JP5603757B2 - Laser dicing adhesive sheet and method for manufacturing semiconductor device - Google Patents

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Description

本発明は、粘着シートに貼付した半導体ウエハの内部にレーザー光を集光し、粘着シートをエキスパンドして半導体ウエハを個片化する工程に用いる粘着シートに関する。また、該粘着シートを用いた半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a pressure-sensitive adhesive sheet used in a process of condensing laser light inside a semiconductor wafer affixed to a pressure-sensitive adhesive sheet and expanding the pressure-sensitive adhesive sheet to separate the semiconductor wafer. Moreover, it is related with the manufacturing method of the semiconductor device using this adhesive sheet.

半導体ウエハは表面に回路が形成された後、ウエハの裏面側に研削加工を施し、ウエハの厚さを調整する裏面研削工程およびウエハを所定のチップサイズに個片化するダイシング工程が行われる。   After a circuit is formed on the surface of the semiconductor wafer, a grinding process is performed on the back side of the wafer, and a back grinding process for adjusting the thickness of the wafer and a dicing process for dividing the wafer into a predetermined chip size are performed.

近年のＩＣカードの普及にともない、その構成部材である半導体チップの薄型化が進められている。このため、従来３５０μｍ程度の厚みであったウエハを、５０〜１００μｍあるいはそれ以下まで薄くすることが求められるようになった。   With the spread of IC cards in recent years, the semiconductor chip that is a constituent member thereof is being made thinner. For this reason, it has been required to reduce the thickness of a conventional wafer having a thickness of about 350 μm to 50 to 100 μm or less.

脆質部材であるウエハは、薄くなるにつれて、加工や運搬の際、破損する危険性が高くなる。このような極薄ウエハは、高速回転するダイシングブレードにより切断されると、半導体ウエハの特に裏面側にチッピング等が生じ、チップの抗折強度が著しく低下する。   As the wafer that is a brittle member becomes thinner, the risk of breakage increases during processing and transportation. When such an ultra-thin wafer is cut by a dicing blade that rotates at high speed, chipping or the like occurs particularly on the back side of the semiconductor wafer, and the die strength of the chip is significantly reduced.

このため、レーザー光を半導体ウエハの内部に照射して選択的に改質部を形成させながらダイシングラインを形成し改質部を起点としてウエハを割断する、レーザーダイシング法が提案されている（特許文献１）。 For this reason, a laser dicing method has been proposed in which a dicing line is formed while a modified portion is selectively formed by irradiating the inside of a semiconductor wafer with a laser beam, and the wafer is cleaved starting from the modified portion (patent) Reference 1).

また、特許文献２には、積層粘着シート（基材と粘着剤層とからなる粘着シートを２層積層したもの）を極薄の半導体ウエハに貼付し、レーザー光を積層粘着シート側から積層粘着シート越しに、半導体ウエハの内部に照射して改質部を形成後、最外層の粘着シートを剥がしてから粘着シートをエキスパンドすることで、ダイシングラインに沿って半導体ウエハを分割し、半導体チップを生産するレーザーダイシング法が開示されている。 In Patent Document 2, a laminated pressure-sensitive adhesive sheet (two layers of pressure-sensitive adhesive sheets comprising a base material and a pressure-sensitive adhesive layer) is attached to an ultrathin semiconductor wafer, and laser light is laminated and laminated from the side of the laminated pressure-sensitive adhesive sheet. After forming the modified part by irradiating the inside of the semiconductor wafer through the sheet, the adhesive sheet is expanded after peeling off the outermost adhesive sheet, so that the semiconductor wafer is divided along the dicing line. A laser dicing method to produce is disclosed.

しかしながら、このようなレーザーダイシング法において用いられる粘着シートにレーザー光を透過させると、粘着シートの位相差が大きいためにレーザー光の直進性が失われることがある。レーザー光の直進性が失われると、半導体ウエハの内部へのレーザー光の集光が困難となり、ウエハを精密に加工することができないことがあった。また、このような粘着シートを用いてレーザーダイシング法により半導体チップを製造すると、ウエハ内部に十分なレーザー光の集光ができないため、十分な改質部を形成できず、チップへ分割できないおそれがあった。また、粘着シートのヤング率が高いため、粘着シートをエキスパンドしても粘着シートが十分に延伸せず、ウエハを歩留まりよくチップ化することは困難であった。さらにまた、エキスパンド工程の前に最外層の粘着シートを剥がす必要があり、製造工程が煩雑であった。 However, when laser light is transmitted through the pressure-sensitive adhesive sheet used in such a laser dicing method, the straightness of the laser light may be lost due to the large phase difference of the pressure-sensitive adhesive sheet. If the straightness of the laser beam is lost, it may be difficult to focus the laser beam on the inside of the semiconductor wafer, and the wafer may not be precisely processed. In addition, when a semiconductor chip is manufactured by laser dicing using such an adhesive sheet, sufficient laser light cannot be condensed inside the wafer, so that a sufficient modified portion cannot be formed and may not be divided into chips. there were. Further, since the Young's modulus of the pressure-sensitive adhesive sheet is high, the pressure-sensitive adhesive sheet is not sufficiently stretched even if the pressure-sensitive adhesive sheet is expanded, and it is difficult to chip the wafer with a high yield. Furthermore, the outermost pressure-sensitive adhesive sheet must be peeled off before the expanding step, and the manufacturing process is complicated.

特許第３７６２４０９号Japanese Patent No. 3762409 特開２００７−１２３４０４号公報JP 2007-123404 A

本発明は、上記のような従来技術に伴う問題を解決しようとするものである。すなわち、本発明は、レーザーダイシング法において、半導体ウエハの内部へのレーザー光の集光が容易であるために、ウエハ内部に改質部をより精密に形成することができ、抗折強度の高い半導体チップを歩留まりよく容易に製造することができる粘着シートを提供することを目的としている。また、該粘着シートを用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。 The present invention seeks to solve the problems associated with the prior art as described above. That is, according to the present invention, in the laser dicing method, since the laser beam can be easily condensed inside the semiconductor wafer, the modified portion can be formed more precisely in the wafer, and the bending strength is high. An object of the present invention is to provide an adhesive sheet capable of easily manufacturing semiconductor chips with a high yield. Moreover, it aims at providing the manufacturing method of the semiconductor device using this adhesive sheet.

このような課題の解決を目的とした本発明の要旨は以下のとおりである。
（１）基材と、その片面に形成された粘着剤層とからなり、レーザー光照射によりウエハ内部に改質部を形成した後、個々のチップに切断分離する工程に用いるレーザーダイシング用粘着シートであって、
該粘着シートの２３℃におけるヤング率が３０〜６００ＭＰａであり、
波長１０６４ｎｍにおける該粘着シートの直線透過率が８０％以上であり、
波長１０６４ｎｍにおける該粘着シートの位相差が１００ｎｍ以下であるレーザーダイシング用粘着シート。 The gist of the present invention aimed at solving such problems is as follows.
(1) a substrate, Ri Do from the one side to the formed adhesive layer, after forming the modified portion therein wafer by laser beam irradiation, the pressure-sensitive adhesive for laser dicing used in the step of cutting and separating into individual chips A sheet,
The Young's modulus at 23 ° C. of the pressure-sensitive adhesive sheet is 30 to 600 MPa,
The linear transmittance of the pressure-sensitive adhesive sheet at a wavelength of 1064 nm is 80% or more,
A pressure-sensitive adhesive sheet for laser dicing, wherein a phase difference of the pressure-sensitive adhesive sheet at a wavelength of 1064 nm is 100 nm or less.

（２）該基材が、キャスト製膜法またはカレンダー製膜法により製造される（１）に記載のレーザーダイシング用粘着シート。 (2) The adhesive sheet for laser dicing according to (1), wherein the substrate is produced by a cast film forming method or a calender film forming method.

（３）該粘着剤層が形成された面と反対面における該基材の粗さ曲線の算術平均高さＲａが０．１μｍ未満である（１）または（２）に記載のレーザーダイシング用粘着シート。 (3) The adhesive for laser dicing according to (1) or (2), wherein the arithmetic average height Ra of the roughness curve of the substrate on the surface opposite to the surface on which the pressure-sensitive adhesive layer is formed is less than 0.1 μm. Sheet.

（４）基材が単層である（１）〜（３）のいずれかに記載のレーザーダイシング用粘着シート。
（５）基材がポリ塩化ビニルフィルムまたはポリウレタンアクリレートフィルムである（１）〜（４）のいずれかに記載のレーザーダイシング用粘着シート。
（６）厚み１００μｍ、サイズ５０ｍｍ×５０ｍｍの正方形のシリコンウエハを粘着剤層に貼付した後、該シリコンウエハの内部に改質部を形成し、３００ｍｍ／分で１０ｍｍ引き落としの条件において、粘着シートをエキスパンドし、２ｍｍ×２ｍｍのチップを製造する時のチップ分割率が９８％以上である請求項（１）〜（５）のいずれかに記載のレーザーダイシング用粘着シート。
（７）表面に回路が形成された半導体ウエハの裏面に、（１）〜（６）のいずれかに記載のレーザーダイシング用粘着シートを貼付する工程、
該粘着シートの基材側から粘着シート越しに、該半導体ウエハにレーザー光を照射して、ウエハ内部に改質部を形成する工程、及び
該粘着シートのエキスパンドにより、該半導体ウエハを分割してチップ化する工程を含む半導体装置の製造方法。 (4) The pressure-sensitive adhesive sheet for laser dicing according to any one of (1) to (3), wherein the substrate is a single layer.
(5) The pressure-sensitive adhesive sheet for laser dicing according to any one of (1) to (4), wherein the substrate is a polyvinyl chloride film or a polyurethane acrylate film.
(6) After pasting a square silicon wafer having a thickness of 100 μm and a size of 50 mm × 50 mm on the adhesive layer, a modified portion is formed inside the silicon wafer, and the adhesive sheet is formed under the condition of pulling down 10 mm at 300 mm / min. The pressure-sensitive adhesive sheet for laser dicing according to any one of claims (1) to (5), wherein the chip division rate when expanded to produce a 2 mm x 2 mm chip is 98% or more.
(7) A process of applying the laser dicing adhesive sheet according to any one of (1) to (6) to the back surface of a semiconductor wafer having a circuit formed on the surface,
The semiconductor wafer is divided by the step of irradiating the semiconductor wafer with laser light from the base material side of the pressure-sensitive adhesive sheet to form a modified portion inside the wafer, and the expansion of the pressure-sensitive adhesive sheet. A manufacturing method of a semiconductor device including a step of forming a chip.

