、ウエーハ２の裏面２ｂを上に向けて研削工程直後のウエーハ２をチャックテーブル２８の吸着チャック３２の上面に載せる。また、図示の実施形態では環状フレーム３６も吸着チャック３２の上面に載せる。環状フレーム３６の内径はウエーハ２の直径よりも大きく、環状フレーム３６の外径は吸着チャック３２の直径よりも小さい。 In the thermocompression bonding step, first, as shown in FIG. 3A, the wafer 2 immediately after the grinding step is placed on the upper surface of the suction chuck 32 of the chuck table 28 with the back surface 2b of the wafer 2 facing upward. Further, in the illustrated embodiment, the annular frame 36 is also placed on the top surface of the suction chuck 32 . The inner diameter of the annular frame 36 is larger than the diameter of the wafer 2, and the outer diameter of the annular frame 36 is smaller than the diameter of the suction chuck 32.
次いで、ウエーハ２の裏面２ｂに円形の熱圧着シート３８を配設する。熱圧着シート３８の直径は、吸着チャック３２の直径よりも大きく、かつ円筒部材３４の外径よりも小さい。したがって、ウエーハ２と、環状フレーム３６と、吸着チャック３２の上面の露出部分とが熱圧着シート３８によって覆われる。また、熱圧着シート３８の厚みは２０～１００μｍ程度でよい。 Next, a circular thermocompression bonding sheet 38 is placed on the back surface 2b of the wafer 2. The diameter of the thermocompression bonding sheet 38 is larger than the diameter of the suction chuck 32 and smaller than the outer diameter of the cylindrical member 34. Therefore, the wafer 2, the annular frame 36, and the exposed portion of the upper surface of the suction chuck 32 are covered with the thermocompression bonding sheet 38. Further, the thickness of the thermocompression bonding sheet 38 may be about 20 to 100 μm.
熱圧着シート３８は、適宜の温度に加熱されると粘着力を発揮すると共に軟化するシートである。熱圧着シート３８としては、ポリオレフィン系シートまたはポリエステル系シートを用いることができる。熱圧着シート３８として用いることができるポリオレフィン系シートは、たとえば、ポリエチレン（ＰＥ）シート、ポリプロピレン（ＰＰ）シート、ポリスチレン（ＰＳ）シートを挙げることができる。また、熱圧着シート３８として用いることができるポリエステル系シートは、たとえば、ポリエチレンテレフタレートシート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）シートを挙げることができる。なお、熱圧着シート３８には粘着層（糊層）は形成されていない。 The thermocompression bonding sheet 38 is a sheet that exhibits adhesive strength and softens when heated to an appropriate temperature. As the thermocompression bonding sheet 38, a polyolefin sheet or a polyester sheet can be used. Examples of polyolefin sheets that can be used as the thermocompression bonding sheet 38 include polyethylene (PE) sheets, polypropylene (PP) sheets, and polystyrene (PS) sheets. Furthermore, examples of polyester sheets that can be used as the thermocompression bonding sheet 38 include polyethylene terephthalate sheets (PET) and polyethylene naphthalate (PEN) sheets. Note that no adhesive layer (glue layer) is formed on the thermocompression bonding sheet 38.
ウエーハ２の裏面２ｂに熱圧着シート３８を配設した後、吸着チャック３２に接続された吸引手段を作動させて吸着チャック３２に吸引力を生成する。そうすると、熱圧着シート３８の直径が吸着チャック３２の直径よりも大きく、熱圧着シート３８によって吸着チャック３２が覆われているため、ウエーハ２と環状フレーム３６と熱圧着シート３８とがチャックテーブル２８に吸引保持されると共に、熱圧着シート３８がウエーハ２および環状フレーム３６に密着する。 After the thermocompression bonding sheet 38 is placed on the back surface 2b of the wafer 2, the suction means connected to the suction chuck 32 is activated to generate suction force on the suction chuck 32. Then, since the diameter of the thermocompression bonding sheet 38 is larger than the diameter of the suction chuck 32 and the suction chuck 32 is covered by the thermocompression bonding sheet 38, the wafer 2, the annular frame 36, and the thermocompression bonding sheet 38 are placed on the chuck table 28. While being held under suction, the thermocompression bonding sheet 38 is brought into close contact with the wafer 2 and the annular frame 36.
