JP4511266B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
2 半導体素子
3 金属細線
4 樹脂
5 電極突起
6 フラックスを含む熱可塑性樹脂
7 パッケージ回路基板
8 半導体素子
9 金属細線
10 樹脂
11 突起電極
12a パッケージ回路基板底部外周部に設けられた突起部
12b 突起部(パッケージ内側に形成)
12c パッケージ内側に形成された突起
12d パッケージ回路基板内側に形成された複数の突起部
12e 突起部(熱可塑性樹脂と同程度の溶融温度を有している)
12f 突起部
12g 突起部(側面および下部を凸部にしている)
12h 突起部(側面および下部を凹部にしている)
13 フラックスを含む熱可塑性樹脂
14 ノズル
15 金型
16 ポッド部
17 プランジャー
18 フラックスを含有する熱可塑性樹脂シート
19 半導体素子
20 電極
21 金属層
22 突起部
23 フラックスを含有する熱可塑性樹脂
24 半導体素子
25 電極
26 金属層
27 突起電極
28 突起部
29 フラックスを含有する熱可塑性樹脂
30 リードフレームの支持部
31 半導体素子
32 インナーリード部
33 金属細線
34 封止樹脂
35 アウターリード部
36 突起部
37 フラックスを含有する熱可塑性樹脂
38 治具
39 ローラー
40 金型
41 基板
42 ランド
43 金属魂
44 フラックスを含有する熱可塑性樹脂(実装後)
Claims (20)
- パッケージ回路基板と、
前記パッケージ回路基板上に搭載された半導体素子と、
前記パッケージ回路基板の配線と前記半導体素子とを電気的に接続した接続手段と、
前記パッケージ回路基板上の前記半導体素子の外囲を封止した樹脂と、
前記パッケージ回路基板の底面に設けられた突起電極と、
前記パッケージ回路基板の底面外周部に設けられた突起部と、
前記パッケージ回路基板の底面と対向し前記突起電極と前記突起部とを挾む状態に配置された回路基板と、
前記パッケージ回路基板と前記回路基板との間において、前記突起電極間および前記突起電極と前記突起部との間に設けられたフラックスを含有する熱可塑性樹脂とを備え、
前記熱可塑性樹脂が前記回路基板と前記突起部の先端部分との間に設けられている半導体装置。 - 半導体素子と、
前記半導体素子の表面の電極上に形成された金属層と、
前記半導体素子の表面上の外周部に形成された突起部と、
前記半導体素子の表面と対向し前記突起部と前記金属層とを挾む状態に配置された回路基板と、
前記半導体素子と前記回路基板との間において、前記金属層以外で前記突起部内側の半導体素子表面領域に形成されたフラックスを含有する熱可塑性樹脂層とを備え、
前記熱可塑性樹脂層が前記回路基板と前記突起部の先端部分との間に形成されている半導体装置。 - 半導体素子と、
前記半導体素子の表面の電極上に形成された金属層と、
前記金属層上に形成された突起電極と、
前記半導体素子の表面上の外周部に形成された突起部と、
前記半導体素子の表面と対向し前記突起部と前記金属層および前記突起電極とを挾む状態に配置された回路基板と、
前記半導体素子と前記回路基板との間において、前記突起電極以外で前記突起部内側の半導体素子表面領域に形成されたフラックスを含有する熱可塑性樹脂層とを備え、
前記熱可塑性樹脂層が前記回路基板と前記突起部の先端部分との間に形成されている半導体装置。 - リードフレームの支持部に搭載された半導体素子と、
前記半導体素子と前記リードフレームのインナーリード部とを電気的に接続した接続手段と、
前記インナーリード部の底面側を露出させてアウターリード部が構成されるように前記半導体素子の外囲を封止した封止樹脂と、
前記封止樹脂における前記アウターリード部の露出面の外周部に形成された突起部と、
前記封止樹脂における前記アウターリード部の露出面と対向し前記突起部と前記アウターリード部とを挾む状態に配置された回路基板と、
前記封止樹脂と前記回路基板との間において、前記突起部内側の前記封止樹脂における前記アウターリード部の露出面領域に形成されたフラックスを含有する熱可塑性樹脂層とを備え、