本発明に係るレーザーダイシング用粘着シートによれば、ウエハ内部により精密な改質部が形成されると共にエキスパンド性が良好であるために、抗折強度の高い半導体チップを歩留まりよく容易に生産することができる。また、粘着シートの基材側から粘着シート越しに、半導体ウエハにレーザー光を照射して、ウエハ内部により精密な改質部を形成し、粘着シートのエキスパンドにより半導体ウエハを分割してチップ化できるため、半導体装置の製造工程を簡略化できる。 According to the pressure-sensitive adhesive sheet for laser dicing according to the present invention, since a precise modified portion is formed inside the wafer and the expandability is good, a semiconductor chip having a high bending strength can be easily produced with a high yield. Can do. In addition, the semiconductor wafer is irradiated with laser light from the base material side of the adhesive sheet through the adhesive sheet to form a precise modified portion inside the wafer, and the semiconductor wafer can be divided into chips by expanding the adhesive sheet. Therefore, the manufacturing process of the semiconductor device can be simplified.

本発明に係るレーザーダイシング用粘着シートの断面図を示す。Sectional drawing of the adhesive sheet for laser dicing which concerns on this invention is shown. 半導体ウエハの回路形成面の平面図を示す。The top view of the circuit formation surface of a semiconductor wafer is shown. 本発明に係る半導体装置の製造方法の一工程を示す。1 shows one step of a method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention.

以下、本発明に係るレーザーダイシング用粘着シートについて、図面を参照しながら、具体的に説明する。図１に示すように、本発明に係るレーザーダイシング用粘着シート１０は、基材１と、その片面に形成された粘着剤層２とからなる。 Hereinafter, the pressure-sensitive adhesive sheet for laser dicing according to the present invention will be specifically described with reference to the drawings. As shown in FIG. 1, the adhesive sheet 10 for laser dicing which concerns on this invention consists of the base material 1 and the adhesive layer 2 formed in the single side | surface.

レーザーダイシング用粘着シート１０の２３℃におけるヤング率は、３０〜６００ＭＰａであり、好ましくは１００〜５００ＭＰａであり、さらに好ましくは２００〜４００ＭＰａである。粘着シート１０の物性が上記範囲にあることで、エキスパンド工程において、粘着シート１０を均一に延伸させることができる。一方、粘着シート１０の２３℃におけるヤング率が６００ＭＰａよりも大きいと、粘着シート１０のエキスパンドが困難となる。また、粘着シート１０の２３℃におけるヤング率が３０ＭＰａよりも小さいと、粘着シート１０が軟質となり、取扱いが困難である。 The Young's modulus at 23 ° C. of the pressure-sensitive adhesive sheet 10 for laser dicing is 30 to 600 MPa, preferably 100 to 500 MPa, and more preferably 200 to 400 MPa. When the physical properties of the pressure-sensitive adhesive sheet 10 are in the above range, the pressure-sensitive adhesive sheet 10 can be uniformly stretched in the expanding step. On the other hand, when the Young's modulus at 23 ° C. of the pressure-sensitive adhesive sheet 10 is larger than 600 MPa, it is difficult to expand the pressure-sensitive adhesive sheet 10. Moreover, when the Young's modulus at 23 ° C. of the pressure-sensitive adhesive sheet 10 is smaller than 30 MPa, the pressure-sensitive adhesive sheet 10 becomes soft and difficult to handle.

また、波長１０６４ｎｍにおけるレーザーダイシング用粘着シート１０の直線透過率は、８０％以上であり、好ましくは９０〜１００％、さらに好ましくは９２〜９９％である。さらにまた、波長１０６４ｎｍにおけるレーザーダイシング用粘着シート１０の位相差は、１００ｎｍ以下であり、好ましくは５０ｎｍ以下、さらに好ましくは１０ｎｍ以下、特に好ましくは１ｎｍ以下である。 Moreover, the linear transmittance | permeability of the adhesive sheet 10 for laser dicing in wavelength 1064nm is 80% or more, Preferably it is 90 to 100%, More preferably, it is 92 to 99%. Furthermore, the phase difference of the pressure-sensitive adhesive sheet 10 for laser dicing at a wavelength of 1064 nm is 100 nm or less, preferably 50 nm or less, more preferably 10 nm or less, and particularly preferably 1 nm or less.

半導体ウエハ１１は粘着シート１０の粘着剤層２に貼付される。次いで、ウエハ内部に集光点を合わせて、レーザー光が粘着シート１０の基材１側から粘着シート越しに照射され、回路間を区画する仮想的な切断予定ライン１８に沿ってウエハ内部に改質部が形成される。その後、粘着シート１０はエキスパンドされることで、ウエハ１１がチップ化される。粘着シート１０の光学物性が上記範囲にあることで、ウエハ内部へのレーザー光の集光が容易となるため、ウエハ内部に改質部をより精密に形成することができ、抗折強度の高い半導体チップを歩留まりよく容易に製造することができる。   The semiconductor wafer 11 is attached to the pressure-sensitive adhesive layer 2 of the pressure-sensitive adhesive sheet 10. Next, the focusing point is set inside the wafer, and laser light is irradiated from the base material 1 side of the pressure-sensitive adhesive sheet 10 through the pressure-sensitive adhesive sheet, and the wafer is modified along a virtual scheduled cutting line 18 that divides the circuit. A mass part is formed. Thereafter, the adhesive sheet 10 is expanded, whereby the wafer 11 is made into chips. Since the optical properties of the pressure-sensitive adhesive sheet 10 are in the above range, the laser beam can be easily condensed inside the wafer, so that the modified portion can be formed more precisely in the wafer, and the bending strength is high. Semiconductor chips can be easily manufactured with high yield.

なお、粘着シート１０の粘着剤層２を、後述するエネルギー線硬化型粘着剤で形成した場合には、エネルギー線照射の前後で、粘着シートのヤング率、直線透過率、位相差が変化する場合がある。エキスパンド工程は、通常、エネルギー線照射前に行うが、エネルギー線照射後に行われることもある。したがって、本発明において規定する粘着シートのヤング率は、通常、エネルギー線照射前の物性値であるが、エネルギー線照射後に上記物性値を満足する粘着シートも本発明の範囲に含まれる。また、特にエキスパンド工程において上記物性値を満足することが好ましい。また、直線透過率、位相差はレーザー光照射時の状態における物性であり、上記物性を満たす限り、いずれもエネルギー線照射の前であっても、後であってもよい。   When the pressure-sensitive adhesive layer 2 of the pressure-sensitive adhesive sheet 10 is formed of an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, which will be described later, the Young's modulus, linear transmittance, and phase difference of the pressure-sensitive adhesive sheet change before and after irradiation with energy rays. There is. The expanding step is usually performed before energy beam irradiation, but may be performed after energy beam irradiation. Therefore, the Young's modulus of the pressure-sensitive adhesive sheet defined in the present invention is usually a physical property value before energy beam irradiation, but a pressure-sensitive adhesive sheet that satisfies the above physical property value after energy beam irradiation is also included in the scope of the present invention. In particular, it is preferable that the physical property values are satisfied in the expanding step. Further, the linear transmittance and the phase difference are physical properties in the state at the time of laser light irradiation, and any of them may be before or after the energy ray irradiation as long as the above physical properties are satisfied.

このようなレーザーダイシング用粘着シート１０は、図１に示すように、たとえば基材１の片面に粘着剤層２を形成して得られる。基材１の両側の面の粗さが異なる場合、基材１の粘着剤層２が形成された面と反対面が平滑面になるようにすることが好ましい。基材１は、上記物性を満たすものであれば、その製膜方法は限定されないが、ポリマー鎖が配向しにくい製膜方法を選択することが望ましい。そのような製膜方法として例えば、キャスト製膜法または、カレンダー製膜法やＴダイ製膜法を用いたバンク成形法等がある。特に本発明においては、キャスト製膜法またはカレンダー製膜法により無延伸で製造されることが好ましい。なお、製造工程中に基材を延伸する工程を有する押出製膜法等は、延伸工程により、基材を構成するポリマー鎖が配向し、レーザー光の直進性を阻害するおそれがある。 Such an adhesive sheet 10 for laser dicing is obtained, for example, by forming an adhesive layer 2 on one side of a substrate 1 as shown in FIG. When the roughness of the surfaces on both sides of the substrate 1 is different, it is preferable that the surface of the substrate 1 opposite to the surface on which the adhesive layer 2 is formed is a smooth surface. As long as the substrate 1 satisfies the above physical properties, the film forming method is not limited, but it is desirable to select a film forming method in which the polymer chains are less likely to be oriented. Examples of such a film forming method include a cast film forming method, a bank forming method using a calendar film forming method and a T-die film forming method. In particular, in the present invention, it is preferably produced without stretching by a cast film forming method or a calender film forming method. In addition, the extrusion film-forming method etc. which have the process of extending | stretching a base material in a manufacturing process have a possibility that the polymer chain which comprises a base material may orientate by an extending process, and may impair the linearity of a laser beam.