次いで、加熱ローラ３０のヒータを作動させ、熱圧着シート３８が粘着力を発揮すると共に軟化する温度に加熱ローラ３０の外周面の温度を調整する。次いで、図３（ｂ）に示すとおり、加熱ローラ３０で熱圧着シート３８を下方に押圧しながら加熱ローラ３０を転がすことにより、熱圧着シート３８を加熱して軟化させると共に熱圧着シート３８に粘着力を発揮させる。これによって軟化した熱圧着シート３８がウエーハ２の裏面２ｂに一層密着すると共に、熱圧着シート３８の粘着力によって熱圧着シート３８がウエーハ２の裏面２ｂおよび環状フレーム３６に圧着する。なお、加熱ローラ３０の外周面にはフッ素樹脂がコーティングされているから、熱圧着シート３８が粘着力を発揮しても熱圧着シート３８が加熱ローラ３０に貼り付くことはない。 Next, the heater of the heating roller 30 is activated to adjust the temperature of the outer circumferential surface of the heating roller 30 to a temperature at which the thermocompression bonding sheet 38 exhibits adhesive force and becomes soft. Next, as shown in FIG. 3(b), by rolling the heating roller 30 while pressing the thermocompression bonding sheet 38 downward, the thermocompression bonding sheet 38 is heated and softened, and the thermocompression bonding sheet 38 becomes adhesive. Demonstrate your power. As a result, the softened thermocompression bonding sheet 38 is brought into closer contact with the back surface 2b of the wafer 2, and the thermocompression bonding sheet 38 is crimped onto the back surface 2b of the wafer 2 and the annular frame 36 by the adhesive force of the thermocompression bonding sheet 38. Note that since the outer peripheral surface of the heating roller 30 is coated with fluororesin, the thermocompression bonding sheet 38 will not stick to the heating roller 30 even if the thermocompression bonding sheet 38 exhibits adhesive force.
熱圧着工程では、研削工程直後のウエーハ２の裏面２ｂの濡れ性が向上した状態で、ウエーハ２の裏面２ｂに熱圧着シート３８を圧着するので、ウエーハ２の裏面２ｂと熱圧着シート３８との間の接合力は、ウエーハ２の裏面２ｂの濡れ性が向上していない状態でウエーハ２の裏面２ｂに熱圧着シート３８を圧着した場合の接合力よりも強い。なお、研削工程の直後とは、研削工程を実施してから、ウエーハ２の裏面２ｂの濡れ性が、研削工程を実施する前と同程度の濡れ性に戻るまでの時間（たとえば１時間程度）よりも充分短い時間（たとえば５～１０分程度）であり、すなわち、研削工程を実施してから、研削工程を実施する前と同程度のシリコン酸化膜がウエーハ２の裏面２ｂに再度形成されるまでの時間よりも充分短い時間である。 In the thermocompression bonding process, the thermocompression bonding sheet 38 is bonded to the back surface 2b of the wafer 2 in a state where the wettability of the backside 2b of the wafer 2 is improved immediately after the grinding process, so that the bonding between the backside 2b of the wafer 2 and the thermocompression bonding sheet 38 is improved. The bonding force between them is stronger than the bonding force when the thermocompression bonding sheet 38 is bonded to the back surface 2b of the wafer 2 without improving the wettability of the back surface 2b of the wafer 2. Immediately after the grinding process refers to the time from when the grinding process is performed until the wettability of the back surface 2b of the wafer 2 returns to the same level of wettability as before the grinding process (for example, about 1 hour). In other words, after the grinding process is performed, a silicon oxide film of the same extent as before the grinding process is again formed on the back surface 2b of the wafer 2. This is a much shorter time than the previous one.
熱圧着工程における熱圧着シート３８（ポリオレフィン系シート）の加熱温度は、熱圧着シート３８がポリエチレンシートの場合には１２０℃～１４０℃であり、熱圧着シート３８がポリプロピレンシートの場合には１６０℃～１８０℃であり、熱圧着シート３８がポリスチレンシートの場合には２２０℃～２４０℃であるのが好ましい。 The heating temperature of the thermocompression bonding sheet 38 (polyolefin sheet) in the thermocompression bonding process is 120°C to 140°C when the thermocompression bonding sheet 38 is a polyethylene sheet, and 160°C when the thermocompression bonding sheet 38 is a polypropylene sheet. -180°C, and preferably 220°C - 240°C when the thermocompression bonding sheet 38 is a polystyrene sheet.
