JP4500238B2 - リソグラフィ機器及びデバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
本明細書では、IC(集積回路)の製造にリソグラフィ機器を使用することを具体的に参照することがあるが、本明細書で説明するリソグラフィ機器は、集積光学系、磁気ドメイン・メモリ用の誘導/検出パターン、フラット・パネル・ディスプレイ、薄膜磁気ヘッドなどの製造など、他の応用が可能であることを理解されたい。このような代替応用例の状況では、本明細書で用いる「ウェハ」又は「ダイ」という用語は、それぞれより一般の用語である「基板」又は「目標部分」と同義とみなし得ることが当業者には理解されよう。本明細書で言及する基板は、例えば、トラック(例えば典型的には、基板にレジスト層を塗布し、露光されたレジストを現像するツール)、或いは計測又は検査用のツール内で、露光前又は露光後に処理することができる。該当する場合には、上記その他の基板処理ツールに本明細書の開示を適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ICを生成するために2回以上処理することがある。そのため、本明細書で用いる基板という用語は、複数の処理済み層をすでに含む基板を指すこともある。
図1に、本発明の実施例によるリソグラフィ投影機器100を概略的に示す。機器100は少なくとも、放射システム102、個々に制御可能な素子の配列104、物体テーブル106(例えば、基板テーブル)、及び投影システム(「レンズ」)108を備える。
図2に、本発明の一実施例によるリソグラフィ・システム100の一部を示す。照明システム102によって提供されたビーム110は、それを複数のサブ・ビーム10a、10b、10cに分割する屈折型格子11に方向づけられる。レンズ又はレンズ群12を使用して、サブ・ビーム10a、10b、10cを個々に制御可能な素子の配列13に投影する。各サブ・ビーム10a、10b、10cは、個々に制御可能な素子の配列13内の1つ又は複数の個々に制御可能な素子に結像する。それぞれの瞬間に、これらの個々に制御可能な素子は、所望のパターンに設定され、それにしたがって、サブ・ビーム10a、10b、10cが変調される。
図3に、本発明の一実施例による屈折型格子の特性を示す。この実施例では、屈折型格子20は、複数の円筒レンズ21(例えば、円筒の一部を形成する1つ又は複数の表面を有するレンズ)を含む。円筒レンズ21は、それらの長手方向軸線(例えば、伸張形状のレンズの長さに沿って一定であるレンズ断面に直交する軸線)が相互に平行になるように、列をなして互いに隣接するように配置される。図3の断面図に示すように、各円筒レンズは、放射を、円筒レンズの長手方向軸線に平行な線に結像する(例えば、図3に示すように、断面図では単なる点である)。これらの焦線は、円筒レンズ21の列に平行な列22の形で配置される。例えば、焦線の列22は、回折型格子におけるスリットの列に対応する働きをする。屈折型格子20は、複数の平行スリットから形成された回折型格子に類似の効果をもたらす。即ち、最大強度の一連のラインを提供し、事実上、ビームをサブ・ビームに分割する。ただし、屈折型格子20に入射し方向づけられる放射のほぼすべては、サブ・ビームになるが、回折型格子では、放射の大部分(例えば、スリットとスリットの間で回折型格子に入射する放射)が吸収されるので、屈折型格子20のほうがかなり効率的である。
以上、本発明の様々な実施例を説明してきたが、これらは単なる実施例として提示されたものであり、限定的なものではないことを理解されたい。本発明の趣旨及び範囲を逸脱することなく、これらの実施例において形態及び細部の様々な変更を加えることができることが当業者には明らかであろう。そのため、本発明の広さ及び範囲は、上記で説明した実施例のいずれによっても限定されるべきではなく、添付の特許請求の範囲及びそれらの均等物によってのみ定義すべきである。
12 レンズ
13 個々に制御可能な素子の配列、屈折型格子
15 第2レンズ
16 結像素子の配列、マイクロ・レンズ配列
17 基板
20 屈折型格子
21 円筒レンズ
30 円筒レンズの第1配列
32 円筒レンズの第2配列
34 放射ビーム
35 サブ・ビーム
40 第1ビーム
41 第2ビーム
42 屈折型格子
45〜49 サブ・ビーム
50 個々に制御可能な素子
51、52 放射ビーム
53 屈折型格子
55〜57 レンズ
61 第1放射ビーム
62 第2放射ビーム
63 屈折型格子
65、66 レンズ
68 反射器
Claims (11)
- 放射ビームを供給する照明システムと、
前記ビームを複数のサブ・ビームに分割する屈折型格子と、
個々に制御可能な素子の配列であって、前記ビームにパターンを付与するために、前記複数の放射サブ・ビームを、前記個々に制御可能な素子の配列の関連する個々に制御可能な素子に方向づけるように構成されている、個々に制御可能な素子の配列と、
基板の目標部分に前記パターンの付与されたビームを投影する投影システムとを含み、
前記照明システムが、少なくとも1つの別の放射ビームを提供し、
前記ビーム及び前記少なくとも1つの別のビームが、前記屈折型格子に方向づけられて、それぞれがサブ・ビームに分割されるようになっており、
前記ビーム及び前記少なくとも1つの別のビームが、互いに関連する角度を有して前記屈折型格子に方向づけられ、それによって、各ビームから得られた前記サブ・ビームの少なくとも1つが一致するようになっているリソグラフィ機器。 - 前記屈折型格子が、伸張形状のレンズの第1の配列及び第2の配列を含み、
前記ビームが、前記伸張形状のレンズの第1の配列及び第2の配列を連続して通過し、
前記レンズのそれぞれが、その長手方向軸線に直交する一定の断面を有し、
前記伸張形状のレンズの第1配列の前記レンズが、それらの長手方向軸線が相互に平行になるように配置され、