基材１としては、例えば、無延伸のポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリウレタンフィルム、ポリウレタンアクリレートフィルム、エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、およびその水添加物または変性物等からなるフィルムが用いられる。またこれらの架橋フィルム、共重合体フィルムも用いられ、中でもエキスパンド性を考慮すると、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリウレタンフィルム、ポリウレタンアクリレートフィルムが好ましい。上記の基材は１種単独でもよいし、さらにこれらを２種類以上組み合わせた複合フィルムであってもよい。   Examples of the substrate 1 include unstretched polypropylene film, polybutene film, polybutadiene film, polymethylpentene film, polyvinyl chloride film, vinyl chloride copolymer film, polyurethane film, polyurethane acrylate film, and ethylene vinyl acetate copolymer. A film, an ionomer resin film, and a film made of a water additive or a modified product thereof are used. These crosslinked films and copolymer films are also used, and among them, polyvinyl chloride films, polyurethane films, and polyurethane acrylate films are preferable in consideration of expandability. The above-mentioned base material may be one kind alone, or may be a composite film in which two or more kinds are combined.

また、後述するように、粘着剤層２を紫外線硬化型粘着剤で形成し、粘着剤を硬化するために照射するエネルギー線として紫外線を用いる場合には、紫外線に対して透明である基材が好ましい。なお、エネルギー線として電子線を用いる場合には透明である必要はない。上記のフィルムの他、これらを着色した透明フィルム、不透明フィルム等を用いることができる。   As will be described later, when the pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed of an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive and ultraviolet rays are used as energy rays to be irradiated to cure the pressure-sensitive adhesive, a substrate that is transparent to the ultraviolet rays is used. preferable. In addition, when using an electron beam as an energy beam, it does not need to be transparent. In addition to the above film, a transparent film or an opaque film colored with these can be used.

また、基材１の上面、すなわち粘着剤層２が設けられる側の基材表面には粘着剤との密着性を向上するために、コロナ処理を施したり、プライマー層を設けてもよい。また、粘着剤層２とは反対面に各種の塗膜を塗工してもよい。粘着シート１０は、上記のような基材上に粘着剤層を設けることで製造される。基材１の厚みは、好ましくは４０〜１５０μｍ、さらに好ましくは５０〜１００μｍ、特に好ましくは５０〜８０μｍの範囲にある。   Moreover, in order to improve adhesiveness with an adhesive, the upper surface of the base material 1, ie, the base material surface on the side where the adhesive layer 2 is provided, may be subjected to corona treatment or a primer layer. Various coatings may be applied to the surface opposite to the pressure-sensitive adhesive layer 2. The pressure-sensitive adhesive sheet 10 is manufactured by providing a pressure-sensitive adhesive layer on the base material as described above. The thickness of the substrate 1 is preferably in the range of 40 to 150 μm, more preferably 50 to 100 μm, particularly preferably 50 to 80 μm.

粘着剤層２が形成された面と反対面における基材１の粗さ曲線の算術平均高さＲａは、好ましくは０．１μｍ未満、より好ましくは０．０８μｍ未満である。粘着剤層２が形成された面と反対面における基材１の粗さ曲線の算術平均高さＲａを上記範囲とすることで、レーザー光の直進性が損なわれないため、ウエハ内部により精密な改質部を形成することができる。そのため、エキスパンド工程により半導体ウエハを歩留まりよく分割できる。   The arithmetic average height Ra of the roughness curve of the substrate 1 on the surface opposite to the surface on which the pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed is preferably less than 0.1 μm, more preferably less than 0.08 μm. By setting the arithmetic average height Ra of the roughness curve of the base material 1 on the surface opposite to the surface on which the pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed within the above range, the straightness of the laser beam is not impaired, so that the wafer interior is more precise. A reforming part can be formed. Therefore, the semiconductor wafer can be divided with a high yield by the expanding process.

キャスト製膜法は、具体的には、上記フィルムを形成する液状の組成物（硬化前の樹脂、樹脂の溶液等）を、薄膜状にキャストした後に、塗膜を硬化させてフィルム化して基材１を製造する方法である。たとえば、工程シートなどの上に、液状の組成物を薄膜状にキャストした後に、塗膜にエネルギー線を照射して重合硬化させてフィルム化して基材１を製造することができる。また、エネルギー線照射して液状の組成物を半硬化後、その上にさらに工程シートを重ね、エネルギー線を照射し硬化させてフィルム化することで基材１を製造してもよい。このような製法によれば、フィッシュアイの形成が少ない。また、膜厚の均一性も高く、厚み精度は、通常２％以内になる。   Specifically, the cast film forming method is a method in which a liquid composition (resin before curing, resin solution, etc.) forming the film is cast into a thin film, and then the coating film is cured to form a film. This is a method for manufacturing the material 1. For example, the base material 1 can be manufactured by casting a liquid composition on a process sheet or the like in a thin film, and then irradiating the coating film with an energy ray to polymerize and cure to form a film. Moreover, after irradiating energy rays and semi-curing a liquid composition, the process sheet | seat may be piled up on it, the energy rays may be irradiated, it may be hardened, and the base material 1 may be manufactured. According to such a manufacturing method, the formation of fish eyes is small. Moreover, the uniformity of the film thickness is also high, and the thickness accuracy is usually within 2%.

また、カレンダー製膜法は、原料の樹脂を加熱回転ローラーで溶融しながら、内部に熱媒体の通路を有するロールを複数用いて、溶融混練された樹脂をカレンダーロール間で圧延して基材１を成形する方法である。製膜時、樹脂にかかる応力が小さいキャスト製膜法およびカレンダー製膜法により製膜された基材１を使用することにより、直線透過率が高く、位相差が小さい粘着シートを製造することができる。   In the calendar film forming method, a raw material resin is melted with a heated rotating roller, and a plurality of rolls having a passage for a heat medium are used inside, and the melt-kneaded resin is rolled between calender rolls to form a substrate 1. This is a method of molding. It is possible to produce a pressure-sensitive adhesive sheet having a high linear transmittance and a small phase difference by using the base material 1 formed by the cast film forming method and the calender film forming method with low stress applied to the resin during film formation. it can.

粘着剤層２は、従来より公知の種々の粘着剤により形成され得る。このような粘着剤としては、何ら限定されるものではないが、例えば、ゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル等の粘着剤が用いられる。また、エネルギー線硬化型や加熱発泡型、水膨潤型の粘着剤も用いることができる。エネルギー線硬化（紫外線硬化、電子線硬化等）型粘着剤としては、特に紫外線硬化型粘着剤を用いることが好ましい。   The pressure-sensitive adhesive layer 2 can be formed of various conventionally known pressure-sensitive adhesives. Such an adhesive is not limited at all, but, for example, an adhesive such as rubber-based, acrylic-based, silicone-based, or polyvinyl ether is used. In addition, an energy ray curable adhesive, a heat-foaming adhesive, or a water swelling adhesive can be used. As the energy ray curable (UV curable, electron beam curable, etc.) type adhesive, it is particularly preferable to use an ultraviolet curable adhesive.

粘着剤層２をエネルギー線硬化型粘着剤で形成する場合、エネルギー線硬化型粘着成分と必要に応じ光重合開始剤とを配合した粘着剤組成物を用いて、粘着剤層を形成する。さらに、上記粘着剤組成物には、各種物性を改良するため、必要に応じ、その他の成分（架橋剤等）が含まれていてもよい。架橋剤としては、有機多価イソシアナート化合物、有機多価エポキシ化合物、有機多価イミン化合物等が挙げられる。以下、エネルギー線硬化型粘着成分について、アクリル系粘着剤を例として具体的に説明する。   When forming the pressure-sensitive adhesive layer 2 with an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, the pressure-sensitive adhesive layer is formed using a pressure-sensitive adhesive composition in which an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive component and, if necessary, a photopolymerization initiator are blended. Furthermore, in order to improve various physical properties, the said adhesive composition may contain other components (crosslinking agent etc.) as needed. Examples of the crosslinking agent include organic polyvalent isocyanate compounds, organic polyvalent epoxy compounds, and organic polyvalent imine compounds. Hereinafter, the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive component will be specifically described using an acrylic pressure-sensitive adhesive as an example.

エネルギー線硬化型粘着成分は、粘着剤組成物に十分な粘着性および造膜性（シート加工性）を付与するためにアクリル重合体（Ａ）を含有し、またエネルギー線硬化性化合物（Ｂ）を含有する。エネルギー線硬化性化合物（Ｂ）は、またエネルギー線重合性基を含み、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射を受けると重合硬化し、粘着剤組成物の粘着力を低下させる機能を有する。また、上記成分（Ａ）および（Ｂ）の性質を兼ね備えるものとして、主鎖または側鎖に、エネルギー線重合性基が結合されてなるエネルギー線硬化型粘着性重合体（以下、成分（ＡＢ）と記載する場合がある）を用いてもよい。このようなエネルギー線硬化型粘着性重合体（ＡＢ）は、粘着性とエネルギー線硬化性とを兼ね備える性質を有する。   The energy ray-curable pressure-sensitive adhesive component contains an acrylic polymer (A) in order to impart sufficient pressure-sensitive adhesiveness and film-forming property (sheet processability) to the pressure-sensitive adhesive composition, and energy ray-curable compound (B). Containing. The energy ray-curable compound (B) also contains an energy ray-polymerizable group, has a function of being polymerized and cured when irradiated with energy rays such as ultraviolet rays and electron beams, and reducing the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive composition. Moreover, as what has the property of said component (A) and (B), the energy-beam curable adhesive polymer (henceforth component (AB)) by which an energy-beam polymeric group is couple | bonded with the principal chain or the side chain. May be used). Such an energy ray curable pressure-sensitive adhesive polymer (AB) has a property having both adhesiveness and energy ray curable properties.