熱圧着工程における熱圧着シート３８（ポリエステル系シート）の加熱温度は、熱圧着シート３８がポリエチレンテレフタレートシートの場合には２５０℃～２７０℃であり、熱圧着シート３８がポリエチレンナフタレートシートの場合には１６０℃～１８０℃であるのが好適である。 The heating temperature of the thermocompression bonding sheet 38 (polyester sheet) in the thermocompression bonding process is 250°C to 270°C when the thermocompression bonding sheet 38 is a polyethylene terephthalate sheet, and 250°C to 270°C when the thermocompression bonding sheet 38 is a polyethylene naphthalate sheet. is preferably 160°C to 180°C.
熱圧着工程において熱圧着シート３８をウエーハ２の裏面２ｂおよび環状フレーム３６に熱圧着した後、熱圧着シート３８を環状フレーム３６に沿って切断する。熱圧着シート３８を切断する際は、たとえば図３（ｃ）に示すとおり、ウエーハ２と環状フレーム３６と熱圧着シート３８とをチャックテーブル２８で吸引保持した状態で、環状フレーム３６の径方向中間部の上方に円形のカッター４０を位置づける。 In the thermocompression bonding process, the thermocompression bonding sheet 38 is thermocompression bonded to the back surface 2b of the wafer 2 and the annular frame 36, and then the thermocompression bonding sheet 38 is cut along the annular frame 36. When cutting the thermocompression bonding sheet 38, for example, as shown in FIG. A circular cutter 40 is positioned above the section.
次いで、高速回転させたカッター４０の刃先を熱圧着シート３８の上面から下面に至るまで切り込ませると共に、カッター４０に対してチャックテーブル２８を回転させる。これによって、熱圧着シート３８を環状フレーム３６に沿って切断することができる。図３（ｃ）には、環状フレーム３６に沿って熱圧着シート３８を切断した部分が符号４２で示されている。なお、後述の分割工程を実施する前に保護部材８をウエーハ２の表面２ａから除去する。 Next, the cutting edge of the cutter 40 rotated at high speed is made to cut into the thermocompression bonding sheet 38 from the upper surface to the lower surface, and the chuck table 28 is rotated relative to the cutter 40. Thereby, the thermocompression bonded sheet 38 can be cut along the annular frame 36. In FIG. 3(c), a portion where the thermocompression bonding sheet 38 is cut along the annular frame 36 is indicated by reference numeral 42. Note that the protective member 8 is removed from the surface 2a of the wafer 2 before performing the dividing step described below.
熱圧着工程を実施した後、ウエーハ２の表面２ａに切削ブレードを位置づけて分割予定ライン４を切削して個々のデバイスチップに分割する分割工程を実施する。分割工程は、たとえば図４に一部を示すダイシング装置４４を用いて実施することができる。 After carrying out the thermocompression bonding step, a dividing step is carried out in which a cutting blade is positioned on the surface 2a of the wafer 2 and the planned dividing line 4 is cut to divide the wafer 2 into individual device chips. The dividing step can be performed using, for example, a dicing device 44, a portion of which is shown in FIG.
ダイシング装置４４は、ウエーハ２を吸引保持するチャックテーブル（図示していない。）と、チャックテーブルに吸引保持されたウエーハ２を切削する切削手段４６とを備える。チャックテーブルは、回転自在に構成されていると共に、図４に矢印Ｘで示すＸ軸方向に移動自在に構成されている。切削手段４６は、Ｘ軸方向に直交するＹ軸方向（図４に矢印Ｙで示す方向）を軸心として回転自在に構成されたスピンドル４８と、スピンドル４８の先端に固定された環状の切削ブレード５０とを含む。なお、Ｘ軸方向およびＹ軸方向が規定する平面は実質上水平である。 The dicing device 44 includes a chuck table (not shown) that holds the wafer 2 under suction, and a cutting means 46 that cuts the wafer 2 held by the chuck table. The chuck table is configured to be rotatable and movable in the X-axis direction indicated by arrow X in FIG. The cutting means 46 includes a spindle 48 configured to be rotatable around the Y-axis direction (direction indicated by arrow Y in FIG. 4) orthogonal to the X-axis direction, and an annular cutting blade fixed to the tip of the spindle 48. 50. Note that the plane defined by the X-axis direction and the Y-axis direction is substantially horizontal.