前記伸張形状のレンズの第2配列の前記レンズが、それらの長手方向軸線が前記伸張形状のレンズの第1配列の前記レンズの長手方向軸線に直交するように配置されている請求項1に記載されたリソグラフィ機器。 - 前記伸張形状のレンズの少なくとも1つのレンズの断面が、実質的に少なくとも円の一部である部分を含む請求項2に記載されたリソグラフィ機器。
- 前記伸張形状のレンズの第1の配列及び第2の配列の少なくとも1つにおける前記伸張形状のレンズの前記断面が、実質的に同じである請求項2に記載されたリソグラフィ機器。
- 前記放射サブ・ビームの強度分布が、
前記伸張形状のレンズの第1の配列又は第2の配列の少なくとも1つにおける前記レンズの形状、
前記伸張形状のレンズの第1の配列又は第2の配列の少なくとも1つの幅、
前記伸張形状のレンズの第1の配列及び第2の配列の少なくとも1つにおける前記伸張形状のレンズ間の離隔距離、
前記伸張形状のレンズの第1の配列又は第2の配列の少なくとも1つを横切って変化する前記レンズの断面、
前記屈折型格子に入射する前記放射ビームの放射強度分布、
前記屈折型格子と前記個々に制御可能な素子の配列との間に配置された1つ又は複数の減衰器
のうちの少なくとも1つによって決定されるようになっている請求項2に記載されたリソグラフィ機器。 - 各サブ・ビームが、前記個々に制御可能な素子の1つ又は複数に結像されるようになっている請求項1に記載されたリソグラフィ機器。
- 単一レンズ又はレンズ群が、前記個々に制御可能な素子の配列にすべての前記サブ・ビームを結像するために使用されている請求項1に記載されたリソグラフィ機器。
- 前記個々に制御可能な素子の配列からの放射を前記基板の複数のスポットに結像する結像素子の配列をさらに含む請求項7に記載されたリソグラフィ機器。
- 前記単一レンズ又はレンズ群が、さらに、前記個々に制御可能な素子の配列からの前記放射を前記結像素子の配列に方向付けるようになっている請求項8に記載されたリソグラフィ機器。
- 前記照明システムによって提供された前記ビーム及び前記少なくとも1つの別のビームが、互いに平行であり、レンズ又はレンズ群によって関連する角度で前記屈折型格子に方向づけられるようになっている請求項1に記載されたリソグラフィ機器。
- 放射ビームを提供する段階と、
屈折型格子を使用して、前記放射ビームを複数の放射サブ・ビームに分割する段階と、
前記複数の放射サブ・ビームを、個々に制御可能な素子の配列の関連する個々に制御可能な素子に方向づける段階と、
前記個々に制御可能な素子の配列を使用して、前記複数のサブ・ビームのそれぞれにパターンを付与する段階と、
前記パターンを付与したビームを基板の目標部分に投影する段階とを含み、
前記提供する段階は、少なくとも1つの別の放射ビームを提供することを含み、
前記分割する段階は、前記屈折型格子を使用して、前記少なくとも1つの別のビームを複数の放射サブ・ビームに分割することを含み、
前記ビーム及び前記少なくとも1つの別のビームが、互いに関連する角度を有して前記屈折型格子に方向づけられ、それによって、各ビームから得られた前記サブ・ビームの少なくとも1つが一致するようになっている、デバイスの製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/939,947 US7079225B2 (en) | 2004-09-14 | 2004-09-14 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006086529A JP2006086529A (ja) | 2006-03-30 |
JP4500238B2 true JP4500238B2 (ja) | 2010-07-14 |
Family
ID=36033529
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005264568A Expired - Fee Related JP4500238B2 (ja) | 2004-09-14 | 2005-09-13 | リソグラフィ機器及びデバイスの製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7079225B2 (ja) |
JP (1) | JP4500238B2 (ja) |
KR (1) | KR100637885B1 (ja) |
CN (1) | CN100570489C (ja) |
TW (1) | TWI283435B (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
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- 2005-09-13 KR KR1020050085229A patent/KR100637885B1/ko not_active IP Right Cessation
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TWI283435B (en) | 2007-07-01 |
JP2006086529A (ja) | 2006-03-30 |
CN100570489C (zh) | 2009-12-16 |
KR20060051252A (ko) | 2006-05-19 |
US7079225B2 (en) | 2006-07-18 |
TW200622506A (en) | 2006-07-01 |
KR100637885B1 (ko) | 2006-10-23 |
CN1766737A (zh) | 2006-05-03 |
US20060055905A1 (en) | 2006-03-16 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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