アクリル重合体（Ａ）としては、従来公知のアクリル重合体を用いることができる。アクリル重合体（Ａ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１万〜２００万であることが好ましく、１０万〜１５０万であることがより好ましい。また、アクリル重合体（Ａ）のガラス転移温度（Ｔｇ）は、好ましくは−７０〜３０℃、さらに好ましくは−６０〜２０℃の範囲にある。   A conventionally well-known acrylic polymer can be used as an acrylic polymer (A). The weight average molecular weight (Mw) of the acrylic polymer (A) is preferably 10,000 to 2,000,000, and more preferably 100,000 to 1,500,000. The glass transition temperature (Tg) of the acrylic polymer (A) is preferably in the range of −70 to 30 ° C., more preferably in the range of −60 to 20 ° C.

上記アクリル重合体（Ａ）を構成するモノマーとしては、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体が挙げられる。例えば、アルキル基の炭素数が１〜１８であるアルキル（メタ）アクリレート、例えばメチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレートなどが挙げられ；環状骨格を有する（メタ）アクリレート、例えばシクロアルキル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、イソボルニルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリレート、イミドアクリレートなどが挙げられ；水酸基を有する２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートなどが挙げられ、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、グリシジルメタクリレート、グリシジルアクリレートなどが挙げられる。また、上記アクリル重合体（Ａ）は、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレンなどが共重合されたアクリル共重合体であることが好ましい。   As a monomer which comprises the said acrylic polymer (A), a (meth) acrylic acid ester monomer or its derivative (s) is mentioned. For example, an alkyl (meth) acrylate having an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, such as methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) Acrylates and the like; (meth) acrylates having a cyclic skeleton such as cycloalkyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, isobornyl acrylate, dicyclopentanyl acrylate, dicyclopentenyl acrylate, dicyclopentenyloxyethyl Acrylate, imide acrylate, etc .; 2-hydroxyethyl (meth) acrylate having a hydroxyl group, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, etc., acrylic acid, methacrylic acid, Con acid, glycidyl methacrylate, and glycidyl acrylate. The acrylic polymer (A) is preferably an acrylic copolymer obtained by copolymerizing vinyl acetate, acrylonitrile, styrene, or the like.

エネルギー線硬化性化合物（Ｂ）は、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射を受けると重合硬化する化合物である。このエネルギー線重合性化合物の例としては、エネルギー線重合性基を有する低分子量化合物（単官能、多官能のモノマーおよびオリゴマー）があげられ、具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレートなどのアクリレート、ジシクロペンタジエンジメトキシジアクリレート、イソボルニルアクリレートなどの環状脂肪族骨格含有アクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレートオリゴマー、エポキシ変性アクリレート、ポリエーテルアクリレート、イタコン酸オリゴマーなどのアクリレート系化合物が用いられる。このような化合物は、分子内に少なくとも１つの重合性二重結合を有し、通常は、分子量が１００〜３００００、好ましくは３００〜１００００程度である。   The energy ray curable compound (B) is a compound that is polymerized and cured when irradiated with energy rays such as ultraviolet rays and electron beams. Examples of the energy beam polymerizable compound include low molecular weight compounds (monofunctional and polyfunctional monomers and oligomers) having an energy beam polymerizable group, and specifically include trimethylolpropane triacrylate and tetramethylolmethane. Acrylates such as tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, dicyclopentadiene dimethoxydiacrylate, Cyclic aliphatic skeleton-containing acrylates such as isobornyl acrylate, polyethylene glycol diacrylate, oligoester acrylate, urethane acrylate Goma, epoxy-modified acrylates, polyether acrylates, acrylate compounds such as itaconic acid oligomer is used. Such a compound has at least one polymerizable double bond in the molecule, and usually has a molecular weight of about 100 to 30,000, preferably about 300 to 10,000.

一般的には成分（Ａ）１００重量部に対して、成分（Ｂ）は１０〜４００重量部、好ましくは３０〜３５０重量部程度の割合で用いられる。   Generally, the component (B) is used in a proportion of 10 to 400 parts by weight, preferably about 30 to 350 parts by weight, relative to 100 parts by weight of the component (A).

上記成分（Ａ）および（Ｂ）の性質を兼ね備えるエネルギー線硬化型粘着性重合体（ＡＢ）は、主鎖または側鎖に、エネルギー線重合性基が結合されてなる。   The energy ray-curable pressure-sensitive adhesive polymer (AB) having the properties of the components (A) and (B) has an energy ray polymerizable group bonded to the main chain or side chain.

エネルギー線硬化型粘着性重合体の主骨格は特に限定はされず、粘着剤として汎用されているアクリル共重合体であってもよい。   The main skeleton of the energy ray curable adhesive polymer is not particularly limited, and may be an acrylic copolymer that is widely used as an adhesive.

エネルギー線硬化型粘着性重合体の主鎖または側鎖に結合するエネルギー線重合性基は、たとえばエネルギー線重合性の炭素−炭素二重結合を含む基であり、具体的には（メタ）アクリロイル基等を例示することができる。エネルギー線重合性基は、アルキレン基、アルキレンオキシ基、ポリアルキレンオキシ基を介してエネルギー線硬化型粘着性重合体に結合していてもよい。   The energy beam polymerizable group bonded to the main chain or side chain of the energy beam curable adhesive polymer is, for example, a group containing an energy beam polymerizable carbon-carbon double bond, and specifically, (meth) acryloyl. Examples include groups. The energy beam polymerizable group may be bonded to the energy beam curable pressure-sensitive adhesive polymer via an alkylene group, an alkyleneoxy group, or a polyalkyleneoxy group.

エネルギー線重合性基が結合されたエネルギー線硬化型粘着性重合体（ＡＢ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１万〜２００万であることが好ましく、１０万〜１５０万であることがより好ましい。また、エネルギー線硬化型粘着性重合体（ＡＢ）のガラス転移温度（Ｔｇ）は、好ましくは−７０〜３０℃、より好ましくは−６０〜２０℃の範囲にある。   The weight average molecular weight (Mw) of the energy ray curable adhesive polymer (AB) to which the energy ray polymerizable group is bonded is preferably 10,000 to 2,000,000, more preferably 100,000 to 1,500,000. preferable. The glass transition temperature (Tg) of the energy ray curable adhesive polymer (AB) is preferably in the range of −70 to 30 ° C., more preferably in the range of −60 to 20 ° C.

エネルギー線硬化型粘着性重合体（ＡＢ）は、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、置換アミノ基、エポキシ基等の官能基を含有するアクリル粘着性重合体と、該官能基と反応する置換基とエネルギー線重合性炭素−炭素二重結合を１分子毎に１〜５個を有する重合性基含有化合物とを反応させて得られる。アクリル粘着性重合体は、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、置換アミノ基、エポキシ基等の官能基を有する（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体と、前述した成分（Ａ）を構成するモノマーとからなる共重合体であることが好ましい。該重合性基含有化合物としては、（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート、メタ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート、（メタ）アクリロイルイソシアネート、アリルイソシアネート、グリシジル（メタ）アクリレート；（メタ）アクリル酸等が挙げられる。   The energy ray curable adhesive polymer (AB) reacts with the acrylic adhesive polymer containing a functional group such as a hydroxyl group, a carboxyl group, an amino group, a substituted amino group, and an epoxy group, for example, with the functional group. It is obtained by reacting a substituent with a polymerizable group-containing compound having 1 to 5 energy beam polymerizable carbon-carbon double bonds per molecule. Acrylic adhesive polymer is a monomer that comprises (meth) acrylic acid ester monomer or derivative thereof having a functional group such as hydroxyl group, carboxyl group, amino group, substituted amino group, and epoxy group, and component (A) described above. A copolymer consisting of Examples of the polymerizable group-containing compound include (meth) acryloyloxyethyl isocyanate, meta-isopropenyl-α, α-dimethylbenzyl isocyanate, (meth) acryloyl isocyanate, allyl isocyanate, glycidyl (meth) acrylate; (meth) acrylic acid Etc.

上記のようなアクリル重合体（Ａ）およびエネルギー線硬化性化合物（Ｂ）又は、エネルギー線硬化型粘着性重合体（ＡＢ）を含むエネルギー線硬化型粘着成分は、エネルギー線照射により硬化する。エネルギー線としては、具体的には、紫外線、電子線等が用いられる。   The energy ray curable adhesive component containing the acrylic polymer (A) and the energy ray curable compound (B) or the energy ray curable adhesive polymer (AB) as described above is cured by energy ray irradiation. Specifically, ultraviolet rays, electron beams, etc. are used as the energy rays.