分割工程では、まず、ウエーハ２の表面２ａを上に向けて、チャックテーブルの上面でウエーハ２を吸引保持する。次いで、ダイシング装置４４の撮像手段（図示していない。）で上方からウエーハ２を撮像し、撮像手段で撮像したウエーハ２の画像に基づいて、ウエーハ２の分割予定ライン４をＸ軸方向に整合させると共に、Ｘ軸方向に整合させた分割予定ライン４を切削ブレード５０の下方に位置づける。次いで、図４に示すとおり、Ｘ軸方向に整合させた分割予定ライン４に、矢印Ａで示す方向に高速回転させた切削ブレード５０の刃先をウエーハ２の表面２ａから裏面２ｂに至るまで切り込ませると共に、切削手段４６に対してチャックテーブルを相対的にＸ軸方向に加工送りすることによって、分割予定ライン４に沿ってウエーハ２を切削する。なお、図４には、分割予定ライン４に沿ってウエーハ２を切削した部分が符号５２で示されている。 In the dividing step, first, the wafer 2 is suction-held on the upper surface of the chuck table with the front surface 2a of the wafer 2 facing upward. Next, the wafer 2 is imaged from above by an imaging means (not shown) of the dicing device 44, and the planned dividing line 4 of the wafer 2 is aligned in the X-axis direction based on the image of the wafer 2 taken by the imaging means. At the same time, the planned dividing line 4 aligned in the X-axis direction is positioned below the cutting blade 50. Next, as shown in FIG. 4, the cutting edge of the cutting blade 50 rotated at high speed in the direction shown by arrow A is cut into the dividing line 4 aligned in the X-axis direction from the front surface 2a to the back surface 2b of the wafer 2. At the same time, the chuck table is processed and fed in the X-axis direction relative to the cutting means 46, thereby cutting the wafer 2 along the planned dividing line 4. In addition, in FIG. 4, a portion where the wafer 2 is cut along the planned dividing line 4 is indicated by a reference numeral 52.
そして、分割予定ライン４のＹ軸方向の間隔の分だけ、チャックテーブルに対して切削ブレード５０を相対的にＹ軸方向に割り出し送りしながらウエーハ２の切削を繰り返し、Ｘ軸方向に整合させた分割予定ライン４のすべてに沿ってウエーハ２を切削する。また、チャックテーブルを９０度回転させた上で、割り出し送りしながらウエーハ２の切削を繰り返し、格子状の分割予定ライン４のすべてに沿ってウエーハ２を切削する。これによって、ウエーハ２を個々のデバイス６ごとのデバイスチップに分割することができる。 Then, cutting of the wafer 2 was repeated while indexing and feeding the cutting blade 50 in the Y-axis direction relative to the chuck table by an interval in the Y-axis direction of the planned dividing line 4, so that the wafer 2 was aligned in the X-axis direction. The wafer 2 is cut along all of the planned dividing lines 4. Further, the chuck table is rotated 90 degrees, and the wafer 2 is repeatedly cut while being indexed and fed, thereby cutting the wafer 2 along all of the grid-like dividing lines 4. Thereby, the wafer 2 can be divided into device chips for each individual device 6.
以上のとおりであり、図示の実施形態のウエーハの加工方法においては、研削工程の直後、研削され濡れ性が向上したウエーハ２の裏面２ｂに熱圧着シート３８を熱圧着しており、ウエーハ２の裏面２ｂの濡れ性が向上していない状態でウエーハ２の裏面２ｂに熱圧着シート３８を圧着した場合よりも、ウエーハ２の裏面２ｂと熱圧着シート３８とが強く接合し、また、熱圧着シート３８には粘着層が存在しないため、ウエーハ２をダイシングする際に、熱圧着シート３８からデバイスチップが飛散するのを防止することができ、かつデバイスチップの外周に欠けが生じないように熱圧着シート３８上でのデバイスチップの動きを抑制することができ、デバイスチップの品質の低下を防止することができる。 As described above, in the wafer processing method of the illustrated embodiment, immediately after the grinding process, the thermocompression bonding sheet 38 is thermocompression bonded to the back surface 2b of the wafer 2, which has been ground and has improved wettability. The back surface 2b of the wafer 2 and the thermocompression bonding sheet 38 are bonded more strongly than when the thermocompression bonding sheet 38 is bonded to the back surface 2b of the wafer 2 in a state where the wettability of the back surface 2b is not improved. Since there is no adhesive layer on the wafer 38, it is possible to prevent the device chips from scattering from the thermocompression bonding sheet 38 when dicing the wafer 2, and to prevent chipping from occurring on the outer periphery of the device chips. Movement of the device chip on the sheet 38 can be suppressed, and deterioration in the quality of the device chip can be prevented.