前記熱可塑性樹脂層が前記回路基板と前記突起部の先端部分との間に形成されている半導体装置。 - 前記突起部は、前記パッケージ回路基板底面上、前記半導体素子上、もしくは、前記半導体装置下面上を一周する形状で、1本もしくは複数本を有し、前記突起部間にフラックスを含有する熱可塑性樹脂層を有する請求項1,2,3または4記載の半導体装置。
- 前記突起部は、円柱、四角柱もしくは多角柱を複数本配置した構成である請求項1,2,3または4記載の半導体装置。
- 前記突起部と前記突起電極間に、フラックスを含有する熱可塑性樹脂層の代わりにフラックスを含まない熱可塑性樹脂層を有する請求項1,2,3または4記載の半導体装置。
- リードフレームの支持部に半導体素子を搭載する工程と、
前記半導体素子と前記リードフレームのインナーリード部とを電気的に接続する工程と、
前記インナーリード部の底面側を露出させてアウターリード部が構成されるように前記半導体素子の外囲を封止樹脂により封止する工程と、
前記封止樹脂における前記アウターリード部の露出面の外周部に突起部を形成する工程と、
前記封止樹脂における前記アウターリード部の露出面の領域にフラックスを含有する熱可塑性樹脂をポッティングもしくは金型を用いて塗布する工程と、
前記封止樹脂と回路基板とで前記突起部と前記アウターリード部とを挾む状態に前記封止樹脂の熱可塑性樹脂面と前記回路基板とを対向配置させ、加熱処理をして前記熱可塑性樹脂を溶融、硬化させることにより前記半導体素子を前記回路基板に実装する工程とを含み、
前記熱可塑性樹脂が前記回路基板と前記突起部の先端部分との間に設けられている半導体装置の製造方法。 - リードフレームの支持部に半導体素子を搭載する工程と、
前記半導体素子と前記リードフレームのインナーリード部とを電気的に接続する工程と、
前記インナーリード部の底面側を露出させてアウターリード部が構成されるように前記半導体素子の外囲を封止樹脂により封止する工程と、
前記封止樹脂における前記アウターリード部の露出面の外周部に突起部を形成する工程と、
前記封止樹脂における前記アウターリード部の露出面の領域にフラックスを含有する熱可塑性樹脂のシートを貼る工程と、
前記封止樹脂と回路基板とで前記突起部と前記アウターリード部とを挾む状態に前記封止樹脂の熱可塑性樹脂面と前記回路基板とを対向配置させ、加熱処理をして前記熱可塑性樹脂を溶融、硬化させることにより前記半導体素子を前記回路基板に実装する工程とを含み、
前記熱可塑性樹脂が前記回路基板と前記突起部の先端部分との間に設けられている半導体装置の製造方法。 - 半導体素子の表面の電極上に金属層を形成する工程と、
前記金属層上に突起電極を形成する工程と、
前記半導体素子の表面上の外周部に突起部を形成する工程と、
前記突起電極以外で前記突起部内側の半導体素子表面領域にフラックスを含有する熱可塑性樹脂をポッティングもしくは金型を用いて塗布する工程と、
前記半導体素子と回路基板とで前記突起部と前記金属層および前記突起電極とを挾む状態に前記半導体素子の熱可塑性樹脂面と前記回路基板とを対向配置させ、加熱処理をして前記熱可塑性樹脂を溶融、硬化させることにより前記半導体素子を前記回路基板に実装する工程とを含み、
前記熱可塑性樹脂が前記回路基板と前記突起部の先端部分との間に設けられている半導体装置の製造方法。 - 半導体素子の表面の電極上に金属層を形成する工程と、
前記金属層上に突起電極を形成する工程と、
前記半導体の表面上の外周部に突起部を形成する工程と、
前記突起電極以外で前記突起部内側の半導体素子表面領域にフラックスを含有する熱可塑性樹脂のシートを貼る工程と、
前記半導体素子と回路基板とで前記突起部と前記金属層および前記突起電極とを挾む状態に前記半導体素子の熱可塑性樹脂面と前記回路基板とを対向配置させ、加熱処理をして前記熱可塑性樹脂を溶融、硬化させることにより前記半導体素子を前記回路基板に実装する工程とを含み、
前記熱可塑性樹脂が前記回路基板と前記突起部の先端部分との間に設けられている半導体装置の製造方法。 - 半導体素子の表面の電極上に金属層を形成する工程と、
前記半導体素子の表面上の外周部に突起部を形成する工程と、
前記金属層以外で前記突起部内側の半導体素子表面領域にフラックスを含有する熱可塑性樹脂のシートを貼る工程と、