光重合開始剤としては、ベンゾイン化合物、アセトフェノン化合物、アシルフォスフィンオキサイド化合物、チタノセン化合物、チオキサントン化合物、パーオキサイド化合物等の光開始剤、アミンやキノン等の光増感剤などが挙げられ、具体的には、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノン、２,４,６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイドなどが例示できる。エネルギー線として紫外線を用いる場合に、光重合開始剤を配合することにより照射時間、照射量を少なくすることができる。   Examples of photopolymerization initiators include photoinitiators such as benzoin compounds, acetophenone compounds, acylphosphine oxide compounds, titanocene compounds, thioxanthone compounds, and peroxide compounds, and photosensitizers such as amines and quinones. 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyldiphenyl sulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, dibenzyl, diacetyl, β-chloranthraquinone Examples include 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide. When ultraviolet rays are used as energy rays, the irradiation time and irradiation amount can be reduced by adding a photopolymerization initiator.

粘着剤層２の厚みは、好ましくは１〜２０μｍ、より好ましくは２〜１５μｍ、さらに好ましくは３〜１０μｍの範囲である。粘着剤層２の厚みが上記範囲にあることで、半導体ウエハを良好に保持し、エキスパンドの際にチップやリングフレームが脱落することを防止することができる。また、粘着剤層２の厚みが上記範囲にあることで、半導体チップのピックアップ工程を良好に行うことができる。   The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 2 is preferably in the range of 1 to 20 μm, more preferably 2 to 15 μm, and still more preferably 3 to 10 μm. When the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 2 is in the above range, it is possible to hold the semiconductor wafer satisfactorily and prevent chips and ring frames from falling off during expansion. Moreover, the pick-up process of a semiconductor chip can be favorably performed because the thickness of the adhesive layer 2 exists in the said range.

また、粘着剤層２には、その使用前に粘着剤層を保護するために剥離シートが積層されていてもよい。剥離シートは、特に限定されるものではなく、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリエチレン等の樹脂からなるフィルムまたはそれらの発泡フィルムや、グラシン紙、コート紙、ラミネート紙等の紙に、シリコーン系、フッ素系、長鎖アルキル基含有カルバメート等の剥離剤で剥離処理したものを使用することができる。   In addition, a release sheet may be laminated on the pressure-sensitive adhesive layer 2 in order to protect the pressure-sensitive adhesive layer before use. The release sheet is not particularly limited. For example, a film made of a resin such as polyethylene terephthalate, polypropylene, or polyethylene or a foamed film thereof, paper such as glassine paper, coated paper, laminated paper, silicone-based, fluorine A system and a release agent such as a long chain alkyl group-containing carbamate can be used.

基材１の表面に粘着剤層２を設ける方法は、剥離シート上に所定の膜厚になるように塗布し形成した粘着剤層２を基材１の表面に転写しても構わないし、基材１の表面に直接塗布して粘着剤層２を形成しても構わない。   The method of providing the pressure-sensitive adhesive layer 2 on the surface of the base material 1 may be such that the pressure-sensitive adhesive layer 2 applied and formed on the release sheet so as to have a predetermined film thickness is transferred to the surface of the base material 1. The pressure-sensitive adhesive layer 2 may be formed by directly applying to the surface of the material 1.

次に、本発明に係る粘着シート１０を用いる半導体装置の製造方法について説明する。本発明に係る半導体装置の製造方法について、表面に回路１３が形成された半導体ウエハ１１をチップ化する場合を例にとり説明する。図２に、表面に回路１３が形成された半導体ウエハ１１の回路面側の平面図を示す。なお、切断予定ライン１８は、各回路１３間を区画する仮想的なラインである。   Next, a method for manufacturing a semiconductor device using the pressure-sensitive adhesive sheet 10 according to the present invention will be described. A method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention will be described by taking as an example the case where the semiconductor wafer 11 having the circuit 13 formed on the surface thereof is chipped. FIG. 2 shows a plan view of the circuit surface side of the semiconductor wafer 11 having the circuit 13 formed on the surface thereof. Note that the planned cutting line 18 is a virtual line that partitions the circuits 13.

半導体ウエハ１１はシリコンウエハであってもよく、またガリウム・砒素などの化合物半導体ウエハであってもよい。ウエハ表面への回路１３の形成はエッチング法、リフトオフ法などの従来より汎用されている方法を含む様々な方法により行うことができる。半導体ウエハの回路形成工程において、所定の回路１３が形成される。回路１３は、ウエハ１１の内周部１４表面に格子状に形成される。ウエハ１１の研削前の厚みは特に限定されないが、通常は５００〜１０００μｍ程度である。   The semiconductor wafer 11 may be a silicon wafer or a compound semiconductor wafer such as gallium / arsenic. The formation of the circuit 13 on the wafer surface can be performed by various methods including conventionally used methods such as an etching method and a lift-off method. In the circuit forming process of the semiconductor wafer, a predetermined circuit 13 is formed. The circuit 13 is formed in a lattice shape on the surface of the inner peripheral portion 14 of the wafer 11. The thickness of the wafer 11 before grinding is not particularly limited, but is usually about 500 to 1000 μm.

裏面研削時には、表面の回路１３を保護するために回路面に、表面保護シートと呼ばれる粘着シートを貼付する。裏面研削は、ウエハ１１の回路面側（すなわち表面保護シート側）をチャックテーブル等により固定し、回路１３が形成されていない裏面側をグラインダーにより研削する。この結果、研削後の半導体ウエハ１１の厚みは特に限定されないが、通常は５０〜２００μｍ程度になる。裏面研削工程の後、研削によって生成した破砕層を除去する工程が行われてもよい。   At the time of back grinding, an adhesive sheet called a surface protective sheet is attached to the circuit surface in order to protect the circuit 13 on the surface. In the back surface grinding, the circuit surface side (that is, the surface protection sheet side) of the wafer 11 is fixed by a chuck table or the like, and the back surface side where the circuit 13 is not formed is ground by a grinder. As a result, the thickness of the semiconductor wafer 11 after grinding is not particularly limited, but is usually about 50 to 200 μm. After the back grinding step, a step of removing the crushed layer generated by grinding may be performed.

裏面研削工程に続いて、必要に応じ裏面にエッチング処理などの発熱を伴う加工処理や、裏面への金属膜の蒸着、有機膜の焼き付けのように高温で行われる処理を施してもよい。なお、高温での処理を行う場合には、通常、表面保護シートを剥離した後に、裏面への処理を行う。   Subsequent to the back grinding step, if necessary, the back surface may be subjected to processing that generates heat such as an etching process, or processing performed at a high temperature such as vapor deposition of a metal film or baking of an organic film on the back surface. In addition, when processing at high temperature, the process to a back surface is normally performed after peeling a surface protection sheet.

裏面研削後、図３に示すように、ウエハ１１の裏面に本発明に係るレーザーダイシング用粘着シート１０の粘着剤層２を貼付し、ウエハ１１のダイシングを行う。なお、表面保護シートがウエハ表面に貼付されている場合には、粘着シート１０の貼付前または貼付後に表面保護シートを剥離する。粘着シート１０のウエハ裏面への貼付は、マウンターと呼ばれる装置により行われるのが一般的だが特に限定はされない。 After the back surface grinding, as shown in FIG. 3, the pressure-sensitive adhesive layer 2 of the laser dicing pressure-sensitive adhesive sheet 10 according to the present invention is attached to the back surface of the wafer 11, and the wafer 11 is diced. In addition, when the surface protective sheet is stuck on the wafer surface, the surface protective sheet is peeled off before or after sticking the adhesive sheet 10. Generally, the adhesive sheet 10 is attached to the back surface of the wafer by an apparatus called a mounter, but is not particularly limited.

次いで、図３に示すように、粘着シート１０の基材１側から粘着シート１０越しに、ウエハ１１にレーザー光を照射する。レーザー光源３は、波長及び位相が揃った光を発生させる装置であり、レーザー光の種類としては、パルスレーザー光を発生するＮｄ−ＹＡＧレーザー、Ｎｄ−ＹＶＯレーザー、Ｎｄ−ＹＬＦレーザー、チタンサファイアレーザーなど多光子吸収を起こすものを挙げることができる。レーザー光の波長は、８００〜１１００ｎｍが好ましく、１０６４ｎｍがさらに好ましい。   Next, as shown in FIG. 3, the laser beam is irradiated to the wafer 11 from the base material 1 side of the pressure-sensitive adhesive sheet 10 through the pressure-sensitive adhesive sheet 10. The laser light source 3 is a device that generates light having a uniform wavelength and phase, and the types of laser light include Nd-YAG laser, Nd-YVO laser, Nd-YLF laser, and titanium sapphire laser that generate pulsed laser light. And the like that cause multiphoton absorption. The wavelength of the laser light is preferably 800 to 1100 nm, and more preferably 1064 nm.

レーザー光はウエハ内部に照射され、切断予定ライン１８に沿ってウエハ内部に改質部を形成する。ひとつの切断予定ラインをレーザー光が走査する回数は１回であっても複数回であってもよい。好ましくは、レーザー光の照射位置と、回路間の切断予定ライン１８の位置をモニターし、レーザー光の位置合わせを行いながら、レーザー光の照射を行う。   The laser beam is irradiated inside the wafer, and a modified portion is formed inside the wafer along the planned cutting line 18. The number of times the laser beam scans one scheduled cutting line may be one time or multiple times. Preferably, the irradiation position of the laser beam and the position of the line 18 to be cut between the circuits are monitored, and the laser beam is irradiated while aligning the laser beam.