２：ウエーハ
２ａ：ウエーハの表面
２ｂ：ウエーハの裏面
４：分割予定ライン
６：デバイス
８：保護部材
１０：研削装置
１２：チャックテーブル
３８：熱圧着シート
５０：切削ブレード
2: Wafer 2a: Front side of wafer 2b: Back side of wafer 4: Planned dividing line 6: Device 8: Protective member 10: Grinding device 12: Chuck table 38: Thermocompression bonding sheet 50: Cutting blade
Claims (5)
ウエーハの表面に保護部材を配設し研削装置のチャックテーブルでウエーハを保持してウエーハの裏面を研削する研削工程と、
該研削工程の直後、研削され濡れ性が向上したウエーハの裏面に、粘着層が形成されていない熱圧着シートを配設して加熱すると共に押圧して該熱圧着シートをウエーハの裏面に圧着する熱圧着工程と、
ウエーハの表面に切削ブレードを位置づけて分割予定ラインを切削して個々のデバイスチップに分割する分割工程と、
から少なくとも構成され、
該熱圧着シートは、ポリオレフィン系シートのうち、ポリエチレンシート、ポリプロピレンシートまたはポリスチレンシートのいずれかであるウエーハの加工方法。 A wafer processing method for dividing a wafer on which a plurality of devices are partitioned by dividing lines into individual device chips, the method comprising:
a grinding process in which a protective member is placed on the surface of the wafer, the wafer is held on a chuck table of a grinding device, and the back surface of the wafer is ground;
Immediately after the grinding step, a thermocompression bonding sheet on which no adhesive layer is formed is placed on the back surface of the wafer that has been ground and has improved wettability, and is heated and pressed to bond the thermocompression bonding sheet to the back surface of the wafer. A thermocompression bonding process,
a dividing step in which a cutting blade is positioned on the surface of the wafer and the planned dividing line is cut to divide the wafer into individual device chips;
consisting of at least
The thermocompression-bonded sheet is a wafer processing method in which the thermocompression-bonded sheet is a polyethylene sheet, a polypropylene sheet, or a polystyrene sheet among polyolefin sheets .
ウエーハの表面に保護部材を配設し研削装置のチャックテーブルでウエーハを保持してウエーハの裏面を研削する研削工程と、
該研削工程の直後、研削され濡れ性が向上したウエーハの裏面に、粘着層が形成されていない熱圧着シートを配設して加熱すると共に押圧して該熱圧着シートをウエーハの裏面に圧着する熱圧着工程と、
ウエーハの表面に切削ブレードを位置づけて分割予定ラインを切削して個々のデバイスチップに分割する分割工程と、
から少なくとも構成され、
該熱圧着シートは、ポリエステル系シートのうち、ポリエチレンテレフタレートシートまたはポリエチレンナフタレートシートのいずれかであるウエーハの加工方法。 A wafer processing method for dividing a wafer on which a plurality of devices are partitioned by dividing lines into individual device chips, the method comprising:
a grinding process in which a protective member is placed on the surface of the wafer, the wafer is held on a chuck table of a grinding device, and the back surface of the wafer is ground;
Immediately after the grinding step, a thermocompression bonding sheet on which no adhesive layer is formed is placed on the back surface of the wafer that has been ground and has improved wettability, and is heated and pressed to bond the thermocompression bonding sheet to the back surface of the wafer. A thermocompression bonding process,
a dividing step in which a cutting blade is positioned on the surface of the wafer and the planned dividing line is cut to divide the wafer into individual device chips;
consisting of at least
A method for processing a wafer in which the thermocompression bonded sheet is either a polyethylene terephthalate sheet or a polyethylene naphthalate sheet among polyester sheets .
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