前記半導体素子と回路基板とで前記突起部と前記金属層とを挾む状態に前記半導体素子の熱可塑性樹脂面と前記回路基板とを対向配置させ、加熱処理をして前記熱可塑性樹脂を溶融、硬化させることにより前記半導体素子を前記回路基板に実装する工程とを含み、
前記熱可塑性樹脂が前記回路基板と前記突起部の先端部分との間に設けられている半導体装置の製造方法。 - パッケージ回路基板上に半導体素子を搭載する工程と、
前記パッケージ回路基板の配線と前記半導体素子とを電気的接続する工程と、
前記パッケージ回路基板上の前記半導体素子の外囲を樹脂により封止する工程と、
前記パッケージ回路基板の底面に突起電極を設ける工程と、
前記パッケージ回路基板の底面外周部に突起部を設ける工程と、
前記突起電極間および前記突起電極と前記突起部との間にフラックスを含有する熱可塑性樹脂をポッティングもしくは金型を用いて塗布する工程と、
前記パッケージ回路基板と回路基板とで前記突起部と前記突起電極とを挾む状態に前記パッケージ回路基板の熱可塑性樹脂面と前記回路基板とを対向配置させ、前記加熱処理をして前記熱可塑性樹脂を溶融、硬化させることにより前記パッケージ回路基板を前記回路基板に実装する工程とを含み、
前記熱可塑性樹脂が前記回路基板と前記突起部の先端部分との間に設けられている半導体装置の製造方法。 - パッケージ回路基板上に半導体素子を搭載する工程と、
前記パッケージ回路基板の配線と前記半導体素子とを電気的接続する工程と、
前記パッケージ回路基板上の前記半導体素子の外囲を樹脂により封止する工程と、
前記パッケージ回路基板の底面に突起電極を設ける工程と、
前記パッケージ回路基板の底面外周部に突起部を設ける工程と、
前記突起電極間および前記突起電極と前記突起部との間にフラックスを含有する熱可塑性樹脂のシートを貼る工程と、
前記パッケージ回路基板と回路基板とで前記突起部と前記突起電極とを挾む状態に前記パッケージ回路基板の熱可塑性樹脂面と前記回路基板とを対向配置させ、前記加熱処理をして前記熱可塑性樹脂を溶融、硬化させることにより前記パッケージ回路基板を前記回路基板に実装する工程とを含み、
前記熱可塑性樹脂が前記回路基板と前記突起部の先端部分との間に設けられている半導体装置の製造方法。 - 前記フラックスを含有する熱可塑性樹脂をポッティングにて塗布し、斜めに傾けた四角柱状の金属もしくは樹脂の治具を突起部に接触させた後、パッケージ回路基板面、半導体素子面、もしくは、半導体装置下面と平行に移動させることによって、前記熱可塑性樹脂の量を一定にする請求項8,10または13記載の半導体装置の製造方法。
- 前記フラックスを含有する熱可塑性樹脂をポッティングにて塗布し、金属もしくは樹脂のローラーを突起部に接触させた後、回転させながらパッケージ回路基板面、半導体素子面、もしくは、半導体装置下面と平行に移動させることによって、前記熱可塑性樹脂の量を一定にする請求項8,10または13記載の半導体装置の製造方法。
- 前記パッケージ回路基板または前記半導体素子を前記回路基板に実装するときに、前記パッケージ回路基板または前記半導体素子の前記熱可塑性樹脂面を前記回路基板に対向させ前記突起電極を前記回路基板上の電極とを位置合わせをして搭載し、前記加熱処理により前記突起電極を溶融させて前記回路基板上の前記電極と硬化接合させると共に、前記加熱処理により前記熱可塑性樹脂を溶融、硬化させて前記パッケージ回路基板または前記半導体素子と前記回路基板とを接続させる請求項10、11、13または14記載の半導体装置の製造方法。
- 前記パッケージ回路基板底面、前記半導体素子上、もしくは、前記封止樹脂下面に形成された突起部の高さを変化させることによって、フラックスを含有する熱可塑性樹脂の量を調整可能とした請求項1,2,3または4記載の半導体装置。
- 前記パッケージ回路基板底面、前記半導体素子上、もしくは、前記封止樹脂下面に形成された突起部は、フラックスを含む熱可塑性樹脂と同等の溶融温度に設定される請求項1,2,3または4記載の半導体装置。
- 前記パッケージ回路基板底面、前記半導体素子上、もしくは、前記封止樹脂下面に形成された突起部の側面、下部は凸部、もしくは凹部、もしくは凸部及び凹部共に形成されている請求項1,2,3または4記載の半導体装置。
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