レーザー光照射によりウエハ内部に改質部を形成した後、エキスパンドを行うと、粘着シート１０は伸長し、半導体ウエハ１１は、ウエハ内部の改質部を起点として個々のチップ１２に切断分離される。また、エキスパンドと同時に粘着シート１０を基材１側から治具等を用いてひっかくようにして、ウエハ１１をチップ１２に切断分離することもできる。エキスパンドは、５〜６００ｍｍ／分の速度で行うことが好ましい。その後、チップ１２はピックアップ装置によりピックアップされ、ボンディング工程を経て半導体装置が製造される。なお、粘着剤層２をエネルギー線硬化型粘着剤で形成した場合は、ピックアップ工程の前に、粘着剤の粘着力を低下させチップを剥離しやすくするためにエネルギー線を照射することが好ましい。   When the expanded portion is formed after forming the modified portion inside the wafer by laser light irradiation, the adhesive sheet 10 expands, and the semiconductor wafer 11 is cut and separated into individual chips 12 starting from the modified portion inside the wafer. . Also, the wafer 11 can be cut and separated into chips 12 by scratching the adhesive sheet 10 from the base 1 side using a jig or the like simultaneously with the expansion. The expansion is preferably performed at a speed of 5 to 600 mm / min. Thereafter, the chip 12 is picked up by a pickup device, and a semiconductor device is manufactured through a bonding process. In the case where the pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed of an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, it is preferable to irradiate energy rays before the pickup process in order to reduce the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive and make it easier to peel off the chip.

以上、本発明のレーザーダイシング用粘着シート１０の使用例について説明したが、本発明のレーザーダイシング用粘着シート１０は、通常の半導体ウエハ、ガラス基板、セラミック基板、ＦＰＣ等の有機材料基板、又は精密部品等の金属材料などの種々の物品のダイシングに使用することができる。 Having described an example of using the laser dicing adhesive sheet 10 of the present invention, the laser dicing adhesive sheet 10 of the present invention, normal semiconductor wafer, glass substrate, ceramic substrate, an organic material substrate such as an FPC, or precision It can be used for dicing various articles such as metal materials such as parts.

以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。   EXAMPLES The present invention will be described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

＜レーザーダイシング条件＞
下記シリコンウエハ裏面に実施例又は比較例の粘着シートを貼付し、粘着シート側からシリコンウエハ内部に下記の条件でレーザー光を照射した。なお、粘着シートの粘着剤層にエネルギー線硬化型の粘着剤層を用いる場合は、エネルギー線照射前にレーザー光を照射した。
・装置 ：Ｎｄ−ＹＡＧレーザー
・波長 ：１０６４ｎｍ
・繰り返し周波数 ：１００ｋＨｚ
・パルス幅 ：３０ｎｍ
・カット速度 ：１００ｍｍ／秒
・ウエハ材質 ：シリコン
・ウエハ厚 ：１００μｍ
・ウエハサイズ ：５０ｍｍ×５０ｍｍ（正方形）
・粘着シートサイズ ：約２０７ｍｍφ
・カットチップサイズ ：２ｍｍ×２ｍｍ < Laser dicing conditions>
The pressure-sensitive adhesive sheet of Example or Comparative Example was attached to the back surface of the following silicon wafer, and laser light was irradiated from the pressure-sensitive adhesive sheet side into the silicon wafer under the following conditions. In addition, when using an energy ray hardening-type adhesive layer for the adhesive layer of an adhesive sheet, the laser beam was irradiated before energy beam irradiation.
-Equipment: Nd-YAG laser-Wavelength: 1064 nm
・ Repetition frequency: 100 kHz
・ Pulse width: 30 nm
・ Cut speed: 100 mm / second ・ Wafer material: Silicon ・ Wafer thickness: 100 μm
-Wafer size: 50mm x 50mm (square)
・ Adhesive sheet size: Approximately 207mmφ
・ Cut chip size: 2mm x 2mm

＜粘着シートのヤング率＞
粘着シートのヤング率は、万能引張試験機（オリエンテック社製テンシロンＲＴＡ−Ｔ−２Ｍ）を用いて、ＪＩＳ Ｋ７１６１：１９９４に準拠して、２３℃、湿度５０％の環境下において引張速度２００ｍｍ／分で測定した。なお、粘着シートの粘着剤層にエネルギー線硬化型の粘着剤層を用いる場合は、エネルギー線照射前の粘着シートのヤング率を測定した。 <Young's modulus of the adhesive sheet>
The Young's modulus of the pressure-sensitive adhesive sheet was measured using a universal tensile tester (Tensilon RTA-T-2M manufactured by Orientec Co., Ltd.) in accordance with JIS K7161: 1994 under an environment of 23 ° C. and 50% humidity at a tensile rate of 200 mm / Measured in minutes. In addition, when using an energy ray hardening-type adhesive layer for the adhesive layer of an adhesive sheet, the Young's modulus of the adhesive sheet before energy ray irradiation was measured.

＜粘着シートの直線透過率＞
粘着シートの基材側から、紫外可視分光光度計（島津製作所社製ＵＶ−３１０１ＰＣ）を用いて直線透過率の測定（測定波長：２００〜１２００ｎｍ）を行い、波長１０６４ｎｍの測定値を読み取った。なお、粘着シートの粘着剤層にエネルギー線硬化型の粘着剤層を用いる場合は、エネルギー線照射前の粘着シートの直線透過率を測定した。 <Linear transmittance of adhesive sheet>
From the substrate side of the pressure-sensitive adhesive sheet, linear transmittance was measured (measurement wavelength: 200 to 1200 nm) using an ultraviolet-visible spectrophotometer (UV-3101PC manufactured by Shimadzu Corporation), and a measurement value at a wavelength of 1064 nm was read. In addition, when using an energy ray hardening-type adhesive layer for the adhesive layer of an adhesive sheet, the linear transmittance | permeability of the adhesive sheet before energy ray irradiation was measured.

＜粘着シートの位相差＞
位相差フィルム検査装置（大塚電子製ＲＥＴＳ−１００）及び検出器（大塚電子製ＭＣＰＤ−７７００）を用いて位相差の測定（測定波長：８００〜１１００ｎｍ）を行い、波長１０６４ｎｍの測定値を読み取った。位相差が１００ｎｍ以下の場合を「良好」、１００ｎｍより大きい場合を「不可」とした。なお、粘着シートの粘着剤層にエネルギー線硬化型の粘着剤層を用いる場合は、エネルギー線照射前の粘着シートの位相差を測定した。 <Phase difference of adhesive sheet>
A phase difference was measured (measurement wavelength: 800 to 1100 nm) using a retardation film inspection apparatus (RETS-100 manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd.) and a detector (MCPD-7700 manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd.), and a measurement value at a wavelength of 1064 nm was read. . The case where the phase difference was 100 nm or less was judged as “good”, and the case where it was larger than 100 nm was judged as “impossible”. In addition, when using an energy ray hardening-type adhesive layer for the adhesive layer of an adhesive sheet, the phase difference of the adhesive sheet before energy ray irradiation was measured.

＜基材の粗さ曲線の算術平均高さＲａ＞
ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１に基づき、表面粗さ計（Ｍｉｔｓｕｔｏｙｏ製ＳＵＲＦＴＥＳＴ ＳＶ−３０００）を用いて、粘着剤層が形成される面と反対面における基材の表面粗さを１０点測定し、その平均値を基材の粗さ曲線の算術平均高さＲａとした。なお、カットオフ値λｃを０．２５ｍｍ、評価長さＬｎを４ｍｍとした。 <Arithmetic mean height Ra of the roughness curve of the substrate>
Based on JIS B0601: 2001, using a surface roughness meter (SURFTEST SV-3000 manufactured by Mitsutoyo), the surface roughness of the substrate on the surface opposite to the surface on which the pressure-sensitive adhesive layer is formed is measured at 10 points, and the average value thereof Was the arithmetic average height Ra of the roughness curve of the substrate. The cut-off value λc was 0.25 mm, and the evaluation length Ln was 4 mm.

＜粘着シートのエキスパンド性＞
８インチウエハ用のリングフレームに実施例又は比較例の粘着シートを貼付し、エキスパンド装置（ディスコ社製、ＤＤＳ２０１０）を用い、３００ｍｍ／分でエキスパンド（１０ｍｍ引き落とし）した。問題なくエキスパンドできた場合を「良好」とし、リングフレームから粘着シートが脱落したり、粘着シートが裂けてしまった場合を「不良」とした。なお、粘着シートの粘着剤層にエネルギー線硬化型の粘着剤層を用いる場合は、エネルギー線照射前の粘着シートのエキスパンド性を評価した。 <Expandability of adhesive sheet>
The pressure-sensitive adhesive sheet of Example or Comparative Example was attached to a ring frame for an 8-inch wafer, and expanded (drawn 10 mm) at 300 mm / min using an expanding device (DDS 2010, manufactured by Disco Corporation). The case where it was able to expand without problems was defined as “good”, and the case where the adhesive sheet dropped from the ring frame or the adhesive sheet was torn was regarded as “bad”. In addition, when using an energy ray hardening-type adhesive layer for the adhesive layer of an adhesive sheet, the expandability of the adhesive sheet before energy ray irradiation was evaluated.

＜チップ分割率＞
上記シリコンウエハおよび８インチウエハ用のリングフレームに実施例又は比較例の粘着シートを貼付し、上記のレーザーダイシング条件で、粘着シート越しにレーザーを照射してウエハの内部に改質部を形成後、エキスパンド装置（ディスコ社製、ＤＤＳ２０１０）を用いて、３００ｍｍ／分、１０ｍｍ引き落としの条件で粘着シートをエキスパンドし、ウエハをチップ化した。カットチップサイズにチップ化されたチップの数（完全に個片化されたチップの数）を目視にて数え、ウエハ上に想定された全チップ数（仮想チップの合計数）に対するチップ化されたチップ数（チップ分割率）を算出し、下記の基準にて評価した。チップ分割率が高いほど半導体チップを歩留まりよく製造できる。なお、粘着シートの粘着剤層にエネルギー線硬化型の粘着剤層を用いる場合は、エネルギー線照射前に粘着シートをエキスパンドした。
（基準）
Ａ：９９．５％以上
Ｂ：９８％以上９９．５％未満
Ｃ：５０％以上９８％未満
Ｄ：２５％以上５０％未満
Ｅ：２５％未満 <Chip division ratio>
After pasting the adhesive sheet of the example or comparative example on the ring frame for the silicon wafer and the 8-inch wafer and irradiating the laser through the adhesive sheet under the above laser dicing conditions to form a modified portion inside the wafer Using an expanding apparatus (DDS2010, manufactured by Disco Corporation), the pressure-sensitive adhesive sheet was expanded under the conditions of 300 mm / min and 10 mm withdrawal, and the wafer was chipped. The number of chips cut into the cut chip size (the number of completely separated chips) was visually counted, and the number of chips formed on the wafer (the total number of virtual chips) was converted into chips. The number of chips (chip division ratio) was calculated and evaluated according to the following criteria. A semiconductor chip can be manufactured with a high yield as the chip division ratio increases. In addition, when using an energy ray hardening-type adhesive layer for the adhesive layer of an adhesive sheet, the adhesive sheet was expanded before energy ray irradiation.
(Standard)
A: 99.5% or more B: 98% or more and less than 99.5% C: 50% or more and less than 98% D: 25% or more and less than 50% E: Less than 25%

（実施例１）
アクリル共重合体（２−エチルヘキシルアクリレート／酢酸ビニル／アクリル酸／メチルメタクリレート／２−ヒドロキシエチルメタクリレート＝１８．５／７５／１／５／０．５（質量比）、Ｍｗ＝６０万、Ｔｇ＝５℃）１００重量部に対し、エネルギー線硬化性化合物として２官能ウレタンアクリレートオリゴマー（Ｍｗ＝８０００）６０重量部、６官能ウレタンアクリレートオリゴマー（Ｍｗ＝２０００）６０重量部を配合したエネルギー線硬化型粘着成分に、光重合開始剤（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製「イルガキュア１８４」）３重量部及び多価イソシアナート化合物（日本ポリウレタン社製、コロネートＬ）１．６重量部を配合（すべて固形分換算による配合比）し、粘着剤組成物とした。 Example 1
Acrylic copolymer (2-ethylhexyl acrylate / vinyl acetate / acrylic acid / methyl methacrylate / 2-hydroxyethyl methacrylate = 18.5 / 75/1/5 / 0.5 (mass ratio), Mw = 600,000, Tg = Energy ray curable adhesive in which 60 parts by weight of bifunctional urethane acrylate oligomer (Mw = 8000) and 60 parts by weight of hexafunctional urethane acrylate oligomer (Mw = 2000) are blended with respect to 100 parts by weight of 5 ° C.). 3 parts by weight of a photopolymerization initiator (“Irgacure 184” manufactured by Ciba Specialty Chemicals) and 1.6 parts by weight of a polyvalent isocyanate compound (manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd., Coronate L) are blended into the components (all in terms of solid content) To obtain a pressure-sensitive adhesive composition.

剥離フィルム（リンテック社製、ＳＰ−ＰＥＴ３８１１（Ｓ））に、上記粘着剤組成物を塗布した後に、乾燥（オーブンにて１００℃、１分間）させ、厚み１０μｍの粘着剤層を作製した。次いで、基材として、カレンダー製膜法により製造された厚さ８０μｍのポリ塩化ビニルフィルム（ヤング率＝２８０ＭＰａ）を用い、粘着剤層を転写し、レーザーダイシング用粘着シートを得た。この粘着シートについて、「粘着シートのヤング率」、「粘着シートの直線透過率」、「粘着シートの位相差」及び「基材の粗さ曲線の算術平均高さＲａ」を測定し、「粘着シートのエキスパンド性」及び「チップ分割率」を評価した。結果を表１に示す。 The above-mentioned pressure-sensitive adhesive composition was applied to a release film (SP-PET3811 (S) manufactured by Lintec Corporation), and then dried (100 ° C. for 1 minute in an oven) to prepare a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 10 μm. Next, a 80 μm-thick polyvinyl chloride film (Young's modulus = 280 MPa) manufactured by a calendering method was used as a substrate, and the pressure-sensitive adhesive layer was transferred to obtain a pressure-sensitive adhesive sheet for laser dicing . For this pressure-sensitive adhesive sheet, the “Young's modulus of the pressure-sensitive adhesive sheet”, “Linear transmittance of the pressure-sensitive adhesive sheet”, “Phase difference of the pressure-sensitive adhesive sheet”, and “Arithmetic average height Ra of the roughness curve of the substrate” were measured. Sheet expandability "and" chip split ratio "were evaluated. The results are shown in Table 1.

（実施例２）
基材の厚さを５０μｍにした以外は、実施例１と同様にしてレーザーダイシング用粘着シートを得、測定及び評価を行った。なお、基材のヤング率は２８０ＭＰａであった。結果を表１に示す。 (Example 2)
Except that the thickness of the substrate was 50 μm, a pressure-sensitive adhesive sheet for laser dicing was obtained in the same manner as in Example 1, and measurement and evaluation were performed. The Young's modulus of the base material was 280 MPa. The results are shown in Table 1.

（実施例３）
基材として、カレンダー製膜法により製造された厚さ８０μｍのポリ塩化ビニルフィルム（ヤング率＝５５０ＭＰａ）を用いた以外は、実施例１と同様にしてレーザーダイシング用粘着シートを得、測定及び評価を行った。結果を表１に示す。 (Example 3)
A pressure-sensitive adhesive sheet for laser dicing was obtained in the same manner as in Example 1 except that a 80 μm-thick polyvinyl chloride film (Young's modulus = 550 MPa) produced by a calendering method was used as the substrate, and measurement and evaluation Went. The results are shown in Table 1.

（実施例４）
ウレタンアクリレートオリゴマー（ポリプロピレングリコール（Ｍｗ＝７００）／イソホロンジイソシアネート／２−ヒドロキシエチルアクリレート＝４／５／２（質量比）、Ｍｗ＝４５００）１００重量部に、イソボルニルアクリレート１００重量部及び光重合開始剤（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製「ダロキュア１１７３」）１重量部を配合（すべて固形分換算による配合比）し、混合物を得た。 Example 4
Urethane acrylate oligomer (polypropylene glycol (Mw = 700) / isophorone diisocyanate / 2-hydroxyethyl acrylate = 4/5/2 (mass ratio), Mw = 4500), 100 parts by weight of isobornyl acrylate and photopolymerization 1 part by weight of an initiator (“Darocur 1173” manufactured by Ciba Specialty Chemicals) was blended (all blending ratios in terms of solid content) to obtain a mixture.

剥離フィルム（リンテック社製、ＳＰ−ＰＥＴ３８１１（Ｓ））に、上記混合物を塗布した後に、紫外線を照射（２２０ｍＷ／ｃｍ２、１５００ｍＪ／ｃｍ２）し、剥離フィルムを剥がして、基材として厚さ１００μｍのポリウレタンアクリレートフィルム（ヤング率＝３５０ＭＰａ）を得た。この基材を用いた以外は、実施例１と同様にしてレーザーダイシング用粘着シートを得、測定及び評価を行った。結果を表１に示す。 After applying the above mixture to a release film (SP-PET3811 (S), manufactured by Lintec Corporation), the film was irradiated with ultraviolet rays (220 mW / cm 2 , 1500 mJ / cm 2 ) to peel off the release film to obtain a thickness as a substrate. A 100 μm polyurethane acrylate film (Young's modulus = 350 MPa) was obtained. Except using this base material, the adhesive sheet for laser dicing was obtained like Example 1, and it measured and evaluated. The results are shown in Table 1.

（実施例５）
下記の基材（コート層付きポリウレタンアクリレートフィルム）を用い、コート層が形成されていない基材の表面に粘着剤層を転写したこと以外は、実施例４と同様にしてレーザーダイシング用粘着シートを得、測定及び評価を行った。結果を表１に示す。 (Example 5)
A laser dicing adhesive sheet was prepared in the same manner as in Example 4 except that the following base material (polyurethane acrylate film with a coat layer) was used and the adhesive layer was transferred to the surface of the base material on which the coat layer was not formed. Obtained, measured and evaluated. The results are shown in Table 1.

２官能エポキシアクリレート１００重量部と、平均粒子径０．５μｍのシリカフィラー１００重量部とを十分に撹拌し、混合物を得た。剥離フィルム（リンテック社製、ＳＰ−ＰＥＴ３８１１（Ｓ））に、上記混合物を乾燥後の厚みが５μｍとなるように塗布、乾燥し、コート層を得た。   100 parts by weight of bifunctional epoxy acrylate and 100 parts by weight of silica filler having an average particle size of 0.5 μm were sufficiently stirred to obtain a mixture. The mixture was applied to a release film (SP-PET3811 (S) manufactured by Lintec Corporation) so that the thickness after drying was 5 μm and dried to obtain a coating layer.

上記のコート層に、実施例４に記載の混合物を塗布した後に、紫外線を照射（２２０ｍＷ／ｃｍ２、１５００ｍＪ／ｃｍ２）し、剥離フィルムを剥がして、基材としてコート層付きポリウレタンアクリレートフィルム（ヤング率＝３２１ＭＰａ）を得た。なお、基材の厚さは１００μｍであった。 After applying the mixture described in Example 4 to the above-mentioned coat layer, ultraviolet rays were irradiated (220 mW / cm 2 , 1500 mJ / cm 2 ), the release film was peeled off, and a polyurethane acrylate film with a coat layer ( Young's modulus = 321 MPa) was obtained. The base material had a thickness of 100 μm.

（比較例１）
基材として、押出製膜法により製造された厚さ８０μｍのエチレン・メタクリル酸共重合体フィルム（ヤング率＝１２０ＭＰａ）を用いた以外は、実施例１と同様にしてレーザーダイシング用粘着シートを得、測定及び評価を行った。結果を表１に示す。 (Comparative Example 1)
A pressure-sensitive adhesive sheet for laser dicing was obtained in the same manner as in Example 1 except that an 80 μm-thick ethylene / methacrylic acid copolymer film (Young's modulus = 120 MPa) produced by an extrusion film forming method was used as the substrate. Measurement and evaluation were performed. The results are shown in Table 1.

（比較例２）
比較例１と同様の基材を用い、比較例１における粘着剤層を転写した面と反対面に粘着剤層を転写したこと以外は、実施例１と同様にしてレーザーダイシング用粘着シートを得、測定及び評価を行った。結果を表１に示す。 (Comparative Example 2)
A pressure-sensitive adhesive sheet for laser dicing was obtained in the same manner as in Example 1 except that the same base material as in Comparative Example 1 was used and the pressure-sensitive adhesive layer was transferred to the surface opposite to the surface to which the pressure-sensitive adhesive layer was transferred in Comparative Example 1. Measurement and evaluation were performed. The results are shown in Table 1.

（比較例３）
基材として、押出製膜法により製造された厚さ５０μｍの２軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム（ヤング率＝４５００ＭＰａ）を用いた以外は、実施例１と同様にしてレーザーダイシング用粘着シートを得、測定及び評価を行った。結果を表１に示す。 (Comparative Example 3)
A pressure-sensitive adhesive sheet for laser dicing was obtained and measured in the same manner as in Example 1 except that a biaxially stretched polyethylene terephthalate film (Young's modulus = 4500 MPa) with a thickness of 50 μm produced by an extrusion film forming method was used as the substrate. And evaluated. The results are shown in Table 1.

（比較例４）
基材として、厚さ５０μｍのポリイミドフィルム（ヤング率＝５２００ＭＰａ）を用いた以外は、実施例１と同様にしてレーザーダイシング用粘着シートを得、測定及び評価を行った。結果を表１に示す。なお、ポリイミドフィルムは、ポリアミド酸の溶液を金属製のベルト上に押し出して乾燥し、５００℃にてイミド化させて作製した。 (Comparative Example 4)
A pressure-sensitive adhesive sheet for laser dicing was obtained in the same manner as in Example 1 except that a 50 μm-thick polyimide film (Young's modulus = 5200 MPa) was used as the substrate, and measurement and evaluation were performed. The results are shown in Table 1. The polyimide film was prepared by extruding a polyamic acid solution onto a metal belt, drying it, and imidizing at 500 ° C.

（比較例５）
基材として、押出製膜法により製造された厚さ１００μｍの２軸延伸ポリプロピレンフィルム（ヤング率＝５２０ＭＰａ）を用いた以外は、実施例１と同様にしてレーザーダイシング用粘着シートを得、測定及び評価を行った。結果を表１に示す。 (Comparative Example 5)
A pressure-sensitive adhesive sheet for laser dicing was obtained in the same manner as in Example 1, except that a biaxially stretched polypropylene film (Young's modulus = 520 MPa) having a thickness of 100 μm produced by an extrusion film forming method was used as a substrate. Evaluation was performed. The results are shown in Table 1.

Figure 0005603757
Figure 0005603757

実施例１〜４のレーザーダイシング用粘着シートは、エキスパンド性及びチップ分割率ともに良好であった。特に、実施例４は、位相差が小さいため、チップ分割率が非常に良好であった。一方、実施例５のレーザーダイシング用粘着シートは、粘着剤層が形成された面と反対面における基材の粗さ曲線の算術平均高さＲａが０．１μｍ以上であるため、実施例１〜４と比較してチップ分割率が少し下がった。 The adhesive sheets for laser dicing of Examples 1 to 4 were good in both expandability and chip division rate. In particular, in Example 4, since the phase difference was small, the chip division ratio was very good. On the other hand, since the adhesive sheet for laser dicing of Example 5 has an arithmetic average height Ra of the roughness curve of the base material on the surface opposite to the surface on which the pressure-sensitive adhesive layer is formed, it is not less than 0.1 μm. Compared to 4, the chip split rate was slightly lower.

１…基材
２…粘着剤層
３…レーザー光源
５…リングフレーム
１０…レーザーダイシング用粘着シート
１１…半導体ウエハ
１２…チップ
１３…回路
１４…内周部
１８…切断予定ライン（仮想） DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Base material 2 ... Adhesive layer 3 ... Laser light source 5 ... Ring frame 10 ... Adhesive sheet 11 for laser dicing ... Semiconductor wafer 12 ... Chip 13 ... Circuit 14 ... Inner peripheral part 18 ... Planned cutting line (virtual)

Claims (7)

基材と、その片面に形成された粘着剤層とからなり、レーザー光照射によりウエハ内部に改質部を形成した後、個々のチップに切断分離する工程に用いるレーザーダイシング用粘着シートであって、
該粘着シートの２３℃におけるヤング率が３０〜６００ＭＰａであり、
波長１０６４ｎｍにおける該粘着シートの直線透過率が８０％以上であり、
波長１０６４ｎｍにおける該粘着シートの位相差が１００ｎｍ以下であるレーザーダイシング用粘着シート。 A substrate, the Ri Do from one surface to the formed adhesive layer, after forming the modified portion therein wafer by laser beam irradiation, a laser dicing adhesive sheet used in the step of cutting into individual chips And
The Young's modulus at 23 ° C. of the pressure-sensitive adhesive sheet is 30 to 600 MPa,
The linear transmittance of the pressure-sensitive adhesive sheet at a wavelength of 1064 nm is 80% or more,
A pressure-sensitive adhesive sheet for laser dicing, wherein a phase difference of the pressure-sensitive adhesive sheet at a wavelength of 1064 nm is 100 nm or less. 該基材が、キャスト製膜法またはカレンダー製膜法により製造される請求項１に記載のレーザーダイシング用粘着シート。 The pressure-sensitive adhesive sheet for laser dicing according to claim 1, wherein the substrate is produced by a cast film forming method or a calender film forming method. 該粘着剤層が形成された面と反対面における該基材の粗さ曲線の算術平均高さＲａが０．１μｍ未満である請求項１または２に記載のレーザーダイシング用粘着シート。 The pressure-sensitive adhesive sheet for laser dicing according to claim 1 or 2, wherein the arithmetic average height Ra of the roughness curve of the substrate on the surface opposite to the surface on which the pressure-sensitive adhesive layer is formed is less than 0.1 µm. 基材が単層である請求項１〜３のいずれかに記載のレーザーダイシング用粘着シート。The adhesive sheet for laser dicing according to any one of claims 1 to 3, wherein the substrate is a single layer. 基材がポリ塩化ビニルフィルムまたはポリウレタンアクリレートフィルムである請求項１〜４のいずれかに記載のレーザーダイシング用粘着シート。The pressure-sensitive adhesive sheet for laser dicing according to any one of claims 1 to 4, wherein the substrate is a polyvinyl chloride film or a polyurethane acrylate film. 厚み１００μｍ、サイズ５０ｍｍ×５０ｍｍの正方形のシリコンウエハを粘着剤層に貼付した後、該シリコンウエハの内部に改質部を形成し、３００ｍｍ／分で１０ｍｍ引き落としの条件において、粘着シートをエキスパンドし、２ｍｍ×２ｍｍのチップを製造する時のチップ分割率が９８％以上である請求項１〜５のいずれかに記載のレーザーダイシング用粘着シート。After pasting a square silicon wafer having a thickness of 100 μm and a size of 50 mm × 50 mm to the adhesive layer, a modified portion is formed inside the silicon wafer, and the adhesive sheet is expanded under the condition of pulling out 10 mm at 300 mm / min, The pressure-sensitive adhesive sheet for laser dicing according to any one of claims 1 to 5, wherein a chip division rate when producing a 2 mm x 2 mm chip is 98% or more. 表面に回路が形成された半導体ウエハの裏面に、請求項１〜６のいずれかに記載のレーザーダイシング用粘着シートを貼付する工程、
該粘着シートの基材側から粘着シート越しに、該半導体ウエハにレーザー光を照射して、ウエハ内部に改質部を形成する工程、及び
該粘着シートのエキスパンドにより、該半導体ウエハを分割してチップ化する工程を含む半導体装置の製造方法。 A process of attaching the adhesive sheet for laser dicing according to any one of claims 1 to 6 , to the back surface of a semiconductor wafer having a circuit formed on the surface,
The semiconductor wafer is divided by the step of irradiating the semiconductor wafer with laser light from the base material side of the pressure-sensitive adhesive sheet to form a modified portion inside the wafer, and the expansion of the pressure-sensitive adhesive sheet. A manufacturing method of a semiconductor device including a step of forming a chip.
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